JP3977485B2 - アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置 - Google Patents
アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3977485B2 JP3977485B2 JP12331997A JP12331997A JP3977485B2 JP 3977485 B2 JP3977485 B2 JP 3977485B2 JP 12331997 A JP12331997 A JP 12331997A JP 12331997 A JP12331997 A JP 12331997A JP 3977485 B2 JP3977485 B2 JP 3977485B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cassette
- arm
- slot
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/401—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes
- G05B19/4015—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by control arrangements for measuring, e.g. calibration and initialisation, measuring workpiece for machining purposes going to a reference at the beginning of machine cycle, e.g. for calibration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より,半導体製造工程においては,共通移載室を中心として,その周囲に各種真空処理室やカセット室が接続された,いわゆるクラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置が使用されている。かかる処理装置においては,まず被処理体,例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」と称する。)が,例えば共通移載室内に備えられた搬送アームにより,カセット室内に収容されたカセットから共通移載室内に搬送される。次いで,ウェハは,共通移載室内を介して所定の真空処理室内に順次搬送される。この際,ウェハが搬送された各種真空処理室内では,そのウェハに対して,例えばエッチング処理やスパッタ処理やCVD処理等の所定の処理が施される。そして,所定の処理が施されたウェハは,共通移載室内を介して再びカセットに戻される構成となっている。
【0003】
ところで,カセット内には,ウェハを収容するためのスロットが複数備えられており,各スロット毎にそれぞれ1枚ずつのウェハを収容し,カセット全体としては,複数枚,例えば25枚のウェハを収容することが可能なように構成されている。また,カセット室内に配置されたカセットと共通移載室内との間でのウェハの搬入出を行う場合には,あらかじめカセットの各スロットに対する搬送アームのアクセス位置が求められる構成となっている。すなわち,搬送アームのアクセス位置は,例えばカセット室内に配置された光学センサを用いて,例えば各カセットごとに搬送アームの搬送面に形成されたピックについて,
(1)最下位スロットのウェハ無し時のアクセス位置,
(2)最下位スロットのウェハ有り時のアクセス位置,
(3)最上位スロットのウェハ無し時のアクセス位置,
(4)最上位スロットのウェハ有り時のアクセス位置,
の4つの各アクセス位置が求められ,これら各位置の情報を所定の記憶装置に記憶させる構成となっている。そして,それら各アクセス位置の情報に基づいて,カセットが載置されている載置台及び搬送アームが所定の作動を行うことにより,ウェハの搬送が所望の状態で行われる構成となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,上述したように,各カセットごとに搬送アームのピックについて4点のアクセス位置を求める場合には,その位置を教示する工程が非常に複雑となり,教示者に熟練が要求されていた。また,上記検出方法では,その検出前に各カセットの各スロットごとにビーム光の照射方向,すなわちビーム光の平行度を調整する必要があるため,そのアクセス位置の検出開始までに時間がかかり,スループットを低下させる要因となっていた。さらに,ビーム光の平行度が,例全スロット中の一のスロットでずれている場合には,そのカセットに対する該アクセス位置検出を行うことができなかった。
【0005】
また,上述した搬送アームのアクセス位置検出方法では,例えばウェハが2つのスロット間をまたがって斜めに載置されるなどのクロススロットの検出は,非常に困難である。従って,例えばそのクロススロットが生じている箇所に搬送アームが進入すると,ウェハを破損してしまう場合がある。
【0006】
さらに,カセットは,長期の使用の間に歪みが生じるため,ウェハの載置位置が徐々に所定の位置からずれてしまうという問題が生じることがある。その結果,ウェハを所定の載置位置に載置することができなくなり,搬送アームのアクセス位置の算出が困難となるため,ウェハの搬送エラーが増加する場合がある。
【0007】
さらにまた,オリエンテーションフラット部が形成されたウェハを使用する場合には,ウェハの重量バランスがオリエンテーションフラット部の有無により異なるため,例えばスロット内に収容されたウェハに,いわゆる前垂れが生じることがある。その結果,搬送アームの進入によってウェハを破損したり,また搬送アームがスロット間に進入できず,ウェハの搬送を行うことができない場合がある。
【0008】
本発明は,従来のアームアクセス位置検出方法が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものであり,アームのアクセス位置の検出が容易となり,かつクロススロットなどの搬送エラーを確実に検出してウェハの破損を防止することができると共に,歪みの生じたカセットや,例えばオリエンテーションフラット部が形成されたウェハを使用する場合でも,最適なアクセス位置を算出し,搬送効率を向上させることが可能な,新規かつ改良されたアームアクセス位置検出方法及び真空処理装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため,請求項1に記載の発明によれば,複数のウェハ収納用スロットを備えたウェハカセットに対するアームのアクセス位置を検出するアームアクセス位置検出方法であって,少なくとも2枚の基準ウェハを基準スロット内に収納し,その基準ウェハの位置を光学的に検出することにより,現在のウェハカセット固有のオフセット値を算出するキャリブレーション工程と,ウェハが装填され,載置台に載置されたウェハカセットを光学的にサンプリングして,各スロット内のウェハの有無及び各スロット内に収納されたウェハの見かけ上の厚み情報(サンプリング厚み)を検出するマッピング工程と,検出されたサンプリング厚みをオフセット値により補正して,アームのアクセス位置を算出するアームアクセス位置検出工程と,から成ることを特徴としている。
【0010】
また,請求項2に記載の発明によれば,キャリブレーション工程は,アームをウェハカセット及び基準ウェハに対して所定位置にまで接近させ,アームの基準位置情報(ベース位置)を検出する工程を含むことを特徴としている。
【0011】
また,請求項3に記載の発明のよれば,キャリブレーション工程は,カセットに収容された2枚の基準ウェハの側面方向からビーム光を照射し,2枚の基準ウェハによるビーム光の2つの遮光中心の間隔を求め,その間隔を(全スロット数−1)で除算することにより基準スロット位置を算出する工程を含むことを特徴としている。
【0012】
また,請求項4に記載の発明によれば,キャリブレーション工程は,基準ウェハの中心位置(マップ位置)及び見かけ上の厚み(マップ厚み)を算出するものであることを特徴としている。
【0013】
また,請求項5に記載の発明によれば,マッピング工程は,ウェハカセットに収容されたウェハの側面方向からビーム光を照射し,各ウェハによるビーム光の遮光中心位置と基準スロット位置とを比較し,その比較値が所定の許容値以上ずれている場合には,クロススロットとしてエラー信号を発する工程を含むことを特徴としている。
【0014】
また,請求項6に記載の発明によれば,マッピング工程は,サンプリングされたサンプリング厚みとマップ厚みとの差分(マップウェハオフセット値)を求める工程を含むことを特徴としている。
【0015】
また,請求項7に記載の発明によれば,マッピング工程は,予め設定された実ウェハ厚みを,各スロットについて求めたマップウェハオフセット値により補正し,該補正後の実ウェハ厚みを表す補正ウェハ厚み情報に基づいてピッチ間距離を算出する工程を含むことを特徴としている。
【0016】
また,請求項8に記載の発明によれば,ピッチ間距離算出工程は,算出された距離を予め設定された許容値(スロットピッチ許容値)と比較し,その許容値をはずれる場合にはエラー信号を発する工程を含むことを特徴としている。
【0017】
また,請求項9に記載の発明によれば,マッピング工程は,補正ウェハ厚み情報が所定の搬送許容ウェハ厚みよりも大きい場合には,エラー信号を発する工程を含むことを特徴としている。
【0018】
また,請求項10に記載の発明によれば,アームアクセス位置検出工程は,マッピング工程でウェハが存在しないと判断された場合には,キャリブレーション工程で求めた基準スロット位置に対して実ウェハ厚みを基準としてオフセット値による補正後にアームのアクセス位置を算出することを特徴としている。
【0019】
また,請求項11に記載の発明によれば,アームアクセス位置検出工程は,マッピング工程でウェハが存在すると判断された場合には,マッピング工程で補正されたウェハ厚みに基づいてアームのアクセス位置を算出することを特徴としている。
【0020】
また,請求項12に記載の発明によれば,キャリブレーション工程は,ウェハカセットが載置されるカセットステージの水平度を許容値内に調整する水平度調整工程を含むことを特徴としている。
【0021】
また,請求項13に記載の発明によれば,キャリブレーション工程は,アームの水平度を許容値内に調整する水平度調整工程を含むことを特徴としている。
また,請求項14に記載の発明によれば,共通移載室と,1又は2以上の真空処理室と,1又は2以上のカセット室と,共通移載室内の共通移載室内とカセット室内との間で適宜ウェハを搬送することができる位置に配置されるアームと,カセット室内に収容され,1又は2以上のウェハを同時に載置可能な1又は2以上のスロットを備えるウェハカセットと,カセット室内に設けられた,ウェハカセットを載置するための載置台と,カセット室内に設けられ,少なくともスロット及びスロット内に収容されるウェハの状態を検出することが可能なセンサと,アーム,載置台に接続された駆動機構及びセンサと接続される演算制御器と,を備える真空処理装置において,演算制御器は,センサにより光学的に検出された基準スロット内に収納された少なくとも2枚の基準ウェハの位置に基づいて,現在のウェハカセット固有のオフセット値を算出し,センサにより検出された各スロット内のウェハの有無及び各スロット内に収納されたウェハの見かけ上の厚み情報(サンプリング厚み)を,オフセット値により補正して,アームのアクセス位置を算出することを特徴としている。
【0022】
以下に,添付図面を参照しながら,本発明にかかるアームアクセス位置検出方法をクラスタツール化されたマルチチャンバ型真空処理装置に適用した,実施の一形態について詳細に説明する。なお,以下の説明において,略同一の機能及び構成を有する構成要素については,同一符号を付することにより,重複説明を省略することとする。
【0023】
まず,本実施の形態に係るアームアクセス位置検出方法を適用可能な真空処理装置の構成について,図1〜3を参照しながら説明する。図1に示した真空処理装置100は,共通移載室102を中心として,例えば2つの真空処理室104a,104bと,例えば2つのカセット室106a,106bとが,その共通移載室102の周囲に配置されている。また,図2に示したように,真空処理室104a,104bと,カセット室106a,106bとは,それぞれに対応するゲートバルブG1,G2,G3,G4を介して,各々共通移載室102に連通するように接続される構成となっている。
【0024】
また,共通移載室102内には,例えば多関節アームから成る搬送アーム108が設けられている。この搬送アーム108は,共通移載室102内と,カセット室106a,106b内又は真空処理室104a,104b内との間で,適宜被処理体,例えばウェハWを搬送することができる位置に配置されている。また,搬送アーム108の搬送面には,ウェハW裏面を支持する所定のピック108aが形成されている。さらに,この搬送アーム108には,不図示の駆動機構が接続されていると共に,この駆動機構には,図2及び3に示した演算制御装置110が接続されている。また,真空処理室104a,104bは,ウェハWの被処理面に所定の処理を連続して施すための装置の集合体で,例えばエッチング装置やスパッタ装置等から構成されている。
【0025】
また,カセット室106a,106bは,図2及び3に示したように,その内部に例えば25枚のウェハWを同時に載置可能なカセット112を収容可能なように構成されている。また,カセット室106a,106bのカセット112の搬送経路側には,図1及び2に示したように,それぞれに対応するドアバルブD1,D2が設けられている。従って,外部とカセット室106a,106b内とは,気密に隔離される構成となっている。
【0026】
さらに,カセット室106a,106b内には,図3に示したように,カセット112を載置するための載置台114が,上下移動及び回転自在に設けられている。この載置台114は,支持部材116を介してカセット室106a,106b外部に設けられた不図示の駆動機構に接続されていると共に,この駆動機構には,図2及び図3に示した演算制御装置110が接続されている。従って,載置台114上に載置されたカセット112は,演算制御装置110の制御によって自在に上下移動及び回転し,所望の位置に配置される構成となっている。
【0027】
また,図2及び3に示したように,例えばカセット室106a,106b内部側壁には,それぞれに対応する光学センサ118a,118bが設けられている。これら光学センサ118a,118bは,それぞれに対応する発光部120a,120bと受光部122a,122bとから構成されている。さらに,これら発光部120a,120bと受光部122a,122bとは,所定の光の伝達を行うことが可能な位置で,かつ搬送アーム108の搬送面と略同一の水平面上に対向配置されている。さらにまた,光学センサ118a,118bは,演算制御装置110に接続されており,発光部120a,120bと受光部122a,122bとの間の光伝達の有無に関する情報が,演算制御装置110に伝達されるように構成されている。
【0028】
次に,本実施の形態に係るアームアクセス位置検出方法について説明する。
まず,本実施の形態の理解を容易にするために,本明細書中で使用する各用語について説明する。
(1)実ウェハ厚み…ウェハWの実際の厚み。
(2)許容限界値…基準スロット位置に対するマッピング工程時の各ウェハWの中心位置ずれ許容値。
(3)スロットピッチ許容値…スロット間隔の最小許容値。
(4)搬送許容ウェハ厚み…実ウェハ厚みの許容値。
(5)アップオフセット値…搬送アーム108でカセット112内のウェハWを搬出する際の載置台114の上下方向(インデクサZ軸方向)動作の補正値。
(6)ダウンオフセット値…搬送アーム108上のウェハWをカセット112内に搬入する際のインデクサZ軸の補正値。
(7)空カセットオフセット値…マッピング工程時にウェハWが存在しない場合の後述するアップ位置の補正値。
(8)ベース位置…搬送アーム108と最下位スロット内のウェハW裏面に接するインデクサZ軸位置。
(9)マップ位置…キャリブレーション工程時に求める最下位スロットのウェハW中心位置。
(10)マップ厚み…キャリブレーション工程時に求める最下位スロットのウェハWの見掛け上の厚み。
(11)基準スロット位置…キャリブレーション工程時に求める各スロットの中心位置。
(12)サンプリング厚み…サンプリング時に検出するウェハWの見掛け上の厚み。
(13)マップウェハオフセット値…各スロットのマッピング時におけるウェハWの見掛け上の厚みと,キャリブレーション工程で求めたマップ厚みとの差。
(14)アップ位置…搬送アーム108でカセット112内のウェハWを搬出する際の各スロットのインデクサZ軸の位置。
(15)ダウン位置…搬送アーム108上のウェハWをカセット112内に搬入する際の各スロットのインデクサZ軸位置。
また,本明細書中における搬送アーム108やカセット112などでの各種設定値については,図4及び5に示したように定義されるものとする。
【0029】
次に,本実施の形態に係るアームアクセス位置検出方法を構成する各工程について説明する。かかるアームアクセス位置検出方法は,後述するように,各種部材の調整工程(A)と,キャリブレーション工程(B)と,マッピング工程及びアームアクセス位置検出工程(C)とから構成されている。すなわち,本実施の形態においては,まず各種部材の調整工程でカセット(本実施の形態においては,調整用カセット112aを使用する。)やカセット室106a,106b内の載置台114などの調整を行う。次いで,それら調整された各部材を用い,キャリブレーション工程で,調整用カセット112a固有のオフセット値を求める。これら各種部材の調整工程及びキャリブレーション工程は,1度行えばカセットがカセット室106a,106b内に搬送されるごとには,行う必要がない。
【0030】
そして,処理時におけるウェハWの搬送の際には,次の各工程をカセット112ごとに行う構成となっている。すなわち,実際に搬送するウェハWを載置したカセット112及びそれらウェハWの現在の状態をマッピング工程で検出する。次いで,マッピング工程で求めた値を,各部材の固有値とキャリブレーション工程で求めた値とにより補正し,搬送アーム108のアクセス位置を検出するアームアクセス位置検出工程を行う。そして,このアームアクセス位置検出工程で求めた値に基づいて,搬送アーム108及び載置台114を作動させる構成となっている。
【0031】
次に,かかる各種部材の調整工程(A),キャリブレーション工程(B),マッピング工程及びアームアクセス位置検出工程(C)について,各工程ごとに順次詳細に説明する。
(A)各種部材の調整工程
かかる各種部材の調整工程は,後述のキャリブレーション工程前に行うもので,キャリブレーション工程で調整用カセット112aの状態を,またはマッピング工程でカセット112の状態を正確かつ確実に検出するための重要なプロセスである。そして,この各種部材の調整工程は,搬送アーム108の平行度調整工程(1)と,載置台114の調整工程(2)と,調整用カセット112aの信頼性確認工程(3)と,搬送アーム108の動作及びインデクサZ軸の移動に係る各数値のティーチング工程(4)とから構成されている。以下に,これら各工程について,順次詳細に説明する。
【0032】
(1)搬送アーム108の平行度調整工程
まず,搬送アーム108の平行度調整工程について説明する。この搬送アーム108の平行度調整工程は,図2に示した搬送アーム108の搬送面であるピック108aの平行度を所定の状態に調整する工程で,搬送アーム108をカセット112又は調整用カセット112aに所望の状態でアクセスさせるために行われる。そして,かかる搬送アーム108の調整は,まず搬送アーム108のピック108a上にウェハWを載置し,そのウェハW裏面と,例えば水平面である共通移載室102の内部底面とが,所定の間隔をもって略平行の状態となるように調整される構成となっている。
【0033】
(2)載置台114の調整工程
次に,載置台114の調整工程について説明する。この載置台114の調整工程は,その載置台114の載置面上に載置されるカセット112又は調整用カセット112aを,所望の位置に配置するために行われる。そして,かかる工程においては,図3に示した載置台114を,その載置面が水平面上に配置されるように調整する。従って,載置台114上に載置されたカセット112又は調整用カセット112aも,水平面上に配置される構成となっている。しかし,例えばオリエンテーションフラット部やノッチ部などが形成されたウェハWを使用する場合には,そのウェハWを収容したカセット112を載置台114に載置すると,ウェハWにいわゆる前垂れが生じる場合がある。この場合には,載置台114上にカセット112が載置された際に,そのカセット内のウェハWの前垂れを補償するように,載置台114を所定の有角に傾ける構成とすることも可能である。
【0034】
(3)調整用カセット112aの信頼性確認工程
次に,調整用カセット112aの信頼性確認工程について説明する。本実施の形態に係る後述のキャリブレーション工程では,通常使用するカセット112に代えて,調整用カセット112aを基準として各種条件が設定される。従って,この調整用カセット112aの信頼性が,非常に重要なパラメータとなる。そこで,調整用カセット112aの信頼性を,次のようにして調べる。
すなわち,まず図6(a),(b)に示したように,調整用カセット112a内に形成されている最上位スロットと最下位スロットとにウェハWを挿入する。
次いで,ウェハWのオリエンテーションフラット部が調整用カセット112a内の背面に配置されるように,ウェハWを各スロット内に配置する。
次いで,図6(b)に示したように,調整用カセット112aを定盤124上に載置した後,
(a)最下位スロット内ウェハW裏面の調整用カセット112aの開口部側の所定のA点と定盤124上面との距離(A’),
(b)最下位スロット内ウェハW裏面のオリエンテーションフラット部側の所定のB点と定盤124上面との距離(B’),
(c)最下位スロット内ウェハW裏面のA点とB点とを結ぶ直線を挟んで,調整用カセット112aの搬入出側に,所定の略対称の位置に設定されたC点及びD点と定盤124上面との距離(C’及びD’),
(d)最下位スロット内ウェハWのC点とD点との距離(E’),
(e)最下位スロット内ウェハWのA点に対応する最上位スロット内ウェハWのα点と定盤124上面との距離(α’),
(f)最下位スロット内ウェハWのB点に対応する最上位スロット内ウェハWのβ点と定盤124上面との距離(β’),
を測定する。
そして,これら各測定値を基にして,最下位スロットのA’,B’,C’,D’,E’,(A’−B’),(C’−D’)と,最上位スロットのα’,β’と,ピッチ間隔の{(α’+β’)−(A’+B’)}/2とが,所定の基準値に適合しているかどうか,または所定の許容範囲内であるかどうかを確認し,それらの条件を全て満たすもののみを調整用カセット112aとして使用する。
【0035】
(4)搬送アーム108の動作及びインデクサZ軸の移動に係る各数値のティーチング工程
次に,搬送アーム108の動作及びインデクサZ軸の移動に係る各数値のティーチング工程について説明する。かかる工程は,搬送アーム108の動作及びインデクサZ軸の移動(載置台114の上下方向移動)に係る各数値を演算制御器110に記憶(ティーチング)させる工程である。そして,それらのティーチングは,上述した各種条件を満たした調整用カセット112aを使用し,次のようにして行う。
(a)まず,図7(a)に示した調整用カセット112a内の最上位スロットと最下位スロットとにウェハWを挿入し,そのオリエンテーションフラット部が調整用カセット112aの背面に接するようにウェハWを配置する。
(b)次いで,ウェハWを収容した調整用カセット112aを載置台114上に載置する。
(c)次いで,図8に示したように,搬送アーム108を最下位スロット内ウェハWの通常の取り出し位置から共通移載室102側に所定距離移動させた位置,すなわち最下位スロット内ウェハWの裏面と搬送アーム108のピック108aとが最初に接する位置を,演算制御器110にティーチングさせる。この際,搬送アーム108の配置は,ウェハWの大きさを基準に設定される最下位スロット内ウェハWのティーチング座標を基にして設定される。
(d)そして,このティーチングされた位置が,図7(a)中のX部分を拡大した図7(b)に示したように,ベース位置となる。
(e)次いで,載置台114を上下方向(インデクサZ軸方向)に微小移動させて,ピック108aがシングルピックである場合には,その左右の高低差が所定の範囲内であるかを確認する。
(f)また,ピックがツインピック(上方に配置されるものをピックA108a’,下方に配置されるものをピックB108a’’とする。)である場合には,同様にして各ピックA108a’,B108a’’の左右の高低差を確認すると共に,図9(a),(B)に示したように,ピックA108a’と,ピックB108a’’及びピックA108a’と,ピックB108a’’との高低差が各々所定の範囲内であるかを確認する。
【0036】
(B)キャリブレーション工程
次に,キャリブレーション工程について説明する。このキャリブレーション工程は,上述した調整用カセット112aを使用して,その調整用カセット112aの固有値を算出する工程である。そして,その数値を算出するべく,キャリブレーション工程は,マッピング開始位置のティーチング工程(1)と,基準スロット位置の算出工程(2)とから構成されている。
(1)マッピング開始位置のティーチング工程
まず,マッピング開始位置のティーチング工程について説明する。かかる工程は,調整用カセット112aを用いて,マッピングの開始位置である最上位スロット上で,マッピングビームが発光部120a,120bから受光部122a,122bに到達する位置を求める工程である。そして,その位置は,次のようにして求める構成となっている。
(a)まず,最上位スロット内にウェハWを載置した調整用カセット112aをカセット室106a,106b内の載置台114上に載置する。
(b)次いで,調整用カセット112aのウェハWの搬入出面が,光学センサ118a,118bの発光部120a,120bと対向し,かつ調整用カセット112aのオリエンテーションフラット部側面(背面)が受光部122a,122bと対向するように,載置台114を回転させる(以下,この位置を「測定位置」とする。)。
(c)次いで,載置台114をインデクサZ軸方向に移動させて,発光部120a,120bから発振されるマッピングビームが,最上位スロット上で受光部122a,122bに到達する位置を演算制御器110に記憶させる。
【0037】
(2)基準スロット位置の算出工程
次に,基準スロット位置の算出工程について説明する。この基準スロット位置の検出工程は,上述したクロススロットが生じた場合や,空スロット内へウェハWを搬入する場合に基準とされる,基準スロット位置を算出する工程である。そして,この基準スロット位置は,図10に示したフローチャートに従い,次のようにして求められる。
(a)まず,最上位及び最下位スロット内にウェハWが載置された調整用カセット112aを載置台114上に載置し,上述したようにこの調整用カセット112aを測定位置に配置した後,マッピングビームの照射を開始する(ステップS100)。
(b)次いで,載置台114を上方に移動させて,最上位スロット(S1)から最下位スロット(S25)までのマッピングデータをサンプリング(抽出)する(ステップS102)。
(c)このサンプリングされたマッピングデータは,図10(a)に示したようにノイズ成分を含んでいるため,このノイズ成分を除去する(ステップS104)。
(d)次いで,図10(b)に示したノイズ成分が除去されたマッピングデータは,図10(c)に示したように所定のパラメータにより2値化する(ステップS106)。
(e)図10(d)に示したように,遮光された部分の各中心位置を算出する(ステップS108)。
(f)次いで,それら2つの中心位置間の距離をスロット数−1で割り,図10(e)に示したように基準スロット位置を求める(ステップS110)。
(g)次いで,これら基準スロット位置を演算制御器110に記憶させる(ステップS112)。
(h)さらに,最下位スロット(S1)内に収容されている1枚目のウェハWの中心位置であるマップ位置と,その1枚目のウェハWの見掛け上の厚みであるマップ厚みとを演算制御器110に記憶させる(ステップS114)。
(i)そして,上記演算制御器110へのティーチングが完了した後,キャリブレーション工程を終了する(ステップS116)。
【0038】
また,ステップS106で2値化した際のデータの幅である各スロットのサンプリング厚みと,基準ウェハWのマップ厚みとの差を測定し,マップウェハオフセット値を求める。
(a)すなわち,マップウェハオフセット値は,サンプリング厚みの幅がマップ厚みの幅よりも大きい場合には,図11(a)に示したように,基準スロット位置を基準としてマップ厚み幅の両側の1/2マップウェハオフセット値を和算したものである。
(b)また,サンプリング厚みの幅がマップ厚みの幅よりも小さい場合には,図11(b)に示したように,基準スロット位置を基準としてサンプリング厚み幅の両側の−1/2マップウェハオフセット値を和算し,その値を正の値にしたものである。
【0039】
(C)マッピング工程及びアームアクセス位置検出工程
次に,マッピング工程及びアームアクセス位置検出工程について説明する。まず,マッピング工程は,カセット室106a,106b内にカセット112が搬入されるごとに行われ,そのカセット112及びカセット112内のウェハWの状態を検出する工程である。また,アームアクセス位置検出工程は,各種部材の固有値,キャリブレーション工程で算出した各数値及びマッピング工程で算出した各数値に基づいて,搬送アーム108のアクセス位置を求める工程である。そして,このマッピング工程及びアームアクセス位置検出工程は,図12,図13及び図14に示したフローチャートに従い,次のようにして行われる。
【0040】
(1)まず,載置台114上に通常使用されるカセット112を載置した後,不図示の駆動機構の作動によりカセット112を所定の位置から上方に移動させると共に,マッピングビームの照射を開始する(ステップS200)。
(2)次いで,その駆動機構に接続された不図示のエンコーダから発振されるエンコーダ信号に同期させて,図12(a)に示したように,最上位スロット(S1)から最下位スロット(S25)までのマッピングビームの遮光位置(マッピングデータ)をサンプリングする(ステップS202)。
(3)次いで,図12(b)に示したように,サンプリングされたマッピングデータ中のノイズ成分を除去する(ステップS204)。
(4)次いで,ノイズ成分が除去されたマッピングデータを,図12(c)に示したように所定のパラメータにより2値化する(ステップS206)。
(5)次いで,図12(d)に示したように,遮光された部分の各中心位置を算出する(ステップS208)。
(6)次いで,図12(e)に示したように,ステップS208で求めた各中心位置と,上記キャリブレーション工程で求めた基準スロット位置±許容限界値とを比較する(ステップS210)。
(7)次いで,各中心位置が基準スロット位置±許容限界値以下又はそれ以上であるかを確認する(ステップS212)。
【0041】
(8)そして,ステップS212において,各中心位置の少なくとも1つが基準スロット位置±許容限界値以上の場合,例えば図15中のスロットS7〜S8のようにマッピングエラーが生じた場合には,使用者に対してそのマッピングエラーの報告を行う(ステップS214)。
(9)次いで,エラーカセットであるカセット112を外部に排出して,マッピング工程を終了する(ステップS216)。
なお,例えばスロットピッチ誤差などのカセット歪み許容量は,上述した調整用カセット112aの最上位スロット(S1)から最下位スロット(S25)までの間隔±許容限界値となる。従って,歪みが生じているカセット112を使用する際,その歪みがカセット歪み許容量以下である場合には,使用可能なカセット112となる。
【0042】
(10)また,ステップS212において,各中心位置が基準スロット位置±許容限界値以下である場合には,さらに各スロットの見掛け上の厚みとキャリブレーション工程で求めたマップ厚みとの差,すなわちマップウェハオフセット値を各スロットについて求める(ステップS218)。
(11)次いで,ステップS208で求めた各スロットの中心位置を,ウェハWの実際の厚みである実ウェハ厚みに各マップウェハオフセット値の絶対値を和算した値を用いて補正,すなわち各スロット内ウェハ厚みを補正する(ステップS220)。
(12)次いで,各スロットについて,補正後のスロットの上端と次スロットの下端との距離,すなわち一のスロット内のウェハWの下面と,そのスロットの1つ下の他のスロット内のウェハWの上面との距離(スロットピッチ)と,スロットピッチ許容値とを比較する(ステップS222)。
(13)次いで,各スロットのスロットピッチが,スロットピッチ許容値以上であるかを判断する(ステップS224)。この際,最下位スロット(S25)でのスロットピッチエラーの判断は行わないものとし,また一のスロットに対して他のスロット内にウェハWが収容されていない場合にもスロットピッチエラーの判断は行わないものとする。
(14)そして,ステップS224において,各スロットピッチ中の一のスロットピッチがスロットピッチ許容値以下である場合,例えば図16中のスロットS6〜S7間のようにスロットピッチエラーが生じた場合には,上記ステップS214と同様にマッピングエラーとして,使用者に対してそのマッピングエラーの報告を行う(ステップS214)。
(15)次いで,エラーカセットであるカセット112を外部に排出して,マッピング工程を終了する(ステップS216)。
【0043】
(16)また,ステップS224において,各スロットピッチがスロットピッチ許容量以上である場合には,補正後の各スロット内ウェハ厚みと,搬送許容ウェハ厚みとを比較する(ステップS226)。
(17)次いで,各スロット内ウェハ厚みが,搬送許容ウェハ厚み以下であるかを判断する(ステップS228)。
(18)そして,図17に示したように,各スロット中の一のスロット内ウェハ厚みが,搬送許容ウェハ厚み以上である場合,例えば図17中のS3やS6に示したような場合には,スロット内厚みエラーとし,上記ステップS214と同様にマッピングエラーとして,使用者に対してそのマッピングエラーの報告を行う(ステップS214)。
(19)次いで,エラーカセットであるカセット112を外部に排出して,マッピング工程を終了する(ステップS216)。
【0044】
(20)また,各スロット中の各のスロット内ウェハ厚みが,搬送許容ウェハ厚み以下である場合には,上述したステップS228までのマッピング工程に続いて,次のステップS230〜ステップS242までのアームアクセス位置検出工程をカセット112内のスロット数分に対応して順次行う。まず,カセット112の各スロット内にウェハWが収容されているかを確認する(ステップS230)。
(21)次いで,各スロット内にウェハWが収容されている場合には,上述した1/2マップウェハオフセット値が正であるかを確認する(ステップS232)。
【0045】
(22)この際,例えば図18中のスロットS1,2,4,6,7及び8のように,1/2マップウェハオフセット値が正の値である場合には,次のようにして搬送アーム108の各アクセス位置であるアップ位置及びダウン位置を求める(ステップS234)。
まず,搬送アーム108のピック108a上にウェハWが載置されていない場合の搬送アーム108のスロットアクセス位置,すなわち共通移載室102内からウェハWをカセット112内に搬入した後,載置台114(インデクサZ軸)が下方移動することによるアップ位置については,
各スロット中心位置+(1/2マップウェハオフセット値)
−マップ位置+ベース位置+アップオフセット値 … (1)
で表される式(1)により求める。
次いで,搬送アーム108のピック108a上にウェハWが載置されている場合の搬送アーム108のスロットアクセス位置,すなわちカセット室112内からウェハWを共通移載室102内搬出した後,載置台114(インデクサZ軸)が上方移動することによるダウン位置については,
各スロット中心位置−マップ位置+ベース位置
+ダウンオフセット値 … (2)
で表される式(2)により求める。
【0046】
(23)また,図18中のスロットS3及び5のように,1/2マップウェハオフセット値が負の値である場合には,次のようにして搬送アーム108の各アクセス位置であるアップ位置及びダウン位置を求める(ステップS236)。まず,搬送アーム108のピック108a上にウェハWが載置されていない場合の搬送アーム108のスロットアクセス位置,すなわち共通移載室102内からウェハWをカセット112内に搬入した後,載置台114(インデクサZ軸)が下方移動することによるアップ位置については,
各スロット中心位置+(−1/2マップウェハオフセット値)
−マップ位置+ベース位置+アップオフセット値 … (3)
で表される式(3)により求める。
次いで,搬送アーム108のピック108a上にウェハWが載置されている場合の搬送アーム108のスロットアクセス位置,すなわちカセット室112内からウェハWを共通移載室102内搬出した後,載置台114(インデクサZ軸)が上方移動することによるダウン位置については,
各スロット中心位置−マップ位置+ベース位置
+ダウンオフセット値−(−1/2マップウェハオフセット)
… (4)
で表される式(4)により求める。
【0047】
(24)また,ステップS230において,カセット112の各スロット内にウェハWが収容されていない場合,すなわち空カセットへのウェハWの搬入を行う場合には,次のようにして搬送アーム108の各アクセス位置であるアップ位置及びダウン位置を求める(ステップS238)。すなわち,図19に示したように,上記キャリブレーション工程で求めた基準スロット位置に対して,実ウェハ厚みを基準にダウン位置やアップ位置等を和算して搬送アーム108のアクセス位置を算出する。
まずアップ位置は,
各スロット中心位置−マップ位置+ベース位置
+アップオフセット値位置+空カセットオフセット値
… (5)
で表される式(5)により設定される。
また,ダウン位置は,上述したカセット112内にウェハWが収容されている場合と同様に,
各スロット中心位置−マップ位置+ベース位置
+ダウンオフセット値 … (6)
で表される式(6)より設定される。
【0048】
(25)次いで,上述したステップS234及びステップS236,またはステップS238により求められた各アップ位置及びダウン位置は,演算制御器110に記憶する(ステップS240)。
(26)そして,演算制御器110に各アップ位置及びダウン位置がティーチングされたことにより,アームアクセス位置検出工程が終了する(ステップS242)。
【0049】
次に,上述したアームアクセス検出工程で求められたアクセス位置に基づく,搬送アーム108の動作,すなわちカセット112と共通移載室102との間でのウェハWの搬送について説明する。搬送アーム108の動作は,カセット112内からウェハWを搬出する場合(1)と,カセット112内にウェハWを搬入する場合(2)とから構成されている。以下に,これら各場合について,順次詳細に説明する。
(1)カセット112内からウェハWを搬出する場合
カセット112内からウェハWを搬出する場合は,図20に示したフローチャートに従ってウェハWの搬送が行われる。
(a)すなわち,まず演算制御装置110からの信号により不図示の駆動機構が作動することにより,共通移載室102内の搬送アーム108は,カセット室106a又は106b内に進入する(ステップS300)。
(b)同時に,演算制御器110からの指令により,載置台114がマッピング工程で求められたアップ位置の基づいて移動することにより,搬送アーム108の搬送面が所定のスロットのアップ位置に配置される(ステップS302)。
(c)次いで,搬送アーム108のピック108aが形成された搬送面が水平方向に移動し,スロット内に進入する(ステップS304)。
(e)次いで,再び演算制御器110からの指令により載置台114が移動し,搬送アーム108の搬送面はダウン位置に配置される(ステップS306)。この際,搬送アーム108のピック108a上にウェハWが載置され。
(f)次いで,再び搬送アーム108が共通移載室102内に戻る(ステップS308)。
(g)そして,上記所定のスロット内から共通移載室102内へのウェハWの搬出が終了する(ステップS310)。
【0050】
(2)カセット112内にウェハWを搬入する場合
また,カセット112内にウェハWを搬入する場合は,図21に示したフローチャートに従ってウェハWの搬送が行われる。
(a)まず,ウェハWが載置されている搬送アーム108が共通移載室102内からカセット室106a又は106b内に進入する(ステップS400)。
(b)同時に,演算制御器110により,マッピング工程で求めたダウン位置に基づいて載置台114が移動し,搬送アーム108の搬送面が所定のスロットのダウン位置に対応する位置に配置される(ステップS402)。
(c)次いで,搬送アーム108の搬送面が所定のスロット内に進入する(ステップS404)。
(d)次いで,マッピング工程で求めたアップ位置に基づいて再び載置台114が移動し,搬送アーム108の搬送面が所定のスロットのアップ位置に配置される(ステップS406)。この際,搬送アーム108のピック108a上に載置されていたウェハWが,所定のスロット内に収容される。
(e)次いで,再び搬送アーム108が共通移載室102内に戻ることにより,スロットへのウェハWの搬入が終了する(ステップS410)。
【0051】
以上のように,本実施の形態にかかるアームのアクセス位置検出方法は,カセット固有のオフセット値をあらかじめ求めるキャリブレーション工程と,処理時に使用するカセットの状態を各カセットごとに検出するマッピング工程と,キャリブレーション工程やマッピング工程で算出した各数値から搬送アームのアクセス位置を検出するアームのアクセス位置検出工程とから構成されている。従って,処理時には,最上位スロットから最下位スロットにかけての1度のマッピングビームの照射のみで,最適な搬送アームのアクセス位置を検出することができるため,スループットの向上を図ることができる。また,かかる方法によれば,カセットの状態及びカセット内に収容されているウェハの状態を正確に検出することができるため,ウェハの搬送を所望の状態で確実に行うことができる。従って,カセット内で,例えばクロススロットが生じた場合でも,搬送アームがそのスロット内に進入して,スロット内のウェハを破損するなどのトラブルを引き起こすことがない。さらに,マップウェハオフセット値によって各スロットの中心位置等を補正するため,各カセットの各スロットごとにマッピングビームの照射方向,例えばマッピングビームの平行度を調整する必要がなく,搬送アームのアクセス位置の検出時間を短縮することができる。
【0052】
以上,本発明の好適な実施の一形態について,添付図面を参照しながら説明したが,本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において,当業者であれば,各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり,それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0053】
例えば,上記実施の形態において,オリエンテーションフラット部が形成されているウェハを使用した例を挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,オリエンテーションフラット部に代えてノッチ部などの各種位置決め加工が施されたウェハを使用することもでき,またそのような位置決め加工が施されていないウェハを使用することも可能である。さらに,本発明はウェハの搬送のみに適用されるものではなく,例えばLCD用ガラス基板などの各種被処理体の搬送に対しても適用することができる。
【0054】
また,上記実施の形態において,搬送アームのピックがシングルピックの場合やツインピックである場合を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,さらに3つ以上のピックが設けられている搬送アームを使用する場合でも,本発明は適用することができる。
【0055】
さらに,上記実施の形態において,カセット室内に一対の発光部と受光部とから成る光学センサを設けた構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,カセットを収容する所定の室内に,少なくともカセットの各スロット,およびそれら各スロット内に収容される被処理体の状態を検出することが可能な各種センサが設けられていれば,本発明を実施することができる。
【0056】
さらにまた,上記実施の形態において,クラスタ装置化されたマルチチャンバ型真空処理装置に適用した例を挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,所定の室内に配置されたカセット内の被処理体を搬送アームにより搬出し,またはそのカセット内に搬送アームによって被処理体を搬入するように構成された装置であれば,本発明は適用可能である。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば,搬送アームのアクセス位置は,キャリブレーション工程であらかじめ求めたカセット固有のオフセット値と,マッピング工程で処理時にカセットごとに求めたカセットの各スロット内の被処理体のサンプリング厚さとを基にして,アームアクセス位置検出工程で算出される構成となっている。従って,処理時には,カセットに対してマッピングビームを1回照射するのみで,所望の搬送アームのアクセス位置を検出することができるため,被処理体の搬送開始までに要する時間が短縮され,スループットを向上させることができる。
【0058】
また,かかる検出方法は,マッピングビームとカセット内の各スロットとの相対的な位置関係によって該アクセス位置を求める構成であるため,マッピングビームの厳密な平行度調整を必要とすることなく,該アクセス位置の検出を行うことができる。さらに,マップウェハオフセット値により,各位置を補正するため,各カセットの各スロットごとにマッピングビームの平行度の調整を行う必要がなく,搬送アームのアクセス位置の検出時間を短縮することができる。さらにまた,そのマッピングビームの平行度にずれが生じている場合でも,マップウェハオフセット値によって各位置が補正されているため,該アクセス位置の検出をそのまま継続して行うことができる。
【0059】
また,カセット及びカセット内のウェハの状態を確実に検出することができるため,搬送アームをカセット内の各スロットに対して正確にアクセスさせることができ,被処理体の搬送を所望の状態で行うことができる。さらに,例えばカセット内でクロススロットが生じた場合でも,そのクロススロットの発生を確実に検出することができるため,搬送アームがそのスロットに進入して被処理体の破損させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用可能な真空処理装置を示した概略的な斜視図である。
【図2】図1に示した真空処理装置を表した概略的な平面図である。
【図3】図1に示した真空処理装置のカセット室を表した概略的な斜視図である。
【図4】本実施の形態に係る各種定義を説明するための概略的な説明図である。
【図5】本実施の形態に係る各種定義を説明するための概略的な説明図である。
【図6】本実施の形態に係る調整用カセットの信頼性の確認を説明するための概略的な説明図である。
【図7】本実施の形態に係る搬送アーム及びインデクサZ軸の動作のティーチングを説明するための概略的な説明図である。
【図8】本実施の形態に係る搬送アーム及びインデクサZ軸の動作のティーチングを説明するための概略的な説明図である。
【図9】本実施の形態に係る搬送アーム及びインデクサZ軸の動作のティーチングを説明するための概略的な説明図である。
【図10】本実施の形態に係るキャリブレーション工程を説明するための概略的な説明図である。
【図11】本実施の形態に係るキャリブレーション工程を説明するための概略的な説明図である。
【図12】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図13】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図14】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図15】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図16】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図17】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図18】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図19】本実施の形態に係るマッピング工程を説明するための概略的な説明図である。
【図20】本実施の形態に係る搬送アームの動作を説明するための概略的な説明図である。
【図21】本実施の形態に係る搬送アームの動作を説明するための概略的な説明図である。
【符号の説明】
100 真空処理装置
102 共通移載室
106a,106b カセット室
108 搬送アーム
110 演算制御器
112 カセット
114 載置台
118a,118b 光学センサ
Claims (25)
- 複数のウェハ収納用スロットを備えたウェハカセットに対するアームのアクセス位置を検出するアームアクセス位置検出方法であって,少なくとも2枚の基準ウェハを基準スロット内に収納し,その基準ウェハの位置を光学的に検出することにより,現在のウェハカセット固有のオフセット値を算出するキャリブレーション工程と;ウェハが装填され,載置台に載置されたウェハカセットを光学的にサンプリングして,前記各スロット内の前記ウェハの有無及び前記各スロット内に収納された前記ウェハの見かけ上の厚み情報(サンプリング厚み)を検出するマッピング工程と;検出された前記サンプリング厚みを前記オフセット値により補正して,前記アームのアクセス位置を算出するアームアクセス位置検出工程と;から成ることを特徴とする,アームアクセス位置検出方法。
- 前記キャリブレーション工程は,前記アームを前記ウェハカセット及び前記基準ウェハに対して所定位置にまで接近させ,前記アームの基準位置情報(ベース位置)を検出する工程を含むことを特徴とする,請求項1に記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記キャリブレーション工程は,前記カセットに収容された前記2枚の基準ウェハの側面方向からビーム光を照射し,前記2枚の基準ウェハによる前記ビーム光の2つの遮光中心の間隔を求め,その間隔を(全スロット数−1)で除算することにより基準スロット位置を算出する工程を含むことを特徴とする,請求項1又は2に記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記キャリブレーション工程は,前記基準ウェハの中心位置(マップ位置)及び見かけ上の厚み(マップ厚み)を算出するものであることを特徴とする,請求項1,2又は3のいずれかに記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記マッピング工程は,前記ウェハカセットに収容されたウェハの側面方向から前記ビーム光を照射し,前記各ウェハによる前記ビーム光の遮光中心位置と前記基準スロット位置とを比較し,その比較値が所定の許容値以上ずれている場合には,クロススロットとしてエラー信号を発する工程を含むことを特徴とする,請求項1,2,3又は4のいずれかに記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記マッピング工程は,サンプリングされた前記サンプリング厚みと前記マップ厚みとの差分(マップウェハオフセット値)を求める工程を含むことを特徴とする,請求項4に記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記マッピング工程は,予め設定された実ウェハ厚みを,前記各スロットについて求めた前記マップウェハオフセット値により補正し,当該補正後の前記実ウェハ厚みを表す補正ウェハ厚み情報に基づいてピッチ間距離を算出する工程を含むことを特徴とする,請求項6に記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記ピッチ間距離算出工程は,算出された距離を予め設定された許容値(スロットピッチ許容値)と比較し,その許容値をはずれる場合にはエラー信号を発する工程を含むことを特徴とする,請求項7に記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記マッピング工程は,前記補正ウェハ厚み情報が所定の搬送許容ウェハ厚みよりも大きい場合には,エラー信号を発する工程を含むことを特徴とする,請求項7又は8に記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記アームアクセス位置検出工程は,前記マッピング工程で前記ウェハが存在しないと判断された場合には,前記キャリブレーション工程で求めた前記基準スロット位置に対して前記実ウェハ厚みを基準としてオフセット値による補正後に前記アームのアクセス位置を算出することを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8又は9のいずれかに記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記アームアクセス位置検出工程は,前記マッピング工程で前記ウェハが存在すると判断された場合には,前記マッピング工程で補正されたウェハ厚みに基づいて前記アームのアクセス位置を算出することを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8又は9のいずれかに記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記キャリブレーション工程は,前記ウェハカセットが載置されるカセットステージの水平度を許容値内に調整する水平度調整工程を含むことを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9,10又は11のいずれかに記載のアームアクセス位置検出方法。
- 前記キャリブレーション工程は,前記アームの水平度を許容値内に調整する水平度調整工程を含むことを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11又は12のいずれかに記載のアームアクセス位置検出方法。
- 共通移載室と;
1又は2以上の真空処理室と;
1又は2以上のカセット室と;
前記共通移載室内の,前記共通移載室内と前記カセット室内との間で適宜ウェハを搬送することができる位置に配置されるアームと;
前記カセット室内に収容され,1又は2以上のウェハを同時に載置可能な1又は2以上のスロットを備えるウェハカセットと;
前記カセット室内に設けられた,前記ウェハカセットを載置するための載置台と;
前記カセット室内に設けられ,少なくとも前記スロット及び前記スロット内に収容されるウェハの状態を検出することが可能なセンサと;
前記アーム,前記載置台に接続された駆動機構及び前記センサと接続される演算制御器と;
を備える真空処理装置において:
前記演算制御器は,
前記センサにより光学的に検出された基準スロット内に収納された少なくとも2枚の基準ウェハの位置に基づいて,現在のウェハカセット固有のオフセット値を算出し;
前記センサにより検出された前記各スロット内のウェハの有無及び前記各スロット内に収納された前記ウェハの見かけ上の厚み情報(サンプリング厚み)を,前記オフセット値により補正して,前記アームのアクセス位置を算出する;
ことを特徴とする,真空処理装置。 - 前記センサは,前記ウェハカセット及び前記基準ウェハに対して所定位置にまで接近させた前記アームの基準位置情報(ベース位置)を検出することを特徴とする,請求項14に記載の真空処理装置。
- 前記センサは,前記カセットに収容された前記2枚の基準ウェハの側面方向からビーム光を照射し,
前記演算制御器は,前記2枚の基準ウェハによる前記ビーム光の2つの遮光中心の間隔を求め,その間隔を(全スロット数−1)で除算することにより基準スロット位置を算出する,
ことを特徴とする,請求項14又は15に記載の真空処理装置。 - 前記演算制御器は,前記基準ウェハの中心位置(マップ位置)及び見かけ上の厚み(マップ厚み)を算出することを特徴とする,請求項14,15又は16のいずれかに記載の真空処理装置。
- 前記センサは,前記ウェハカセットに収容されたウェハの側面方向から前記ビーム光を照射し,
前記演算制御器は,前記各ウェハによる前記ビーム光の遮光中心位置と前記基準スロット位置とを比較し,その比較値が所定の許容値以上ずれている場合には,クロススロットとしてエラー信号を発する,
ことを特徴とする,請求項14,15,16又は17のいずれかに記載の真空処理装置。 - 前記演算制御器は,サンプリングされた前記サンプリング厚みと前記マップ厚みとの差分(マップウェハオフセット値)を求めることを特徴とする,請求項17に記載の真空処理装置。
- 前記演算制御器は,予め設定された実ウェハ厚みを,前記各スロットについて求めた前記マップウェハオフセット値により補正し,当該補正後の前記実ウェハ厚みを表す補正ウェハ厚み情報に基づいてピッチ間距離を算出することを特徴とする,請求項19に記載の真空処理装置。
- 前記演算制御器は,前記算出されたピッチ間距離を,予め設定された許容値(スロットピッチ許容値)と比較し,その許容値をはずれる場合にはエラー信号を発することを特徴とする,請求項20に記載の真空処理装置。
- 前記演算制御器は,前記補正ウェハ厚み情報が所定の搬送許容ウェハ厚みよりも大きい場合には,エラー信号を発することを特徴とする,請求項20又は21に記載の真空処理装置。
- 前記演算制御器は,前記マッピング工程で前記ウェハが存在しないと判断した場合には,前記キャリブレーション工程で求めた前記基準スロット位置に対して前記実ウェハ厚みを基準としてオフセット値による補正後に前記アームのアクセス位置を算出することを特徴とする,請求項14,15,16,17,18,19,20,21又は22のいずれかに記載の真空処理装置。
- 前記演算制御器は,前記マッピング工程で前記ウェハが存在すると判断した場合には,前記マッピング工程で補正されたウェハ厚みに基づいて前記アームのアクセス位置を算出することを特徴とする,請求項項14,15,16,17,18,19,20,21又は22のいずれかに記載の真空処理装置。
- 前記センサは,発光部と受光部とから構成される光学センサであり,前記発光部と受光部とは,所定の光の伝達を行うことが可能な位置で,かつ前記搬送アームの搬送面と略同一の水平面上に対向配置されることを特徴とする,請求項14に記載の真空処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12331997A JP3977485B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置 |
US09/064,003 US6144926A (en) | 1997-04-24 | 1998-04-21 | Method of sensing access positions of arm |
TW087106254A TW373231B (en) | 1997-04-24 | 1998-04-23 | Method of sensing access positions of arm |
KR10-1998-0014799A KR100403665B1 (ko) | 1997-04-24 | 1998-04-24 | 암액세스위치검출방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12331997A JP3977485B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10303269A JPH10303269A (ja) | 1998-11-13 |
JP3977485B2 true JP3977485B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=14857620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12331997A Expired - Fee Related JP3977485B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6144926A (ja) |
JP (1) | JP3977485B2 (ja) |
KR (1) | KR100403665B1 (ja) |
TW (1) | TW373231B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017174899A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロードポートの制御装置、およびマッピングセンサのティーチング方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6303509B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-10-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to calibrate the wafer transfer for oxide etcher (with clamp) |
US6577923B1 (en) * | 1999-12-23 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for robotic alignment of substrates |
US7720557B2 (en) | 2003-11-06 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers |
US7218983B2 (en) | 2003-11-06 | 2007-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities |
KR100790743B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2007-12-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 검사 장비의 웨이퍼 충돌 방지 장치 및 그를이용한 웨이퍼 로딩 제어 방법 |
US20060045663A1 (en) * | 2004-08-05 | 2006-03-02 | Ravinder Aggarwal | Load port with manual FOUP door opening mechanism |
US7361920B2 (en) * | 2004-12-24 | 2008-04-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and transfer positioning method thereof |
JP4468159B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-05-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその搬送位置合わせ方法 |
US7532940B2 (en) * | 2005-06-16 | 2009-05-12 | Tokyo Electron Limited | Transfer mechanism and semiconductor processing system |
US7596456B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-09-29 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for cassette integrity testing using a wafer sorter |
JP4887913B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2008177064A (ja) | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 |
JP4740414B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置 |
US20080298935A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-04 | Michael Lering | Wafer Cassette, Wafer Cassette Pod and Minienvironment Chamber Loadport Arrangement with a Minienvironment Chamber and a Wafer Cassette Pod with a Wafer Cassette |
KR100914177B1 (ko) * | 2007-09-11 | 2009-08-26 | 세메스 주식회사 | 매핑 장치의 파라미터의 자동 보정 방법 |
JP5185756B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2013-04-17 | 川崎重工業株式会社 | 基板検出装置および方法 |
JP5454856B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2014-03-26 | 株式会社ディスコ | ワーク収納方法 |
JP5059054B2 (ja) | 2009-05-25 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法 |
JP5456804B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 搬送容器 |
TWI618179B (zh) * | 2016-09-20 | 2018-03-11 | 錫宬國際有限公司 | 晶圓傳送系統及其操作方法 |
CN107946221A (zh) * | 2016-10-12 | 2018-04-20 | 锡宬国际有限公司 | 晶圆传送***及其操作方法 |
JP7324667B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940006241A (ko) * | 1992-06-05 | 1994-03-23 | 이노우에 아키라 | 기판이재장치 및 이재방법 |
TW245823B (ja) * | 1992-10-05 | 1995-04-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JPH06244268A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 移載装置 |
JPH0864654A (ja) * | 1994-08-22 | 1996-03-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
JPH0897269A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
JPH08335622A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置 |
JPH09107013A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板受け渡し装置 |
JPH10139159A (ja) * | 1996-11-13 | 1998-05-26 | Tokyo Electron Ltd | カセットチャンバ及びカセット搬入搬出機構 |
JPH10147432A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Tokyo Electron Ltd | カセットチャンバ |
US5988971A (en) * | 1997-07-09 | 1999-11-23 | Ade Optical Systems Corporation | Wafer transfer robot |
WO1999028952A2 (en) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Fortrend Engineering Corporation | Wafer-mapping load port interface |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP12331997A patent/JP3977485B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-21 US US09/064,003 patent/US6144926A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-23 TW TW087106254A patent/TW373231B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-24 KR KR10-1998-0014799A patent/KR100403665B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017174899A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | ロードポートの制御装置、およびマッピングセンサのティーチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6144926A (en) | 2000-11-07 |
KR100403665B1 (ko) | 2003-12-18 |
JPH10303269A (ja) | 1998-11-13 |
TW373231B (en) | 1999-11-01 |
KR19980081732A (ko) | 1998-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3977485B2 (ja) | アームアクセス位置検出方法及び真空処理装置 | |
US8509938B2 (en) | Substrate apparatus calibration and synchronization procedure | |
US7522267B2 (en) | Substrate transport apparatus with automated alignment | |
US8185242B2 (en) | Dynamic alignment of wafers using compensation values obtained through a series of wafer movements | |
EP1062687B1 (en) | On the fly center-finding during substrate handling in a processing system | |
KR101106401B1 (ko) | 박판상 기판의 반송 장치 및 그 반송 제어 방법 | |
CN110504190B (zh) | 输送方法和输送装置 | |
US6934606B1 (en) | Automatic calibration of a wafer-handling robot | |
US7433759B2 (en) | Apparatus and methods for positioning wafers | |
US20020002422A1 (en) | Transfer apparatus for semiconductor process | |
WO2000024551A1 (fr) | Procede de positionnement d'un systeme de support | |
JP2008173744A (ja) | 搬送システムの搬送位置合わせ方法 | |
US11380565B2 (en) | Substrate transfer apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate misalignment compensation method | |
US20230364794A1 (en) | Calibration of an electronics processing system | |
US20220324100A1 (en) | Autoteach system | |
JP2011108958A (ja) | 半導体ウェーハ搬送装置及びこれを用いた搬送方法 | |
JP2007528611A (ja) | 改良型の基板状無線センサ | |
KR20210158329A (ko) | 티칭 방법 및 반송 시스템 | |
KR102411116B1 (ko) | 기판처리시스템, 기판처리시스템의 기판이송방법 | |
US20050246915A1 (en) | Method for calibrating alignment mark positions on substrates | |
JP2000068359A (ja) | ウエハ搬送装置 | |
US6163972A (en) | Apparatus and method for calibrating a wafer blade | |
JP2023104358A (ja) | 基板搬送方法及び基板処理システム | |
JP2024002030A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の運転方法 | |
KR20060134576A (ko) | 이송용 로봇의 위치 보정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040423 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070327 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070619 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |