JP3932268B2 - マスキング用粘着テープを使用する樹脂封止方法 - Google Patents
マスキング用粘着テープを使用する樹脂封止方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3932268B2 JP3932268B2 JP2002175569A JP2002175569A JP3932268B2 JP 3932268 B2 JP3932268 B2 JP 3932268B2 JP 2002175569 A JP2002175569 A JP 2002175569A JP 2002175569 A JP2002175569 A JP 2002175569A JP 3932268 B2 JP3932268 B2 JP 3932268B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- adhesive tape
- layer
- resin sealing
- masking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品又は半導体部品を樹脂封止する際に端子部をマスキングするために貼着して使用されるマスキング用粘着テープを使用する電子部品又は半導体部品の樹脂封止方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、LSIの実装技術において、CPS(Chip Scale/SizePackage)技術の内、QFN(Quad Flat Non−leaded package)、SON(Small Outline Non−leaded package)に代表されるリード端子がパッケージ内部に取りこまれた形態の半導体部品が注目されている。このような半導体部品やタンタルコンデンサなどに代表される電子部品の樹脂封止時のマスキング用テープに関しては、一般的な感圧粘着テープを使用する方法が公知である。
【0003】
例えば、QFNの一般的な製造方法の場合、まず、図5(イ)に示すように、半導体チップ32の電極とリードフレーム21のリード端子21bとの間をワイヤ23でボンディングしたものに、基材フィルム層10と粘着剤層11を有する粘着テープを貼着し、これを下金型33のキャビティ31内に配置する。次いで、図5(ロ)に示すように、上金型34で型閉し、トランスファー成形によりキャビティ31内に樹脂35を注入・硬化させる。次いで図5(ハ)に示すように、型開した後、リード端子21bを残してリードフレーム21をトリミングによりカットしている。上記のように、粘着テープをマスキング材として使用することにより、リード端子21bのアウター側に漏洩した樹脂が付着するのを防止することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、マスキング面にスタンドオフのための段差があるなど、マスキング面の凹凸が大きい場合(例えば20μm以上)、マスキング用粘着テープとの密着性が不十分となり、樹脂漏れが発生する。
【0005】
一方、凹凸が大きいマスキング面との密着性を向上させる目的で、熱圧着型接着テープを使用する方法もあるが、その場合には、テープの圧着や剥離を高温下で行う必要性があり、作業性が悪くなるという問題がある。
【0006】
そこで、本発明の目的は、樹脂封止の際に凹凸が大きいマスキング面に対しても、高い密着性を確保して樹脂の漏洩を少なくすることができるマスキング用粘着テープを用いた樹脂封止方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究したところ、粘着剤に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層とその上層に粘着剤層とを設けた粘着テープを用いることにより、凹凸が大きいマスキング面に対しても、高い密着性を確保して樹脂の漏洩を少なくすることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
即ち、本発明の樹脂封止方法は、基材の少なくとも片側に、粘着剤に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層を1層以上と、その上層に熱膨張性微小球を含有しないか又はその含有量が前記熱膨張性層より小さい粘着剤層とを有するマスキング用粘着テープを、少なくとも電子部品又は半導体部品の端子部に貼着して樹脂封止を行う電子部品又は半導体部品の樹脂封止方法であって、前記熱膨張微小球を樹脂封止する前又は樹脂封止と同時に膨張させることを特徴とする。
【0009】
上記において、リードフレームにマスキング用粘着テープを貼着する工程と、この粘着テープ付フレームに半導体チップをボンディングする工程と、半導体チップを金型内で樹脂封止する工程とを含むことが好ましい。
【0010】
あるいは、テープキャリアフィルムにマスキング用粘着テープを貼着する工程と、この粘着テープ付フィルムに半導体チップをボンディングする工程と、半導体チップを金型内で樹脂封止する工程とを含むことが好ましい。
【0012】
上記において、前記熱膨張性層は、加熱処理を行うことにより厚さを加熱処理前の1.1〜5倍にすることができることが好ましい。
【0013】
また、前記熱膨張性微小球の膨張開始温度が樹脂封止する際の温度よりも低いことが好ましい。更に、前記基材と前記熱膨張性層の間に、熱膨張性微小球を含有しない下塗り層を設けてあることが好ましい。
【0014】
[作用効果]
本発明の樹脂封止方法に使用するマスキング用粘着テープによると、粘着剤に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層とその上層に粘着剤層とを設けているため、マスキング面へテープ貼り付け後に熱膨性層を膨張させると、その上層の粘着剤層のマスキング面に対する押し付け効果による密着性向上により、高いマスキング性能を発現させることができる。例えば、表面凹凸が20μm以上あり、通常のテープ圧着では有効接着面積が50%以下となる場合においても、加熱膨張処理による押し付け効果により、有効接着面積を10%以増加させることができる。また、本発明の樹脂封止方法によると、上記のマスキング用粘着テープを、少なくとも電子部品又は半導体部品の端子部に貼着して樹脂封止を行うため、上記の如き作用効果により、樹脂封止の際に凹凸が大きいマスキング面に対しても、高い密着性を確保して樹脂の漏洩を少なくすることができる。
【0015】
特に、リードフレームにマスキング用粘着テープを貼着する工程と、この粘着テープ付フレームに半導体チップをボンディングする工程と、半導体チップを金型内で樹脂封止する工程とを含む場合、平板状に近いリードフレームにマスキング用粘着テープを貼着するため、容易に貼着でき、これがボンディング工程や樹脂封止工程で加熱されて、熱膨張性層の膨張が生じる。樹脂封止の際には、粘着テープ付フレームは金型内に配置されているので、熱膨張性層の膨張による粘着剤層のマスキング面への押し付け効果も大きくなり、効果的に封止樹脂の漏洩を防止することができる。その結果、凹凸が大きいリードフレームのマスキング面に対しても、高い密着性を十分確保することができる。
【0016】
また、テープキャリアフィルムにマスキング用粘着テープを貼着する工程と、この粘着テープ付フィルムに半導体チップをボンディングする工程と、半導体チップを金型内で樹脂封止する工程とを含む場合、上記と同様の作用効果によって、凹凸が大きいテープキャリアフィルムのマスキング面に対しても、高い密着性を十分確保することができる。
【0017】
前記熱膨張性層が、加熱処理を行うことにより厚さを加熱処理前の1.1〜5倍にすることができる場合、適度な膨張量によって凹凸が大きいマスキング面に対しても、より確実に高い密着性を確保することができる。
【0019】
前記熱膨張性微小球の膨張開始温度が樹脂封止する際の温度よりも低い場合、少なくとも樹脂封止する際には、熱膨張性層が膨張するため、より確実に高い密着性を確保することができる。
【0020】
前記基材と前記熱膨張性層の間に、熱膨張性微小球を含有しない下塗り層を設けてある場合、当該下塗り層を設けているため、基材と熱膨張性層との密着性を高めることができ、特に、加熱処理後にも両層間の密着性を十分維持することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら、本発明に使用する粘着テープ、樹脂封止方法の順で説明する。
【0022】
〔本発明に使用する粘着テープ〕
本発明に使用するマスキング用粘着テープは、後に説明するように、電子部品又は半導体部品を樹脂封止する際に端子部をマスキングするために貼着して使用されるものである。図1は、本発明のマスキング用粘着テープの一例を示す断面図であり、図2は、本発明に使用するマスキング用粘着テープの他の例を示す断面図である。
【0023】
本発明に使用するマスキング用粘着テープは、図1及び図2に示すように、基材1の少なくとも片側に、粘着剤に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層3を1層以上と、その上層に熱膨張性微小球を含有しないか又はその含有量が熱膨張性層3より小さい粘着剤層4とを設けたことを特徴とする。その際、図2に示すように、基材1と熱膨張性層3の間に、熱膨張性微小球を含有しない下塗り層2を設けてあることが好ましい。また、図示した例では、粘着剤層4の上層にセパレータ5が設けられている。
【0024】
熱膨張性層3は、少なくとも基材1の片側に設けていればよく、基材1の他面側に同様な層を設けた両面マスキング用テープとすることもできるし、基材1の他面側には一般的な接着層を有する両面テープとすることもできる。
【0025】
基材は、粘着剤層等の支持母体となるもので、一般には耐熱性プラスチックフィルムやシートが用いられる。例えば紙、布、不織布、金属箔、あるいはそれらのプラスチックラミネート体、プラスチック同士の積層体などの適宜な薄葉体を用い得る。基材の厚さは、500μm以下、就中1〜300μm特に5〜250μmが一般的であるがこれに限定されない。
【0026】
本発明に用いる基材は、クロム酸処理やオゾン暴露、火炎暴露や高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等により表面を酸化させる化学的又は物理的処理による粘着剤層との密着性に優れる基材を用いることもできる。熱膨張性層は、熱膨張性微小球(マイクロカプセル)を含有するものとされる。これにより熱膨張性層を加熱して、その熱膨張性微小球を発泡及び/又は膨張処理することにより上層の粘着剤層と該彼着面との接着面積を増加させて、樹脂マスキング性能を向上させることができる。
【0027】
熱膨張性層3に含有される熱膨張性微小球としては、例えばイソブタンやプロパンやペンタンの如く容易にガス化して熱膨張性を示す適宜なコアセルベーション法や界面重合法等で殻形成物質内に内包させたものを用いることができ、その殻は例えば塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体やポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールやポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリルやポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどの如く熱溶融性物質や熱膨張で破壊する適宜な物質からなっていればよい。なおかかる熱膨脹性微小球には、例えばマイクロスフェア(商品名、松本油脂製薬社製)などの市販品もある。
【0028】
加熱処理による熱膨張性層の膨張度などの点より好ましく用いうる熱膨張性微小球は、2倍以上、就中7倍以上、特に10倍以上の体積膨張率となるまで発泡により破裂しないものである。熱膨張性微小球の配合量は、熱膨張性層の膨張倍率やなどに応じて適宜決定しうるが、一般的には熱膨張性層を形成するベースポリマー100重量部あたり、1〜150量部、就中3〜100重量部、特に5〜50重量部が好ましい。
【0029】
また、熱膨張性微小球の膨張開始温度は、マスキング対象の封止樹脂注入温度よりも低温で、好ましくは5〜30℃、より好ましくは10〜25℃低い温度で膨張するものを用いる。膨張開始温度が低すぎると、樹脂注入温度においては熱膨張性微小球の破裂がおこる場合があり、テープ再剥離時に凝集破壊を起こしやすくなる。
【0030】
熱膨張性層に含有される粘着剤は、加熱時に熱膨張性微小球の発泡及び/又は膨張を許容する粘着剤にて形成でき、加熱時に熱膨張性微小球の発泡及び/又は膨張を可及的に拘束しないものが好ましく用いられる。従って熱膨張性層の形成には、例えばゴム系やアクリル系、ビニルアルキルエーテル系やシリコーン系、ポリエステル系やポリアミド系、ウレタン系やスチレン・ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤の1種又は2種以上用いることができる。なお粘着剤は、架橋剤、粘着付与剤、可塑剤、充填剤、老化防止剤などの適宜な添加剤を配合したものであってもよい。
【0031】
一般には、天然ゴムや各種の合成ゴムをベースポリマーとするゴム系粘着剤、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基やへキシル基、ヘプチル基や2‐エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ペンタデシル基、へキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基の如き炭素数が20以下のアルキル基を有するアクリル酸やメタクリル酸等のエステルからなるアクリル酸系アルキルエステルの1種又は2種以上を用いたアクリル系共重合体をベースポリマーとするアクリル系粘着剤などが用いられる。
【0032】
なお前記のアクリル系共重合体は必要に応じ凝集力や耐熱性や架橋性等の改質などを目的に、例えば、アクリル酸やメタクリル酸、カルボキシルエチルアクリレートやカルボキシペンチルアクリレート、イコタン酸やマレイン酸、フマール酸やクロトン酸の如きカルボキシル基含有モノマー、あるいは無水マレイン酸や無水イコタン酸の如き酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシブチルや(メタ)アクリル酸ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシオクチルや(メタ)アクリル酸ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシラウリルや(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルメタアクリレートの如きヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸やアリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスホン酸や(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレートや(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸の如きスルホン酸基含有モノマー、(メタ)アクリルアミドやN,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブチル(メタ)アクリルアミドやN−メチロール(メタ)アクリルアミド、N−メチロールプロパン(メタ)アクリルアミドの如き(N−置換)アミド系モノマー、(メタ)アクリル酸アミノエチルや(メタ)アクリル酸アミノエチルや(メタ)アクリル酸N,N−ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸t−ブチルアミノエチルの如き(メタ)アクリル酸アルキルアミノ系モノマー、(メタ)アクリル酸メトキシエチルや(メタ)アクリル酸エトキシエチルの如き(メタ)アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー、N−シクロヘキシルマレイミドやN−インプロピルマレイミド、N−ラウリルマレイミドやN−フェニルマレイミドの如きマレイミド系モノマー、N−メチルイタコンイミドやN−エチルイタコンイミド、N−ブチルイタコンイミドやN−オクチルイタコンイミド、N−2−エチルへキシルイタコンイミドやN−シクロヘキシルイタコンイミド、N−ラウリルイタコンイミドの如きイタコンイミド系モノマー、N−(メタ)アクリロイルオキシメチレンスクシンイミドやN−(メタ)アクルロイル−6−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、N−(メタ)アクリロイル−8−オキシオクタメチレンスクシンイミドの如きスクシンイミド系モノマー、酢酸ビニルやプロピオン酸ビニル、N−ビニルピロリドンやメチルビニルピロリドン、ビニルピリジンやビニルピペリドン、ビニルピリミジンやビニルピペラジン、ビニルピラジンやビニルピロール、ビニルイミダゾールやビニルオキサゾール、ビニルモルホリンやN−ビニルカルボン酸アミド類、スチレンやα−メチルスチレン、N−ビニルカプロラクタムの如きビニル系モノマー、アクリロニトリルやメタクリロニトリルの如きシアノアクリレートモノマー、(メタ)アクリル酸グリシジルの如きエポキシ基含有アクリル系モノマー、(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコールや(メタ)アクリル酸ポリプロピレングリコール、(メタ)アクリル酸メトキシエチレングリコールや(メタ)アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールの如きグリコール系アクリルエステルモノマー、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリルやフッ素(メタ)アクリレート、シリコーン(メタ)アクリレートや2−メトキシエチルアクリレートの如きアクリル酸エステル系モノマー、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレートや(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレートやネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレートやトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートやジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシアクリレートやポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートの如き多官能モノマー、イソプレンやブタジエン、イソブチレンやビニルエーテル等の適宜なモノマー成分の1種又は2種以上を共重合したものであってもよい。
【0033】
熱膨張性層の形成は、例えば必要に応じて溶媒を用いて熱膨張性微小球などを混合し、その混合物を必要に応じ下塗り層を介して基材上に2層以上塗布する方式や、それに準じてセパレータ上に形成した熱膨張性層を基材上に移着する方式などの適宜な方式で行うことができる。
【0034】
熱膨張性層の厚さは、300μm以下、就中100μm以下であることが好ましい。厚さが過大であると、樹脂封止後の再剥離時に凝集破壊が生じて被着体を汚染する糊残りが生じる可能性がある。一方厚さが過小では、加熱処理による熱膨張性層の変形度が小さくて上層の密着性向上への寄与が乏しくなったり、添加する熱膨張性微小球の粒径を過度に小さくする必要が生じる。かかる点より熱膨張性層の厚さは5〜30μmであることが特に好ましい。
【0035】
熱膨張性層は、加熱処理を行うことにより厚さを加熱処理前の1. 1〜5倍にすることができるのが好ましく、1.5〜3倍にすることができるのがより好ましい。膨張量がこれより少ないと、凹凸が大きいマスキング面に対して高い密着性を確保するのが困難となり、膨張量がこれより多いと、逆に密着性が上がりすぎ、樹脂封止後の再剥離時の剥離作業性を低下させる可能性がある。
【0036】
基材と熱膨張性層の間に必要に応じて配置する下塗り層は、加熱する際に熱膨張性層の加熱膨張をコントロールしやすくして、極力厚さ方向への優先的膨張性及び厚さの均一性により優れる熱膨張性層の形成が可能になる。
【0037】
下塗り層の厚さは500μm以下、就中3〜300μm、特に5〜150μmが好ましい。下塗り層には、前記の一般的な粘着剤を用いればよい。特に、熱膨張性層との密着性を高める上で、熱膨張性層と同種の粘着剤を用いるのが好ましく、少なくとも主成分となる樹脂が同種であることが好ましい。なお、下塗り層は粘着剤以外のプライマー成分などで形成してもよい。
【0038】
下塗り層の形成は、例えば前記した形成材の溶液を基材上に塗布する方式などの適宜な方式で行ってもよい。本発明において、下塗り層は必要に応じて設けることができる。
【0039】
熱膨張性層の上層に配置する粘着剤層の厚さは500μm以下、就中3〜300μm、特に5〜150μmが好ましい。粘着剤層には、前記の一般的な粘着剤を用いればよい。粘着剤層の形成は、例えば熱膨張性層を介して基材上に2層以上塗布する方式や、それに準じてセパレータ上に形成した粘着剤層を熱膨張性層上に移着する方式などの適宜な方式で行うことができる。
【0040】
セパレータとしては、何れのものも使用することができ、例えば、プラスチックフィルム、紙、金属箔、あるいはそれらのラミネート体などが挙げられる。また、セパレータには必要に応じて、離型処理がなされる。
【0041】
本発明に使用するマスキング用粘着テープは、電子部品又は半導体部品マスキング用粘着テープとして用いることができるが、特に封止面にスタンドオフなどの凹凸がある面に対するマスキング性に優れている。
【0042】
〔本発明の樹脂封止方法〕
図3は、本発明の樹脂封止方法の一例を示す工程図であり、図4は、本発明の樹脂封止方法の他の例を示す工程図である。本発明の樹脂封止方法は、マスキング用粘着テープを、少なくとも電子部品又は半導体部品の端子部に貼着して樹脂封止を行う電子部品又は半導体部品の樹脂封止方法であり、熱膨張微小球を樹脂封止する前又は樹脂封止と同時に膨張させるものである。具体的な実施形態としては、端子部を有するリードフレームに貼着する場合、端子部を有するテープキャリアフィルムに貼着する場合、端子部を有するその他のシート状枠体に貼着する場合などが挙げられる。
【0043】
まず、図3(イ)〜(ハ)に示すように、リードフレーム21にマスキング用粘着テープTを貼着する工程と、この粘着テープ付フレームに半導体チップ32をボンディングする工程と、半導体チップ32を金型33,34内で樹脂封止する工程とを含む場合について説明する。
【0044】
リードフレーム21は、半導体チップ32を配置して接続を行うための開口21aを有しており、その開口21aには複数の端子部21bを配列している。端子部21bは銅製や各種金属に金メッキ等が施されたものなどがあり、リードフレーム21全体が金属製であってもよい。
【0045】
本発明において、半導体チップ32は端子部21bにワイヤボンディング等によって電気的に接続されるが、ボンディングの際には通常加熱(例えば170〜200℃)が行われるので、粘着テープTの熱膨張性層3の膨張が生じる場合がある。端子部21bの形状や配列は何れでもよく、長方形に限らず、パターン化した形状や円形部を有する形状等でもよく、また、開口21aの全周に配列されたものに限らず、開口21aの全面や対向する2辺に配列したもの等でもよい。
【0046】
粘着テープ付フレームは、リードフレーム21の開口21a及び端子部21bを少なくとも覆い、基材1と粘着層ALからなる粘着テープTが貼着される。つまり、リードフレーム21に接する形で粘着層ALが存在し、更に、粘着層ALのリードフレーム21に接触する反対面には、金型等に貼りついてしまうことを防止する為に基材1が積層されている。
【0047】
この粘着テープ付フレームの半導体チップ32が下金型33のキャビティ31内に位置するように配置し、上金型34で型閉し、トランスファー成形によりキャビティ31内に樹脂35を注入・硬化させ、次いで型開する。このとき、金型内の温度は、例えば170〜200℃になるため、粘着テープTの熱膨張性層3の膨張が生じる場合がある。また、必要に応じて、粘着テープTを貼着した状態で加熱装置内でPMC(ポストモールドキュア)工程を行う。粘着テープTを剥離除去する。
【0048】
その後又はそれまでの適当な時期に、端子部21bを残してリードフレーム21をトリミングによりカットする。なお、本発明では、前述した加熱処理を別途行ってもよい。
【0049】
一方、本発明の樹脂封止方法は、図4(イ)〜(ニ)に示すように、テープキャリアフィルム41にマスキング用粘着テープTを貼着する工程と、この粘着テープ付フィルムに半導体チップ32をボンディングする工程と、半導体チップ32を金型内で樹脂封止する工程とを含むものでもよい。これらの製造工程により、例えばBGAパッケージの半導体部品を製造することができる。
【0050】
テープキャリアフィルム41には、例えば、グリッドアレイのような格子状の端子を複数貫設してあり、その端子群を挟んで樹脂充填用ホールを開口してある。これにマスキング用粘着テープTを貼着する。半導体チップ32のボンディングは、例えばエラストマースペーサ42を介して配置した半導体チップ32と端子間とを、ビームリード43により接続することで行われる。その後、樹脂44により同様にして樹脂封止され、粘着テープTが剥離される。その後、端子にはんだバンプ35が固着され、トリミングが行われる。
【0051】
【実施例】
以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。
【0052】
実施例1
熱膨張性層はSD−4560(東レダウコーニング製シリコーン粘着剤):100重量部と、触媒SRX−212(東レダウコーニング製):1. 5重量部に熱膨張性微小球A(マツモトマイクロスフェアF−100D:松本油脂製薬製)を混合し、ポリイミドフイルム(カプトン100H、厚さ25μm)に厚さ20μmとなるよう均一に塗布・乾燥した。その後、SD−4560:100重量部、触媒SRX−212:1. 5重量部を混合し、厚さ50μmのPTFEフィルム上に厚さ30μmとなるように塗布・乾燥させ、熱膨張性層上に移着し、マスキング用粘着テープを得た。
【0053】
このテープをリードフレーム(Cu系、ステッチ数100本、20μmの表面凹凸あり)に貼り合わせ、160℃×10分熱風乾燥器中で加熱し、熱膨張性層の加熱膨張処理をした。この時点で、180度ピールの接着力は、加熱処理前に比べて80%上昇していた。ついで、金型にはさみ、175℃×20kg/cm2 ×90秒のエポキシ樹脂トランスファー成形を行ったところ、樹脂漏れは発生しなかった。
【0054】
実施例2
アクリル酸−2−エチルヘキシル−アクリル酸エチル−メチルメタアクリレート(50部−50−5部)共重合体系感圧接着剤100重量部(ポリウレタン系架橋剤2重量部配合)に熱膨張性小球A(マツモトマイクロスフェアF−50D:松本油脂製薬製)30重量部を配合してなるトルエン溶液を調整し、厚さ25μmのポリエステルフィルム上に乾燥後の厚みが20μmとなるように塗布・乾燥した。その後、アクリル酸−2−エチルヘキシル−アクリル酸エチル−メチルメタアクリレート(50部−50部−5部)共重合体系感圧接着剤100重量部(ポリウレタン系架橋剤2重量部配合)を厚さ38μmのシリコーン離型処理済みポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ20μmとなるように塗布・乾燥させ、熱膨張性層上に移着して、マスキング用粘着テープを得た。
【0055】
このテープをリードフレーム(Cu系、ステッチ数100本、20μmの表面凹凸あり)に貼り合わせ、130℃×10分熱風乾燥器中で加熱し、熱膨張性層の加熱膨張処理をした。この時点で、180度ピールの接着力は、加熱処理前に比べて50%上昇していた。ついで、金型にはさみ、150℃×50kg/cm2 ×90秒の液状エポキシ樹脂成形を行ったところ、樹脂漏れは発生しなかった。
【0056】
(比較例1)
熱膨張性層を設けないこと以外は、実施例1に準じてマスキング用粘着テープを得た。このテープをリードフレーム(Cu系、ステッチ数100本、40μmの表面凹凸あり)に貼り合わせ、実施例1と同じ条件で加熱処理をした。この時点で、180度ピールの接着力は、加熱処理前に比べて30%上昇していた。ついで、金型にはさみ、175℃×20kg/cm2 ×90秒のエポキシ樹脂トランスファー成形を行ったところ、樹脂漏れが発生した。
【0057】
(比較例2)
熱膨張性層を設けないこと以外は、実施例2に準じてマスキング用粘着テープを得た。このテープをリードフレーム(Cu系、ステッチ数100本、40μmの表面凹凸あり)に貼り合わせ、実施例2と同じ条件で加熱処理をした。この時点で、180度ピールの接着力は、加熱処理前に比べて20%上昇していた。ついで、金型にはさみ、150℃×20kg/cm2 ×90秒の液状エポキシ樹脂成形を行ったところ、樹脂漏れが発生した。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマスキング用粘着テープの一例を示す断面図
【図2】本発明のマスキング用粘着テープの他の例を示す断面図
【図3】本発明の樹脂封止方法の一例を示す工程図
【図4】本発明の樹脂封止方法の他の例を示す工程図
【図5】従来の樹脂封止方法の例を示す工程図
【符号の説明】
1 基材
2 下塗り層
3 熱膨張性層
4 粘着剤層
5 セパレータ
21 リードフレーム
21a 開口
21b 端子部
32 半導体チップ
33 金型(下型)
34 金型(上型)
35 封止樹脂
41 テープキャリアフィルム
T マスキング用粘着テープ
AL 粘着層
Claims (6)
- 基材の少なくとも片側に、粘着剤に熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層を1層以上と、その上層に熱膨張性微小球を含有しないか又はその含有量が前記熱膨張性層より小さい粘着剤層とを有するマスキング用粘着テープを、少なくとも電子部品又は半導体部品の端子部に貼着して樹脂封止を行う電子部品又は半導体部品の樹脂封止方法であって、
前記熱膨張微小球を樹脂封止する前又は樹脂封止と同時に膨張させることを特徴とする樹脂封止方法。 - リードフレームにマスキング用粘着テープを貼着する工程と、この粘着テープ付フレームに半導体チップをボンディングする工程と、半導体チップを金型内で樹脂封止する工程とを含む請求項1記載の樹脂封止方法。
- テープキャリアフィルムにマスキング用粘着テープを貼着する工程と、この粘着テープ付フィルムに半導体チップをボンディングする工程と、半導体チップを金型内で樹脂封止する工程とを含む請求項1記載の樹脂封止方法。
- 前記熱膨張性層が、加熱処理を行うことにより厚さを加熱処理前の1.1〜5倍にすることができる請求項1〜3いずれかに記載の樹脂封止方法。
- 前記熱膨張性微小球の膨張開始温度が、樹脂封止する際の温度よりも低い請求項1〜4いずれかに記載の樹脂封止方法。
- 前記基材と前記熱膨張性層の間に、熱膨張性微小球を含有しない下塗り層を設けてある請求項1〜5いずれかに記載の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002175569A JP3932268B2 (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | マスキング用粘着テープを使用する樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002175569A JP3932268B2 (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | マスキング用粘着テープを使用する樹脂封止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004022801A JP2004022801A (ja) | 2004-01-22 |
JP3932268B2 true JP3932268B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=31174178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002175569A Expired - Fee Related JP3932268B2 (ja) | 2002-06-17 | 2002-06-17 | マスキング用粘着テープを使用する樹脂封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3932268B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3629021B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2005-03-16 | 化研テック株式会社 | 熱剥離型接着構造体 |
KR101075645B1 (ko) * | 2010-08-18 | 2011-10-21 | 삼성전기주식회사 | 임베디드 회로기판의 제조 방법 |
JP2012119488A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2012167177A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体チップの製造方法 |
JP5778721B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-09-16 | 日東電工株式会社 | 熱剥離型粘着テープ及び電子部品の切断方法 |
KR101471361B1 (ko) * | 2014-03-18 | 2014-12-11 | (주)앤디포스 | 터치스크린 패널용 양면테이프 및 그 제조방법 |
JP6108033B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2017-04-05 | Dic株式会社 | 接着テープ、物品及びモーター |
JP2022037315A (ja) * | 2020-08-25 | 2022-03-09 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法 |
CN113427883A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-09-24 | 李素文 | 一种低收缩率的真空蒸镀铝膜转移工艺 |
CN113322018A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-31 | 上海亥博胶粘材料有限公司 | 一种具有增强可靠性粘胶剂的胶带及应用方法 |
-
2002
- 2002-06-17 JP JP2002175569A patent/JP3932268B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004022801A (ja) | 2004-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4540150B2 (ja) | 熱剥離型粘着シート | |
KR100537255B1 (ko) | 가열-박리형 감압성 접착 시이트 | |
KR100665422B1 (ko) | 열-박리성 감압 접착 시이트 | |
KR100738742B1 (ko) | 가열박리형 감압성 접착 시이트 | |
JP4810565B2 (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 | |
JP4728380B2 (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 | |
JP3932268B2 (ja) | マスキング用粘着テープを使用する樹脂封止方法 | |
JP2010129700A (ja) | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 | |
TWI608073B (zh) | Heat strip type adhesive tape and cutting method for electronic parts | |
JP2012062373A (ja) | 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。 | |
TW201125083A (en) | Adhesive tape for resin-encapsulating and method of manufacture of resin-encapsulated semiconductor device | |
JPH11302614A (ja) | 加熱剥離型粘着シート | |
JP3849978B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びこれに用いる耐熱性粘着テープ | |
JP2018060850A (ja) | ダイシングテープ一体型接着シート | |
JP2013155295A (ja) | 伸長性加熱剥離型粘着シート | |
JP5036270B2 (ja) | 加熱剥離型粘着シートおよびこの加熱剥離型粘着シートを用いた半導体チップの製造方法 | |
JP2006152308A (ja) | 電子部品の切断方法 | |
JP2005314708A (ja) | 加熱剥離型粘着シート | |
JP4010643B2 (ja) | 加熱剥離型粘着シート | |
WO2013114956A1 (ja) | 伸長性加熱剥離型粘着シート | |
JPH111671A (ja) | 接着シート及び切断片の製造方法 | |
JP2000351947A (ja) | 加熱剥離型粘着シート | |
JPH11334785A (ja) | 電子部品キャリア用粘着テープ、並びに電子部品の搬送方法及び実装方法 | |
JP2003160767A (ja) | 熱変色性加熱剥離型粘着シート | |
JP3804805B2 (ja) | 加熱剥離型粘着シート |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070309 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160323 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |