JP3934881B2 - 垂直通電型磁気抵抗効果素子、垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直通電型磁気抵抗効果素子、垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、HDD(ハードディスクドライブ)の記録密度が飛躍的に向上しているが、さらに高記録密度化が望まれている。高記録密度化に伴う記録ビットサイズの微小化により、従来のインダクティブ型薄膜ヘッドでは再生感度が不十分になっていた。
【0003】
1980年代、バルク磁性材料の異方性磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果ヘッド(MRヘッド)が開発された。さらに感度向上を目指した結果、1990年代初頭には、より大きな磁気抵抗効果を示す人工格子膜が発見された。その後、人工格子膜の実用上の問題を解決するためにスピンバルブ(SV)型巨大磁気抵抗効果ヘッド(SVヘッド)が開発され、現在実用化されている。
【0004】
SV膜は、磁化方向が固着されたピン層と、媒体磁界により磁化が回転(センス)する感磁層をなすフリー層と、それらの層に挟まれる非磁性中間層(スペーサー層)を含む。ピン層は反強磁性層により一方向に磁化が固着される。上記の層以外にも保護膜、下地層、配向制御膜、スペキュラー(鏡面反射)膜などが形成される。
【0005】
図9に、現在実用化されている磁気抵抗効果ヘッドの再生部を示す。この磁気抵抗効果ヘッドは、SV膜の膜面に沿ってセンス電流が通電されるので、CIP(current in plane)−MRヘッドと呼ばれる。図9(a)はCIP−MRヘッドを媒体対向面(ABS面)近傍の、これと平行な断面を示す図である。図9(b)は図9(a)のB−B線で切断した断面図である。
【0006】
図9(a)および(b)に示されるように、下シールド膜1上に絶縁膜からなる下ギャップ膜2が形成されている。下ギャップ膜2上には、SV膜3と、トラック幅方向(図9(a)の紙面左右方向)に沿ってSV膜3を両側から挟む一対のハードバイアス膜(ハード膜)4、4が形成されている。SV膜3のフリー層はその両側に配置されたハードバイアス膜4、4によりトラック幅方向に平行な方向に磁気異方性が付与されている。一方、SV膜3のピン層は反強磁性層により媒体対向面に垂直な方向に磁化が固着されている。このような構成はフリー層とピン層の磁化方向が互いに直交することから一般に直交磁化と呼ばれる。ハードバイアス膜4、4上には一対の電極(リード)5、5がSV膜3を挟み込むように形成され、ハードバイアス膜4、4も電極5、5の一部として機能する。最近では、電極5、5をSV膜3の上にオーバーラップされたリード・オーバーレイド構造が用いられている。これらの電極5、5によりSV膜3の膜面に沿ってセンス電流が通電される。SV膜3および電極5、5上には絶縁膜からなる上ギャップ膜6が形成されている。上ギャップ膜6上には上シールド膜7が形成されている。
【0007】
このCIP−MRヘッドは、SV膜3が軟磁性体からなる下シールド膜1と上シールド膜7との間に絶縁膜からなる下ギャップ膜2および上ギャップ膜6を介して配置された、いわゆるシールド型SVヘッドである。このCIP−MRヘッドでは、フリー層における媒体磁化のセンス領域を、一対のハードバイアス膜4、4間の間隔および一対の電極5、5間の間隔を調整することによって制御する。現状では、ハードバイアス膜4、4間の間隔を詰めることは困難になっているため、電極5、5間の間隔によりセンス領域を制御している。しかし、記録密度が100Gbpsiでは電極間隔は約0.2μm、200Gbpsiでは約0.1μmとなるため、電極5、5どうしを導通させないように加工するのは極めて困難になる。また、下ギャップ膜2および上ギャップ膜6についても、絶縁を維持したまま薄膜化することが困難となってきている。
【0008】
上記の課題を解決するために、最近、MR膜面に垂直方向に電流を通電する垂直通電型(current perpendicular to plane)磁気抵抗効果ヘッド、すなわちCPP−MRヘッドが考案されている。垂直通電型では電極を同一面内ではなく、SV膜の上部および下部に個別に形成するので、電極形成が容易になる。しかも、シールドと電極との絶縁を保つ必要がなくなるため、絶縁膜の薄膜化に関連する上記の制約は問題にならない。
【0009】
図10(a)および(b)に、代表的なCPP−MRヘッドの再生部を示す。図10(a)はCPP−MRヘッドを媒体対向面(ABS面)近傍の、これと平行な断面を示す図である。図10(b)は図10(a)のB−B線で切断した断面図である。
【0010】
図10(a)および(b)に示されるように、下シールド膜11上に下電極12が形成されている。下電極12上には、SV膜13と、トラック幅方向に沿ってSV膜3を両側から挟む一対のハードバイアス膜(ハード膜)14、14が形成されている。SV膜13のフリー層はその両側に配置されたハードバイアス膜14、14によりトラック幅方向に平行な方向に磁気異方性が付与され、SV膜13のピン層は反強磁性層により媒体対向面に垂直な方向に磁化が固着されている(直交磁化)。ハードバイアス膜14、14上にはAlOxなどの絶縁膜15が形成されている。絶縁膜15によりハードバイアス膜(ハード膜)14、14と絶縁されて、SV膜13と接続するように上電極16が形成されている。上電極16上には上シールド膜17が形成されている。下シールド膜11および上シールド膜17は下電極12および上電極16の一部としても機能する。
【0011】
図示したように一般にCPP−MRヘッドでは、ピラー(柱)と呼ばれる上電極16の突出部がSV膜13に接続され、ピラーの断面積によって外部磁束または媒体磁束のセンス領域が規定される。ピラーの周囲には絶縁膜15が形成されている。センス電流は、上電極16から下電極12へSV膜13の膜面に垂直に通電される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
一般的によく知られているように、CPP−MR膜はCIP−MR膜より大きなMR変化率を示すが、膜厚方向に通電するため抵抗が小さくなり、抵抗変化量も小さくなる。この場合、オームの法則すなわちΔV=I・ΔRによれば、大きな出力電圧(ΔV)を得るためには、大きな電流を通電する必要がある。
【0013】
CPP−MRヘッドに大きな電流を通電した場合、ピラーのエッジ部外側には非常に大きな電流磁界が印加される。この電流磁界は電極周囲のMR膜面内に電極中心の円周方向に印加される。このため、外部磁界をセンスする感磁層のM−Hループにヒステリシスが現れ、バルクハウゼンノイズが生じるとともに、外部磁界(媒体磁束)感度が低下する問題が明らかになった。また、電流磁界の方向が左右上下で逆方向となり、ヘッド出力波形の対称性が損なわれるという問題も明らかになった。
【0014】
本発明の目的は、垂直通電型磁気抵抗効果膜の感磁領域に印加されるセンス電流磁界を抑制し、高出力、高S/N比を実現できる垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の垂直通電型磁気抵抗効果素子は、外部磁界中において磁化方向が変化する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直方向に通電するために前記磁気抵抗効果膜の上下に形成された第1電極および第2電極とを具備し、前記第1または第2電極は、前記磁気抵抗効果膜の膜面に接続された外側電極、及び前記磁気抵抗効果膜の膜面において前記外側電極より内側において前記磁気抵抗効果膜の膜面に接続された内側電極を備え、前記磁気抵抗効果膜の膜面でトラック幅方向に沿って前記外側電極は前記内側電極によって分断されており、前記内側電極は前記外側電極よりも電気抵抗率が低いことを特徴とする。
【0016】
上記の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドにおいては、前記内側電極または前記外側電極が、2層以上の多層構造を有していてもよい。前記内側電極は、Cu、Au、Ag、W、RhおよびAlからなる群より選択される少なくとも1種の元素からなる金属または合金を含有することが好ましい。
【0017】
上記の磁気抵抗効果膜は、例えば外部磁界がゼロの状態において第1の方向の磁化を備え、所定の外部磁界中において磁化が回転する磁化フリー層と、前記外部磁界がゼロの状態及び前記所定の外部磁界中において第2の方向の磁化を保持する磁化ピン層と、前記磁化フリー層と前記磁化ピン層との間に形成された非磁性層とを備える。
【0018】
本発明の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドは、上記の垂直通電型磁気抵抗効果素子と、前記垂直通電型磁気抵抗効果素子を上下から挟む1対の磁気シールドとを具備したことを特徴とする。
【0019】
本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体と、上記の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドとを具備したことを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
本実施形態の垂直通電型磁気抵抗効果素子において、磁気抵抗効果膜(SV膜)は少なくとも磁化フリー層(以下、単にフリー層とする)と磁化ピン層(以下、単にピン層とする)とそれらに挟まれるスペーサー層を含む。SV膜は、磁化ピン層の磁化を交換結合によって固着する反強磁性層が基板側に形成されるボトム型および前記反強磁性層が基板と反対側に形成され、磁化フリー層が基板側に形成されるトップ型のいずれでもよい。SV膜としては、ピン層/スペーサー層/フリー層/スペーサー層/ピン層の構造を有するデュアルSV膜を用いることもできる。ピン層は、強磁性層/Ru/強磁性層の三層膜からなる反強磁性結合ピン層でもよい。なお、この実施形態中では磁気抵抗効果膜にSV膜を用いて説明するが、この他に人工格子膜、トンネル磁気抵抗効果膜を用いることができる。人工格子膜は強磁性層と非磁性層を交互に積層した構造等を用いることができ、非磁性層を挟む強磁性層は互いに強磁性結合、反強磁性結合していてもよく、あるいは磁気的に非結合でもよい。トンネル磁気抵抗効果膜は絶縁性の非磁性層を強磁性層で挟んだ構造を有し、両強磁性層は人工格子と同様の結合系あるいは非結合系とできる。これらの強磁性材料、非磁性材料には、公知の材料を用いることができる。例えば、特許第2,637,360に詳細に記載されており、その対応の記載をこの明細書の一部として引用する。
【0021】
本実施形態において用いられる磁気抵抗効果膜には、上述した各層の他に、下地層、保護層、MR変化率を向上させるために伝導電子を鏡面反射させる鏡面反射層などを設けてもよい。
【0022】
磁気抵抗効果膜の上下に形成される第1電極または第2電極は、磁気抵抗効果膜に接続された外側電極と内側電極から構成され、内側電極は外側電極よりも電気抵抗率が低い。具体的には、外側電極の電気抵抗率ρoutと内側電極の電気抵抗率ρinとの比(ρout/ρin)が2以上であることが好ましい。
【0023】
表1中に、各種元素の電気抵抗率を示す。表1に示されるように、内側電極の材料には電気抵抗率が低いCu、Au、Ag、W、Rh、Alから選ばれる少なくとも1種の元素を用いることができる。また、これらの金属のいずれかを含む合金でもよい。なお、電極が複数層からなる多層構造を有する場合には、複数層の材料の並列化により求めた電気抵抗率を用いる。
【0024】
【表1】
本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【0025】
(第1の実施形態)
図1に第1の実施形態に係る垂直通電型磁気抵抗効果ヘッド(CPP−MRヘッド)の再生部を示す。図1(a)はCPP−MRヘッドのABS面近傍におけるこれと平行な断面を示す図、図1(b)は図1(a)のB−B線で切断した断面図、図1(c)は図1(a)のC−C線で切断した断面図である。このCPP−MRヘッドは、いわゆるシールド型ヘッドである。
【0026】
図1(a)〜(c)に示されるように、下シールド膜11上に1種類の材料からなる下電極(第1電極)12が形成されている。下電極12上には、スピンバルブ膜(SV膜)13と、トラック幅方向に沿ってSV膜13を両側から挟む一対のハードバイアス膜(ハード膜)14、14が形成されている。SV膜13のフリー層はその両側に配置されたハードバイアス膜14、14によりトラック幅方向に平行な方向に磁気異方性が付与され、SV膜13のピン層は反強磁性層により媒体対向面に垂直な方向に磁化が固着されている(直交磁化)。ハードバイアス膜14、14上にはAlOxなどの絶縁膜15が形成されている。絶縁膜15によりハードバイアス膜(ハード膜)14、14と絶縁されて、SV膜13上でテーパー形状をなしSV膜13に向かって収束してSV膜13と接続するように上電極(第2電極)16が形成されている。この上電極16は外側電極161と内側電極162から構成されており、内側電極162は外側電極161よりも電気抵抗率が低い材料からなっている。上電極16上には上シールド膜17が形成されている。下シールド膜11および上シールド膜17は下電極12および上電極16の一部としても機能する。センス電流は、上電極16と下電極12を通じてSV膜13の膜面に垂直に通電される。なお、図1(a)の下シールド膜11側がリーディング側で、上シールド膜17側がトレーリング側である。
【0027】
上述したようにSV膜はボトム型でもトップ型でもよい。ただし、センス電流が分散することなくフリー層に通電されるように、収束電極側すなわち本実施形態の場合には上電極16側にフリー層を配置するボトム型が好ましい。このような構造では、センス電流が高い電流密度で感磁層であるフリー層に通電され、大きな抵抗変化と高い感度が実現される。
【0028】
内側電極162はSV膜13の中央領域(センス領域)に接続される。外側電極161は、ハード膜14、14によって中央領域よりも強く異方性制御(ほとんど一方向に磁化固着)されたSV膜13の端部領域に接続される。このため、外側電極161に通電される電流は再生信号の増大にはほとんど寄与せず、内側電極162の端部に生じるセンス電流磁界を緩和するのに寄与する。従って、内側電極162に通電電流の大部分を流すように、内側電極162の電気抵抗率が外側電極161の電気抵抗率よりも小さくなるように材料設計することができる。
【0029】
以下、内側電極162と外側電極161の電極材料および構造について、電流分流の観点から説明する。電流分流量は、内側電極162と外側電極161の抵抗比で決まると考えられる。ただし、ここでは外側電極161および内側電極162とSV膜13との単位面積当たりの接触抵抗、およびSV膜13の外部磁束センス動作中の抵抗は考慮しない。
【0030】
図2に本実施形態のCPP−MRヘッドにおけるSV膜13の上電極16との接合部を拡大して示す。この図に示されるように、SV膜13に対する外側電極161および内側電極162の接触面積をそれぞれS1(=2×L1×D)およびS2(=L2×D)とする。SV膜13に対する外側電極161の接触部は2ヶ所に分断されているが、S1はこれらを合計した面積とする。また、外側電極161および内側電極162の電気抵抗率をそれぞれρ1およびρ2、通電するセンス電流をIとする。
【0031】
SV膜13の各領域S1およびS2に通電されるセンス電流IS1およびIS2(全センス電流I=IS1+IS2)は、外側電極161および内側電極162の電気抵抗率に依存してそれぞれ式(1)および式(2)のように表される。
【0032】
IS1=I・S2・ρ2/(ρ1・S1+ρ2・S2) (1)
IS2=I・S1・ρ1/(ρ1・S1+ρ2・S2) (2)
上記のIS1は分流電流であり出力にはほとんど寄与しない電流であるから、できるだけ小さいことが好ましい。したがって、センス電流の分流率をαとすると、α=IS1/Iと表される。実際には、CPP−MR膜のMR変化量(MR)を考慮して電極材料およびS1とS2との面積比が決定される。
【0033】
ここで、ρ1=β・ρ2、S1=γ・S2とすると、
α=1/(1+β・γ)
と表される。
【0034】
電流分流量を考慮すると、分流率αはα≦0.5とすることが好ましい。この条件では出力低下を50%以下に抑えることができる。また、電気抵抗率の比率βはβ≧2とすることが好ましい。この条件では分流部分の面積が大きくなっても分流量を抑制できる。これらの関係を満たすように電極材料および接触面積を決定すればよい。
【0035】
実際に、100Gbpsi対応のCPP−MRヘッドを想定して、SV膜形状をL=0.15μm、D=0.15μmに設定した。外側電極161に電気抵抗率が13.1μΩcmであるTa、内側電極162に電気抵抗率が1.70μΩcmであるCuを用い、L1を0.05μm、L2を0.05μmとして本実施形態のCPP−MRヘッドを設計した。一方、Cuのみからなる上電極を用いて従来のCPP−MRヘッドを設計した。
【0036】
これらのCPP−MRヘッドについて、5mAのセンス電流を通電したときの上電極端部でのセンス電流磁界の強度を比較した。なお、本実施形態のCPP−MRヘッドについては、内側電極162に5mAのセンス電流が通電されるように調整し、内側電極162端部でのセンス電流磁界を測定した。その結果、従来のCPP−MRヘッドでは上電極端部におよそ170(Oe)の最大電流磁界が印加されるのに対し、本実施形態のCPP−MRヘッドでは内側電極162端部での最大電流磁界がおよそ80(Oe)まで低下することが確認できた。
【0037】
また、マイクロマグネティクス計算によりフリー層のM−Hカーブを評価した。その結果、従来のCPP−MRヘッドではセンス電流磁界の影響を受けてM−Hカーブにヒステリシスが生じるのに対し、本実施形態のCPP−MRヘッドではM−Hカーブにヒステリシスが生じないことが確認された。
【0038】
さらに、この計算結果は、ヘッド試作による出力のS/N比および出力の大きさとほぼ等価な関係であることが明らかとなった。
【0039】
次に、図3(a)〜(c)の工程断面図を参照して、第1の実施形態の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドを作製するための第1のプロセスについて説明する。
【0040】
図3(a)に示すように、Al2O3、TiC等の基板10上に、5nmTa/Ni80Fe20(at%)からなる下シールド膜11を成膜する。この下部シールド膜11は下電極の一部として機能する。下シールド膜11上に、5nmTa/Cu/Taからなる下電極12を成膜する。下層のTaは密着性を向上させる機能を有し、上層のTaは後工程に備えた保護層としての機能を有する。下電極12の厚さは適宜調整される。この下電極12は下部磁気ギャップを規定する。
【0041】
次に、図3(b)の工程を説明する。下電極12上にSV膜13を成膜する。SV膜13は、例えば下地層としてTa、反強磁性層としてNiFeCr/PtMn、ピン層として[CoFe/Cu]x/CoFe/Ru/[CoFe/Cu]x/CoFe、スペーサー層としてCu、フリー層として[CoFe/Cu]x/CoFe、保護層としてTaを有する。このSV膜13の総膜厚はおよそ30nmである。
【0042】
SV膜13のデプス規定(D方向)のためのパターニングを行う。具体的には、SV膜13上にT型レジスト(図示せず)を形成した後、IBE(Ion Beam Etching)によりエッチングを行う。なお、RIE(Reactive Ion Etching)などの他のドライエッチングを用いてもよい。その後、エッチング部に厚さ約100nmのAlOx膜からなる絶縁膜を成膜し、T型レジストを除去する。
【0043】
SV膜13の幅規定(L方向)のためのパターニングを行う。具体的には、SV膜13上にT型レジスト21を形成した後、IBEによりエッチングを行う。その後、5nmCr/50nmCoCrPtからなるハード膜14を成膜する。ハード膜14のt・Mr(膜厚・残留磁化の積)とフリー層のt・Ms-free(膜厚・飽和磁化の積)は、t・Mr/t・Ms-free>2となるように設定する。その後、50nmのAlOx膜からなる絶縁膜15を成膜する。上記のハード膜14およびAlOxからなる絶縁膜15はT型レジスト21下部への回り込みが小さくなるように、指向性の良好な成膜装置を用いて指向性が良好になる条件で成膜する。指向性の良好な成膜方法としてはIBS(Ion Beam Sputtering)やコリーメーション付きスパッタリングなどを用いる。その後、今度はT型レジスト21下部への回り込みが大きくなるような条件で、Taからなる外側電極161を成膜する。Taの膜厚は、3nm以上100nm以下とすることが望ましい。3nm未満の場合にはT型レジスト下部への回り込みが十分でなく、100nmより厚い場合にはレジスト除去が困難になる。外側電極161がSV膜13でオーバーラップする長さ(L1)はおよび0.05μmに設定する。その後、T型レジスト21を除去する。
【0044】
次に、図3(c)に示すように、Ta(162a)/Cu(162b)の二層構造を有する内側電極162を形成する。Taは下地層であり、その膜厚は10nm以下が好ましい。内側電極162上にTa/Ni80Fe20(at%)からなる上シールド膜17を形成する。このようにしてCPP−MRヘッドを作製する。
【0045】
図4に上記のプロセスで得られるCPP−MRヘッドにおけるSV膜13と上電極16との接合部を拡大して示す。図3のプロセスでは、SV膜13の保護層、外側電極161および内側電極162の下地層162aがいずれもTaで形成される。この場合、LOすなわち(外側電極161のオーバーラップ長さ+内側電極162のTa下地層162aの厚さ)が、t1すなわち(SV膜13のTa保護層の厚さ+内側電極162のTa下地層162aの厚さ)よりも厚いことが望ましい(LO≧t1)。また、t1すなわち(SV膜13のTa保護層の厚さ+内側電極162のTa下地層162aの厚さ)が、t2すなわち(Ta外側電極161の厚さ+内側電極162のTa下地層162aの厚さ)よりも薄いことが望ましい(t1≦t2)。これらの条件を満たさない場合には、分流電流量が極端に小さくなり、センス電流磁界の低減効果を得ることが困難になる。
【0046】
次に、図5(a)〜(c)の工程断面図を参照して、第1の実施形態の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドを作製するための第2のプロセスについて説明する。
【0047】
図5(a)に示す構造は、第1のプロセスと同様の膜構成と工程により得られる。すなわち、基板10上に、下シールド膜11、下電極12、SV膜13を形成し、SV膜13のデプス規定を行う。T型レジストを形成した後にIBEによりエッチングして、SV膜13の幅規定を行う。ハード膜14を成膜した後、T型レジストを除去する。その後、厚さ約50nmのTaからなる外側電極161を成膜する。
【0048】
次に、図5(b)に示すように、フォトリソグラフィーにより外側電極161上にレジストパターン22を形成し、RIEにより外側電極161をエッチングして内側電極のコンタクトホールを形成する。その後、レジストパターン22を除去する。
【0049】
次いで、図5(c)に示すように、Ta/Cuからなる内側電極162を成膜する。その後、Ta/Ni80Fe20(at%)からなる上シールド膜17を成膜する。
【0050】
(第2の実施形態)
図6に第2の実施形態に係る垂直通電型磁気抵抗効果ヘッド(CPP−MRヘッド)のABS面近傍の、これと平行な断面図を示す。本実施形態では、下電極が外側電極および内側電極から構成されている。
【0051】
図6に示されるように、下シールド膜11上に下電極(第1電極)12が形成されている。この下電極12は外側電極121および内側電極122からなっている。内側電極122は外側電極121よりも電気抵抗率が低い材料からなっている。これらの外側電極121および内側電極122は、上部のSV膜との接合部がテーパー形状に形成されている。外側電極121および内側電極122のテーパー部を囲むようにAlOxなどの絶縁膜15が形成されている。下電極12の外側電極121および内側電極122に接続するようにSV膜13が形成されている。絶縁膜15上には、トラック幅方向に沿ってSV膜13を両側から挟む一対のハードバイアス膜(ハード膜)14、14が形成されている。SV膜13およびハードバイアス膜14、14上には上電極(第2電極)16が形成されている。上電極16上には上シールド膜17が形成されている。この場合も、下シールド膜11側がリーディング側で、上シールド膜17側がトレーリング側である。
【0052】
このCPP−MRヘッドでも、第1の実施形態と同様に、内側電極122端部での最大電流磁界を低減するとともに、M−Hカーブにヒステリシスを生じさせなくすることができ、出力のS/N比および出力の大きさを改善できる。
【0053】
図7を参照して、図6のCPP−MRヘッドの作製するためのプロセスについて説明する。
【0054】
図7(a)に示すように、基板10上にNiFeからなる下シールド膜11およびTa/Cuからなる内側電極122を成膜する。フォトリソグラフィーにより内側電極122上にレジストパターン(図示せず)を形成し、IBEによりエッチングすることにより、内側電極122を凸形状に加工する。その後、レジストパターンを除去する。
【0055】
次に、図7(b)に示すように、内側電極122上に、Taからなる外側電極121とAlOxからなる絶縁膜15を成膜する。
【0056】
次に、図7(c)に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により平坦化加工を行い、内側電極122の上面を露出させる。なお、外側電極121および絶縁膜15を形成した後、IBEまたはRIEによりエッチバックして平坦化加工を行ってもよい。第1の実施形態と同様に、SV膜13を形成し、T型レジストを用いたSV膜13のデプス規定およびT型レジスト23を用いた幅規定を行った後、ハード膜14を形成する。その後、T型レジスト23を除去する。
【0057】
さらに、Ta/Cuからなる上電極16を成膜し、Ta/NiFeからなる上シールド膜17を形成する。このようにして図6に示すCPP−MRヘッドを作製する。
【0058】
上述した第1及び第2の実施形態に示した2層構造電極を有するCPP−MR膜は、ABS面から後退配置されて、ABS面から伸びるヨークにより信号磁界の伝達を受けるヨーク型磁気ヘッド用の磁気抵抗効果膜として適用可能である。この場合には、ヨークと磁気抵抗効果膜とが充分な磁気結合を備えていると好ましい。
【0059】
次に、本発明に係るCPP−MRヘッドを搭載した磁気ヘッドアセンブリ、およびこの磁気ヘッドアセンブリを搭載した磁気ディスク装置について説明する。
【0060】
図8(a)はCPP−MRヘッドを搭載した磁気ヘッドアセンブリの斜視図である。アクチュエータアーム201は、磁気ディスク装置内の固定軸に固定されるための穴が設けられ、図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有する。アクチュエータアーム201の一端にはサスペンション202が固定されている。サスペンション202の先端にはCPP−MRヘッドを搭載したヘッドスライダ203が取り付けられている。また、サスペンション202には信号の書き込みおよび読み取り用のリード線204が配線され、このリード線204の一端はヘッドスライダ203に組み込まれたCPP−MRヘッドの各電極に接続され、リード線204の他端は電極パッド205に接続されている。
【0061】
図8(b)は図8(a)に示す磁気ヘッドアセンブリを搭載した磁気ディスク装置の内部構造を示す斜視図である。磁気ディスク211はスピンドル212に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより回転する。アクチュエータアーム201は固定軸213に固定され、サスペンション202およびその先端のヘッドスライダ203を支持している。磁気ディスク211が回転すると、ヘッドスライダ203の媒体対向面は磁気ディスク211の表面から所定量浮上した状態で保持され、情報の記録再生を行う。アクチュエータアーム201の基端にはリニアモータの1種であるボイスコイルモータ214が設けられている。ボイスコイルモータ214はアクチュエータアーム201のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルとこのコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。アクチュエータアーム201は固定軸213の上下2個所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ214により回転摺動が自在にできるようになっている。
【0062】
【発明の効果】
以上で説明したように本発明によれば、垂直通電型磁気抵抗素子の磁気抵抗効果膜に2層構造の電極を接続することにより、感磁領域に印加されるセンス電流磁界を抑制し、高出力、高S/N比を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る垂直通電型磁気抵抗効果ヘッド(CPP−MRヘッド)をABS面近傍の、この面に平行な断面図、およびABS面と直交する面の断面図。
【図2】第1の実施形態のCPP−MRヘッドにおけるSV膜の上電極との接合部を拡大して示す断面図。
【図3】第1の実施形態の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドを作製するための第1のプロセスを示す断面図。
【図4】第1のプロセスで得られるCPP−MRヘッドにおけるSV膜と上電極との接合部を拡大して示す断面図。
【図5】第1の実施形態の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドを作製するための第2のプロセスを示す断面図。
【図6】第2の実施形態に係る垂直通電型磁気抵抗効果ヘッド(CPP−MRヘッド)をABS面近傍の、ABS面と直交する面の断面図。
【図7】第2の実施形態の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドを作製するためのプロセスを示す図。
【図8】本発明に係るCPP−MRヘッドを搭載した磁気ヘッドアセンブリの斜視図、および磁気ディスク装置の内部構造を示す斜視図。
【図9】従来のCIP−MRヘッドをABS面近傍の、この面に平行な断面図、およびABS面と直交する面の断面図。
【図10】従来のCPP−MRヘッドをABS面近傍の、この面に平行な断面図、およびABS面と直交する面の断面図。
【符号の説明】
1…下シールド膜
2…下ギャップ膜
3…SV膜
4…ハードバイアス膜(ハード膜)
5…電極(リード)
6…上ギャップ膜
7…上シールド膜
10…基板
11…下シールド膜
12…下電極(第1電極)
121…外側電極
122…内側電極
13…SV膜
14…ハードバイアス膜
15…絶縁膜
16…上電極(第2電極)
161…外側電極
162…内側電極
17…上シールド膜
21…T型レジスト
22…レジストパターン
23…T型レジスト
201…アクチュエータアーム
202…サスペンション
203…ヘッドスライダ
204…リード線
205…電極パッド
211…磁気ディスク
212…スピンドル
213…固定軸
214…ボイスコイルモータ
Claims (6)
- 外部磁界中において磁化方向が変化する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直方向に通電するために前記磁気抵抗効果膜の上下に形成された第1電極および第2電極とを具備し、前記第1または第2電極は、前記磁気抵抗効果膜の膜面に接続された外側電極、及び前記磁気抵抗効果膜の膜面において前記外側電極より内側において前記磁気抵抗効果膜の膜面に接続された内側電極を備え、前記磁気抵抗効果膜の膜面でトラック幅方向に沿って前記外側電極は前記内側電極によって分断されており、前記内側電極は前記外側電極よりも電気抵抗率が低いことを特徴とする垂直通電型磁気抵抗効果素子。
- 前記内側電極または前記外側電極が、2層以上の多層構造を有することを特徴とする請求項1に記載の垂直通電型磁気抵抗効果素子。
- 前記内側電極が、Cu、Au、Ag、W、RhおよびAlからなる群より選択される少なくとも1種の元素からなる金属または合金を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の垂直通電型磁気抵抗効果素子。
- 前記磁気抵抗効果膜が、外部磁界がゼロの状態において第1の方向の磁化を備え、所定の外部磁界中において磁化が回転する磁化フリー層と、前記外部磁界がゼロの状態及び前記所定の外部磁界中において第2の方向の磁化を保持する磁化ピン層と、前記磁化フリー層と前記磁化ピン層との間に形成された非磁性層とを備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の垂直通電型磁気抵抗効果素子と、前記垂直通電型磁気抵抗効果素子を上下から挟む1対の磁気シールドとを具備したことを特徴とする垂直通電型磁気抵抗効果ヘッド。
- 磁気記録媒体と、請求項5に記載の垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドとを具備したことを特徴とする磁気記録再生装置。
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