JP3970358B2

JP3970358B2 - 太陽電池及び時計

Info

Publication number: JP3970358B2
Application number: JP21437696A
Authority: JP
Inventors: 和夫西; 誠細川; 幸広磯部; 英昭二宮
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Priority date: 1996-07-24
Filing date: 1996-07-24
Publication date: 2007-09-05
Anticipated expiration: 2016-07-24
Also published as: JPH1039057A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、薄膜太陽電池の構成に関する。特に時計の文字盤に配置する薄膜太陽電池の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、アモルファスシリコン（非晶質珪素）膜を用いた太陽電池が知られている。
【０００３】
このアモルファスシリコンを用いた太陽電池は、高い生産性を有している。また薄く軽いものとすることができる。アモルファスシリコンを用いた太陽電池は、この特徴を生かし、電卓や時計等の携帯機器の電源として利用されている。
【０００４】
このアモルファスシリコンを利用した太陽電池は、特に腕時計に利用することが有望視されている。一般に多用されているクオーツ式の腕時計は電源が必要とされる。これまでは、小型の水銀電池やリチウム電池を利用していた。しかし、普通の電池を利用した場合、その交換が問題となる。
【０００５】
この電池の交換の問題は、発展途上国等においてクオーツ時計が普及することを妨げる大きな要因となっている。
【０００６】
このような問題を解決するためのものとして、腕時計に太陽電池を取り付けた構成が知られている。
【０００７】
しかし腕時計に単に太陽電池を取り付けただけのものは、デザイン上の問題がある。即ち、腕時計としての見栄えが良くないという問題がある。また太陽電池を配置するスペースの分だけ、形状が大型化するという問題もある。
【０００８】
このような問題を解決する技術として、腕時計の文字盤に合うような形状に太陽電池の形状を加工し、それを腕時計の文字盤にはめ込んでしまうような構造が知られている。
【０００９】
このような構造を有する時計として、日経ビジネス1996年３月18日号の第７１頁〜第７３頁に記載されているものが市場に出回っている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような太陽電池を組み込んだ腕時計を生産する際に問題となるのは、その生産コストと信頼性である。
【００１１】
そこで本明細書で開示する発明は、腕時計に組み込む太陽電池を低コストで生産する構成を提供することを課題とする。また高い信頼性でもって得ることを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、図１にその概略の構成を示すように、
１０１で示される円周形状を有する太陽電池であって、
前記太陽電池は複数の扇型を有する光電変換素子１０４、１０５、１０６、１０７から構成されており、
前記複数の光電変換素子には、扇型の円弧部分に他の光電変換素子と直列接続するための電極（例えば３０６と３０５）が配置され、
前記複数の光電変換素子の一つ１０５には扇型の円弧部分に隣接して光照射面とは反対面に貫通する出力取り出し電極（６０１で示される部分の裏面側に配置される）が設けられ、
前記複数の光電変換素子の他の一つ１０６には扇型の円弧部分に隣接して光照射面とは反対面に貫通する他の出力取り出し電極（３０１で示される部分の裏面側に配置される）が設けられ、
ていることを特徴とする。
【００１３】
上記構成において、他の光電変換素子と直列接続するための電極と、光照射面とは反対面に貫通する出力取り出し電極とは、レーザー光の照射によって形成された開溝を通して接続される。
【００１４】
これは、レーザー光の照射によって図５（Ｃ）に示されるように電極２０２と電極３０５とをコンタクトさせることによって形成する。この工程はレーザーボンディングとして知られている。
【００１５】
また上記構成において、
光電変換素子は、例えば図１及び図２に示されているように、
基板２０１と、
基板上に配置された第１の電極２０２と、
第１の電極上に配置された光電変換層２０３と、
光電変換層上に配置された第２の電極２０６と、
でもって構成されており、
図３（Ｄ）に示されるように、取り出し電極の一つ３０８は、第２の電極３０９にコンタクトしており、
前記取り出し電極の一つ３０８は、レーザースクライブにより形成された基板にまで達する開溝２０８及び２０９により、第１の電極２０２と光電変換層２０３と第２の電極２０６とが他から孤立分離された領域に形成されている。
【００１６】
他の発明の構成は、
多角形形状を有する太陽電池であって、
前記太陽電池は複数の多角形形状を有する光電変換素子から構成されており、
前記複数の光電変換素子には、太陽電池の外周に隣接する部分に他の光電変換素子と直列接続するための電極が配置され、
前記複数の光電変換素子の一つには太陽電池の外周に隣接する部分に光照射面とは反対面に貫通する出力取り出し電極が設けられ、
前記複数の光電変換素子の他の一つには太陽電池の外周に隣接する部分に光照射面とは反対面に貫通する他の出力取り出し電極が設けられ、
ていることを特徴とする。
【００１７】
上記構成において、
他の光電変換素子と直列接続するための電極と、光照射面とは反対面に貫通する出力取り出し電極とは、レーザー光の照射によって形成された開溝を通して接続された構成を有している。
【００１８】
上記構成において、
光電変換素子は、
基板と、
基板上に配置された第１の電極と、
第１の電極上に配置された光電変換層と、
光電変換層上に配置された第２の電極と、
でもって構成されており、
取り出し電極の一つは、前記第２の電極にコンタクトしており、
前記取り出し電極の一つは、レーザースクライブにより形成された基板にまで達する開溝により、第１の電極と光電変換層と第２の電極とが他から孤立分離された領域に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
また他の発明の構成は、図１にその具体例を示すように、
閉じた形状を有する開溝２０８により分離された領域内に複数の光電変換素子１０４、１０５、１０６、１０７が配置されており、
前記複数の光電変換素子は、前記領域内に設けられた前記領域の中心で交わる複数の開溝１０８と１０９によって分離されており、
前記開溝はレーザースクライブにより形成されたものであることを特徴とする。
【００２０】
【実施例】
〔実施例１〕
図１に本実施例の外観を示す。図１に示すのは、時計の文字板に配置される太陽電池を上面から見た状態である。図１に示す太陽電池は、基板として厚さ７０μｍでフレキシビリティーを有した樹脂フィルムを用いている。
【００２１】
図１において、１０４、１０５、１０６、１０７で示される４領域が光電変換素子として機能する１つのユニットである。この光電変換素子は、基板側から第１の電極、ＮＩＰと積層された光電変換層、第２の電極と積層された構成を有している。
【００２２】
これら４つの光電変換素子は、１０８と１０９で示される線状の部分で十文字に仕切られている。この仕切りはレーザー光を用いた切断（レーザースクライブと称する）によって行われる。
【００２３】
１０１で示されるのは、太陽電池の外周部である。この太陽電池は最終工程において、レーザー光の照射あるいは機械的な手段により、１０１で示される円形の外周を有するものとして打ち抜かれる。
【００２４】
２０８で示されるのは、光電変換素子の外周部である。２０８と１０１との間の円環部分は、太陽電池としては機能しない領域となる。
【００２５】
２０８で示される光電変換素子の外周部も図２（Ｄ）や図４（Ｄ）に示すようにレーザースクライブにより形成される。
【００２６】
２０７の点線で示されるのは、光電変換素子の第２の電極（光入射側の透明電極）が選択的に切断されている箇所を示すものである。この切断箇所も図２（Ｃ）や図４（Ｃ）に示すようにレーザースクライブにより形成される。
【００２７】
２０８と２０７の切断箇所は、円形状に閉じた軌跡を有している。即ち、切断の始まり箇所と終わりの箇所とが繋がったループ状の形状を有している。
【００２８】
図２〜図３に図１のＡ−Ｂで切った断面の作製工程を示す。この図２〜図３に示すのは、外部への取り出し電極部（プラス側電極部）の作製工程である。
【００２９】
また図４〜図５に図１のＣ−Ｄで切った断面の作製工程を示す。この部分は、光電変換素子１０７と１０４の接続箇所である。
【００３０】
以下において対応する各部分の作製工程を示す。本実施例においては、基板としてＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム２０１を用いる。
【００３１】
基板としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の工業用プラスチック材料と知られている各種のものを用いることができる。
【００３２】
以下に示す各種工程は、最終工程後の図１に示す外観を有する形状となるまで、数十ｍ〜数百ｍの長尺状の基板２０１に対して連続的に行われる。そして最終工程において、図１に示す外観に打ち抜かれる。
【００３３】
上記の連続的な工程においては、長尺状の基板を一方のロールに巻取り、それを他方のロールに巻き取らせる際に成膜や印刷、各種ベーク、レーザースクライブといった各種工程が行われる。
【００３４】
まず図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示すように基板２０１上にアルミ電極２０２と基板側からＮＩＰと積層された光電変換層２０３とを積層する。
【００３５】
アルミ電極２０２の成膜はスパッタ法によって行う。また光電変換層２０３の形成は、各層をプラズマＣＶＤ法によって成膜することによって行う。
【００３６】
次に印刷法により、２０４と２０５で示される第１の樹脂層を形成する。この樹脂層の形成も大型の版を用いて、長尺上にフィルム基板に対して連続的に行われる。（図２（Ａ）及び図４（Ａ）参照）
【００３７】
ここで、樹脂層２０４は、図１の２０８で示される円周（後に切断用の開溝が形成される）に対応する部分に設けられる。
【００３８】
また樹脂層２０５は、図１の２０７で示される円周（後に切断用の開溝が形成される）に対応する部分に設けられる。
【００３９】
こうして図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示す状態を得る。
【００４０】
次にスパッタリング法により、ＩＴＯ電極２０６を成膜する。このＩＴＯ膜の成膜もロールに巻き取られた長尺状のフィルム基板に対して連続的に行われる。こうして図２（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示す状態を得る。
【００４１】
次にレーザー光の照射による切断を行う。この工程はレーザースクライブ工程と称される。ここでは、スポット径が８０μｍφのＹＡＧレーザーを走査しながら照射することにより、必要とする層の切断を行う。
【００４２】
ここでは、レーザースクライブにより、ＩＴＯ膜２０６の切断を行う。この工程で２０７で示されるようにＩＴＯ膜が切断され、開溝が形成される。（図２（Ｃ）及び図４（Ｃ）参照）
【００４３】
２０７で示される切断箇所は、図１に示すように円周状に形成される。
【００４４】
この２０７で示される切断をレーザー光の照射で行う際、その下地として樹脂層２０５が存在していることが重要となる。
【００４５】
樹脂層２０５が存在しないと、レーザー光の出力のバラツキ等によって、光電変換層２０３にまでレーザー光の照射が及んでしまう場合がある。さらに極端な場合、アルミ電極２０２にまで開溝が形成されてしまう場合がある。
【００４６】
切断箇所２０７の下部において、光電変換層２０３が切断されることは、問題とならない。（円周２０７の外側の光電変換層は光電変換に寄与しない）
【００４７】
しかし、レーザー光がアルミ電極２０３に到達した場合には、透明電極２０６とアルミ電極２０２がショートする危険が生じる。即ち、レーザー光のエネルギーにより、アルミ電極２０２を構成する材料が溶融し、それが透明電極２０６にまで延在することにより、両電極がショートしてしまう状況が生じてしまう。
【００４８】
またレーザー光の照射エネルギーが強すぎ、アルミニウム電極２０２が完全に切断されると、後に光電変換素子同士を接続することができなくなるという問題もある。
【００４９】
即ち、図１のＣ−Ｄで示される断面部分（図４で示される断面部分）において、アルミ電極２０２がＩＴＯ電極２０６の切断箇所２０７の下部において完全に切断されると、１０４と示される光電変換素子と１０７で示される光電変換素子との接続ができなくなる。（図５（Ｃ）参照））
【００５０】
また、アルミ電極２０２がＩＴＯ電極２０６の切断箇所２０７の下部において完全に切断されなくても、その部分でレーザー光の照射による損傷を受けると、光電変換素子同士のコンタクト不良やコンタクト抵抗の増加の要因となる。
【００５１】
本実施例に示す構成においては、樹脂層２０５が存在することで、アルミ電極までレーザー光の照射が及ばないものとすることができる。
【００５２】
従って、透明電極２０６とアルミ電極２０２がショートする危険を回避することができる。また、アルミ電極２０２が切断されたり損傷してしまうことを防ぐことができる。
【００５３】
こうして図２（Ｃ）及び図４（Ｃ）に示す状態を得る。次に２０７で示されるレーザースクライブを行う場合よりもレーザー光の出力を高くして、再度のレーザースクライブを行う。
【００５４】
この工程では、２０８で示される開溝と２０９で示される開溝が形成される。（図２（Ｄ）及び図４（Ｄ））
【００５５】
図から明らかなようにこの工程は、２０８や２０９で示される開溝の底部が基板にまで達するようにその照射条件を設定する。なお、２０８と２０９で示される開溝を形成する際のレーザー光の照射条件は同じでよい。
【００５６】
２０８で示される開溝は、２０７で示される開溝と同様の円周状を有したものとして形成される。
【００５７】
２０９で示される開溝は、外部引出し電極を設ける部分の周囲において、アルミ電極２０２を切断するために形成される。この２０９で示される開溝は、アルミ電極２０２を周囲から完全に切り取るように形成する必要がある。即ち、２０９で示される開溝の内側において、その部分のアルミ電極２０２が周囲から孤立するように開溝を確実に形成することが重要となる。
【００５８】
２０８と２０９で示される開溝の形成時においては、第１の樹脂層２０４と２０５が存在することで、アルミ電極２０２とＩＴＯ電極２０６とがショートすることを防ぐことができる。
【００５９】
樹脂層２０４と２０５が存在しないと、アルミ電極２０２とＩＴＯ電極２０６との距離が近いことから、溶融したアルミ電極によって両電極がショートしてしまうことが度々生じてしまう。
【００６０】
このようにして図２（Ｄ）及び図４（Ｄ）に示す状態を得る。
【００６１】
次に図３（Ａ）に示す開溝３０１をレーザー光の照射によって形成する。この開溝は、裏面まで突き抜ける条件で行う。この開溝３０１は、図１に示す位置に形成される。この開溝３０１は最終的に基板の裏面側につながる引出し電極を形成する際に利用される。この開溝３０１が形成された部分が外部引出し電極部となる。
【００６２】
次に図３（Ｂ）及び図５（Ａ）に示すように第２の樹脂層３０３と３０４を形成する。これらの樹脂層は、開溝２０７や２０８、さらに開溝２０９を樹脂材料で充填する機能を有している。また、その上に形成されるコンタクト電極の下地となる層間絶縁膜としての機能を有している。
【００６３】
この第２の樹脂層３０３と３０４の形成も印刷法により行われる。
【００６４】
次に図３（Ｃ）及び図５（Ｂ）に示すように銀ペーストによるコンタクト電極３０５、３０６、３０７を形成する。このコンタクト電極の形成も印刷法により行う。各コンタクト電極位置関係は図１に示されている。
【００６５】
そして図５（Ｂ）に示す状態において、レーザー光の照射を図の矢印で示される部分に行い、アルミ電極２０２とコンタクト電極３０５とのコンタクトを形成する。この工程は、コンタクト用の開溝を形成するのと同時に銀ぺーストとアルミ電極とを共に溶融させることにより、両者を電気的に接続するコンタクトを形成するものである。このような工程は、レーザーボンディングとして知られている。
【００６６】
こうして図５（Ｃ）に示すように図１のＣ−Ｄで示される断面が完成する。この部分は、光電変換素子１０７のアルミ電極２０２が光電変換素子１０４のＩＴＯ電極に接続された銀ペーストパターン３０５にレーザーボンディングにより接続された状態を有している。
【００６７】
こうして、光電変換素子１０４と光電変換素子１０７とが直列に接続された状態を得る。この接続箇所は、他に３ヵ所ある。この接続構造により、１０５、１０４、１０７、１０６で示される各光電変換素子が順に直列に接続された構成となる。
【００６８】
一方、Ａ−Ｂで示される切断面（図３参照）では、銀ペーストによるコンタクト電極３０７が形成された後、裏面側にコンタクト電極３０８を銀ペーストによって形成する。このコンタクト電極３０８の形成も印刷法によって行う。（図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）参照）
【００６９】
このコンタクト電極３０８は、コンタクト電極３０７に開溝３０１内においてコンタクトする。そして、光電変換素子１０６のＩＴＯ電極３０９にコンタクトする構造となる。
【００７０】
即ち、図１に示す側の反対側の面に形成されるコンタクト電極３０８は、光電変換素子１０６（図１参照）のＩＴＯ電極３０９（図３参照）からの引出し電極となる。
【００７１】
このＩＴＯ電極３０９は、光電変換素子１０６の光入射側のＰ型半導体層にコンタクトしている。従って、コンタクト電極３０８は、プラス側の電位が出力される取り出し電極となる。
【００７２】
図６に図１のＥ−Ｆ及びＧ−Ｄで示される断面の構造を示す。ここには、光電変換素子１０５のＮ型半導体層からの引出し電極（マイナス電位側の電極となる）が形成される。
【００７３】
このＥ−Ｆで示される断面を図６（Ａ）に示す。またＧ−Ｄで示される断面を図６（Ｂ）に示す。図６（Ａ）で示されるようにアルミ電極２０２（光電変換素子１０７のアルミ電極）にコンタクトした銀ペーストでなる電極６０２が、基板２０１の裏面側に形成されている。
【００７４】
またアルミ電極２０２と引出し電極６０２とのコンタクトを確実なものとするためにＧ−Ｄで示す断面は、図６（Ｂ）に示すような構造を有している。
【００７５】
即ち、レーザーボンディングを利用することによって６０４で示される部分に６０３で示されるコンタクトを形成した構成となっている。即ち、６０３で示される部分において、アルミ電極２０２と銀ペーストでなる電極６０１とがコンタクトした構造となっている。
【００７６】
最後に長尺状のフィルムを基体として形成された多数の太陽電池を機械的に打ち抜いて、個々の太陽電池が完成する。即ち、図１にその外観を示す太陽電池を多数個得る。
【００７７】
このようにして、図１にその上面からの外観を示す太陽電池は、光電変換素子１０６のＰ型半導体層からの引出し電極３０８（図３参照）（開溝３０１の裏面側表面に存在する）と、光電変換素子１０５のＮ型半導体層からの引出し電極６０２（図６参照）（電極６０１の裏面側に存在する）とから光起電力を取り出す構成として完成される。
【００７８】
本実施例では、全体の形状が円形で、各光電変換素子が扇型を有する場合の例を示した。しかし、全体の形状を四角形や六角形、さらには八角形といった多角形状を有したものとしてもよい。
【００７９】
〔実施例２〕
本実施例は、実施例１に示す構成におけるレーザースクライブの方法について示す。レーザースクライブの方法としては、スポット状のレーザー光を走査して照射することにより、所定のパターンに開溝を形成する方法が採用される。
【００８０】
ここで、図１の２０８や２０７で示される円周状の開溝を形成する際に以下に示すような問題が発生する。
【００８１】
図７（Ａ）に示すのは、７０１で示される始点からレーザー光の照射を行い、円周上を一周し、始点７０１に戻ってきてレーザースクライブを終了する場合の軌跡である。
【００８２】
レーザースクライブのスポット径は、数十μｍから数百μｍ程度である。一方、実施例１に示すような長尺状のフィルムを基板として用いた連続的な工程においては、上記スポット径程度の位置ズレを抑制することは困難である。
【００８３】
従って、多数の工程を連続的に実施した場合、レーザースクライブの開始点と終了点とが完全に一致しない状況が生じてしまう。
【００８４】
また、レーザー光の照射が最初に行われる点（レーザースクライブの開始点）と最後にレーザー光の照射が行われる点（レーザースクライブの終了点）においては、光電変換層を挟んで上下ショートが生じやすいという問題がある。
【００８５】
これらの問題を解決するために、本実施例に示す構成においては、図７（Ｂ）に示すような軌跡でもってレーザースクライブを行うことを特徴とする。即ち、７０２で示されるように光電変換素子が形成される領域７０５（スクライブされる軌跡の内部）にスクライブ開始点（開始位置）７０３と終了点（終了位置）７０４とが存在しないようにする。
【００８６】
即ち、光電変換素子の円弧の外部にスクライブ開始点（開始位置）７０３と終了点（終了位置）７０４とが存在するようにする。
【００８７】
こうすることで、確実にスクライブの軌跡を閉じた形状とすることができる。また、スクライブの開始点と終了点とが存在することによる影響を排除することができる。即ち、スクライブの開始点７０３と終了点７０２とが素子領域７０５内に存在しないので、それらの点で上下間ショートが生じても問題がないものとすることができる。
【００８８】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明を利用することで、腕時計に組み込む太陽電池を低コストで生産する構成を提供することができる。また高い信頼性でもって得ることができる。
【００８９】
また出力を取り出す電極部分を光照射面の反対側に設けることができるので、出力の取り出し部の構成を簡略化することができる。また光電変換に寄与する面積を最大限大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】太陽電池の外観を示す図。
【図２】図１のＡ−Ｂで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図３】図１のＡ−Ｂで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図４】図１のＣ−Ｄで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図５】図１のＣ−Ｄで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図６】図１のＥ−Ｆ及びＧ−Ｄで示される断面を示す図。
【図７】レーザースクライブの軌跡を示す図。
【符号の説明】
１０１太陽電池の外周部
１０４光電変換素子
１０５光電変換素子
１０６光電変換素子
１０７光電変換素子
１０８レーザースクライブ部分
１０９レーザースクライブ部分
２０１樹脂基板
２０２アルミニウム電極（第１の電極）
２０３光電変換層（ＮＩＰ型半導体層）
２０４樹脂層（第１の樹脂層）
２０５樹脂層（第１の樹脂層）
２０６ＩＴＯ電極
２０７レーザースクライブによる開溝
２０８レーザースクライブによる開溝
２０９レーザースクライブによる開溝
３０１レーザースクライブによる開溝
３０３樹脂層（第２の樹脂層）
３０４樹脂層（第２の樹脂層）
３０５銀ペーストによるコンタクト電極
３０６銀ペーストによるコンタクト電極
３０７銀ペーストによるコンタクト電極
３０８銀ペーストによるコンタクト電極
３０９ＩＴＯ電極
６０１銀ペーストによるコンタクト電極
６０２銀ペーストによるコンタクト電極
６０３レーザーボンディングによるコンタクト部

Claims

基板上に配置された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された半導体層と、前記半導体層上に配置された第２の電極と、を有する太陽電池であって、
前記太陽電池は第１の円周形状を有し、
前記第１の円周形状の内側には、前記第２の電極を第２の円周形状に切断する開溝と、前記第２の円周形状の中心で交わる複数の開溝と、により前記第１の電極と前記半導体層と前記第２の電極とがこの順で積層された扇型形状を有する複数の光電変換素子が形成されており、
前記複数の光電変換素子には、前記第２の電極とコンタクトする複数の第３の電極が扇型の円弧部分に配置されており、
前記第１の円周形状と前記第２の円周形状との間の領域において、前記第３の電極が前記第１の電極と接続されており、これにより前記複数の光電変換素子が直列接続されていることを特徴とする太陽電池。
請求項１において、
前記第１の円周形状と前記第２の円周形状との間の領域において、前記第１の電極と前記半導体層と前記第２の電極とが他から孤立分離された領域が形成されており、
前記孤立分離された領域内において、前記基板裏面に設けられた出力取り出し電極と、複数ある前記第３の電極の一つと、が前記基板裏面に貫通する開溝を介して接続されていることを特徴とする太陽電池。
基板上に配置された第１の電極と、前記第１の電極上に配置された半導体層と、前記半導体層上に選択的に配置された樹脂層と、前記半導体層上及び前記樹脂層上に配置された第２の電極と、を有する太陽電池であって、
前記太陽電池は第１の円周形状を有し、
前記第１の円周形状の内側には、前記樹脂層上の前記第２の電極を第２の円周形状に切断する第１の開溝と、前記第２の円周形状の中心で交わる複数の第２の開溝と、により前記第１の電極と前記半導体層と前記第２の電極とがこの順で積層された扇型形状を有する複数の光電変換素子が形成されており、
前記複数の光電変換素子には、前記第２の電極とコンタクトする複数の第３の電極が扇型の円弧部分に配置されており、
前記第１の円周形状と前記第２の円周形状との間の領域において、前記第３の電極が前記第１の電極と接続されており、これにより前記複数の光電変換素子が直列接続されており、
前記第１の円周形状と前記第２の円周形状との間の領域において、前記第１の電極と前記半導体層と前記樹脂層と前記第２の電極とが積層された部分に形成された第３の開溝により、前記第１の電極と前記半導体層と前記第２の電極とが他から孤立分離された領域が形成されており、
前記孤立分離された領域内において、前記基板裏面に設けられた出力取り出し電極と、複数ある前記第３の電極の一つと、が前記基板裏面に貫通する第４の開溝を介して接続されていることを特徴とする太陽電池。
請求項３において、
前記第３の開溝は、レーザー光を照射して形成されたことを特徴とする太陽電池。
請求項３又は請求項４において、
前記第１の円周形状と前記第２の円周形状との間の領域において、前記基板表面に達する第３の円周形状を有する開溝が形成されており、前記第３の円周形状の内側の領域における前記半導体層のみが光電変換に寄与し、
前記第３の円周形状を有する開溝とは、前記第１の電極と前記半導体層と前記樹脂層と前記第２の電極とが積層された部分にレーザー光を照射して形成されたことを特徴とする太陽電池。
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の円周形状と前記第２の円周形状との間の領域において、前記基板表面に達する第３の円周形状を有する開溝が形成されており、前記第３の円周形状の内側の領域における前記半導体層のみが光電変換に寄与することを特徴とする太陽電池。
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の円周形状の軌跡は１ヶ所において交叉していることを特徴とする太陽電池。
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の円周形状の軌跡は１ヶ所において交叉しており、前記軌跡の始点及び終点は円弧の外側に存在していることを特徴とする太陽電池。
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の太陽電池を文字盤に配置したことを特徴とする時計。