CN1700416A - 半导体制造装置及图样形成方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体制造装置，包括一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；一电离防止部件，用以防止所述液体的电离。

Description

半导体制造装置及图样形成方法
相关申请的前后参照
此申请依照35U.S.C.§119要求享有2004年5月17日在日本递交的专利申请2004-146219的优先权，在此由于提及而将其全文引入。
发明背景
本申请涉及一种用于半导体设备的制造工艺或类似过程的半导体制造装置，以及使用该装置形成图样的方法。
随着半导体集成电路集成度及半导体设备尺寸缩小化的程度不断提高，日益需要进一步迅速发展平版印刷术。当前，图样形成是用水银灯、KrF准分子激光、ArF准分子激光或类似物的曝光光线经影印平版印刷术进行的，维持在较短波长的F2激光的使用正在被检验。然而，由于大量问题还存在于曝光***及光致抗蚀材料中，采用较短波长的曝光光线的影印平版印刷术还未付诸实际应用。
在这种情况下，近来提议将浸渍平版印刷术(immersionlithography)通过使用传统的曝光光线用于实现图样的进一步精制(例如参见M.Switkes and M.Rothschild“Immersion Lithography at157nm”，J.Vac.Sci.Technol.，第B19卷，第2353页(2001))。
在浸渍平版印刷术中，曝光***中夹在投影透镜和在晶片上形成的抗蚀膜之间的区域用具有折射率n(而n＞1)的液体填充，因而曝光***的NA(数字光圈)具有值n·NA。从而可以改进抗蚀膜的辨析率。
现在，将参照图7A-7D描述采用浸渍平版印刷术的传统图样形成方法。
首先，制备具有下列组成的阳性化学增强的抗蚀材料：
聚合物基料：聚((降冰片烯-5-亚甲基-叔丁羧酸酯)(50mol％)-(马来酸酐)(50mol％))              ...2g
酸引发剂：三苯基锍triflate    ...0.04g
淬灭剂：三乙醇胺              ...0.002g
溶剂：丙二醇单甲基醚醋酸酯    ...20g
接着，如图7A中所示，将前述化学增强的抗蚀材料涂覆在基底1上以形成厚度为0.35μm的抗蚀膜2。
然后，如图7B中所示，在抗蚀膜2上覆水3，使ArF准分子激光的NA为0.68的曝光光线4穿过遮光框5照射抗蚀膜2来进行图样的曝光。
图样曝光后，如图7C中所示，用电热板在105℃的温度下烘焙抗蚀膜260秒钟，用2.38wt％氢氧化四甲基铵显影剂使所得的抗蚀膜显影。以此方式，如图7D中所示，形成由抗蚀膜2的未曝光部份组成并且具有0.09μm谱线宽度的抗蚀图样2a。
发明概述
然而，如图7D中所示，由常规图样形成方法形成的抗蚀图样2a形状有缺陷。
本发明采用各种方式研究了由常规浸渍平版印刷术形成的抗蚀图样形状有缺陷的原因，结果有以下发现：由于低分子量化合物例如酸引发剂或淬灭剂从抗蚀膜2洗脱到覆盖在抗蚀膜2上的水3中，或由于水3渗透到抗蚀膜2中，所以抗蚀膜不能表现出期望的性能。例如，在图7D所示的情形中，抗蚀图样2a具有带T型顶部的缺陷形状大概是由于在抗蚀膜2的曝光部份与未曝光部份之间的界面上酸引发剂的浓度较低。相反，当用于使酸引发剂失活的淬灭剂的浓度降低时，所得抗蚀图样2a具有带圆肩的缺陷形状。
在这两种情形中，当将具有如此缺陷形状的抗蚀图样2a用作蚀刻靶膜时，所得靶膜的图样形状也有缺陷，这在制造半透膜设备的工艺中不利地降低生产率和产量。
考虑到前述的传统问题，本发明的一个目标是通过防止用在浸渍平版印刷术中的液体对抗蚀膜的影响来形成精细的抗蚀图样。
基于前述的研究结果，本发明已经发现通过防止施加在抗蚀剂上的液体电离，可以防止包含在抗蚀剂内的低分子量组分例如酸引发剂或淬灭剂洗脱进入液体以及液体渗透进入抗蚀剂，该液体是在曝光期间施加到抗蚀膜上以提高曝光光线的数字光圈。反之，当液体具有电离度时，液体和酸引发剂或淬灭剂之间的相容性较大，从而从抗蚀剂到液体的洗脱被增强；并且，液体与极性部分例如抗蚀剂的聚合物之间的相容性也较大，从而液体到抗蚀剂的渗透也被增强。
本发明基于上述的研究结果而设计，并且根据本发明，防止了施加在抗蚀膜上的液体的电离从而抗蚀膜可以保持其期望的性能。具体地说，本发明如下实施：
本发明的半导体制造装置包括一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；一电离防止部件，用以防止液体的电离。
在本发明的半导体制造装置中，可以防止施加在抗蚀膜上的液体的电离，由此，曝光期间可以防止抗蚀膜的低分子量组分洗脱进入液体以及液体渗透进入抗蚀膜。因而，可以防止用于浸渍平版印刷术的液体对抗蚀剂的影响，从而保持抗蚀剂的期望性能。结果，可以形成形状优良的精细图样。
在本发明的半导体制造装置中，电离防止部件优选包含惰性气体供应部件，用以至少在施加于平台上的液体附近提供惰性气氛。当由此使液体置于惰性气氛时，液体决不与空气直接接触，从而，二氧化碳气体(CO2)不会溶解在液体中。由此可以防止液体被溶解在液体中的二氧化碳气体生成的碳酸(H2CO3)电离。
在本发明的半导体制造装置中，电离防止部件优选包含脱碳部件，用以从至少在施加于平台上的液体附近的气氛中除去二氧化碳气体。当由此从至少在施加于平台上的液体附近的气氛中除去二氧化碳气体时，即使液体与空气接触，由于空气中所含的二氧化碳气体已经被除去，也能够防止液体被溶解在液体中的二氧化碳气体所生成的碳酸电离。
在本发明的半导体制造装置中，电离防止部件优选包含一超纯水产生部件，用以接收来自液体供应部件的液体并将其转变成超纯水。当施加在平台上的液体如此被充分消电离时，即使与空气接触，该消电离液体的电离也极小。
在此情形下，优选电离防止部件将液体的电导率调整为0.03μs/cm或更少。
在本发明的半导体制造装置包含惰性气体供应部件的情形下，惰性气氛可以包含氮气、氩气和氖气中的至少一种。
在本发明的半导体制造装置包含脱碳部件的情形下，脱碳部件可以是水滑石。应当指出水滑石是一种具有层状结构，典型组成为Mg6Al2(OH)16·O3·H2O的化合物。
本发明的第一种图样形成方法包括步骤：在基底上形成抗蚀膜；获得一种气氛，在该气氛中至少在施有液体的区域之外的抗蚀膜附近液体被最小化地电离；通过用曝光光线选择性照射抗蚀膜来实施图样曝光，处于所述气氛中的抗蚀膜上施有液体；以及图样曝光后通过使抗蚀膜显影来形成抗蚀剂图样，这种方法被采用在这样的半导体制造装置中：该装置包含一个平台，用以放置带有抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射抗蚀膜，在平台上的抗蚀膜上施有液体。
在第一种图样形成方法中，由于至少在施有液体的区域之外的抗蚀膜附近获得了液体电离最小化的气氛，因此可以防止施加在抗蚀膜上的液体电离。从而在图样曝光期间，可以防止抗蚀膜的低分子量组分洗脱进入液体以及液体渗透进入抗蚀膜。结果，可以防止用于浸渍平版印刷术的液体对抗蚀剂的影响，从而保持抗蚀剂的期望性能。由此，可以形成形状优良的精细图样。
在第一种图样形成方法中，获得液体在其中最小化电离的气氛的步骤优选包含将惰性气体供应到抗蚀膜上的子步骤。曝光期间液体由此暴露于惰性气体时，液体决不与空气接触，从而含在空气中的二氧化碳气体不溶解在液体中。由此，可以防止液体被碳酸电离。
在第一种图样形成方法中，获得液体在其中最小化电离的气氛的步骤优选包含在抗蚀膜上提供惰性气体气氛的子步骤。
在第一种图样形成方法中，获得液体在其中最小化电离的气氛的步骤优选包含使惰性气体在抗蚀膜上流动的子步骤。
在第一种图样形成方法中，获得液体在其中最小化电离的气氛的步骤优选包含从抗蚀膜上的气氛中除去二氧化碳气体的子步骤。当二氧化碳气体由此从抗蚀膜上的气氛中除去时，即使液体与该空气接触，二氧化碳气体也不溶于液体中。从而防止液体被碳酸电离。
本发明的第二种图样形成方法包括步骤：在基底上形成抗蚀膜；在抗蚀膜上提供已被防止电离的液体；通过用曝光光线选择性照射抗蚀膜来实施图样曝光，在抗蚀膜上施有已被防止电离的液体；以及图样曝光后通过使抗蚀膜显影形成抗蚀图样。
在第二种图样形成方法中，已被防止电离的液体被施加在抗蚀膜上，因而即使与空气接触时，已被防止电离的液体也仅被最小化地电离。从而在图样曝光期间，可以防止抗蚀膜的低分子量组分洗脱进入液体以及液体渗透进入抗蚀膜。结果，可以防止用于浸渍平版印刷术的液体对抗蚀剂的影响，从而保持抗蚀剂的期望性能。由此，可以形成形状优良的精细图样。
在第二种图样形成方法中，提供已被防止电离的液体的步骤优选包含将液体转变为超纯水的子步骤。
在第二种图样形成方法中，已被防止电离的液体优选具有0.03μS/cm或更低的电导率。
在第一种图样形成方法中，使用惰性气体时，惰性气体可以是氮气、氩气和氖气中的至少一种。
在第一种图样形成方法中，去除二氧化碳气体时，可以将水滑石用以除去二氧化碳气体。
在本发明的半导体制造装置和图样形成方法中，用于提高曝光光线的数字光圈值的液体可以是水或全氟聚醚。
在本发明的半导体制造装置和图样形成方法中，曝光光线可以是KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或Xe2激光。
附图概述
图1是根据本发明实施方式1的半导体制造装置的主要部分的截面图。
图2A、2B、2C和2D是截面图，表示采用本发明实施方式1的半导体制造装置的图样形成方法中的过程。
图3是根据本发明实施方式2的半导体制造装置的主要部分的截面图。
图4A、4B、4C和4D是截面图，表示采用本发明实施方式2的半导体制造装置的图样形成方法中的过程。
图5是根据本发明实施方式3的半导体制造装置的主要部分的截面图。
图6A、6B、6C和6D是截面图，表示采用本发明实施方式3的半导体制造装置的图样形成方法中的过程。
图7A、7B、7C和7D是截面图，表示常规图样形成方法中的过程。
发明详述
实施方式1
现在将参照附图详细描述本发明的实施方式1。
图1示意性地表示根据本发明实施方式1的半导体制造装置的主要部分的截面结构，该装置用以实现采用浸渍平版印刷术的图样形成方法。
如图1中所示，实施方式1的半导体制造装置包含一光学***30，该光学***位于腔室10内并作为用以曝光设计图样的光源，用于将该设计图样曝光在晶片20的主要表面上的抗蚀膜(未示出)上；一液体供应部件40，用以在曝光期间通过供应管路41供应待施加在晶片20的抗蚀膜上的液体24，以提高曝光光线的数字光圈；以及一惰性气体供应部件50，该部件相当于电离防止部件并从供应口51提供例如氮气(N2)的惰性气体26到晶片20的主要表面上，以将惰性气体26保持在流动状态。
在腔室10内的光学***30之下，设置曝光部件(投影透镜)34，用以使曝光光线穿过液体24投影到抗蚀膜上，该曝光光线由光学***30发出并穿过带有待转移到抗蚀膜上的设计图样的遮光框(标线片)32和支撑晶片20的活动平台36。在曝光期间支撑曝光部件34与施加到晶片20的抗蚀膜上的液体24的表面接触，从而覆盖活动平版36(或晶片20)。同样，活动平台36被可移动地支撑在与曝光部件34相对的面板38上。
应当指出可以将惰性气体26填充到腔室10内以在整个腔室10内获得惰性气氛而不是使惰性气体总在活动平台36的附近流动。可选地，可以仅在液体24最可能暴露于空气的区域内提供惰性气氛，该区域在从液体供应部件40供应液体到活动平台36上的管路上。文中，惰性气体可以是氩气(Ar)或氖气(Ne)而不是氮气。可选地，可将包含氮气、氩气和氖气中至少一种的混合气体用作惰性气体26。
此外，可将预先消电离的液体用作从液体供应部件40供应到活动平台36之上的液体24。
液体供应部件40和惰性气体供应部件50可位于腔室10之内或之外。
以这种方式，在实施方式1的半导体制造装置中，至少在施加在晶片20上的液体24的附近让惰性气体26流动或提供惰性气氛，以提高数字光圈(NA)值，从而，液体24决不会与空气接触。结果，空气中所含的二氧化碳气体(CO2)不会溶解在液体24中，从而可以防止液体被二氧化碳气体溶解于液体24时所产生的碳酸(H2CO3)电离。由此，可以防止液体24对抗蚀剂的影响，从而能够保持抗蚀剂的期望性能。结果，可以形成形状优良的精细图样。
现在，将参照图2A-2D描述采用图1的半导体制造装置的一种图样制造方法。
首先，制备具有下列组成的阳性化学增强的抗蚀材料：
聚合物基料：聚((降冰片烯-5-亚甲基-叔丁羧酸酯)(50mol％)-(马来酸酐)(50mol％))                   ...2g
酸引发剂：三苯基锍triflate         ...0.04g
淬灭剂：三乙醇胺                   ...0.002g
溶剂：丙二醇单甲基醚醋酸酯         ...20g
接着，如图2A中所示，将前述化学增强抗蚀材料涂覆在基底20上从而形成厚度为0.35μm的抗蚀膜21。
然后，如图2B中所示，在抗蚀膜21和投影透镜34之间提供作为液体24的水，用ArF准分子激光的NA为0.68的曝光光线35穿过遮光框(未示出)照射抗蚀膜21来进行图样的曝光。在这种情形中，如图1中所示，曝光期间，施加在抗蚀膜21上的液体24暴露于惰性气体26中，该惰性气体26从惰性气体供应部件50的供应口51以流动态供应。
图样曝光后，如图2C中所示，用电热板在105℃的温度下烘焙抗蚀膜2160秒钟，然后，用2.38wt％氢氧化四甲基铵显影剂使所得的抗蚀膜显影。以此方式，如图2D中所示，形成由抗蚀膜21的未曝光部份组成并且具有0.09μm谱线宽度的形状优良的抗蚀图样21a。
由此，根据实施方式1的图样形成方法，曝光期间施加在抗蚀膜21上的液体24暴露于惰性气体26中，因此，液体24决不与空气直接接触。从而，能够防止液体24被空气中所含的二氧化碳气体溶解于液体24时所产生的碳酸电离。因而，可以防止抗蚀剂中所含的低分子量组分如酸引发剂或淬灭剂洗脱进入液体以及液体24渗透进入抗蚀剂。结果，可以保持抗蚀膜21的期望性能，从而能够形成形状优良的精细抗蚀图样21a。
应当指出液体24可以用全氟聚醚代替水。
实施方式2
现在将参照附图描述本发明的实施方式2。
图3示意性地表示根据本发明实施方式2的半导体制造装置的主要部分的截面结构，该装置用以实现采用浸渍平版印刷术的图样形成方法。图3中，相同的附图标记用以表示与图1中所示相同的部件以简化描述。
如图3中所示，实施方式2的半导体制造装置包含一脱碳部件52，该部件相当于电离防止部件，吸收气氛27中的空气，该气氛存在于至少在施加在晶片20上的液体的附近，所述晶片支撑在活动平台36上，并吸附已被抽气的气氛27中所含的二氧化碳气体，该气氛的其余部分被排空。
脱碳部件52具有开在接近活动平台36一侧的吸气口53和用以排空到腔室10之外的排空口54，并采用公知的能够吸附碳的化合物或类似物如水滑石从气氛中除去二氧化碳气体。在这种情形中，已经从中除去二氧化碳气体的气氛(即废气)可以放空到腔室10的内部。
此外，脱碳部件52不仅可以从活动平台36附近除去二氧化碳气体，而且还可以从腔室10的整个内部、或从液体24暴露于空气中的区域的气氛中除去二氧化碳气体。
而且，可将预先消电离的液体用作从液体供应部件40供应到活动平台36之上的液体24。
液体供应部件40和脱碳部件52可位于腔室10之内或之外。可选地，液体供应部件40可以单独地安置在腔室10的外部。
以这种方式，在实施方式2的半导体制造装置中，至少从施加在晶片20上的液体24附近的气氛27中除去二氧化碳气体，以提高数字光圈(NA)值，因而二氧化碳气体(CO2)不会溶解在液体24中。从而，可以防止液体24被该气氛中所含的二氧化碳气体溶解于液体24时所产生的碳酸(H2CO3)电离，因而可以防止液体24对抗蚀剂的影响。由此，能够保持抗蚀剂的期望性能。结果，可以形成形状优良的精细图样。
现在，将参照图4A-4D描述采用图3的半导体制造装置的一种图样制造方法。
首先，制备具有下列组成的阳性化学增强的抗蚀材料：
聚合物基料：聚((降冰片烯-5-亚甲基-叔丁羧酸酯)(50mol％)-(马来酸酐)(50mol％))                   ...2g
酸引发剂：三苯基锍triflate         ...0.04g
淬灭剂：三乙醇胺                   ...0.002g
溶剂：丙二醇单甲基醚醋酸酯         ...20g
接着，如图4A中所示，将前述化学增强抗蚀材料涂覆在基底20上从而形成厚度为0.35μm的抗蚀膜21。
然后，如图4B中所示，在抗蚀膜21和投影透镜34之间提供作为液体24的水，用ArF准分子激光的NA为0.68的曝光光线35穿过遮光框(未示出)照射抗蚀膜21来进行图样的曝光。在这种情形中，如图3中所示，曝光期间从脱碳部件52的抽气口53抽取覆盖施加在抗蚀膜21上的液体24的气氛27中的空气，以从气氛27中除去二氧化碳气体。
图样曝光后，如图4C中所示，用电热板在105℃的温度下烘焙抗蚀膜2160秒钟，然后，用2.38wt％氢氧化四甲基铵显影剂使所得的抗蚀膜显影。以此方式，如图4D中所示，形成由抗蚀膜21的未曝光部份组成并且具有0.09μm谱线宽度的形状优良的抗蚀图样21a。
由此，根据实施方式2的图样形成方法，曝光期间除去了覆盖施加在抗蚀膜21上的液体24的气氛27中的二氧化碳气体，因此，液体24决不与二氧化碳气体接触。从而，能够防止液体24被气氛27中所含的二氧化碳气体溶解于液体24时所产生的碳酸电离。因而，可以防止抗蚀剂中所含的低分子量组分如酸引发剂或淬灭剂洗脱进入液体以及液体24渗透进入抗蚀剂。结果，可以保持抗蚀膜21的期望性能，从而能够形成形状优良的精细抗蚀图样21a。
应当指出液体24可以用全氟聚醚代替水。
实施方式3
现在将参照附图描述本发明的实施方式3。
图5示意性地表示根据本发明实施方式3的半导体制造装置的主要部分的截面结构，该装置用以实现采用浸渍平版印刷术的图样形成方法。图5中，相同的附图标记用以表示与图1中所示相同的部件以简化描述。
如图5中所示，实施方式3的半导体制造装置包含一超纯水发生部件56，该部件相当于电离防止部件，接收液体供应部件40所供应的液体以生成超纯水，并供应生成的超纯水到活动平台36之上。
对于超纯水发生部件56，可以采用任何已知的用以获得纯净水或超纯水的装置。本文中，形成超纯水以具有0.06μS/cm或更低的电导率，更优选0.03μS/cm或更低。
作为该实施方式的一种变形，可将超纯水直接供应给液体供应部件40。在这种情形下，超纯水发生部件56不是必需的。
液体供应部件40和超纯水发生部件56可位于腔室10之内或之外。
以这种方式，在实施方式3的半导体制造装置中，供应到晶片20上以以提高数字光圈(NA)值的液体25被消电离化以转变成超纯水，从而即使与气氛接触，该消电离水的电离也最小化。结果，二氧化碳气体(CO2)最小化地溶解于液体25中，从而可以防止液体25被该气氛中所含的二氧化碳气体溶解于液体25时所产生的碳酸(H2CO3)电离。以此方式，可以防止液体25对抗蚀剂的影响，因而，抗蚀剂能够保持其期望性能。结果，可以形成形状优良的精细图样。
现在，将参照图6A-6D描述采用图5的半导体制造装置的一种图样制造方法。
首先，制备具有下列组成的阳性化学增强的抗蚀材料：
聚合物基料：聚((降冰片烯-5-亚甲基-叔丁羧酸酯)(50mol％)-(马来酸酐)(50mol％))                   ...2g
酸引发剂：三苯基锍triflate         ...0.04g
淬灭剂：三乙醇胺                    ...0.002g
溶剂：丙二醇单甲基醚醋酸酯          ...20g
接着，如图6A中所示，将前述化学增强抗蚀材料涂覆在基底20上从而形成厚度为0.35μm的抗蚀膜21。
然后，如图6B中所示，在抗蚀膜21和投影透镜34之间提供作为液体25的电导率为0.025μS/cm的水，用ArF准分子激光的NA为0.68的曝光光线35穿过遮光框(未示出)照射抗蚀膜21来进行图样的曝光。
图样曝光后，如图6C中所示，用电热板在105℃的温度下烘焙抗蚀膜2160秒钟，然后，用2.38wt％氢氧化四甲基铵显影剂使所得的抗蚀膜显影。以此方式，如图6D中所示，形成由抗蚀膜21的未曝光部份组成并且具有0.09μm谱线宽度的形状优良的抗蚀图样21a。
由此，根据实施方式3的图样形成方法，图样曝光期间施加到抗蚀膜21上的液体25是用于消电离化的超纯水，因而，即使液体25与气氛接触，空气中所含的二氧化碳气体也仅最小化地溶液于液体中。从而，能够防止液体25被碳酸电离。因而，可以防止抗蚀剂中所含的低分子量组分如酸引发剂或淬灭剂洗脱进入液体以及液体25渗透进入抗蚀剂。结果，可以保持抗蚀膜21的期望性能，从而能够形成形状优良的精细抗蚀图样21a。
尽管实施例1-3中通过汇流法将用于提高曝光光线35的数字光圈值的液体24或25供应到活动平台36(晶片20)之上，但是也可以采用滴加法，该方法以液滴的形式在晶片20和投影透镜34之间局部地提供液体24或25。
此外，尽采用ArF准分子激光作为曝光光线35，但是还可以采用KrF准分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或Xe2激光。
到此所述，根据本发明的半导体制造装置以及使用该装置的图样形成方法，能够防止用在浸渍平版印刷术中的液体的电离，并且因此能够防止例如由抗蚀组分进入液体的洗脱引起的非正常曝光，从而能够形成形状优良的抗蚀图样。因而，本发明利于作为采用浸渍平版印刷术的半导体制造装置和图样形成方法。

Claims (25)

1.一种半导体制造装置，包括：
一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；
一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；
一电离防止部件，用以防止所述液体的电离。
2.权利要求1的半导体制造装置，其中所述电离防止部件包含惰性气体供应部件，用以至少在施加于所述平台上的所述液体附近提供惰性气氛。
3.权利要求2的半导体制造装置，其中所述惰性气氛包括氮气、氩气和氖气中的至少一种。
4.权利要求1的半导体制造装置，其中所述电离防止部件包含脱碳部件，用以从至少在施加于所述平台上的所述液体附近的气氛中除去二氧化碳气体。
5.权利要求4的半导体制造装置，其中所述脱碳部件为水滑石。
6.权利要求1的半导体制造装置，其中所述电离防止部件包含超纯水产生部件，用以从所述液体供应部件接收所述液体并将所述液体转变成超纯水。
7.权利要求1的半导体制造装置，其中所述电离防止部件将所述液体的电导率调整为0.03μs/cm或更少。
8.权利要求1的半导体制造装置，其中所述液体为全氟聚醚。
9.权利要求1的半导体制造装置，其中所述曝光光线是KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或Xe2激光。
10.一种图样形成方法，用在这样的半导体制造装置中：该装置包含一个平台，用以放置带有抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射所述抗蚀膜，所述平台上的所述抗蚀膜上施有液体；该方法包含步骤：
在所述基底上形成所述抗蚀膜；
获得一种气氛，在该气氛中至少在施有所述液体的区域之外的所述抗蚀膜附近所述液体被最小化地电离；
通过用所述曝光光线选择性照射所述抗蚀膜来实施图样曝光，处于所述气氛中的所述抗蚀膜上施有所述液体；以及
图样曝光后通过使所述抗蚀膜显影来形成抗蚀剂图样。
11.权利要求10的图样形成方法，其中获得所述液体在其中最小化电离的气氛的步骤包含将惰性气体供应到所述抗蚀膜上的子步骤。
12.权利要求11的图样形成方法，其中所述惰性气体包括氮气、氩气和氖气中的至少一种。
13.权利要求10的图样形成方法，其中获得所述液体在其中最小化电离的气氛的步骤包含在所述抗蚀膜上提供惰性气体气氛的子步骤。
14.权利要求13的图样形成方法，其中所述惰性气体包括氮气、氩气和氖气中的至少一种。
15.权利要求10的图样形成方法，其中获得所述液体在其中最小化电离的气氛的步骤包含使惰性气体在所述抗蚀膜上流动的子步骤。
16.权利要求15的图样形成方法，其中所述惰性气体包括氮气、氩气和氖气中的至少一种。
17.权利要求10的图样形成方法，其中获得所述液体在其中最小化电离的气氛的步骤包含从所述抗蚀膜上的气氛中除去二氧化碳气体的子步骤。
18.权利要求17的图样形成方法，其中除去二氧化碳气体的子步骤中使用水滑石。
19.权利要求10的图样形成方法，其中所述液体是水和全氟聚醚。
20.权利要求10的图样形成方法，其中所述曝光光线是KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或Xe2激光。
21.一种图样形成方法，包含步骤：
在基底上形成抗蚀膜；
向抗蚀膜上提供已被防止电离的液体；
通过用曝光光线选择性照射所述抗蚀膜来实施图样曝光，在所述抗蚀膜上施有所述已被防止电离的液体；以及
图样曝光后通过使所述抗蚀膜显影形成抗蚀图样。
22.权利要求21的图样形成方法，其中提供已被防止电离的液体的步骤包含将所述液体转变为超纯水的子步骤。
23.权利要求21的图样形成方法，其中所述已被防止电离的液体具有0.03μS/cm或更低的电导率。
24.权利要求21的图样形成方法，其中所述液体是水。
25.权利要求21的图样形成方法，其中所述曝光光线是KrF准分子激光、ArF准分子激光、F2激光、Kr2激光、ArKr激光、Ar2激光或Xe2激光。
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