JP3951765B2 - Chamber device operating method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same - Google Patents

Chamber device operating method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same Download PDF

Info

Publication number
JP3951765B2
JP3951765B2 JP2002078721A JP2002078721A JP3951765B2 JP 3951765 B2 JP3951765 B2 JP 3951765B2 JP 2002078721 A JP2002078721 A JP 2002078721A JP 2002078721 A JP2002078721 A JP 2002078721A JP 3951765 B2 JP3951765 B2 JP 3951765B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
organic
inert gas
substrate
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002078721A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003272846A (en
Inventor
高之 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2002078721A priority Critical patent/JP3951765B2/en
Publication of JP2003272846A publication Critical patent/JP2003272846A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3951765B2 publication Critical patent/JP3951765B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Ink Jet (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置の運転方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機EL装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行う半導体製造装置等に用いられるチャンバ装置では、不活性ガスの雰囲気を維持すべく、シールを強化して不活性ガスの漏れ(リーク)を極力少なくするようにしている。また、不活性ガスの温度調節を行う場合には、温度調節装置を不活性ガスの循環経路に配設して、不活性ガスを循環させることで行うようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このような、従来のチャンバ装置では、シール部分からの外部への不活性ガスのリークや内部への水分の透過等により、雰囲気中の酸素濃度や水分濃度を低濃度に維持することが難しい問題がある。また、ワーク処理に溶剤等を用いる場合には、雰囲気中の溶剤濃度が上がり装置自体に悪影響を及ぼす問題も想定される。
【0004】
本発明は、チャンバルーム内を安定且つ新鮮な不活性ガスの雰囲気に維持することができるチャンバ装置の運転方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機EL装置を提供することを課題としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明のチャンバ装置の運転方法は、不活性ガスの送気口による補給および排気口による排気を連続させて、ワーク処理を行うチャンバルーム内に不活性ガスの雰囲気を構成するチャンバ装置の運転方法であって、チャンバルームは略直方体形状を有し、不活性ガスの補給を、排気口から離間すると共にチャンバルーム内の複数の隅部に設けた複数の送気口から行うことを特徴とする。
【0006】
この構成によれば、チャンバルーム内に不活性ガスの雰囲気が、常に新鮮な不活性ガスの補給とそれに見合う雰囲気の排気とで、構成されるため、チャンバルーム内を常に新鮮な不活性ガスで満たすことができる。また、不活性ガスの補給量を調整することで、雰囲気の温度や酸素濃度および水分濃度等を容易に調節することができる。
また、チャンバルーム内を不活性ガスが一様に流れ、チャンバルーム内に、いわゆるガス溜りが生じ難く、雰囲気を常に新鮮な不活性ガスに円滑に且つ連続的に置換することができる。
【0011】
これらの場合、大気圧に対し、チャンバルーム内が正圧に保たれることが、好ましい。
【0012】
この構成によれば、チャンバルーム内の雰囲気を構成する不活性ガスが、シール(エアータイト)部分から外部に漏れることがあっても、外部の大気がチャンバルーム内に侵入するのを確実に防止することができる。なお、チャンバルーム内の正圧を維持するために、不活性ガスの補強をファン等により強制的に行うことが好ましい。
【0013】
本発明のチャンバ装置は、上記したチャンバ装置の運転方法を実施することを特徴とする。
【0035】
本発明の電気光学装置は、上記したチャンバ装置と、チャンバ装置に収容したワーク処理装置と、を備えたことを特徴とする。
そして、ワーク処理装置が、有機EL装置の製造装置であることが、好ましい。
【0036】
この構成によれば、新鮮な不活性ガスの雰囲気中でワーク処理を行うことができ、ワーク処理(有機EL装置の製造)における信頼性および品質を高レベルに維持することができる。
【0037】
この場合、有機EL装置の製造装置が、ワークである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査し、発光機能材料を選択的に吐出して基板上の多数の画素領域に有機EL機能層を形成する液滴吐出装置を有していることが、好ましい。
【0038】
有機ELにおける発光機能材料は、大気(酸素および水分)との接触により変質や損傷が生じやすい。この構成によれば、発光機能材料の吐出して有機EL機能層を形成する工程を、新鮮な不活性ガスの雰囲気中で行うことができるため、発光機能材料の変質や損傷を有効に防止することができる。また、発光機能材料から気化した溶剤等を速やかに排気することができる。なお、不活性ガスとしては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンのいずれかであることが、好ましい。
【0039】
この場合、有機EL機能層が、EL発光層および正孔注入層のうち少なくともEL発光層であることが、好ましい。
【0040】
この構成によれば、有機EL装置における発光機能の主体を為す部分を、機能液滴吐出ヘッドで形成することができるため、より微小な画素を且つ精度良く形成することができ、高解像で且つ高画質の有機EL装置を製造することができる。
【0041】
これらの場合、ファンによるワーク処理エリアにおける気流が、機能液滴吐出ヘッドから吐出した発光機能材料に飛行曲がりを生じない速度に調整されていることが、好ましい。
【0042】
この構成によれば、機能液滴吐出ヘッドによる発光機能材料の吐出が、不活性ガスの気流により乱されることがなく、発光機能材料を基板の画素領域に精度良く着弾させることができる。したがって、高品質の有機EL装置を製造することができる。
【0043】
本発明の有機EL装置は、上記した電気光学装置により製造されたことを特徴とする。
【0044】
この構成によれば、高い品質と高い歩留まりの有機EL装置を、低コストで提供することができる。
【0045】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。インクジェットプリンタのインクジェットヘッド(機能液滴吐出ヘッド)は、微小なインク滴(液滴)をドット状に精度良く吐出することができることから、例えば機能液滴(吐出対象液)に特殊なインクや、発光性或いは感光性の樹脂等を用いることにより、各種部品の製造分野への応用が期待されている。
【0046】
本実施形態の電気光学装置は、例えば有機EL装置等の、いわゆるフラットディスプレイの製造装置に適用され、不活性ガスの雰囲気中において、その複数の機能液滴吐出ヘッドから発光材料等の機能液を吐出して(インクジェット方式)、有機EL装置の発光機能を為す各画素のEL発光層および正孔注入層を形成するものである。
【0047】
そこで、本実施形態では、有機EL装置の製造装置に適用した電気光学装置について説明すると共に、これにより製造される有機EL装置の構造および製造方法(製造プロセス)について説明する。
【0048】
図1に示すように、実施形態の電気光学装置1は、描画装置2と描画装置2を収容するチャンバ装置3から成り、描画装置2に搭載した機能液滴吐出ヘッド4により、発光材料を吐出して有機EL装置のEL発光層および正孔注入層を形成する一方、この機能液滴吐出ヘッド4の吐出動作を含む一連の製造工程を、チャンバ装置3で構成する不活性ガス(窒素ガス)の雰囲気中で行うようにしている。
【0049】
詳細は後述するが、描画装置2は、液滴吐出装置6とこれに付随する各種の装置から成る付帯装置7とを備えている。チャンバ装置3は、チャンバルーム11に、電気室12および機械室13を併設した、いわゆるクリーンルームの形態を有している。チャンバルーム11には、不活性ガスである窒素ガスが導入され、これに収容した上記の液滴吐出装置6および付帯装置7は、全体として窒素ガスの雰囲気に曝され、窒素ガスの雰囲気中で稼動する。
【0050】
図2ないし図5に示すように、液滴吐出装置6は、床上に設置した架台15と、架台15上に設置した石定盤16と、石定盤16上に設置したX軸テーブル17およびこれに直交するY軸テーブル18と、Y軸テーブル18に吊設するように設けたメインキャリッジ19と、メインキャリッジ19に搭載したヘッドユニット20とを有している。
【0051】
X軸テーブル17は、X軸方向の駆動系が構成するX軸エアースライダ22およびX軸リニアモータ23を有し、これにθテーブル24および基板Wをエアー吸引する吸着テーブル25を搭載して、構成されている。また、Y軸テーブル18は、Y軸方向の駆動系を構成する一対のY軸スライダ27,27、Y軸ボールねじ28およびY軸モータ(サーボモータ)29を有し、これに上記のメインキャリッジ19を吊設するブリッジプレート30を搭載して、構成されている。
【0052】
そして、メインキャリッジ19に搭載したヘッドユニット20には、サブキャリッジを介して、複数の機能液滴吐出ヘッド4が搭載されている。特に詳細は図示しないが、サブキャリッジには、12個の機能液滴吐出ヘッド4が搭載されており、これら機能液滴吐出ヘッド4は、6個づつに二分され(図6では前後に二分)、主走査方向に対し所定の角度傾けて配設されている(図6参照)。
【0053】
本実施形態の液滴吐出装置6では、機能液滴吐出ヘッド4の駆動(機能液滴の選択的吐出)に同期して基板Wが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド4のいわゆる主走査は、X軸テーブル17のX軸方向への往復動作により行われる。また、これに対応して、いわゆる副走査は、Y軸テーブル18により機能液滴吐出ヘッド4のY軸方向への往動動作により行われる。
【0054】
一方、ヘッドユニット20のホーム位置は、図1における後側の位置となっており、且つこの液滴吐出装置6の後方からヘッドユニット20の運び込み或いは交換が行われる(詳細は後述する)。また、同図示の左側には、基板搬送装置(図示省略)が臨んでおり、基板Wはこの左方から搬入・搬出される。そして、この液滴吐出装置6の同図手前側には、上記付帯装置7の主な構成装置が、一体的に添設されている。
【0055】
付帯装置7は、上記の架台15および石定盤16に隣接するように配置したキャビネット形式の共通機台32と、共通機台32内の一方の半部に収容したエアー供給装置33および真空吸引装置34と、共通機台32内の一方の半部に主要装置を収容した機能液供給回収装置35と、共通機台32上に主要装置を収容したメンテナンス装置36とを備えている。なお、図中の符号37は、メインタンク(図示省略)とヘッドユニット20との間の機能液流路に介設した、機能液供給回収装置35の中間タンクである。
【0056】
エアー供給装置33、機能液供給回収装置35の圧力供給源を構成すると共に、メンテナンス装置36等におけるエアー圧アクチュエータの駆動源として用いられる。真空吸引装置34は、上記の吸着テーブル25に接続され、基板Wをエアー吸引により吸着セットする。機能液供給回収装置35は、機能液滴吐出ヘッド4に機能液を供給すると共に、メンテナンス装置36等から不要となった機能液を回収する。
【0057】
メンテナンス装置36は、機能液滴吐出ヘッド4の定期的なフラッシング(全吐出ノズルからの機能液の捨て吐出)を受けるフラッシングユニット41と、機能液滴吐出ヘッド4の機能液吸引および保管を行うクリーニングユニット42と、機能液滴吐出ヘッド4のノズル形成面をワイピングするワイピングユニット43とを有している。クリーニングユニット42およびワイピングユニット43は、上記の共通機台32上に配設され、フラッシングユニット41は、基板Wの近傍において、X軸テーブル(θテーブル24)17上に搭載されている。
【0058】
ここで、図6の模式図を参照して、チャンバ装置3内において窒素ガスの雰囲気中で稼動する描画装置2の一連の動作を簡単に説明する。先ず、準備段階として、ヘッドユニット20が液滴吐出装置6に運び込まれ、これがメインキャリッジ19にセットされる。ヘッドユニット20がメインキャリッジ19にセットされると、Y軸テーブル18がヘッドユニット20を図外のヘッド認識カメラの位置に移動させ、ヘッドユニット20の位置認識が行われる。ここで、この認識結果に基づいて、ヘッドユニット20がθ補正され、且つヘッドユニット20のX軸方向およびY軸方向の位置補正がデータ上で行われる。位置補正後、ヘッドユニット(メインキャリッジ19)20はホーム位置に戻る。
【0059】
一方、X軸テーブル17の吸着テーブル25上に基板(この場合は、導入される基板毎)Wが導入されると、導入位置において図外の基板認識カメラが基板Wを位置認識する。ここで、この認識結果に基づいて、吸着テーブル25を支持するθテーブル24により基板Wがθ補正され、且つ基板WのX軸方向およびY軸方向の位置補正がデータ上で行われる。
【0060】
このようにして準備が完了すると、実際の液滴吐出作業では、先ずX軸テーブル17が駆動し、基板Wを主走査方向に往復動させると共に複数の機能液滴吐出ヘッド4を駆動して、機能液滴の基板Wへの選択的な吐出動作が行われる。基板Wが復動した後、こんどはY軸テーブル18が駆動し、ヘッドユニット20を1ピッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Wの主走査方向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド4の駆動が行われる。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Wの端から端まで(全領域)液滴吐出が行われる。これにより、有機EL装置の発光層等が形成される。
【0061】
一方、上記の動作に並行し、液滴吐出装置6のヘッドユニット(機能液滴吐出ヘッド4)20には、エアー供給装置33を圧力供給源として機能液供給回収装置35から機能液が連続的に供給され、また吸着テーブル25では、基板Wを吸着すべく、真空吸引装置34によりエアー吸引が行われる。また、液滴吐出作業の直前には、ヘッドユニット20がクリーニングユニット42およびワイピングユニット43に臨んで、機能液滴吐出ヘッド4の全吐出ノズルからの機能液吸引と、これに続くノズル形成面の拭取りが行われる。液滴吐出作業中には、適宜ヘッドユニット20がフラッシングユニット41に臨んで、機能液滴吐出ヘッド4のフラッシングが行われる。
【0062】
なお、本実施形態では、ヘッドユニット20に対し、その吐出対象物である基板Wを主走査方向(X軸方向)に移動させるようにしているが、ヘッドユニット20を主走査方向に移動させる構成であってもよい。また、ヘッドユニット20を固定とし、基板Wを主走査方向および副走査方向に移動させる構成であってもよい。
【0063】
次に、図7の系統図、および図8ないし図13の構造図を参照して、チャンバ装置3について説明する。なお、チャンバ装置の説明では、図8における紙面の下側を「前」、上側「後」、左側を「左」、右側を「右」して説明する。
【0064】
チャンバ装置3は、上記の描画装置2を収容するチャンバルーム11と、チャンバルーム11の右前部に併設した電気室12と、チャンバルーム11の右後部に併設した機械室13とを備えている。なお、チャンバルーム11に充填する不活性ガスとしては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンのいずれかを用いることが好ましいが、本実施形態では、コストおよび安全性を考慮し窒素(窒素ガス)を用いている。
【0065】
不活性ガス(窒素ガス)は、図外のガス製造装置からガス導入ユニット101を介して機械室13に導入され、ここで調和処理されてチャンバルーム11に導入される。また、チャンバルーム11内の不活性ガスは、チャンバルーム11の左前部に添設した排気ダクト(排気流路)102から適宜は排気され、図外のガス処理装置に送られる。実際の運転では、チャンバルーム11に対し、不活性ガスの補給と排気とが連続して行われ、わずかに流れる不活性ガスにより、チャンバルーム11内の雰囲気が構成されるようになっている。
【0066】
チャンバルーム11は、左側壁111、右側壁112、前部着脱パネルユニット113、後部着脱パネルユニット114、床壁115および天壁116を、エアータイト材で相互にシールして組み上げたプレハブ形式のものである。一方、チャンバルーム11の内部に収容される液滴吐出装置6は、前後方向をY軸方向とし、左右方向をX軸方向とした姿勢で収容されている(図1参照)。すなわち、メンテナンス等を考慮して、描画装置2の付帯装置7は前部着脱パネルユニット113に面し、ヘッドユニット20の運び込み等を考慮して、ヘッドユニット20のホーム位置側が後部着脱パネルユニット114に面している。また、左側壁111には、基板Wの搬入搬出を行うためのシャッタ付き受渡し開口117が形成されている(図11参照)。
【0067】
前部着脱パネルユニット113および後部着脱パネルユニット114は、いずれも内パネルユニット121および外パネルユニット122の二重構造を有している。内パネルユニット121は、左右の中間に縦枠123aを有する枠体123と、縦枠123aにより構成した左右の開口部(メンテナンス開口)にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の内パネル124,124とで構成されている(図13参照)。各内パネル124には、左右のハンドルの他、複数のロックレバーが設けられており(いずれも図示省略)、内パネル124は、けんどん形式で枠体123に当てがわれ且つこの複数のロックレバーにより枠体123に気密に装着されている。
【0068】
同様に、外パネルユニット122は、左右の中間に縦枠125aを有する枠体125と、縦枠125aにより構成した左右の開口部(メンテナンス開口)にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の外パネル126,126とで構成されている(図13参照)。各外パネル126には、左右のハンドル127,127の他、複数のロックレバー128が設けられており、この場合も外パネル126は、けんどん形式で枠体に当てがわれ且つこの複数のロックレバー128により枠体125に気密に装着されている。そして、外パネルユニット122は、内パネルユニット121よりに幾分幅広に且つ幾分丈が長く形成されていて、内外両パネル121,122の着脱作業に支障を生じないようになっている(図13参照)。
【0069】
また、内外各パネル124,126には、その上側に複数の電磁ロック装置129が組み込まれており、チャンバルーム11内の酸素濃度に応じて、内外各パネル124,126をロック・アンロックできるようになっている(詳細は後述する)。すなわち、前部着脱パネルユニット113および後部着脱パネルユニット114は、電磁ロック装置129によりインターロックされている。
【0070】
右側壁112の後上部には、機械室13に連なる送気口131が形成され、これに対応して左側壁111の前下部には、排気ダクト102に連なる排気口132が形成されている。また、チャンバルーム11の天井部分には、送気口131に連なるフィルタチャンバ133が形成されている。フィルタチャンバ133は、天井部分を格子状のフィルタ装着枠134で水平に仕切って構成され、このフィルタ装着枠134に複数(4つ)のフィルタ(HEPAフィルタ)135が装着されている(図8参照)。
【0071】
送気口131から流入した不活性ガスはフィルタチャンバ133に流入し、複数のフィルタ135を通過して液滴吐出装置6の上部に流入する。この場合、送気口131から流入した不活性ガスは、フィルタ(フィルタチャンバ133)135を通過するものの、その気流の主体は、チャンバルーム11内をほぼ対角方向に流れて排気口132に至るようになっている。そして、この対角方向の気流の主流路上には、液滴吐出装置6の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアが臨んでいる。
【0072】
すなわち、チャンバルーム11内では、不活性ガスの主気流が吐出エリアを包み込むように流れ、且つ気流全体としはフィルタからダウンフローした後、排気口132に向かって流れる。これにより、吐出エリアは、常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に曝されることになる。なお、この場合の気流の流速は、機能液滴吐出ヘッド4から吐出した機能液滴に飛行曲がりが生じない程度に調整されていることは、言うまでもない。
【0073】
機械室13の上部には、図外のガス製造装置に連なるガス導入ユニット101が設けられており、また機械室11の内部は、適宜隔壁137で仕切られ、ガス導入ユニット101から上記の送気口131に至るガス流路138が形成されている。すなわち、機械室13の内部には、ガス流路138となるダクトが一体的に形成されている。
【0074】
ガス導入ユニット101には、上流側から順に、ガス開閉バルブ(電磁弁)142、ガス調整ダンパー(電動弁:高密度モータダンパー)143およびガス開閉ダンパー(高密度モータダンパー)144から成るガスダンパーユニット141が組み込まれている(図7参照)。上述したように、実施形態のチャンバ装置3では、不活性ガスの補給と排気とを連続して行う運転形態をとっており、ガス開閉バルブ142およびガス開閉ダンパー144を「開」とした状態で、ガス調整ダンパー143により不活性ガスの補給流量が調整される。また、後述する大気置換運転では、ガス開閉バルブ142、ガス調整ダンパー143およびガス開閉ダンパー144は、いずれも「閉」に制御される。
【0075】
機械室13の内部に構成したガス流路138は、ガス導入ユニット101から機械室13の下部まで延び、ここでUターンして上部の送気口131に至るようになっている。そして、このガス流路138のうち、上方に向かう流路部分に、後述するガス調和機器155が組み込まれている。
【0076】
また、ガス流路138は、図7に示すように、ガス導入ユニット101の下流側で分岐しており、ガス導入ユニット101からガス調和機器155を通過して送気口131に至る一方の主ガス流路147と、ガス導入ユニット101から直接送気口131に至る他方のバイパス流路148とで構成されている。主ガス流路147およびバイパス流路148には、それぞれ流路切替え用の手動ダンパー149,150が設けられており、この両手動ダンパー149,150は、チャンバ装置3を設置した初期調整時にのみ調整される。
【0077】
なお、図7にのみ示すが、チャンバルーム11にはリターン流路(リターン口)151が形成されており、チャンバルーム11のリターンガスは、このリターン流路151を介して機械室13に戻され、ガス調和機器155の上流側において主ガス流路147に合流する。但し、このリターンは予備的なものであり、通常運転時にはリターン運転は行わない。
【0078】
主ガス流路147には、クーラ(チーリングユニット)156、ヒータ(電気ヒータ)157および2台のファン(シロッコファン)158,158から成るガス調和機器155が介設されている。クーラ156およびヒータ157は、機械室の上下中間位置に隣接して配置されており、温度調節装置を構成している。これにより、チャンバルーム11内の不活性ガスの雰囲気が、所定の温度、例えば実施形態のものでは20℃±0.5℃に維持されるようになっている。
【0079】
ファン158は、機械室13の上部にあって、送気口131に近接して設けられている。ガス導入ユニット101から導入した不活性ガスは、このファン158により、送気口131を介してチャンバルーム11内に強制的に送気される。そして、このファン158により、チャンバルーム11内への不活性ガスの補給量およびチャンバルーム11内の気流の流速等が制御される。
【0080】
排気流路を構成する排気ダクト102は、排気口132の近傍に排気チャンバ161を有しており、この排気チャンバ161から立ち上がり、さらにチャンバルーム11の上面に沿って水平に延在している。排気ダクト102の下流側(チャンバルーム11の上面に位置する部分)には、排気調整ダンパー163および排気開閉ダンパー164から成る排気ダンパーユニット162が介設され(図7参照)、この排気調整ダンパー163により排気流量が調整される。
【0081】
また、排気チャンバ161には、上記の前部着脱パネルユニット113および後部着脱パネルユニット114からそれぞれ延びる2本の排気パイプ(パネル体排気流路)166,166が接続されている(図8、図9および図11参照)。各排気パイプの上流端は、内パネルユニット121と外パネルユニット122との間の空隙130に連通しており、また各排気パイプ166には排気バルブ(パネル体排気ダンパー)167が介設されている。これにより、内外両パネルユニット113,114の空隙130部分にリークした不活性ガスを排気できるようになっている(詳細は後述する)。
【0082】
一方、ガス調和機器155の上流側において主ガス流路147には、隔壁137により機械室内13に構成した外気流路171が合流している(図7参照)。外気流路171の外気取入れ口172は、機械室13の下部側面に開口しており、外気流路171の下流端は、クーラ156の上流側で主ガス流路147に合流している。また、外気流路171には、外気取入れ口172側から順に、外気開閉ダンパー174、外気調整ダンパー175および外気開閉バルブ176から成る外気ダンパーユニット173が介設されている。
【0083】
この場合、外気開閉ダンパー174および外気調整ダンパー175は高気密ダンパーで構成され、外気開閉バルブ176は電磁弁(または電動二方弁)で構成されている。詳細は後述するが、外気置換運転を行う場合には、外気開閉ダンパー174、外気調整ダンパー175および外気開閉バルブ176はいずれも「開」に制御され、外気調整ダンパー175により外気の流量調整が行われる。また通常運電時には、これらダンパー174,175およびバルブ176はいずれも「閉」に制御され、これらの高気密性と個数とにより、外気の侵入を確実に遮断する。
【0084】
次に、チャンバ装置3の運転方法について簡単に説明する。チャンバルーム11に不活性ガスを導入する通常運転時では、外気ダンパーユニット173を「閉」とした状態で、ガスダンパーユニット141および排気ダンパーユニット162を「開」とし、ファン158により、チャンバルーム11内に不活性ガスの補給および排気を行って、その雰囲気を構成する。
【0085】
ガス調整バルブ143には、コントローラ181を介して、チャンバルーム11内に設けた酸素濃度計(低濃度)182および水分計183が接続されており、これらの計測結果に基づいて、不活性ガスの補給流量が調整される。より具体的には、ガス調整バルブ143により、チャンバルーム11内の酸素濃度および水分濃度がいずれも10ppm以下に維持されるように、制御される。なお、図中の符号184は、酸素濃度を表示するスケーリングメータである。
【0086】
一方、排気調整ダンパー163には、コントローラ186を介して圧力計187が接続されており、圧力計187の計測結果に基づいて、不活性ガスの排気流量が調整される。すなわち、排気調整ダンパー163により、大気圧に対しチャンバルーム11内が幾分正圧になるように、制御される。これにより、チャンバルーム11から不活性ガスが漏れることはあっても、外気の侵入は防止される。また、ガスダンパーユニット141の下流側近傍、および排気ダンパーユニット162の上流側近傍には、それぞれ風速モニター188a,188bが設けられており、この風速モニター188a,188bの風力差の変化により、ファン158の故障や不活性ガスのリークが確認できるようになっている。
【0087】
さらに、チャンバルーム11内には、温度調節計(温度計)189が設けられており、温度調節計189は、リレー190を介してヒータ157に接続されている。この場合、温度調節装置のクーラ156は常時定格運転となっており、ヒータ157により、チャンバルーム11内が20℃±0.5℃になるように制御される。
【0088】
一方、チャンバルーム11内の不活性ガス追い出して外気を導入する大気置換運転では、ガスダンパーユニット141を「閉」とし、外気ダンパーユニット173および排気ダンパーユニット162を「開」として、ファン158により、チャンバルーム11内に外気を強制的に導入する。すなわち、チャンバルーム11内に外気を強制送気し、チャンバルーム11内の不活性ガスを押し出すようにする。また、両排気バルブ167,167を「開」とし、内外両パネルユニット121,122の空隙130部分にリークした不活性ガスも排気する。
【0089】
描画装置2のメンテナンス(着脱パネルユニット113,114の開放)を前提とする大気置換運転では、ヒータ157をOFFとすると共に、外気調整ダンパー175および排気調整ダンパー163を「全開」として、流量調整は行わない。これにより、最短時間で大気置換が行われる。そして、チャンバルーム11内に設けた酸素濃度計(高濃度)191の計測結果に基づいて、大気置換の完了が確認され、且つ上記の電磁ロック装置129のロック状態が解除される。これにより、前後両着脱パネルユニット113,114が開放可能状態となる。
【0090】
また、描画装置(液滴吐出装置6)2の精度確認に関する試験運転を前提とする大気置換運転では、ヒータ157をONとすると共に、外気調整ダンパー175および排気調整ダンパー163が流量調整され、チャンバルーム11内が所望の温度(20℃±0.5℃)の雰囲気(大気)に置換される。
【0091】
このように、描画装置2をチャンバルーム11に収容し、液滴吐出装置6による液滴吐出作業を新鮮な不活性ガスの雰囲気中で行うようにしているため、基板W上に着弾した機能液滴(発光材料)が変質したり損傷したりすることがなく、有機EL装置を安定に製造することができる。また、大気置換を行う場合に、ファン158を用いて外気をチャンバルーム11内に強制的送り込むようにしているため、短時間で外気置換を行うことができる共に、不活性ガスの残留を極力防止することができる。
【0092】
次に、電気光学装置1の第2実施形態について説明する。
【0093】
図14ないし図17に示すように、この電気光学装置201では、液滴吐出装置203をチャンバ装置204のチャンバルーム205内に収容し、これをキャビネット形式の架台206に支持して、描画装置202が構成されている。また、描画装置202に併設するようにしてエアー供給ユニット218を組み込んだ電装ボックス207と、不活性ガスをチャンバルーム205内に導入するためのガス導入ユニット208と、これら構成装置を操作する操作ユニット209とが設けられている。このうち、ガス導入ユニット208は描画装置202の側面に固定されているが、他の装置はそれぞれ別体で構成され、個々に移動可能に付設されている。
【0094】
チャンバルーム205内には、液滴吐出装置203と共にその付帯装置が収容されている。付帯装置は、機能液滴吐出ヘッド211の吐出液滴量を計測する電子天秤212、基板Wを画像認識する基板認識カメラ213、機能液滴吐出ヘッド(吐出ノズル)211を画像認識するヘッド認識カメラ214、基板W吸着用の真空ポンプ216および機能液滴吐出ヘッド211のメンテナンスに供するメンテナンス装置215等で構成されている。
【0095】
そして、本実施形態の構成装置を統括制御する制御装置(制御手段)210は、上記の架台206に搭載された装置コントロール用PC(パーソナルコンピュータ)210−1、ヘッド駆動用PC210−2および画像処理装置210−3で構成されている。なお、図示しないが、機能液タンク等の機能液供給系の装置は、架台206上に配設されている。
【0096】
なお、ホーム位置における機能液滴吐出ヘッド211の中心位置、電子天秤212の中心位置およびヘッド認識カメラ214の中心位置は、横並びに同位置(Y軸方向において同位置)となっている。また、基板認識カメラ213は、基板Wの四隅に設けたアライメントマークを認識すべく、X軸方向に移動自在に構成されている。
【0097】
メンテナンス装置215は、機能液滴吐出ヘッド211の定期的なフラッシング(全吐出のノズルからの機能液の捨て吐出)を受けるフラッシングユニット217と、機能液滴吐出ヘッド211の機能液吸引等を行う吸引キャップ(図示省略)付きの吸引ポンプ219とで構成されている。なお、実施形態の機能液吸引(クリーニング)およびワイピングは、手動で行われる。
【0098】
操作部ユニット209は、両画像認識カメラ213,214で撮像した画像を映し出す位置補正用ディスプレイ222と、画像分割装置223と、操作処理用のディスプレイ224およびキーボード225とを、筐体226に搭載して構成されている。
【0099】
そして、機能液滴吐出ヘッド211はサブキャリッジに搭載されてヘッドユニット228を構成しており(図18参照)、このヘッドユニット228が液滴吐出装置203に着脱可能にセットされている。すなわち、液滴吐出装置211は、このヘッドユニット228を搭載したX軸テーブル231と、X軸テーブル231に直交すると共に基板WをセットするY軸テーブル232とを備えている。また、ヘッドユニット228の近傍に位置してX軸テーブル231には、着弾した基板W上の機能液滴に不活性ガスを吹き付けて、これを乾燥させるブロー装置233が搭載されている。
【0100】
Y軸テーブル232は、Y軸方向の駆動系を構成するY軸リニアガイド241およびY軸リニアモータ242を有し、これにθテーブル243および基板Wをエアー吸引する吸着テーブル244を搭載して、構成されている。なお、図示では省略したが、吸着テーブル244内には基板乾燥用のセラミックヒータが内蔵されており、セラミックヒータは架台206に収容した温調ユニット230により制御される。同様に、X軸テーブル231は、X軸方向の駆動系が構成するX軸リニアガイド245およびX軸リニアモータ246を有し、これにメインキャリッジ247を搭載して、構成されている。そして、メインキャリッジ247には、微調整ステージ248を介してヘッドユニット228が吊設され、且つヘッドユニット228の先方に位置して、上記のブロー装置233が固定されている。
【0101】
この場合、機能液滴吐出ヘッド211の駆動(機能液滴の選択的吐出)に同期して基板Wが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド211のいわゆる主走査は、Y軸テーブル232の往動動作(または往復の両動作)により行われる。また、これに対応して、いわゆる副走査は、X軸テーブル231による機能液滴吐出ヘッド211のX軸方向への往動動作により行われる。さらに、上記の主走査を後方から追いかけるように(実際には基板Wが移動)、ブロー装置233による不活性ガスの吹付けが行われ、且つこれらの作業は、チャンバルーム205内に充填した不活性ガス(窒素ガス)の雰囲気中で行われる。なお、この実施形態では、単一の機能液滴吐出ヘッド211が用いられており、機能液滴吐出ヘッド211は主走査方向に対し幾分斜めに傾けて配設されている(図18参照)。
【0102】
このように構成された実施形態の描画装置202では、図18の模式図に示すように、先ず、準備段階として、ヘッドユニット228が液滴吐出装置203に運び込まれてこれにセットされる。ヘッドユニット228がセットされると、X軸テーブル231が、ホーム位置にあるヘッドユニット228を電子天秤212の直上部に移動させる。ここで、機能液滴吐出ヘッド211が駆動し、電子天秤212上に全吐出ノズルから複数回に亘って機能液滴を吐出する。この機能液滴は電子天秤212で計測され、その計測結果に基づいて、吐出ノズルにおける1回の機能液滴の量(重量)が、制御装置210により演算処理され、設計値になるようにヘッドドライバの印加電圧が補正される。もちろん、電子天秤212の計測値を読み取って、人的処理により印加電圧を補正することも可能である。
【0103】
機能液滴の量的補正の後、再度X軸テーブル231が駆動し、ホーム位置を越えてヘッドユニット228をヘッド認識カメラ214に臨ませる。ここで、ヘッド認識カメラ214によりヘッドユニット(機能液滴吐出ヘッド211のノズル列)228が位置認識(画像認識)され、この認識結果に基づいて、ヘッドユニット228のX・Y・θ補正が行われる。また同時に、機能液滴吐出ヘッド211のノズル面の汚れ等が、ヘッド認識カメラ214により認識される(汚れている場合クリーニングを行う)。そして、位置補正後、ヘッドユニット228はホーム位置に戻る。
【0104】
一方、Y軸テーブル232の吸着テーブル244上に基板(この場合は、導入される基板毎)Wが導入されると、Y軸テーブル232が基板Wを基板認識カメラ213の直下に移動させ、X軸方向に移動する基板認識カメラ213により基板Wの位置認識(画像認識)が行われる。ここで、この認識結果に基づいて、基板WのX・Y・θ補正が行われる。位置補正後、基板(吸着テーブル244)Wはホーム位置に戻る。
【0105】
このようにして準備が完了すると、実際の液滴吐出作業では、先ずY軸テーブル232が駆動し、基板Wを主走査方向に往動させると共に機能液滴吐出ヘッド211を駆動して、機能液滴の基板Wへの選択的な吐出動作が行われる。また、この吐出動作に同期してブロー装置233が駆動し、基板W上に着弾した機能液滴に不活性ガスを吹き付ける。すなわち、基板Wを固定として相対的に考えると、基板Wに対し機能液滴吐出ヘッド211が往動して吐出動作が行われると共に、これに後行してブロー装置233が移動し、着弾機能液滴への不活性ガスによる乾燥動作が行われる。
【0106】
吐出動作が終了して基板Wが復動した後、こんどはX軸テーブル231が駆動し、ヘッドユニット228を1ピッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Wの主走査方向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド211およびブロー装置233の駆動が行われる。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Wの端から端まで(全領域)液滴吐出が行われる。なお、ブロー装置233により着弾した機能液滴はその溶剤が気化する(乾燥)が、完全乾燥を期するために上記の処理の後、改めて図外の乾燥装置に導入することが、好ましい。
【0107】
また、本実施形態では、ヘッドユニット228に対し、その吐出対象物である基板Wを主走査方向(Y軸方向)に移動させるようにしているが、ヘッドユニット228を主走査方向に移動させる構成であってもよい。また、ヘッドユニット228を固定とし、基板Wを主走査方向および副走査方向に移動させる構成であってもよい。さらに、ヘッドユニット228のY軸方向への相対的に往動時のみならず、復動時にも機能液滴の吐出動作が行われる構成としてもよい。
【0108】
次に、図19ないし図23(同時に図14参照)を参照して、チャンバ装置204について詳細に説明する。
【0109】
チャンバ装置204は、液滴吐出装置203を収容するチャンバルーム205と、上記のガス導入ユニット208と、ガス導入ユニット208からチャンバルーム205内に不活性ガスを導入する供給チューブ(ガス供給流路:図23参照)252と、チャンバルーム205から不活性ガスを排気する一対の排気ダクト(排気流路)253,253とを備えている。また、大気置換のために上記のエアー供給ユニットを備えている。
【0110】
チャンバルーム205は、直方体に組んだ枠体261の6面にパネル262を気密に装着したものであり、液滴吐出装置203の機台を構成する底面パネル262aを除いて他の5面のパネル262は、透明なパネルで構成されている。左側面パネル262bの前部および正面パネル262cの中央部は、広く脱着パネル構造となっており、この部分にはそれぞれ手作業を行うための1組のグローブホルダ264,264が取り付けられている。なお、他のパネル262は、枠体261に嵌め殺しで装着されている。
【0111】
また、背面パネル262dには、横並びに2つの排気口265,265が形成され、この排気口265,265にそれぞれ上記の排気ダクト253,253が接続されている。図示しないが、この一対の排気ダクト253,253の下流側は、排気ダンパーを介してガス処理装置に接続されている。
【0112】
ガス導入ユニット208は、描画装置202の外部にあって、架台206に添設するように設けられている(図17参照)。図23(b)に示すように、ガス導入ユニット208には、ドライヤ、レギュレータ、フィルタ、開閉バルブ等が組み込まれており、圧力、温度および湿度等が管理された不活性ガスを、チャンバルーム205に供給できるようになっている。
【0113】
同様に、エアー供給ユニット218は、描画装置202の外部にあって、上記の電装ボックス207内に収容されている。(図16参照)。この場合も、エアー供給ユニット218には、ドライヤ、レギュレータ、フィルタ、開閉バルブ等が組み込まれている。
【0114】
図23(b)に示すように、供給チューブ252は、ガス導入ユニット208の下流側で、ブロー系、左パージ系および右パージ系の3系統に分岐している。ブロー系供給チューブ271は、上記のブロー装置233に接続されており、これにより供給される不活性ガスは、ブロー装置233で加熱した後、基板Wに吹き付けられる。
【0115】
左パージ系供給チューブ272はさらに3分岐し、この3本の左分岐チューブ272a,272a,272aが、それぞれ流量計273および流量調整バルブ274を介して(図21参照)、図19における左側面パネル262bの隅部3個所に設けたガス吹出口(送気口)275,275,275に接続されている。この場合、ガス吹出口275の設置位置は、左側面パネル262bの隅部のうち、排気口265から最も離れた隅部3個所となっている。
【0116】
同様に、右パージ系供給チューブ277は3分岐し、この3本の右分岐チューブ277a,277a,277aが、それぞれ流量計273および流量調整バルブ274を介して(図22参照)、図19における右側面パネル262eの隅部3個所に設けたガス吹出口(送気口)275に接続されている。この場合も、ガス吹出口275の設置位置は、左側面パネル262eの隅部のうち、排気口265から最も離れた隅部3個所となっている。すなわち、排気口265から離間した位置に設けた6個のガス吹出口275は、個々に、不活性ガスの吹出し流量を調整できるようになっている。
【0117】
第2実施形態のチャンバ装置204も、上記実施形態と同様に、不活性ガスの補給と排気とを連続させて、チャンバルーム205内に良好な雰囲気を構成する運転形態をとっており、ガス導入ユニット208により不活性ガスの全体の補給量が調整されるが、さらに計6個のガス吹出口275毎に、不活性ガスの補給量が調整される。
【0118】
例えば、後下部の一対の排気口265,265から最も離れた前上部の2つのガス吹出口275,275における不活性ガスの吹出し流量を他のものより多くして、チャンバルーム205内の気流が略対角方向に流れるようにすることが、好ましい。これにより、不活性ガスの主流路が、液滴吐出装置203の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアに交差するように且つこれを包み込むように流れ、吐出エリアに常に新鮮な不活性ガスを供給することができる。
【0119】
また、チャンバルーム205内には、6つのガス吹出口275から不活性ガスが流入するため、不活性ガスのガス溜まりが生じ難く、全体として新鮮な不活性ガスによる雰囲気を構成することができる。なお、不活性ガスのガス溜まりを防止する他の対策としては、隅部をアール形状に埋めることや、気流の流れ方向を調整する邪魔板等を設けることも可能である。
【0120】
一方、図23(a)に示すように、エアー供給ユニット218に連なるエアーチューブ281も、エアー供給ユニット218の下流側で、左パージ系および右パージ系の2系統に分岐している。そして、左パージ系エアーチューブ282は3分岐し、この3本の左分岐チューブ282aが、それぞれ流量計283および流量調整バルブ284を介して(図21参照)、図19における左側面パネル262bの隅部3個所に設けたエアー吹出口(送気口)285,285に接続されている。同様に、右パージ系供給チューブ287は3分岐し、この3本の右分岐チューブ287aが、それぞれ流量計283および流量調整バルブ284を介して(図22参照)、図19における右側面パネル262eの隅部3個所に設けたエアー吹出口(送気口)285,285,285に接続されている。
【0121】
このように構成されたエアー供給ユニット218を用いて、チャンバルーム205内の大気置換を行う場合には、単純に、ガス導入ユニット208を閉塞しておいて、エアー供給ユニット218を開放し、6つのガス吹出口285から圧縮エアーをチャンバルーム205内に導入し、不活性ガスを排気口265に向かって押し出すようにする。
【0122】
次に、上記第1および第2実施形態の電気光学装置1,201を用いた有機EL装置の製造方法について説明する。
【0123】
図24ないし図36は、有機EL装置の製造プロセスと共にその構造を表している。この製造プロセスは、バンク部形成工程と、プラズマ処理工程と、正孔注入/輸送層形成工程及び発光層形成工程からなる発光素子形成工程と、対向電極形成工程と、封止工程とを具備して構成されている。
【0124】
バンク部形成工程では、基板501に予め形成した回路素子部502上及び電極511(画素電極ともいう)上の所定の位置に、無機物バンク層512aと有機物バンク層512bを積層することにより、開口部512gを有するバンク部512を形成する。このように、バンク部形成工程には、電極511の一部に、無機物バンク層512aを形成する工程と、無機物バンク層の上に有機物バンク層512bを形成する工程が含まれる。
【0125】
まず無機物バンク層512aを形成する工程では、図24に示すように、回路素子部502の第2層間絶縁膜544b上及び画素電極511上に、無機物バンク層512aを形成する。無機物バンク層512aを、例えばCVD法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって層間絶縁層514及び画素電極511の全面にSiO2、TiO2等の無機物膜を形成する。
【0126】
次にこの無機物膜をエッチング等によりパターニングして、電極511の電極面511aの形成位置に対応する下部開口部512cを設ける。このとき、無機物バンク層512aを電極511の周縁部と重なるように形成しておく必要がある。このように、電極511の周縁部(一部)と無機物バンク層512aとが重なるように無機物バンク層512aを形成することにより、発光層510の発光領域を制御することができる。
【0127】
次に有機物バンク層512bを形成する工程では、図25に示すように、無機物バンク層512a上に有機物バンク層512bを形成する。有機物バンク層512bをフォトリソグラフィ技術等によりエッチングして、有機物バンク層512bの上部開口部512dを形成する。上部開口部512dは、電極面511a及び下部開口部512cに対応する位置に設けられる。
【0128】
上部開口部512dは、図25に示すように、下部開口部512cより広く、電極面511aより狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バンク層512aの下部開口部512cを囲む第1積層部512eが、有機物バンク層512bよりも電極511の中央側に延出された形になる。このようにして、上部開口部512d、下部開口部512cを連通させることにより、無機物バンク層512a及び有機物バンク層512bを貫通する開口部512gが形成される。
【0129】
次にプラズマ処理工程では、バンク部512の表面と画素電極の表面511aに、親インク性を示す領域と、撥インク性を示す領域を形成する。このプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、バンク部512の上面(512f)及び開口部512gの壁面並びに画素電極511の電極面511aを親インク性を有するように加工する親インク化工程と、有機物バンク層512bの上面512f及び上部開口部512dの壁面を、撥インク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工程とに大別される。
【0130】
まず、予備加熱工程では、バンク部512を含む基板501を所定の温度まで加熱する。加熱は、例えば基板501を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基板501を加熱することにより行う。具体的には、基板501の予備加熱温度を、例えば70〜80℃の範囲とすることが好ましい。
【0131】
つぎに、親インク化工程では、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行う。このO2プラズマ処理により、図26に示すように、画素電極511の電極面511a、無機物バンク層512aの第1積層部512e及び有機物バンク層512bの上部開口部512dの壁面ならびに上面512fが親インク処理される。この親インク処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親インク性が付与される。図26では、親インク処理された部分を一点鎖線で示している。
【0132】
つぎに、撥インク化工程では、大気雰囲気中で4フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理(CF4プラズマ処理)を行う。CF4プラズマ処理により、図27に示すように、上部開口部512d壁面及び有機物バンク層の上面512fが撥インク処理される。この撥インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥インク性が付与される。図27では、撥インク性を示す領域を二点鎖線で示している。
【0133】
次に、冷却工程では、プラズマ処理のために加熱された基板501を室温、またはインクジェット工程(液滴吐出工程)の管理温度まで冷却する。プラズマ処理後の基板501を室温、または所定の温度(例えばインクジェット工程を行う管理温度)まで冷却することにより、次の正孔注入/輸送層形成工程を一定の温度で行うことができる。
【0134】
次に発光素子形成工程では、画素電極511上に正孔注入/輸送層及び発光層を形成することにより発光素子を形成する。発光素子形成工程には、4つの工程が含まれる。即ち、正孔注入/輸送層を形成するための第1組成物を各前記画素電極上に吐出する第1液滴吐出工程と、吐出された前記第1組成物を乾燥させて前記画素電極上に正孔注入/輸送層を形成する正孔注入/輸送層形成工程と、発光層を形成するための第2組成物を前記正孔注入/輸送層の上に吐出する第2液滴吐出工程と、吐出された前記第2組成物を乾燥させて前記正孔注入/輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程とが含まれる。
【0135】
まず、第1液滴吐出工程では、インクジェット法(液滴吐出法)により、正孔注入/輸送層形成材料を含む第1組成物を電極面511a上に吐出する。なお、この第1液滴吐出工程以降は、水、酸素の無い窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。(なお、画素電極上にのみ正孔注入/輸送層を形成する場合は、有機物バンク層に隣接して形成される正孔注入/輸送層は形成されない)
【0136】
図28に示すように、インクジェットヘッド(機能液滴吐出ヘッド)Hに正孔注入/輸送層形成材料を含む第1組成物を充填し、インクジェットヘッドHの吐出ノズルを下部開口部512c内に位置する電極面511aに対向させ、インクジェットヘッドHと基板501とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御された第1組成物滴510cを電極面511a上に吐出する。
【0137】
ここで用いる第1組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン(NMP)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正孔注入/輸送層形成材料は、R・G・Bの各発光層510bに対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変えても良い。
【0138】
図28に示すように、吐出された第1組成物滴510cは、親インク処理された電極面511a及び第1積層部512e上に広がり、下部、上部開口部512c、512d内に満たされる。電極面511a上に吐出する第1組成物量は、下部、上部開口部512c、512dの大きさ、形成しようとする正孔注入/輸送層の厚さ、第1組成物中の正孔注入/輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第1組成物滴510cは1回のみならず、数回に分けて同一の電極面511a上に吐出しても良い。
【0139】
次に正孔注入/輸送層形成工程では、図29に示すように、吐出後の第1組成物を乾燥処理及び熱処理して第1組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、電極面511a上に正孔注入/輸送層510aを形成する。乾燥処理を行うと、第1組成物滴510cに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層512a及び有機物バンク層512bに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入/輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
【0140】
これにより図29に示すように、乾燥処理によって電極面511a上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面511a上に正孔注入/輸送層形成材料からなる平坦部510aが形成される。電極面511a上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入/輸送層の形成材料が電極面511a上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部510aが形成される。
【0141】
次に第2液滴吐出工程では、インクジェット法(液滴吐出法)により、発光層形成材料を含む第2組成物を正孔注入/輸送層510a上に吐出する。この第2液滴吐出工程では、正孔注入/輸送層510aの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第2組成物の溶媒として、正孔注入/輸送層510aに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
【0142】
しかしその一方で正孔注入/輸送層510aは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第2組成物を正孔注入/輸送層510a上に吐出しても、正孔注入/輸送層510aと発光層510bとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層510bを均一に塗布できないおそれがある。そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入/輸送層510aの表面の親和性を高めるために、発光層を形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【0143】
そこでまず、表面改質工程について説明する。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第1組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質用溶媒を、インクジェット法(液滴吐出法)、スピンコート法またはディップ法により正孔注入/輸送層510a上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【0144】
例えば、インクジェット法による塗布は、図30に示すように、インクジェットヘッドHに、表面改質用溶媒を充填し、インクジェットヘッドHの吐出ノズルを基板(すなわち、正孔注入/輸送層510aが形成された基板)に対向させ、インクジェットヘッドHと基板501とを相対移動させながら、吐出ノズルHから表面改質用溶媒510dを正孔注入/輸送層510a上に吐出することにより行う。そして、図31に示すように、表面改質用溶媒510dを乾燥させる。
【0145】
次に第2液滴吐出工程では、インクジェット法(液滴吐出法)により、発光層形成材料を含む第2組成物を正孔注入/輸送層510a上に吐出する。図32に示すように、インクジェットヘッドHに、青色(B)発光層形成材料を含有する第2組成物を充填し、インクジェットヘッドHの吐出ノズルを下部、上部開口部512c、512d内に位置する正孔注入/輸送層510aに対向させ、インクジェットヘッドHと基板501とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御された第2組成物滴510eとして吐出し、この第2組成物滴510eを正孔注入/輸送層510a上に吐出する。
【0146】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機EL材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【0147】
非極性溶媒としては、正孔注入/輸送層510aに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような非極性溶媒を発光層510bの第2組成物に用いることにより、正孔注入/輸送層510aを再溶解させることなく第2組成物を塗布できる。
【0148】
図32に示すように、吐出された第2組成物510eは、正孔注入/輸送層510a上に広がって下部、上部開口部512c、512d内に満たされる。第2組成物510eは1回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入/輸送層510a上に吐出しても良い。この場合、各回における第2組成物の量は同一でも良く、各回毎に第2組成物量を変えても良い。
【0149】
次に発光層形成工程では、第2組成物を吐出した後に乾燥処理及び熱処理を施して、正孔注入/輸送層510a上に発光層510bを形成する。乾燥処理は、吐出後の第2組成物を乾燥処理することにより第2組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図33に示すような青色(B)発光層510bを形成する。
【0150】
続けて、図34に示すように、青色(B)発光層510bの場合と同様にして、赤色(R)発光層510bを形成し、最後に緑色(G)発光層510bを形成する。なお、発光層510bの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【0151】
次に対向電極形成工程では、図35に示すように、発光層510b及び有機物バンク層512bの全面に陰極503(対向電極)を形成する。なお,陰極503は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばCa、Ba等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にLiF等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側(封止側)には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これらの陰極(陰極層)503は、例えば蒸着法、スパッタ法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、発光層510bの熱による損傷を防止できる点で好ましい。
【0152】
また、フッ化リチウムは、発光層510b上のみに形成しても良く、更に青色(B)発光層510b上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色(R)発光層及び緑色(G)発光層510b、510bには、LiFからなる上部陰極層503bが接することとなる。また陰極12の上部には、蒸着法、スパッタ法、CVD法等により形成したAl膜、Ag膜等を用いることが好ましい。また、陰極503上に、酸化防止のためにSiO2、SiN等の保護層を設けても良い。
【0153】
最後に、図36に示す封止工程では、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、有機EL素子504上に封止用基板505を積層する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極503にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極503に侵入して陰極503が酸化されるおそれがあるので好ましくない。そして最後に、フレキシブル基板の配線に陰極503を接続するとともに、駆動ICに回路素子部502の配線を接続することにより、本実施形態の有機EL装置500が得られる。
【0154】
【発明の効果】
以上のように、本発明のチャンバ装置の運転方法およびチャンバ装置によれば、不活性ガスの補給および排気により、チャンバルーム内の雰囲気が構成されるため、チャンバルーム内を常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に維持することができる。また、チャンバルーム内における雰囲気の温度や酸素濃度等の調節を簡単に行うことができる。したがって、良好な環境でワーク処理等を行うことができる。
【0155】
また、本発明の電気光学装置および有機EL装置によれば、新鮮な不活性ガスの雰囲気中でワーク処理を行うことができるため、ワーク処理(有機EL装置の製造)における信頼性および品質を高レベルに維持することができる。したがって、有機EL装置においては、高品質で且つ信頼性の高いものを低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る電気光学装置の外観斜視図である。
【図2】実施形態に係る描画装置の外観斜視図である。
【図3】実施形態に係る描画装置の外観正面図である。
【図4】実施形態に係る描画装置の外観側面図である。
【図5】実施形態に係る描画装置の外観平面図である。
【図6】実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置の模式図である。
【図7】実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図である。
【図8】実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。
【図9】実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。
【図10】実施形態に係るチャンバ装置の右側面図である。
【図11】実施形態に係るチャンバ装置の左側面図である。
【図12】実施形態に係るチャンバ装置の背面図である。
【図13】実施形態に係るチャンバ装置の着脱パネルユニットの横断面図(a)および横断面図(b)である。
【図14】第2実施形態に係る電気光学装置の外観斜視図である。
【図15】第2実施形態に係る電気光学装置の外観正面図である。
【図16】第2実施形態に係る電気光学装置の外観側面図である。
【図17】第2実施形態に係る電気光学装置の外観平面図である。
【図18】第2実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置における動作概念図である。
【図19】第2実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。
【図20】第2実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。
【図21】第2実施形態に係るチャンバ装置の左側面図である。
【図22】第2実施形態に係るチャンバ装置の右側面図である。
【図23】第2実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図である。
【図24】実施形態に係る有機EL装置の製造方法におけるバンク部形成工程(無機物バンク)の断面図である。
【図25】実施形態に係る有機EL装置の製造方法におけるバンク部形成工程(有機物バンク)の断面図である。
【図26】実施形態に係る有機EL装置の製造方法におけるプラズマ処理工程(親水化処理)の断面図である。
【図27】実施形態に係る有機EL装置の製造方法におけるプラズマ処理工程(撥水化処理)の断面図である。
【図28】実施形態に係る有機EL装置の製造方法における正孔注入層形成工程(液滴吐出)の断面図である。
【図29】実施形態に係る有機EL装置の製造方法における正孔注入層形成工程(乾燥)の断面図である。
【図30】実施形態に係る有機EL装置の製造方法における表面改質工程(液滴吐出)の断面図である。
【図31】実施形態に係る有機EL装置の製造方法における表面改質工程(乾燥)の断面図である。
【図32】実施形態に係る有機EL装置の製造方法におけるB発光層形成工程(液滴吐出)の断面図である。
【図33】実施形態に係る有機EL装置の製造方法におけるB発光層形成工程(乾燥)の断面図である。
【図34】実施形態に係る有機EL装置の製造方法におけるR・G・B発光層形成工程の断面図である。
【図35】実施形態に係る有機EL装置の製造方法における対向電極形成工程の断面図である。
【図36】実施形態に係る有機EL装置の製造方法における封止工程の断面図である。
【符号の説明】
1 電気光学装置 2 描画装置
3 チャンバ装置 4 機能液滴吐出ヘッド
6 液滴吐出装置 11 チャンバルーム
12 電気室 13 機械室
17 X軸テーブル 18 Y軸テーブル
20 ヘッドユニット 101 ガス導入ユニット
102 排気ダクト 113 前部着脱パネルユニット
114 後部着脱パネルユニット 121 内パネルユニット
122 外パネルユニット 124 内パネル
126 外パネル 129 電磁ロック装置
130 空隙 131 送気口
132 排気口 133 フィルタチャンバ
135 フィルタ 137 隔壁
138 ガス流路 141 ガスダンパーユニット
142 ガス開閉バルブ 143 ガス調整バルブ
144 ガス開閉ダンパー 147 主ガス流路
155 ガス調和機器 156 クーラ
157 ヒータ 158 ファン
161 排気チャンバ 162 排気ダンパーユニット
163 排気調整ダンパー 164 排気開閉ダンパー
166 排気パイプ 167 排気バルブ
171 外気流路 172 外気取入れ口
173 外気ダンパーユニット 174 外気開閉ダンパー
175 外気調整ダンパー 176 外気開閉バルブ
201 電気光学装置 202 描画装置
203 液滴吐出装置 204 チャンバ装置
205 チャンバルーム 208 ガス導入ユニット
211 機能液滴吐出ヘッド 228 ヘッドユニット
231 X軸テーブル 232 Y軸テーブル
252 供給チューブ 253 排気ダクト
265 排気口 274 流量調整バルブ
275 ガス吹出口 500 有機EL装置
501 基板 504 有機EL素子
510a 正孔注入/輸送層 510b 発光層
W 基板
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for operating a chamber apparatus in which a workpiece processing apparatus that requires workpiece processing to be performed in an inert gas atmosphere is accommodated in a chamber room, a chamber apparatus, an electro-optical apparatus including the chamber apparatus, and an organic EL apparatus. Is.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a chamber apparatus used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like that performs workpiece processing in an inert gas atmosphere, in order to maintain the inert gas atmosphere, the seal is strengthened to reduce the leakage of the inert gas as much as possible. Like to do. In addition, when adjusting the temperature of the inert gas, a temperature adjusting device is provided in the circulation path of the inert gas, and the inert gas is circulated.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In such a conventional chamber apparatus, it is difficult to maintain the oxygen concentration or moisture concentration in the atmosphere at a low concentration due to leakage of inert gas from the seal portion to the outside or moisture permeation to the inside. There is. Moreover, when using a solvent etc. for a workpiece | work process, the solvent density | concentration in atmosphere increases and the problem which has a bad influence on apparatus itself is also assumed.
[0004]
It is an object of the present invention to provide a method for operating a chamber apparatus, a chamber apparatus, an electro-optical apparatus, and an organic EL apparatus that can maintain the interior of the chamber room in a stable and fresh inert gas atmosphere. Yes.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The operation method of the chamber apparatus according to the present invention is a method of operating a chamber apparatus in which an atmosphere of an inert gas is configured in a chamber room where workpiece processing is performed by continuously supplying an inert gas through an air supply port and exhausting through an exhaust port. The chamber room has a substantially rectangular parallelepiped shape, and the inert gas is replenished from a plurality of air supply ports provided at a plurality of corners in the chamber room while being separated from the exhaust port. .
[0006]
According to this configuration, since the atmosphere of the inert gas in the chamber room is configured by always supplying fresh inert gas and exhausting the atmosphere corresponding to the inert gas, the chamber room is always filled with fresh inert gas. Can be satisfied. Moreover, by adjusting the replenishment amount of the inert gas, it is possible to easily adjust the atmospheric temperature, oxygen concentration, moisture concentration, and the like.
Further, the inert gas uniformly flows in the chamber room, so that a so-called gas accumulation hardly occurs in the chamber room, and the atmosphere can always be smoothly and continuously replaced with fresh inert gas.
[0011]
In these cases, it is preferable that the inside of the chamber room be maintained at a positive pressure with respect to the atmospheric pressure.
[0012]
According to this configuration, even if the inert gas that constitutes the atmosphere in the chamber room leaks outside from the seal (air tight) part, the outside air is surely prevented from entering the chamber room. can do. In order to maintain the positive pressure in the chamber room, it is preferable to forcibly reinforce the inert gas with a fan or the like.
[0013]
The chamber apparatus of the present invention is characterized in that the method for operating the chamber apparatus described above is implemented.
[0035]
The electro-optical device of the present invention includes the above-described chamber device and a workpiece processing device accommodated in the chamber device.
And it is preferable that a workpiece | work processing apparatus is a manufacturing apparatus of an organic EL apparatus.
[0036]
According to this configuration, work processing can be performed in an atmosphere of fresh inert gas, and reliability and quality in work processing (production of an organic EL device) can be maintained at a high level.
[0037]
In this case, the organic EL device manufacturing apparatus relatively scans the functional liquid droplet ejection head into which the light emitting functional material is introduced with respect to the substrate, which is a workpiece, and selectively ejects the light emitting functional material, so It is preferable to have a droplet discharge device that forms an organic EL functional layer in the pixel region.
[0038]
Luminous functional materials in organic EL are likely to be altered or damaged by contact with the atmosphere (oxygen and moisture). According to this configuration, since the step of forming the organic EL functional layer by discharging the light emitting functional material can be performed in a fresh inert gas atmosphere, the light emitting functional material is effectively prevented from being altered or damaged. be able to. Moreover, the solvent evaporated from the light emitting functional material can be quickly exhausted. The inert gas is preferably nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon, or radon.
[0039]
In this case, it is preferable that the organic EL functional layer is at least an EL light emitting layer among the EL light emitting layer and the hole injection layer.
[0040]
According to this configuration, since the portion that performs the light emitting function in the organic EL device can be formed by the functional liquid droplet ejection head, it is possible to form finer pixels with high accuracy and high resolution. In addition, a high-quality organic EL device can be manufactured.
[0041]
In these cases, it is preferable that the airflow in the work processing area by the fan is adjusted to a speed that does not cause flight bending in the light emitting functional material ejected from the functional liquid droplet ejection head.
[0042]
According to this configuration, the discharge of the light emitting functional material by the functional liquid droplet discharge head is not disturbed by the flow of the inert gas, and the light emitting functional material can be landed on the pixel region of the substrate with high accuracy. Therefore, a high quality organic EL device can be manufactured.
[0043]
The organic EL device of the present invention is manufactured by the above-described electro-optical device.
[0044]
According to this configuration, an organic EL device with high quality and high yield can be provided at low cost.
[0045]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Inkjet heads (functional droplet ejection heads) of inkjet printers can eject minute ink droplets (droplets) with high accuracy in the form of dots. For example, special ink for functional droplets (ejection target liquid) By using a light-emitting or photosensitive resin, etc., application to the field of manufacturing various parts is expected.
[0046]
The electro-optical device according to the present embodiment is applied to a so-called flat display manufacturing device such as an organic EL device, for example. In an inert gas atmosphere, a functional liquid such as a luminescent material is discharged from the plurality of functional liquid droplet ejection heads. By discharging (inkjet method), an EL light emitting layer and a hole injection layer of each pixel that perform the light emitting function of the organic EL device are formed.
[0047]
Therefore, in the present embodiment, an electro-optical device applied to an organic EL device manufacturing apparatus will be described, and the structure and manufacturing method (manufacturing process) of the organic EL device manufactured thereby will be described.
[0048]
As shown in FIG. 1, the electro-optical device 1 according to the embodiment includes a drawing device 2 and a chamber device 3 that houses the drawing device 2, and discharges a luminescent material by a functional liquid droplet discharge head 4 mounted on the drawing device 2. Then, while forming the EL light emitting layer and the hole injection layer of the organic EL device, a series of manufacturing processes including the discharge operation of the functional liquid droplet discharge head 4 is performed by an inert gas (nitrogen gas) configured in the chamber device 3. I try to do it in the atmosphere.
[0049]
As will be described in detail later, the drawing device 2 includes a droplet discharge device 6 and an accompanying device 7 including various devices associated therewith. The chamber apparatus 3 has a so-called clean room configuration in which an electric room 12 and a machine room 13 are provided in the chamber room 11. Nitrogen gas, which is an inert gas, is introduced into the chamber room 11, and the droplet discharge device 6 and the auxiliary device 7 accommodated therein are exposed to an atmosphere of nitrogen gas as a whole. Operate.
[0050]
As shown in FIGS. 2 to 5, the droplet discharge device 6 includes a pedestal 15 installed on the floor, a stone surface plate 16 installed on the gantry 15, an X-axis table 17 installed on the stone surface plate 16, and A Y-axis table 18 orthogonal to this, a main carriage 19 provided so as to be suspended from the Y-axis table 18, and a head unit 20 mounted on the main carriage 19 are provided.
[0051]
The X-axis table 17 includes an X-axis air slider 22 and an X-axis linear motor 23 that constitute a drive system in the X-axis direction, and a θ table 24 and a suction table 25 that sucks the substrate W into air are mounted on the X-axis table 17. It is configured. The Y-axis table 18 includes a pair of Y-axis sliders 27 and 27, a Y-axis ball screw 28, and a Y-axis motor (servo motor) 29 that constitute a drive system in the Y-axis direction. A bridge plate 30 for suspending 19 is mounted and configured.
[0052]
A plurality of functional liquid droplet ejection heads 4 are mounted on the head unit 20 mounted on the main carriage 19 via the sub-carriage. Although not particularly shown in detail, the sub-carriage is equipped with twelve functional liquid droplet ejection heads 4, and these functional liquid droplet ejection heads 4 are divided into six (two in the front and rear in FIG. 6). These are disposed at a predetermined angle with respect to the main scanning direction (see FIG. 6).
[0053]
In the droplet discharge device 6 of the present embodiment, the substrate W moves in synchronization with the drive of the functional droplet discharge head 4 (selective discharge of the functional droplet). Scanning is performed by a reciprocating motion of the X-axis table 17 in the X-axis direction. Correspondingly, so-called sub-scanning is performed by the forward movement operation of the functional liquid droplet ejection head 4 in the Y-axis direction by the Y-axis table 18.
[0054]
On the other hand, the home position of the head unit 20 is the rear position in FIG. 1, and the head unit 20 is carried or replaced from behind the droplet discharge device 6 (details will be described later). A substrate transfer device (not shown) faces the left side of the drawing, and the substrate W is loaded and unloaded from the left side. The main constituent devices of the accessory device 7 are integrally attached to the front side of the droplet discharge device 6 in the figure.
[0055]
The accessory device 7 includes a cabinet-type common machine base 32 arranged so as to be adjacent to the mount 15 and the stone surface plate 16, an air supply device 33 housed in one half of the common machine base 32, and a vacuum suction. A device 34, a functional liquid supply / recovery device 35 that houses the main device in one half of the common machine base 32, and a maintenance device 36 that houses the main device on the common machine stand 32 are provided. Reference numeral 37 in the figure denotes an intermediate tank of the functional liquid supply / recovery device 35 provided in the functional liquid flow path between the main tank (not shown) and the head unit 20.
[0056]
The pressure supply source of the air supply device 33 and the functional liquid supply / recovery device 35 is configured and used as a drive source of an air pressure actuator in the maintenance device 36 or the like. The vacuum suction device 34 is connected to the suction table 25 and sucks and sets the substrate W by air suction. The functional liquid supply / recovery device 35 supplies the functional liquid to the functional liquid droplet ejection head 4 and recovers the unnecessary functional liquid from the maintenance device 36 or the like.
[0057]
The maintenance device 36 includes a flushing unit 41 that receives periodic flushing of the functional liquid droplet ejection head 4 (discarding and ejecting functional liquid from all ejection nozzles), and a cleaning that performs functional liquid suction and storage of the functional liquid droplet ejection head 4. A unit 42 and a wiping unit 43 for wiping the nozzle forming surface of the functional liquid droplet ejection head 4 are provided. The cleaning unit 42 and the wiping unit 43 are disposed on the common machine base 32, and the flushing unit 41 is mounted on the X-axis table (θ table 24) 17 in the vicinity of the substrate W.
[0058]
Here, with reference to the schematic diagram of FIG. 6, a series of operation | movement of the drawing apparatus 2 which operate | moves in the atmosphere of nitrogen gas in the chamber apparatus 3 is demonstrated easily. First, as a preparation stage, the head unit 20 is carried into the droplet discharge device 6 and set on the main carriage 19. When the head unit 20 is set on the main carriage 19, the Y-axis table 18 moves the head unit 20 to the position of the head recognition camera (not shown), and the position of the head unit 20 is recognized. Here, based on the recognition result, the head unit 20 is θ-corrected, and the position correction of the head unit 20 in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed on the data. After the position correction, the head unit (main carriage 19) 20 returns to the home position.
[0059]
On the other hand, when a substrate (in this case, each introduced substrate) W is introduced onto the suction table 25 of the X-axis table 17, a substrate recognition camera (not shown) recognizes the position of the substrate W at the introduction position. Here, based on the recognition result, the substrate W is θ-corrected by the θ table 24 that supports the suction table 25, and the position correction of the substrate W in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed on the data.
[0060]
When the preparation is completed in this way, in the actual droplet discharge operation, first, the X-axis table 17 is driven, the substrate W is reciprocated in the main scanning direction, and the plurality of functional droplet discharge heads 4 are driven. A selective discharge operation of functional droplets onto the substrate W is performed. After the substrate W is moved back, the Y-axis table 18 is driven, the head unit 20 is moved in the sub-scanning direction by one pitch, the substrate W is reciprocated in the main scanning direction, and the functional liquid droplet ejection head is again moved. 4 is performed. By repeating this several times, droplet discharge is performed from end to end (entire area) of the substrate W. Thereby, the light emitting layer of the organic EL device is formed.
[0061]
On the other hand, in parallel with the above operation, the functional liquid is continuously supplied from the functional liquid supply / recovery device 35 to the head unit (functional liquid droplet ejection head 4) 20 of the liquid droplet ejection device 6 using the air supply device 33 as a pressure supply source. In the suction table 25, air suction is performed by the vacuum suction device 34 in order to suck the substrate W. Further, immediately before the droplet discharge operation, the head unit 20 faces the cleaning unit 42 and the wiping unit 43 to suck the functional liquid from all the discharge nozzles of the functional droplet discharge head 4 and the subsequent nozzle formation surface. Wiping is performed. During the droplet discharge operation, the head unit 20 appropriately faces the flushing unit 41 and the functional droplet discharge head 4 is flushed.
[0062]
In the present embodiment, the substrate W, which is an ejection target, is moved with respect to the head unit 20 in the main scanning direction (X-axis direction). However, the head unit 20 is moved in the main scanning direction. It may be. Alternatively, the head unit 20 may be fixed and the substrate W may be moved in the main scanning direction and the sub-scanning direction.
[0063]
Next, the chamber apparatus 3 will be described with reference to the system diagram of FIG. 7 and the structural diagrams of FIGS. 8 to 13. In the description of the chamber apparatus, the lower side in FIG. 8 is “front”, the upper side is “rear”, the left side is “left”, and the right side is “right”.
[0064]
The chamber apparatus 3 includes a chamber room 11 that accommodates the drawing apparatus 2, an electric room 12 that is provided at the right front of the chamber room 11, and a machine room 13 that is provided at the right rear of the chamber room 11. As the inert gas filled in the chamber room 11, it is preferable to use any one of nitrogen, carbon dioxide, helium, neon, argon, krypton, xenon and radon, but in this embodiment, cost and safety are reduced. Nitrogen (nitrogen gas) is used in consideration.
[0065]
Inert gas (nitrogen gas) is introduced into the machine room 13 from a gas production apparatus (not shown) via the gas introduction unit 101, where it is conditioned and introduced into the chamber room 11. Further, the inert gas in the chamber room 11 is appropriately exhausted from an exhaust duct (exhaust flow path) 102 attached to the left front portion of the chamber room 11 and sent to a gas processing apparatus (not shown). In actual operation, the chamber room 11 is continuously supplied and exhausted with an inert gas, and the atmosphere in the chamber room 11 is constituted by the slightly flowing inert gas.
[0066]
The chamber room 11 is a prefabricated type in which the left side wall 111, the right side wall 112, the front detachable panel unit 113, the rear detachable panel unit 114, the floor wall 115 and the top wall 116 are assembled and sealed together with an air tight material. It is. On the other hand, the droplet discharge device 6 accommodated in the chamber room 11 is accommodated in a posture in which the front-rear direction is the Y-axis direction and the left-right direction is the X-axis direction (see FIG. 1). That is, in consideration of maintenance or the like, the accessory device 7 of the drawing apparatus 2 faces the front detachable panel unit 113, and the home position side of the head unit 20 is located on the rear detachable panel unit 114 in consideration of carrying of the head unit 20 or the like. Facing. Further, a delivery opening 117 with a shutter for carrying in / out the substrate W is formed in the left side wall 111 (see FIG. 11).
[0067]
Each of the front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 has a double structure of an inner panel unit 121 and an outer panel unit 122. The inner panel unit 121 includes a frame 123 having a vertical frame 123a in the middle between the left and right, and a pair of inner panels 124 with windows that are detachably attached to left and right openings (maintenance openings) formed by the vertical frame 123a. 124 (see FIG. 13). In addition to the left and right handles, each inner panel 124 is provided with a plurality of lock levers (all of which are not shown). The inner panel 124 is applied to the frame 123 in a steadily manner, and the plurality of locks. The lever is airtightly attached to the frame body 123.
[0068]
Similarly, the outer panel unit 122 has a pair of outer panels with windows that are detachably attached to a frame body 125 having a vertical frame 125a in the middle of the left and right, and left and right openings (maintenance openings) formed by the vertical frame 125a. It consists of panels 126 and 126 (see FIG. 13). Each outer panel 126 is provided with a plurality of lock levers 128 in addition to the left and right handles 127, 127. In this case as well, the outer panel 126 is applied to the frame body in a steadily manner and the plurality of lock levers 128 are provided. The lever 128 is airtightly attached to the frame body 125. The outer panel unit 122 is formed to be somewhat wider and somewhat longer than the inner panel unit 121 so that it does not interfere with the attaching and detaching operations of the inner and outer panels 121 and 122 (see FIG. 13).
[0069]
In addition, a plurality of electromagnetic locking devices 129 are incorporated in the upper and lower panels 124 and 126 so that the inner and outer panels 124 and 126 can be locked and unlocked according to the oxygen concentration in the chamber room 11. (Details will be described later). That is, the front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 are interlocked by the electromagnetic lock device 129.
[0070]
An air supply port 131 connected to the machine room 13 is formed in the rear upper part of the right side wall 112, and an exhaust port 132 connected to the exhaust duct 102 is formed in the front lower part of the left side wall 111 correspondingly. Further, a filter chamber 133 connected to the air supply port 131 is formed in the ceiling portion of the chamber room 11. The filter chamber 133 is configured by horizontally partitioning the ceiling portion with a grid-like filter mounting frame 134, and a plurality (four) of filters (HEPA filters) 135 are mounted on the filter mounting frame 134 (see FIG. 8). ).
[0071]
The inert gas flowing in from the air supply port 131 flows into the filter chamber 133, passes through the plurality of filters 135, and flows into the upper part of the droplet discharge device 6. In this case, the inert gas flowing in from the air supply port 131 passes through the filter (filter chamber 133) 135, but the main body of the airflow flows almost diagonally in the chamber room 11 and reaches the exhaust port 132. It is like that. An area in which the droplet discharge device 6 performs a droplet discharge operation, that is, a discharge area, faces the main flow path of the diagonal airflow.
[0072]
That is, in the chamber room 11, the main flow of inert gas flows so as to wrap around the discharge area, and the entire air flow flows down from the filter and then flows toward the exhaust port 132. As a result, the discharge area is always exposed to a fresh inert gas atmosphere. Needless to say, the flow velocity of the airflow in this case is adjusted to such an extent that the flight of the functional liquid droplets ejected from the functional liquid droplet ejection head 4 does not occur.
[0073]
A gas introduction unit 101 connected to a gas production apparatus (not shown) is provided at the upper part of the machine room 13, and the interior of the machine room 11 is appropriately partitioned by a partition wall 137, and the above-described air supply unit 101 A gas flow path 138 reaching the port 131 is formed. That is, a duct serving as a gas flow path 138 is integrally formed in the machine chamber 13.
[0074]
The gas introduction unit 101 includes a gas damper unit including a gas opening / closing valve (electromagnetic valve) 142, a gas adjustment damper (electric valve: high-density motor damper) 143, and a gas opening / closing damper (high-density motor damper) 144 in order from the upstream side. 141 is incorporated (see FIG. 7). As described above, the chamber apparatus 3 according to the embodiment has an operation mode in which replenishment and exhaust of the inert gas are continuously performed, and the gas on-off valve 142 and the gas on-off damper 144 are in an “open” state. The replenishment flow rate of the inert gas is adjusted by the gas adjustment damper 143. Further, in the atmosphere replacement operation described later, the gas on-off valve 142, the gas adjustment damper 143, and the gas on-off damper 144 are all controlled to be “closed”.
[0075]
A gas flow path 138 configured inside the machine room 13 extends from the gas introduction unit 101 to the lower part of the machine room 13, and makes a U-turn to reach the upper air supply port 131. And the gas harmony device 155 mentioned later is integrated in the flow path part which goes upwards among this gas flow path 138. As shown in FIG.
[0076]
Further, as shown in FIG. 7, the gas flow path 138 is branched on the downstream side of the gas introduction unit 101, and passes through the gas conditioner 155 from the gas introduction unit 101 to the air supply port 131. The gas flow path 147 and the other bypass flow path 148 from the gas introduction unit 101 directly to the air supply port 131 are configured. The main gas flow path 147 and the bypass flow path 148 are respectively provided with manual dampers 149 and 150 for switching the flow paths, and these manual dampers 149 and 150 are adjusted only at the time of initial adjustment when the chamber apparatus 3 is installed. Is done.
[0077]
Although only shown in FIG. 7, a return flow path (return port) 151 is formed in the chamber room 11, and the return gas in the chamber room 11 is returned to the machine room 13 through the return flow path 151. , It joins the main gas flow path 147 on the upstream side of the gas conditioner 155. However, this return is preliminary and no return operation is performed during normal operation.
[0078]
A gas conditioner 155 including a cooler (chilling unit) 156, a heater (electric heater) 157, and two fans (sirocco fans) 158 and 158 is interposed in the main gas flow path 147. The cooler 156 and the heater 157 are disposed adjacent to the upper and lower intermediate positions of the machine room, and constitute a temperature adjusting device. Thereby, the atmosphere of the inert gas in the chamber room 11 is maintained at a predetermined temperature, for example, 20 ° C. ± 0.5 ° C. in the embodiment.
[0079]
The fan 158 is provided in the upper part of the machine room 13 and close to the air supply port 131. The inert gas introduced from the gas introduction unit 101 is forcibly supplied into the chamber room 11 through the air supply port 131 by the fan 158. The fan 158 controls the replenishment amount of the inert gas into the chamber room 11 and the flow velocity of the airflow in the chamber room 11.
[0080]
The exhaust duct 102 constituting the exhaust passage has an exhaust chamber 161 in the vicinity of the exhaust port 132, rises from the exhaust chamber 161, and further extends horizontally along the upper surface of the chamber room 11. An exhaust damper unit 162 including an exhaust adjustment damper 163 and an exhaust opening / closing damper 164 is interposed downstream of the exhaust duct 102 (portion located on the upper surface of the chamber room 11) (see FIG. 7). Thus, the exhaust flow rate is adjusted.
[0081]
The exhaust chamber 161 is connected to two exhaust pipes (panel body exhaust passages) 166 and 166 extending from the front detachable panel unit 113 and the rear detachable panel unit 114 (FIGS. 8 and 8). 9 and FIG. 11). An upstream end of each exhaust pipe communicates with a gap 130 between the inner panel unit 121 and the outer panel unit 122, and an exhaust valve (panel body exhaust damper) 167 is interposed in each exhaust pipe 166. Yes. As a result, the inert gas leaking into the gap 130 of both the inner and outer panel units 113 and 114 can be exhausted (details will be described later).
[0082]
On the other hand, on the upstream side of the gas conditioner 155, the main gas flow path 147 is joined by an outside air flow path 171 configured in the machine room 13 by a partition wall 137 (see FIG. 7). The outside air inlet 172 of the outside air channel 171 is open on the lower side surface of the machine room 13, and the downstream end of the outside air channel 171 joins the main gas channel 147 on the upstream side of the cooler 156. In addition, an outside air damper unit 173 including an outside air opening / closing damper 174, an outside air adjusting damper 175, and an outside air opening / closing valve 176 is interposed in the outside air flow path 171 in order from the outside air intake port 172 side.
[0083]
In this case, the outside air opening / closing damper 174 and the outside air adjusting damper 175 are constituted by high airtight dampers, and the outside air opening / closing valve 176 is constituted by an electromagnetic valve (or an electric two-way valve). As will be described in detail later, when the outside air replacement operation is performed, the outside air opening / closing damper 174, the outside air adjusting damper 175, and the outside air opening / closing valve 176 are all controlled to be “open”, and the outside air adjusting damper 175 adjusts the flow rate of outside air. Is called. Further, during normal power transfer, the dampers 174 and 175 and the valve 176 are all controlled to be “closed”, and the entry of outside air is surely blocked by their high airtightness and number.
[0084]
Next, a method for operating the chamber device 3 will be briefly described. During normal operation for introducing an inert gas into the chamber room 11, the gas damper unit 141 and the exhaust damper unit 162 are opened while the outside air damper unit 173 is “closed”, and the fan 158 causes the chamber room 11 to be opened. The atmosphere is constituted by supplying and exhausting an inert gas.
[0085]
An oxygen concentration meter (low concentration) 182 and a moisture meter 183 provided in the chamber room 11 are connected to the gas adjustment valve 143 via the controller 181, and based on these measurement results, the inert gas concentration The replenishment flow rate is adjusted. More specifically, the gas adjustment valve 143 is controlled so that both the oxygen concentration and the moisture concentration in the chamber room 11 are maintained at 10 ppm or less. In addition, the code | symbol 184 in a figure is a scaling meter which displays oxygen concentration.
[0086]
On the other hand, a pressure gauge 187 is connected to the exhaust adjustment damper 163 via a controller 186, and the exhaust gas flow rate of the inert gas is adjusted based on the measurement result of the pressure gauge 187. That is, the exhaust adjustment damper 163 controls the chamber room 11 so as to be somewhat positive with respect to the atmospheric pressure. Thereby, even if an inert gas leaks from the chamber room 11, intrusion of outside air is prevented. Further, wind speed monitors 188a and 188b are provided in the vicinity of the downstream side of the gas damper unit 141 and the upstream side of the exhaust damper unit 162, respectively. It is now possible to check for malfunctions and inert gas leaks.
[0087]
Further, a temperature controller (thermometer) 189 is provided in the chamber room 11, and the temperature controller 189 is connected to the heater 157 via a relay 190. In this case, the cooler 156 of the temperature control device is always in rated operation, and is controlled by the heater 157 so that the inside of the chamber room 11 becomes 20 ° C. ± 0.5 ° C.
[0088]
On the other hand, in the atmosphere replacement operation in which the inert gas is expelled from the chamber room 11 and the outside air is introduced, the gas damper unit 141 is “closed”, the outside air damper unit 173 and the exhaust damper unit 162 are “open”, and the fan 158 Outside air is forcibly introduced into the chamber room 11. That is, outside air is forcibly supplied into the chamber room 11 to push out the inert gas in the chamber room 11. Further, both the exhaust valves 167 and 167 are set to “open”, and the inert gas leaking into the gap 130 of both the inner and outer panel units 121 and 122 is also exhausted.
[0089]
In the atmosphere replacement operation based on the maintenance of the drawing apparatus 2 (opening of the detachable panel units 113 and 114), the heater 157 is turned off, the outside air adjustment damper 175 and the exhaust adjustment damper 163 are set to “fully open”, and the flow rate adjustment is performed. Not performed. Thereby, atmospheric substitution is performed in the shortest time. Then, based on the measurement result of the oxygen concentration meter (high concentration) 191 provided in the chamber room 11, the completion of the atmospheric replacement is confirmed, and the lock state of the electromagnetic lock device 129 is released. As a result, both the front and rear detachable panel units 113 and 114 become openable.
[0090]
Further, in the atmosphere replacement operation based on the test operation related to the accuracy check of the drawing device (droplet discharge device 6) 2, the heater 157 is turned on, the outside air adjustment damper 175 and the exhaust adjustment damper 163 are adjusted in flow rate, and the chamber The inside of the room 11 is replaced with an atmosphere (atmosphere) at a desired temperature (20 ° C. ± 0.5 ° C.).
[0091]
Thus, since the drawing apparatus 2 is accommodated in the chamber room 11 and the droplet discharge operation by the droplet discharge apparatus 6 is performed in a fresh inert gas atmosphere, the functional liquid that has landed on the substrate W is used. The organic EL device can be stably manufactured without the drop (light emitting material) being altered or damaged. In addition, when the atmosphere is replaced, the outside air is forcibly fed into the chamber room 11 using the fan 158, so that the outside air can be replaced in a short time and the remaining inert gas is prevented as much as possible. can do.
[0092]
Next, a second embodiment of the electro-optical device 1 will be described.
[0093]
As shown in FIGS. 14 to 17, in this electro-optical device 201, a droplet discharge device 203 is accommodated in a chamber room 205 of a chamber device 204, and this is supported on a cabinet-type pedestal 206 to draw a drawing device 202. Is configured. In addition, an electrical box 207 incorporating an air supply unit 218 so as to be attached to the drawing apparatus 202, a gas introduction unit 208 for introducing an inert gas into the chamber room 205, and an operation unit for operating these components. 209. Among these, the gas introduction unit 208 is fixed to the side surface of the drawing device 202, but the other devices are configured as separate bodies and are individually attached to be movable.
[0094]
The chamber room 205 accommodates the accessory device together with the droplet discharge device 203. The accessory device includes an electronic balance 212 that measures the amount of droplets discharged from the functional droplet discharge head 211, a substrate recognition camera 213 that recognizes an image of the substrate W, and a head recognition camera that recognizes an image of the functional droplet discharge head (discharge nozzle) 211. 214, a vacuum pump 216 for suctioning the substrate W, a maintenance device 215 for maintenance of the functional liquid droplet ejection head 211, and the like.
[0095]
A control device (control means) 210 that performs overall control of the component device according to the present embodiment includes a device control PC (personal computer) 210-1, a head drive PC 210-2, and image processing that are mounted on the mount 206. It is comprised with the apparatus 210-3. Although not shown, a functional liquid supply system device such as a functional liquid tank is disposed on the gantry 206.
[0096]
Note that the center position of the functional liquid droplet ejection head 211, the center position of the electronic balance 212, and the center position of the head recognition camera 214 at the home position are side by side (the same position in the Y-axis direction). The substrate recognition camera 213 is configured to be movable in the X-axis direction so as to recognize alignment marks provided at the four corners of the substrate W.
[0097]
The maintenance device 215 includes a flushing unit 217 that receives periodic flushing of the functional liquid droplet ejection head 211 (discarding and ejecting functional liquid from all ejection nozzles), and suction that performs functional liquid suction of the functional liquid droplet ejection head 211 and the like. And a suction pump 219 with a cap (not shown). Note that the functional liquid suction (cleaning) and wiping of the embodiment are performed manually.
[0098]
The operation unit 209 includes a housing 226 that includes a position correction display 222 that displays images captured by the two image recognition cameras 213 and 214, an image dividing device 223, an operation processing display 224, and a keyboard 225. Configured.
[0099]
The functional liquid droplet ejection head 211 is mounted on a sub-carriage to constitute a head unit 228 (see FIG. 18), and this head unit 228 is set to be detachable from the liquid droplet ejection device 203. That is, the droplet discharge device 211 includes an X-axis table 231 on which the head unit 228 is mounted, and a Y-axis table 232 that sets the substrate W while being orthogonal to the X-axis table 231. Also, a blow device 233 is mounted on the X-axis table 231 located in the vicinity of the head unit 228 for spraying an inert gas onto the functional droplets on the landed substrate W and drying it.
[0100]
The Y-axis table 232 includes a Y-axis linear guide 241 and a Y-axis linear motor 242 that constitute a drive system in the Y-axis direction, and a θ table 243 and a suction table 244 that sucks the substrate W in air are mounted on the Y-axis table 232. It is configured. Although not shown in the drawing, a ceramic heater for drying the substrate is built in the suction table 244, and the ceramic heater is controlled by the temperature control unit 230 accommodated in the gantry 206. Similarly, the X-axis table 231 includes an X-axis linear guide 245 and an X-axis linear motor 246 that constitute a drive system in the X-axis direction, and is configured by mounting a main carriage 247 thereon. A head unit 228 is suspended from the main carriage 247 via a fine adjustment stage 248, and the blow device 233 is fixed to the front of the head unit 228.
[0101]
In this case, the substrate W is moved in synchronization with the driving of the functional liquid droplet ejection head 211 (selective ejection of the functional liquid droplets), and so-called main scanning of the functional liquid droplet ejection head 211 is performed on the Y-axis table 232. It is performed by forward movement (or both reciprocal movements). Correspondingly, so-called sub-scanning is performed by the forward movement of the functional liquid droplet ejection head 211 in the X-axis direction by the X-axis table 231. Further, an inert gas is blown by the blower 233 so as to follow the main scanning from behind (actually, the substrate W is moved), and these operations are performed in a state where the chamber room 205 is filled. It is performed in an atmosphere of active gas (nitrogen gas). In this embodiment, a single functional liquid droplet ejection head 211 is used, and the functional liquid droplet ejection head 211 is disposed at an angle to the main scanning direction (see FIG. 18). .
[0102]
In the drawing apparatus 202 of the embodiment configured as described above, as shown in the schematic diagram of FIG. 18, first, as a preparation stage, the head unit 228 is carried into the droplet discharge apparatus 203 and set therein. When the head unit 228 is set, the X-axis table 231 moves the head unit 228 at the home position directly above the electronic balance 212. Here, the functional liquid droplet ejection head 211 is driven, and functional liquid droplets are ejected onto the electronic balance 212 from all the ejection nozzles a plurality of times. This functional droplet is measured by the electronic balance 212, and based on the measurement result, the amount (weight) of the functional droplet at one time in the discharge nozzle is calculated by the control device 210 so that it becomes a design value. The applied voltage of the driver is corrected. Of course, it is also possible to read the measurement value of the electronic balance 212 and correct the applied voltage by human processing.
[0103]
After the quantitative correction of the functional droplet, the X-axis table 231 is driven again, and the head unit 228 is made to face the head recognition camera 214 beyond the home position. Here, the head unit (nozzle row of the functional liquid droplet ejection head 211) 228 is position-recognized (image recognition) by the head recognition camera 214, and X, Y, θ correction of the head unit 228 is performed based on the recognition result. Is called. At the same time, dirt on the nozzle surface of the functional liquid droplet ejection head 211 is recognized by the head recognition camera 214 (cleaning is performed if it is dirty). After the position correction, the head unit 228 returns to the home position.
[0104]
On the other hand, when a substrate (in this case, each introduced substrate) W is introduced onto the suction table 244 of the Y-axis table 232, the Y-axis table 232 moves the substrate W directly below the substrate recognition camera 213, and X The substrate recognition camera 213 moving in the axial direction performs position recognition (image recognition) of the substrate W. Here, based on the recognition result, X, Y, and θ correction of the substrate W is performed. After the position correction, the substrate (suction table 244) W returns to the home position.
[0105]
When the preparation is completed in this way, in the actual droplet discharge operation, first, the Y-axis table 232 is driven, the substrate W is moved forward in the main scanning direction, and the functional droplet discharge head 211 is driven to A selective ejection operation of droplets onto the substrate W is performed. Further, the blower 233 is driven in synchronism with the discharge operation, and the inert gas is blown onto the functional liquid droplets that have landed on the substrate W. That is, when the substrate W is fixed and considered relatively, the functional liquid droplet ejection head 211 moves forward with respect to the substrate W to perform the ejection operation, and the blow device 233 moves after this to move the landing function. A drying operation with an inert gas is performed on the droplets.
[0106]
After the discharge operation is completed and the substrate W is moved back, the X-axis table 231 is driven, the head unit 228 is moved by one pitch in the sub-scanning direction, and the substrate W is reciprocated in the main scanning direction again. Then, the functional droplet discharge head 211 and the blow device 233 are driven. By repeating this several times, droplet discharge is performed from end to end (entire area) of the substrate W. Note that the functional droplets landed by the blower 233 are vaporized (dried) by the solvent. However, it is preferable to introduce the functional droplets into a drying device (not shown) after the above treatment in order to ensure complete drying.
[0107]
In the present embodiment, the substrate W, which is an ejection target, is moved with respect to the head unit 228 in the main scanning direction (Y-axis direction). However, the head unit 228 is moved in the main scanning direction. It may be. Alternatively, the head unit 228 may be fixed and the substrate W may be moved in the main scanning direction and the sub-scanning direction. Further, the liquid droplet ejection operation may be performed not only when the head unit 228 moves relatively in the Y-axis direction but also when the head unit 228 moves backward.
[0108]
Next, the chamber apparatus 204 will be described in detail with reference to FIGS. 19 to 23 (refer to FIG. 14 at the same time).
[0109]
The chamber device 204 includes a chamber room 205 that accommodates the droplet discharge device 203, the gas introduction unit 208, and a supply tube that introduces an inert gas from the gas introduction unit 208 into the chamber room 205 (gas supply flow path: 23) and a pair of exhaust ducts (exhaust flow paths) 253 and 253 for exhausting the inert gas from the chamber room 205. The air supply unit is also provided for atmospheric replacement.
[0110]
The chamber room 205 is obtained by airtightly mounting a panel 262 on six surfaces of a frame body 261 assembled in a rectangular parallelepiped, and other five panels except for a bottom panel 262 a constituting a machine base of the droplet discharge device 203. 262 is formed of a transparent panel. The front part of the left side panel 262b and the center part of the front panel 262c have a wide detachable panel structure, and a pair of glove holders 264 and 264 for performing manual operations are attached to these parts. The other panel 262 is attached to the frame body 261 by fitting.
[0111]
The rear panel 262d is formed with two exhaust ports 265 and 265 side by side, and the exhaust ducts 253 and 253 are connected to the exhaust ports 265 and 265, respectively. Although not shown, the downstream side of the pair of exhaust ducts 253 and 253 is connected to a gas processing device via an exhaust damper.
[0112]
The gas introduction unit 208 is provided outside the drawing apparatus 202 and attached to the gantry 206 (see FIG. 17). As shown in FIG. 23B, the gas introduction unit 208 incorporates a dryer, a regulator, a filter, an open / close valve, and the like, and an inert gas whose pressure, temperature, humidity, and the like are controlled is supplied to the chamber room 205. Can be supplied.
[0113]
Similarly, the air supply unit 218 is outside the drawing apparatus 202 and is accommodated in the electrical box 207. (See FIG. 16). Also in this case, the air supply unit 218 incorporates a dryer, a regulator, a filter, an open / close valve, and the like.
[0114]
As shown in FIG. 23B, the supply tube 252 is branched into three systems of a blow system, a left purge system, and a right purge system on the downstream side of the gas introduction unit 208. The blow system supply tube 271 is connected to the blow device 233 described above, and the inert gas supplied thereby is heated by the blow device 233 and then sprayed onto the substrate W.
[0115]
The left purge system supply tube 272 is further branched into three, and these three left branch tubes 272a, 272a, 272a are respectively connected to the left side panel in FIG. 19 via the flowmeter 273 and the flow rate adjustment valve 274 (see FIG. 21). It is connected to gas outlets (air inlets) 275, 275, 275 provided at three corners of 262b. In this case, the installation positions of the gas outlet 275 are three corners farthest from the exhaust port 265 among the corners of the left side panel 262b.
[0116]
Similarly, the right purge system supply tube 277 is branched into three, and the three right branch tubes 277a, 277a, 277a are respectively connected to the right side in FIG. 19 via the flowmeter 273 and the flow rate adjustment valve 274 (see FIG. 22). The gas panel is connected to gas outlets (air supply ports) 275 provided at three corners of the face panel 262e. Also in this case, the gas outlet 275 is installed at three corners farthest from the exhaust port 265 among the corners of the left side panel 262e. That is, the six gas outlets 275 provided at positions separated from the exhaust port 265 can individually adjust the flow rate of the inert gas.
[0117]
Similarly to the above-described embodiment, the chamber apparatus 204 of the second embodiment also has an operation mode in which replenishment of inert gas and exhaust are continuously performed to form a good atmosphere in the chamber room 205, and gas introduction is performed. Although the total replenishment amount of the inert gas is adjusted by the unit 208, the replenishment amount of the inert gas is further adjusted for every six gas outlets 275 in total.
[0118]
For example, the flow rate of the inert gas at the two upper gas outlets 275 and 275 farthest from the pair of exhaust outlets 265 and 265 at the lower part of the rear lower part is made larger than that at the other, so that the air flow in the chamber room 205 is increased. It is preferable to flow in a substantially diagonal direction. Accordingly, the main flow path of the inert gas flows so as to intersect and wrap around the region where the droplet discharge device 203 performs the droplet discharge operation, that is, the discharge area, and the inert gas is always fresh in the discharge area. Can be supplied.
[0119]
Further, since inert gas flows into the chamber room 205 from the six gas outlets 275, it is difficult for the inert gas to accumulate, and an atmosphere of fresh inert gas can be formed as a whole. As other measures for preventing the accumulation of inert gas, it is also possible to fill corners with rounded shapes, or to provide baffle plates for adjusting the flow direction of the airflow.
[0120]
On the other hand, as shown in FIG. 23A, the air tube 281 connected to the air supply unit 218 is also branched into two systems of a left purge system and a right purge system on the downstream side of the air supply unit 218. The left purge system air tube 282 is branched into three, and the three left branch tubes 282a are respectively connected to the corners of the left side panel 262b in FIG. 19 via the flow meter 283 and the flow rate adjusting valve 284 (see FIG. 21). It is connected to air outlets (air supply ports) 285 and 285 provided at three locations. Similarly, the right purge system supply tube 287 is branched into three, and the three right branch tubes 287a are respectively connected to the right side panel 262e in FIG. 19 via the flow meter 283 and the flow rate adjustment valve 284 (see FIG. 22). The air outlets (air supply ports) 285, 285, and 285 provided at the three corners are connected.
[0121]
When the atmosphere supply in the chamber room 205 is replaced using the air supply unit 218 configured as described above, the gas introduction unit 208 is simply closed, the air supply unit 218 is opened, and 6 Compressed air is introduced into the chamber room 205 from the two gas outlets 285 and the inert gas is pushed out toward the exhaust port 265.
[0122]
Next, a method for manufacturing an organic EL device using the electro-optical devices 1 and 201 of the first and second embodiments will be described.
[0123]
24 to 36 show the structure of the organic EL device along with its manufacturing process. This manufacturing process includes a bank part forming step, a plasma processing step, a light emitting element forming step comprising a hole injection / transport layer forming step and a light emitting layer forming step, a counter electrode forming step, and a sealing step. Configured.
[0124]
In the bank portion forming step, the inorganic bank layer 512a and the organic bank layer 512b are stacked at predetermined positions on the circuit element portion 502 and the electrode 511 (also referred to as pixel electrodes) formed in advance on the substrate 501, thereby opening the opening portion. A bank part 512 having 512 g is formed. Thus, the bank part forming step includes a step of forming the inorganic bank layer 512a on a part of the electrode 511 and a step of forming the organic bank layer 512b on the inorganic bank layer.
[0125]
First, in the step of forming the inorganic bank layer 512a, the inorganic bank layer 512a is formed on the second interlayer insulating film 544b and the pixel electrode 511 of the circuit element portion 502, as shown in FIG. The inorganic bank layer 512a is formed on the entire surface of the interlayer insulating layer 514 and the pixel electrode 511 by, for example, CVD, coating, sputtering, vapor deposition, or the like. 2 TiO 2 An inorganic film such as is formed.
[0126]
Next, this inorganic film is patterned by etching or the like to provide a lower opening 512c corresponding to the position where the electrode surface 511a of the electrode 511 is formed. At this time, it is necessary to form the inorganic bank layer 512 a so as to overlap with the peripheral edge of the electrode 511. In this manner, the light emitting region of the light emitting layer 510 can be controlled by forming the inorganic bank layer 512a so that the peripheral portion (part) of the electrode 511 and the inorganic bank layer 512a overlap.
[0127]
Next, in the step of forming the organic bank layer 512b, as shown in FIG. 25, the organic bank layer 512b is formed on the inorganic bank layer 512a. The organic bank layer 512b is etched by a photolithography technique or the like to form an upper opening 512d of the organic bank layer 512b. The upper opening 512d is provided at a position corresponding to the electrode surface 511a and the lower opening 512c.
[0128]
As shown in FIG. 25, the upper opening 512d is preferably formed wider than the lower opening 512c and narrower than the electrode surface 511a. Accordingly, the first stacked portion 512e surrounding the lower opening portion 512c of the inorganic bank layer 512a is extended to the center side of the electrode 511 from the organic bank layer 512b. In this manner, the opening 512g penetrating the inorganic bank layer 512a and the organic bank layer 512b is formed by communicating the upper opening 512d and the lower opening 512c.
[0129]
Next, in the plasma processing step, a region showing ink affinity and a region showing ink repellency are formed on the surface of the bank portion 512 and the surface 511a of the pixel electrode. The plasma treatment process includes a preheating process, an ink affinity process for processing the upper surface (512f) of the bank portion 512, the wall surface of the opening 512g, and the electrode surface 511a of the pixel electrode 511 to have ink affinity, and an organic substance. The upper surface 512f of the bank layer 512b and the wall surface of the upper opening portion 512d are roughly divided into an ink repellent process and a cooling process.
[0130]
First, in the preheating step, the substrate 501 including the bank unit 512 is heated to a predetermined temperature. For example, heating is performed by attaching a heater to a stage on which the substrate 501 is placed, and heating the substrate 501 together with the stage. Specifically, it is preferable to set the preheating temperature of the substrate 501 within a range of 70 to 80 ° C., for example.
[0131]
Next, in the ink-philic process, plasma treatment (O 2 Plasma treatment) is performed. This O 2 26, the electrode surface 511a of the pixel electrode 511, the first stacked portion 512e of the inorganic bank layer 512a, the wall surface of the upper opening portion 512d of the organic bank layer 512b, and the upper surface 512f are subjected to ink affinity treatment. . By this ink affinity treatment, hydroxyl groups are introduced into these surfaces to impart ink affinity. In FIG. 26, the portion subjected to the parent ink processing is indicated by a one-dot chain line.
[0132]
Next, in the ink repellent process, plasma treatment (CF Four Plasma treatment) is performed. CF Four By the plasma treatment, as shown in FIG. 27, the upper opening 512d wall surface and the organic bank layer upper surface 512f are subjected to ink repellent treatment. By this ink repellent treatment, fluorine groups are introduced into each of these surfaces to impart ink repellency. In FIG. 27, a region showing ink repellency is indicated by a two-dot chain line.
[0133]
Next, in the cooling process, the substrate 501 heated for the plasma treatment is cooled to room temperature or a management temperature of the ink jet process (droplet discharge process). By cooling the substrate 501 after the plasma treatment to room temperature or a predetermined temperature (for example, a management temperature for performing the ink jet process), the next hole injection / transport layer forming process can be performed at a constant temperature.
[0134]
Next, in the light emitting element formation step, a light emitting element is formed by forming a hole injection / transport layer and a light emitting layer on the pixel electrode 511. The light emitting element forming step includes four steps. That is, a first droplet discharge step of discharging a first composition for forming a hole injection / transport layer onto each of the pixel electrodes, and drying the discharged first composition on the pixel electrodes. Hole injection / transport layer forming step for forming a hole injection / transport layer on the substrate, and a second droplet discharge step for discharging a second composition for forming a light emitting layer onto the hole injection / transport layer And a light emitting layer forming step of drying the discharged second composition to form a light emitting layer on the hole injection / transport layer.
[0135]
First, in the first droplet discharge step, a first composition containing a hole injection / transport layer forming material is discharged onto the electrode surface 511a by an inkjet method (droplet discharge method). In addition, after this 1st droplet discharge process, it is preferable to carry out in inert gas atmospheres, such as nitrogen atmosphere without water, oxygen, and argon atmosphere. (In addition, when the hole injection / transport layer is formed only on the pixel electrode, the hole injection / transport layer formed adjacent to the organic bank layer is not formed.)
[0136]
As shown in FIG. 28, an inkjet head (functional droplet ejection head) H is filled with a first composition containing a hole injection / transport layer forming material, and the ejection nozzle of the inkjet head H is positioned in the lower opening 512c. The first composition droplet 510c, whose liquid amount per droplet is controlled, is ejected from the ejection nozzle onto the electrode surface 511a while the inkjet head H and the substrate 501 are relatively moved so as to face the electrode surface 511a.
[0137]
As the first composition used here, for example, a composition obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS) in a polar solvent can be used. Examples of the polar solvent include isopropyl alcohol (IPA), normal butanol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and its derivatives, carbitol acetate And glycol ethers such as butyl carbitol acetate. As the hole injection / transport layer forming material, the same material may be used for each of the R, G, and B light emitting layers 510b, or may be changed for each light emitting layer.
[0138]
As shown in FIG. 28, the discharged first composition droplet 510c spreads on the electrode surface 511a and the first laminated portion 512e that have been subjected to the ink-philic treatment, and fills the lower and upper openings 512c and 512d. The amount of the first composition discharged onto the electrode surface 511a is the size of the lower and upper openings 512c and 512d, the thickness of the hole injection / transport layer to be formed, and the hole injection / transport in the first composition. It is determined by the concentration of the layer forming material. Further, the first composition droplet 510c may be discharged not only once but also several times on the same electrode surface 511a.
[0139]
Next, in the hole injecting / transporting layer forming step, as shown in FIG. 29, the first composition after discharge is dried and heat-treated to evaporate the polar solvent contained in the first composition. A hole injection / transport layer 510a is formed over 511a. When the drying process is performed, the evaporation of the polar solvent contained in the first composition droplet 510c mainly occurs near the inorganic bank layer 512a and the organic bank layer 512b, and the hole injection / transport layer is combined with the evaporation of the polar solvent. The forming material is concentrated and deposited.
[0140]
As a result, as shown in FIG. 29, evaporation of the polar solvent also occurs on the electrode surface 511a by the drying process, thereby forming a flat portion 510a made of a hole injection / transport layer forming material on the electrode surface 511a. Since the evaporation rate of the polar solvent is substantially uniform on the electrode surface 511a, the material for forming the hole injection / transport layer is uniformly concentrated on the electrode surface 511a, thereby forming a flat portion 510a having a uniform thickness. The
[0141]
Next, in the second droplet discharge step, the second composition containing the light emitting layer forming material is discharged onto the hole injection / transport layer 510a by an inkjet method (droplet discharge method). In this second droplet discharge step, as a solvent for the second composition used in forming the light emitting layer, the hole injection / transport layer 510a is used as a solvent for the second composition to prevent re-dissolution of the hole injection / transport layer 510a. An insoluble nonpolar solvent is used.
[0142]
On the other hand, since the hole injection / transport layer 510a has a low affinity for the nonpolar solvent, the hole injection / transport layer 510a is injected even when the second composition containing the nonpolar solvent is discharged onto the hole injection / transport layer 510a. / There is a possibility that the transport layer 510a and the light emitting layer 510b cannot be adhered to each other or the light emitting layer 510b cannot be applied uniformly. Therefore, in order to increase the affinity of the surface of the hole injection / transport layer 510a for the nonpolar solvent and the light emitting layer forming material, it is preferable to perform a surface modification step before forming the light emitting layer.
[0143]
First, the surface modification step will be described. In the surface modification step, a surface modification solvent, which is the same solvent as the non-polar solvent of the first composition used in forming the light emitting layer or a similar solvent, is applied to the ink jet method (droplet discharge method), spin coating method. Alternatively, it is performed by applying the film on the hole injection / transport layer 510a by the dipping method and then drying.
[0144]
For example, as shown in FIG. 30, the application by the inkjet method is performed by filling the inkjet head H with a surface modifying solvent and forming a discharge nozzle of the inkjet head H as a substrate (ie, a hole injection / transport layer 510a). The surface modification solvent 510d is ejected from the ejection nozzle H onto the hole injection / transport layer 510a while the inkjet head H and the substrate 501 are moved relative to each other. Then, as shown in FIG. 31, the surface modifying solvent 510d is dried.
[0145]
Next, in the second droplet discharge step, the second composition containing the light emitting layer forming material is discharged onto the hole injection / transport layer 510a by an inkjet method (droplet discharge method). As shown in FIG. 32, the inkjet head H is filled with the second composition containing the blue (B) light-emitting layer forming material, and the ejection nozzle of the inkjet head H is positioned in the lower and upper openings 512c and 512d. The second composition droplet 510e having a controlled liquid amount per droplet is ejected from the ejection nozzle while the inkjet head H and the substrate 501 are relatively moved so as to face the hole injection / transport layer 510a. The composition droplet 510e is discharged onto the hole injection / transport layer 510a.
[0146]
Examples of the light emitting layer forming material include polyfluorene polymer derivatives, (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyvinyl carbazole, polythiophene derivatives, perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, and organic polymers described above. An EL material can be used after being doped. For example, it can be used by doping rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone and the like.
[0147]
As the nonpolar solvent, those insoluble in the hole injection / transport layer 510a are preferable. For example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like can be used. By using such a nonpolar solvent for the second composition of the light emitting layer 510b, the second composition can be applied without re-dissolving the hole injection / transport layer 510a.
[0148]
As shown in FIG. 32, the discharged second composition 510e spreads on the hole injection / transport layer 510a and fills the lower and upper openings 512c and 512d. The second composition 510e may be discharged not only once but also several times on the same hole injection / transport layer 510a. In this case, the amount of the second composition at each time may be the same, and the amount of the second composition may be changed every time.
[0149]
Next, in the light emitting layer forming step, after the second composition is discharged, drying treatment and heat treatment are performed to form the light emitting layer 510b on the hole injection / transport layer 510a. In the drying process, the non-polar solvent contained in the second composition is evaporated by drying the discharged second composition to form a blue (B) light emitting layer 510b as shown in FIG.
[0150]
Subsequently, as shown in FIG. 34, the red (R) light emitting layer 510b is formed in the same manner as the blue (B) light emitting layer 510b, and finally the green (G) light emitting layer 510b is formed. Note that the order of forming the light emitting layers 510b is not limited to the order described above, and any order may be used. For example, the order of formation can be determined according to the light emitting layer forming material.
[0151]
Next, in the counter electrode forming step, as shown in FIG. 35, a cathode 503 (counter electrode) is formed on the entire surface of the light emitting layer 510b and the organic bank layer 512b. Note that the cathode 503 may be formed by stacking a plurality of materials. For example, it is preferable to form a material with a small work function on the side close to the light emitting layer, for example, Ca, Ba, etc. can be used, and depending on the material, it is better to form a thin layer of LiF, etc. There is also. Further, the upper side (sealing side) preferably has a higher work function than the lower side. These cathodes (cathode layers) 503 are preferably formed by, for example, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like, and particularly preferably formed by an evaporation method from the viewpoint that damage to the light emitting layer 510b due to heat can be prevented.
[0152]
Further, lithium fluoride may be formed only on the light emitting layer 510b, and may be formed only on the blue (B) light emitting layer 510b. In this case, the upper cathode layer 503b made of LiF is in contact with the other red (R) light emitting layers and green (G) light emitting layers 510b and 510b. Further, an Al film, an Ag film, or the like formed by vapor deposition, sputtering, CVD, or the like is preferably used on the cathode 12. In addition, on the cathode 503, SiO is added to prevent oxidation. 2 A protective layer such as SiN may be provided.
[0153]
Finally, in the sealing step shown in FIG. 36, a sealing substrate 505 is laminated on the organic EL element 504 in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. It is not preferable to perform in the atmosphere since defects such as pinholes are generated in the cathode 503 because water or oxygen may enter the cathode 503 from the defective portion and the cathode 503 may be oxidized. Finally, the cathode 503 is connected to the wiring of the flexible substrate, and the wiring of the circuit element unit 502 is connected to the driving IC, whereby the organic EL device 500 of this embodiment is obtained.
[0154]
【The invention's effect】
As described above, according to the method for operating a chamber apparatus and the chamber apparatus of the present invention, the atmosphere in the chamber room is constituted by the replenishment and exhaust of the inert gas. The atmosphere can be maintained. Further, the temperature of the atmosphere in the chamber room, the oxygen concentration, etc. can be easily adjusted. Therefore, work processing or the like can be performed in a favorable environment.
[0155]
In addition, according to the electro-optical device and the organic EL device of the present invention, work processing can be performed in an atmosphere of fresh inert gas, so that reliability and quality in work processing (manufacturing of the organic EL device) are improved. Can be maintained at a level. Therefore, organic EL devices can be provided with high quality and high reliability at a low cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an external perspective view of an electro-optical device according to an embodiment of the invention.
FIG. 2 is an external perspective view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 3 is an external front view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 4 is an external side view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 5 is an external plan view of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 6 is a schematic diagram of a droplet discharge device of the drawing apparatus according to the embodiment.
FIG. 7 is a system diagram of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 8 is a plan view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 9 is a front view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 10 is a right side view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 11 is a left side view of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 12 is a rear view of the chamber apparatus according to the embodiment.
13A and 13B are a cross-sectional view (a) and a cross-sectional view (b) of the detachable panel unit of the chamber apparatus according to the embodiment.
FIG. 14 is an external perspective view of an electro-optical device according to a second embodiment.
FIG. 15 is an external front view of an electro-optical device according to a second embodiment.
FIG. 16 is an external side view of an electro-optical device according to a second embodiment.
FIG. 17 is an external plan view of an electro-optical device according to a second embodiment.
FIG. 18 is an operation conceptual diagram in the droplet discharge device of the drawing apparatus according to the second embodiment.
FIG. 19 is a plan view of a chamber apparatus according to the second embodiment.
FIG. 20 is a front view of a chamber apparatus according to the second embodiment.
FIG. 21 is a left side view of the chamber apparatus according to the second embodiment.
FIG. 22 is a right side view of the chamber apparatus according to the second embodiment.
FIG. 23 is a system diagram of a chamber apparatus according to the second embodiment.
FIG. 24 is a cross-sectional view of a bank part forming step (inorganic bank) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 25 is a cross-sectional view of a bank part forming step (organic bank) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 26 is a cross-sectional view of a plasma treatment step (hydrophilization treatment) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 27 is a cross-sectional view of a plasma treatment step (water repellency treatment) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 28 is a cross-sectional view of a hole injection layer forming step (droplet discharge) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 29 is a cross-sectional view of a hole injection layer forming step (drying) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 30 is a cross-sectional view of a surface modification process (droplet discharge) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 31 is a cross-sectional view of a surface modification step (drying) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 32 is a cross-sectional view of a B light emitting layer formation step (droplet discharge) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 33 is a cross-sectional view of a B light emitting layer forming step (drying) in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 34 is a cross-sectional view of the R, G, B light emitting layer forming step in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 35 is a cross-sectional view of a counter electrode forming step in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
FIG. 36 is a cross-sectional view of a sealing step in the method for manufacturing an organic EL device according to the embodiment.
[Explanation of symbols]
1 Electro-optical device 2 Drawing device
3 Chamber device 4 Function droplet discharge head
6 Droplet ejector 11 Chamber room
12 Electrical room 13 Machine room
17 X-axis table 18 Y-axis table
20 Head unit 101 Gas introduction unit
102 Exhaust duct 113 Front detachable panel unit
114 Rear detachable panel unit 121 Inner panel unit
122 Outer panel unit 124 Inner panel
126 Outer panel 129 Electromagnetic lock device
130 Air gap 131 Air supply port
132 Exhaust port 133 Filter chamber
135 Filter 137 Bulkhead
138 Gas flow path 141 Gas damper unit
142 Gas open / close valve 143 Gas adjustment valve
144 Gas opening / closing damper 147 Main gas flow path
155 Gas conditioner 156 Cooler
157 Heater 158 Fan
161 Exhaust chamber 162 Exhaust damper unit
163 Exhaust adjustment damper 164 Exhaust opening / closing damper
166 Exhaust pipe 167 Exhaust valve
171 Outside air flow path 172 Outside air intake
173 Outside air damper unit 174 Outside air opening / closing damper
175 Outside air adjustment damper 176 Outside air opening / closing valve
201 Electro-optical device 202 Drawing device
203 Liquid droplet ejection device 204 Chamber device
205 Chamber room 208 Gas introduction unit
211 Functional droplet discharge head 228 Head unit
231 X-axis table 232 Y-axis table
252 Supply tube 253 Exhaust duct
265 Exhaust port 274 Flow rate adjustment valve
275 Gas outlet 500 Organic EL device
501 Substrate 504 Organic EL element
510a Hole injection / transport layer 510b Light emitting layer
W substrate

Claims (9)

不活性ガスの送気口による補給および排気口による排気を連続させて、ワーク処理を行うチャンバルーム内に不活性ガスの雰囲気を構成するチャンバ装置の運転方法であって、
前記チャンバルームは略直方体形状を有し、
前記不活性ガスの補給を、前記排気口から離間すると共に前記チャンバルーム内の複数の隅部に設けた複数の前記送気口から行うことを特徴とするチャンバ装置の運転方法。
A method of operating a chamber apparatus in which an atmosphere of an inert gas is configured in a chamber room where workpiece processing is performed by continuously supplying an inert gas through an air supply port and exhausting through an exhaust port.
The chamber room has a substantially rectangular parallelepiped shape,
The method for operating a chamber apparatus, wherein the inert gas is replenished from a plurality of air supply ports provided at a plurality of corners in the chamber room while being separated from the exhaust port.
大気圧に対し、前記チャンバルーム内が正圧に保たれることを特徴とする請求項1に記載のチャンバ装置の運転方法。  The method for operating a chamber apparatus according to claim 1, wherein the inside of the chamber room is maintained at a positive pressure with respect to atmospheric pressure. 請求項1または2に記載のチャンバ装置の運転方法を実施することを特徴とするチャンバ装置。  A chamber apparatus, wherein the method for operating the chamber apparatus according to claim 1 is performed. 請求項3に記載のチャンバ装置と、前記チャンバ装置に収容した前記ワーク処理装置と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。  An electro-optical device comprising: the chamber device according to claim 3; and the workpiece processing device accommodated in the chamber device. 前記ワーク処理装置が、有機EL装置の製造装置であることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。  The electro-optical device according to claim 4, wherein the work processing apparatus is an apparatus for manufacturing an organic EL device. 前記有機EL装置の製造装置が、ワークである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査し、前記発光機能材料を選択的に吐出して前記基板上の多数の画素領域に有機EL機能層を形成する液滴吐出装置を有していることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。  The organic EL device manufacturing apparatus relatively scans a functional liquid droplet ejection head into which a light emitting functional material is introduced with respect to a substrate which is a workpiece, and selectively ejects the light emitting functional material so that a large number on the substrate. The electro-optical device according to claim 5, further comprising a droplet discharge device that forms an organic EL functional layer in the pixel region. 有機EL機能層が、EL発光層および正孔注入層のうち少なくとも前記EL発光層であることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。  The electro-optical device according to claim 6, wherein the organic EL functional layer is at least the EL light-emitting layer among an EL light-emitting layer and a hole injection layer. 前記ファンによる前記ワーク処理エリアにおける気流が、前記機能液滴吐出ヘッドから吐出した前記発光機能材料に飛行曲がりを生じない速度に調整されていることを特徴とする請求項6または7に記載の電気光学装置。  8. The electricity according to claim 6, wherein an air flow in the work processing area by the fan is adjusted to a speed that does not cause a flight bending in the light emitting functional material ejected from the functional liquid droplet ejection head. 9. Optical device. 請求項5ないし8のいずれかに記載の電気光学装置により製造されたことを特徴とする有機EL装置。  An organic EL device manufactured by the electro-optical device according to claim 5.
JP2002078721A 2002-03-20 2002-03-20 Chamber device operating method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same Expired - Lifetime JP3951765B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002078721A JP3951765B2 (en) 2002-03-20 2002-03-20 Chamber device operating method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002078721A JP3951765B2 (en) 2002-03-20 2002-03-20 Chamber device operating method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007037924A Division JP4840186B2 (en) 2007-02-19 2007-02-19 Chamber equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003272846A JP2003272846A (en) 2003-09-26
JP3951765B2 true JP3951765B2 (en) 2007-08-01

Family

ID=29206124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002078721A Expired - Lifetime JP3951765B2 (en) 2002-03-20 2002-03-20 Chamber device operating method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3951765B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008201018A (en) * 2007-02-21 2008-09-04 Toppan Printing Co Ltd Alignment apparatus for ink-jet head
JP5423706B2 (en) * 2010-03-15 2014-02-19 三菱化学株式会社 Organic electroluminescent device manufacturing method, organic electroluminescent device, organic EL lighting, and organic EL display device
US9093667B2 (en) * 2011-02-02 2015-07-28 Joled Inc. Method for producing electroluminescence device
KR20190138705A (en) * 2013-04-26 2019-12-13 카티바, 인크. Techniques for print ink droplet measurement and control to deposit fluids within precise tolerances
WO2017022366A1 (en) * 2015-08-04 2017-02-09 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003272846A (en) 2003-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4840186B2 (en) Chamber equipment
JP3979113B2 (en) Chamber device atmosphere replacement method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same
JP3979135B2 (en) Chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same
JP4066661B2 (en) Organic EL device manufacturing apparatus and droplet discharge apparatus
JP3985559B2 (en) Discharge device, liquid crystal display device manufacturing method, organic EL device manufacturing method, electron emission device manufacturing method, PDP device manufacturing method, electrophoretic display device manufacturing method, color filter manufacturing method, organic EL manufacturing method , Spacer forming method, metal wiring forming method, lens forming method, resist forming method, and light diffuser forming method
JP4075425B2 (en) ORGANIC EL DEVICE, ORGANIC EL DEVICE MANUFACTURING METHOD, ORGANIC EL DEVICE MANUFACTURING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
US6910762B2 (en) Head unit for ejection apparatus and ejection apparatus equipped therewith; method of manufacturing lcd device, organic el device, electron emission device, pdp device, electrophoretic display device, color filter, and organic el; method of forming spacer, metallic wiring, lens, resist, and light diffusion member
JP3925257B2 (en) Connection line penetrating structure in airtight chamber, discharge device including the same, liquid crystal display device manufacturing method, organic EL device manufacturing method, electron emission device manufacturing method, PDP device manufacturing method, electrophoretic display device manufacturing Method, color filter manufacturing method, organic EL manufacturing method, spacer forming method, metal wiring forming method, lens forming method, resist forming method, and light diffuser forming method
US6623097B2 (en) Thin film formation method by ink jet method, ink jet apparatus, production method of organic EL device, and organic EL device
JP2005074299A (en) Draft chamber, head washing equipment, head keeping equipment, liquid droplet discharge device, manufacturing method of electrooptical device, electrooptical device and electronic device
JP3951765B2 (en) Chamber device operating method, chamber device, electro-optical device and organic EL device including the same
JP2006204997A (en) Substrate drying device, substrate processing system equipped with it, and manufacturing method of electro-optical apparatus, electro-optical apparatus and electronic component
JP2003275646A (en) Cleaning unit of discharge head for functional liquid droplet in discharge device and discharge device with the same, manufacturing method for liquid crystal display device, organic el device, electron emission device, pdp device, electrophoretic display device, color filter and organic el, and forming method for spacer, metallic wiring, lens, resist and light diffusing body
JP3901119B2 (en) Drawing apparatus, organic EL device manufacturing method and manufacturing apparatus, and organic EL device and electronic apparatus
JP2003243158A (en) Manufacturing method and device of organic el device as well as organic el device, electronic equipment and drop discharge device
JP3945475B2 (en) Maintenance device and drawing device provided with the same
JP3937833B2 (en) Functional droplet discharge head cleaning method and cleaning device, liquid crystal display device manufacturing method, organic EL device manufacturing method, electron emission device manufacturing method, PDP device manufacturing method, electrophoretic display device manufacturing method, color filter Manufacturing method, organic EL manufacturing method, spacer forming method, metal wiring forming method, lens forming method, resist forming method, and light diffuser forming method
JP4453251B2 (en) Drawing work line
JP4399148B2 (en) Functional liquid filling method for ink jet head and functional liquid droplet ejection apparatus
JP2004087303A (en) Film forming apparatus, liquefied material filling method, device, and method and apparatus for manufacturing device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070403

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070416

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3951765

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term