JP3960633B2 - Film thickness control method and apparatus - Google Patents
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Description
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置、液晶表示装置の作成に際して使用される、レジスト膜厚制御方法および装置に関する。
【０００２】
半導体集積回路装置、液晶表示装置の作成において、リソグラフィ工程を行うために基板へのレジスト塗布が必要である。この時、塗布されたレジスト膜厚が異なると最終的な回路の寸法が変化するため、レジスト膜厚は所定の範囲内に制御されなければならない。現状では、ウェハー面間のレジスト膜厚のばらつきは２０オングストローム以下にすることが要求されている。
また、レジストメーカー、デバイスメーカー等では、レジスト膜厚を変化させてレジストの特性評価を実施しているので、所定の膜厚のサンプルを精度よく作成する必要がある。
レジスト膜厚は塗布環境が同じであれば、スピン塗布の場合には最終スピン回転数により決定される。このため、オペレーターは、ある回転数で塗布し、次いで、膜厚測定装置で塗布膜厚を測定し、所望のレジスト膜厚になるようにトライアンドエラーで回転数の調整を行ってきた。
しかし、同一の回転数で塗布を行っても、上記の「ウェハー面間のレジスト膜厚のばらつきが２０オングストローム以下」という要求を満足するためには、温度が０．１℃以内、湿度が０．５％以内の範囲内にあることが必要とされる。しかし、塗布環境を厳密にコントロールしても、温度や湿度を常時前記の範囲内に保つことは困難であり、その日の温度や湿度に合わせて毎日スピン回転数を調節しなければならなかったのが実情であった。
本発明は、オペレーターが膜厚を測定し、所望の膜厚が得られるよう回転数を調整しなければならないという現在の現状の問題点を解決し、所望のレジスト膜厚、枚数を入力するだけで、レジスト膜厚測定、回転数調整を全自動で行う方法およびそのための装置を提供する。
【０００３】
本発明は、レジスト塗布工程において、塗布工程中にリアルタイムで膜厚を測定し、反射強度測定法、リアルタイム測定法のいずれかの方法によりスピン回転数又はロールの回転数をリアルタイムで補正する膜厚制御方法を提供する。
塗布工程中にリアルタイムで膜厚を測定して膜厚を制御する方法としては、以下の方法が好ましい。
【０００４】
リアルタイムレジスト膜厚測定補正法
ａ） 反射強度測定によるリアルタイム膜厚測定における回転数調整（反射強度測定法）
反射強度測定により膜厚を検出する技術は公知であり、たとえば、特開平２−６３０６１号において本発明者らが開示しているように、レジスト上面から光を照射し、検出したその反射光の強度変化をモニターして、反射光強度の最後の極小点までの時間（ＣＰＴ）を検出し、この時間の多項式として塗布時間を決定する方法が知られている。
この方法では、ＣＰＴ検出時間が長くなればなるほどレジスト膜厚は薄くなる。ＣＰＴ検出時間と最終レジスト膜厚の関係を予め求めておき、反射強度を測定することによりＣＰＴを検出し、リアルタイムで膜厚測定をし、所望するレジスト膜厚となるようにリアルタイムでスピン塗布回転数を調整する。スピン時間はレジスト膜厚を決定するパラメータとはならないので回転数のみを考慮すれば膜厚を調製することができる。
【０００５】
ｂ） 直接リアルタイムレジスト膜厚測定における回転数調整（リアルタイム測定法）
この方法においては、スピン回転中の基板上のレジスト膜厚を直接非接触で測定する。そして、その時のレジストの測定膜厚とベーク後の最終レジスト膜厚の関係を予め求めておいて、所望するレジスト膜厚となるように、リアルタイムで膜厚測定を行いながらスピン塗布回転数を増大させ、所望の膜厚となった時にスピン回転を停止する。
【０００６】
インラインレジスト膜厚測定補正法
本発明はさらに、レジスト塗布工程において、ベーク後にレジストの膜厚を測定し、反射強度測定法、または後述の検量線法によりスピン回転数又はロールの回転数を次の基板に対してインライン補正する膜厚制御方法を提供する。
上記の方法においては、リアルタイムで膜厚を測定しスピン回転数を制御したが、この方法ではベーク後にレジストの膜厚を測定し、次の基板に対してインライン補正することにより膜厚を制御する。ベーク後の実測膜厚に基づいて補正を行うので、より高精度の制御を行うことができる。
また、前述のリアルタイムでの膜厚制御方法における塗布終了点の決定条件に対し、上記の方法でインライン補正を行うと、より迅速かつ高精度な制御を行うことができる。
【０００７】
検量線法によるレジスト膜厚測定補正法
さらに本発明は、予め作成した検量線を膜厚測定の結果に基づいて補正し、補正された検量線に基づいてスピン回転数又はロールの回転数を制御する膜厚制御方法を提供する。この方法によれば、同日におけるウェハー膜厚のバラツキだけでなく、温度・湿度などの環境条件の異なる長期間にわたるェハー膜厚のバラツキをも制御することができる。
補正・制御は以下の検量線法により行うことができる。
コーティングの処理フローを図１に示す。回転数Ｓ1，Ｓ2、Ｓ3，．．．．Ｓn（単位ｒｐｍ：サンプリング数は任意に決定できる）で塗布し、ベーク処理後にレジスト膜厚を測定する。この測定データを（スピン回転数と膜厚）を対数グラフにプロットして、以下の式に近似して検量線とする。
Ｓ＝ａ・Ｔb・ωc・ｔd （１）
Ｓ：基板回転数
Ｔ：レジスト膜厚
ω：レジスト粘度
ｔ：環境パラメータ
ａ，ｂ，ｃ，ｄ：定数
【０００８】
次いで、所望するレジスト膜厚Ｔを式（１）に代入すれば、その基板回転数Ｓが求められる。粘度パラメータηは環境パラメータと考えることもできる。この検量線をコンピュータに保存しておき、呼出して補正して使うことができる。そうすれば異なる日に同じサンプルを塗布する場合、保存しておいた検量線を用いて所望の膜厚になる基板回転数を求めることができる。さらに、塗布室内の温度の変化等の環境パラメータが変化する可能性がある。そこで、環境パラメータのみ再度補正して塗布を行えばより精度の高い塗布が可能となる。基板回転数とレジスト膜厚の関係を示す式に環境パラメータを変数として導入することは新規であり、このパラメータを設けることにより経日による検量線の変化を定量化し、迅速に補正することができるようになった。また、環境パラメータは別途モニターすることが可能であり、かかるパラメータを導入することにより、あらゆる種類のレジストに対して式を（１）を適用することができ、より普遍的な膜厚制御方法を開発することができたのである。
また、ローラー塗布による場合も上記（１）式と同様の式により検量線の作成および補正を行うことができる。
【０００９】
具体的には、以下の手法により行われる。
１）１ないし２のサンプルを適当な回転数で塗布し、ベーク後にレジスト膜厚を測定する。
２）測定結果を保存しておいた検量線の結果と比較する。
３）測定結果と検量線が合うように、検量線の環境パラメータｔを調整し、検量線のシフト量を決定する。この操作は図１に示された微調整機能に当たる。また、新しい検量線をコンピュータに保存することができる。
４）新しい検量線に所望するレジスト膜厚を入力し、得られた基板回転数でレジストを塗布する。
上記の操作を行うことにより、より精度の高いレジスト塗布が可能となる。
クリーンルーム中でも、その日により温度および湿度が若干変動するので、その日の最初に数枚レジスト塗布を行い、その膜厚をチェックすることにより環境パラメータを決定し、それに基づいて検量線をシフトさせ、得られた検量線に従って膜厚を決定制御すれば、迅速に所望の膜厚のレジストの塗布条件が決定できる。
上記の検量線法により経日間の制御を行い、前述のリアルタイム補正法やインライン補正法により同日間のウェハー膜厚のバラツキを制御するのが最も好ましい制御方法である。
【００１０】
さらに本発明は、上記の膜厚制御方法を実施するために好適な装置も提供する。
すなわち本発明は、レジスト塗布ユニット、ベークユニット、膜厚測定ユニットを有し、該膜厚測定ユニットが、レジスト塗布ユニットにおけるレジスト塗布工程中、およびベーク後のレジスト膜厚を測定でき、測定された膜厚に基づいて、反射強度測定法、リアルタイム測定法、検量線法のいずれかの方法により塗布ユニットのスピン回転数又はロールの回転数を制御する膜厚制御装置を提供する。
【００１１】
本発明にかかる装置の具体的な構成例を図２に示す。
装置は主として塗布ユニット、ベークユニット、膜厚測定ユニットから構成される。たとえば、図２の装置においては、スピナーカップ５にレジストをディスペンサー６，７，８から供給し、塗布ユニットにより塗布し、塗布終了後、レジストはベークユニット内で加熱硬化される。レジスト膜厚は塗布ユニット内において、またはベーク処理後に、膜厚測定ユニットにより測定することができる。
塗布ユニット、ベークユニット、および膜厚測定ユニットは、公知のものを使用することができる。本発明の装置は、個々のユニットに特徴があるのではなく、測定された膜厚に基づいて、反射強度測定法、リアルタイム測定法、検量線法のいずれかの方法により塗布ユニットのスピン回転数又はロールの回転数を制御できるように、各ユニットが関連づけられている点に特徴を有する。すなわち、反射強度測定法およびリアルタイム測定法においては、膜厚の測定手段と塗布ユニットが、膜厚測定データを処理し、、その結果に基づき塗布ユニットを制御するコンピュータにより結ばれている。また、検量線法においては、検量線のデータと所望の膜厚との関連から、一定時間で作動を停止するように制御するコンピュータが塗布ユニットと結ばれている。
以下、実施例により本発明を説明する。これらの実施例は例示であり、本発明の範囲を何等制限するものではない。
【００１２】
実施例１
本実施例は検量線測定法の実施例である。
図３に、東京応化工業社製ポジ型ホトレジストＯＦＰＲ−８００（粘度３５ｃｐ）を使用した場合の、基板回転数とレジスト膜厚の関係を示す。
測定結果より、式（１）における各係数、ａ，ｂ，ｃ，およびｄを決定した。
Ｓ＝ａ・Ｔb・ωc・ｔd （１）
Ｓ：基板回転数
Ｔ：レジスト膜厚
ω：レジスト粘度
ｔ：環境パラメータ
ａ，ｂ，ｃ，ｄ：定数
ωのレジスト粘度としては３５ｃｐを、ｔの環境パラメータとしてはカップ内温度２３．５℃を使用した。
得られた各係数は以下の通りであった。
ａ＝０．９７７０２ｘ１０-1
ｂ＝−１．８４１５８
ｃ＝７．４４９９２
ｄ＝４．６６２５３ｘ１０-1
上記の各係数の値を使用して、所望膜厚と実測膜厚との関係を調べた結果を図４に示す。所望膜厚と実際に得られた膜厚とが非常によい相関を示すことがわかる。
【００１３】
実施例２
本実施例は反射強度測定法の実施例である。
回転するウェハー上部５０ｍｍのところに膜厚測定用プローブを置き、レジスト塗布中のウェハーに光を当て反射強度を測定した。
図５にスピン回転中のレジスト塗布基板における反射強度の時間的変化を示す。ここでは最後の谷をＣＰＴとして検出した。
図６にＣＰＴと最終レジスト膜厚の関係を示す。使用レジストは東京応化工業社製ポジ型ホトレジストＯＦＰＲ−８００（粘度２０ｃｐ）であり、スピン回転数は３０００ｒｐｍであった。この結果よりＣＰＴを測定することにより最終レジスト膜厚を予測できることがわかる。さらに回転数を調整することにより所望の膜厚に調整することが可能である。表１に５秒間、表示の回転数で追加の回転を行った時に得られた最終膜厚を測定した。実験結果を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【図１】コーティングの処理フローを示す図である。
【図２】本発明にかかる装置の具体的な構成例を示す図である。
【図３】基板回転数とレジスト膜厚の関係を示す図である。
【図４】実施例１における、所望膜厚と実測膜厚との関係を示す図である。
【図５】実施例２における、スピン回転中のレジスト塗布基板における反射強度の時間的変化を示す図である。
【図６】実施例２における、ＣＰＴと最終レジスト膜厚の関係を示す図である。
【符号の説明】
１：ホットプレートベーク
２：膜厚測定装置
３：ロボットアーム
４：ローダー兼アンローダー
５：スピナーカップ
６：レジストディスペンサー 系統１
７：レジストディスペンサー 系統２
８：レジストディスペンサー 系統３
９：ＰＣ、ＣＲＴ、プリンター[0001]
The present invention relates to a resist film thickness control method and apparatus used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device and a liquid crystal display device.
[0002]
In the production of a semiconductor integrated circuit device and a liquid crystal display device, it is necessary to apply a resist to the substrate in order to perform a lithography process. At this time, if the applied resist film thickness is different, the final circuit dimensions change, so the resist film thickness must be controlled within a predetermined range. At present, the resist film thickness variation between wafer surfaces is required to be 20 angstroms or less.
In addition, since resist manufacturers, device manufacturers, and the like perform resist characteristic evaluation by changing the resist film thickness, it is necessary to accurately prepare a sample having a predetermined film thickness.
If the coating environment is the same, the resist film thickness is determined by the final spin speed in the case of spin coating. For this reason, the operator has applied at a certain number of revolutions, then measured the coating film thickness with a film thickness measuring device, and adjusted the number of revolutions by trial and error so as to obtain a desired resist film thickness.
However, even if coating is performed at the same rotational speed, in order to satisfy the above-described requirement that “the variation in resist film thickness between wafer surfaces is 20 angstroms or less”, the temperature is within 0.1 ° C. and the humidity is 0. It is required to be within the range of 5%. However, even if the application environment is strictly controlled, it is difficult to always keep the temperature and humidity within the above ranges, and the spin speed must be adjusted every day according to the temperature and humidity of the day. Was the actual situation.
The present invention solves the current problem that the operator has to measure the film thickness and adjust the rotation speed to obtain the desired film thickness, and only inputs the desired resist film thickness and number of sheets. Thus, a method and a device for performing resist film thickness measurement and rotation speed adjustment fully automatically are provided.
[0003]
In the resist coating process, the present invention measures the film thickness in real time during the coating process, and corrects the spin rotation speed or roll rotation speed in real time by either the reflection intensity measurement method or the real-time measurement method. Provide a control method.
As a method for controlling the film thickness by measuring the film thickness in real time during the coating process, the following method is preferable.
[0004]
Real-time resist film thickness measurement correction method a) Rotational speed adjustment in real-time film thickness measurement by reflection intensity measurement (reflection intensity measurement method)
A technique for detecting the film thickness by reflection intensity measurement is known. For example, as disclosed by the present inventors in JP-A-2-63061, light is irradiated from the resist upper surface, and the detected reflected light is detected. A method is known in which the change in intensity is monitored, the time (CPT) until the last minimum point of the reflected light intensity is detected, and the coating time is determined as a polynomial of this time.
In this method, the resist film thickness decreases as the CPT detection time increases. The relationship between CPT detection time and final resist film thickness is obtained in advance, CPT is detected by measuring reflection intensity, film thickness is measured in real time, and spin coating rotation is performed in real time so that the desired resist film thickness is obtained. Adjust the number. Since the spin time is not a parameter for determining the resist film thickness, the film thickness can be adjusted by considering only the rotation speed.
[0005]
b) Rotational speed adjustment in direct real-time resist film thickness measurement (real-time measurement method)
In this method, the resist film thickness on the substrate during spin rotation is directly measured in a non-contact manner. Then, the relationship between the measured film thickness of the resist at that time and the final resist film thickness after baking is obtained in advance, and the spin coating rotation speed is increased while measuring the film thickness in real time so that the desired resist film thickness is obtained. The spin rotation is stopped when the desired film thickness is obtained.
[0006]
In-line resist film thickness measurement correction method The present invention further measures the resist film thickness after baking in the resist coating process, and determines the spin rotation speed or roll rotation speed by the reflection intensity measurement method or the calibration curve method described below. Provided is a film thickness control method for performing inline correction on a substrate.
In the above method, the film thickness is measured in real time and the spin rotation speed is controlled. In this method, the film thickness of the resist is measured after baking, and the film thickness is controlled by in-line correction with respect to the next substrate. . Since correction is performed based on the actually measured film thickness after baking, more accurate control can be performed.
In addition, when in-line correction is performed by the above-described method with respect to the condition for determining the coating end point in the above-described real-time film thickness control method, more rapid and highly accurate control can be performed.
[0007]
Method for correcting resist film thickness measurement by calibration curve method Further, the present invention corrects a calibration curve prepared in advance based on the result of film thickness measurement, and controls the spin rotation speed or roll rotation speed based on the corrected calibration curve. A film thickness control method is provided. According to this method, it is possible to control not only the wafer film thickness variation on the same day but also the wafer film thickness variation over a long period of time with different environmental conditions such as temperature and humidity.
Correction and control can be performed by the following calibration curve method.
The coating process flow is shown in FIG. The rotational speeds S 1 , S 2 , S 3 ,. . . . S n (Unit rpm: sampling number can be arbitrarily determined) is applied by, measuring the resist film thickness after baking. The measurement data (spin rotation speed and film thickness) are plotted on a logarithmic graph, and a calibration curve is obtained by approximating the following equation.
S = a · T b · ω c · t d (1)
S: substrate rotation speed T: resist film thickness ω: resist viscosity t: environmental parameters a, b, c, d: constants
Next, if the desired resist film thickness T is substituted into equation (1), the substrate rotation speed S is obtained. The viscosity parameter η can also be considered as an environmental parameter. This calibration curve can be saved in a computer and recalled for use. Then, when the same sample is applied on different days, it is possible to obtain the number of substrate rotations that achieve a desired film thickness using a stored calibration curve. Furthermore, environmental parameters such as changes in temperature in the coating chamber may change. Therefore, more accurate application is possible if only environmental parameters are corrected again and application is performed. It is novel to introduce environmental parameters as variables in the formula showing the relationship between the substrate rotation speed and resist film thickness. By providing these parameters, changes in the calibration curve over time can be quantified and corrected quickly. It became so. In addition, environmental parameters can be monitored separately. By introducing such parameters, the equation (1) can be applied to all types of resists, and a more universal film thickness control method can be applied. It was possible to develop.
Also, in the case of roller coating, a calibration curve can be created and corrected by the same formula as the above formula (1).
[0009]
Specifically, the following method is used.
1)
2) Compare the measurement results with the stored calibration curve results.
3) The environmental parameter t of the calibration curve is adjusted so that the measurement result matches the calibration curve, and the shift amount of the calibration curve is determined. This operation corresponds to the fine adjustment function shown in FIG. A new calibration curve can be stored in the computer.
4) A desired resist film thickness is input to a new calibration curve, and the resist is applied at the obtained substrate rotation speed.
By performing the above operation, more accurate resist coating can be performed.
Even in a clean room, the temperature and humidity vary slightly from day to day. Apply several resists at the beginning of the day, determine the environmental parameters by checking the film thickness, and shift the calibration curve accordingly. If the film thickness is determined and controlled according to the calibration curve, it is possible to quickly determine the resist coating conditions of a desired film thickness.
The most preferable control method is to control the passage of time by the above calibration curve method and to control the variation of the wafer film thickness of the same day by the above-mentioned real-time correction method or in-line correction method.
[0010]
Furthermore, the present invention also provides an apparatus suitable for carrying out the above film thickness control method.
That is, the present invention has a resist coating unit, a baking unit, and a film thickness measuring unit, and the film thickness measuring unit can measure and measure the resist film thickness during and after the resist coating process in the resist coating unit. Provided is a film thickness control device that controls the spin rotation speed of a coating unit or the rotation speed of a roll by any one of a reflection intensity measurement method, a real-time measurement method, and a calibration curve method based on the film thickness.
[0011]
A specific configuration example of the apparatus according to the present invention is shown in FIG.
The apparatus mainly includes a coating unit, a bake unit, and a film thickness measurement unit. For example, in the apparatus of FIG. 2, a resist is supplied to the
A well-known thing can be used for a coating unit, a bake unit, and a film thickness measurement unit. The apparatus of the present invention is not characterized by individual units, but based on the measured film thickness, the spin rotation speed of the coating unit by any of the reflection intensity measurement method, real-time measurement method, and calibration curve method. Alternatively, each unit is associated with each other so that the number of rotations of the roll can be controlled. That is, in the reflection intensity measurement method and the real-time measurement method, the film thickness measurement means and the coating unit are connected by a computer that processes the film thickness measurement data and controls the coating unit based on the result. In the calibration curve method, a computer for controlling the operation to be stopped in a certain time is connected to the coating unit from the relationship between the calibration curve data and the desired film thickness.
Hereinafter, the present invention will be described by way of examples. These examples are illustrative and do not limit the scope of the invention in any way.
[0012]
Example 1
This example is an example of a calibration curve measurement method.
FIG. 3 shows the relationship between the substrate rotation speed and the resist film thickness when a positive photoresist OFPR-800 (viscosity 35 cp) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is used.
From the measurement results, the coefficients, a, b, c, and d in Equation (1) were determined.
S = a · T b · ω c · t d (1)
S: Substrate rotation speed T: Resist film thickness ω: Resist viscosity t: Environmental parameters a, b, c, d: The resist viscosity of the constant ω is 35 cp, and the environmental temperature parameter t is 23.5 ° C. in the cup. used.
The obtained coefficients were as follows.
a = 0.970702 × 10 −1
b = -1.84158
c = 7.44992
d = 4.666253 × 10 −1
FIG. 4 shows the results of examining the relationship between the desired film thickness and the actually measured film thickness using the values of the above coefficients. It can be seen that the desired film thickness and the actually obtained film thickness show a very good correlation.
[0013]
Example 2
This embodiment is an embodiment of a reflection intensity measurement method.
A film thickness measurement probe was placed 50 mm above the rotating wafer, and the reflection intensity was measured by applying light to the wafer being coated with resist.
FIG. 5 shows the temporal change in the reflection intensity on the resist-coated substrate during spin rotation. Here, the last valley was detected as CPT.
FIG. 6 shows the relationship between CPT and the final resist film thickness. The resist used was a positive photoresist OFPR-800 (
[0014]
[Table 1]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a coating processing flow.
FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration example of an apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a substrate rotation speed and a resist film thickness.
4 is a graph showing a relationship between a desired film thickness and an actually measured film thickness in Example 1. FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a temporal change in reflection intensity on a resist-coated substrate during spin rotation in Example 2.
6 is a graph showing the relationship between CPT and final resist film thickness in Example 2. FIG.
[Explanation of symbols]
1: Hot plate bake 2: Film thickness measuring device 3: Robot arm 4: Loader / unloader 5: Spinner cup 6: Resist dispenser System 1
7: Resist
8: Resist dispenser system 3
9: PC, CRT, printer
Claims (3)
Ｓ＝ａ・Ｔ ｂ ・ω ｃ ・ｔ ｄ
Ｓ：基板回転数
Ｔ：レジスト膜厚
ω：レジスト粘度
ｔ：環境パラメータ
ａ，ｂ，ｃ，ｄ：定数。 In the resist coating step, the film thickness of the resist is measured after baking, and the film thickness is controlled in-line with respect to the next substrate by the calibration curve method , and the calibration curve is as follows. The method represented by the formula:
S = a · T b · ω c · t d
S: substrate rotation speed
T: Resist film thickness
ω: Resist viscosity
t: Environmental parameter
a, b, c, d: constants.
Ｓ＝ａ・Ｔ ｂ ・ω ｃ ・ｔ ｄ
Ｓ：基板回転数
Ｔ：レジスト膜厚
ω：レジスト粘度
ｔ：環境パラメータ
ａ，ｂ，ｃ，ｄ：定数。 A calibration curve indicating the relationship between the spin rotation speed or roll rotation speed and the resist film thickness created in advance is corrected based on the film thickness measurement result, and the spin rotation speed or roll rotation is corrected based on the corrected calibration curve. A film thickness control method for controlling the number , wherein the calibration curve is represented by the following formula:
S = a · T b · ω c · t d
S: substrate rotation speed
T: Resist film thickness
ω: Resist viscosity
t: Environmental parameter
a, b, c, d: constants.
Ｓ＝ａ・Ｔ ｂ ・ω ｃ ・ｔ ｄ
Ｓ：基板回転数
Ｔ：レジスト膜厚
ω：レジスト粘度
ｔ：環境パラメータ
ａ，ｂ，ｃ，ｄ：定数。 It has a resist coating unit, a bake unit, and a film thickness measurement unit. The film thickness measurement unit can measure the resist film thickness during and after the resist coating process in the resist coating unit, and based on the measured film thickness. A film thickness control device for controlling the spin rotation speed or roll rotation speed of the coating unit by a calibration curve method , wherein the calibration curve is represented by the following formula:
S = a · T b · ω c · t d
S: substrate rotation speed
T: Resist film thickness
ω: Resist viscosity
t: Environmental parameter
a, b, c, d: constants.
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1995
- 1995-02-27 JP JP06152095A patent/JP3960633B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH08236430A (en) | 1996-09-13 |
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