JP2003338490A - System and method for processing substrate - Google Patents

System and method for processing substrate

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JP2003338490A JP2002143725A JP2002143725A JP2003338490A JP 2003338490 A JP2003338490 A JP 2003338490A JP 2002143725 A JP2002143725 A JP 2002143725A JP 2002143725 A JP2002143725 A JP 2002143725A JP 2003338490 A JP2003338490 A JP 2003338490A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system and a method for processing a substrate in which a substrate can be processed using an electrochemical machining method such that a conductive material placed on the surface of the substrate is planarized while reducing the load of CMP processing as much as possible and matters adhering to the surface of the substrate can be removed (cleaned). <P>SOLUTION: The substrate processing system comprising a loading/unloading section 30 for carrying in/carrying out a substrate W, and a power supply section 373 touching the surface of the substrate W on which a film being machined is formed is further provided with an electrochemical machining unit 36 for machining the surface of the substrate W, a unit 48 for removing the film on the surface of the substrate W remaining at a part of the electrochemical machining unit 36 touching the power supply section 373 by etching, a chemical mechanical polishing unit 34 for polishing the surface of the substrate W from which the film is removed, and a robot 32 for carrying the substrate in the substrate processing system. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置及び
基板処理方法に係り、特に半導体ウェハ等の基板の表面
に形成された導電性材料を処理する基板処理装置及び基
板処理方法に関するものである。The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a conductive material formed on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer. .

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、半導体ウェハ等の基板上に回路を
形成するための配線材料として、アルミニウム又はアル
ミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマ
イグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕
著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設け
た微細凹みの内部に銅を埋め込むことによって一般に形
成される。この銅配線を形成する方法としては、化学気
相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）、ス
パッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれ
にしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜して、化学機械
的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）に
より不要の銅を除去するようにしている。2. Description of the Related Art In recent years, as a wiring material for forming a circuit on a substrate such as a semiconductor wafer, copper (Cu) having a low electric resistivity and a high electromigration resistance has been used in place of aluminum or an aluminum alloy. It has become noticeable. This kind of copper wiring is generally formed by embedding copper inside the fine recesses formed on the surface of the substrate. As a method for forming this copper wiring, there are methods such as chemical vapor deposition (CVD), sputtering, and plating. In any case, copper is formed on almost the entire surface of the substrate, Unnecessary copper is removed by chemical mechanical polishing (CMP).

【０００３】図１（ａ）乃至図１（ｃ）は、この種の銅
配線基板Ｗの一製造例を工程順に示すものである。図１
（ａ）に示すように、半導体素子が形成された半導体基
材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる酸化膜やＬ
ｏｗ−ｋ材膜などの絶縁膜２が堆積され、リソグラフィ
・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線用の
溝４が形成されている。これらの上にＴａＮ等からなる
バリア膜５、更にその上に電解めっきの給電層としてス
パッタリングやＣＶＤ等によりシード層７が形成されて
いる。FIGS. 1A to 1C show an example of manufacturing a copper wiring board W of this type in the order of steps. Figure 1
As shown in (a), an oxide film made of SiO 2 or L is formed on the conductive layer 1a on the semiconductor substrate 1 on which the semiconductor element is formed.
An insulating film 2 such as an ow-k material film is deposited, and a contact hole 3 and a wiring groove 4 are formed by a lithographic etching technique. A barrier film 5 made of TaN or the like is formed thereon, and a seed layer 7 is further formed thereon as a power supply layer for electrolytic plating by sputtering, CVD or the like.

【０００４】そして、基板Ｗの表面に銅めっきを施すこ
とで、図１（ｂ）に示すように、半導体基材１のコンタ
クトホール３及び溝４内に銅を充填するとともに、絶縁
膜２上に銅膜６を堆積する。その後、化学機械的研磨
（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅膜６を除去して、コ
ンタクトホール３及び配線用の溝４に充填させた銅膜６
の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これ
により、図１（ｃ）に示すように銅膜６からなる配線が
形成される。Then, by plating the surface of the substrate W with copper, as shown in FIG. 1B, the contact hole 3 and the groove 4 of the semiconductor substrate 1 are filled with copper, and the insulating film 2 is covered. A copper film 6 is deposited on. Then, the copper film 6 on the insulating film 2 is removed by chemical mechanical polishing (CMP) to fill the contact hole 3 and the wiring groove 4 with the copper film 6.
And the surface of the insulating film 2 are substantially flush with each other. As a result, the wiring made of the copper film 6 is formed as shown in FIG.

【０００５】また、最近ではあらゆる機器の構成要素に
おいて微細化かつ高精度化が進み、サブミクロン領域で
の物作りが一般的となるにつれて、加工法自体が材料の
特性に与える影響は益々大きくなっている。このような
状況下においては、従来の機械加工のように、工具が被
加工物を物理的に破壊しながら除去していく加工方法で
は、加工によって被加工物に多くの欠陥を生み出してし
まうため、被加工物の特性が劣化してしまう。したがっ
て、いかに材料の特性を損なうことなく加工を行うこと
ができるかが問題となってくる。Recently, as the miniaturization and precision of all the components of equipment have progressed and the manufacturing of materials in the submicron region has become common, the influence of the processing method itself on the characteristics of the material becomes more and more significant. ing. In such a situation, a machining method in which a tool physically destroys a workpiece and removes it, like conventional machining, causes many defects in the workpiece due to machining. However, the characteristics of the workpiece deteriorate. Therefore, how to perform processing without deteriorating the characteristics of the material becomes a problem.

【０００６】この問題を解決する手段として開発された
特殊加工法に、化学研磨や電解加工、電解研磨がある。
これらの加工方法は、従来の物理的な加工とは対照的
に、化学的溶解反応を起こすことによって、除去加工等
を行うものである。したがって、塑性変形による加工変
質層や転位等の欠陥は発生せず、上述の材料の特性を損
なわずに加工を行うといった課題が達成される。As a special processing method developed as a means for solving this problem, there are chemical polishing, electrolytic processing, and electrolytic polishing.
In contrast to the conventional physical processing, these processing methods perform removal processing and the like by causing a chemical dissolution reaction. Therefore, defects such as a work-affected layer and dislocations due to plastic deformation do not occur, and the problem of performing work without impairing the characteristics of the above-mentioned material is achieved.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】例えば、ＣＭＰ工程
は、一般にかなり複雑な操作が必要で、制御も複雑とな
り、加工時間もかなり長い。更に、研磨後の基板の後洗
浄を十分に行う必要があるばかりでなく、スラリーや洗
浄液の廃液処理のための負荷が大きい等の課題がある。
このため、ＣＭＰ自体を省略する、あるいはこの負荷を
軽減することが強く求められている。また、今後、絶縁
膜も誘電率の小さいＬｏｗ−ｋ材に変わると予想され、
このＬｏｗ−ｋ材は強度が弱くＣＭＰによるストレスに
耐えられなくなる。したがって、ＣＭＰのような過大な
ストレスを基板に与えることなく、平坦化できるように
したプロセスが望まれている。For example, the CMP process generally requires a considerably complicated operation, the control is complicated, and the processing time is considerably long. Further, there is a problem that not only is it necessary to sufficiently perform post-cleaning of the substrate after polishing, but also a heavy load is required for treating the waste liquid of the slurry and the cleaning liquid.
Therefore, there is a strong demand for omitting the CMP itself or reducing this load. In addition, it is expected that the insulating film will be changed to Low-k material with a small dielectric constant
This Low-k material has low strength and cannot withstand the stress caused by CMP. Therefore, there is a demand for a process capable of flattening without applying excessive stress such as CMP to the substrate.

【０００８】なお、化学機械的電解研磨のように、めっ
きをしながらＣＭＰで削るというプロセスも発表されて
いるが、めっき成長面に機械加工が付加されることで、
めっきの異常成長を促すことにもなり、膜質に問題を起
こしている。[0008] Incidentally, although a process of shaving by CMP while plating, such as chemical mechanical electropolishing, has been announced, by adding machining to the plating growth surface,
It also promotes abnormal growth of plating, causing a problem in film quality.

【０００９】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、例えばＣＭＰ処理の負荷を極力
低減しつつ、基板表面に設けられた導電性材料を平坦に
加工したり、更には基板の表面に付着した付着物を除去
（洗浄）できるようにした電解加工方法を用いて基板を
処理する基板処理装置及び基板処理方法を提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art. For example, the conductive material provided on the substrate surface is processed flat while the load of CMP processing is reduced as much as possible. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate by using an electrolytic processing method capable of removing (cleaning) an adhered matter attached to the surface of the substrate.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の第１の態様は、
基板を搬出入する基板搬出入部と、被加工物としての被
加工膜が形成された基板の表面に接触する給電部を有
し、該基板の表面を電解加工する電解加工ユニットと、
上記電解加工ユニットにおける上記給電部との接触部に
残留した基板の表面上の被加工膜をエッチング除去する
エッチングユニットと、上記被加工膜がエッチング除去
された基板の表面を化学機械研磨する化学機械研磨ユニ
ットと、基板処理装置内で基板を搬送する搬送装置とを
備えたことを特徴とする基板処理装置である。In order to solve the problems in the prior art, the first aspect of the present invention is
A substrate loading / unloading unit for loading and unloading a substrate; and an electrolytic processing unit for electrolytically machining the surface of the substrate, which has a power feeding unit in contact with the surface of the substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed,
An etching unit for etching and removing a film to be processed on the surface of the substrate remaining at a contact portion with the power feeding unit in the electrolytic processing unit, and a chemical machine for chemically mechanically polishing the surface of the substrate from which the film to be processed is etched and removed. A substrate processing apparatus comprising: a polishing unit; and a transfer device that transfers a substrate in the substrate processing apparatus.

【００１１】本発明の好ましい一態様は、上記電解加工
ユニットは、上記基板に近接自在な加工電極と、上記基
板に給電する給電部としての給電電極と、上記基板と上
記加工電極又は上記給電電極の少なくとも一方との間に
配置されるイオン交換体と、上記加工電極と上記給電電
極との間に電圧を印加する電源と、上記イオン交換体が
配置された上記基板と加工電極又は給電電極の少なくと
も一方との間に流体を供給する流体供給部とを備えたこ
とを特徴としている。[0011] In a preferred aspect of the present invention, the electrolytic processing unit includes a processing electrode that can be brought close to the substrate, a power supply electrode as a power supply unit for supplying power to the substrate, the substrate and the processing electrode, or the power supply electrode. Of at least one of the ion exchanger, a power source for applying a voltage between the processing electrode and the power supply electrode, the substrate on which the ion exchanger is disposed and the processing electrode or the power supply electrode And a fluid supply unit for supplying a fluid to at least one of them.

【００１２】本発明の第２の態様は、基板を搬出入する
基板搬出入部と、被加工物としての被加工膜が形成され
た基板の表面に接触する給電部を有し、該基板の表面を
電解加工する電解加工ユニットと、上記電解加工ユニッ
トにおける上記給電部との接触部に残留した基板の表面
上の被加工膜をエッチング除去するエッチングユニット
と、基板処理装置内で基板を搬送する搬送装置とを備
え、上記電解加工ユニットは、上記基板に近接自在な加
工電極と、上記基板に給電する給電部としての給電電極
と、上記基板と上記加工電極又は上記給電電極の少なく
とも一方との間に配置されるイオン交換体と、上記加工
電極と上記給電電極との間に電圧を印加する電源と、上
記イオン交換体が配置された上記基板と加工電極又は給
電電極の少なくとも一方との間に純水又は電気伝導度が
５００μＳ／ｃｍ以下の液体を供給する流体供給部とを
備えたことを特徴とする基板処理装置である。A second aspect of the present invention has a substrate loading / unloading part for loading / unloading a substrate, and a power feeding part in contact with the surface of the substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed, and the surface of the substrate. An electrolytic processing unit for electrolytically processing a substrate, an etching unit for etching and removing a film to be processed on the surface of the substrate remaining in a contact portion with the power feeding unit in the electrolytic processing unit, and a transfer for transferring the substrate in the substrate processing apparatus And a machining electrode that is proximate to the substrate, a power feeding electrode as a power feeding unit that feeds power to the substrate, and the substrate and at least one of the machining electrode and the power feeding electrode. At least one of the substrate on which the ion exchanger is arranged and the machining electrode or the feeding electrode, Write a substrate processing apparatus, characterized in that pure water or electrical conductivity and a fluid supply unit for supplying the following liquid 500 .mu.S / cm between.

【００１３】本発明の好ましい一態様は、上記被加工膜
がエッチング除去された基板の表面を化学機械研磨する
化学機械研磨ユニットを更に備えたことを特徴としてい
る。A preferred aspect of the present invention is characterized by further comprising a chemical mechanical polishing unit for chemically mechanically polishing the surface of the substrate from which the film to be processed is removed by etching.

【００１４】本発明の好ましい一態様は、上記基板の表
面に被加工物としての被加工膜を形成する成膜ユニット
を更に備えたことを特徴としている。A preferred aspect of the present invention is characterized by further comprising a film forming unit for forming a film to be processed as an object to be processed on the surface of the substrate.

【００１５】本発明の好ましい一態様は、上記成膜ユニ
ットは、上記基板の表面にめっき処理を行うめっきユニ
ットであることを特徴としている。A preferred aspect of the present invention is characterized in that the film forming unit is a plating unit for performing a plating treatment on the surface of the substrate.

【００１６】本発明の好ましい一態様は、上記成膜ユニ
ットの処理後の基板に対してアニール処理を行うアニー
ルユニットを更に備えたことを特徴としている。A preferred aspect of the present invention is characterized by further comprising an annealing unit for performing an annealing treatment on the substrate after the treatment of the film forming unit.

【００１７】本発明の好ましい一態様は、上記基板の洗
浄を行う洗浄ユニットを更に備えたことを特徴としてい
る。A preferred aspect of the present invention is characterized by further comprising a cleaning unit for cleaning the substrate.

【００１８】本発明の第３の態様は、被加工物としての
被加工膜が形成された基板の表面に給電部を接触させて
該基板の表面を電解加工し、上記電解加工後に上記給電
部との接触部に残留した基板の表面上の被加工膜をエッ
チング除去し、上記エッチング除去後の基板の表面を化
学機械研磨することを特徴とする基板処理方法である。According to a third aspect of the present invention, a power feeding portion is brought into contact with the surface of a substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed, and the surface of the substrate is electrolytically processed. The substrate processing method is characterized in that the film to be processed on the surface of the substrate remaining in the contact portion with is removed by etching, and the surface of the substrate after the etching is subjected to chemical mechanical polishing.

【００１９】本発明の好ましい一態様は、上記電解加工
は、上記基板に給電部としての給電電極により給電しな
がら加工電極を近接させ、上記基板と上記加工電極又は
上記給電電極の少なくとも一方との間にイオン交換体を
配置し、上記イオン交換体が配置された上記基板と加工
電極又は給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給
し、上記加工電極と上記給電電極との間に電圧を印加し
つつ電解加工を行うことを特徴としている。In a preferred aspect of the present invention, in the electrolytic processing, the processing electrode is brought close to the substrate while supplying power to the substrate by a power supply electrode as a power supply unit, and the substrate and at least one of the processing electrode and the power supply electrode are provided. An ion exchanger is arranged between them, and a fluid is supplied between the substrate on which the ion exchanger is arranged and at least one of the processing electrode or the power feeding electrode, and a voltage is applied between the processing electrode and the power feeding electrode. It is characterized by performing electrolytic processing while applying.

【００２０】本発明の第４の態様は、被加工物としての
被加工膜が形成された基板に給電部としての給電電極に
より給電しながら加工電極を近接させ、上記基板と上記
加工電極又は上記給電電極の少なくとも一方との間にイ
オン交換体を配置し、上記イオン交換体が配置された上
記基板と加工電極又は給電電極の少なくとも一方との間
に純水又は電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体を
供給し、上記加工電極と上記給電電極との間に電圧を印
加しつつ上記基板の表面を電解加工し、上記電解加工後
に上記給電部との接触部に残留した基板の表面上の被加
工膜をエッチング除去することを特徴とする基板処理方
法である。According to a fourth aspect of the present invention, the processing electrode is brought close to the substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed by a power feeding electrode as a power feeding portion, and the substrate and the processing electrode or An ion exchanger is arranged between at least one of the power feeding electrodes, and pure water or electric conductivity is 500 μS / cm or less between the substrate on which the ion exchanger is arranged and at least one of the processing electrode and the power feeding electrode. Liquid is supplied, and the surface of the substrate is electrolytically processed while applying a voltage between the processing electrode and the power feeding electrode, and on the surface of the substrate remaining in the contact portion with the power feeding portion after the electrolytic processing. A substrate processing method is characterized in that a film to be processed is removed by etching.

【００２１】本発明の好ましい一態様は、上記エッチン
グ除去後の基板の表面を化学機械研磨することを特徴と
している。A preferred aspect of the present invention is characterized in that the surface of the substrate after the above etching removal is subjected to chemical mechanical polishing.

【００２２】本発明の好ましい一態様は、上記電解加工
前に上記基板の表面に被加工物としての被加工膜を形成
することを特徴としている。A preferred aspect of the present invention is characterized in that a film to be processed as an object to be processed is formed on the surface of the substrate before the electrolytic processing.

【００２３】図２及び図３は、本発明に係る電解加工の
加工原理を示すものである。図２は、被加工物（基板）
１０の表面に、加工電極１４に取り付けたイオン交換体
１２ａと、給電電極１６に取り付けたイオン交換体１２
ｂとを接触又は近接させ、加工電極１４と給電電極１６
との間に電源１７を介して電圧を印加しつつ、加工電極
１４及び給電電極１６と被加工物１０との間に流体供給
部１９から超純水等の流体１８を供給した状態を示して
いる。図３は、被加工物１０の表面に、加工電極１４に
取り付けたイオン交換体１２ａを接触又は近接させ、給
電電極１６を被加工物１０に直接接触させて、加工電極
１４と給電電極１６との間に電源１７を介して電圧を印
加しつつ、加工電極１４と被加工物１０との間に流体供
給部１９から超純水等の流体１８を供給した状態を示し
ている。2 and 3 show the processing principle of electrolytic processing according to the present invention. Figure 2 shows the workpiece (substrate)
Ion exchanger 12a attached to processing electrode 14 and ion exchanger 12 attached to power supply electrode 16 on the surface of 10
b is brought into contact with or brought close to the machining electrode 14 and the feeding electrode 16
And a fluid 18 such as ultrapure water is supplied from the fluid supply unit 19 between the machining electrode 14 and the power supply electrode 16 and the workpiece 10 while applying a voltage via the power supply 17 between There is. In FIG. 3, the ion exchanger 12 a attached to the processing electrode 14 is brought into contact with or close to the surface of the workpiece 10, and the power feeding electrode 16 is brought into direct contact with the workpiece 10 so that the processing electrode 14 and the power feeding electrode 16 are connected to each other. A state is shown in which a fluid 18 such as ultrapure water is supplied from the fluid supply unit 19 between the machining electrode 14 and the workpiece 10 while applying a voltage via the power supply 17 between the two.

【００２４】超純水のような流体自身の抵抗値が大きい
液体を使用する場合には、イオン交換体１２ａを被加工
物１０の表面に「接触させる」ことが好ましく、このよ
うにイオン交換体１２ａを被加工物１０の表面に接触さ
せることにより、電気抵抗を低減させることができ、印
加電圧も小さくて済み、消費電力も低減できる。したが
って、本発明に係る加工における「接触」は、例えばＣ
ＭＰのように物理的なエネルギー（応力）を被加工物に
与えるために「押し付ける」ものではない。When using a liquid such as ultrapure water in which the resistance of the fluid itself is large, it is preferable to "contact" the ion exchanger 12a with the surface of the object to be processed 10. By bringing 12a into contact with the surface of the workpiece 10, the electrical resistance can be reduced, the applied voltage can be small, and the power consumption can be reduced. Therefore, "contact" in the processing according to the present invention is, for example, C
Unlike MP, it does not “press” to give physical energy (stress) to the work piece.

【００２５】超純水等の流体１８中の水分子２０をイオ
ン交換体１２ａ，１２ｂで水酸化物イオン２２と水素イ
オン２４に解離し、例えば生成された水酸化物イオン２
２を、被加工物１０と加工電極１４との間の電界と超純
水等の流体１８の流れによって、被加工物１０の加工電
極１４と対面する表面に供給して、ここでの被加工物１
０近傍の水酸化物イオン２２の密度を高め、被加工物１
０の原子１０ａと水酸化物イオン２２を反応させる。反
応によって生成された反応物質２６は、超純水１８中に
溶解し、被加工物１０の表面に沿った超純水等の流体１
８の流れによって被加工物１０から除去される。これに
より、被加工物１０の表面層の除去加工が行われる。Water molecules 20 in a fluid 18 such as ultrapure water are dissociated into hydroxide ions 22 and hydrogen ions 24 by the ion exchangers 12a and 12b, for example, the generated hydroxide ions 2
2 is supplied to the surface of the workpiece 10 facing the machining electrode 14 by the electric field between the workpiece 10 and the machining electrode 14 and the flow of the fluid 18 such as ultrapure water, and the workpiece here. Thing 1
By increasing the density of hydroxide ions 22 near 0, the workpiece 1
The atom 10a of 0 and the hydroxide ion 22 are reacted. The reaction substance 26 generated by the reaction is dissolved in the ultrapure water 18, and the fluid 1 such as ultrapure water along the surface of the workpiece 10
It is removed from the work piece 10 by the flow of 8. As a result, the surface layer of the workpiece 10 is removed.

【００２６】このように、本加工法は純粋に被加工物と
の電気化学的相互作用のみにより被加工物の除去加工を
行うものであり、ＣＭＰのような研磨部材と被加工物と
の物理的な相互作用及び研磨液中の化学種との化学的相
互作用の混合による加工とは加工原理が異なるものであ
る。この方法では、被加工物１０の加工電極１４と対面
する部分が加工されるので、加工電極１４を移動させる
ことで、被加工物１０の表面を所望の表面形状に加工す
ることができる。As described above, this processing method is intended to perform removal processing of the work piece purely only by the electrochemical interaction with the work piece, and the physical properties of the polishing member such as CMP and the work piece. The principle of processing is different from the processing by mixing specific interaction and chemical interaction with the chemical species in the polishing liquid. In this method, the portion of the workpiece 10 facing the machining electrode 14 is machined, and therefore the surface of the workpiece 10 can be machined into a desired surface shape by moving the machining electrode 14.

【００２７】なお、本発明における電解加工は、電気化
学的相互作用による溶解反応のみにより被加工物の除去
加工を行うため、ＣＭＰのような研磨部材と被加工物と
の物理的な相互作用及び研磨液中の化学種との化学的相
互作用の混合による加工とは加工原理が異なるものであ
る。したがって、材料の特性を損なわずに除去加工を行
うことが可能であり、例えば上述したＬｏｗ−ｋ材に挙
げられる機械的強度の小さい材料に対しても、物理的な
相互作用を及ぼすことなく除去加工が可能である。ま
た、通常の電解液を用いる電解加工装置と比較しても、
加工液に５００μＳ／ｃｍ以下の流体、好ましくは純
水、更に好ましくは超純水を用いるため、被加工物表面
への汚染も大幅に低減させることが可能であり、また加
工後の廃液の処理も容易となる。In the electrolytic processing according to the present invention, the workpiece is removed and processed only by the dissolution reaction due to the electrochemical interaction. Therefore, the physical interaction between the polishing member such as CMP and the workpiece and The processing principle is different from the processing by mixing the chemical interaction with the chemical species in the polishing liquid. Therefore, it is possible to perform the removal processing without impairing the characteristics of the material, and for example, even for the material having low mechanical strength such as the above-mentioned Low-k material, the removal processing can be performed without exerting a physical interaction. It can be processed. In addition, even when compared with an electrolytic processing apparatus using a normal electrolytic solution,
Since a fluid of 500 μS / cm or less, preferably pure water, and more preferably ultrapure water is used as the processing liquid, it is possible to significantly reduce the contamination on the surface of the workpiece, and to treat the waste liquid after processing. Will also be easier.

【００２８】ここで、給電電極１６を被加工物１０に直
接接触させた場合（図３参照）、この部分には加工電極
１４を物理的に近接させることができないので、この部
分を加工することができない。このため、例えば、加工
電極１４及び給電電極１６を被加工物１０に対向させて
配置し（図２参照）、給電電極１６と被加工物１０とを
相対運動させて被加工物１０の全面に亘って加工を行う
ことが考えられる。しかしながら、この場合には、常に
給電電極１６が被加工物１０の表面に接触している必要
があり、装置構成が複雑になってしまう。本発明に係る
基板処理装置によれば、加工されずに残留した基板の表
面上の被加工膜をエッチング除去するエッチングユニッ
トを備えているので、給電電極１６を被加工物１０に直
接接触させた場合であっても、加工されずに残留した被
加工膜をエッチング除去することができる。したがっ
て、被加工物１０に対する給電方法の自由度が増す。な
お、上記給電電極１６の被加工物１０への接触位置は、
被加工物（基板）１０のデバイス形成領域以外の場所、
例えば、被加工物１０の周縁部等であることが好まし
い。Here, when the feeding electrode 16 is brought into direct contact with the workpiece 10 (see FIG. 3), the machining electrode 14 cannot be physically brought close to this portion, so this portion must be machined. I can't. Therefore, for example, the machining electrode 14 and the power feeding electrode 16 are arranged so as to face the workpiece 10 (see FIG. 2), and the power feeding electrode 16 and the workpiece 10 are moved relative to each other to cover the entire surface of the workpiece 10. It is conceivable to perform processing over the entire length. However, in this case, it is necessary that the power feeding electrode 16 is always in contact with the surface of the workpiece 10, and the device configuration becomes complicated. Since the substrate processing apparatus according to the present invention includes the etching unit for etching and removing the film to be processed on the surface of the substrate that has not been processed and left, the power supply electrode 16 is brought into direct contact with the object to be processed 10. Even in such a case, the film to be processed that has not been processed and remains can be removed by etching. Therefore, the degree of freedom of the power feeding method for the workpiece 10 is increased. The contact position of the power feeding electrode 16 with the workpiece 10 is
A place other than the device forming region of the workpiece (substrate) 10,
For example, it is preferable that it is the peripheral portion of the workpiece 10.

【００２９】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板処理装置
の実施形態について図４乃至図１３を参照して詳細に説
明する。なお、図４乃至図１３において、同一又は相当
する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を
省略する。以下の説明では、基板として半導体ウェハを
使用し、基板処理装置で半導体ウェハを加工するように
した例を示しているが、本発明を半導体ウェハ以外に適
用できることは言うまでもない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. In FIGS. 4 to 13, the same or corresponding components are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. In the following description, a semiconductor wafer is used as the substrate, and the semiconductor wafer is processed by the substrate processing apparatus. However, it goes without saying that the present invention can be applied to other than the semiconductor wafer.

【００３０】図４は、本発明の一実施形態における基板
処理装置の構成を模式的に示す平面図である。図４に示
すように、この基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板
を収納したカセットを搬出入する搬出入部としての一対
のロード・アンロード部３０と、装置内で基板を搬送す
る搬送装置としての走行型搬送ロボット３２とを備えて
いる。搬送ロボット３２に対してロード・アンロード部
３０とは反対側には、化学機械研磨ユニット（ＣＭＰユ
ニット）３４及び電解加工ユニット３６が配置されてお
り、ＣＭＰユニット３４及び電解加工ユニット３６内の
搬送ロボット３２が到達可能な位置には、それぞれ基板
の受け渡しを行うプッシャ３４ａ，３６ａが配置されて
いる。FIG. 4 is a plan view schematically showing the structure of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, this substrate processing apparatus serves as a pair of loading / unloading sections 30 as loading / unloading sections for loading / unloading a cassette containing a substrate such as a semiconductor wafer, and a transporting apparatus for transporting the substrate in the apparatus. And a traveling type transfer robot 32. A chemical mechanical polishing unit (CMP unit) 34 and an electrolytic processing unit 36 are arranged on the side opposite to the load / unload unit 30 with respect to the transfer robot 32, and the transfer inside the CMP unit 34 and the electrolytic processing unit 36 is performed. Pushers 34a and 36a for transferring the substrates are arranged at positions reachable by the robot 32.

【００３１】搬送ロボット３２の走行軸３２ａを挟んで
両側には、それぞれ４つのユニットが配置されている。
すなわち、一方には、基板の表面に被加工物としての被
加工膜を形成する成膜ユニットとしてのめっきユニット
３８と、めっき後の基板を洗浄する洗浄ユニット４０
と、めっき後の基板に対してアニール処理を施すアニー
ルユニット４２と、基板を反転させる反転機４４とがロ
ード・アンロード部３０側から順番に配置されており、
他方には、加工後の基板を洗浄する洗浄ユニット４６
と、基板の周縁部（ベベル部及びエッジ部）に成膜又は
付着した被加工膜をエッチング除去するベベルエッチン
グユニット４８と、エッチング後の基板を洗浄する洗浄
ユニット５０と、基板を反転させる反転機５２とがロー
ド・アンロード部３０側から順番に配置されている。ま
た、電解加工ユニット３６による電解加工の際に、後述
する加工電極と給電電極との間に印加する電圧又はこれ
らの間を流れる電流をモニタするモニタ部５４がロード
・アンロード部３０に隣接して配置されている。Four units are arranged on both sides of the traveling shaft 32a of the transfer robot 32, respectively.
That is, on one side, a plating unit 38 as a film forming unit for forming a film to be processed as a workpiece on the surface of the substrate, and a cleaning unit 40 for cleaning the substrate after plating.
An annealing unit 42 for performing an annealing treatment on the substrate after plating, and a reversing machine 44 for reversing the substrate are arranged in order from the load / unload unit 30 side.
On the other hand, a cleaning unit 46 for cleaning the processed substrate
A bevel etching unit 48 for etching and removing a film to be processed formed or adhered to the peripheral portion (bevel portion and edge portion) of the substrate, a cleaning unit 50 for cleaning the substrate after etching, and a reversing device for reversing the substrate. 52 and 52 are arranged in order from the load / unload unit 30 side. Further, at the time of electrolytic processing by the electrolytic processing unit 36, a monitor unit 54 for monitoring a voltage applied between a processing electrode and a power supply electrode described later or a current flowing therebetween is adjacent to the load / unload unit 30. Are arranged.

【００３２】次に、基板処理装置内のめっきユニット３
８について説明する。図５は、めっきユニット３８の一
例を模式的に示す縦断面図である。このめっきユニット
３８は、基板の表面にめっきを施して被加工物としての
被加工膜を形成するものである。図５に示すように、め
っきユニット３８は、上方に開口し内部にめっき液３８
０を保持する円筒状のめっき槽３８２と、基板Ｗを着脱
自在に下向きに保持して該基板Ｗをめっき槽３８２の上
端開口部を塞ぐ位置に配置する基板保持部３８４とを備
えている。めっき槽３８２の内部には、めっき液３８０
中に浸漬されてアノード電極となる平板状の陽極板３８
６が水平に配置され、基板Ｗが陰極となるようになって
いる。めっき槽３８２の底部中央には、上方に向けため
っき液の噴流を形成するめっき液噴射管３８８が接続さ
れ、めっき槽３８２の上部外側には、めっき液受け３９
０が配置されている。Next, the plating unit 3 in the substrate processing apparatus
8 will be described. FIG. 5 is a vertical sectional view schematically showing an example of the plating unit 38. The plating unit 38 is for plating the surface of a substrate to form a film to be processed as an object to be processed. As shown in FIG. 5, the plating unit 38 has an opening upward and a plating solution 38 inside.
A cylindrical plating tank 382 for holding 0 and a substrate holding portion 384 for detachably holding the substrate W downward and arranging the substrate W at a position to close the upper end opening of the plating tank 382 are provided. Inside the plating tank 382, the plating solution 380
Flat plate-like anode plate 38 which becomes an anode electrode by being immersed therein
6 are arranged horizontally, and the substrate W serves as a cathode. A plating solution injection pipe 388 that forms an upward jet of the plating solution is connected to the center of the bottom of the plating tank 382, and a plating solution receiver 39 is provided outside the top of the plating tank 382.
0 is placed.

【００３３】このような構成のめっきユニット３８にお
いて、めっき槽３８２の上部に基板Ｗを基板保持部３８
４により下向きに保持して配置し、陽極板（アノード）
３８６と基板（カソード）Ｗの間に所定の電圧を印加し
つつ、めっき液３８０をめっき液噴射管３８８から上方
に向けて噴出させる。このように、基板Ｗの下面（被め
っき面）に垂直にめっき液３８０の噴流を当て、陽極板
３８６と基板Ｗの間にめっき電流を流すことによって、
基板Ｗの下面には被加工膜としてのめっき膜が形成され
る。In the plating unit 38 having such a structure, the substrate W is placed above the plating tank 382 and the substrate holding portion 38 is provided.
4. Hold down by 4 and arrange, anode plate (anode)
A predetermined voltage is applied between the substrate 386 and the substrate (cathode) W, and the plating solution 380 is ejected upward from the plating solution injection pipe 388. In this way, by jetting the plating solution 380 vertically to the lower surface (surface to be plated) of the substrate W and flowing a plating current between the anode plate 386 and the substrate W,
A plating film as a film to be processed is formed on the lower surface of the substrate W.

【００３４】次に、基板処理装置内のアニールユニット
４２について説明する。図６はアニールユニット４２を
模式的に示す縦断面図、図７は横断面図である。図６及
び図７に示すように、アニールユニット４２は、基板Ｗ
を出し入れするゲート４２０を有するチャンバ４２２
と、チャンバ４２２の上部に配置されたホットプレート
４２４と、チャンバ４２２の下部に配置されたクールプ
レート４２６とを備えている。ホットプレート４２４は
基板Ｗを例えば４００℃に加熱し、クールプレート４２
６は例えば冷却水を流して基板Ｗを冷却する。Next, the annealing unit 42 in the substrate processing apparatus will be described. FIG. 6 is a vertical sectional view schematically showing the annealing unit 42, and FIG. 7 is a horizontal sectional view. As shown in FIGS. 6 and 7, the annealing unit 42 includes a substrate W
A chamber 422 having a gate 420 for moving in and out
And a hot plate 424 disposed above the chamber 422 and a cool plate 426 disposed below the chamber 422. The hot plate 424 heats the substrate W to, for example, 400 ° C.
Reference numeral 6 cools the substrate W by, for example, flowing cooling water.

【００３５】また、チャンバ４２２内には、クールプレ
ート４２６の内部を貫通して上下方向に延び、上端に基
板Ｗを載置保持する複数の昇降ピン４２８が昇降自在に
配置されている。更に、ホットプレート４２４を挟んで
互いに対向する位置には、アニール時に基板Ｗとホット
プレート４２４との間に酸化防止用のガスを導入するガ
ス導入管４３０と、ガス導入管４３０から導入され、基
板Ｗとホットプレート４２４との間を流れたガスを排気
するガス排気管４３２とが配置されている。Further, in the chamber 422, a plurality of lift pins 428 for penetrating the inside of the cool plate 426 and extending in the vertical direction and for mounting and holding the substrate W on the upper end are arranged so as to be liftable. Further, at positions facing each other across the hot plate 424, a gas introduction pipe 430 for introducing an oxidation preventing gas between the substrate W and the hot plate 424 at the time of annealing, and a gas introduction pipe 430 for introducing the gas are introduced. A gas exhaust pipe 432 for exhausting the gas flowing between W and the hot plate 424 is arranged.

【００３６】図７に示すように、アニールユニット４２
には、内部にフィルタ４３４ａを有するＮ２ガス導入路
４３６と、内部にフィルタ４３４ｂを有するＨ２ガス導
入路４３８と、Ｎ２ガス導入路４３６内を流れるＮ２ガ
スとＨ２ガス導入路４３８内を流れるＨ２ガスとを混合
する混合器４４０と、混合器４４０で混合したガスが流
れる混合ガス導入路４４２とが設けられている。この混
合ガス導入路４４２には、上述したガス導入管４３０が
接続される。As shown in FIG. 7, the annealing unit 42
Includes an N 2 gas introducing passage 436 having a filter 434a inside, an H 2 gas introducing passage 438 having a filter 434b inside, and an N 2 gas flowing through the N 2 gas introducing passage 436 and an H 2 gas introducing passage 438. A mixer 440 for mixing the H 2 gas flowing therein and a mixed gas introduction passage 442 through which the gas mixed by the mixer 440 flows are provided. The gas introduction pipe 430 described above is connected to the mixed gas introduction passage 442.

【００３７】めっきユニット３８で表面にめっき膜が形
成された基板Ｗは、ゲート４２０を通じてチャンバ４２
２の内部に搬入され、昇降ピン４２８により保持され
る。そして、昇降ピン４２８が、昇降ピン４２８で保持
した基板Ｗとホットプレート４２４との距離が例えば
０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度になるまで上昇する。この
状態で、ホットプレート４２４を介して基板Ｗを、例え
ば４００℃となるように加熱し、同時にガス導入管４３
０から酸化防止用のガスをチャンバ４２２内に導入す
る。チャンバ４２２内に導入されたガスは、基板Ｗとホ
ットプレート４２４との間を流れて、ガス排気管４３２
から排気される。このようにすることで、酸化を防止し
つつ基板Ｗをアニールすることができる。このアニール
を例えば数十秒〜６０秒程度継続して処理を終了する。
基板Ｗの加熱温度は１００〜６００℃が選択される。The substrate W having a plating film formed on its surface by the plating unit 38 is supplied to the chamber 42 through the gate 420.
2 is carried in and held by the lifting pins 428. Then, the lift pins 428 are lifted until the distance between the substrate W held by the lift pins 428 and the hot plate 424 becomes, for example, about 0.1 mm to 1.0 mm. In this state, the substrate W is heated via the hot plate 424 to, for example, 400 ° C., and at the same time, the gas introducing pipe 43 is heated.
From 0, an antioxidant gas is introduced into the chamber 422. The gas introduced into the chamber 422 flows between the substrate W and the hot plate 424, and the gas exhaust pipe 432
Exhausted from. By doing so, the substrate W can be annealed while preventing oxidation. This annealing is continued for, for example, several tens of seconds to 60 seconds, and the processing is completed.
The heating temperature of the substrate W is selected to be 100 to 600 ° C.

【００３８】アニール終了後、昇降ピン４２８で保持し
た基板Ｗとクールプレート４２６との距離が、例えば０
ｍｍ〜０．５ｍｍ程度となるまで昇降ピン４２８が下降
する。この状態で、クールプレート４２６内に冷却水を
導入することで、基板Ｗの温度が１００℃以下となるま
で、例えば１０〜６０秒程度、基板Ｗを冷却し、この冷
却終了後の基板Ｗを次工程に搬送する。なお、本実施形
態では、酸化防止用のガスとして、Ｎ２ガスと数％のＨ
２ガスを混合した混合ガスを流すようにしているが、Ｎ
２ガスのみを流すようにしてもよい。After the annealing, the distance between the substrate W held by the lifting pins 428 and the cool plate 426 is 0, for example.
The elevating pin 428 descends until it becomes about mm to 0.5 mm. In this state, by introducing cooling water into the cool plate 426, the substrate W is cooled until the temperature of the substrate W becomes 100 ° C. or lower, for example, for about 10 to 60 seconds, and the substrate W after the cooling is finished. Transfer to the next process. In the present embodiment, N 2 gas and H 2 of several% are used as the oxidation preventing gas.
A mixed gas that is a mixture of two gases is made to flow, but N
You may make it flow only 2 gas.

【００３９】次に、基板処理装置内の電解加工ユニット
３６について説明する。図８は基板処理装置内の電解加
工ユニット３６の構成を示す模式図、図９は図８の平面
図である。図８及び図９に示すように、電解加工ユニッ
ト３６は、上下動可能かつ水平方向に揺動自在なアーム
３６０と、アーム３６０の自由端に垂設された円板状の
電極部３６１と、電極部３６１の下方に配置された基板
保持部３６２と、加工電極と給電電極との間に電圧を印
加する電源３６３とを備えている。Next, the electrolytic processing unit 36 in the substrate processing apparatus will be described. 8 is a schematic diagram showing the configuration of the electrolytic processing unit 36 in the substrate processing apparatus, and FIG. 9 is a plan view of FIG. As shown in FIGS. 8 and 9, the electrolytic processing unit 36 includes an arm 360 that is vertically movable and horizontally swingable, and a disc-shaped electrode portion 361 that is vertically installed at a free end of the arm 360. A substrate holding portion 362 arranged below the electrode portion 361 and a power source 363 for applying a voltage between the processing electrode and the power feeding electrode are provided.

【００４０】アーム３６０は、揺動用モータ３６４に連
結された揺動軸３６５の上端に取り付けられており、揺
動用モータ３６４の駆動に伴って水平方向に揺動するよ
うになっている。また、この揺動軸３６５は、上下方向
に延びるボールねじ３６６に連結されており、ボールね
じ３６６に連結された上下動用モータ３６７の駆動に伴
ってアーム３６０とともに上下動するようになってい
る。The arm 360 is attached to the upper end of a swing shaft 365 connected to the swing motor 364, and swings horizontally when the swing motor 364 is driven. The swing shaft 365 is connected to a ball screw 366 extending in the vertical direction, and is vertically moved together with the arm 360 in accordance with the driving of a vertical movement motor 367 connected to the ball screw 366.

【００４１】電極部３６１は、基板保持部３６２で保持
した基板Ｗと電極部３６１とを相対移動させる中空モー
タ３６８に接続されており、この中空モータ３６８の駆
動に伴って回転（自転）するようになっている。また、
上述したように、アーム３６０は上下動及び水平方向に
揺動可能となっており、電極部３６１はアーム３６０と
一体となって上下動及び水平方向に揺動可能となってい
る。The electrode portion 361 is connected to a hollow motor 368 that relatively moves the substrate W held by the substrate holding portion 362 and the electrode portion 361, and is rotated (rotated) as the hollow motor 368 is driven. It has become. Also,
As described above, the arm 360 can move up and down and swing horizontally, and the electrode portion 361 can move up and down and swing horizontally along with the arm 360.

【００４２】電極部３６１の下部には、加工電極３６９
が下向きに保持されて取り付けられている。この加工電
極３６９は、中空モータ３６８の中空部を通ってスリッ
プリング３７０に達し、このスリップリング３７０から
揺動軸３６５に形成された中空部を通って電源３６３の
陰極に接続されている。この加工電極３６９の表面（下
面）にはイオン交換体３６９ａが取り付けられている。
このイオン交換体３６９ａは、例えば、アニオン交換能
又はカチオン交換能を付与した不織布で構成することが
できる。カチオン交換体は、好ましくは強酸性カチオン
交換基（スルホン酸基）を担持したものであるが、弱酸
性カチオン交換基（カルボキシル基）を担持したもので
もよい。また、アニオン交換体は、好ましくは強塩基性
アニオン交換基（４級アンモニウム基）を担持したもの
であるが、弱塩基性アニオン交換基（３級以下のアミノ
基）を担持したものでもよい。A processing electrode 369 is formed below the electrode portion 361.
Are held and attached downward. The machining electrode 369 reaches the slip ring 370 through the hollow portion of the hollow motor 368, and is connected to the cathode of the power supply 363 through the slip ring 370 and the hollow portion formed on the swing shaft 365. An ion exchanger 369a is attached to the surface (lower surface) of the processing electrode 369.
The ion exchanger 369a can be made of, for example, a non-woven fabric having anion exchange ability or cation exchange ability. The cation exchanger preferably carries a strongly acidic cation exchange group (sulfonic acid group), but may also carry a weakly acidic cation exchange group (carboxyl group). The anion exchanger preferably has a strongly basic anion exchange group (quaternary ammonium group), but may have a weakly basic anion exchange group (tertiary or lower amino group).

【００４３】ここで、例えば強塩基アニオン交換能を付
与した不織布は、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９
０％のポリオレフィン製の不織布に、γ線を照射した後
グラフト重合を行う所謂放射線グラフト重合法により、
グラフト鎖を導入し、次に導入したグラフト鎖をアミノ
化して４級アンモニウム基を導入して作製される。導入
されるイオン交換基の容量は、導入するグラフト鎖の量
により決定される。グラフト重合を行うためには、例え
ばアクリル酸、スチレン、メタクリル酸グリシジル、更
にはスチレンスルホン酸ナトリウム、クロロメチルスチ
レン等のモノマーを用い、これらのモノマー濃度、反応
温度及び反応時間を制御することで、重合するグラフト
量を制御することができる。したがって、グラフト重合
前の素材の重量に対し、グラフト重合後の重量の比をグ
ラフト率と呼ぶが、このグラフト率は、最大で５００％
が可能であり、グラフト重合後に導入されるイオン交換
基は、最大で５ｍｅｑ／ｇが可能である。Here, for example, the nonwoven fabric provided with the strong base anion exchange ability has a fiber diameter of 20 to 50 μm and a porosity of about 9.
By a so-called radiation graft polymerization method in which 0% polyolefin non-woven fabric is subjected to graft polymerization after γ-ray irradiation,
It is prepared by introducing a graft chain and then aminating the introduced graft chain to introduce a quaternary ammonium group. The capacity of the ion-exchange groups introduced is determined by the amount of graft chains introduced. In order to carry out the graft polymerization, for example, acrylic acid, styrene, glycidyl methacrylate, and further monomers such as sodium styrenesulfonate and chloromethylstyrene are used, and by controlling the monomer concentration, reaction temperature and reaction time, The amount of grafts to be polymerized can be controlled. Therefore, the ratio of the weight after the graft polymerization to the weight of the material before the graft polymerization is called the graft ratio, and the maximum graft ratio is 500%.
The maximum amount of ion-exchange groups introduced after graft polymerization is 5 meq / g.

【００４４】強酸性カチオン交換能を付与した不織布
は、上記強塩基性アニオン交換能を付与する方法と同様
に、繊維径２０〜５０μｍで空隙率が約９０％のポリオ
レフィン製の不織布に、γ線を照射した後グラフト重合
を行う所謂放射線グラフト重合法により、グラフト鎖を
導入し、次に導入したグラフト鎖を、例えば加熱した硫
酸で処理してスルホン酸基を導入して作製される。ま
た、加熱したリン酸で処理すればリン酸基が導入でき
る。ここでグラフト率は、最大で５００％が可能であ
り、グラフト重合後に導入されるイオン交換基は、最大
で５ｍｅｑ／ｇが可能である。The non-woven fabric provided with the strong acid cation exchange ability is similar to the above-mentioned method of imparting the strongly basic anion exchange ability, and the non-woven fabric made of polyolefin having a fiber diameter of 20 to 50 μm and a porosity of about 90% is prepared by γ-ray irradiation. It is produced by introducing a graft chain by a so-called radiation graft polymerization method of irradiating with and then performing a graft polymerization, and then treating the introduced graft chain with, for example, heated sulfuric acid to introduce a sulfonic acid group. Further, a phosphate group can be introduced by treating with heated phosphoric acid. Here, the graft ratio can be up to 500%, and the ion exchange groups introduced after the graft polymerization can be up to 5 meq / g.

【００４５】なお、イオン交換体３６９ａの素材の材質
としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フィン系高分子、又はその他の有機高分子が挙げられ
る。また素材形態としては、不織布の他に、織布、シー
ト、多孔質材、短繊維等が挙げられる。ここで、ポリエ
チレンやポリプロピレンは、放射線（γ線と電子線）を
先に素材に照射する（前照射）ことで、素材にラジカル
を発生させ、次にモノマーと反応させてグラフト重合す
ることができる。これにより、均一性が高く、不純物が
少ないグラフト鎖ができる。一方、その他の有機高分子
は、モノマーを含浸させ、そこに放射線（γ線、電子
線、紫外線）を照射（同時照射）することで、ラジカル
重合することができる。この場合、均一性に欠けるが、
ほとんどの素材に適用できる。Examples of the material of the ion exchanger 369a include polyolefin polymers such as polyethylene and polypropylene, and other organic polymers. In addition to the non-woven fabric, examples of the material form include woven fabric, sheet, porous material, short fiber and the like. Here, polyethylene or polypropylene can generate radicals in the material by irradiating the material with radiation (γ-ray and electron beam) first (pre-irradiation), and then react with the monomer to perform graft polymerization. . As a result, a graft chain having high uniformity and less impurities can be formed. On the other hand, other organic polymers can be radically polymerized by impregnating a monomer and irradiating (simultaneous irradiation) with radiation (γ ray, electron beam, ultraviolet ray). In this case, it lacks uniformity,
Applicable to most materials.

【００４６】このように、イオン交換体３６９ａをアニ
オン交換能又はカチオン交換能を付与した不織布で構成
することで、純水又は超純水や電解液等の液体が不織布
の内部を自由に移動して、不織布内部の水分解触媒作用
を有する活性点に容易に到達することが可能となって、
多くの水分子が水素イオンと水酸化物イオンに解離され
る。更に、解離によって生成した水酸化物イオンが純水
又は超純水や電解液等の液体の移動に伴って効率良く基
板Ｗの表面に運ばれるため、低い印加電圧でも高電流が
得られる。As described above, the ion exchanger 369a is made of a non-woven fabric having anion exchange ability or cation exchange ability, so that pure water or ultrapure water, a liquid such as an electrolytic solution can freely move inside the non-woven fabric. Therefore, it becomes possible to easily reach an active site having a water splitting catalytic action inside the nonwoven fabric,
Many water molecules are dissociated into hydrogen ions and hydroxide ions. Furthermore, since the hydroxide ions generated by dissociation are efficiently carried to the surface of the substrate W as the liquid such as pure water or ultrapure water or the electrolytic solution moves, a high current can be obtained even at a low applied voltage.

【００４７】ここで、イオン交換体３６９ａをアニオン
交換能又はカチオン交換能の一方を付与したもののみで
構成すると、電解加工できる被加工材料が制限されるば
かりでなく、極性により不純物が生成しやすくなる。そ
こで、アニオン交換能を有するアニオン交換体とカチオ
ン交換能を有するカチオン交換体とを重ね合わせたり、
イオン交換体３６９ａ自体にアニオン交換能とカチオン
交換能の双方の交換基を付与するようにしたりしてもよ
く、これにより、被加工材料の範囲を拡げるとともに、
不純物を生成しにくくすることができる。Here, if the ion exchanger 369a is made of only one having anion exchange ability or cation exchange ability, not only the material to be electroprocessed can be limited, but also impurities are easily generated due to the polarity. Become. Therefore, an anion exchanger having anion exchange ability and a cation exchanger having cation exchange ability are overlapped,
The ion exchanger 369a itself may be provided with exchange groups having both anion exchange ability and cation exchange ability, which expands the range of materials to be processed,
It is possible to make it difficult to generate impurities.

【００４８】また、電極は、電解反応により酸化又は溶
出が一般に問題となる。このため、電極の素材として、
炭素、比較的不活性な貴金属、導電性酸化物又は導電性
セラミックスを使用することが好ましい。電極が酸化す
ると電極の電気抵抗値が増加し、印加電圧の上昇を招く
が、白金などの酸化しにくい材料やイリジウムなどの導
電性酸化物で電極表面を保護すれば、電極素材の酸化に
よる導電性の低下を防止することができる。Further, the electrode generally has a problem of oxidation or elution due to an electrolytic reaction. Therefore, as the material of the electrode,
It is preferable to use carbon, a relatively inert noble metal, a conductive oxide or a conductive ceramic. When the electrode oxidizes, the electrical resistance of the electrode increases and the applied voltage rises.However, if the electrode surface is protected with a material that is difficult to oxidize, such as platinum, or a conductive oxide such as iridium, the conductivity of the electrode material can be reduced. It is possible to prevent deterioration of sex.

【００４９】また、中空モータ３６８の中空部には、電
極部３６１に純水、より好ましくは超純水を供給する流
体供給部としての純水供給管３７１が延びており、この
純水供給管３７１から電極部３６１の中心部に設けられ
た貫通孔３６１ａを介して純水又は超純水が基板Ｗの上
方から基板Ｗの表面（上面）に供給されるようになって
いる。Further, a pure water supply pipe 371 as a fluid supply unit for supplying pure water, more preferably ultrapure water to the electrode portion 361 extends in the hollow portion of the hollow motor 368. This pure water supply pipe Pure water or ultrapure water is supplied to the surface (upper surface) of the substrate W from above the substrate W through a through hole 361a provided in the center of the electrode portion 361 from 371.

【００５０】電極部３６１の下方に配置された基板保持
部３６２には、基板Ｗが上向き（フェイスアップ）にし
て載置保持される。この基板保持部３６２の下方には、
基板Ｗと電極部３６１とを相対移動させる自転用モータ
３７２が設置されている。基板保持部３６２はこの自転
用モータ３７２に接続されており、この自転用モータ３
７２の駆動に伴って回転（自転）するようになってい
る。The substrate W is placed and held on the substrate holding portion 362 arranged below the electrode portion 361 with the substrate W facing upward (face up). Below the substrate holder 362,
A rotation motor 372 for relatively moving the substrate W and the electrode portion 361 is installed. The substrate holding portion 362 is connected to the rotation motor 372, and the rotation motor 3
It is adapted to rotate (rotate) with the driving of 72.

【００５１】図９に示すように、基板保持部３６２の円
周方向に沿った所定位置には、この基板保持部３６２で
基板Ｗを載置保持したときに、基板Ｗの周縁部に接触す
る給電電極（給電部）３７３が設けられている。これら
の給電電極３７３は電源３６３の陽極に接続されてい
る。本実施形態における電解加工ユニット３６は、給電
電極（給電部）３７３が基板Ｗの周縁部（ベベル部）に
接触するように配置されているが、給電部が基板Ｗの周
縁部以外の表面に接触するように構成してもよい。As shown in FIG. 9, when the substrate W is placed and held by the substrate holder 362 at a predetermined position along the circumferential direction of the substrate holder 362, the peripheral edge of the substrate W comes into contact with the substrate W. A power feeding electrode (power feeding unit) 373 is provided. These power supply electrodes 373 are connected to the anode of the power supply 363. In the electrolytic processing unit 36 in the present embodiment, the power feeding electrode (power feeding portion) 373 is arranged so as to contact the peripheral edge portion (bevel portion) of the substrate W, but the power feeding portion is provided on the surface other than the peripheral edge portion of the substrate W. You may comprise so that it may contact.

【００５２】また、図８に示すように、本実施形態で
は、電極部３６１として、その直径が基板保持部３６２
で保持される基板Ｗの直径より十分に小さいものを使用
し、基板Ｗの全面が電極部３６１で完全に覆われてしま
わないようにしているが、電極部３６１の大きさはこれ
に限られるものではない。Further, as shown in FIG. 8, in the present embodiment, the electrode portion 361 has a diameter of the substrate holding portion 362.
The diameter of the substrate W held at is sufficiently smaller than that of the substrate W so that the entire surface of the substrate W is not completely covered with the electrode portion 361. However, the size of the electrode portion 361 is not limited to this. Not a thing.

【００５３】また、本実施形態では、加工電極３６９を
電源３６３の陰極に接続し、給電電極３７３を電源３６
３の陽極に接続しているが、加工材料によっては、電源
３６３の陰極に接続される電極を給電電極とし、陽極に
接続される電極を加工電極としてもよい。すなわち、被
加工材料が例えば銅やモリブデン、鉄である場合には、
陰極側に電解加工作用が生じるため、電源３６３の陰極
に接続した電極が加工電極となり、陽極に接続した電極
が給電電極となる。一方、被加工材料が例えばアルミニ
ウムやシリコンである場合には、陽極側で電解加工作用
が生じるため、電源３６３の陽極に接続した電極が加工
電極となり、陰極に接続した電極が給電電極となる。Further, in this embodiment, the processing electrode 369 is connected to the cathode of the power source 363, and the feeding electrode 373 is connected to the power source 36.
However, depending on the processing material, the electrode connected to the cathode of the power source 363 may be the power supply electrode and the electrode connected to the anode may be the processing electrode. That is, when the material to be processed is, for example, copper, molybdenum, or iron,
Since the electrolytic processing action occurs on the cathode side, the electrode connected to the cathode of the power supply 363 becomes the processing electrode, and the electrode connected to the anode becomes the power feeding electrode. On the other hand, when the material to be processed is, for example, aluminum or silicon, an electrolytic processing action occurs on the anode side, so that the electrode connected to the anode of the power supply 363 serves as the processing electrode and the electrode connected to the cathode serves as the power feeding electrode.

【００５４】図９に示すように、基板保持部３６２の側
方には、電極部３６１に取り付けたイオン交換体３６９
ａを再生する再生部３７４が配置されている。例えば、
イオン交換体３６９ａがカチオン交換体である場合、カ
チオン交換体の内部をカチオン（陽イオン）のみが電気
的に移動可能である。したがって、カチオン交換体を再
生するときには、図１０に示すように、隔壁３７６を挟
んで再生電極３７７ａと、この再生電極３７７ａと対と
なる対電極３７７ｂとを配置し、再生に付する被処理イ
オン交換体としてのカチオン交換体３６９ａを対電極３
７７ｂと隔壁３７６との間に配置する。そして、隔壁３
７６と再生電極３７７ａとの間に第１の液体供給部３７
８ａから流体Ａを、隔壁３７６と対電極３７７ｂとの間
に第２の液体供給部３７８ｂから流体Ｂをそれぞれ供給
し、同時に、再生電極３７７ａと対電極３７７ｂとの間
に、再生電源３７９から再生電極３７７ａを陰極、対電
極３７７ｂを陽極とした電圧を印加する。すると、カチ
オン交換体３６９ａの内部に加工中に取り込まれた被加
工物の溶解イオンＭ＋が対電極（陽極）３７７ｂ側から
再生電極（陰極）３７７ａ側に向かって移動して隔壁３
７６を通過し、この隔壁３７６を通過したイオンＭ
＋は、隔壁３７６と再生電極３７７ａとの間に供給され
る流体Ａの流れで系外に排出され、これによって、カチ
オン交換体３６９ａが再生される。なお、イオン交換体
３６９ａがアニオン交換体である場合は、上述した再生
電源３７９の電圧の正負を逆にする。As shown in FIG. 9, an ion exchanger 369 attached to the electrode portion 361 is provided on the side of the substrate holding portion 362.
A reproduction unit 374 for reproducing a is arranged. For example,
When the ion exchanger 369a is a cation exchanger, only cations (cations) can electrically move inside the cation exchanger. Therefore, when the cation exchanger is regenerated, as shown in FIG. 10, the regenerated electrode 377a and the counter electrode 377b paired with the regenerated electrode 377a are arranged with the partition wall 376 interposed therebetween, and the treated ions to be regenerated are treated. The cation exchanger 369a as the exchanger is used as the counter electrode 3
It is arranged between 77b and the partition 376. And the partition 3
The first liquid supply part 37
The fluid A is supplied from 8a and the fluid B is supplied from the second liquid supply section 378b between the partition wall 376 and the counter electrode 377b, and at the same time, the regeneration power source 379 is regenerated between the regeneration electrode 377a and the counter electrode 377b. A voltage is applied with the electrode 377a as a cathode and the counter electrode 377b as an anode. Then, the dissolved ions M + of the workpiece, which are taken into the inside of the cation exchanger 369a during processing, move from the counter electrode (anode) 377b side toward the regeneration electrode (cathode) 377a side and the partition wall 3
Ions M that have passed through 76 and passed through this partition wall 376.
The + is discharged out of the system by the flow of the fluid A supplied between the partition wall 376 and the regeneration electrode 377a, whereby the cation exchanger 369a is regenerated. When the ion exchanger 369a is an anion exchanger, the positive and negative voltages of the regeneration power source 379 described above are reversed.

【００５５】ここで、隔壁３７６は、再生に付するイオ
ン交換体３６９ａから除去される不純物イオンの移動の
妨げとなることなく、しかも隔壁３７６と再生電極３７
７ａとの間を流れる液体（液体中のイオンも含む）のイ
オン交換体３６９ａ側への透過を防止できるものである
ことが好ましい。具体例としては、膜状のイオン交換体
を用いることで、カチオン又はアニオンの一方を選択的
に透過することができ、かつ隔壁３７６と再生電極３７
７ａとの間を流れる液体がイオン交換体３６９ａ側に進
入することを防止することができるので、上述した要求
を満たすことができる。なお、再生に付するイオン交換
体と同じイオン交換基を有するイオン交換体を隔壁３７
６として用いるとよい。Here, the partition wall 376 does not hinder the movement of the impurity ions removed from the ion exchanger 369a for regeneration, and the partition wall 376 and the regeneration electrode 37 are also provided.
It is preferable that the liquid (including the ions in the liquid) flowing between 7a and 7a can be prevented from permeating to the side of the ion exchanger 369a. As a specific example, by using a membrane-shaped ion exchanger, one of cations and anions can be selectively permeated, and the partition wall 376 and the regeneration electrode 37 are used.
Since it is possible to prevent the liquid flowing between the 7a and 7a from entering the ion exchanger 369a side, it is possible to satisfy the above-mentioned requirements. The partition wall 37 is an ion exchanger having the same ion exchange group as the ion exchanger to be regenerated.
It is good to use as 6.

【００５６】隔壁３７６と再生電極３７７ａとの間に供
給する液体は、例えば、電解液で、導電率が高くかつイ
オン交換体３６９ａから除去されるイオンとの反応によ
り難溶性又は不溶性の化合物を生成しない液体であるこ
とが好ましい。すなわち、この液体は、再生に付するイ
オン交換体３６９ａから移動し隔壁３７６を通過したイ
オンを該液体の流れで系外に排出するためのもので、こ
のように、誘電率が高くかつイオン交換体３６９ａから
除去されるイオンとの反応により不溶性の化合物を生じ
ない液体を供給することで、この液体の電気抵抗を下げ
て再生部の消費電力を少なく抑え、しかも、不純物イオ
ンとの反応で不溶性の化合物（２次生成物）が生成され
て隔壁３７６に付着することを防止することができる。
この液体は、排出する不純物イオンの種類によって選択
されるが、例えば、銅の電解研磨に使用したイオン交換
体を再生する時に使用するものとして、濃度が１ｗｔ％
以上の硫酸を挙げることができる。The liquid supplied between the partition wall 376 and the reproducing electrode 377a is, for example, an electrolytic solution, which has a high conductivity and produces a sparingly soluble or insoluble compound by reaction with ions removed from the ion exchanger 369a. It is preferably a non-liquid. That is, this liquid is for discharging the ions, which have moved from the ion exchanger 369a to be regenerated and passed through the partition wall 376, to the outside of the system by the flow of the liquid. By supplying a liquid that does not generate an insoluble compound by the reaction with the ions removed from the body 369a, the electric resistance of this liquid is reduced to reduce the power consumption of the regeneration unit, and further, the reaction with the impurity ions makes the liquid insoluble. It is possible to prevent the compound (secondary product) of (3) from being generated and adhering to the partition wall 376.
This liquid is selected depending on the type of impurity ions to be discharged, but for example, the concentration is 1 wt% for use when regenerating an ion exchanger used for electrolytic polishing of copper.
The above sulfuric acid can be mentioned.

【００５７】なお、再生処理中に、再生部３７４と再生
に付するイオン交換体３６９ａとを相対運動させてもよ
い。また、隔壁３７６の代わりにイオン交換不織布を再
生に付与するイオン交換体３６９ａと再生電極３７７ａ
との間に配置し、上述と同様に電圧を印加して、２つの
イオン交換体中に液体（純水）を供給しながら、イオン
交換体３６９ａ中に蓄積したイオンを再生用イオン交換
不織布中に移動させるようにしてもよい。During the regeneration process, the regenerator 374 and the ion exchanger 369a to be regenerated may be moved relative to each other. In addition, instead of the partition wall 376, an ion exchange nonwoven fabric 369a and a regeneration electrode 377a for imparting an ion exchange nonwoven fabric for regeneration.
Between the two ion-exchange nonwoven fabrics and the ion-exchange nonwoven fabric for regeneration while supplying a liquid (pure water) into the two ion-exchangers by applying a voltage as described above. You may make it move to.

【００５８】次に、基板処理装置内のベベルエッチング
ユニット４８について説明する。図１１は、ベベルエッ
チングユニット４８の一例を模式的に示す縦断面図であ
る。図１１に示すように、本実施形態におけるベベルエ
ッチングユニット４８は、基板Ｗを水平に保持して高速
回転させる基板保持部４８０と、この基板保持部４８０
で保持された基板Ｗの表面側の略中央部上方に配置され
たセンタノズル４８２と、基板Ｗの周縁部の上方に配置
されたエッジノズル４８４と、基板Ｗの裏面側の略中央
部下方に配置されたバックノズル４８６とを備えてい
る。Next, the bevel etching unit 48 in the substrate processing apparatus will be described. FIG. 11 is a vertical sectional view schematically showing an example of the bevel etching unit 48. As shown in FIG. 11, the bevel etching unit 48 in the present embodiment holds a substrate W horizontally and rotates it at a high speed, and a substrate holder 480.
The center nozzle 482 disposed above the front surface side substantially central portion of the substrate W, the edge nozzle 484 disposed above the peripheral edge portion of the substrate W, and the lower side substantially central portion on the back surface side of the substrate W held by. And a back nozzle 486 arranged.

【００５９】基板保持部４８０は、有底円筒状の防水カ
バー４８８の内部に配置されており、基板Ｗの周縁部の
円周方向に沿った複数箇所をスピンチャック４９０によ
って基板Ｗの表面が上を向くように（フェイスアップ）
保持する。センタノズル４８２及びエッジノズル４８４
はそれぞれ下向きに配置されており、バックノズル４８
６は上向きに配置されている。The substrate holder 480 is disposed inside the bottomed cylindrical waterproof cover 488, and the surface of the substrate W is raised by the spin chuck 490 at a plurality of positions along the circumferential direction of the peripheral edge of the substrate W. To face (face up)
Hold. Center nozzle 482 and edge nozzle 484
Are arranged downward, and the back nozzle 48
6 is arranged upward.

【００６０】上記センタノズル４８２からは酸溶液が基
板Ｗの表面側の中央部に供給される。これにより、基板
Ｗの表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が形成されてい
ても、この自然酸化物は、基板Ｗの回転に伴って該基板
Ｗの表面全面に亘って拡がる酸溶液で直ちに除去されて
成長することはない。この酸溶液としては、例えば半導
体装置製造プロセスにおける洗浄工程で一般に使用され
ている塩酸、ふっ酸、硫酸のいずれか、あるいはその組
合せを用いることができるが、非酸化性の酸であればい
ずれであってもよい。なお、ふっ酸であれば後述する基
板Ｗの裏面側の洗浄にも使えるので、薬品を共通化する
上で好ましい。また、ふっ酸の場合であれば、銅表面の
あれを生じさせないため５重量％以下であることが好ま
しい。From the center nozzle 482, the acid solution is supplied to the central portion on the front surface side of the substrate W. As a result, even if a copper natural oxide film is formed on the circuit formation portion on the surface of the substrate W, this natural oxide is an acid solution that spreads over the entire surface of the substrate W as the substrate W rotates. It is not immediately removed and does not grow. As the acid solution, for example, any one of hydrochloric acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid generally used in the cleaning step in the semiconductor device manufacturing process, or a combination thereof can be used, but any non-oxidizing acid can be used. It may be. Since hydrofluoric acid can be used for cleaning the back surface side of the substrate W, which will be described later, it is preferable to use common chemicals. Further, in the case of hydrofluoric acid, it is preferably 5% by weight or less in order to prevent the copper surface from being roughened.

【００６１】上記エッジノズル４８４からは酸化剤溶液
が基板Ｗの周縁部に連続的又は間欠的に供給される。こ
れにより、基板Ｗの周縁部の上面及び端面に成膜された
銅膜等は、酸化剤溶液で急速に酸化され、同時に上記セ
ンタノズル４８２から供給されて基板Ｗの表面全面に拡
がる酸溶液によってエッチングされて溶解除去される。
なお、酸溶液によるエッチングは、酸化剤溶液の供給点
以外でも起きるので、酸溶液の濃度及び供給量を高くす
る必要はない。この酸化剤溶液としては、例えば半導体
装置製造プロセスにおける洗浄工程で一般に使用されて
いるオゾン、過酸化水素、次亜塩素酸塩のいずれか、あ
るいはその組合せを用いることができる。オゾン水を使
う場合であれば２０ｐｐｍ以上、過酸化水素なら１０重
量％以上、次亜塩素酸塩なら１重量％以上が好ましい。From the edge nozzle 484, the oxidant solution is continuously or intermittently supplied to the peripheral portion of the substrate W. As a result, the copper film or the like formed on the upper surface and the end surface of the peripheral portion of the substrate W is rapidly oxidized by the oxidant solution, and at the same time, the acid solution supplied from the center nozzle 482 and spread on the entire surface of the substrate W is used. It is etched and dissolved and removed.
Since the etching with the acid solution occurs at a point other than the supply point of the oxidant solution, it is not necessary to increase the concentration and the supply amount of the acid solution. As the oxidant solution, for example, any one of ozone, hydrogen peroxide, and hypochlorite, which are generally used in the cleaning step in the semiconductor device manufacturing process, or a combination thereof can be used. When ozone water is used, it is preferably 20 ppm or more, hydrogen peroxide is 10 wt% or more, and hypochlorite is 1 wt% or more.

【００６２】上記バックノズル４８６からは基板Ｗの裏
面側中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤
とが同時又は交互に供給される。これにより、基板Ｗの
裏面側に金属状で付着している銅等を基板のシリコンご
と酸化剤溶液で酸化しシリコン酸化膜エッチング剤でエ
ッチングして除去することができる。この酸化剤溶液と
しては、例えばオゾン、過酸化水素、硝酸、次亜塩素酸
塩のいずれか、あるいはその組合せを用いることができ
る。なお、上記基板Ｗの周縁部に供給する酸化剤溶液と
同じものにする方が、薬品の種類を少なくする上で好ま
しい。また、シリコン酸化膜エッチング剤としてはふっ
酸を用いることができ、基板の表面の洗浄で使うふっ酸
を用いると薬品の種類を少なくすることができる。From the back nozzle 486, the oxidant solution and the silicon oxide film etching agent are simultaneously or alternately supplied to the central portion on the back surface side of the substrate W. As a result, the copper or the like that is metallically attached to the back surface of the substrate W can be removed together with the silicon of the substrate by oxidizing with the oxidizing agent solution and etching with the silicon oxide film etching agent. As the oxidant solution, for example, ozone, hydrogen peroxide, nitric acid, hypochlorite, or a combination thereof can be used. In addition, it is preferable to use the same solution as the oxidant solution supplied to the peripheral portion of the substrate W in order to reduce the kinds of chemicals. Further, hydrofluoric acid can be used as the silicon oxide film etching agent, and the type of chemical can be reduced by using hydrofluoric acid used for cleaning the surface of the substrate.

【００６３】ここで、エッジノズル４８４は、基板Ｗの
直径方向に移動自在に構成されている。エッジノズル４
８４は、基板の外周端面から中心部までの間で基板Ｗの
直径方向に任意に位置決めできるようになっており、エ
ッジノズル４８４の直径方向の移動幅Ｌは、基板Ｗの大
きさや使用目的などに合わせて設定される。通常、２ｍ
ｍ〜５ｍｍの範囲でエッジカット幅Ｃを設定し、裏面か
ら表面への液の回り込み量が問題にならない回転数以上
であれば、その設定されたカット幅Ｃ内の被加工膜（銅
膜）を除去することができる。Here, the edge nozzle 484 is movable in the diameter direction of the substrate W. Edge nozzle 4
84 is arranged so that it can be arbitrarily positioned in the diametrical direction of the substrate W from the outer peripheral end surface of the substrate to the central portion, and the moving width L of the edge nozzle 484 in the diametrical direction is the size of the substrate W, the purpose of use, etc. It is set according to. Usually 2m
If the edge cut width C is set in the range of m to 5 mm, and the amount of liquid flowing from the back surface to the front surface is at or above the number of rotations that does not matter, the film to be processed (copper film) within the set cut width C Can be removed.

【００６４】次に、このベベルエッチングユニット４８
の使用例を説明する。まず、エッジノズル４８４の位置
を調整することで、基板Ｗの大きさや使用目的等に合わ
せたエッジカット幅Ｃを設定する。この状態で、基板Ｗ
を基板保持部４８０で水平に保持して、基板Ｗを基板保
持部４８０と一体に水平回転させる。そして、センタノ
ズル４８２から基板Ｗの表面側の中央部に、例えば希ふ
っ酸（ＤＨＦ）を連続的に供給するとともに、エッジノ
ズル４８４から基板Ｗの周縁部に、例えばＨ２Ｏ２を連
続的又は間欠的に供給する。Next, the bevel etching unit 48
An example of using will be described. First, the position of the edge nozzle 484 is adjusted to set the edge cut width C according to the size of the substrate W, the purpose of use, and the like. In this state, the substrate W
Are held horizontally by the substrate holding unit 480, and the substrate W is horizontally rotated integrally with the substrate holding unit 480. Then, for example, dilute hydrofluoric acid (DHF) is continuously supplied from the center nozzle 482 to the central portion on the front surface side of the substrate W, and, for example, H 2 O 2 is continuously supplied to the peripheral portion of the substrate W from the edge nozzle 484. Or supply intermittently.

【００６５】このとき、基板Ｗの周縁部のエッジカット
幅Ｃ内の領域（エッジ部及びベベル部）では、ＨＦとＨ
２Ｏ２の混合液ができ、基板Ｗの表面の銅が急激にエッ
チングされる。このように、基板Ｗの周縁部でＨＦとＨ
２Ｏ２を混合させることで、例えばエッジノズル４８４
からＨＦとＨ２Ｏ２の混合液を供給するのに比べて、急
峻なエッチングプロフィールを得ることができる。ま
た、センタノズル４８２から供給するＤＨＦが銅めっき
膜表面の保護膜の役割を果たす。このとき、ＤＨＦとＨ
２Ｏ２濃度により銅のエッチングレートが決定される。At this time, in the region (edge portion and bevel portion) within the edge cut width C of the peripheral portion of the substrate W, HF and H
A mixed solution of 2 O 2 is formed, and the copper on the surface of the substrate W is rapidly etched. In this way, HF and H
By mixing 2 O 2 , for example, the edge nozzle 484
Therefore, a sharper etching profile can be obtained as compared with the case of supplying a mixed solution of HF and H 2 O 2 . The DHF supplied from the center nozzle 482 serves as a protective film on the surface of the copper plating film. At this time, DHF and H
The etching rate of copper is determined by the 2 O 2 concentration.

【００６６】同時に、バックノズル４８６から、例えば
Ｈ２Ｏ２→ＤＨＦの順に薬液を供給する。これにより、
Ｈ２Ｏ２で銅を酸化させ、ＤＨＦで酸化した銅をエッチ
ングすることで、基板Ｗの裏面の銅汚染を除去すること
ができる。At the same time, the chemicals are supplied from the back nozzle 486 in the order of, for example, H 2 O 2 → DHF. This allows
Copper contamination on the back surface of the substrate W can be removed by oxidizing copper with H 2 O 2 and etching copper with DHF.

【００６７】そして、純水リンス及びスピン乾燥を経
て、処理を完了する。これにより、基板表面の周縁部
（エッジ及びベベル）のエッジカット幅Ｃ内に存在する
銅膜の除去と、裏面の銅汚染除去を同時に行って、この
処理を、例えば８０秒以内で完了することができる。Then, after rinsing with pure water and spin drying, the processing is completed. As a result, the removal of the copper film existing within the edge cut width C of the peripheral portion (edge and bevel) of the substrate surface and the removal of the copper contamination on the back surface are simultaneously performed, and this process is completed within, for example, 80 seconds. You can

【００６８】次に、基板処理装置内のＣＭＰユニット３
４について説明する。図１２は、ＣＭＰユニット３４を
模式的に示す縦断面図である。図１２に示すように、Ｃ
ＭＰユニット３４は、上面に研磨布（研磨パッド）３４
０を貼付して研磨面を構成する研磨テーブル３４２と、
基板Ｗをその被研磨面を研磨テーブル３４２に向けて保
持するトップリング３４４とを備えている。このような
ポリッシング装置を用いて基板Ｗの研磨処理を行う場合
には、研磨テーブル３４２とトップリング３４４とをそ
れぞれ自転させ、研磨テーブル３４２の上方に設置され
た研磨液供給ノズル３４６より研磨液を供給しつつ、ト
ップリング３４４により基板Ｗを一定の圧力で研磨テー
ブル３４２の研磨布３４０に押圧する。研磨液供給ノズ
ル３４６から供給される研磨液は、例えばアルカリ溶液
にシリカ等の微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用
い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥粒による機械
的研磨作用との複合作用である化学的・機械的研磨によ
って基板Ｗが平坦かつ鏡面状に研磨される。Next, the CMP unit 3 in the substrate processing apparatus
4 will be described. FIG. 12 is a vertical sectional view schematically showing the CMP unit 34. As shown in FIG.
The MP unit 34 has a polishing cloth (polishing pad) 34 on its upper surface.
A polishing table 342, which is attached with 0 to form a polishing surface,
A top ring 344 for holding the substrate W with its surface to be polished facing the polishing table 342 is provided. When the polishing process of the substrate W is performed using such a polishing apparatus, the polishing table 342 and the top ring 344 are rotated respectively, and the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 346 installed above the polishing table 342. While being supplied, the substrate W is pressed against the polishing cloth 340 of the polishing table 342 with a constant pressure by the top ring 344. The polishing liquid supplied from the polishing liquid supply nozzle 346 uses, for example, an alkaline solution in which abrasive grains composed of fine particles such as silica are suspended, and has a chemical polishing action by an alkali and a mechanical polishing action by the abrasive grains. The substrate W is polished flat and mirror-like by the combined chemical and mechanical polishing.

【００６９】研磨を継続すると、研磨布３４０には、砥
粒や研磨屑が付着し、研磨布３４０の特性が変化して研
磨性能が劣化してくる。この研磨力を回復させるため
に、ＣＭＰユニット３４にはドレッサー３４８が設けら
れている。このドレッサー３４８によって、研磨する基
板Ｗの交換時などに研磨布３４０の目立て（ドレッシン
グ）が行われる。このドレッシング処理においては、ド
レッサー３４８のドレッシング面（ドレッシング部材）
を研磨テーブル３４２の研磨布３４０に押圧しつつ、こ
れらを自転させることで、研磨面に付着した砥粒や切削
屑を除去するとともに、研磨面の平坦化及び目立てが行
われ、研磨面が再生される。When polishing is continued, abrasive grains and polishing debris adhere to the polishing cloth 340, the characteristics of the polishing cloth 340 change, and the polishing performance deteriorates. A dresser 348 is provided in the CMP unit 34 in order to recover the polishing force. By this dresser 348, the polishing cloth 340 is dressed when the substrate W to be polished is replaced. In this dressing process, the dressing surface of the dresser 348 (dressing member)
While pressing the polishing cloth 340 of the polishing table 342 while rotating them, the abrasive grains and cutting debris adhering to the polishing surface are removed, and the polishing surface is flattened and sharpened to regenerate the polishing surface. To be done.

【００７０】次に、本実施形態の基板処理装置における
処理について説明する。例えば、図１（ａ）に示すよう
に、表面にシード層７を形成した基板Ｗを収納したカセ
ットをロード・アンロード部３０にセットし、このカセ
ットから１枚の基板Ｗを搬送ロボット３２で取り出す。
搬送ロボット３２は、取り出した基板Ｗを必要に応じて
反転機４４又は５２に搬送し、基板Ｗのシード層７を形
成した表面が下を向くよう（フェイスダウン）に基板Ｗ
を反転させる。反転された基板Ｗは、再び搬送ロボット
３２に渡され、めっきユニット３８に搬送される。Next, processing in the substrate processing apparatus of this embodiment will be described. For example, as shown in FIG. 1A, a cassette accommodating a substrate W having a seed layer 7 formed on its surface is set in the loading / unloading unit 30, and one substrate W is transferred from this cassette by the transfer robot 32. Take it out.
The transfer robot 32 transfers the taken-out substrate W to the reversing machine 44 or 52 as necessary, and the surface of the substrate W on which the seed layer 7 is formed faces downward (face down).
Invert. The inverted substrate W is transferred to the transfer robot 32 again and transferred to the plating unit 38.

【００７１】めっきユニット３８では、例えば電解銅め
っき処理を行って、基板Ｗの表面に、例えば導電体膜
（被加工物）としての銅膜６（図１（ｂ）参照）を形成
する。そして、めっき処理後の基板（例えば、銅膜等の
導電体膜が表面に形成された基板）Ｗは搬送ロボット３
２によって洗浄ユニット４０に搬送され、ここで洗浄さ
れる。洗浄後の基板Ｗは搬送ロボット３２によってアニ
ールユニット４２に搬送される。In the plating unit 38, for example, electrolytic copper plating is performed to form, for example, a copper film 6 (see FIG. 1B) as a conductor film (workpiece) on the surface of the substrate W. The substrate W after the plating process (for example, a substrate having a conductor film such as a copper film formed on its surface) W is the transfer robot 3
2 is conveyed to the cleaning unit 40, where it is cleaned. The substrate W after cleaning is transferred to the annealing unit 42 by the transfer robot 32.

【００７２】アニールユニット４２では、基板Ｗに熱処
理を施してアニール処理を行う。搬送ロボット３２は、
アニール処理された基板Ｗを反転機４４に搬送し、基板
Ｗの表面が上を向くよう（フェイスアップ）に基板Ｗを
反転させる。反転された基板Ｗは、再び搬送ロボット３
２に渡され、この搬送ロボット３２によって電解加工ユ
ニット３６のプッシャ３６ａまで搬送され、プッシャ３
６ａ上に載置される。このプッシャ３６ａと電解加工ユ
ニット３６の基板保持部３６２との間で基板Ｗの受け渡
しが行われ、電解加工ユニット３６の基板保持部３６２
に基板Ｗが載置保持される。In the annealing unit 42, the substrate W is annealed by heat treatment. The transfer robot 32
The annealed substrate W is conveyed to the reversing machine 44, and the substrate W is reversed so that the surface of the substrate W faces upward (face up). The inverted substrate W is transferred to the transfer robot 3 again.
2 is transferred to the pusher 36a of the electrolytic processing unit 36 by the transfer robot 32, and is transferred to the pusher 3a.
It is placed on 6a. The substrate W is transferred between the pusher 36a and the substrate holder 362 of the electrolytic processing unit 36, and the substrate holder 362 of the electrolytic processing unit 36 is transferred.
The substrate W is placed and held on.

【００７３】電解加工ユニット３６では、電極部３６１
を下降させてイオン交換体３６９ａを基板保持部３６２
で保持した基板Ｗの表面に接触又は近接させる。この状
態で、基板Ｗの上面に純水又は超純水を供給しつつ、加
工電極３６９と給電電極３７３との間に所定の電圧を印
加し、基板保持部３６２と電極部３６１をともに回転
（自転）させ、同時にアーム３６０を揺動させて電極部
３６１を基板Ｗの上面に沿って移動させる。これによ
り、イオン交換体３６９ａにより生成された水素イオン
又は水酸化物イオンによって、加工電極（陰極）３６９
において基板Ｗの表面に形成された不要な銅膜６が加工
除去され、銅膜６からなる銅配線が形成される（図１
（ｃ）参照）。In the electrolytic processing unit 36, the electrode portion 361
To lower the ion exchanger 369a to the substrate holder 362.
The surface of the substrate W held in 1 is brought into contact with or brought close to it. In this state, while supplying pure water or ultrapure water to the upper surface of the substrate W, a predetermined voltage is applied between the processing electrode 369 and the power feeding electrode 373 to rotate the substrate holding portion 362 and the electrode portion 361 together ( At the same time, the arm 360 is swung to move the electrode portion 361 along the upper surface of the substrate W. As a result, the processing electrode (cathode) 369 is generated by the hydrogen ions or hydroxide ions generated by the ion exchanger 369a.
In FIG. 1, the unnecessary copper film 6 formed on the surface of the substrate W is processed and removed to form a copper wiring made of the copper film 6 (see FIG. 1).
(See (c)).

【００７４】ここで、電解加工中に基板Ｗとイオン交換
体３６９ａとの間に供給する純水は、例えば電気伝導度
が１０μＳ／ｃｍ以下の水であり、超純水は、例えば電
気伝導度が０．１μＳ／ｃｍ以下の水である。このよう
に電解質を含まない純水又は超純水を使用して電解加工
を行うことで、基板Ｗの表面に電解質等の余分な不純物
が付着したり、残留したりすることをなくすことができ
る。更に、電解によって溶解した銅イオン等が、イオン
交換体３６９ａにイオン交換反応で即座に捕捉されるた
め、溶解した銅イオン等が基板Ｗの他の部分に再度析出
したり、酸化されて微粒子となり基板Ｗの表面を汚染し
たりすることがない。Here, the pure water supplied between the substrate W and the ion exchanger 369a during the electrolytic processing is, for example, water having an electric conductivity of 10 μS / cm or less, and the ultrapure water is, for example, the electric conductivity. Is water of 0.1 μS / cm or less. By performing electrolytic processing using pure water or ultrapure water that does not contain an electrolyte, it is possible to prevent extra impurities such as electrolyte from adhering to or remaining on the surface of the substrate W. . Furthermore, since the copper ions and the like dissolved by electrolysis are immediately captured by the ion exchanger 369a in the ion exchange reaction, the dissolved copper ions and the like are re-precipitated on other portions of the substrate W or oxidized to form fine particles. The surface of the substrate W is not contaminated.

【００７５】また、純水又は超純水の代わりに電気伝導
度５００μＳ／ｃｍ以下の液体、例えば純水又は超純水
に電解質を添加した電解液を使用してもよい。電解液を
使用することで、電気抵抗を低減して消費電力を削減す
ることができる。この電解液としては、例えば、ＮａＣ
ｌやＮａ２ＳＯ４等の中性塩、ＨＣｌやＨ２ＳＯ４等の
酸、更には、アンモニア等のアルカリなどの溶液を使用
することができ、被加工物の特性によって適宜選択して
使用することができる。Instead of pure water or ultrapure water, a liquid having an electric conductivity of 500 μS / cm or less, for example, an electrolytic solution obtained by adding an electrolyte to pure water or ultrapure water may be used. By using the electrolytic solution, it is possible to reduce electric resistance and power consumption. The electrolytic solution may be, for example, NaC.
1, a neutral salt such as Na 2 SO 4 , an acid such as HCl or H 2 SO 4 , and a solution such as an alkali such as ammonia can be used, and they can be appropriately selected and used depending on the characteristics of the workpiece. can do.

【００７６】更に、純水又は超純水の代わりに、純水又
は超純水に界面活性剤等を添加して、電気伝導度が５０
０μＳ／ｃｍ以下、好ましくは、５０μＳ／ｃｍ以下、
更に好ましくは、０．１μＳ／ｃｍ以下（比抵抗で１０
ＭΩ・ｃｍ以上）にした液体を使用してもよい。このよ
うに、純水又は超純水に界面活性剤を添加することで、
基板Ｗとイオン交換体３６９ａの界面にイオンの移動を
防ぐ一様な抑制作用を有する層を形成し、これによっ
て、イオン交換（金属の溶解）の集中を緩和して被加工
面の平坦性を向上させることができる。ここで、界面活
性剤濃度は、１００ｐｐｍ以下が好ましい。なお、電気
伝導度の値が高すぎると電流効率が下がり、加工速度が
遅くなるが、５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは、５０
μＳ／ｃｍ以下、更に好ましくは、０．１μＳ／ｃｍ以
下の電気伝導度を有する液体を使用することで、所望の
加工速度を得ることができる。Further, instead of pure water or ultrapure water, a surfactant or the like is added to pure water or ultrapure water to obtain an electric conductivity of 50.
0 μS / cm or less, preferably 50 μS / cm or less,
More preferably, 0.1 μS / cm or less (specific resistance is 10
A liquid of MΩ · cm or more) may be used. In this way, by adding a surfactant to pure water or ultrapure water,
At the interface between the substrate W and the ion exchanger 369a, a layer having a uniform suppressing action for preventing movement of ions is formed, whereby concentration of ion exchange (melting of metal) is relaxed and the flatness of the processed surface is improved. Can be improved. Here, the surfactant concentration is preferably 100 ppm or less. If the electric conductivity is too high, the current efficiency is lowered and the processing speed is slowed down, but 500 μS / cm or less, preferably 50 μS / cm.
A desired processing speed can be obtained by using a liquid having an electric conductivity of μS / cm or less, and more preferably 0.1 μS / cm or less.

【００７７】電解加工中には、加工電極と給電電極との
間に印加する電圧、又はこの間を流れる電流をモニタ部
５４でモニタして、エンドポイント（加工終点）を検知
する。すなわち、同じ電圧（電流）を印加した状態で電
解加工を行うと、材料によって流れる電流（印加される
電圧）に違いが生じる。例えば、図１３（ａ）に示すよ
うに、表面に材料Ｂと材料Ａとを順次成膜した基板Ｗの
該表面に電解加工を施したときに流れる電流をモニタす
ると、材料Ａを電解加工している間は一定の電流が流れ
るが、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で流れる電流
が変化する。同様に、加工電極と給電電極との間に印加
される電圧にあっても、図１３（ｂ）に示すように、材
料Ａを電解加工している間は一定の電圧が印加される
が、異なる材料Ｂの加工に移行する時点で印加される電
圧が変化する。なお、図１３（ａ）は、材料Ｂを電解加
工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよりも電
流が流れにくくなる場合を、図１３（ｂ）は、材料Ｂを
電解加工するときの方が、材料Ａを電解加工するときよ
りも電圧が高くなる場合の例を示している。これによ
り、この電流又は電圧の変化をモニタすることでエンド
ポイントを確実に検知することができる。During the electrolytic processing, the voltage applied between the processing electrode and the power feeding electrode or the current flowing between them is monitored by the monitor 54 to detect the end point (processing end point). That is, when electrolytic processing is performed under the condition that the same voltage (current) is applied, a difference occurs in the current (applied voltage) flowing depending on the material. For example, as shown in FIG. 13A, when a current flowing when electrolytic processing is applied to the surface of a substrate W on which a material B and a material A are sequentially formed on the surface is monitored, the material A is electrolytically processed. While a constant current flows while the process is in progress, the current that flows at the time of shifting to processing of a different material B changes. Similarly, even when the voltage is applied between the machining electrode and the power feeding electrode, a constant voltage is applied while the material A is electrolytically machined, as shown in FIG. 13B. The applied voltage changes at the time of shifting to processing of the different material B. Note that FIG. 13A shows a case where an electric current is less likely to flow when electrolytically machining the material B than when electrolytically machining the material A, and FIG. 13B shows electrolytically machining the material B. An example in which the voltage is higher than that when the material A is electrolytically processed is shown. As a result, the endpoint can be reliably detected by monitoring the change in the current or voltage.

【００７８】なお、モニタ部５４で加工電極と給電電極
との間に印加する電圧、又はこの間を流れる電流をモニ
タして加工終点を検知するようにした例を説明したが、
このモニタ部５４で、加工中の基板の状態の変化をモニ
タして、任意に設定した加工終点を検知するようにして
もよい。この場合、加工終点は、被加工面の指定した部
位について、所望の加工量に達した時点、又は加工量と
相関関係を有するパラメータが所望の加工量に相当する
量に達した時点を指す。このように、加工の途中におい
ても、加工終点を任意に設定して検知できるようにする
ことで、多段プロセスでの電解加工が可能となる。An example has been described in which the monitoring section 54 detects the processing end point by monitoring the voltage applied between the processing electrode and the power supply electrode or the current flowing between them.
The monitor unit 54 may monitor a change in the state of the substrate being processed to detect an arbitrarily set processing end point. In this case, the processing end point refers to a time point when a desired processing amount is reached or a parameter having a correlation with the processing amount reaches an amount corresponding to the desired processing amount with respect to a designated portion of the surface to be processed. As described above, even during the machining, the machining end point can be arbitrarily set and detected so that the electrolytic machining can be performed in a multi-step process.

【００７９】例えば、基板が異材料に達した時に生じる
摩擦係数の違いによる摩擦力の変化や、基板の表面の凹
凸を平坦化する際、凹凸を除去したことにより生じる摩
擦力の変化等を検出することで加工量を判断し、加工終
点を検出することとしてもよい。また、被加工面の電気
抵抗による発熱や、加工面と被加工面との間に液体（純
水）の中を移動するイオンと水分子の衝突による発熱が
生じ、例えば基板の表面に堆積した銅膜を定電圧制御で
電解研磨する際には、電解加工が進み、バリア層や絶縁
膜が露出するのに伴って、電気抵抗が大きくなり電流値
が小さくなって発熱量が順に減少する。したがって、こ
の発熱量の変化を検出することで加工量を判断し、加工
終点を検出することとしてもよい。あるいは、異材料に
達した時に生じる反射率の違いによる反射光の強度の変
化を検出して、基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これ
により加工終点を検出してもよい。また、銅膜等の導電
性膜の内部にうず電流を発生させ、基板の内部を流れる
うず電流をモニタし、例えば周波数の変化を検出して、
基板上の被加工膜の膜厚を検知し、これにより加工終点
を検出してもよい。更に、電解加工にあっては、加工電
極と給電電極との間を流れる電流値で加工レートが決ま
り、加工量は、この電流値と加工時間の積で求められる
電気量に比例する。したがって、電流値と加工時間の積
で求められる電気量を積算し、この積算値が所定の値に
達したことを検出することで加工量を判断し、加工終点
を検出してもよい。For example, a change in the frictional force due to a difference in the coefficient of friction that occurs when the substrate reaches a different material, or a change in the frictional force caused by removing the irregularities when flattening the irregularities on the surface of the substrate are detected. By doing so, the processing amount may be determined and the processing end point may be detected. Further, heat is generated due to the electric resistance of the surface to be processed and heat is generated due to collision of ions moving in the liquid (pure water) and water molecules between the surface to be processed and the surface to be processed, and is deposited on the surface of the substrate, for example. When electrolytically polishing a copper film under constant voltage control, as the electrolytic processing proceeds and the barrier layer and the insulating film are exposed, the electrical resistance increases, the current value decreases, and the amount of heat generation decreases in sequence. Therefore, the processing amount may be determined by detecting the change in the heat generation amount, and the processing end point may be detected. Alternatively, the processing end point may be detected by detecting the change in the intensity of the reflected light due to the difference in reflectance that occurs when reaching a different material and detecting the film thickness of the film to be processed on the substrate. Further, an eddy current is generated inside a conductive film such as a copper film, the eddy current flowing inside the substrate is monitored, and for example, a change in frequency is detected,
The processing end point may be detected by detecting the film thickness of the film to be processed on the substrate. Further, in the electrolytic machining, the machining rate is determined by the value of the current flowing between the machining electrode and the power feeding electrode, and the machining amount is proportional to the amount of electricity obtained by the product of this current value and the machining time. Therefore, the machining amount may be determined by accumulating the amount of electricity obtained by the product of the current value and the machining time and detecting that the accumulated value has reached a predetermined value to detect the machining end point.

【００８０】電解加工完了後、電源３６３の接続を切
り、電極部３６１及び基板保持部３６２の回転を停止さ
せる。その後、基板保持部３６２上の基板Ｗをプッシャ
３６ａに移動し、このプッシャ３６ａ上の基板が搬送ロ
ボット３２に受け渡され、ベベルエッチングユニット４
８に搬送される。ここで、給電電極３７３を基板Ｗに直
接接触させた場合、この部分には加工電極３６９を物理
的に近接させることができないので、この部分を加工す
ることができず、給電電極３７３に接触した部分に導電
性膜が加工されずに残留してしまう。したがって、本実
施形態では、電解加工後にこの残留した導電性膜をベベ
ルエッチングユニット４８でエッチング除去している。After the electrolytic processing is completed, the power source 363 is disconnected and the rotation of the electrode portion 361 and the substrate holding portion 362 is stopped. After that, the substrate W on the substrate holder 362 is moved to the pusher 36a, the substrate on the pusher 36a is transferred to the transfer robot 32, and the bevel etching unit 4
8 is transported. Here, when the power feeding electrode 373 is brought into direct contact with the substrate W, the processing electrode 369 cannot be physically brought close to this portion, so that this portion cannot be processed and is brought into contact with the power feeding electrode 373. The conductive film remains on the part without being processed. Therefore, in this embodiment, the conductive film remaining after the electrolytic processing is removed by etching with the bevel etching unit 48.

【００８１】ベベルエッチングユニット４８において
は、基板Ｗの表面上の不要な銅膜、すなわち電解加工ユ
ニット３６における給電電極（給電部）３７３が基板Ｗ
に接触した部分に残留した銅膜が薬液によりエッチング
除去される。エッチングが終了した基板は、搬送ロボッ
ト３２により洗浄ユニット５０に搬送され、ここで洗浄
される。搬送ロボット３２は洗浄後の基板Ｗを反転機５
２に搬送し、基板Ｗの表面が下を向くよう（フェイスダ
ウン）に基板Ｗを反転させる。反転された基板Ｗは、再
び搬送ロボット３２に渡され、この搬送ロボット３２に
よってＣＭＰユニット３４のプッシャ３４ａまで搬送さ
れ、プッシャ３４ａ上に載置される。このプッシャ３４
ａとＣＭＰユニット３４のトップリング３４４との間で
基板Ｗの受け渡しが行われ、ＣＭＰユニット３４のトッ
プリング３４４に基板Ｗが保持される。In the bevel etching unit 48, the unnecessary copper film on the surface of the substrate W, that is, the power feeding electrode (power feeding portion) 373 in the electrolytic processing unit 36 is the substrate W.
The copper film remaining on the portion in contact with is etched away by the chemical solution. The substrate after the etching is transferred to the cleaning unit 50 by the transfer robot 32 and is cleaned there. The transfer robot 32 uses the reversing machine 5 to clean the substrate W.
Then, the substrate W is conveyed so as to be turned upside down so that the surface of the substrate W faces downward (face down). The inverted substrate W is again passed to the transfer robot 32, transferred to the pusher 34a of the CMP unit 34 by the transfer robot 32, and placed on the pusher 34a. This pusher 34
The substrate W is transferred between the a and the top ring 344 of the CMP unit 34, and the substrate W is held by the top ring 344 of the CMP unit 34.

【００８２】ＣＭＰユニット３４では、化学的・機械的
研磨によって基板Ｗの表面が平坦かつ鏡面状に研磨され
る。上述した電解加工では、基板Ｗの表面にバリア膜５
（図１（ａ）参照）が残る場合があり、ＣＭＰユニット
３４における研磨によってこのバリア膜を除去すること
ができる。また、酸化膜などの絶縁膜２（図１（ａ）参
照）を更に削りたい場合にもこのようなＣＭＰユニット
３４による研磨が有効である。研磨後の基板Ｗは、搬送
ロボット３２により洗浄ユニット４６に搬送され、ここ
で洗浄される。その後、必要に応じて反転機４４又は５
２で基板Ｗを反転させた後、搬送ロボット３２により基
板Ｗをロード・アンロード部３０のカセットに戻す。In the CMP unit 34, the surface of the substrate W is polished to be flat and mirror-like by chemical / mechanical polishing. In the electrolytic processing described above, the barrier film 5 is formed on the surface of the substrate W.
(See FIG. 1A) may remain, and the barrier film can be removed by polishing in the CMP unit 34. Further, when it is desired to further grind the insulating film 2 such as an oxide film (see FIG. 1A), such polishing by the CMP unit 34 is effective. The substrate W after polishing is transferred to the cleaning unit 46 by the transfer robot 32 and is cleaned there. Then, if necessary, the reversing machine 44 or 5
After inverting the substrate W in 2, the substrate W is returned to the cassette of the loading / unloading unit 30 by the transfer robot 32.

【００８３】上述した実施形態では、めっきユニット３
８と電解加工ユニット３６とを別のユニットとして構成
した例を説明したが、これらを一体化して１つのユニッ
トとしてもよい。また、めっきユニット３８やＣＭＰユ
ニット３４、アニールユニット４２はそれぞれ必要に応
じて設けられるものであり、これらを適宜省略して基板
処理装置を構成してもよい。In the embodiment described above, the plating unit 3
Although the example in which 8 and the electrolytic processing unit 36 are configured as separate units has been described, they may be integrated into one unit. Further, the plating unit 38, the CMP unit 34, and the annealing unit 42 are provided as necessary, and these may be appropriately omitted to configure the substrate processing apparatus.

【００８４】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。Although one embodiment of the present invention has been described so far, it is needless to say that the present invention is not limited to the above embodiment and may be implemented in various different forms within the scope of the technical idea thereof.

【００８５】[0085]

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、基板
等の被加工物に物理的な欠陥を与えて被加工物の特性を
損なうことを防止しつつ、電気化学的作用によって、例
えばＣＭＰに代わる電解加工等を施すことができ、これ
によって、ＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処
理の負荷を低減したり、更には基板等の被加工物の表面
に付着した付着物を除去（洗浄）することができる。し
かも、純水又は超純水のみを使用しても基板を加工する
ことができ、これによって、基板の表面に電解質等の余
分な不純物が付着したり、残留したりすることをなくし
て、加工除去加工後の洗浄工程を簡略化できるばかりで
なく、廃液処理の負荷を極めて小さくすることができ
る。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent a physical defect from being imparted to a work piece such as a substrate and impair the characteristics of the work piece. Electrochemical machining instead of CMP can be performed, thereby omitting the CMP process itself, reducing the load of the CMP process, and further removing the deposits attached to the surface of the workpiece such as the substrate ( Can be washed). Moreover, the substrate can be processed by using only pure water or ultrapure water, and thereby, processing can be performed without extra impurities such as electrolyte adhering to or remaining on the surface of the substrate. Not only can the cleaning process after the removal process be simplified, but the load of waste liquid treatment can be made extremely small.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】銅配線基板の一製造例を工程順に示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing an example of manufacturing a copper wiring board in the order of steps.

【図２】加工電極及び給電電極を基板（被加工物）に近
接させ、加工電極及び給電電極と基板（被加工物）との
間に純水又は電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体
を供給するようにしたときの本発明による電解加工の原
理の説明に付する図である。FIG. 2 shows the processing electrode and the feeding electrode close to the substrate (workpiece), and pure water or a liquid having an electric conductivity of 500 μS / cm or less is placed between the processing electrode and the feeding electrode and the substrate (workpiece). It is a figure attached to description of the principle of the electrolytic processing by this invention when it is made to supply.

【図３】加工電極のみにイオン交換体を取り付けて、加
工電極と基板（被加工物）との間に液体を供給するよう
にしたときの本発明による電解加工の原理の説明に付す
る図である。FIG. 3 is a diagram attached to an explanation of the principle of electrolytic processing according to the present invention when an ion exchanger is attached only to a processing electrode and a liquid is supplied between the processing electrode and a substrate (workpiece). Is.

【図４】本発明の一実施形態における基板処理装置の構
成を模式的に示す平面図である。FIG. 4 is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図５】図４に示すめっきユニットを模式的に示す縦断
面図である。5 is a vertical cross-sectional view schematically showing the plating unit shown in FIG.

【図６】図４に示すアニールユニットを模式的に示す縦
断面図である。6 is a vertical cross-sectional view schematically showing the annealing unit shown in FIG.

【図７】図４に示すアニールユニットの水平断面図であ
る。FIG. 7 is a horizontal sectional view of the annealing unit shown in FIG.

【図８】図４に示す電解加工ユニットの構成を示す模式
図である。8 is a schematic diagram showing a configuration of the electrolytic processing unit shown in FIG.

【図９】図８に示す電解加工ユニットの平面図である。9 is a plan view of the electrolytic processing unit shown in FIG.

【図１０】図９に示す再生部においてカチオン交換体を
再生するときの原理の説明に付する図である。FIG. 10 is a diagram attached to an explanation of the principle when regenerating a cation exchanger in the regeneration section shown in FIG. 9.

【図１１】図４に示すベベルエッチングユニットを模式
的に示す縦断面図である。FIG. 11 is a vertical sectional view schematically showing the bevel etching unit shown in FIG.

【図１２】図４に示すＣＭＰユニットを模式的に示す縦
断面図である。FIG. 12 is a vertical sectional view schematically showing the CMP unit shown in FIG.

【図１３】図１３（ａ）は、異なる材料を成膜した基板
の表面に電解加工を施したときに流れる電流と時間の関
係を、図１３（ｂ）は、同じく印加される電圧と時間の
関係をそれぞれ示すグラフである。FIG. 13 (a) shows the relationship between the current and time that flow when electrolytic processing is performed on the surface of a substrate on which different materials are formed, and FIG. 13 (b) shows the same applied voltage and time. 3 is a graph showing the relationship between

【符号の説明】[Explanation of symbols]

６ 銅膜（被加工膜） ７ シード層 １０ 被加工物 １２ａ，１２ｂ イオン交換体 １４ 加工電極 １６ 給電電極 １７ 電源 １８ 超純水 １９ 流体供給部 ２０ 水分子 ２２ 水酸化物イオン ２４ 水素イオン ２６ 反応物質 ３０ ロード・アンロード部 ３２ 搬送ロボット ３４ 化学機械研磨ユニット ３６ 電解加工ユニット ３８ めっきユニット ４０，４６，５０ 洗浄ユニット ４２ アニールユニット ４４，５２ 反転機 ４８ ベベルエッチングユニット ５４ モニタ部 ３４０ 研磨布 ３４２ 研磨テーブル ３４４ トップリング ３４６ 研磨液供給ノズル ３４８ ドレッサー ３６０ アーム ３６１ 電極部 ３６２ 基板保持部 ３６３ 電源 ３６４ 揺動用モータ ３６５ 揺動軸 ３６６ ボールねじ ３６７ 上下動用モータ ３６８ 中空モータ ３６９ 加工電極 ３６９ａ イオン交換体 ３７１ 純水供給管 ３７２ 自転用モータ ３７３ 給電電極 ３７４ 再生部 ３７５ 再生槽 ３８０ めっき液 ３８２ めっき槽 ３８４ 基板保持部 ３８６ 陽極板 ３８８ めっき液噴射管 ３９０ めっき液受け ４２０ ゲート ４２２ チャンバ ４２４ ホットプレート ４２６ クールプレート ４２８ 昇降ピン ４３０ ガス導入管 ４３２ ガス排気管 ４８０ 基板保持部 ４８２ センタノズル ４８４ エッジノズル ４８６ バックノズル ４８８ 防水カバー ４９０ スピンチャック 6 Copper film (work film) 7 Seed layer 10 Workpiece 12a, 12b Ion exchanger 14 Processing electrode 16 Feeding electrode 17 power supply 18 Ultrapure water 19 Fluid supply section 20 water molecules 22 Hydroxide ion 24 hydrogen ion 26 Reactants 30 Load / unload section 32 Transport robot 34 Chemical Mechanical Polishing Unit 36 Electrolytic Machining Unit 38 Plating unit 40,46,50 Cleaning unit 42 Annealing unit 44,52 Reversing machine 48 Bevel etching unit 54 Monitor 340 polishing cloth 342 polishing table 344 Top Ring 346 Polishing liquid supply nozzle 348 dresser 360 arm 361 electrode 362 substrate holder 363 power supply 364 Swing motor 365 swing axis 366 ball screw 367 Vertical movement motor 368 hollow motor 369 machining electrode 369a Ion exchanger 371 Pure water supply pipe 372 Motor for rotation 373 feeding electrode 374 Playback unit 375 Regeneration tank 380 plating solution 382 plating tank 384 Substrate holding unit 386 anode plate 388 Plating solution injection pipe 390 plating solution receiver 420 gate 422 chamber 424 hot plate 426 cool plate 428 Lifting pin 430 gas introduction pipe 432 gas exhaust pipe 480 substrate holder 482 center nozzle 484 edge nozzle 486 back nozzle 488 waterproof cover 490 Spin chuck

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粂川 正行 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 小畠 厳貴 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 5F043 AA26 DD14 DD16 EE02 EE08 EE14 EE30    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Masayuki Kasukawa             11-1 Haneda Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Co., Ltd.             Inside the EBARA CORPORATION (72) Inventor Itsuki Takahata             11-1 Haneda Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Co., Ltd.             Inside the EBARA CORPORATION F-term (reference) 5F043 AA26 DD14 DD16 EE02 EE08                       EE14 EE30

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板を搬出入する基板搬出入部と、 被加工物としての被加工膜が形成された基板の表面に接
触する給電部を有し、該基板の表面を電解加工する電解
加工ユニットと、 前記電解加工ユニットにおける前記給電部との接触部に
残留した基板の表面上の被加工膜をエッチング除去する
エッチングユニットと、 前記被加工膜がエッチング除去された基板の表面を化学
機械研磨する化学機械研磨ユニットと、 基板処理装置内で基板を搬送する搬送装置とを備えたこ
とを特徴とする基板処理装置。1. An electrolytic processing unit that has a substrate loading / unloading unit for loading / unloading a substrate and a power feeding unit in contact with a surface of a substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed, and electrolytically machining the surface of the substrate. An etching unit for etching and removing a film to be processed on the surface of the substrate remaining in a contact portion with the power feeding unit in the electrolytic processing unit; and a chemical mechanical polishing of the surface of the substrate from which the film to be processed is etched and removed. A substrate processing apparatus comprising a chemical mechanical polishing unit and a transfer device for transferring a substrate in the substrate processing apparatus. 【請求項２】 前記電解加工ユニットは、 前記基板に近接自在な加工電極と、 前記基板に給電する給電部としての給電電極と、 前記基板と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも
一方との間に配置されるイオン交換体と、 前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電
源と、 前記イオン交換体が配置された前記基板と加工電極又は
給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給する流体
供給部とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の基
板処理装置。2. The electrolytic processing unit includes: a processing electrode that is proximate to the substrate; a power feeding electrode as a power feeding unit that feeds power to the substrate; and the substrate and at least one of the processing electrode and the power feeding electrode. An ion exchanger disposed between the processing electrode and the power supply electrode, and a power source for applying a voltage between the processing electrode and the power supply electrode, and between the substrate on which the ion exchanger is disposed and at least one of the processing electrode and the power supply electrode. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a fluid supply unit configured to supply a fluid. 【請求項３】 基板を搬出入する基板搬出入部と、 被加工物としての被加工膜が形成された基板の表面に接
触する給電部を有し、該基板の表面を電解加工する電解
加工ユニットと、 前記電解加工ユニットにおける前記給電部との接触部に
残留した基板の表面上の被加工膜をエッチング除去する
エッチングユニットと、 基板処理装置内で基板を搬送する搬送装置とを備え、 前記電解加工ユニットは、 前記基板に近接自在な加工電極と、 前記基板に給電する給電部としての給電電極と、 前記基板と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも
一方との間に配置されるイオン交換体と、 前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する電
源と、 前記イオン交換体が配置された前記基板と加工電極又は
給電電極の少なくとも一方との間に純水又は電気伝導度
が５００μＳ／ｃｍ以下の液体を供給する流体供給部と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。3. An electrolytic processing unit for electrolytically processing the surface of a substrate, which has a substrate loading / unloading unit for loading / unloading a substrate and a power feeding unit in contact with the surface of the substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed. And an etching unit for etching and removing a film to be processed on the surface of the substrate remaining at the contact portion with the power feeding unit in the electrolytic processing unit, and a transfer device for transferring the substrate in the substrate processing apparatus, The processing unit includes a processing electrode that can be brought close to the substrate, a power supply electrode as a power supply unit that supplies power to the substrate, and an ion exchanger disposed between the substrate and at least one of the processing electrode and the power supply electrode. A power source for applying a voltage between the processing electrode and the power feeding electrode, and pure water between the substrate on which the ion exchanger is disposed and at least one of the processing electrode and the power feeding electrode Alternatively, the substrate processing apparatus is provided with a fluid supply unit that supplies a liquid having an electrical conductivity of 500 μS / cm or less. 【請求項４】 前記被加工膜がエッチング除去された基
板の表面を化学機械研磨する化学機械研磨ユニットを更
に備えたことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装
置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a chemical mechanical polishing unit that chemically mechanically polishes the surface of the substrate from which the film to be processed is removed by etching. 【請求項５】 前記基板の表面に被加工物としての被加
工膜を形成する成膜ユニットを更に備えたことを特徴と
する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装
置。5. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a film forming unit that forms a film to be processed as a workpiece on the surface of the substrate. 【請求項６】 前記成膜ユニットは、前記基板の表面に
めっき処理を行うめっきユニットであることを特徴とす
る請求項５に記載の基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the film forming unit is a plating unit that performs a plating process on the surface of the substrate. 【請求項７】 前記成膜ユニットの処理後の基板に対し
てアニール処理を行うアニールユニットを更に備えたこ
とを特徴とする請求項５又は６に記載の基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising an annealing unit that performs an annealing process on the substrate that has been processed by the film forming unit. 【請求項８】 前記基板の洗浄を行う洗浄ユニットを更
に備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一
項に記載の基板処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a cleaning unit that cleans the substrate. 【請求項９】 被加工物としての被加工膜が形成された
基板の表面に給電部を接触させて該基板の表面を電解加
工し、 前記電解加工後に前記給電部との接触部に残留した基板
の表面上の被加工膜をエッチング除去し、 前記エッチング除去後の基板の表面を化学機械研磨する
ことを特徴とする基板処理方法。9. A surface of a substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed is brought into contact with a surface of a substrate for electrolytic processing, and the surface of the substrate is electrolytically processed, and remains after the electrolytic processing at a contact portion with the power supply unit. A method for treating a substrate, characterized in that the film to be processed on the surface of the substrate is removed by etching, and the surface of the substrate after the etching is removed by chemical mechanical polishing. 【請求項１０】 前記電解加工は、 前記基板に給電部としての給電電極により給電しながら
加工電極を近接させ、 前記基板と前記加工電極又は前記給電電極の少なくとも
一方との間にイオン交換体を配置し、 前記イオン交換体が配置された前記基板と加工電極又は
給電電極の少なくとも一方との間に流体を供給し、 前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加しつつ
電解加工を行うことを特徴とする請求項９に記載の基板
処理方法。10. In the electrolytic processing, the processing electrode is brought close to the substrate while supplying power to the substrate with a power supply electrode as a power supply unit, and an ion exchanger is provided between the substrate and at least one of the processing electrode and the power supply electrode. Placed, supplying a fluid between the substrate on which the ion exchanger is placed and at least one of the processing electrode or the feeding electrode, and performing electrolytic processing while applying a voltage between the processing electrode and the feeding electrode. The substrate processing method according to claim 9, which is performed. 【請求項１１】 被加工物としての被加工膜が形成され
た基板に給電部としての給電電極により給電しながら加
工電極を近接させ、前記基板と前記加工電極又は前記給
電電極の少なくとも一方との間にイオン交換体を配置
し、前記イオン交換体が配置された前記基板と加工電極
又は給電電極の少なくとも一方との間に純水又は電気伝
導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体を供給し、前記加工
電極と前記給電電極との間に電圧を印加しつつ前記基板
の表面を電解加工し、 前記電解加工後に前記給電部との接触部に残留した基板
の表面上の被加工膜をエッチング除去することを特徴と
する基板処理方法。11. A processing electrode is brought close to the substrate on which a film to be processed as a workpiece is formed by a power feeding electrode as a power feeding portion, and the substrate and at least one of the processing electrode and the power feeding electrode are provided. An ion exchanger is arranged in between, and pure water or a liquid having an electric conductivity of 500 μS / cm or less is supplied between the substrate on which the ion exchanger is arranged and at least one of the processing electrode and the feeding electrode, The surface of the substrate is electrolytically processed while applying a voltage between the processing electrode and the power feeding electrode, and the film to be processed on the surface of the substrate remaining in the contact portion with the power feeding portion after the electrolytic processing is removed by etching. A substrate processing method characterized by the above. 【請求項１２】 前記エッチング除去後の基板の表面を
化学機械研磨することを特徴とする請求項１１に記載の
基板処理方法。12. The substrate processing method according to claim 11, wherein the surface of the substrate after the etching is chemically mechanically polished. 【請求項１３】 前記電解加工前に前記基板の表面に被
加工物としての被加工膜を形成することを特徴とする請
求項９乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。13. The substrate processing method according to claim 9, wherein a film to be processed as a workpiece is formed on the surface of the substrate before the electrolytic processing.
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CN102891104B (en) * 2012-09-17 2015-07-29 上海华力微电子有限公司 A kind of method improving Cu CMP efficiency
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CN104862772B (en) * 2014-02-26 2018-09-04 盛美半导体设备（上海）有限公司 Electrochemical polish apparatus and method
CN111020587B8 (en) * 2019-12-23 2022-03-15 清远鸿闰表面处理技术有限公司 Deplating liquid for removing nickel layer on copper surface and deplating process thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007123523A (en) * 2005-10-27 2007-05-17 Ebara Corp Polishing method, polishing device, and electrolytic polishing device

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