JP3896284B2

JP3896284B2 - High frequency circuit board and high frequency antenna switch module using the same

Info

Publication number: JP3896284B2
Application number: JP2002005027A
Authority: JP
Inventors: 俊高早川; 大典加藤
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2001-02-27
Filing date: 2002-01-11
Publication date: 2007-03-22
Anticipated expiration: 2022-01-11
Also published as: JP2002335101A

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば携帯電話などの通信機器に使用され得る高周波回路基板及びそれを用いた高周波用アンテナスイッチモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来例えば携帯電話などの通信機器においては、受信回路をアンテナに接続したり送信回路をアンテナに接続するために高周波スイッチモジュールが用いられている。この種の高周波スイッチモジュールは、通信機器自体の小型軽量化の観点から、複数の回路素子のうち一部を誘電体基板に形成して誘電体積層構造体（調波回路基板）とし、残りの回路素子をチップ素子に形成して誘電体積層構造体の外面に装着した複合構造のユニットとして構成されている（特開平６−２０４９１２号公報参照）。
【０００３】
この種の公知の高周波スイッチにおいては、例えば特開平８−９７７４３号公報に開示されているように、送信回路にコンデンサを介して第１のダイオードのアノードが接続され、第１のダイオードのアノードはチョークコイルとして作用する第１のストリップラインとコンデンサとの直列回路を介して接地され、第１のストリップラインとコンデンサとの中間点には第１の制御端子が接続され、第１の制御端子には、高周波スイッチの切換えを行う制御回路が接続される。また第１のダイオードのカソードは別のコンデンサを介してアンテナに接続されている。一方、アンテナにはこの別のコンデンサ及び第２のストリップラインとコンデンサとの直列回路を介して受信回路が接続され、第２のストリップラインとコンデンサとの中間点は第２のダイオードのアノードが接続され、第２のダイオードのカソードはコンデンサを介して接地され、第２のストリップラインとコンデンサとの中間点には第２の制御端子が接続され、第２の制御端子には、高周波スイッチの切換えを行う制御回路が接続される。
そしてこのように構成した高周波スイッチは、第１、第２の制御端子に印加するバイアス電圧を制御することにより送信信号及び受信信号の切換えを行うようにされている。
【０００４】
また、特開平８−９７７４３号公報には、このような構成の高周波スイッチング回路素子とフィルタ回路素子とを、高周波スイッチング回路素子のうち高周波デバイスを成すダイオードを除いて複数の誘電体基板に形成し、ダイオードをチップ素子として構成し、複数の誘電体基板の積層体上にダイオードチップ素子を装着したものが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように高周波スイッチング回路素子のうち高周波デバイスを成すダイオードをチップ素子として構成し、高周波スイッチング回路素子の残りの素子及びフィルタ回路素子を複数の誘電体基板に形成して積層体とし、この積層体上にダイオードチップ素子を装着した従来の高周波用アンテナスイッチモジュールユニットは、通信機器自体の小型軽量化に伴う小型化の要求を十分に満足するものとなっていない。すなわち、上述のような従来の構造では、アンテナと送信回路との間に接続されたダイオードのアノードに接続されたチョークコイルとして作用するストリップラインは、高周波スイッチング回路における高周波デバイスの駆動回路への高周波信号の漏れを防止するため、送信回路からの送信信号の波長をλとしたとき、λ／４線路以下の長さをもつようにされており、従ってストリップラインは、実際には相当な大きなインダクタンス（例えば１００ｎＨ程度）をもつ必要がある。そのため、このストリップラインを誘電体基板上にパターン化するにはかなりの面積をもつ基板を用いる必要があり、このことは、誘電体基板の積層体の縦横寸法をストリップラインのパターン化に必要な面積に合わせて設定しなければならず、小型化には限界があった。
【０００６】
一方、携帯電話などの通信機器の小型軽量化の傾向は益々進んでおり、それに伴い機器内部における高周波スイッチのための収納容積も減少され、その減少した収納容積に適合できる寸法で高周波スイッチモジュールを実現することが要望されている。
【０００７】
従って、本発明は、従来の高周波スイッチモジュールに伴う問題点を解決して、通信機器内に画定された収納容積の低減に適合できしかもインダクタ素子による干渉などの影響を低減できる高周波回路基板及びそれを用いた小型の高周波用アンテナスイッチモジュールを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の発明によれば、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして搭載し、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板とを含む複数の誘電体基板で構成される高周波回路基板において、
第一の誘電体基板は、前記高周波回路基板の表面を形成し、
前記第一の誘電体基板の表面にチップインダクタ用のランドが形成され、
インダクタ回路パターンが形成された前記第二の誘電体基板は、複数の誘電体基板のうち、第一の誘電体基板に最も近い位置に位置し、
インダクタ回路パターンとチップインダクタ用のランドが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴としている。
【００１０】
さらに、本発明の第２の発明によれば、フィルタ回路と、高周波スイッチング回路とを備え、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載し、少なくともフィルタ回路の構成要素を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴としている。
【００１１】
本発明の第２の発明による高周波用アンテナスイッチモジュールにおいては、高周波スイッチング回路は、高周波デバイスを形成するダイオードと、抵抗と、コンデンサと、インダクタとを備え、前記ダイオードと、前記抵抗と、前記コンデンサの一部をチップ素子として構成し、前記インダクタ及び前記コンデンサの残りの部分を誘電体積層構造体内に形成され得る。
【００１２】
好ましくは、誘電体積層構造体は、フィルタ回路における複数のコンデンサ素子を形成した複数の誘電体基板と、フィルタ回路における複数のインダクタ素子を形成した複数の誘電体基板と、高周波スイッチング回路におけるチップ素子として構成した以外の素子を形成した複数の誘電体基板とを積層して構成され得る。
【００１３】
さらに、本発明の第３の発明によれば、フィルタ回路及び高周波スイッチング回路をそれぞれ二つずつ備え、各高周波スイッチング回路がダイプレクサ回路を介してアンテナに接続するように構成され、各高周波スイッチング回路のチョーク回路素子がチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載され、少なくともフィルタ回路及びダイプレクサ回路の構成要素子を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、
前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１には、本発明の一つの実施の形態による高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成の一例を示している。ＳＷは高周波スイッチング回路で、二つのダイオードＤ１、Ｄ２と、二つのインダクタＬ１、Ｌ２と、五つのコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５と、一つの抵抗Ｒ１とで構成されている。すなわち第１のダイオードＤ１のアノードは第１のコンデンサＣ１を介してローパスフィルタＬＰＦを介して送信回路ＴＸに接続され、第１のダイオードＤ１と第１のコンデンサＣ１との接続点は、チョークコイルとして作用する第１のインダクタＬ１と第２のコンデンサＣ２の直列回路を介して接地され、第１のインダクタＬ１と第２のコンデンサＣ２との間には制御端子ＶＣが接続されている。また、第１のダイオードＤ１のカソードは一方では第３のコンデンサＣ３を介してアンテナ端子ＡＮＴに接続され、他方では第２のインダクタＬ２の一端に接続され、第２のインダクタＬ２の他端は第４のコンデンサＣ４を介して受信回路ＲＸに接続される。第２のインダクタＬ２と第４のコンデンサＣ４との接続点は第２のダイオードＤ２と第５のコンデンサＣ５の直列回路を介して接地され、第５のコンデンサＣ５と並列に抵抗Ｒ１が接続されている。
【００１５】
高周波スイッチング回路ＳＷと送信回路ＴＸとの間に接続されたローパスフィルタＬＰＦは、インダクタＬ３、Ｌ４とコンデンサＣ６〜Ｃ１０から成り、これらの素子は図示したように接続されている。
【００１６】
このように構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの回路の動作において、制御端子ＶＣに正の電圧を印加すると、第１のダイオードＤ１及び第２のダイオードＤ２は順方向にバイアスがかけられ、これらのダイオードは導通状態となる。それにより送信回路ＴＸからの送信信号は、ローパスフィルタＬＰＦ、コンデンサＣ１、第１のダイオードＤ１及びコンデンサＣ３を介してアンテナＡＮＴから送信される。この場合、受信回路側に通じる回路は、第２のダイオードＤ２が導通状態にあるため第２のインダクタＬ２が接地され、従って送信回路ＴＸからの送信信号は、受信回路ＲＸ側へは伝送されない。こうして送信状態が確立される。
一方、制御端子ＶＣに負の電圧を印加すると、第１のダイオードＤ１及び第２のダイオードＤ２は逆方向にバイアスがかけられ、これらのダイオードは非導通状態となる。従ってアンテナＡＮＴからの受信信号は受信回路ＲＸへ伝送され、こうして受信状態が確立される。
【００１７】
図２は、本発明の別の実施の形態によるデュアルバンド用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成を概略的に示す。図示アンテナスイッチは、フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２、スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２及びダイプレクサＤＰなどから構成されており、ＧＳＭ用送信部に接続される送信端子ＴＸ１、ＤＣＳ用送信部に接続される送信端子ＴＸ２、ＧＳＭ用受信部に接続される受信端子ＲＸ１、ＤＣＳ用受信部に接続される受信端子ＲＸ２、アンテナに接続されるアンテナ端子ＡＮＴ、制御部に接続される制御端子ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３、ＶＣ４、及び無線部の基準電位に接続されるアース端子ＧＮＤを備えている。
【００１８】
フィルタＬＰＦ１は、コンデンサＣ101、Ｃ102、Ｃ103、Ｃ104、Ｃ105、及びインダクタＬ101、Ｌ102の回路素子から成り、これら回路素子は図示したように接続されてローパスフィルタを構成している。
【００１９】
フィルタＬＰＦ２は、コンデンサＣ201、Ｃ202、Ｃ203、Ｃ204、Ｃ205、及びインダクタＬ201、Ｌ202の回路素子から成り、これら回路素子は前述したフィルタＬＰＦ１と同様に接続されてローパスフィルタを構成している。フィルタＬＰＦ２は、遮断周波数が異なるところ以外は、前述のフィルタＬＰＦ１と同様である。
【００２０】
スイッチ回路ＳＷ１は、フィルタＬＰＦ１を通過した送信信号（ＧＳＭ）をアンテナ端子ＡＮＴに出力するための信号経路、又はアンテナから受信した受信信号（ＧＳＭ）をＧＳＭ用受信部に入力するための信号経路を切り換える機能を有するものである。図示スイッチ回路ＳＷ１は、フィルタＬＰＦ１の次段に位置しており、結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、バイパスコンデンサＣ２、Ｃ５、チョークコイルＬ１、インダクタＬ104、抵抗Ｒ１、高周波スイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の回路素子から成っている。
【００２１】
スイッチ回路ＳＷ２は、フィルタＬＰＦ２を通過した送信信号（ＤＣＳ）をアンテナ端子ＡＮＴに出力するための信号経路、又はアンテナから受信した受信信号（ＤＣＳ）をＤＣＳ用受信部に入力するための信号経路を切り換える機能を有するものであり、前述したスイッチ回路ＳＷ１とほぼ同様な構成から成っている。図示スイッチ回路ＳＷ２は、フィルタＬＰＦ２の次段に位置しており、結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、バイパスコンデンサＣ７、Ｃ１０、チョークコイルＬ３、インダクタＬ204、抵抗Ｒ２、高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の回路素子から成っている。
【００２２】
ダイプレクサＤＰは、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）とハイパスフィルタ（ＨＰＦ）とを組合わせて構成されており、図示例では、スイッチ回路ＳＷ１の結合コンデンサＣ３とアンテナ端子ＡＮＴとの間に接続され、コンデンサＣ107、Ｃ108、及びインダクタＬ106の回路素子から成るローパスフィルタと、スイッチ回路ＳＷ２の結合コンデンサＣ８とアンテナ端子ＡＮＴとの間に接続され、コンデンサＣ207、Ｃ208、Ｃ209及びインダクタＬ206の回路素子から成るハイパスフィルタとで構成されている。
【００２３】
このような回路構成から成るデュアルバンド用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの誘電体積層構造体を図３に概略分解図で示す。
アンテナスイッチモジュールの誘電体積層構造体は図示したように１５層の誘電体基板１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５で構成されている。高周波回路基板を構成する各誘電体基板にはそれぞれ、図２に示す回路素子のうちスイッチ回路ＳＷ１における結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、コンデンサＣ２、バイパスコンデンサＣ５、チョークコイルＬ１、抵抗Ｒ１及び高周波スイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の回路素子、並びにスイッチ回路ＳＷ２における結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、コンデンサＣ７、バイパスコンデンサＣ１０、チョークコイルＬ３、抵抗Ｒ２及び高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の回路素子を除くそれぞれの回路素子が対応した一つの又は複数の基板上に形成されている。
【００２４】
すなわち、図３において、第１の誘電体基板１には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ209の電極が形成されている。
【００２５】
第２の誘電体基板２には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、ダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ209の電極、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ107の電極が形成されている。
【００２６】
第３の誘電体基板３には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ107の電極が形成されている。
【００２７】
第５の誘電体基板５には、ダイプレクサＤＰを構成しているインダクタＬ206が形成されている。
【００２８】
第６の誘電体基板６には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電極、及びローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ202、Ｃ204の電極が形成されている。
【００２９】
第７の誘電体基板７には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電極、及びローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ202、Ｃ204の電極が形成されている。
【００３０】
第８の誘電体基板８には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電極が形成されている。
【００３１】
第９の誘電体基板９には、スイッチ回路ＳＷ１を構成しているインダクタＬ104、及びスイッチ回路ＳＷ２を構成しているインダクタＬ204が形成されている。
【００３２】
第１０の誘電体基板１０には、スイッチ回路ＳＷ１を構成しているインダクタＬ104、スイッチ回路ＳＷ２を構成しているインダクタＬ204、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ102、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ207の電極が形成されている。
【００３３】
第１１の誘電体基板１１には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ102、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ207、Ｃ208の電極が形成されている。
【００３４】
第１２の誘電体基板１２には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ102、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているインダクタＬ201、Ｌ202、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ108、Ｃ208の電極が形成されている。
【００３５】
第１３の誘電体基板１３には、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているインダクタＬ201、Ｌ202、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ108の電極が形成されている。
【００３６】
第１４の誘電体基板１４には、ダイプレクサＤＰを構成しているインダクタＬ106が形成されている。
【００３７】
高周波回路基板の表面すなわち誘電体積層構造体の最上層を形成する誘電体基板１５上には、前述の図２に示す回路素子のうちスイッチ回路ＳＷ１における結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、コンデンサＣ２、バイパスコンデンサＣ５、チョークコイルＬ１、抵抗Ｒ１及び高周波スイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の九個の回路素子、並びにスイッチ回路ＳＷ２における結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、コンデンサＣ７、バイパスコンデンサＣ１０、チョークコイルＬ３、抵抗Ｒ２及び高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の九個の回路素子が、チップ素子として搭載されるランドが形成されている。
【００３８】
すなわち、図４に示すように、コンデンサＣ２を搭載するランド１６、チョークコイルＬ１を搭載するランド１７、コンデンサＣ１を搭載するランド１８、コンデンサＣ３を搭載するランド１９、コンデンサＣ５を搭載するランド２０、抵抗Ｒ１を搭載するランド２１、コンデンサＣ４を搭載するランド２２、高周波スイッチングダイオードＤ１を搭載するランド２３、高周波スイッチングダイオードＤ２を搭載するランド２４、高周波スイッチングダイオードＤ３を搭載するランド２５、高周波スイッチングダイオードＤ４を搭載するランド２６、コンデンサＣ７を搭載するランド２７、チョークコイルＬ３を搭載するランド２８、コンデンサＣ６を搭載するランド２９、コンデンサＣ８を搭載するランド３０、コンデンサＣ１０を搭載するランド３１、抵抗Ｒ２を搭載するランド３２、コンデンサＣ９を搭載するランド３３が形成され、これらの素子は図示していないが図２の回路構成となるように接続されている。
【００３９】
さらに、図３において第１の誘電体基板１の下側には、ＧＳＭ用送信部に接続される送信端子ＴＸ１、ＤＣＳ用送信部に接続される送信端子ＴＸ２、ＧＳＭ用受信部に接続される受信端子ＲＸ１、ＤＣＳ用受信部に接続される受信端子ＲＸ２、アンテナに接続されるアンテナ端子ＡＮＴ、制御部に接続される制御端子ＶＣ、及び無線部の基準電位に接続されるアース端子Ｇのそれぞれのパターンが形成されている基板が示されている。
又、各基板に形成された回路素子はビアホール（図示しない）により、所定の基板間で接続されている。
【００４０】
ところで、本発明では、スイッチ回路ＳＷ１におけるチョークコイルＬ１を形成するチップインダクタ素子及びスイッチ回路ＳＷ２におけるチョークコイルＬ３を形成するチップインダクタ素子は、少なくともその直ぐ下に位置する第１４の誘電体基板１４上の回路パターンの形成されてない部位上に位置するように最上層の誘電体基板１５上に形成されたランド１７、２８上に配置される。言い換えれば、最上層の誘電体基板１５上のチップインダクタ素子の配置領域に対応した第１４の誘電体基板又は好ましくは第１４の誘電体基板を含む複数の基板上の部位には回路パターンが位置しないようにされ、これにより、動作時に干渉などの悪影響を防止することができる。
【００４１】
すなわち、図５に示すように、スイッチ回路ＳＷ１におけるチョークコイルＬ１を形成するチップインダクタ素子及びスイッチ回路ＳＷ２におけるチョークコイルＬ３を形成するチップインダクタ素子を搭載するために最上層の誘電体基板１５上に形成されたランド１７、２８の領域は、第１４の誘電体基板１４上に形成されたダイプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106とは重ならないように形成されている。これにより、動作時にチップインダクタ素子Ｌ１、Ｌ３に流れる信号がダイプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106に漏れることによるノイズの発生といった不具合や、チップインダクタ素子Ｌ１、Ｌ３とダイプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106との干渉などの悪影響を防止することができる。
【００４２】
次に、誘電体積層構造体の製造について簡単に説明する。
まず、グリーンシートを用意し、必要な部位つまり上下に電気的に接続すべき部位に孔をあける。こうして孔のあけられた各グリーンシート上に、所定の回路素子の全部又は一部をＡｇ又はＡｇＰｔを用いてスクリーン印刷法により印刷する。同時に各グリーンシートにおける各孔もＡｇ又はＡｇＰｔを用いてスクリーン印刷法により孔埋めする。しかる後、それぞれのグリーンシートを積層し、そして燒結処理が施される。
その後、誘電体積層構造体の頂部に高周波スイッチング回路ＳＷ１及びＳＷ２を構成する別個に用意したチップ素子が搭載され、そして図６に示すように個々のモジュールに切断されて完成される。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明してきたように、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして搭載し、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板とを含む複数の誘電体基板で構成される高周波回路基板において、第一の誘電体基板が前記高周波回路基板の表面を形成し、第一の誘電体基板の表面にチップインダクタ用のランドを形成し、インダクタ回路パターンが形成された第二の誘電体基板が、複数の誘電体基板のうち、第一の誘電体基板に最も近い位置に位置し、インダクタ回路パターンとチップインダクタ用のランドが積層方向において互いに重ならないように位置決めしたことにより、ノイズの発生や干渉などの悪影響を防止することができるようになる。
【００４４】
また、本発明による高周波用アンテナスイッチモジュールにおいては、誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドを形成し、最上層とは別の層に形成される最上層に最も近い回路パターンと最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めしているので、積層構造体のサイズを小型化できると共に、チョーク回路素子による干渉の影響を実質的に低減することができ、従って、携帯電話などの通信機器の小型軽量化に伴う機器内部における高周波スイッチのための収納容積の縮小に十分適合できる寸法をもちしかも安定した動作を保証できる高周波スイッチモジュールを提供できるようになる。
【００４５】
また、本発明による高周波スイッチモジュールは、デュアルバンド用として構成した場合も、同様に、誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドを形成し、最上層とは別の層に形成される最上層に最も近い回路パターンと最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされているので、通信機器内に画定された収納容積の低減に適合できるだけでなく、チョーク回路素子による干渉の影響を実質的に低減することができ、高周波スイッチとして安定した動作を保証できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施の形態による高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成の一例を示す回路線図。
【図２】本発明の別の実施の形態によるデュアルバンド用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成の一例を示す回路線図。
【図３】図２に示す高周波用アンテナスイッチモジュールにおける誘電体積層構造体の構成を示す分解斜視図。
【図４】図３に示す誘電体積層構造体における最上層の高周波回路基板の表面上に形成されるスイッチ回路ＳＷ１及びＳＷ２における回路素子を成すチップ素子搭載用のランドを示す概略平面図。
【図５】図３に示す誘電体積層構造体における最上層の高周波回路基板上のチップインダクタ素子を搭載するためのランド領域とその下の層の誘電体基板上に形成されたインダクタＬ106との位置関係を示す概略平面図。
【図６】図２に示す高周波用アンテナスイッチモジュールを示す概略斜視図。
【符号の説明】
ＡＮＴ：アンテナ端子
ＳＷ：高周波スイッチング回路
ＳＷ１：高周波スイッチング回路
ＳＷ２：高周波スイッチング回路
Ｌ１：インダクタ（チョーク回路素子）
ＬＰＦ：ローパスフィルタ
ＬＰＦ１：ローパスフィルタ
ＬＰＦ２：ローパスフィルタ
ＤＩＰ：ダイプレクサ
１６〜３３：ランド[0001]
[Technical field to which the invention belongs]
The present invention is, for example, relates to the high frequency antenna switch module using a high-frequency circuit group Ita及 Bisore that may be used for communication devices such as cellular phones.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a communication device such as a cellular phone, a high-frequency switch module is used to connect a receiving circuit to an antenna or to connect a transmitting circuit to an antenna. In order to reduce the size and weight of communication equipment itself, this type of high-frequency switch module forms a dielectric laminated structure (harmonic circuit board) by forming a part of a plurality of circuit elements on a dielectric board, and the rest The circuit element is formed as a chip element and is configured as a unit having a composite structure in which the dielectric laminated structure is mounted on the outer surface (see Japanese Patent Laid-Open No. 6-204912).
[0003]
In this type of known high-frequency switch, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 8-97743, the anode of the first diode is connected to the transmission circuit via a capacitor, and the anode of the first diode is The first control terminal is connected to the first control terminal at an intermediate point between the first strip line and the capacitor, and is grounded via a series circuit of the first strip line and the capacitor acting as a choke coil. Is connected to a control circuit for switching the high frequency switch. The cathode of the first diode is connected to the antenna via another capacitor. On the other hand, a receiving circuit is connected to the antenna via another capacitor and a series circuit of the second strip line and the capacitor, and the anode of the second diode is connected to the intermediate point between the second strip line and the capacitor. The cathode of the second diode is grounded via a capacitor, the second control terminal is connected to the intermediate point between the second strip line and the capacitor, and the high frequency switch is switched to the second control terminal. A control circuit for performing is connected.
The high-frequency switch configured as described above is configured to switch between the transmission signal and the reception signal by controlling the bias voltage applied to the first and second control terminals.
[0004]
Japanese Patent Laid-Open No. 8-97743 discloses a high-frequency switching circuit element and a filter circuit element having such a structure formed on a plurality of dielectric substrates except for a diode constituting a high-frequency device among the high-frequency switching circuit elements. In this proposal, a diode is configured as a chip element, and the diode chip element is mounted on a laminate of a plurality of dielectric substrates.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, a diode constituting a high-frequency device among the high-frequency switching circuit elements is configured as a chip element, and the remaining elements of the high-frequency switching circuit elements and the filter circuit elements are formed on a plurality of dielectric substrates to form a laminated body. The conventional high-frequency antenna switch module unit having the diode chip element mounted thereon does not sufficiently satisfy the demand for downsizing due to the reduction in size and weight of the communication device itself. That is, in the conventional structure as described above, the strip line that acts as a choke coil connected to the anode of the diode connected between the antenna and the transmission circuit has a high frequency to the drive circuit of the high frequency device in the high frequency switching circuit. In order to prevent signal leakage, when the wavelength of the transmission signal from the transmission circuit is λ, the length is equal to or shorter than the λ / 4 line. Therefore, the strip line actually has a considerable inductance. (For example, about 100 nH). Therefore, in order to pattern the strip line on the dielectric substrate, it is necessary to use a substrate having a considerable area. This means that the vertical and horizontal dimensions of the laminate of the dielectric substrate are necessary for patterning the strip line. There was a limit to miniaturization because it had to be set according to the area.
[0006]
On the other hand, the trend toward smaller and lighter communication devices such as mobile phones has been increasing, and the storage capacity for high-frequency switches inside the devices has been reduced accordingly. Realization is desired.
[0007]
Therefore, the present invention solves the problems associated with the conventional high-frequency switch module, can be adapted to the reduction of the storage volume defined in the communication device, and can also reduce the influence of interference caused by the inductor element and the like An object of the present invention is to provide a small-sized high-frequency antenna switch module using the above.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the choke coil circuit element of the high frequency switching circuit is mounted as a chip inductor, and the first dielectric substrate and the second dielectric substrate are provided. In a high-frequency circuit board composed of a plurality of dielectric substrates, including
The first dielectric substrate forms the surface of the high-frequency circuit board,
A land for a chip inductor is formed on the surface of the first dielectric substrate,
The second dielectric substrate on which the inductor circuit pattern is formed is located at a position closest to the first dielectric substrate among the plurality of dielectric substrates,
The inductor circuit pattern and the chip inductor land are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction.
[0010]
Further, according to the second invention of the present invention, the filter circuit and the high frequency switching circuit are provided, the choke coil circuit element of the high frequency switching circuit is mounted on the dielectric multilayer structure as a chip inductor, and at least the configuration of the filter circuit In a high-frequency antenna switch module in which elements are formed in a dielectric multilayer structure, a land for a chip inductor is formed on the uppermost layer of the dielectric layer forming the dielectric multilayer structure, and a layer different from the uppermost layer. The inductor circuit pattern closest to the uppermost layer and the land for chip inductor in the uppermost layer are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction.
[0011]
In the high-frequency antenna switch module according to the second aspect of the present invention, the high-frequency switching circuit includes a diode forming a high-frequency device, a resistor, a capacitor, and an inductor, and the diode, the resistor, and the capacitor Are formed as chip elements, and the remaining portions of the inductor and the capacitor can be formed in a dielectric multilayer structure.
[0012]
Preferably, the dielectric multilayer structure includes a plurality of dielectric substrates formed with a plurality of capacitor elements in the filter circuit, a plurality of dielectric substrates formed with a plurality of inductor elements in the filter circuit, and a chip element in the high-frequency switching circuit. A plurality of dielectric substrates on which elements other than those configured as above are formed may be laminated.
[0013]
Further, according to the third aspect of the present invention, each of the high-frequency switching circuits includes two filter circuits and two high-frequency switching circuits, and each high-frequency switching circuit is connected to the antenna via the diplexer circuit. A high-frequency antenna switch module in which a choke circuit element is mounted as a chip inductor in a dielectric multilayer structure, and at least constituent elements of a filter circuit and a diplexer circuit are formed in the dielectric multilayer structure. A land for the chip inductor is formed on the uppermost layer of the dielectric layer,
The inductor circuit pattern closest to the top layer formed on a layer different from the top layer and the chip inductor land on the top layer are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction. .
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows an example of a circuit configuration of a high-frequency antenna switch module according to an embodiment of the present invention. SW is a high-frequency switching circuit, and is composed of two diodes D1 and D2, two inductors L1 and L2, five capacitors C1, C2, C3, C4, and C5, and one resistor R1. In other words, the anode of the first diode D1 is connected to the transmission circuit TX via the low-pass filter LPF via the first capacitor C1, and the connection point between the first diode D1 and the first capacitor C1 is a choke coil. The first inductor L1 and the second capacitor C2 that act are grounded via a series circuit, and a control terminal VC is connected between the first inductor L1 and the second capacitor C2. On the one hand, the cathode of the first diode D1 is connected to the antenna terminal ANT via the third capacitor C3, and on the other hand, it is connected to one end of the second inductor L2, and the other end of the second inductor L2 is connected to the second terminal. 4 is connected to the receiving circuit RX via the capacitor C4. A connection point between the second inductor L2 and the fourth capacitor C4 is grounded via a series circuit of the second diode D2 and the fifth capacitor C5, and a resistor R1 is connected in parallel with the fifth capacitor C5. Yes.
[0015]
The low-pass filter LPF connected between the high-frequency switching circuit SW and the transmission circuit TX includes inductors L3 and L4 and capacitors C6 to C10, and these elements are connected as illustrated.
[0016]
In the operation of the high-frequency antenna switch module configured as described above, when a positive voltage is applied to the control terminal VC, the first diode D1 and the second diode D2 are biased in the forward direction. Becomes conductive. Thereby, the transmission signal from the transmission circuit TX is transmitted from the antenna ANT via the low-pass filter LPF, the capacitor C1, the first diode D1, and the capacitor C3. In this case, in the circuit leading to the receiving circuit side, since the second diode D2 is in a conductive state, the second inductor L2 is grounded. Therefore, the transmission signal from the transmitting circuit TX is not transmitted to the receiving circuit RX side. Thus, the transmission state is established.
On the other hand, when a negative voltage is applied to the control terminal VC, the first diode D1 and the second diode D2 are biased in the reverse direction, and these diodes become non-conductive. Therefore, the reception signal from the antenna ANT is transmitted to the reception circuit RX, and thus the reception state is established.
[0017]
FIG. 2 schematically shows a circuit configuration of a high-frequency antenna switch module configured for dual band according to another embodiment of the present invention. The illustrated antenna switch includes filters LPF1 and LPF2, switch circuits SW1 and SW2, a diplexer DP, and the like, and includes a transmission terminal TX1 connected to the GSM transmission unit, a transmission terminal TX2 connected to the DCS transmission unit, and GSM. Receiving terminal RX1 connected to the receiving unit for receiving, receiving terminal RX2 connected to the receiving unit for DCS, antenna terminal ANT connected to the antenna, control terminals VC1, VC2, VC3, VC4 connected to the controlling unit, and wireless The ground terminal GND is connected to the reference potential of the part.
[0018]
The filter LPF1 includes circuit elements of capacitors C101, C102, C103, C104, and C105, and inductors L101 and L102, and these circuit elements are connected as illustrated to form a low-pass filter.
[0019]
The filter LPF2 includes circuit elements of capacitors C201, C202, C203, C204, and C205, and inductors L201 and L202, and these circuit elements are connected in the same manner as the filter LPF1 to constitute a low-pass filter. The filter LPF2 is the same as the filter LPF1 described above except that the cutoff frequency is different.
[0020]
The switch circuit SW1 has a signal path for outputting the transmission signal (GSM) that has passed through the filter LPF1 to the antenna terminal ANT, or a signal path for inputting the reception signal (GSM) received from the antenna to the GSM receiver. It has a switching function. The illustrated switch circuit SW1 is located at the next stage of the filter LPF1, and is composed of coupling capacitors C1, C3, C4, bypass capacitors C2, C5, choke coil L1, inductor L104, resistor R1, and high-frequency switching diodes D1, D2. Consists of.
[0021]
The switch circuit SW2 has a signal path for outputting the transmission signal (DCS) that has passed through the filter LPF2 to the antenna terminal ANT, or a signal path for inputting the reception signal (DCS) received from the antenna to the DCS receiver. It has a switching function, and has substantially the same configuration as the switch circuit SW1 described above. The illustrated switch circuit SW2 is located at the next stage of the filter LPF2, and includes circuit elements of coupling capacitors C6, C8, C9, bypass capacitors C7, C10, choke coil L3, inductor L204, resistor R2, and high-frequency switching diodes D3, D4. Consists of.
[0022]
The diplexer DP is configured by combining a low-pass filter (LPF) and a high-pass filter (HPF). In the illustrated example, the diplexer DP is connected between the coupling capacitor C3 of the switch circuit SW1 and the antenna terminal ANT, and the capacitors C107, A low-pass filter comprising circuit elements of C108 and inductor L106, and a high-pass filter connected between the coupling capacitor C8 of the switch circuit SW2 and the antenna terminal ANT and comprising circuit elements of capacitors C207, C208, C209 and inductor L206. It is configured.
[0023]
FIG. 3 is a schematic exploded view of a dielectric laminated structure of a high-frequency antenna switch module configured for a dual band having such a circuit configuration.
As shown in the figure, the dielectric switch structure of the antenna switch module includes 15 layers of dielectric substrates 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15. It is configured. Each of the dielectric substrates constituting the high-frequency circuit board includes coupling capacitors C1, C3, C4, a capacitor C2, a bypass capacitor C5, a choke coil L1, a resistor R1, and a high-frequency switching in the switch circuit SW1 among the circuit elements shown in FIG. The circuit elements of the diodes D1 and D2 and the circuit elements other than the coupling capacitors C6, C8, C9, the capacitor C7, the bypass capacitor C10, the choke coil L3, the resistor R2, and the high frequency switching diodes D3 and D4 in the switch circuit SW2. Are formed on one or a plurality of corresponding substrates.
[0024]
That is, in FIG. 3, the first dielectric substrate 1 includes electrodes of capacitors C101, C103, and C105 that constitute the low-pass filter LPF1, electrodes of capacitors C201, C203, and C205 that constitute the low-pass filter LPF2, And the electrode of the capacitor | condenser C209 which comprises the diplexer DP is formed.
[0025]
The second dielectric substrate 2 includes electrodes of capacitors C101, C103, and C105 that constitute the low-pass filter LPF1, electrodes of capacitors C201, C203, and C205 that constitute the low-pass filter LPF2, and a diplexer DP. The electrode of the capacitor C209 and the electrode of the capacitor C107 constituting the diplexer DP are formed.
[0026]
The third dielectric substrate 3 includes electrodes of capacitors C101, C103, and C105 that constitute the low-pass filter LPF1, electrodes of capacitors C201, C203, and C205 that constitute the low-pass filter LPF2, and a diplexer DP. The electrode of the capacitor C107 is formed.
[0027]
On the fifth dielectric substrate 5, an inductor L206 constituting the diplexer DP is formed.
[0028]
On the sixth dielectric substrate 6, capacitors C102 and C104 constituting the low-pass filter LPF1, and capacitors C202 and C204 constituting the low-pass filter LPF2 are formed.
[0029]
On the seventh dielectric substrate 7, electrodes of capacitors C102 and C104 constituting the low-pass filter LPF1 and electrodes of capacitors C202 and C204 constituting the low-pass filter LPF2 are formed.
[0030]
On the eighth dielectric substrate 8, electrodes of capacitors C102 and C104 constituting the low-pass filter LPF1 are formed.
[0031]
The ninth dielectric substrate 9 is formed with an inductor L104 constituting the switch circuit SW1 and an inductor L204 constituting the switch circuit SW2.
[0032]
The tenth dielectric substrate 10 includes an inductor L104 constituting the switch circuit SW1, an inductor L204 constituting the switch circuit SW2, inductors L101 and L102 constituting the low-pass filter LPF1, and a diplexer DP. The electrode of the capacitor C207 is formed.
[0033]
On the eleventh dielectric substrate 11, inductors L101 and L102 constituting the low-pass filter LPF1 and electrodes of capacitors C207 and C208 constituting the diplexer DP are formed.
[0034]
On the twelfth dielectric substrate 12, inductors L101 and L102 constituting the low-pass filter LPF1, inductors L201 and L202 constituting the low-pass filter LPF2, and electrodes of capacitors C108 and C208 constituting the diplexer DP are provided. Is formed.
[0035]
On the thirteenth dielectric substrate 13, inductors L201 and L202 constituting the low-pass filter LPF2 and electrodes of the capacitor C108 constituting the diplexer DP are formed.
[0036]
On the fourteenth dielectric substrate 14, an inductor L106 constituting the diplexer DP is formed.
[0037]
On the surface of the high-frequency circuit board, that is, on the dielectric substrate 15 forming the uppermost layer of the dielectric multilayer structure, the coupling capacitors C1, C3, C4, the capacitor C2, and the like in the switch circuit SW1 among the circuit elements shown in FIG. Nine circuit elements of bypass capacitor C5, choke coil L1, resistor R1, and high-frequency switching diodes D1, D2, and coupling capacitors C6, C8, C9, capacitor C7, bypass capacitor C10, choke coil L3, resistor R2 in switch circuit SW2 In addition, a land on which nine circuit elements of the high-frequency switching diodes D3 and D4 are mounted as chip elements is formed.
[0038]
That is, as shown in FIG. 4, a land 16 for mounting a capacitor C2, a land 17 for mounting a choke coil L1, a land 18 for mounting a capacitor C1, a land 19 for mounting a capacitor C3, a land 20 for mounting a capacitor C5, Land 21 for mounting resistor R1, land 22 for mounting capacitor C4, land 23 for mounting high-frequency switching diode D1, land 24 for mounting high-frequency switching diode D2, land 25 for mounting high-frequency switching diode D3, high-frequency switching diode D4 26, a land 27 on which a capacitor C7 is mounted, a land 28 on which a choke coil L3 is mounted, a land 29 on which a capacitor C6 is mounted, a land 30 on which a capacitor C8 is mounted, and a capacitor C10. Lands 32 for mounting the land 31, the resistor R2, the lands 33 for mounting the capacitor C9 is formed, these elements are not shown are connected in a circuit arrangement of FIG.
[0039]
Further, in FIG. 3, the lower side of the first dielectric substrate 1 is connected to the transmission terminal TX1 connected to the GSM transmission unit, the transmission terminal TX2 connected to the DCS transmission unit, and the GSM reception unit. Receiving terminal RX1, receiving terminal RX2 connected to the DCS receiving unit, antenna terminal ANT connected to the antenna, control terminal VC connected to the control unit, and ground terminal G connected to the reference potential of the radio unit A substrate on which the following pattern is formed is shown.
The circuit elements formed on each substrate are connected between predetermined substrates by via holes (not shown).
[0040]
By the way, in the present invention, the chip inductor element that forms the choke coil L1 in the switch circuit SW1 and the chip inductor element that forms the choke coil L3 in the switch circuit SW2 are on at least the 14th dielectric substrate 14 positioned immediately below the chip inductor element. These are arranged on lands 17 and 28 formed on the uppermost dielectric substrate 15 so as to be located on a portion where the circuit pattern is not formed. In other words, the circuit pattern is located on the 14th dielectric substrate corresponding to the arrangement region of the chip inductor element on the uppermost dielectric substrate 15 or preferably on the plurality of substrates including the 14th dielectric substrate. Thus, adverse effects such as interference during operation can be prevented.
[0041]
That is, as shown in FIG. 5, a chip inductor element for forming the choke coil L1 in the switch circuit SW1 and a chip inductor element for forming the choke coil L3 in the switch circuit SW2 are mounted on the uppermost dielectric substrate 15. The formed lands 17 and 28 are formed so as not to overlap with the inductor L106 constituting the diplexer DP formed on the fourteenth dielectric substrate 14. As a result, inconveniences such as generation of noise due to leakage of signals flowing in the chip inductor elements L1 and L3 to the inductor L106 constituting the diplexer DP during operation, and interference between the chip inductor elements L1 and L3 and the inductor L106 constituting the diplexer DP. It is possible to prevent adverse effects such as.
[0042]
Next, the production of the dielectric laminated structure will be briefly described.
First, a green sheet is prepared, and a hole is made in a necessary portion, that is, a portion to be electrically connected up and down. All or part of the predetermined circuit elements are printed on each green sheet thus perforated by screen printing using Ag or AgPt. At the same time, each hole in each green sheet is filled by screen printing using Ag or AgPt. Thereafter, the respective green sheets are laminated and sintered.
Thereafter, separately prepared chip elements constituting the high-frequency switching circuits SW1 and SW2 are mounted on the top of the dielectric multilayer structure, and are cut into individual modules as shown in FIG.
[0043]
【The invention's effect】
As described above, a high-frequency circuit board comprising a plurality of dielectric substrates including a choke coil circuit element of a high-frequency switching circuit as a chip inductor and including a first dielectric substrate and a second dielectric substrate The first dielectric substrate forms the surface of the high-frequency circuit substrate, the land for the chip inductor is formed on the surface of the first dielectric substrate, and the second dielectric substrate on which the inductor circuit pattern is formed However, noise is generated by positioning the inductor circuit pattern and the land for the chip inductor so that they do not overlap each other in the stacking direction, among the plurality of dielectric substrates. And adverse effects such as interference can be prevented.
[0044]
In the high-frequency antenna switch module according to the present invention, the land for the chip inductor is formed on the uppermost layer of the dielectric layer forming the dielectric multilayer structure, and the uppermost layer is formed on a layer different from the uppermost layer. The circuit pattern closest to the chip and the land for the chip inductor on the uppermost layer are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction, so that the size of the stacked structure can be reduced and the effect of interference from the choke circuit element can be substantially reduced. Therefore, the size of the high-frequency switch for the high-frequency switch in the device accompanying the reduction in size and weight of the communication device such as a mobile phone can be reduced, and the high-frequency switch can guarantee stable operation. Modules can be provided.
[0045]
Further, even when the high-frequency switch module according to the present invention is configured for a dual band, similarly, a land for a chip inductor is formed on the uppermost layer of the dielectric layer forming the dielectric multilayer structure, and what is the uppermost layer? Since the circuit pattern closest to the uppermost layer formed in another layer and the land for the chip inductor in the uppermost layer are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction, the storage volume defined in the communication device is reduced. In addition, the influence of interference by the choke circuit element can be substantially reduced, and a stable operation as a high-frequency switch can be guaranteed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a high-frequency antenna switch module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a high-frequency antenna switch module configured for dual band according to another embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view showing a configuration of a dielectric laminated structure in the high-frequency antenna switch module shown in FIG. 2;
4 is a schematic plan view showing a chip element mounting land forming circuit elements in switch circuits SW1 and SW2 formed on the surface of the uppermost high frequency circuit board in the dielectric multilayer structure shown in FIG. 3;
5 shows a land region for mounting the chip inductor element on the uppermost high frequency circuit board in the dielectric multilayer structure shown in FIG. 3 and an inductor L106 formed on the dielectric substrate in the lower layer. The schematic plan view which shows positional relationship.
6 is a schematic perspective view showing the high-frequency antenna switch module shown in FIG. 2. FIG.
[Explanation of symbols]
ANT: Antenna terminal SW: High frequency switching circuit SW1: High frequency switching circuit SW2: High frequency switching circuit L1: Inductor (choke circuit element)
LPF: Low-pass filter LPF1: Low-pass filter LPF2: Low-pass filter DIP: Diplexer 16 to 33: Land

Claims

高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして搭載し、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板とを含む複数の誘電体基板で構成される高周波回路基板において、
第一の誘電体基板は、前記高周波回路基板の表面を形成し、
前記第一の誘電体基板の表面にチップインダクタ用のランドが形成され、
インダクタ回路パターンが形成された前記第二の誘電体基板は、複数の誘電体基板のうち、第一の誘電体基板に最も近い位置に位置し、
インダクタ回路パターンとチップインダクタ用のランドが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴とする高周波回路基板。In a high frequency circuit board comprising a plurality of dielectric substrates including a first dielectric substrate and a second dielectric substrate, wherein the choke coil circuit element of the high frequency switching circuit is mounted as a chip inductor.
The first dielectric substrate forms the surface of the high-frequency circuit board,
A land for a chip inductor is formed on the surface of the first dielectric substrate,
The second dielectric substrate on which the inductor circuit pattern is formed is located at a position closest to the first dielectric substrate among the plurality of dielectric substrates,
A high-frequency circuit board characterized in that an inductor circuit pattern and a land for a chip inductor are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction.

フィルタ回路と、高周波スイッチング回路とを備え、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載し、少なくともフィルタ回路の構成要素を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、
前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、
前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴とする高周波用アンテナスイッチモジュール。 A high frequency antenna comprising a filter circuit and a high frequency switching circuit, wherein a choke coil circuit element of the high frequency switching circuit is mounted as a chip inductor on a dielectric multilayer structure, and at least the components of the filter circuit are formed in the dielectric multilayer structure In the switch module,
A land for a chip inductor is formed on the uppermost layer of the dielectric layer forming the dielectric multilayer structure,
The inductor circuit pattern closest to the top layer formed on a layer different from the top layer and the land for chip inductors on the top layer are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction. High frequency antenna switch module .

高周波スイッチング回路が高周波デバイスを形成するダイオードと、抵抗と、コンデンサと、インダクタとを備え、前記ダイオードと、前記抵抗と、前記コンデンサの一部をチップ素子として構成し、前記インダクタ及び前記コンデンサの残りの部分を誘電体積層構造体内に形成したことを特徴とする請求項２に記載の高周波用アンテナスイッチモジュール。 The high-frequency switching circuit includes a diode that forms a high-frequency device, a resistor, a capacitor, and an inductor, and the diode, the resistor, and a part of the capacitor are configured as chip elements, and the rest of the inductor and the capacitor The high frequency antenna switch module according to claim 2, wherein the portion is formed in a dielectric laminated structure .

誘電体積層構造体が、フィルタ回路における複数のコンデンサ素子を形成した複数の誘電体基板と、フィルタ回路における複数のインダクタ素子を形成した複数の誘電体基板と、高周波スイッチング回路におけるチップ素子として構成した以外の素子を形成した複数の誘電体基板とを積層して成ることを特徴とする請求項２又は３に記載の高周波用アンテナスイッチモジュール。 The dielectric laminated structure is configured as a plurality of dielectric substrates formed with a plurality of capacitor elements in the filter circuit, a plurality of dielectric substrates formed with a plurality of inductor elements in the filter circuit, and a chip element in the high-frequency switching circuit. The high frequency antenna switch module according to claim 2 or 3, wherein a plurality of dielectric substrates on which elements other than the above are formed are laminated .

フィルタ回路及び高周波スイッチング回路をそれぞれ二つずつ備え、各高周波スイッチング回路がダイプレクサ回路を介してアンテナに接続するように構成され、各高周波スイッチング回路のチョーク回路素子がチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載され、少なくともフィルタ回路及びダイプレクサ回路の構成要素子を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、
前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、
前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴とする高周波用アンテナスイッチモジュール。 Two filter circuits and two high-frequency switching circuits are provided, each high-frequency switching circuit is configured to be connected to an antenna through a diplexer circuit, and the choke circuit element of each high-frequency switching circuit is used as a chip inductor in the dielectric multilayer structure. In a high-frequency antenna switch module that is mounted and at least the constituent elements of a filter circuit and a diplexer circuit are formed in a dielectric laminate structure,
A land for a chip inductor is formed on the uppermost layer of the dielectric layer forming the dielectric multilayer structure,
The inductor circuit pattern closest to the top layer formed on a layer different from the top layer and the chip inductor land on the top layer are positioned so as not to overlap each other in the stacking direction. High frequency antenna switch module.