JP3965186B2 - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった磁気記録媒体駆動装置で使用されることができる垂直磁気記録媒体に関する。

ハードディスク（ＨＤ）といった磁気記録媒体の分野では垂直磁気記録媒体は広く知られる。垂直磁気記録媒体では、表面で記録磁性層を受け止める軟磁性の裏打ち層が組み込まれる。いわゆる単磁極ヘッドから磁界が作用すると、裏打ち層の鏡像効果に基づき、基板の表面に直交する垂直方向に記録磁性層の磁化は強められることができると考えられてきた。実際には、裏打ち層が組み込まれても、期待されるとおりに記録磁性層で垂直方向に磁化が強められることはできない。

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、基板の表面に直交する垂直方向に磁化を強めることができる垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明によれば、基板と、基板の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸を有する記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、前記垂直方向に沿って磁化容易軸を有する補助磁性層とを備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体が提供される。

こういった垂直磁気記録媒体では、補助磁性層で容易に垂直方向に磁化は確立されることができる。したがって、記録磁性層の表面に直交する垂直方向から磁束が流通すると、そういった磁束は記録磁性層の全域にわたって垂直方向に流通することができる。記録磁性層では確実に垂直方向に磁化は確立される。こうして記録磁性層から漏れ出る磁化すなわち記録磁界は強められる。特に、こういった記録磁性層によれば、隣接する磁気情報（２値情報）同士の境界で記録磁界は強められることができる。

補助磁性層は記録磁性層の保磁力よりも小さい保磁力を有することが望まれる。特に、補助磁性層の膜厚と残留磁束密度との積は記録磁性層の膜厚と残留磁束密度との積の５分の１以下に設定されることが望まれる。こういった残留磁化膜厚積の設定によれば、補助磁性層から漏れ出る磁界は極力抑制されることができる。磁気情報の読み出しにあたって補助磁性層の影響は極力排除されることができる。こういった補助磁性層は、少なくともＣｏを含む磁性膜と、少なくともＰｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＡｇのいずれかを含む非磁性膜との積層体で構成されればよい。

以上のような垂直磁気記録媒体には、表面で補助磁性層を受け止め、基板の面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性の裏打ち層がさらに組み込まれてもよい。垂直磁気記録媒体に例えば単磁極ヘッドが向き合わせられると、周知の通りに、単磁極ヘッドの主磁極、補助磁極および裏打ち層で磁束の循環経路が形成されることができる。例えば主磁極の先端から漏れ出る磁束は垂直方向に沿って裏打ち層まで導かれる。裏打ち層で磁束は基板の面内方向に流通する。その後、磁束は裏打ち層から補助磁極に向かって垂直方向に流通する。こうして記録磁性層には垂直方向に磁化は確立されることができる。

その他、垂直磁気記録媒体には、表面で補助磁性層を受け止める非磁性層と、表面で非磁性層を受け止め、基板の面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性の裏打ち層とが同時に組み込まれてもよい。こういった垂直磁気記録媒体によれば、前述と同様に、裏打ち層の働きで記録磁性層には確実に垂直方向に磁化が確立されることができる。しかも、補助磁性層と裏打ち層との間に非磁性層が挟み込まれれば、補助磁性層と裏打ち層との磁気的相互作用は阻止されることができる。こうして磁気的相互作用が阻止されれば、磁気情報は確実に読み取られることができる。

なお、以上のような垂直磁気記録媒体は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）に組み込まれて利用されてもよく、その他の磁気記録媒体駆動装置に組み込まれて利用されてもよい。

以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。

図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。

収容空間にはヘッドアクチュエータ１５がさらに収容される。このヘッドアクチュエータ１５は、垂直方向に延びる支軸１６に回転自在に支持されるアクチュエータブロック１７を備える。アクチュエータブロック１７には、支軸１６から水平方向に延びる剛体のアクチュエータアーム１８が規定される。アクチュエータアーム１８は磁気ディスク１３の表面および裏面ごとに配置される。アクチュエータブロック１７は例えば鋳造に基づきアルミニウムから成型されればよい。

アクチュエータアーム１８の先端にはヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９は、アクチュエータアーム１８の先端から前方に向かって延びる。周知の通り、ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が支持される。こうして浮上ヘッドスライダ２１はアクチュエータブロック１７に連結される。浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。

浮上ヘッドスライダ２１にはいわゆる磁気ヘッドすなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。この電磁変換素子は、例えば、スピンバルブ膜やトンネル接合膜の抵抗変化を利用して磁気ディスク１３から情報を読み出す巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）やトンネル接合磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ）といった読み出し素子（図示されず）と、薄膜コイルパターンで生成される磁界を利用して磁気ディスク１３に情報を書き込む単磁極ヘッドといった書き込み素子（図示されず）とで構成されればよい。

浮上ヘッドスライダ２１には、磁気ディスク１３の表面に向かってヘッドサスペンション１９から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には浮力が作用する。ヘッドサスペンション１９の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。

アクチュエータブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といった動力源２２が接続される。この動力源２２の働きでアクチュエータブロック１７は支軸１６回りで回転することができる。こうしたアクチュエータブロック１７の回転に基づきアクチュエータアーム１８およびヘッドサスペンション１９の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に、支軸１６回りでアクチュエータアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で２本のアクチュエータアーム１８すなわち２つのヘッドサスペンション１９が配置される。

図２は磁気ディスク１３の断面構造を詳細に示す。この磁気ディスク１３は、支持体としての基板３１と、多層構造膜３２とを備える。基板３１は例えばガラス基板で構成されればよい。ただし、基板３１はディスク形のＡｌ本体と、Ａｌ本体の表裏面に広がるＮｉＰ膜とで構成されてもよい。多層構造膜３２に磁気情報は記録される。多層構造膜３２の表面は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）といった保護膜３３や、パーフルオロポリエーテルといった潤滑膜３４で被覆される。

多層構造膜３２は記録磁性層３６を備える。記録磁性層３６では、基板３１の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸が揃えられる。こういった磁化容易軸の確立にあたって記録磁性層３６は例えば極薄膜の積層体から構成されればよい。この積層体では磁性膜および非磁性膜が交互に積層される。磁性膜には例えば膜厚０．３ｎｍ程度のＣｏＢＯ膜が用いられればよい。非磁性膜には例えば膜厚１．０ｎｍ程度のＰｄＯ膜が用いられればよい。ここでは、ＣｏＢＯ膜およびＰｄＯ膜は交互に２０層ずつ積層される。記録磁性層３６に磁気情報は記録される。

記録磁性層３６は補助磁性層３７の表面に受け止められる。補助磁性層３７では、記録磁性層３６と同様に、基板３１の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸が揃えられる。こういった磁化容易軸の確立にあたって補助磁性層３７は例えば極薄膜の積層体から構成されればよい。この積層体では磁性膜および非磁性膜が交互に積層される。磁性膜には例えばＣｏ膜やＣｏを含む合金膜が用いられればよい。磁性膜の膜厚は例えば０．５ｎｍ程度に設定されればよい。非磁性膜には例えば膜厚０．７ｎｍ程度のＡｕ膜が用いられればよい。ここでは、Ｃｏ膜およびＡｕ膜は交互に４層ずつ積層される。

補助磁性層３７の保磁力は記録磁性層３６のそれよりも小さく設定される。しかも、補助磁性層３７では、記録磁性層３６に比べて垂直方向に磁化されやすいことが望まれる。したがって、補助磁性層３７の保磁力は４０［ｋＡ／ｍ］以下に設定されればよい。補助磁性層３７の保磁力角形比は０．９以上に設定されればよい。加えて、補助磁性層３７の残留磁化膜厚積（ｔＢｒ）は記録磁性層３６の残留磁化膜厚積の５分の１以下に設定されることが望まれる。ここで、残留磁化膜厚積とは、磁性膜の膜厚ｔと残留磁束密度Ｂｒとの積に相当する。

補助磁性層３７は裏打ち層３８の表面に受け止められる。裏打ち層３８は例えばＦｅＴａＣといった軟磁性体から構成されればよい。裏打ち層３８では、基板３１の表面に平行に規定される面内方向に磁化容易軸は確立される。裏打ち層３８では１００以上の透磁率が確保されることが望まれる。図２から明らかなように、補助磁性層３７と裏打ち層３８との間には非磁性層３９が配置されてもよい。非磁性層３９は例えばＰｄといった非磁性金属材料から構成されればよい。

裏打ち層３８は基板３１の表面に受け止められる。このとき、裏打ち層３８と基板３１との間には密着膜４１が配置されてもよい。密着膜４１は例えばＴａといった金属材料から構成されればよい。密着膜４１は裏打ち層３８と基板３１との密着性を強める。

いま、磁気ディスク１３に磁気情報が書き込まれる場面を想定する。図３に示されるように、磁気情報の書き込みにあたっていわゆる単磁極ヘッド４２は用いられる。単磁極ヘッド４２の主磁極４２ａおよび補助磁極４２ｂは磁気ディスク１３の表面に向き合わせられる。主磁極４２ａ、補助磁極４２ｂおよび裏打ち層３８には磁束の循環経路が形成される。

例えば主磁極４２ａの先端から漏れ出る磁束４３は、基板３１の表面に直交する垂直方向に沿って裏打ち層３８まで導かれる。裏打ち層３８で磁束４３は基板３１の面内方向に流通する。その後、磁束４３は裏打ち層３８から補助磁極４２ｂに向かって垂直方向に流通する。こうして記録磁性層３６には垂直方向に磁化は確立される。

このとき、補助磁性層３７では垂直方向に磁化が確立されることから、確実に記録磁性層３６では垂直方向に磁束は流通する。記録磁性層３６では全域にわたって確実に垂直方向に磁化は確立される。こうして記録磁性層３６から垂直方向に漏れ出る磁界すなわち記録磁界は強められる。特に、こういった記録磁性層３６によれば、隣接する磁気情報（２値情報）同士の境界で記録磁界は強められることができる。その一方で、従来のように記録磁性層３６が軟磁性の裏打ち層３８に直接に受け止められると、記録磁性層３６では、裏打ち層３８との境界に近づくにつれて磁化は垂直方向から逸脱しやすい。記録磁界は弱まってしまう。

しかも、補助磁性層３７では、残留磁化膜厚積が記録磁性層３６の残留磁化膜厚積の５分の１以下に設定される。したがって、補助磁性層３７から漏れ出る磁界は極力抑制されることができる。磁気情報の読み出しにあたって補助磁性層３７の影響は極力排除されることができる。その一方で、補助磁性層３７の漏れ磁界が大きいと、記録磁性層３６から漏れ出る磁界すなわち記録磁界に補助磁性層３７の漏れ磁界は紛れ込んでしまう。磁気情報の読み取りは阻害されてしまう。

さらに、前述のように補助磁性層３７と裏打ち層３８との間に非磁性層３９が挟み込まれれば、補助磁性層３７と裏打ち層３８との磁気的相互作用は阻止されることができる。こうして磁気的相互作用が阻止されれば、磁気情報は確実に読み取られることができる。その一方で、そういった磁気的相互作用が大きく働くと、記録磁性層３６から漏れ出る磁界すなわち記録磁界に磁気的影響が及んでしまう。磁気情報の読み取りは阻害されてしまう。

次に磁気ディスク１３の製造方法を簡単に説明する。まず、ディスク形の基板３１は用意される。基板３１は例えばスパッタリング装置に装着される。スパッタリング装置内で基板３１の表面には多層構造膜３２が形成される。形成方法の詳細は後述される。その後、多層構造膜３２の表面には膜厚４．０ｎｍ程度の保護膜３３が積層形成される。積層形成にあたって例えばＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）が用いられる。保護膜３３の表面には膜厚１．０ｎｍ程度の潤滑膜３４が塗布される。塗布にあたって基板３１は例えばパーフルオロポリエーテルを含む溶液に浸されればよい。

スパッタリング装置ではいわゆるＤＣマグネトロンスパッタリング法に基づき多層構造膜３２は成膜される。図４に示されるように、基板３１の表面には密着膜４１すなわちＴａ層４５が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＴａターゲットが装着される。Ｔａ原子は基板３１の表面に堆積する。Ｔａ層４５の膜厚は例えば１．０ｎｍ程度に設定される。

続いて図５に示されるように、Ｔａ層４５の表面には裏打ち層３８すなわちＦｅＴａＣ層４６が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＦｅＴａＣターゲットが装着される。Ｔａ層４５の表面にはＦｅ原子、Ｔａ原子およびＣ原子が堆積する。ＦｅＴａＣ層４６の膜厚は例えば３００ｎｍ程度に設定される。

続いて図６に示されるように、ＦｅＴａＣ層４６の表面には非磁性層３９すなわちＰｄ層４７が成膜される。成膜にあたってスパッタリング装置にはＰｄターゲットが装着される。Ｐｄ原子はＦｅＴａＣ層４６の表面に堆積する。Ｐｄ層４７の膜厚は例えば５．０ｎｍ程度に設定される。

続いて図７に示されるように、Ｐｄ層４７の表面には補助磁性層３７すなわち極薄膜の積層体４８が形成される。膜厚０．５ｎｍのＣｏ層４８ａと膜厚０．７ｎｍのＡｕ層４８ｂとが交互に成膜される。Ｃｏ層４８ａの成膜とＡｕ層４８ｂの成膜とは４回にわたって繰り返される。こうして４層構造の積層体４８は形成される。

続いて図８に示されるように、積層体４８の表面には記録磁性層３６すなわち極薄膜の積層体４９が形成される。膜厚０．３ｎｍのＣｏＢＯ層４９ａと膜厚１．０ｎｍのＰｄＯ層４９ｂとが交互に成膜される。ここでは、ＣｏＢＯ層４９ａの成膜とＰｄＯ層４９ｂの成膜とは２０回にわたって繰り返される。こうして２０層構造の積層体４９は形成される。

本発明者は、以上のように製造された磁気ディスク１３の特性を検証した。検証にあたって磁気ディスク１３には磁気情報が書き込まれた。磁気情報の書き込みには単磁極ヘッドが用いられた。その後、書き込まれた磁気情報は読み出された。読み出しにあたってスピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドは用いられた。前述の通り、単磁極ヘッドやスピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドは浮上ヘッドスライダ２１に搭載された。浮上ヘッドスライダ２１の浮上量は１５．０ｎｍに設定された。浮上ヘッドスライダ２１と磁気ディスク１３との相対速度は１０．０［ｍ／ｓ］に設定された。

検証にあたって本発明者は比較例を用意した。この比較例では前述の補助磁性層３７は省略された。すなわち、非磁性層３９の表面に直接に記録磁性層３６は積層形成された。その他の構造は本実施形態に係る磁気ディスク１３と同様に構成された。

本発明者は、単磁極ヘッドのコイルパターンに供給される書き込み電流の電流値を変化させつつ磁気ディスクに磁気情報を書き込んだ。磁気情報は４４０［ｋＦＣＩ］の線記録密度で書き込まれた。磁気情報の読み出しにあたって再生出力には基準値［１．０］が設定された。この基準値［１．０］の確立にあたって書き込み電流には５０［ｍＡ］の電流値が設定された。各電流値ごとに再生出力は測定された。図９に示されるように、本実施形態に係る磁気ディスク１３では、比較例に係る磁気ディスクに比べて小さな電流値で基準値［１．０］に相当する再生出力は確保されることが確認された。

次に、本発明者は、書き込まれた磁気情報の磁界分布を検証した。この検証にあたって、例えば図１０に示されるように、磁気ディスクには２本の記録トラック５１、５２が確立された。一方の記録トラック５１には１１０［ｋＦＣＩ］の線記録密度で磁気情報が書き込まれた。書き込み電流の電流値は３０［ｍＡ］に設定された。他方の記録トラック５２には４４０［ｋＦＣＩ］の線記録密度で磁気情報が書き込まれた。この書き込みにあたって書き込み電流には様々な電流値が設定された。単磁極ヘッドのコア幅は０．６μｍに設定された。記録トラック同士の間隔は０．３μｍに設定された。

記録トラック５１、５２に基づき磁気情報は読み出された。再生出力の測定にあたってスペクトラムアナライザは用いられた。図１１に示されるように、再生出力には最大磁界の位置で基準値［１．０］が設定された。同時に、２つの記録トラック５１、５２で、基準値［１．０］の５０％の再生出力が確保される位置が特定された。特定された位置同士の間隔は「サイドイレーズ幅」として定義された。

図１２に示されるように、本実施形態に係る磁気ディスク１３では、書き込み電流の大きさに拘わらず、比較例に係る磁気ディスクに比べて小さいサイドイレーズ幅が実現されることが確認された。すなわち、本実施形態に係る磁気ディスク１３では、隣接する記録トラック同士の境界に近づいても十分な大きさの磁界は確保されることが確認された。

次に、本発明者は、本実施形態に係る磁気ディスク１３で再生出力と裏打ち層３８の透磁率との間で相関関係を検証した。検証にあたって本発明者は複数の磁気ディスク１３を用意した。個々の磁気ディスク１３ごとに裏打ち層３８では異なる透磁率は設定された。磁気情報の書き込みにあたって書き込み電流には様々な電流値が設定された。ここで、再生出力の飽和値が検出された。飽和値の９０％の再生出力を実現する書き込み電流の電流値（Ｉｗ９０）が特定された。図１３から明らかなように、裏打ち層３８で１００以上の透磁率が確保されると、記録磁性層３６では小さな電流値で十分に磁化が確立されることが確認された。

次に、本発明者は、本実施形態に係る磁気ディスク１３のＳ／Ｎ比を測定した。測定にあたって本発明者は複数の磁気ディスク１３を用意した。個々の磁気ディスク１３ごとに記録磁性層３６の残留磁化膜厚積と補助磁性層３７の残留磁化膜厚積との比には様々な値が設定された。磁気ディスク１３には３００［ｋＦＣＩ］の線記録密度で磁気情報が書き込まれた。図１４から明らかなように、補助磁性層３７の残留磁化膜厚積が記録磁性層３６の残留磁化膜厚積の５分の１以下に設定されると、良好なＳ／Ｎ比が確保されることが確認された。ここでは、いずれの磁気ディスク１３でも補助磁性層３７の膜厚は４．８ｎｍに設定された。ただし、補助磁性層３７の保磁力は１４．３〜１９．１［ｋＡ／ｍ］の範囲に確保された。同様に、補助磁性層３７では０．９２〜０．９６の範囲で保磁力角形比は確保された。

さらに、本発明者は、本実施形態に係る磁気ディスク１３のＳ／Ｎ比を測定した。測定にあたって本発明者は複数の磁気ディスク１３を用意した。個々の磁気ディスク１３ごとに補助磁性層３７で異なる膜厚は設定された。その他の条件は前述と同様に設定された。図１５に示されるように、補助磁性層３７の膜厚が５．０ｎｍ以下に設定されると、良好なＳ／Ｎ比が確保されることが確認された。

さらにまた、本発明者は、本実施形態に係る磁気ディスク１３のＳ／Ｎ比を測定した。測定にあたって本発明者は複数の磁気ディスク１３を用意した。個々の磁気ディスク１３ごとに非磁性層３９で異なる膜厚は設定された。その他の条件は前述と同様に設定された。図１６に示されるように、非磁性層３９の膜厚が５．０ｎｍ程度に設定されると、良好なＳ／Ｎ比が確保されることが確認された。

磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。 磁気ディスクの構造を詳細に示す拡大垂直断面図である。 磁気情報の書き込みにあたって書き込み磁界の様子を概念的に示す浮上ヘッドスライダおよび磁気ディスクの拡大部分断面図である。 密着膜の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。 裏打ち層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。 非磁性層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。 補助磁性層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。 記録磁性層の成膜工程を概念的に示す基板の垂直部分断面図である。 書き込み電流の電流値と再生出力との関係を示すグラフである。 磁界分布の検証にあたって磁気ディスク上に確立される記録トラックの概念を示す拡大部分平面図である。 いわゆるサイドイレーズ幅の概念を示す磁界分布のグラフである。 書き込み電流の電流値とサイドイレーズ幅との関係を示すグラフである。 書き込み電流の電流値（Ｉｗ９０）と裏打ち層の透磁率との関係を示すグラフである。 補助磁性層および記録磁性層の間で特定される残留磁化膜厚積の倍率とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフである。 補助磁性層の膜厚とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフである。 非磁性層の膜厚とＳ／Ｎ比との関係を示すグラフである。

Claims (9)

1. 基板と、基板の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸を有する記録磁性層と、表面で記録磁性層を受け止め、前記垂直方向に沿って磁化容易軸を有し、記録磁性層の保磁力よりも小さい保磁力を有する補助磁性層とを備え、補助磁性層の膜厚と残留磁束密度との積は記録磁性層の膜厚と残留磁束密度との積の５分の１以下に設定されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. 請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、前記補助磁性層は、少なくともＣｏを含む磁性膜と、少なくともＰｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＡｇのいずれかを含む非磁性膜との積層体で構成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
3. 請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、表面で前記補助磁性層を受け止め、基板の面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性の裏打ち層をさらに備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
4. 請求項３に記載の垂直磁気記録媒体において、前記補助磁性層は、少なくともＣｏを含む磁性膜と、少なくともＰｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＡｇのいずれかを含む非磁性膜との積層体で構成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
5. 請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、前記補助磁性層の膜厚は５ｎｍ以下の値に設定されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
6. 請求項１に記載の垂直磁気記録媒体において、表面で前記補助磁性層を受け止める非磁性層と、表面で非磁性層を受け止め、基板の面内方向に磁化容易軸を有する軟磁性の裏打ち層とをさらに備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
7. 請求項６に記載の垂直磁気記録媒体において、前記補助磁性層は、少なくともＣｏを含む磁性膜と、少なくともＰｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＡｇのいずれかを含む非磁性膜との積層体で構成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
8. 請求項６に記載の垂直磁気記録媒体において、前記補助磁性層の膜厚は５ｎｍ以下の値に設定されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
9. 請求項６に記載の垂直磁気記録媒体において、前記非磁性層の膜厚は５ｎｍ以下の値に設定されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。

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