JP3927977B2 - 半導体部材の製造方法 - Google Patents
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Description
1.誘電体分離が容易で高集積化が可能、
2.対放射線耐性に優れている、
3.浮遊容量が低減され高速化が可能、
4.ウエル工程が省略できる、
5.ラッチアップを防止できる、
6.薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが可能、
等の優位点が得られる。これらは例えば以下の文献に詳しい。Special Issue:“Single-crystal silicon on non-single-crystal insulators";edited by G.W.Cullen,Journal of Crystal Growth,volume 63,no 3,pp429〜590(1983)。
(2).局所プラズマエッチングによる薄膜化
(3).選択エッチングによる薄膜化
(1)の研磨では均一に薄膜化することが困難である。特にサブμmの薄膜化は、ばらつきが数十%にもなってしまい、この均一化は大きな問題となっている。さらにウエハの大口径化が進めばその困難性は増すばかりである。
・せいぜい102 と選択比が十分でない。
等の問題点がある(C.Harendt,et.al.,J.Elect.Mater.Vol.20,267(1991)、H.Baumgart,et.al.,Extended Abstract of ECS 1st International Symposium of Wafer Bonding,pp-733(1991)、C.E.Hunt,Extended Abstract of ECS 1st International Symposium of Wafer Bonding,pp-696(1991))。また、選択エッチングの選択性はボロン等の不純物の濃度差とその深さ方向プロファイルの急峻性に大きく依存している。したがって、貼り合わせ強度を高めるための高温のボンディングアニールや結晶性を向上させるために高温のエピタキシャル成長を行ったりすると、不純物濃度の深さ方向分布が拡がり、エッチングの選択性が劣化してしまう。すなわち、エッチングの選択比の向上の結晶性は貼り合わせ強度の向上の両立は困難であった。
前記フィルムを前記第1の基板から剥がす方向の力を前記フィルムに加えることにより前記非多孔質半導体層を前記多孔質半導体層において前記第1の基板のエッジから徐々に引き剥がして該第1の基板より分離する工程と、
該分離された前記非多孔質半導体層を第2の基板に貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする。
多孔質半導体層としては、シリコン(Si)を用いたものが好適に使用される。
SiF2 +2HF→SiF4 +H2
SiF4 +2HF→H2 SiF6
または、
Si+4HF+(4−λ)e+ →SiF4 +4H+ +λe-
SiF4 +2HF→H2 SiF6
ここで、e+ およびe- はそれぞれ正孔と電子を表している。また、nおよびλはそれぞれSi1原子が溶解するために必要な正孔の数であり、n>2またはλ>4となる条件が満たされた場合に多孔質Siが形成されるとしている。
本発明において用いられるフィルムとしては、ポリイミド系等の樹脂性の粘着フィルム、樹脂性導電性フィルム、金属導電性フィルム、光,電子線,熱等で粘着力が変化するフィルム、あるいは、アルミ箔含有ガラスクロスフィルム等を挙げることができるが、これらに特に限定されるものではない。
本発明において非多孔質半導体層としては、好適には、単結晶Si、多結晶Si、非晶質Siの他、GaAs、InP、GaAsP、GaAlAs、InAs、AlGaSb、InGaAs、ZnS、CdSe、CdTe、SiGe等の化合物半導体等を用いることができる。そして非多孔質半導体層は、FET(Field Effect Transistor)等の半導体素子を既に作り込んだものであっても良い。
第1の基体は、シリコン基板中に形成された多孔質シリコン層上に、上述の非多孔質半導体層を形成するか、もしくは、非多孔質半導体層が設けられたシリコン基板中に部分的に多孔質シリコン層を形成することにより構成できる。
非多孔質半導体層が移設(transfer)される第2の基体としては、例えば単結晶シリコン基板のような半導体基板、半導体基板表面に酸化膜(熱酸化膜を含む)や窒化膜等の絶縁膜を設けたもの、石英基板(Silica glass)やガラス基板のような光透過性基板、シート状の樹脂あるいは、金属基板、アルミナ等の絶縁性基板などがあげられる。このような第2の基体は、半導体部材の用途に応じて適宜選択される。
本発明においては、上述のフィルム上の非多孔質半導体層を、上述の第2の基板と、貼り合わせ(非多孔質半導体層が内側に位置するように)て、多層構造体を得る。本発明において、非多孔質半導体層が内側に位置する多層構造体とは、第1の基板から分離されたフィルム上の非多孔質半導体層が直接第2の基体に貼り合わされた構造体は勿論のこと、非多孔質半導体層の表面に形成された酸化膜や窒化膜等の絶縁膜、あるいはこれ以外の膜等が第2の基体に貼り合わされた構造体をも包含する。即ち、非多孔質半導体層が、フィルムあるいは支持部材に比べて多層構造体の内側に位置する構造体を非多孔質半導体層が内側に位置する多層構造体という。
第1の基体と第2の基体を貼り合わせて得られる多層構造体を多孔質Si層において分離した後、分離された基体に残留する多孔質Si層は、該多孔質Si層の機械的強度が低いことと、表面積が非常に大きいことを利用して、選択的に除去することができる。選択的な除去方法としては、研削や研磨を用いた機械的な方法の他、エッチング液を用いた化学エッチングやイオンエッチング(例えば反応性イオンエッチング)等の方法を採用することができる。
本実施形態の半導体部材の製造方法は、基板の少なくとも主面側に多孔質層を形成する工程、該多孔質層表面上にフィルムを貼り付ける工程、該多孔質層において基板側とフィルム側に分離する工程、を有する。以下図1を用いて説明する。
ここでは第1の基体の少なくとも主面側に多孔質層を形成する工程、該多孔質層上に非多孔質層を形成する工程、該非多孔質層表面上にフィルムを貼り付ける工程、該多孔質層において、非多孔質層を第1の基板よりフィルム側に分離する工程、を有する。以下図2を用いて説明する。
ここでは、第1の基体の少なくとも主面側に表面は非多孔質を保持した状態で内部に多孔質層を形成する工程、該非多孔質な第1基体の表面上にフィルムを貼り付ける工程、該多孔質層を境に第1の基板側とフィルム側に分離する工程、を有する。以下図3を用いて説明する。
ここでは、多孔質半導体層と、非多孔質半導体層と、を有して構成される第1の基板上にフィルムを貼り付ける工程、前記フィルムを前記第1の基板から剥がす方向の力を前記フィルムに加えることにより前記非多孔質半導体層を前記多孔質層において前記第1の基板より分離する工程、及び分離された前記非多孔質半導体層を第2の基板に貼り合わせる工程、を有する形態について図4、図5を参照しながら説明する。
ここでは第1の基板の少なくとも主面側に多孔質層を形成する工程、該多孔質層上に非多孔質層を形成する工程、該非多孔質層表面上にフィルムを貼り付ける工程、該多孔質層を境に第1の基板側とフィルム側に分離する工程、フィルム側の多層構造体を別の支持部材(あるいはフィルム等)上に移し替える工程、該移し替えた多層構造体の非多孔質層の表面側を第2の基体に貼り合わせる工程、該多層構造体の多孔質層を除去する工程、を有する形態について説明する。
ここでは、第1の基板の少なくとも主面側に表面は非多孔質層を保持した状態で内部に多孔質層を形成する工程、該非多孔質層表面上にフィルムを貼り付ける工程、該多孔質層を介して第1の基板側とフィルム側に分離する工程、フィルム側の多層構造体を別の支持部材上に移し替える工程、該移し替えた多層構造体の単結晶半導体の表面側を第2の基板に貼り合わせる工程、該多層構造体の多孔質層を除去する工程、を有する形態について図7を用いて説明する。
ここでは、第1の基板の少なくとも主面側に、表面は非多孔質を保持した状態で内部に多孔質層を形成する工程、該非多孔質状の基体表面上に非多孔質層を形成する工程、該非多孔質層表面上にフィルムを貼り付ける工程、該多孔質層を境に第1の基板側とフィルム側に分離する工程、フィルム側の多層構造体を別の支持部材上に移し替える工程、該移し替えた多層構造体の絶縁層の表面側を第2の基体に貼り合わせる工程、該多層構造体の多孔質層を除去する工程、を有する形態について図8を用いて説明する。
ここでは、第1の基板の少なくとも主面上に非多孔質層を形成する工程、表面は非多孔質を保持した状態で内部に多孔質層を形成する工程、該非多孔質層表面上にフィルムを貼り付ける工程、該多孔質層を介して第1の基板側とフィルム側に分離する工程、フィルム側の多層構造体を別の支持台上に移し替える工程、該移し替えた多層構造体の絶縁層の表面側を第2の基体に貼り合わせる工程、該多層構造体の多孔質層を除去する工程、を有する形態について図9を用いて説明する。
図10に示すように、上述した各実施形態例に示した工程においてSi単結晶基板の両面に各工程を施すことにより、半導体基板を同時に2枚作製することができる。図10は、両面仕様の一例として上記実施形態例5の両面仕様を示しているが、どの実施形態例にも適用できる。図10において、801は第1のSi単結晶基板、802,803は多孔質Si層、804,805は非多孔質層、806,807はSiO2 、808,809はフレキシブルなフィルム、810,811は第2の基板(支持基板)である。
太陽電池の製造方法に本発明を適用する例について説明する。
(イ) 基体の少なくとも一主面側を陽極化成して該基体の表面に多孔質層を形成する工程
(ロ) 前記多孔質層の上に半導体層を形成する工程
(ハ) 前記半導体層の表面にフィルムを貼り付ける工程
及び
(ニ) 前記多孔質層を境に基体側とフィルム側とに分離し、前記半導体層を前記フィルムに移設(transfer)する工程
を有するものである。太陽電池の製造に使用するフィルムは、低耐熱性フィルムが好ましく、耐熱性温度400℃以下のものが望ましい。
ここでは多結晶太陽電池を得る形態について説明する。実施形態10のシリコン基板1201に多結晶シリコン基板を使用し、多結晶シリコン層1203を形成するようにして実施形態10と同様の手法を採用することで多結晶シリコン太陽電池を製造することができる。
化合物半導体太陽電池を製造する態様について説明する。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
多孔質層の表面に粘着性のフィルム(日東電工(株)製剥離テープNo.3200A)を貼り付けた後、裏面を真空チャックで固定した。次いでこの粘着性のフィルムをウエハから引き剥がした。これによって、多孔質Siが分離され、フィルム側に、多孔質Si層が残った。このような多孔質Si層は、発光素子に応用可能である。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
この基板を酸素雰囲気中400℃で1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。多孔質Si上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により単結晶Siを0.15μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
単結晶Si表面に粘着性のフィルム(日東電工(株)製剥離テープBT−315)を貼り付けた後、基板裏面を真空チャックに固定した。次いでこの粘着性のフィルムをウエハから引き剥がした。これによって、多孔質Siが分割され、フィルム側に、エピタキシャル層と多孔質Si層が残った。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:4(min)
多孔質Siの厚み:4.5(μm)
さらに、
電流密度:30(mA・cm-2)
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:1(min)
多孔質Siの厚み:〜4(μm)
上記条件で、多孔度(porosity)の異なる二層構成の多孔質Si層が形成された。この陽極化成により、30(mA・cm-2)による多孔質Si層の多孔度(porosity) は大きくなり、構造的に脆弱な層が形成された。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
単結晶Si表面に粘着性のフィルム(日東電工(株)製剥離テープNo.31RH)を貼り付けた後、裏面を真空チャックに固定した。次いでこの粘着性のフィルムをウエハから引き剥がした。これによって、多孔度の大きい脆弱な多孔質Siを境にして分割され、フィルム側に、エピタキシャル層と多孔質Si層がウエハから分離された。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
多孔質Si層は2層構造になった。下部の多孔質Siは表層部に比較して微細な脆弱構造を有していた。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
表面に実施例3で用いたのと同じ粘着性のフィルムを貼り付けた後、実施例3と同様にしてこの粘着性のフィルムをウエハから引き剥がした。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
表面に実施例1で用いたのと同じフィルムを貼り付けた後、実施例1と同様にしてこのフィルムをウエハから引き剥がした。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
エピタキシャルSi層の表面からH+ を40keVで5×1016cm-2イオン注入した。表面の0.2μmほどは、単結晶が保たれていた。この場合、表面にあらかじめSiO2 層を形成しておいた方がイオン注入による表面荒れを防ぐという観点からはよい。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
この基板を酸素雰囲気中400℃で1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。多孔質Si上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により単結晶Siを0.15μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により100nmのSiO2層を形成した。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:4(min)
多孔質Siの厚み:4.5(μm)
さらに、
電流密度:30(mA・cm-2)
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:1(min)
多孔質Siの厚み:〜4(μm)
この陽極化成により、30(mA・cm-2)による多孔質Si層の多孔度(porosity)は大きくなり、構造的に脆弱な層が形成された。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により200nmのSiO2層を形成した。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
多孔質Si層は2層構造になった。下部の多孔層Si層は表層部に比較して微細な脆弱構造を有していた。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により200nmのSiO2層を形成した。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により200nmのSiO2層を形成した。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
エピタキシャルSi層の表面からH+ を40keVで5×1016cm-2イオン注入した。表面の0.2μmほどは、単結晶が保たれていた。この場合、表面にあらかじめSiO2 層を形成しておいた方がイオン注入による表面荒れを防ぐという観点からはよい。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
この基板を酸素雰囲気中400℃で1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。多孔質Si上にMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により単結晶GaAsを0.5μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
ガス圧力:80Torr
温度:700℃
表面に実施例1と同様のフィルムを貼り付けた後、実施例1と同様にしてフィルムをウエハから引き剥がした。
エチレンジアミン+ピロカテコール+水(17ml:3g:8mlの比率)
110℃
でエッチングした。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
この基板を酸素雰囲気中400℃で1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。多孔質Si上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により単結晶Siを0.15μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により100nmのSiO2層を形成した。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
この基板を酸素雰囲気中400℃で1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。多孔質Si上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により単結晶Siを0.15μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により100nmのSiO2層を形成した。
多孔質シリコン層表面に通常の熱CVD装置により表2の形成条件でエピタキシャル成長を行いシリコン層(単結晶)の膜厚を30μmとした。
このとき、成長中に微量のB2 H6 (0.数ppm〜数ppm程度)を添加して成長シリコン層をp- 型にするとともに、成長の終わりでB2 H6 の量を増大させて(数百ppm程度)p+ 層を形成した(図12(c)、(d))。
多孔質シリコン層表面に通常の熱CVD装置により表5の形成条件で結晶成長を行いシリコン層(多結晶)の膜厚を30μmとした。
厚さ50μmのポリイミドフィルムの片面にスクリーン印刷により銀ペーストを10〜30μm厚で塗り、この面を上述のウエハのn+ シリコン層面に密着させて貼り合わせた。
最後にμc−Si層の上にEB蒸着によりITO透明導電膜(82nm)/集電電極(Ti/Pd/Ag(400nm/200nm/1μm))を形成して太陽電池とした(図12(h))。
多孔質シリコン層表面を水素雰囲気中で1050℃7分間アニールした後、MOCVD(有機金属気相成長)装置により図14に示すタンデム構成のGaAs/AlGaAs層(単結晶)を堆積した(図13(c);なお、図13の1306,1303,1304は、ここでは図14の1403〜1413に置き換えたものとなる。)。図14において、1401は結晶基板、1402は多孔質層、1403はn+ GaAs、1404はn+ Alx Ga1-x As、1405はn Al0.37Ga0.63As、1406はp Al0.37Ga0.63As、1407はp+Alx Ga1-x As、1408はp Al0.37Ga0.63As、1409はn+ Alx Ga1-x As、1410はn Al0.37Ga0.63As、1411はn+ Al0.9 Ga0.1 As、1412はnGaAs、1413はpGaAsである。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:11(min)
多孔質Siの厚み:12(μm)
この基板を酸素雰囲気中400℃で1時間酸化した。この酸化により多孔質Siの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。多孔質Si上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法により単結晶Siを0.15μmエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により20nmのSiO2層を形成した。なお、この酸化膜は粘着性のフィルムを貼り付ける場合の保護として設けられる。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により20nmのSiO2層を形成した。なお、この酸化膜は粘着性のフィルムを貼り付ける場合の保護として設けられる。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
エピタキシャルSi層の表面からH+ を40keVで5×1016cm-2イオン注入した。表面の0.2μmほどは、単結晶が保たれていた。この場合、表面にあらかじめSiO2 層を形成しておいた方がイオン注入による表面荒れを防ぐという観点からはよい。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により200nmのSiO2層を形成した。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
エピタキシャルSi層の表面からH+ を40keVで5×1016cm-2イオン注入した。表面の0.2μmほどは、単結晶が保たれていた。この場合、表面にあらかじめSiO2 層を形成しておいた方がイオン注入による表面荒れを防ぐという観点からはよい。
多孔質シリコン層表面に通常の熱CVD装置により表9の形成条件でエピタキシャル成長を行いシリコン層(単結晶)の膜厚を30μmとした。
このとき、成長の初期に数百ppm程度のB2 H6 を添加してp+ 層を1μm形成した後、続けてB2 H6 の量を0.数ppm〜数ppm程度として成長シリコン層をp-型にするとともに、さらに成長の終わりでB2 H6 に代えてPH3を数百ppm程度添加してn+ 層を0.2μm形成して接合を形成した(図15(c))。
多孔質シリコン層表面に通常の熱CVD装置により表11の形成条件でエピタキシャル成長を行いシリコン層(単結晶)の膜厚を40μmとした。
このとき、成長の初期に数百ppm程度のB2 H6 を添加してp+ 層を1μm形成した後、続けてB2 H6 の量を0.数ppm〜数ppm程度として成長シリコン層をp-型にするとともに、さらに成長の終わりでB2 H6 に代えてPH3を数百ppm程度添加してn+ 層を0.2μm形成して接合を形成した(図16(c))。
また、金属級シリコン基板の結晶粒径は数mm〜数cmであり、比抵抗は0.05Ω・cm(p型)であった(図12(a))。
多孔質シリコン層表面に通常の熱CVD装置により表14の形成条件で結晶成長を行いシリコン層(多結晶)の膜厚を30μmとした。
厚さ50μmのポリイミドフィルムの片面にスクリーン印刷により銅ペーストを10〜30μm厚で塗り、この面を上述の金属級シリコン基板のp+ シリコン層面に密着させて貼り合わせた。
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:4(min)
多孔質Siの厚み:4.5(μm)
さらに、
電流密度:30(mA・cm-2)
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:1(min)
多孔質Siの厚み:〜4(μm)
この陽極化成により、30(mA・cm-2)による多孔質Si層の多孔度(porosity)は大きくなり、構造的に脆弱な層が形成された。
ガス流量:0.5/180 l/min
ガス圧力:80Torr
温度:950℃
成長速度:0.3μm/min
さらに、このエピタキシャルSi層表面に熱酸化により200nmのSiO2層を形成した。
102,202,402,802,803 多孔質層
103,204,304,405,505,606,705,808,809 薄膜フィルム
203,303,403,503,603,604,702,804,805 非多孔質層(非多孔質薄膜)
302,502,602,704 イオン注入層
404,504,605,703,806,807 絶縁層
406,506,607,706,810,811 第2の基板
1201,1301,1401,1501,1601 結晶基板
1202,1202a,1202b,1302,1302a,1302b,1402,1502,1502a,1502b,1602,1602a,1602b 多孔質層
1103,1203,1303,1503,1603 活性層
1104,1204,1304,1504,1604 p+ 層(またはn+ 層)
1106,1206,1306,1506,1606 n+ 層(またはp+ 層)
1107,1207,1307,1508,1611 反射防止層(透明導電層)
1108,1208,1308,1509,1612 集電電極
1109,1209,1309,1510,1608 裏面電極
1403 n+ GaAs
1404 n+ Alx Ga1-x As
1405 n Al0.37Ga0.63As
1406 p Al0.37Ga0.63As
1407 p+ Alx Ga1-x As
1408 p Al0.37Ga0.63As
1409 n+ Alx Ga1-x As
1410 n Al0.37Ga0.63As
1411 n+ Al0.9 Ga0.1 As
1412 nGaAs
1413 pGaAs
1506 透明フィルム
1507 接着層
1606 UV硬化型フィルム
1607 粘着層
Claims (6)
- 多孔質半導体層と、該多孔質半導体層上に設けた非多孔質半導体層と、を有して構成される第1の基板上に可撓性を有するフィルムを貼り付ける工程と、
前記フィルムを前記第1の基板から剥がす方向の力を前記フィルムに加えることにより前記非多孔質半導体層を前記多孔質半導体層において前記第1の基板のエッジから徐々に引き剥がして該第1の基板より分離する工程と、
該分離された前記非多孔質半導体層を第2の基板に貼り合わせる工程と、
を有することを特徴とする半導体部材の製造方法。 - 前記フィルムを接着剤を介して前記第1の基板に貼り付ける請求項1に記載の半導体部材の製造方法。
- 前記分離工程の後、分離された前記フィルム上の前記非多孔質半導体層を別の支持部材に貼り付け、前記非多孔質半導体層上の前記フィルムを除去し、該支持部材に貼り付けた状態で前記第2の基板との貼り合わせ工程を行う請求項1に記載の半導体部材の製造方法。
- 前記支持部材には、前記分離された前記フィルム上の前記非多孔質半導体層表面に残留する多孔質半導体層を除去することで表出する前記非多孔質半導体層を貼り合わせる請求項3に記載の半導体部材の製造方法。
- 前記支持部材には、前記分離された前記フィルム上の前記非多孔質半導体層表面に残留する多孔質半導体層を貼り合わせる請求項3に記載の半導体部材の製造方法。
- 前記非多孔質半導体層を前記第2の基板と貼り合わせた後、前記支持部材を除去する請求項3に記載の半導体部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004314042A JP3927977B2 (ja) | 1996-12-18 | 2004-10-28 | 半導体部材の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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