JP3960803B2 - Electrolytic machining method and apparatus - Google Patents
Electrolytic machining method and apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP3960803B2 JP3960803B2 JP2002000838A JP2002000838A JP3960803B2 JP 3960803 B2 JP3960803 B2 JP 3960803B2 JP 2002000838 A JP2002000838 A JP 2002000838A JP 2002000838 A JP2002000838 A JP 2002000838A JP 3960803 B2 JP3960803 B2 JP 3960803B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- ruthenium film
- processing
- electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気化学的な加工方法及び装置に係り、特に、半導体ウエハ等の基板の周縁部や裏面、その他の部分に成膜ないし付着した不要なルテニウム膜をエッチング除去するのに使用される電解加工方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、あらゆる機器の構成要素において微細化かつ高精度化が進み、サブミクロン領域での物作りが一般的となるにつれて、加工法自体が材料の特性に与える影響は益々大きくなっている。このような状況下においては、従来の機械加工のように、工具が被加工物を物理的に破壊しながら除去していく加工法では、加工によって被加工物に多くの欠陥を生み出してしまうため、被加工物の特性が劣化する。従って、いかに材料の特性を損なうことなく加工を行うことができるかが問題となってくる。
【0003】
この問題を解決する手段として開発された特殊加工法に、化学研磨や電解加工、電解研磨がある。これらの加工法は、従来の物理的な加工とは対照的に、化学的溶解反応を起こすことによって、除去加工等を行うものである。従って、塑性変形による加工変質層や転位等の欠陥は発生せず、前述の材料の特性を損なわずに加工を行うといった課題が達成される。
【0004】
近年、半導体基板上に強誘電体を用いたキャパシタを形成する際の電極材料として、白金属の金属ないしその酸化物が候補として上がっている。中でもルテニウムは成膜性が良好であることから、実現性の高い材料として検討が進んでいる。
【0005】
ルテニウム膜を成膜する方法としては、スパッタリングやCVDといった方法があるが、いずれにしても、周縁部を含む基板の表面全面にルテニウム膜を成膜するようにしている。このため、基板の周縁部にもルテニウム膜が成膜され、かつ裏面にも不可抗力的にルテニウムによる汚染が生じる。
【0006】
ここで、回路形成部以外の基板の周縁部及び裏面に成膜ないし付着したルテニウムは不要であるばかりでなく、その後の基板の搬送、保管及び各種処理工程において、クロスコンタミネーションの原因となり、例えば、誘電体の性能を低下させることも起こり得る。従って、ルテニウム膜の成膜工程やルテニウム膜に対して何らかの処理を行った後で、これらを完全に除去しておく必要がある。更に、例えば、キャパシタの電極材料としてルテニウムを使用した場合には、回路形成部に成膜したルテニウム膜の一部を除去する工程が必要となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
半導体ウエハ等の基板上に成膜されたルテニウム膜の除去は、一般的には、化学エッチング加工によって行われる。しかし、ルテニウムそのものが極めて安定であり、硫酸や王水などのエッチング剤でもエッチングできないため、種々の薬液の混合液が使用される。しかし、薬液による化学エッチングでは、時間がかかるばかりでなく、後洗浄を十分に行う必要があり、しかも、廃液処理のための負荷が大きい等の課題がある。
【0008】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、超純水もしくは希薄な液体中で、電気化学的作用により、ルテニウム膜を除去する電解加工方法および装置を提供することを目的とする。これにより除去時間の減少ばかりでなく使用する薬液の大幅な削減が可能となる。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板の外周部に成膜乃至付着したルテニウム膜を除去するにあたり、給電電極により給電して陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極とを基板の外周部において所定の間隔をおいて配置し、前記ルテニウム膜と前記加工電極との間にイオン交換体を配置し、前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に液体を供給しながら前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電圧を印加し、前記ルテニウム膜と前記加工電極とを相対運動させることを特徴とする電解加工方法である。
このように、陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極との間に、例えば強酸性カチオン交換基を付与したイオン交換体を配置し、液体を供給しながら電解加工を施すことで、これまで除去が困難であったルテニウム膜の効率的な除去加工が可能となる。
【0010】
請求項2に記載の発明は、前記イオン交換体は、強酸性カチオン交換基もしくは強塩基性アニオン交換基の少なくとも一方を付与したものであることを特徴とする請求項1記載の電解加工方法である。
請求項3に記載の発明は、前記液体は、超純水であることを特徴とする請求項1または2記載の電解加工方法である。ここで、超純水は、電気伝導度が0.1μS/cm以下の水である。このように、超純水を使用することで、加工面への汚染のない、より清浄な加工を行うことができる。
【0011】
請求項4に記載の発明は、基板の外周部に成膜乃至付着したルテニウム膜を除去するにあたり、給電電極により給電して陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極とを基板の外周部において所定の間隔をおいて配置し、前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電気伝導度(1atm,25℃換算、以下同じ)が500μS/cm以下の液体または電解液を供給しながら前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電圧を印加し、前記ルテニウム膜と前記加工電極とを相対運動させることを特徴とする電解加工方法である。
このように、陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極との間に、電気伝導度が500μS/cm 以下の液体または電解液を供給しながら電解加工を施すことで、ルテニウム膜のようなこれまで除去困難であった材料の効率的な除去加工が可能となる。
【0012】
ここで、電気伝導度が500μS/cm 以下の液体としては、例えば電気伝導度が10μS/cm以下の純水や、純水または超純水に界面活性剤等の添加剤を添加して、電気伝導度を500μS/cm以下、好ましくは50μS/cm以下、より好ましくは、0.1μS/cm以下にした液体が使用できる。また、電解液としては、例えば、NaCl,Na2SO4またはKCl等の中性塩の溶液、HClまたはH2SO4等の酸、更には、NaOHまたはアンモニア等のアルカリの溶液が使用でき、ルテニウム膜の膜厚、ルテニウム膜の下地の特性等により適宜選択して使用すればよい。
【0013】
請求項5に記載の発明は、基板の外周部に成膜乃至付着したルテニウム膜を除去する電解加工装置であって、ルテニウム膜を有する基板を保持する基板ホルダと、前記ルテニウム膜に給電する給電電極と、基板の外周部において該基板と所定の間隔をおいて配置された加工電極と、前記ルテニウム膜と前記加工電極の間、または前記ルテニウム膜と前記給電電極との間の少なくとも一方に配置したイオン交換体と、前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に液体を供給する液体供給部と、前記給電電極に陽極を前記加工電極に陰極にそれぞれ接続して電圧を印加する電源と、前記基板ホルダで保持した基板の外周部と前記加工電極とを相対運動させる駆動機構とを有することを特徴とする電解加工装置である。
【0014】
請求項6に記載の発明は、前記イオン交換体は、強酸性カチオン交換基もしくは強塩基性アニオン交換基の少なくとも一方を付与したものであることを特徴とする請求項5記載の電解加工装置である。
請求項7に記載の発明は、前記液体は、超純水であることを特徴とする請求項5または6記載の電解加工装置である。
【0015】
請求項8に記載の発明は、基板の外周部に成膜乃至付着したルテニウム膜を除去する電解加工装置であって、ルテニウム膜を有する基板を保持する基板ホルダと、前記ルテニウム膜に給電する給電電極と、基板の外周部において該基板と所定の間隔をおいて配置した加工電極と、前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電気伝導度が500μS/cm以下の液体を供給する液体供給部と、前記給電電極に陽極を前記加工電極に陰極をそれぞれ接続して電圧を印加する電源と、前記基板ホルダで保持した基板の外周部と前記加工電極とを相対運動させる駆動機構を有することを特徴とする電解加工装置である。
請求項9に記載の発明は、前記加工電極は、基板の外周部の形状に沿った溝部を有し、該溝部の内部に基板の外周部を位置させて、基板の外周部に成膜乃至付着したルテニウム膜を除去することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電解加工方法である。
請求項10に記載の発明は、前記加工電極は、基板の外周部の形状に沿った形状で、加工に際して、基板の外周部を内部に位置させる溝部を有することを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一項に記載の電解加工装置である。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態の電解加工装置の概要を示す。この電解加工装置10は、例えば基板Wの表面の外周部に成膜乃至付着した余分なルテニウム膜6(図5参照)をエッチング除去するようにしたもので、基板Wを上向き(フェイスアップ)で吸着保持する回転自在な基板ホルダ12と、被加工部へ超純水14を供給するノズル26と、加工後に超純水が飛散しないように液体を保持する加工チャンバー16とを有している。この加工チャンバー16の側部には、超純水を排出するための排水口18が設けられている。なお、基板の保持の向きは、下向き(フェイスダウン)や垂直にしてもよく、電解加工の目的により適宜選択すればよい。また、加工チャンバー16に超純水14を保持し、この超純水14中に基板ホルダ12で保持した基板Wを浸漬させてもよい。
【0017】
基板ホルダ12で保持した基板Wの外周部上方に位置し、この基板Wの表面に接触乃至近接して、基板Wの表面のルテニウム膜に給電する給電電極20が配置されている。更に、基板ホルダ12で保持した基板Wの外周部上方に位置し、この基板Wの表面と所定の間隔を置いた位置に加工電極22が配置され、この加工電極22の表面(下面)に、例えば強酸性カチオン交換基を付与した不織布からなるイオン交換体24が密着して取付けられており、このイオン交換体24の表面(下面)が基板ホルダ12で保持した基板Wの表面に接触ないし近接するようになっている。また、基板ホルダ12で保持した基板Wの上方に位置して、基板Wの表面(被加工部)と加工電極22との間に超純水14を供給する超純水供給ノズル26が配置されている。
【0018】
そして、直流電源28の陽極を給電電極20に、陰極を加工電極22にそれぞれ接続し、これによって、基板Wの表面のルテニウム膜を陽極となし、加工電極22を陰極となして、ルテニウム膜の加工電極22の表面に取付けたイオン交換体24と対向する部位をエッチング除去するようになっている。
【0019】
イオン交換体24は、強酸性カチオン交換基(スルホン酸基)を付与したもの、もしくは強塩基性アニオン交換基(4級アンモニウム基)を付与したものであるが、例えば弱酸性カチオン交換基(カルボキシル基)を付与したもの、弱塩基性アニオン交換基(3級以下のアンモニウム基)を付与したものでもよい。
【0020】
ここで、例えばイオン交換体24を構成する強酸性カチオン交換基を付与した不織布は、繊維径20〜50μm 空隙率が約90%のポリオレフィン製の不織布に、放射線を照射した後グラフト重合を行う、いわゆる放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖を、例えば加熱した硫酸で処理してスルホン酸基を導入して作製される。ここでグラフト率は、最大で500%が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大で5meq/gが可能である。なお、イオン交換体24の部材としては、不織布の他に織布、シート、多孔質材、短繊維、ネット、イオン交換膜等が挙げられる。
【0021】
次に、この電解加工装置10によりルテニウム膜をエッチング除去する電解加工について説明する。
先ず、基板ホルダ12で基板Wをフェイスアップで吸着保持し、超純水供給ノズル26から基板Wと加工電極22との間に超純水14を供給して加工チャンバー16内を超純水14で満たし、加工チャンバー16の内部に溜まった超純水14の一部を排水口18から系外に排出しておく。この状態で、給電電極20を基板Wの表面に近接乃至接触させ、加工電極22に取付けたイオン交換体24を基板Wの表面に接触させる。この状態で、基板ホルダ12を基板Wと一体に回転させつつ、直流電源28の陽極を給電電極20に、陰極を加工電極22にそれぞれ接続する。これにより、強酸性カチオン交換基を付与した不織布等のイオン交換体24の固体表面での化学反応により生成した水素イオンと水酸化物イオンとによって、ルテニウム膜の除去加工を行う。
【0022】
つまり、超純水14をイオン交換体24の触媒反応でOH−イオンとH+イオンに解離し、このイオンが加工電極22の近傍で電荷を渡すことによって発生するラジカルを基板Wのルテニウム膜に作用させて、加工電極22の表面に取付けたイオン交換体24と対向するルテニウム膜の部位をエッチング除去する。
そして、電解加工完了後、電源28の接続を切り、基板ホルダ12の回転を停止させ、しかる後、給電電極20と加工電極22を除去した後、基板ホルダ12上の加工後の基板Wを次工程に搬送する。
【0023】
この例では、基板Wと加工電極22との間に、電気伝導度が0.1μS/cm以下の超純水を供給した例を示しているが、電気伝導度が10μS/cm以下の純水を使用してもよい。このように、電解質を含まない純水または超純水を使用して電解加工を行うことで、基板Wの表面に電解質等の余分な不純物が付着したり、残留したりすることをなくすことができる。更に、電解によって溶解したイオン等が、イオン交換体24にイオン交換反応で即座に捕捉されるため、溶解したイオン等が基板Wの他の部分に再度析出したり、酸化されて微粒子となり基板Wの表面を汚染したりすることがない。この超純水または純水の代わりに、純水または超純水に界面活性剤等の添加剤を添加して、電気伝導度を500μS/cm以下、好ましくは50μS/cm以下、より好ましくは0.1μS/cm以下にした液体を使用したり、もしくは電解液を使用してもよい。
【0024】
なお、被加工部の範囲が広い場合は、加工電極22とイオン交換体24の面積を大きくしたり、電極と基板を相対運動させるとよい。相対運動は、回転往復運動、偏心回転またはスクロール運動の少なくとも1つ、または任意の運動の組合せから適宜選択できる。例えば、加工電極及び給電電極側を回転させたり、基板を並進運動(スクロール運動)させるようにしてもよい。また、陰極となる給電電極20と陽極となるルテニウム膜を相対運動させることにより、加工電極22及び給電電極20とルテニウム膜との間にある超純水14を効果的に置換することが可能になり、これにより、加工に伴って発生するガスや加工生成物を効率的に除去して安定な加工を行うことができる。
【0025】
図2及び図3は、本発明の第2の実施の形態の電解加工装置を示す。この電解加工装置10aの図1に示す例と異なる点は、電極ヘッド30を有し、この電極ヘッド30の下面に給電電極20とイオン交換体24を備えた加工電極22とを取付け、この電極ヘッド30を上下動及び揺動自在な揺動アーム32の自由端に支持し、更に加工チャンバー16の側方に再生槽34を配置している点にある。この再生槽34内には、例えば希釈な酸溶液が満たされている。
【0026】
この例によれば、給電電極20とイオン交換体24を備えた加工電極22とを一体に上下動させ、更にイオン交換体24を再生できる。つまり、揺動アーム32を揺動させて電極ヘッド30を再生槽34の直上方に移動させ、しかる後、電極ヘッド30を下降させて、電極ヘッド30の少なくともイオン交換体24を再生槽34内の酸溶液に浸漬させる。この状態で、加工電極22に加工の時とは逆の電位を、すなわち電源28の陽極に接続することで、イオン交換体24に蓄積された加工生成物の溶解を促進してイオン交換体24を再生するようになっている。この再生後のイオン交換体24は、例えば超純水でリンスされる。ここで、イオン交換体の再生とは、イオン交換体に捕らえられたイオンを、例えばカチオン交換体の場合は水素イオンに、アニオン交換体の場合は水酸化物イオンにそれぞれ交換することをいう。
【0027】
図4乃至図5は、ベベルエッチング装置に適用した、本発明の第3の実施の形態の電解加工装置を示す。この電解加工装置(ベベルエッチング装置)は、陰極とした加工電極と、ルテニウム膜を陽極とする給電電極とを有し、加工電極は、基板の外周部の形状に沿った溝部を有し、この溝部の内部に基板の外周部を位置させて加工を施すことで、基板の外周部(ベベル部乃至エッジ部)に成膜乃至付着したルテニウム膜を除去することができるようになっている。
【0028】
すなわち、この電解加工装置(ベベルエッチング装置)144は、例えば表面にルテニウム膜を成膜した基板Wを上向き(フェイスアップ)で吸着保持し、モータ150の駆動に伴って回転する基板ホルダ152と、電源154の陽極に接続され、基板Wの表面に設けられたルテニウム膜6に接触して該ルテニウム膜6を陽極とする給電電極156と、電源154の陰極に接続され、モータ158の駆動に伴って回転(自転)する円柱状の加工電極160を有している。この加工電極160は、基板ホルダ152で保持した基板Wの側方に位置して基板Wに接離自在に配置されている。そして、加工電極160には、基板Wの外周部の形状に沿った断面半円状の溝160aが設けられ、この溝160aの内部に、例えば強酸性カチオン交換基を付与したイオン交換体162が該イオン交換体162の表面が基板Wの外周部に接触乃至近接するように取付けられている。更に、この加工電極160に近接して、加工電極160と基板Wの外周部との間に純水または超純水を供給する純水供給部としての純水ノズル164が配置されている。
【0029】
これにより、基板ホルダ152で保持した基板Wの外周部に加工電極160に取付けたイオン交換体162を接触乃至近接させた状態で、基板ホルダ152を回転させて基板Wを回転させ、同時に加工電極160を回転(自転)させ、純水ノズル164から加工電極160と基板Wの外周部との間に純水または超純水を供給しつつ、加工電極160と給電電極156との間に所定の電圧を印加することで、基板Wの外周部(ベベル部乃至エッジ部)に成膜乃至付着したルテニウムを電解加工によって除去するようになっている。
【0030】
ここで、この例では、加工電極160と基板Wの外周部との間に、例えば電気伝導度が10μS/cm以下の純水、好ましくは、電気伝導度が0.1 μS/cm以下の超純水を供給するようにしており、加工中に超純水を供給することにより、加工生成物や気体溶解等による加工の不安定性を除去でき、均一な、再現性のよい加工が得られるようになっている。この純水または超純水の代わりに、純水または超純水に界面活性剤等の添加剤を添加して、電気伝導度を500μS/cm以下、好ましくは50μS/cm以下、より好ましくは、0.1μS/cm以下にした液体を使用したり、任意の電解液を使用してもよい。この電解液については後述する。
【0031】
図6は、本発明の第4の実施の形態の電解加工装置の概要を示す。この電解加工装置40は、例えば基板Wの表面の外周部に成膜乃至付着した余分なルテニウム膜6(図5参照)をエッチング除去するようにしたもので、基板Wを垂直に吸着保持する回転自在な基板ホルダ42と、内部に電解液44を保持し、この電解液44中に基板ホルダ12で保持した基板Wの下端外周部を浸漬させる加工チャンバー46とを有している。この加工チャンバー46の側部には、加工チャンバー46内の電解液44の一部を系外に排出して、この電解液44の液面のレベルを一定にする排水口48が設けられている。
【0032】
基板ホルダ42で保持した基板Wの上端外周部に位置し、この基板Wの表面に接触乃至近接して、基板Wの表面のルテニウム膜に給電する給電電極50が配置されている。更に、加工チャンバー46の内部に保持した電解液44に一部を浸漬させた加工電極52が、基板ホルダ42で保持した基板Wの表面と所定の間隔を置いて配置されている。また、加工チャンバー46の上方に位置して、この内部に電解液44を供給する電解液供給ノズル54と、電解加工後の加工部位を洗浄する超純水を供給する超純水供給ノズル56が配置されている。
【0033】
そして、直流電源58の陽極を給電電極50に、陰極を加工電極52にそれぞれ接続し、これによって、基板Wの表面のルテニウム膜を陽極となし、加工電極52を陰極となして、ルテニウム膜の電解液44に浸漬させた加工電極22と対面する部位をエッチング除去するようになっている。
【0034】
この電解加工装置40にあっては、基板ホルダ42で基板Wを垂直に吸着保持し、電解液供給ノズル54から加工チャンバー46の内部に電解液44を供給して、加工チャンバー46の内部に溜まった電解液44の一部を排水口48から系外に排出しておく。この状態で、給電電極50を基板Wの表面に近接乃至接触させ、加工電極52をその一部を電解液44に浸漬させ基板Wの表面に対峙させる。この状態で、基板ホルダ42を基板Wと一体に回転させつつ、直流電源58の陽極を給電電極50に、陰極を加工電極52にそれぞれ接続する。これにより、電解液44の電解作用によって、ルテニウム膜の除去加工を行う。そして、超純水供給ノズル56から加工後の部位に向けて超純水を供給して、加工後の表面を超純水で洗浄する。
【0035】
この電解液は、例えば電気伝導度が500μS/cm以下で電気化学的相互作用によってルテニウムの加工が進行するものであればいずれでもよく、例えば、NaCl、Na2SO4またはKCl等の中性塩の溶液、HF、HClまたはH2SO4等の酸の溶液、更には、NaOH、KOH、アンモニア等のアルカリの溶液が使用でき、加工後のルテニウム膜の使用用途と残留物質の影響、ルテニウム膜の膜厚、ルテニウム膜の下地膜の特性等により適宜選択して使用すればよい。
【0036】
図7及び図8は、他の電解加工装置60を示す。この電解加工装置60は、水平方向に揺動自在な揺動アーム62の自由端に垂設されて基板Wを下向き(フェイスダウン)に吸着保持する基板保持部64と、円板状で絶縁体からなり、扇状の加工電極66と給電電極68とを該加工電極66と給電電極68の表面(上面)を露出させて交互に埋設した電極部70とを上下に備えている。電極部70の上面には、加工電極66と給電電極68の表面を一体に覆う、積層体からなるイオン交換体72が取付けられている。
【0037】
揺動アーム62は、上下動用モータ74の駆動に伴ってボールねじ76を介して上下動し、揺動用モータ78の駆動に伴って回転する揺動軸80の上端に連結されている。また、基板保持部64は、揺動アーム62の自由端に取付けた自転用モータ82に接続され、この自転用モータ82の駆動に伴って回転(自転)するようになっている。
【0038】
電極部70は、中空モータ84に直結され、この中空モータ84の駆動に伴って回転(自転)するようになっている。電極部70の中央部には、純水、より好ましくは超純水を供給する純水供給部としての貫通孔70aが設けられている。そして、この貫通孔70aは、中空モータ84の中空部の内部を延びる純水供給管86に接続されている。純水または超純水は、この貫通孔70aを通して供給された後、吸水性を有するイオン交換体72を通じて加工面全域に供給される。
そして、電極部70の回転中心O1と基板保持部64の回転中心O2とを所定の距離dだけずらし、電極部70は回転中心O1を中心に回転(自転)し、基板保持部64は回転中心O2を中心に回転(自転)するようにしている。また、スリップリング88を介して電源90と加工電極66及び給電電極68とを電気的に接続している。更に、この例では、電極部70として、その直径が基板保持部64の直径より一回り大きく、電極部70が回転中心O1を中心に、基板保持部64が回転中心O2を中心にそれぞれ回転(自転)しても、基板保持部64で保持した基板Wの全面を電極部70で覆う大きさのものを使用している。
【0039】
この電解加工装置60にあっては、基板保持部64を介して基板Wを回転(自転)させ、同時に中空モータ84を駆動して電極部70を回転(自転)させながら、電極部70の上面に純水または超純水を供給し、加工電極66と給電電極68との間に所定の電圧を印加することで、基板Wの表面を電解加工することができる。
電極部70の上方には、電極部70の直径方向に沿って延びて、複数の供給口を有する純水または超純水を供給する純水供給部としての純水ノズル92が配置されている。これによって、純水または超純水が基板Wの表面に該基板Wの上下方向から同時に供給されるようになっている。
【0040】
この例では、電極部70に複数の扇状の電極板を円周方向に沿って配置し、この電極板にスリップリング88を介して電源90の陰極と陽極とを交互に接続することで、電源90の陰極と接続した電極板76が加工電極66となり、陽極と接続した電極板が給電電極68となって、基板Wの表面のルテニウム膜が陽極となるようにしている。これは、例えばルテニウムにあっては、陰極と接続した側に電解加工作用が生じるからである。
このように、加工電極66と給電電極68とを電極部70の円周方向に沿って分割して交互に設けることで、基板のルテニウム膜(被加工物)への固定給電部を不要となして、基板の全面の加工が可能となる。更に、パルス状もしくは交互に正負を変化させる(交流)ことで、電解生成物を溶解させ、加工の繰返しの多重性によって平坦度を向上させることができる。
【0041】
積層体からなるイオン交換体72は、積層材としての一対の強酸性カチオン交換繊維72a,72bと、この強酸性カチオン交換繊維72a,72bに挟まれた強酸性カチオン交換膜72cとの3層構造から構成されている。このイオン交換体(積層体)72は、通水性が良く、硬度が高いばかりでなく、基板Wと対向する露出表面(上面)が良好な平滑性を有するようになっている。
ここで、イオン交換体72の各積層材72a,72b,72cをアニオン交換能またはカチオン交換能の一方を付与したもののみで構成した例を示したが、イオン交換体72は、アニオン交換能を有するアニオン交換体とカチオン交換能を有するカチオン交換体とを重合せたり、イオン交換体72の各積層材72a,72b,72c自体にアニオン交換能とカチオン交換能の双方の交換基を付与するようにしてもよい。
【0042】
次に、この電解加工装置60による電解加工にあっては、表面にルテニウム膜を形成した基板Wを基板保持部64で下向きに吸着保持し、揺動アーム62を揺動させて基板保持部64を電極部70の直上方の加工位置まで移動させる。次に、上下動用モータ74を駆動して基板保持部64を下降させ、この基板保持部64で保持した基板Wを電極部70の上面に取付けたイオン交換体72の表面に接触させるか、または近接させる。
この状態で、電源90を接続して加工電極66と給電電極68との間に所定の電圧を印加しながら、基板保持部64と電極部70とを共に回転させる。つまり、基板Wの表面を同時に、貫通孔70aを通じて、電極部70の下側から該電極部70の上面に純水または超純水を、純水ノズル92により電極部70の上側から該電極部70の上面に純水または超純水を同時に供給し、加工電極66及び給電電極68と基板Wとの間に純水または超純水を満たす。これによって、基板Wのルテニウム膜を陽極となし、イオン交換体72により生成された水素イオンまたは水酸化物イオンによって、加工電極66に対面する基板Wに設けられたルテニウム膜の電解加工を行う。
【0043】
この例によれば、イオン交換体72を積層構造の積層体から構成することで、イオン交換体(積層体)72のもつトータルのイオン交換容量を増大させ、これにより、電解反応により発生した加工生成物(酸化物やイオン)をイオン交換体72内にこの蓄積容量以上に蓄積させないようにして、イオン交換体72内に蓄積された加工生成物の形態が変化して、それが加工速度及びその分布に影響を与えることを防止することができる。
そして、電解加工完了後、電源90の接続を切り、基板保持部64と電極部70の回転を停止させ、しかる後、基板保持部64を上昇させて、加工後の基板を次工程に搬送する。
【0044】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
図1に示す電解加工装置を使用して、基板の表面に成膜したルテニウム膜の除去加工を行った。すなわち、TiNからなる下地膜の上にルテニウム膜を成膜したウエハ(基板)を基板ホルダ12に保持し、イオン交換体24として強酸性カチオン交換繊維を、超純水として比抵抗で18MΩ・cmのものをそれぞれ使用し、電解電圧を5Vとして2分間の電解加工(エッチング)を行った。そのエッチング効果をXPS(X線光電子分光法)で評価した結果を図9に示す。この9(a)は電解加工前の状態を、図9(b)は電荷加工後の状態を示す。この図9により、この電解加工によりルテニウム膜が効率よく除去されたことが判る。また、図示していないが、強アニオン交換膜においても同様の結果が得られた。
【0045】
(実施例2)
図6に示す電解加工装置を使用して、基板の表面に成膜したルテニウム膜の除去加工を行った。すなわち、TiNからなる下地膜の上にルテニウム膜を成膜したウエハ(基板)を基板ホルダ42に保持し、電解液として、塩酸(酸溶液)、塩化カリウム水溶液(中性塩溶液)及び水酸化ナトリウム水溶液(アルカリ溶液)をそれぞれ使用し、電解電圧を60Vとして2分間の電解加工(エッチング)を行った。その時のエッチング効果をXPS(X線光電子分光法)で評価した結果を図10に示す。この図10により、酸、アルカリまたは中性のいずれの電解液を用いた場合もルテニウム膜がエッチングされたことが判る。
【0046】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被加工物であるルテニウム膜に物理的な欠陥を与えてその特性を損なうことを防止しつつ、電気化学的作用によって、例えば従来の一般的な除去加工に代わる電解加工等を施して、ルテニウム膜を除去加工することができる。しかも、超純水のみを使用してもルテニウム膜を除去加工することができ、これによって、ルテニウム膜の除去加工に伴って基板の表面に電解質等の余分な不純物が付着したり、残留したりすることをなくして、除去加工後の洗浄工程を簡略化できるばかりでなく、廃液処理の負荷を極めて小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の電解加工装置の概略構成図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態の電解加工装置の概略構成図である。
【図3】図2の平面図である。
【図4】本発明の第3の実施の形態の電解加工装置の概略構成図である。
【図5】図4の要部を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態の電解加工装置の概略構成図である。
【図7】 他の電解加工装置の概略構成図である。
【図8】図7の平面図である。
【図9】本発明の実施例1の結果を示すXPSのワイドスペクトルである。
【図10】本発明の実施例2の結果を示すXPSのナロースペクトル図である。
【符号の説明】
6 ルテニウム膜
10,10a、40,144 電解加工装置
12,42,152 基板ホルダ
14 超純水
16,46 加工チャンバー
20,50,156 給電電極
22,52,160 加工電極
24,162 イオン交換体
26,56 超純水供給ノズル
28,58,154 電源
30 電極ヘッド
32 揺動アーム
34 再生槽
44 電解液
54 電解液供給ノズル
164 純水ノズル[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrochemical processing method and apparatus, and in particular, is used for etching away an unnecessary ruthenium film deposited or attached to a peripheral portion, a back surface, or other portion of a substrate such as a semiconductor wafer. The present invention relates to an electrolytic processing method and apparatus.
[0002]
[Prior art]
In recent years, as the miniaturization and high precision have progressed in the components of all devices, and the manufacturing in the submicron region has become common, the influence of the processing method itself on the characteristics of the material has been increasing. Under these circumstances, the machining method in which the tool removes the workpiece while physically destroying it, as in conventional machining, because many defects are generated in the workpiece by machining. The properties of the work piece deteriorate. Therefore, it becomes a problem how the processing can be performed without impairing the characteristics of the material.
[0003]
Special processing methods developed as means for solving this problem include chemical polishing, electrolytic processing, and electrolytic polishing. In contrast to conventional physical processing, these processing methods perform removal processing or the like by causing a chemical dissolution reaction. Therefore, defects such as work-affected layers and dislocations due to plastic deformation do not occur, and the problem of performing processing without impairing the properties of the above-mentioned material is achieved.
[0004]
In recent years, a white metal or its oxide has been proposed as an electrode material for forming a capacitor using a ferroelectric on a semiconductor substrate. Among these, ruthenium has a good film forming property, and thus is being studied as a highly feasible material.
[0005]
As a method for forming the ruthenium film, there are methods such as sputtering and CVD. In any case, the ruthenium film is formed on the entire surface of the substrate including the peripheral portion. For this reason, a ruthenium film is also formed on the peripheral edge of the substrate, and ruthenium contamination occurs forcefully on the back surface.
[0006]
Here, ruthenium deposited or adhered to the peripheral edge and back surface of the substrate other than the circuit forming portion is not only unnecessary, but it causes cross contamination in the subsequent transport, storage and various processing steps of the substrate, for example, Degradation of the dielectric performance can also occur. Therefore, it is necessary to completely remove these after the ruthenium film forming process and the ruthenium film are subjected to some treatment. Furthermore, for example, when ruthenium is used as the electrode material of the capacitor, a step of removing a part of the ruthenium film formed on the circuit forming portion is necessary.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Removal of a ruthenium film formed on a substrate such as a semiconductor wafer is generally performed by chemical etching. However, since ruthenium itself is extremely stable and cannot be etched with an etching agent such as sulfuric acid or aqua regia, a mixture of various chemicals is used. However, chemical etching with a chemical solution is not only time consuming but also requires sufficient post-cleaning, and there are problems such as a heavy load for waste liquid treatment.
[0008]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide an electrolytic processing method and apparatus for removing a ruthenium film by electrochemical action in ultrapure water or a dilute liquid. As a result, not only the removal time but also the chemical solution to be used can be greatly reduced.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The invention described in claim 1When removing the ruthenium film deposited or adhered to the outer periphery of the substrate, power is supplied by the power supply electrode.Ruthenium film as anode and machining electrode as cathodeAt the outer periphery of the boardArranged at a predetermined interval, an ion exchanger is disposed between the ruthenium film and the processing electrode, and the ruthenium film and the processing electrode are supplied while supplying a liquid between the ruthenium film and the processing electrode. And applying a voltage between them to cause the ruthenium film and the machining electrode to move relative to each other.
Thus, by arranging an ion exchanger provided with a strongly acidic cation exchange group between a ruthenium film as an anode and a processing electrode as a cathode, and performing electrolytic processing while supplying a liquid, This makes it possible to efficiently remove the ruthenium film that has been difficult to remove.
[0010]
The invention according to claim 2 is the electrolytic processing method according to claim 1, wherein the ion exchanger is provided with at least one of a strongly acidic cation exchange group or a strongly basic anion exchange group. is there.
The invention according to claim 3 is the electrolytic processing method according to claim 1 or 2, wherein the liquid is ultrapure water. Here, ultrapure water is water having an electric conductivity of 0.1 μS / cm or less. Thus, by using ultrapure water, it is possible to perform cleaner processing without contamination of the processed surface.
[0011]
The invention according to claim 4When removing the ruthenium film deposited or adhered to the outer periphery of the substrate, power is supplied by the power supply electrode.Ruthenium film as anode and machining electrode as cathodeAt the outer periphery of the boardThe ruthenium film is disposed while supplying a liquid or an electrolytic solution having an electric conductivity (1 atm, converted at 25 ° C., the same shall apply hereinafter) between the ruthenium film and the processing electrode at a predetermined interval and having a conductivity of 500 μS / cm or less. And the machining electrode, and the ruthenium film and the machining electrode are moved relative to each other.
Thus, by performing electrolytic processing between the ruthenium film serving as the anode and the processing electrode serving as the cathode while supplying a liquid or an electrolytic solution having an electric conductivity of 500 μS / cm 2 or less, such a ruthenium film can be obtained. It is possible to efficiently remove the material that has been difficult to remove.
[0012]
Here, as the liquid having an electric conductivity of 500 μS / cm 3 or less, for example, pure water having an electric conductivity of 10 μS / cm or less, or an additive such as a surfactant is added to pure water or ultrapure water, A liquid having a conductivity of 500 μS / cm or less, preferably 50 μS / cm or less, more preferably 0.1 μS / cm or less can be used. Examples of the electrolytic solution include NaCl, Na2SO4Or a solution of a neutral salt such as KCl, HCl or H2SO4Further, an acid solution such as NaOH or an alkaline solution such as NaOH or ammonia can be used, and it may be appropriately selected depending on the film thickness of the ruthenium film, the characteristics of the base of the ruthenium film, and the like.
[0013]
The invention described in claim 5An electrolytic processing apparatus for removing a ruthenium film deposited or adhered to the outer peripheral portion of a substrate,A substrate holder for holding a substrate having a ruthenium film, a feeding electrode for feeding power to the ruthenium film,At the outer periphery of the substrate,A processing electrode disposed at a predetermined interval, an ion exchanger disposed between at least one of the ruthenium film and the processing electrode, or between the ruthenium film and the feeding electrode, the ruthenium film, and the A liquid supply unit for supplying a liquid to the machining electrode; a power source for applying a voltage by connecting an anode to the power supply electrode and an anode to the machining electrode; and the substrate holderThe outer periphery of the substrate held inAnd an electromechanical machining apparatus having a drive mechanism for relatively moving the machining electrode.
[0014]
The invention according to
The invention according to claim 7 is the electrolytic processing apparatus according to
[0015]
The invention according to claim 8 provides:An electrolytic processing apparatus for removing a ruthenium film deposited or adhered to the outer peripheral portion of a substrate,A substrate holder for holding a substrate having a ruthenium film, a feeding electrode for feeding power to the ruthenium film,At the outer periphery of the substrate,A processing electrode arranged at a predetermined interval, a liquid supply unit for supplying a liquid having an electric conductivity of 500 μS / cm or less between the ruthenium film and the processing electrode, and an anode for the power supply electrode A power source for applying a voltage by connecting a cathode to the substrate, and the substrate holderThe outer periphery of the substrate held inAnd an electromechanical machining apparatus having a drive mechanism for relatively moving the machining electrode and the machining electrode.
According to a ninth aspect of the present invention, the processing electrode has a groove portion along the shape of the outer peripheral portion of the substrate, the outer peripheral portion of the substrate is positioned inside the groove portion, and a film is formed on the outer peripheral portion of the substrate. 5. The electrolytic processing method according to claim 1, wherein the attached ruthenium film is removed.
According to a tenth aspect of the present invention, the processing electrode has a shape along the shape of the outer peripheral portion of the substrate, and has a groove portion that positions the outer peripheral portion of the substrate inside during processing. The electrolytic processing apparatus according to claim 8.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an outline of an electrolytic processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The
[0017]
A
[0018]
Then, the anode of the
[0019]
The
[0020]
Here, for example, a non-woven fabric provided with a strongly acidic cation exchange group constituting the
[0021]
Next, electrolytic processing for removing the ruthenium film by the
First, the
[0022]
That is, the
After the electrolytic processing is completed, the
[0023]
In this example, ultrapure water having an electric conductivity of 0.1 μS / cm or less is supplied between the substrate W and the
[0024]
In addition, when the range of a to-be-processed part is wide, it is good to enlarge the area of the
[0025]
2 and 3 show an electrolytic processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. The
[0026]
According to this example, the
[0027]
4 to 5 show an electrolytic processing apparatus according to a third embodiment of the present invention applied to a bevel etching apparatus. This electrolytic processing apparatus (bevel etching apparatus) has a processing electrode as a cathode and a feeding electrode with a ruthenium film as an anode, and the processing electrode has a groove portion along the shape of the outer peripheral portion of the substrate. The ruthenium film deposited or attached to the outer peripheral portion (bevel portion or edge portion) of the substrate can be removed by performing processing by positioning the outer peripheral portion of the substrate inside the groove portion.
[0028]
That is, the electrolytic processing apparatus (bevel etching apparatus) 144 holds, for example, a substrate W having a ruthenium film formed on the surface thereof by suction (face-up) and rotates as the
[0029]
As a result, the
[0030]
Here, in this example, between the
[0031]
FIG. 6 shows an outline of an electrolytic processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. The
[0032]
A
[0033]
Then, the anode of the
[0034]
In this
[0035]
This electrolytic solution may be any one as long as it has an electric conductivity of 500 μS / cm or less and the processing of ruthenium proceeds by electrochemical interaction, for example, NaCl, Na2SO4Or a solution of neutral salt such as KCl, HF, HCl or H2SO4Acid solutions such as NaOH, KOH, ammonia and other alkaline solutions can be used. Use of ruthenium film after processing and influence of residual substances, ruthenium film thickness, ruthenium film base film characteristics What is necessary is just to select suitably by etc. and to use.
[0036]
7 and 8otherAn
[0037]
The
[0038]
The
Then, the rotation center O of the
[0039]
In this
Above the
[0040]
In this example, a plurality of fan-shaped electrode plates are arranged in the
As described above, the
[0041]
The
Here, although the example which comprised each
[0042]
Next, this electrolytic processing apparatus 60InIn the electrolytic processing, the substrate W on which the ruthenium film is formed is sucked and held downward by the
In this state, the
[0043]
According to this example, by forming the
Then, after completion of the electrolytic processing, the
[0044]
【Example】
Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited thereto.
Example 1
The ruthenium film formed on the surface of the substrate was removed using the electrolytic processing apparatus shown in FIG. That is, a wafer (substrate) having a ruthenium film formed on a base film made of TiN is held by the
[0045]
(Example 2)
The ruthenium film formed on the surface of the substrate was removed using the electrolytic processing apparatus shown in FIG. That is, a wafer (substrate) having a ruthenium film formed on a base film made of TiN is held by a
[0046]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, for example, conventional general removal can be achieved by electrochemical action while preventing the ruthenium film as a workpiece from being physically damaged and damaging its properties. The ruthenium film can be removed by performing electrolytic processing or the like instead of processing. In addition, the ruthenium film can be removed by using only ultrapure water, and as a result, extra impurities such as electrolytes are present on the surface of the substrate along with the removal of the ruthenium film.ButIt is possible not only to adhere and remain, but to simplify the cleaning process after the removal process, and it is possible to extremely reduce the load of waste liquid treatment.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electrolytic processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an electrolytic processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view of FIG. 2;
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an electrolytic processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
5 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an enlarged main part of FIG. 4;
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an electrolytic processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
[Fig. 7]otherIt is a schematic block diagram of an electrolytic processing apparatus.
8 is a plan view of FIG. 7. FIG.
FIG. 9 is an XPS wide spectrum showing the results of Example 1 of the present invention.
FIG. 10 is a narrow spectrum diagram of XPS showing the results of Example 2 of the present invention.
[Explanation of symbols]
6 Ruthenium film
10, 10a, 40, 144 Electrolytic processing equipment
12, 42, 152 Substrate holder
14 Ultrapure water
16, 46 Processing chamber
20, 50, 156 Feed electrode
22, 52, 160 Processing electrode
24,162 ion exchanger
26,56 Ultrapure water supply nozzle
28, 58, 154 Power supply
30 electrode head
32 Swing arm
34 Regeneration tank
44 electrolyte
54 Electrolyte supply nozzle
164 Pure water nozzle
Claims (10)
給電電極により給電して陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極とを基板の外周部において所定の間隔をおいて配置し、
前記ルテニウム膜と前記加工電極との間にイオン交換体を配置し、
前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に液体を供給しながら前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電圧を印加し、
前記ルテニウム膜と前記加工電極とを相対運動させることを特徴とする電解加工方法。 In removing the ruthenium film deposited or adhered to the outer periphery of the substrate,
A ruthenium film fed as an anode by feeding with a feeding electrode and a processing electrode as a cathode are arranged at a predetermined interval on the outer periphery of the substrate ,
An ion exchanger is disposed between the ruthenium film and the processing electrode,
Applying a voltage between the ruthenium film and the processing electrode while supplying a liquid between the ruthenium film and the processing electrode,
An electrolytic processing method, wherein the ruthenium film and the processing electrode are moved relative to each other.
給電電極により給電して陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極とを基板の外周部において所定の間隔をおいて配置し、
前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電気伝導度(1atm,25℃換算、以下同じ)が500μS/cm 以下の液体または電解液を供給しながら前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電圧を印加し、
前記ルテニウム膜と前記加工電極とを相対運動させることを特徴とする電解加工方法。 In removing the ruthenium film deposited or adhered to the outer periphery of the substrate,
A ruthenium film fed as an anode by feeding with a feeding electrode and a processing electrode as a cathode are arranged at a predetermined interval on the outer periphery of the substrate ,
A voltage between the ruthenium film and the processing electrode is supplied between the ruthenium film and the processing electrode while supplying a liquid or electrolytic solution having an electric conductivity (1 atm, converted at 25 ° C., the same applies hereinafter) of 500 μS / cm 2 or less between the ruthenium film and the processing electrode. Apply
An electrolytic processing method, wherein the ruthenium film and the processing electrode are moved relative to each other.
ルテニウム膜を有する基板を保持する基板ホルダと、
前記ルテニウム膜に給電する給電電極と、
基板の外周部において該基板と所定の間隔をおいて配置された加工電極と、
前記ルテニウム膜と前記加工電極の間、または前記ルテニウム膜と前記給電電極との間の少なくとも一方に配置したイオン交換体と、
前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に液体を供給する液体供給部と、
前記給電電極に陽極を前記加工電極に陰極にそれぞれ接続して電圧を印加する電源と、
前記基板ホルダで保持した基板の外周部と前記加工電極とを相対運動させる駆動機構とを有することを特徴とする電解加工装置。 An electrolytic processing apparatus for removing a ruthenium film deposited or adhered to the outer peripheral portion of a substrate,
A substrate holder for holding a substrate having a ruthenium film;
A power supply electrode for supplying power to the ruthenium film;
A processing electrode disposed at a predetermined distance from the substrate at the outer periphery of the substrate ;
An ion exchanger disposed between at least one of the ruthenium film and the processing electrode or between the ruthenium film and the feeding electrode;
A liquid supply section for supplying a liquid between the ruthenium film and the processing electrode;
A power source for applying a voltage by connecting an anode to the power supply electrode and a cathode to the processing electrode;
An electrolytic processing apparatus comprising: a drive mechanism that moves the outer peripheral portion of the substrate held by the substrate holder and the processing electrode relative to each other.
ルテニウム膜を有する基板を保持する基板ホルダと、
前記ルテニウム膜に給電する給電電極と、
基板の外周部において該基板と所定の間隔をおいて配置した加工電極と、
前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電気伝導度が500μS/cm以下の液体を供給する液体供給部と、
前記給電電極に陽極を前記加工電極に陰極をそれぞれ接続して電圧を印加する電源と、
前記基板ホルダで保持した基板の外周部と前記加工電極とを相対運動させる駆動機構を有することを特徴とする電解加工装置。 An electrolytic processing apparatus for removing a ruthenium film deposited or adhered to the outer peripheral portion of a substrate,
A substrate holder for holding a substrate having a ruthenium film;
A power supply electrode for supplying power to the ruthenium film;
A processing electrode arranged at a predetermined distance from the substrate at the outer periphery of the substrate ;
A liquid supply section for supplying a liquid having an electric conductivity of 500 μS / cm or less between the ruthenium film and the processing electrode;
A power supply for applying a voltage by connecting an anode to the power supply electrode and a cathode to the processing electrode;
An electrolytic processing apparatus comprising: a driving mechanism for moving the outer peripheral portion of the substrate held by the substrate holder and the processing electrode relative to each other.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002000838A JP3960803B2 (en) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | Electrolytic machining method and apparatus |
US10/337,357 US7101465B2 (en) | 2001-06-18 | 2003-01-07 | Electrolytic processing device and substrate processing apparatus |
US10/669,468 US7638030B2 (en) | 2001-06-18 | 2003-09-25 | Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002000838A JP3960803B2 (en) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | Electrolytic machining method and apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003205427A JP2003205427A (en) | 2003-07-22 |
JP2003205427A5 JP2003205427A5 (en) | 2005-08-04 |
JP3960803B2 true JP3960803B2 (en) | 2007-08-15 |
Family
ID=27641116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002000838A Expired - Fee Related JP3960803B2 (en) | 2001-06-18 | 2002-01-07 | Electrolytic machining method and apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3960803B2 (en) |
-
2002
- 2002-01-07 JP JP2002000838A patent/JP3960803B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003205427A (en) | 2003-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4043234B2 (en) | Electrolytic processing apparatus and substrate processing apparatus | |
JP4141114B2 (en) | Electrolytic processing method and apparatus | |
TWI291732B (en) | Substrate treating device and substrate treating method | |
TWI277473B (en) | Electrolytic processing apparatus and method, fixing method, fixing structure for ion exchanging member | |
US20070187259A1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
TW200305470A (en) | Electrochemical machining device and electrochemical machining method | |
JP3960803B2 (en) | Electrolytic machining method and apparatus | |
JP2003205428A (en) | Electro-chemical machining apparatus, and method | |
JP4233376B2 (en) | Substrate processing method | |
JP2008160134A (en) | Method for substrate treatment | |
JP2008524434A (en) | Flattening method and flattening apparatus | |
US20040256237A1 (en) | Electrolytic processing apparatus and method | |
JPH10296198A (en) | Cleaning method | |
JP3995463B2 (en) | Electrolytic processing method | |
JP4172945B2 (en) | Method and apparatus for regenerating ion exchanger for electrolytic processing | |
JP2003338490A (en) | System and method for processing substrate | |
JP4274714B2 (en) | Processing apparatus and processing method | |
JP3833139B2 (en) | Electrolytic processing equipment | |
JP4233331B2 (en) | Electrolytic machining method and apparatus | |
JP4130073B2 (en) | Ion exchanger regeneration method and regeneration apparatus | |
JP4310085B2 (en) | Electrolytic machining method and apparatus | |
JP4409807B2 (en) | Substrate processing method | |
JP2004216542A (en) | Electrochemical machining device and electrochemical machining method | |
JP2005288580A (en) | Electrochemical machining method and device | |
JP2004255479A (en) | Electrochemical machining method and electrochemical machining device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070515 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |