JP3888411B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、放電セルがマトリクス状に配置されたＰＤＰ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＤＰは視認性に優れ、高速表示が可能であり、しかも比較的大画面化の容易な薄型表示デバイスである。マトリクス表示方式の、なかでも面放電型のＰＤＰは、駆動電圧の印加に際して対となる表示電極を同一の基板上に配列したＰＤＰであり、蛍光体によるカラー表示に適している。
【０００３】
従来、例えばＡＣ駆動方式の３電極面放電型のカラーＰＤＰは、以下のような構成となっている。すなわち、パネルは前面側の基板と背面側の基板とで構成され、前面側の基板の内側面には、面放電（表示用の主放電であるため表示放電と呼ばれたり、アドレス後の維持放電であるためサステイン放電と呼ばれたりする）発生用の多数の主電極対が水平方向にほぼ平行に配置され、背面側の基板の内側面には、アドレス放電発生用の複数のアドレス（信号）電極および該アドレス電極を挟むように放電を物理的に区分するためのストライプ状の多数のリブ（隔壁）が垂直方向（主電極と交差する方向）にほぼ平行に設けられており、リブ間の細長い溝内には蛍光体層が形成されている。
【０００４】
このようなＰＤＰのリブの形成方法には、リブ材料層上にフォトリソグラフィの手法でリブのパターンを形成し、その上から切削材を吹き付けてリブを形成するサンドブラスト法や、形成すべきリブの位置が空洞になったパターンを基板上に形成し、その空洞部分にリブ材料を埋め込んだ後パターンを除くことによりリブを形成する埋め込み法、スクリーン印刷等を繰り返してリブを形成する積層印刷法などの方法が知られているが、量産工場では主にサンドブラスト法が用いられてリブが形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、サンドブラスト法を用いた背面側の基板の作製工程では、下地層を形成した基板上にアドレス電極を形成した後、その電極上に誘電体層を形成し、その上にサンドブラスト法でリブを形成するようにしている。
【０００６】
この場合、リブをアドレス電極に位置合わせして形成する必要があり、電極の長距離精度、及びリブのアライメントの精度が要求される。特に作製の難しいリブをアドレス電極に正確にアライメントするには、高精度の露光装置を用いる必要があり、それに伴い製造コストも上昇する傾向にあった。
【０００７】
このような製造コストの上昇に対処するため、近年では、市販の平面状のガラス基板にサンドブラスト法で先にリブを形成しておき、そのリブを形成した基板に対してアドレス電極を形成する方法が考えられている。この方法では、サンドブラストのような材料を無駄にする工程に比べ、比較的安価に人間の目で許容できる精度のリブを形成することができる。また、リブを形成した基板上に電極膜を形成し、ポジタイプのフォトレジストを用いて、斜め上方から平行光の光源で露光する、いわゆる斜め露光を行うことにより、リブ自身のシャドウイング効果でマスクレスに、かつ電極の両サイドのリブ自身をマスクとすることで、セルフアライメントに電極のマスキングパターンを形成して、電極をパターニングすることができる。
【０００８】
しかしながら、この斜め露光の方法で線幅の均一なアドレス電極を形成するには、リブは直線状（ストレートリブ）でなければならず、例えば特開平９−５０７６８号公報に記載されているようなリブが蛇行状であるものについては、均一な線幅のアドレス電極を形成することができない。
【０００９】
すなわち、リブが蛇行してリブギャップの幅が連続的に変化するような場合は、斜め露光でアドレス電極を形成すると、アドレス電極の線幅が太くなる部分と細くなる部分が生じる。そのため、リブギャップの狭い部分では電極がリブの側壁にまで形成され、その部分の隣接するアドレス電極間で静電容量が上昇するなどの問題があり、消費電力が多くなってしまう。
【００１０】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、リブギャップの幅が連続的に変化する場合でも、斜め露光でほぼ均一な幅のアドレス電極を形成することができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、プラズマディスプレイパネルとなる一対の基板の一方の内側面上に複数の蛇行状の隔壁とその隔壁間の溝底面に直線状の電極とを形成するに際し、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように複数の蛇行状の隔壁を形成した後、電極材料及び感光性材料を基板全面に塗布し、隔壁をフォトマスクとして用いて、隔壁間の溝内の電極形成領域のみが未露光部となるように基板に対して両斜め方向から露光した後、現像を行うことにより、隔壁間の溝底面にほぼ均一な幅の直線状の電極を形成する工程を備えてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１２】
この発明によれば、基板に複数の蛇行状の隔壁を形成するに際し、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように、複数の蛇行状の隔壁を形成するので、その後の電極の形成時に、隔壁をフォトマスクとして用いて斜め露光を行う際、ほぼ均一な線幅の未露光部を生じさせることができ、これにより、隔壁間の溝底面にほぼ均一な線幅の直線状の電極を形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
この発明において、一対の基板としては、ガラス、石英、シリコン等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１４】
隔壁は、蛇行状に複数形成されていればよく、この隔壁としては、例えばソーダライムガラスからなる平面状の基板をサンドブラストで切削することにより形成したものや、例えば低融点ガラス粉末と樹脂と溶媒を混合したペースト状の公知の隔壁材料を用い、サンドブラスト法、埋め込み法、積層印刷法、転写法等の公知の方法により形成したものが含まれる。このとき用いる低融点ガラスとしては、例えばＰｂＯ−Ｂ2Ｏ2−ＳｉＯ2 系ガラスなどを用いることができる。
【００１５】
電極材料としては、ＩＴＯ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの各種の公知の電極材料を用いることができる。
感光性材料としては、公知のフォトレジストや、感光性のドライフィルム等を用いることができる。
【００１６】
この発明においては、隔壁をフォトマスクとして用いて、隔壁間の溝内の電極形成領域のみが未露光部となるように基板に対して両斜め方向から露光を行う。この露光光としては、公知のフォトリソグラフィに用いられる紫外光を適用することができる。
【００１７】
この発明においては、サンドブラストで隔壁を形成することが望ましく、これにより、容易に、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように複数の蛇行状の隔壁を形成することができる。
【００１８】
また、工程の簡素化の観点からは、電極の端子部を電極と同時に形成することが望ましく、これは電極の端子部の位置まで隔壁を形成しておくことにより実現することができる。
【００１９】
この発明は、また、対向して配置された一対の基板の一方の内側面上に形成された複数の蛇行状の隔壁を備え、その隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深く形成され、かつその溝底面にほぼ均一な幅の直線状の電極が形成されてなるプラズマディスプレイパネルである。
【００２０】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。
図１は本発明に係るＰＤＰの要部の分解斜視図である。
図に示すように、本発明のＰＤＰ１は、マトリクス状に配列された放電セル毎に、面放電用のサステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが対応する３電極構造を持つ、面放電形式のＡＣ型ＰＤＰである。
【００２１】
ＰＤＰ１は、ガラスからなる前面側の基板１１と背面側の基板２１から構成されている。前面側の基板１１の内側面上にはサステイン電極Ｘ，Ｙ、誘電体層１７及び保護膜１８が設けられ、背面側の基板２１の内側面上にはアドレス電極Ａ、誘電体層（図示しない）、リブ２９及び蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。
リブ２９は、放電空間３０を列毎に区画しており、平面的にみた場合には規則的に蛇行する帯状である。
【００２２】
サステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとは直交する方向に配列されてる。また、サステイン電極Ｘとサステイン電極Ｙは、一定の間隔（面放電ギャップ）を隔てて交互に配列されており、それぞれＩＴＯからなる透明電極４１とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる金属電極（バス電極）４２で構成されている。
【００２３】
蛍光体層２８は、Ｒ（赤）の蛍光体層２８Ｒ、Ｇ（緑）の蛍光体層２８Ｇ、及びＢ（青）の蛍光体層２８Ｂが各列毎に１色ずつＲＧＢの順に配置されている。列内の発光色は同一である。列空間の内、幅の狭い部分では面放電が生じず、幅の広い部分が実質的に発光に寄与する。
【００２４】
図２は背面側の基板２１の一部を平面的に見た状態を示す説明図である。
この図に示すように、ＰＤＰ１では、各ラインＬにおいて１列置きにサブピクセルＥＵが配置される。そして、隣接する２つのラインＬに注目すると、サブピクセルＥＵの配置される列が１列毎に交互に入れ替わる。つまり、サブピクセルＥＵは、行方向及び列方向の双方に千鳥状に並ぶ。ＰＤＰ１では、隣接するＲＧＢの計３つのサブピクセルＥＵによって１つのピクセル（画素）が構成される。つまり、カラー表示の３色の配列形式は三角（デルタ）配列形式で配列されている。
【００２５】
平面的にみた場合、リブ２９が蛇行しているため、リブ２９とリブ２９との間の溝（リブギャップ）は、幅の広い部分と狭い部分とが存在するが、この幅の広い部分と狭い部分とでは溝の深さが異なっている。この点について次に説明する。
【００２６】
本実施例においては、アドレス電極Ａを斜め露光によって形成する。この斜め露光とは、従来の技術で説明したように、リブと電極との自動位置合わせを実現するために、背面側の基板に先にリブを形成しておき、そのリブを形成した基板に、リブをフォトマスクとして用いてアドレス電極を形成する方法である。
【００２７】
この方法では、まず、なんらかの方法で背面側の基板にリブを形成し、そのリブを形成した基板上に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの金属電極膜を全面に形成し、ポジタイプのフォトレジストを用いて、マスクを用いずに、斜め上方から平行光の光源で露光することにより、リブ自身のシャドウイング効果でマスクレスに、かつ電極の両サイドのリブ自身をマスクとすることで、セルフアライメントに電極のマスキングパターンを形成し、電極のパターニングを行う。
【００２８】
この場合、リブが蛇行する形状であるので、リブの高さが一定であると、斜め露光により形成した電極は一定の線幅にはならない。つまり、リブギャップの高さが一定であると、リブギャップの広い部分に合わせて斜め露光を行えば、リブギャップの狭い部分ではリブ側壁の途中までしか露光光が当たらないため、底部からその部分までのレジストがパターンとして残り、リブ側壁にまで電極が形成されてしまう。参考のため、リブの高さが一定である場合の例を図５（ｆ）に示した。図５（ｆ）では、アドレス電極Ａがリブ２９の側壁にまで形成される。
【００２９】
これを解決するためには、リブギャップの幅に応じてリブの高さを変化させればよい。しかし、３電極面放電型のＰＤＰでは、リブを形成した背面側の基板と前面側の基板とを張り合わせるので、リブの高さに変化があると、背面側の基板と前面側の基板との間に隙間ができ、放電セル間の放電の分離が困難となる。そのため、リブトップ面を同一面にする必要がある。
【００３０】
そこで、このＰＤＰでは、リブトップ面を同一面にして、リブギャップの深さを、リブギャップの幅の広い部分と狭い部分とで変えている。つまり、リブギャップの幅に応じてリブギャップの深さを変化させることにより、アドレス電極の幅をほぼ均一に保つようにしている。
【００３１】
図３は図２の領域Ｊで示した部分の詳細を示す部分拡大図、図４（ａ）及び図４（ｂ）は図３のリブに沿った断面を示す説明図であり、図４（ａ）は図３のＩＶ（ａ）−ＩＶ（ａ）断面を示し、図４（ｂ）は図３のＩＶ（ｂ）−ＩＶ（ｂ）断面を示している。図では蛍光体層は省略している。
【００３２】
これらの図に示すように、背面側の基板２１は、リブギャップの広い部分では溝が深く、リブギャップの狭い部分では溝が浅くなっている。リブギャップの深さを変えるのは、サンドブラストでリブギャップを切削することで実現可能である。
【００３３】
図５（ａ）〜図５（ｅ）は図３のリブを横切る断面を示す説明図であり、図５（ａ）は図３のＶ（ａ）−Ｖ（ａ）断面を示し、図５（ｂ）は図３のＶ（ｂ）−Ｖ（ｂ）断面を示し、図５（ｃ）は図３のＶ（ｃ）−Ｖ（ｃ）断面を示し、図５（ｄ）は図３のＶ（ｄ）−Ｖ（ｄ）断面を示し、図５（ｅ）は図３のＶ（ｅ）−Ｖ（ｅ）断面を示している。図では蛍光体層は省略している。
【００３４】
リブ２９は、サンドブラストにより形成するが、このサンドブラストでは、研磨材の粒径に依存して、広いギャップでは切削レートが高く、狭いギャップでは切削レートが低くなる。また、ギャップが広い部分から連続的に狭くなる部分では、深い溝から徐々に浅い溝へと底部の高さが変化してくる。この原理を利用して、全面に蛇行したリブ２９と端子部に応じたマスキングパターンを形成し、適切な粒径の研磨材を用いてサンドブラストすることで、リブギャップが広い部分には深い溝、リブギャップが狭い部分には浅い溝を形成する。
【００３５】
以下、サンドブラストによるリブの形成工程について説明する。
リブ２９の形成に際しては、まず、ソーダライムガラスなどの平板状の基板２１を用意し、その基板２１上に、ドライフィルムなどの耐サンドブラスト性の材料を用いて、フォトリソグラフィの手法により、リブギャップ及び端子に応じたマスキングパターンを形成する。
【００３６】
そして、そのマスキングパターン（図示していない）を介して、図中、矢印Ｆで示す方向から、基板２１に対してアルミナやＳｉＣなどの、ガラスに比べて硬い粒子状の研磨材を吹き付けて基板２１を切削することにより、リブ２９を形成する。
本例においては、研磨材にはアルミナを用い、研磨材の粒径はサブミクロン〜数十μｍの粒度分布を持ち、平均粒径約２５μｍとした。
【００３７】
この際のサンドブラスト処理は、研磨材粒子を吐出するノズルを一定速度で往復運動させ、その下を一定の速度で基板２１を搬送することにより行う。基板表面の任意の場所は、ほぼ均一な時間だけ研磨材粒子が照射されて切削されてゆく。このとき、広いギャップの部分では研磨材粒子による基板の切削効率が高く、狭いギャップの部分では逆に切削効率が低いため、一定時間の研磨材粒子の照射に対して、広いギャップ部分では深く、狭いギャップ部分では浅く切削され、テーパー状にギャップが広がる部分ではギャップの広がりにつれて徐々に深さが深くなる。リブ２９の溝を形成する方法としては、サンドブラスト以外の、例えばガラスモールドなどの方法を用いてもよい。
【００３８】
次に、ギャップ幅に応じた溝を形成した基板２１に、スパッタリングなどの方法でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる金属電極膜を形成し、その上にポジタイプのフォトレジストを塗布して、前述した斜め露光法による露光を行う。この斜め露光では、図５（ａ）〜図５（ｅ）に示すように、方向Ｇと方向Ｈとの２方向から斜め露光を行う。これにより、２方向から１回ずつ露光光を照射するだけで、ほぼ均一な線幅の未露光部を生じさせることができる。
【００３９】
このように、サンドブラスト法を用いれば、ガラス基板にギャップ幅に応じた深さの溝を形成することができるので、斜め露光の際のリブギャップの底面に投影される未露光部分の幅を一定にすることができ、これにより均一な幅のアドレス電極を形成することができる。
【００４０】
その後、現像を行い、未露光部に残ったマスキングパターンを利用して、公知の方法で、金属電極膜をエッチングすることにより電極を形成し、その上にＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層を形成し、背面側の基板２１と前面側の基板１１とを貼り合わせてＰＤＰを製作する。
【００４１】
図６は製作されたＰＤＰの一部を平面的に見た状態を示す説明図、図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面を示す説明図である。図では誘電体層及び蛍光体層は省略している。
【００４２】
これらの図に示すように、サステイン電極Ｘ，ＹはラインＬとラインＬとの境界部に配置されている。
ＰＤＰ１では、図７に示すように、リブギャップの底面にアドレス電極Ａを形成するため、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを貼り合わせてパネルを形成した場合、サステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの電極間距離は、一定ではなく、リブギャップが狭い場所では近くなる。つまり、リブギャップの狭い部分では、点灯すべき放電セルを選択する際のいわゆるアドレス放電時における、アドレス電極Ａとサステイン電極Ｙとの間の対向放電の電極間距離が短くなる。したがって、この電極間距離の短い部分を利用して、低電圧でアドレス放電を発生させることができ、アドレス放電時の電圧（アドレス電圧）を低く設定することができるので、アドレス放電に要する消費電力量を低減することができる。
【００４３】
このアドレス放電に要する電圧は、電極間に存在する誘電体層や蛍光体層の厚み及び材質によって変動する。したがって、アドレス電圧のバラつきを抑制するには、対向放電部分の誘電体層及び蛍光体層を薄くするか、全く設けないようにすることが望ましい。
【００４４】
上述の斜め露光プロセスによりパネルを作製した場合、アドレス電極上の誘電体層（サンドブラストの切削をストップするための誘電体層）は形成する必要はなく、誘電体層の厚さに起因した放電のバラつきはない。したがって、アドレス電圧のバラつきを抑制するには、対向放電部分の蛍光体層の厚みだけに着目し、蛍光体層を薄くするか、全く設けないようにすればよい。
【００４５】
まず、対向放電部分の蛍光体層を薄くする方法について説明し、次に対向放電部分の蛍光体層を設けないようにする方法について説明する。
【００４６】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は対向放電部分の蛍光体層を薄くする方法を示す説明図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面を示している。
アドレス放電部分の蛍光体層を薄くするには、蛍光体ペーストの特性を利用して薄くする。すなわち、蛍光体層は、リブギャップの部分に、スクリーン印刷法、あるいはディスペンス法などで、蛍光体粉末、バインダ樹脂及び溶剤からなる蛍光体ペースト２７を塗布した後（図８（ａ）参照）、乾燥させ、焼成することにより形成するのであるが、蛍光体層を薄くするには、蛍光体ペースト２７に長い乾燥時間が必要な溶剤（例えばテルピネオールや、ＢＣＡなど）を用いる。蛍光体ペースト２７の乾燥時間が長いと、図８（ｂ）に矢印Ｔで示すように、その乾燥の間に蛍光体のフリット（粉末）が、高い部分から低い部分へ移動して沈降するので、これによりリブギャップの浅い部分の蛍光体層２８を薄くすることができる。
【００４７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のマスクの形状を示す説明図、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のパネルの断面を示す図８対応図であり、図１０（ａ）は図９（ａ）のマスクのＸ（ａ）−Ｘ（ａ）断面に対応するパネルの断面を示し、図１０（ｂ）は図９（ｂ）のマスクのＸ（ｂ）−Ｘ（ｂ）断面に対応するパネルの断面を示している。図中、Ｓは蛍光体層が形成されない部分を示している。
【００４８】
対向放電部分の蛍光体層を設けないようにするには、スクリーン印刷、オフセット印刷、感光性蛍光体を用いたフォトリソグラフィによるパターニングなどを適用する。この場合、蛍光体ペーストを塗布するのであれば、対向放電部分に蛍光体ペーストが塗布されないようなマスクを用いる。あるいは、現像後、対向放電部分に蛍光体層が残らないようなマスクを用いる。このマスクは、例えばスクリーン印刷であればスクリーンマスク、フォトリソグラフィであればフォトマスクのように、蛍光体層の形成方法に応じたマスクを用いる。
【００４９】
このように、対向放電部分に蛍光体層が形成されないようなマスクを用いることで、対向放電部分の蛍光体層をなくすことができる。したがって、誘電体層の厚さ、及び蛍光体の色毎の違いに起因したアドレス放電電圧のバラつきを最小限に抑制して、動作電圧マージンの広い、安定した表示を得ることができる。
【００５０】
図１１は背面側の基板の非表示領域のシール部と端子部を示す平面図である。図中、２２は表示領域、２３はアドレス電極形成領域、２４はシール部、２５は斜め端子引出し部、２６は端子部である。
斜め端子引出し部２５は、表示領域２２での電極の間隔と端子部２６での電極の間隔とが異なるために電極の斜め引出しを行う部分である。
【００５１】
リブ２９の形成に際しては、上述の斜め露光の方法を用いる場合、電極の形成領域には必ず露光光を遮るためのリブ２９が必要となる。このため、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを封止するシール部２４と、アドレス電極Ａの端子部２６にもリブ２９を形成しなければならない。
【００５２】
しかし、シール部２４にリブを形成すると、リブギャップが深い場合、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを封着したシール部で気密漏れが発生するおそれがある。また、端子部２６のリブギャップが深い場合、フレキシブルケーブルとのコンタクトがとりにくい。そのため、以下に説明するように、シール部２４と端子部２６のリブギャップの深さを浅くしている。
【００５３】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は図１１の断面形状を示す説明図であり、図１２（ａ）は図１１（ａ）のシール部のＸＩＩ（ａ）−ＸＩＩ（ａ）断面を示し、図１２（ｂ）は図１１（ｂ）の端子部のＸＩＩ（ｂ）−ＸＩＩ（ｂ）断面を示している。
【００５４】
図１２（ａ）に示すように、シール部２４においては、リブ２９の幅を太くして、リブギャップの幅を最小の幅（アドレス電極の幅）近くまで狭くすることにより、シール部２４におけるリブギャップの深さＤを浅くしている。
【００５５】
また、図１２（ｂ）に示すように、端子部２６においても、リブ２９の幅を表示領域よりも太くして、リブギャップの幅を最小の幅（アドレス電極の幅）近くまで狭くすることにより、端子部２６におけるリブギャップの深さＤを浅くしている。
【００５６】
このように、シール部２４と端子部２６のリブギャップの幅を狭くして浅い溝（低いリブ）を形成するようにしているので、シール部２４での封着が容易となるとともに、端子部２６でのフレキシブルケーブルとのコンタクトがとりやすくなる。
【００５７】
図１３は図１２（ｂ）の部分拡大図であり、サンドブラストで切削した後の端子部の断面状態を示したものである。この図に示すように、リブギャップの幅の狭いマスキングパターンを形成して、背面側の基板２１をサンドブラストすることにより、リブギャップの深さを浅く形成し、電極形成の際に、方向Ｇと方向Ｈとの２方向から斜め露光を行うことで、浅い位置にアドレス電極を形成することができる。
【００５８】
図１４は背面側の基板のシール部の詳細を示す説明図である。図中、３１はシール材、３２は通気孔である。
上述した斜め露光でアドレス電極を形成しないタイプの３電極面放電型のＰＤＰでは、リブはシール部の手前で終端となり、電極だけがシール部の外へ延出され端子部が設けられているため、リブの終端では、放電空間がリブに垂直な方向（横方向）へつながり、全ての放電空間が連続する構造となっている。したがって、この構造を利用して、背面側の基板の表示領域外に一対の通気孔を設けて、前面側の基板と背面側の基板とを封着した後、この通気孔から、不純物ガスの排気や放電ガスの導入を行っている。
【００５９】
しかしながら、斜め露光でアドレス電極を形成したＰＤＰでは、図１１に示したように、シール部２４までリブ２９が存在するため、斜め露光でアドレス電極を形成しないタイプのＰＤＰのように、単純に前面側の基板と背面側の基板をと貼り合わせてしまうと、放電空間はリブに沿った方向（縦方向）にのみ連続するだけで、リブに垂直な方向へはつながらないため、各リブギャップの放電空間はそれぞれ独立した空間となり、放電空間内の不純物ガスの排気や放電空間内への放電ガスの導入を行う通気経路が確保できない。
【００６０】
このため、本ＰＤＰでは、前面側の基板１１に通気孔３２を設けて、前面側の基板１１側で通気経路を確保するようにしている。以下、具体的に２つの例を説明する。
【００６１】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は通気経路の確保の第１例及び第２例を示す説明図であり、図１４のＸＶ−ＸＶ断面を示している。
【００６２】
第１例においては、前面側の基板１１には、シール部２４の近傍に下層の誘電体層１７のみを形成し、上層の誘電体層１８を形成しない。これにより、シール部２４の近傍で、放電空間がリブに垂直な方向へつながり、全ての放電空間が連続するので、通気経路Ｋを確保できる。
【００６３】
第２例においては、前面側の基板１１の厚みがシール部２４の近傍で薄いものを用いるとともに、前面側の基板１１には、シール部２４の近傍に下層の誘電体層１７と上層の誘電体層１８を形成しない。これにより、シール部２４の近傍で、放電空間がリブに垂直な方向へつながり、全ての放電空間が連続するので、通気経路Ｋを確保でき、しかも第１例よりも広い通気経路を確保できる。
【００６４】
このように、前面側の基板１１側に通気経路を確保した構造とすることにより、全ての放電空間にわたって不純物ガスの排気や放電ガスの導入を一度に行うことができる。
【００６５】
このようにして、平面状のガラス基板に、サンドブラストで、リブギャップの深さがリブギャップの幅に応じて変化するリブを形成することにより、蛇行状のリブが形成された基板であっても、斜め露光法を用いて、ほぼ均一な幅のアドレス電極を形成することができる。
【００６６】
また、リブギャップの深さをリブギャップの幅に応じて変化させているので、電極間距離の短い部分でアドレス放電を発生させることができ、これによりアドレス放電電圧を低下させて、アドレス放電に要する消費電力量を低減することができる。
【００６７】
そして、サンドブラストでリブを形成する際には、シール部と端子部のリブギャップを狭くしているので、リブギャップの深さが浅くなり、これによりシール部の封着や端子部でのコンタクトが取りやすくなる。
【００６８】
【発明の効果】
この発明によれば、基板に、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように、複数の蛇行状の隔壁を形成するので、その後の電極の形成時に、隔壁をフォトマスクとして用いて斜め露光を行う際、ほぼ均一な線幅の未露光部を生じさせることができ、これにより、隔壁間の溝底面にほぼ均一な線幅の直線状の電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＰＤＰの要部の分解斜視図である。
【図２】本発明のＰＤＰの背面側の基板の一部を平面的に見た状態を示す説明図である。
【図３】図２の領域Ｊで示した部分の詳細を示す部分拡大図である。
【図４】図３のリブに沿った断面を示す説明図である。
【図５】図３のリブを横切る断面を示す説明図である。
【図６】本発明により製作されたＰＤＰの一部を平面的に見た状態を示す説明図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面を示す説明図である。
【図８】本発明の対向放電部分の蛍光体層を薄くする方法を示す説明図である。
【図９】本発明の対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のマスクの形状を示す説明図である。
【図１０】本発明の対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のパネルの断面を示す説明図である。
【図１１】本発明の背面側の基板の非表示領域のシール部と端子部を示す平面図である。
【図１２】図１１の断面形状を示す説明図である。
【図１３】図１２（ｂ）の部分拡大図である。
【図１４】本発明の背面側の基板のシール部の詳細を示す説明図である。
【図１５】本発明の通気経路の確保の第１例及び第２例を示す説明図である。
【符号の説明】
１ ＰＤＰ
１１ 前面側の基板
１７ 下層の誘電体層
１８ 上層の誘電体層
２１ 背面側の基板
２２ 表示領域
２３ アドレス電極形成領域
２４ シール部
２５ 斜め端子引出し部
２６ 端子部
２７ 蛍光体ペースト
２８ 蛍光体層
２８Ｒ Ｒ（赤）の蛍光体層
２８Ｇ Ｇ（緑）の蛍光体層
２８Ｂ Ｂ（青）の蛍光体層
２９ リブ
３０ 放電空間
３１ シール材
３２ 通気孔
４１ 透明電極
４２ 金属電極（バス電極）
Ａ アドレス電極
ＥＵ サブピクセル
Ｌ ライン
Ｘ，Ｙ サステイン電極
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、放電セルがマトリクス状に配置されたＰＤＰ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＤＰは視認性に優れ、高速表示が可能であり、しかも比較的大画面化の容易な薄型表示デバイスである。マトリクス表示方式の、なかでも面放電型のＰＤＰは、駆動電圧の印加に際して対となる表示電極を同一の基板上に配列したＰＤＰであり、蛍光体によるカラー表示に適している。
【０００３】
従来、例えばＡＣ駆動方式の３電極面放電型のカラーＰＤＰは、以下のような構成となっている。すなわち、パネルは前面側の基板と背面側の基板とで構成され、前面側の基板の内側面には、面放電（表示用の主放電であるため表示放電と呼ばれたり、アドレス後の維持放電であるためサステイン放電と呼ばれたりする）発生用の多数の主電極対が水平方向にほぼ平行に配置され、背面側の基板の内側面には、アドレス放電発生用の複数のアドレス（信号）電極および該アドレス電極を挟むように放電を物理的に区分するためのストライプ状の多数のリブ（隔壁）が垂直方向（主電極と交差する方向）にほぼ平行に設けられており、リブ間の細長い溝内には蛍光体層が形成されている。
【０００４】
このようなＰＤＰのリブの形成方法には、リブ材料層上にフォトリソグラフィの手法でリブのパターンを形成し、その上から切削材を吹き付けてリブを形成するサンドブラスト法や、形成すべきリブの位置が空洞になったパターンを基板上に形成し、その空洞部分にリブ材料を埋め込んだ後パターンを除くことによりリブを形成する埋め込み法、スクリーン印刷等を繰り返してリブを形成する積層印刷法などの方法が知られているが、量産工場では主にサンドブラスト法が用いられてリブが形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、サンドブラスト法を用いた背面側の基板の作製工程では、下地層を形成した基板上にアドレス電極を形成した後、その電極上に誘電体層を形成し、その上にサンドブラスト法でリブを形成するようにしている。
【０００６】
この場合、リブをアドレス電極に位置合わせして形成する必要があり、電極の長距離精度、及びリブのアライメントの精度が要求される。特に作製の難しいリブをアドレス電極に正確にアライメントするには、高精度の露光装置を用いる必要があり、それに伴い製造コストも上昇する傾向にあった。
【０００７】
このような製造コストの上昇に対処するため、近年では、市販の平面状のガラス基板にサンドブラスト法で先にリブを形成しておき、そのリブを形成した基板に対してアドレス電極を形成する方法が考えられている。この方法では、サンドブラストのような材料を無駄にする工程に比べ、比較的安価に人間の目で許容できる精度のリブを形成することができる。また、リブを形成した基板上に電極膜を形成し、ポジタイプのフォトレジストを用いて、斜め上方から平行光の光源で露光する、いわゆる斜め露光を行うことにより、リブ自身のシャドウイング効果でマスクレスに、かつ電極の両サイドのリブ自身をマスクとすることで、セルフアライメントに電極のマスキングパターンを形成して、電極をパターニングすることができる。
【０００８】
しかしながら、この斜め露光の方法で線幅の均一なアドレス電極を形成するには、リブは直線状（ストレートリブ）でなければならず、例えば特開平９−５０７６８号公報に記載されているようなリブが蛇行状であるものについては、均一な線幅のアドレス電極を形成することができない。
【０００９】
すなわち、リブが蛇行してリブギャップの幅が連続的に変化するような場合は、斜め露光でアドレス電極を形成すると、アドレス電極の線幅が太くなる部分と細くなる部分が生じる。そのため、リブギャップの狭い部分では電極がリブの側壁にまで形成され、その部分の隣接するアドレス電極間で静電容量が上昇するなどの問題があり、消費電力が多くなってしまう。
【００１０】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、リブギャップの幅が連続的に変化する場合でも、斜め露光でほぼ均一な幅のアドレス電極を形成することができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、プラズマディスプレイパネルとなる一対の基板の一方の内側面上に複数の蛇行状の隔壁とその隔壁間の溝底面に直線状の電極とを形成するに際し、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように複数の蛇行状の隔壁を形成した後、電極材料及び感光性材料を基板全面に塗布し、隔壁をフォトマスクとして用いて、隔壁間の溝内の電極形成領域のみが未露光部となるように基板に対して両斜め方向から露光した後、現像を行うことにより、隔壁間の溝底面にほぼ均一な幅の直線状の電極を形成する工程を備えてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【００１２】
この発明によれば、基板に複数の蛇行状の隔壁を形成するに際し、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように、複数の蛇行状の隔壁を形成するので、その後の電極の形成時に、隔壁をフォトマスクとして用いて斜め露光を行う際、ほぼ均一な線幅の未露光部を生じさせることができ、これにより、隔壁間の溝底面にほぼ均一な線幅の直線状の電極を形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
この発明において、一対の基板としては、ガラス、石英、シリコン等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１４】
隔壁は、蛇行状に複数形成されていればよく、この隔壁としては、例えばソーダライムガラスからなる平面状の基板をサンドブラストで切削することにより形成したものや、例えば低融点ガラス粉末と樹脂と溶媒を混合したペースト状の公知の隔壁材料を用い、サンドブラスト法、埋め込み法、積層印刷法、転写法等の公知の方法により形成したものが含まれる。このとき用いる低融点ガラスとしては、例えばＰｂＯ−Ｂ2Ｏ2−ＳｉＯ2 系ガラスなどを用いることができる。
【００１５】
電極材料としては、ＩＴＯ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの各種の公知の電極材料を用いることができる。
感光性材料としては、公知のフォトレジストや、感光性のドライフィルム等を用いることができる。
【００１６】
この発明においては、隔壁をフォトマスクとして用いて、隔壁間の溝内の電極形成領域のみが未露光部となるように基板に対して両斜め方向から露光を行う。この露光光としては、公知のフォトリソグラフィに用いられる紫外光を適用することができる。
【００１７】
この発明においては、サンドブラストで隔壁を形成することが望ましく、これにより、容易に、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように複数の蛇行状の隔壁を形成することができる。
【００１８】
また、工程の簡素化の観点からは、電極の端子部を電極と同時に形成することが望ましく、これは電極の端子部の位置まで隔壁を形成しておくことにより実現することができる。
【００１９】
この発明は、また、対向して配置された一対の基板の一方の内側面上に形成された複数の蛇行状の隔壁を備え、その隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深く形成され、かつその溝底面にほぼ均一な幅の直線状の電極が形成されてなるプラズマディスプレイパネルである。
【００２０】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。
図１は本発明に係るＰＤＰの要部の分解斜視図である。
図に示すように、本発明のＰＤＰ１は、マトリクス状に配列された放電セル毎に、面放電用のサステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが対応する３電極構造を持つ、面放電形式のＡＣ型ＰＤＰである。
【００２１】
ＰＤＰ１は、ガラスからなる前面側の基板１１と背面側の基板２１から構成されている。前面側の基板１１の内側面上にはサステイン電極Ｘ，Ｙ、誘電体層１７及び保護膜１８が設けられ、背面側の基板２１の内側面上にはアドレス電極Ａ、誘電体層（図示しない）、リブ２９及び蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。
リブ２９は、放電空間３０を列毎に区画しており、平面的にみた場合には規則的に蛇行する帯状である。
【００２２】
サステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとは直交する方向に配列されてる。また、サステイン電極Ｘとサステイン電極Ｙは、一定の間隔（面放電ギャップ）を隔てて交互に配列されており、それぞれＩＴＯからなる透明電極４１とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる金属電極（バス電極）４２で構成されている。
【００２３】
蛍光体層２８は、Ｒ（赤）の蛍光体層２８Ｒ、Ｇ（緑）の蛍光体層２８Ｇ、及びＢ（青）の蛍光体層２８Ｂが各列毎に１色ずつＲＧＢの順に配置されている。列内の発光色は同一である。列空間の内、幅の狭い部分では面放電が生じず、幅の広い部分が実質的に発光に寄与する。
【００２４】
図２は背面側の基板２１の一部を平面的に見た状態を示す説明図である。
この図に示すように、ＰＤＰ１では、各ラインＬにおいて１列置きにサブピクセルＥＵが配置される。そして、隣接する２つのラインＬに注目すると、サブピクセルＥＵの配置される列が１列毎に交互に入れ替わる。つまり、サブピクセルＥＵは、行方向及び列方向の双方に千鳥状に並ぶ。ＰＤＰ１では、隣接するＲＧＢの計３つのサブピクセルＥＵによって１つのピクセル（画素）が構成される。つまり、カラー表示の３色の配列形式は三角（デルタ）配列形式で配列されている。
【００２５】
平面的にみた場合、リブ２９が蛇行しているため、リブ２９とリブ２９との間の溝（リブギャップ）は、幅の広い部分と狭い部分とが存在するが、この幅の広い部分と狭い部分とでは溝の深さが異なっている。この点について次に説明する。
【００２６】
本実施例においては、アドレス電極Ａを斜め露光によって形成する。この斜め露光とは、従来の技術で説明したように、リブと電極との自動位置合わせを実現するために、背面側の基板に先にリブを形成しておき、そのリブを形成した基板に、リブをフォトマスクとして用いてアドレス電極を形成する方法である。
【００２７】
この方法では、まず、なんらかの方法で背面側の基板にリブを形成し、そのリブを形成した基板上に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの金属電極膜を全面に形成し、ポジタイプのフォトレジストを用いて、マスクを用いずに、斜め上方から平行光の光源で露光することにより、リブ自身のシャドウイング効果でマスクレスに、かつ電極の両サイドのリブ自身をマスクとすることで、セルフアライメントに電極のマスキングパターンを形成し、電極のパターニングを行う。
【００２８】
この場合、リブが蛇行する形状であるので、リブの高さが一定であると、斜め露光により形成した電極は一定の線幅にはならない。つまり、リブギャップの高さが一定であると、リブギャップの広い部分に合わせて斜め露光を行えば、リブギャップの狭い部分ではリブ側壁の途中までしか露光光が当たらないため、底部からその部分までのレジストがパターンとして残り、リブ側壁にまで電極が形成されてしまう。参考のため、リブの高さが一定である場合の例を図５（ｆ）に示した。図５（ｆ）では、アドレス電極Ａがリブ２９の側壁にまで形成される。
【００２９】
これを解決するためには、リブギャップの幅に応じてリブの高さを変化させればよい。しかし、３電極面放電型のＰＤＰでは、リブを形成した背面側の基板と前面側の基板とを張り合わせるので、リブの高さに変化があると、背面側の基板と前面側の基板との間に隙間ができ、放電セル間の放電の分離が困難となる。そのため、リブトップ面を同一面にする必要がある。
【００３０】
そこで、このＰＤＰでは、リブトップ面を同一面にして、リブギャップの深さを、リブギャップの幅の広い部分と狭い部分とで変えている。つまり、リブギャップの幅に応じてリブギャップの深さを変化させることにより、アドレス電極の幅をほぼ均一に保つようにしている。
【００３１】
図３は図２の領域Ｊで示した部分の詳細を示す部分拡大図、図４（ａ）及び図４（ｂ）は図３のリブに沿った断面を示す説明図であり、図４（ａ）は図３のＩＶ（ａ）−ＩＶ（ａ）断面を示し、図４（ｂ）は図３のＩＶ（ｂ）−ＩＶ（ｂ）断面を示している。図では蛍光体層は省略している。
【００３２】
これらの図に示すように、背面側の基板２１は、リブギャップの広い部分では溝が深く、リブギャップの狭い部分では溝が浅くなっている。リブギャップの深さを変えるのは、サンドブラストでリブギャップを切削することで実現可能である。
【００３３】
図５（ａ）〜図５（ｅ）は図３のリブを横切る断面を示す説明図であり、図５（ａ）は図３のＶ（ａ）−Ｖ（ａ）断面を示し、図５（ｂ）は図３のＶ（ｂ）−Ｖ（ｂ）断面を示し、図５（ｃ）は図３のＶ（ｃ）−Ｖ（ｃ）断面を示し、図５（ｄ）は図３のＶ（ｄ）−Ｖ（ｄ）断面を示し、図５（ｅ）は図３のＶ（ｅ）−Ｖ（ｅ）断面を示している。図では蛍光体層は省略している。
【００３４】
リブ２９は、サンドブラストにより形成するが、このサンドブラストでは、研磨材の粒径に依存して、広いギャップでは切削レートが高く、狭いギャップでは切削レートが低くなる。また、ギャップが広い部分から連続的に狭くなる部分では、深い溝から徐々に浅い溝へと底部の高さが変化してくる。この原理を利用して、全面に蛇行したリブ２９と端子部に応じたマスキングパターンを形成し、適切な粒径の研磨材を用いてサンドブラストすることで、リブギャップが広い部分には深い溝、リブギャップが狭い部分には浅い溝を形成する。
【００３５】
以下、サンドブラストによるリブの形成工程について説明する。
リブ２９の形成に際しては、まず、ソーダライムガラスなどの平板状の基板２１を用意し、その基板２１上に、ドライフィルムなどの耐サンドブラスト性の材料を用いて、フォトリソグラフィの手法により、リブギャップ及び端子に応じたマスキングパターンを形成する。
【００３６】
そして、そのマスキングパターン（図示していない）を介して、図中、矢印Ｆで示す方向から、基板２１に対してアルミナやＳｉＣなどの、ガラスに比べて硬い粒子状の研磨材を吹き付けて基板２１を切削することにより、リブ２９を形成する。
本例においては、研磨材にはアルミナを用い、研磨材の粒径はサブミクロン〜数十μｍの粒度分布を持ち、平均粒径約２５μｍとした。
【００３７】
この際のサンドブラスト処理は、研磨材粒子を吐出するノズルを一定速度で往復運動させ、その下を一定の速度で基板２１を搬送することにより行う。基板表面の任意の場所は、ほぼ均一な時間だけ研磨材粒子が照射されて切削されてゆく。このとき、広いギャップの部分では研磨材粒子による基板の切削効率が高く、狭いギャップの部分では逆に切削効率が低いため、一定時間の研磨材粒子の照射に対して、広いギャップ部分では深く、狭いギャップ部分では浅く切削され、テーパー状にギャップが広がる部分ではギャップの広がりにつれて徐々に深さが深くなる。リブ２９の溝を形成する方法としては、サンドブラスト以外の、例えばガラスモールドなどの方法を用いてもよい。
【００３８】
次に、ギャップ幅に応じた溝を形成した基板２１に、スパッタリングなどの方法でＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる金属電極膜を形成し、その上にポジタイプのフォトレジストを塗布して、前述した斜め露光法による露光を行う。この斜め露光では、図５（ａ）〜図５（ｅ）に示すように、方向Ｇと方向Ｈとの２方向から斜め露光を行う。これにより、２方向から１回ずつ露光光を照射するだけで、ほぼ均一な線幅の未露光部を生じさせることができる。
【００３９】
このように、サンドブラスト法を用いれば、ガラス基板にギャップ幅に応じた深さの溝を形成することができるので、斜め露光の際のリブギャップの底面に投影される未露光部分の幅を一定にすることができ、これにより均一な幅のアドレス電極を形成することができる。
【００４０】
その後、現像を行い、未露光部に残ったマスキングパターンを利用して、公知の方法で、金属電極膜をエッチングすることにより電極を形成し、その上にＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層を形成し、背面側の基板２１と前面側の基板１１とを貼り合わせてＰＤＰを製作する。
【００４１】
図６は製作されたＰＤＰの一部を平面的に見た状態を示す説明図、図７は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面を示す説明図である。図では誘電体層及び蛍光体層は省略している。
【００４２】
これらの図に示すように、サステイン電極Ｘ，ＹはラインＬとラインＬとの境界部に配置されている。
ＰＤＰ１では、図７に示すように、リブギャップの底面にアドレス電極Ａを形成するため、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを貼り合わせてパネルを形成した場合、サステイン電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの電極間距離は、一定ではなく、リブギャップが狭い場所では近くなる。つまり、リブギャップの狭い部分では、点灯すべき放電セルを選択する際のいわゆるアドレス放電時における、アドレス電極Ａとサステイン電極Ｙとの間の対向放電の電極間距離が短くなる。したがって、この電極間距離の短い部分を利用して、低電圧でアドレス放電を発生させることができ、アドレス放電時の電圧（アドレス電圧）を低く設定することができるので、アドレス放電に要する消費電力量を低減することができる。
【００４３】
このアドレス放電に要する電圧は、電極間に存在する誘電体層や蛍光体層の厚み及び材質によって変動する。したがって、アドレス電圧のバラつきを抑制するには、対向放電部分の誘電体層及び蛍光体層を薄くするか、全く設けないようにすることが望ましい。
【００４４】
上述の斜め露光プロセスによりパネルを作製した場合、アドレス電極上の誘電体層（サンドブラストの切削をストップするための誘電体層）は形成する必要はなく、誘電体層の厚さに起因した放電のバラつきはない。したがって、アドレス電圧のバラつきを抑制するには、対向放電部分の蛍光体層の厚みだけに着目し、蛍光体層を薄くするか、全く設けないようにすればよい。
【００４５】
まず、対向放電部分の蛍光体層を薄くする方法について説明し、次に対向放電部分の蛍光体層を設けないようにする方法について説明する。
【００４６】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は対向放電部分の蛍光体層を薄くする方法を示す説明図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面を示している。
アドレス放電部分の蛍光体層を薄くするには、蛍光体ペーストの特性を利用して薄くする。すなわち、蛍光体層は、リブギャップの部分に、スクリーン印刷法、あるいはディスペンス法などで、蛍光体粉末、バインダ樹脂及び溶剤からなる蛍光体ペースト２７を塗布した後（図８（ａ）参照）、乾燥させ、焼成することにより形成するのであるが、蛍光体層を薄くするには、蛍光体ペースト２７に長い乾燥時間が必要な溶剤（例えばテルピネオールや、ＢＣＡなど）を用いる。蛍光体ペースト２７の乾燥時間が長いと、図８（ｂ）に矢印Ｔで示すように、その乾燥の間に蛍光体のフリット（粉末）が、高い部分から低い部分へ移動して沈降するので、これによりリブギャップの浅い部分の蛍光体層２８を薄くすることができる。
【００４７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のマスクの形状を示す説明図、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のパネルの断面を示す図８対応図であり、図１０（ａ）は図９（ａ）のマスクのＸ（ａ）−Ｘ（ａ）断面に対応するパネルの断面を示し、図１０（ｂ）は図９（ｂ）のマスクのＸ（ｂ）−Ｘ（ｂ）断面に対応するパネルの断面を示している。図中、Ｓは蛍光体層が形成されない部分を示している。
【００４８】
対向放電部分の蛍光体層を設けないようにするには、スクリーン印刷、オフセット印刷、感光性蛍光体を用いたフォトリソグラフィによるパターニングなどを適用する。この場合、蛍光体ペーストを塗布するのであれば、対向放電部分に蛍光体ペーストが塗布されないようなマスクを用いる。あるいは、現像後、対向放電部分に蛍光体層が残らないようなマスクを用いる。このマスクは、例えばスクリーン印刷であればスクリーンマスク、フォトリソグラフィであればフォトマスクのように、蛍光体層の形成方法に応じたマスクを用いる。
【００４９】
このように、対向放電部分に蛍光体層が形成されないようなマスクを用いることで、対向放電部分の蛍光体層をなくすことができる。したがって、誘電体層の厚さ、及び蛍光体の色毎の違いに起因したアドレス放電電圧のバラつきを最小限に抑制して、動作電圧マージンの広い、安定した表示を得ることができる。
【００５０】
図１１は背面側の基板の非表示領域のシール部と端子部を示す平面図である。図中、２２は表示領域、２３はアドレス電極形成領域、２４はシール部、２５は斜め端子引出し部、２６は端子部である。
斜め端子引出し部２５は、表示領域２２での電極の間隔と端子部２６での電極の間隔とが異なるために電極の斜め引出しを行う部分である。
【００５１】
リブ２９の形成に際しては、上述の斜め露光の方法を用いる場合、電極の形成領域には必ず露光光を遮るためのリブ２９が必要となる。このため、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを封止するシール部２４と、アドレス電極Ａの端子部２６にもリブ２９を形成しなければならない。
【００５２】
しかし、シール部２４にリブを形成すると、リブギャップが深い場合、前面側の基板１１と背面側の基板２１とを封着したシール部で気密漏れが発生するおそれがある。また、端子部２６のリブギャップが深い場合、フレキシブルケーブルとのコンタクトがとりにくい。そのため、以下に説明するように、シール部２４と端子部２６のリブギャップの深さを浅くしている。
【００５３】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は図１１の断面形状を示す説明図であり、図１２（ａ）は図１１（ａ）のシール部のＸＩＩ（ａ）−ＸＩＩ（ａ）断面を示し、図１２（ｂ）は図１１（ｂ）の端子部のＸＩＩ（ｂ）−ＸＩＩ（ｂ）断面を示している。
【００５４】
図１２（ａ）に示すように、シール部２４においては、リブ２９の幅を太くして、リブギャップの幅を最小の幅（アドレス電極の幅）近くまで狭くすることにより、シール部２４におけるリブギャップの深さＤを浅くしている。
【００５５】
また、図１２（ｂ）に示すように、端子部２６においても、リブ２９の幅を表示領域よりも太くして、リブギャップの幅を最小の幅（アドレス電極の幅）近くまで狭くすることにより、端子部２６におけるリブギャップの深さＤを浅くしている。
【００５６】
このように、シール部２４と端子部２６のリブギャップの幅を狭くして浅い溝（低いリブ）を形成するようにしているので、シール部２４での封着が容易となるとともに、端子部２６でのフレキシブルケーブルとのコンタクトがとりやすくなる。
【００５７】
図１３は図１２（ｂ）の部分拡大図であり、サンドブラストで切削した後の端子部の断面状態を示したものである。この図に示すように、リブギャップの幅の狭いマスキングパターンを形成して、背面側の基板２１をサンドブラストすることにより、リブギャップの深さを浅く形成し、電極形成の際に、方向Ｇと方向Ｈとの２方向から斜め露光を行うことで、浅い位置にアドレス電極を形成することができる。
【００５８】
図１４は背面側の基板のシール部の詳細を示す説明図である。図中、３１はシール材、３２は通気孔である。
上述した斜め露光でアドレス電極を形成しないタイプの３電極面放電型のＰＤＰでは、リブはシール部の手前で終端となり、電極だけがシール部の外へ延出され端子部が設けられているため、リブの終端では、放電空間がリブに垂直な方向（横方向）へつながり、全ての放電空間が連続する構造となっている。したがって、この構造を利用して、背面側の基板の表示領域外に一対の通気孔を設けて、前面側の基板と背面側の基板とを封着した後、この通気孔から、不純物ガスの排気や放電ガスの導入を行っている。
【００５９】
しかしながら、斜め露光でアドレス電極を形成したＰＤＰでは、図１１に示したように、シール部２４までリブ２９が存在するため、斜め露光でアドレス電極を形成しないタイプのＰＤＰのように、単純に前面側の基板と背面側の基板をと貼り合わせてしまうと、放電空間はリブに沿った方向（縦方向）にのみ連続するだけで、リブに垂直な方向へはつながらないため、各リブギャップの放電空間はそれぞれ独立した空間となり、放電空間内の不純物ガスの排気や放電空間内への放電ガスの導入を行う通気経路が確保できない。
【００６０】
このため、本ＰＤＰでは、前面側の基板１１に通気孔３２を設けて、前面側の基板１１側で通気経路を確保するようにしている。以下、具体的に２つの例を説明する。
【００６１】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は通気経路の確保の第１例及び第２例を示す説明図であり、図１４のＸＶ−ＸＶ断面を示している。
【００６２】
第１例においては、前面側の基板１１には、シール部２４の近傍に下層の誘電体層１７のみを形成し、上層の誘電体層１８を形成しない。これにより、シール部２４の近傍で、放電空間がリブに垂直な方向へつながり、全ての放電空間が連続するので、通気経路Ｋを確保できる。
【００６３】
第２例においては、前面側の基板１１の厚みがシール部２４の近傍で薄いものを用いるとともに、前面側の基板１１には、シール部２４の近傍に下層の誘電体層１７と上層の誘電体層１８を形成しない。これにより、シール部２４の近傍で、放電空間がリブに垂直な方向へつながり、全ての放電空間が連続するので、通気経路Ｋを確保でき、しかも第１例よりも広い通気経路を確保できる。
【００６４】
このように、前面側の基板１１側に通気経路を確保した構造とすることにより、全ての放電空間にわたって不純物ガスの排気や放電ガスの導入を一度に行うことができる。
【００６５】
このようにして、平面状のガラス基板に、サンドブラストで、リブギャップの深さがリブギャップの幅に応じて変化するリブを形成することにより、蛇行状のリブが形成された基板であっても、斜め露光法を用いて、ほぼ均一な幅のアドレス電極を形成することができる。
【００６６】
また、リブギャップの深さをリブギャップの幅に応じて変化させているので、電極間距離の短い部分でアドレス放電を発生させることができ、これによりアドレス放電電圧を低下させて、アドレス放電に要する消費電力量を低減することができる。
【００６７】
そして、サンドブラストでリブを形成する際には、シール部と端子部のリブギャップを狭くしているので、リブギャップの深さが浅くなり、これによりシール部の封着や端子部でのコンタクトが取りやすくなる。
【００６８】
【発明の効果】
この発明によれば、基板に、隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように、複数の蛇行状の隔壁を形成するので、その後の電極の形成時に、隔壁をフォトマスクとして用いて斜め露光を行う際、ほぼ均一な線幅の未露光部を生じさせることができ、これにより、隔壁間の溝底面にほぼ均一な線幅の直線状の電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＰＤＰの要部の分解斜視図である。
【図２】本発明のＰＤＰの背面側の基板の一部を平面的に見た状態を示す説明図である。
【図３】図２の領域Ｊで示した部分の詳細を示す部分拡大図である。
【図４】図３のリブに沿った断面を示す説明図である。
【図５】図３のリブを横切る断面を示す説明図である。
【図６】本発明により製作されたＰＤＰの一部を平面的に見た状態を示す説明図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面を示す説明図である。
【図８】本発明の対向放電部分の蛍光体層を薄くする方法を示す説明図である。
【図９】本発明の対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のマスクの形状を示す説明図である。
【図１０】本発明の対向放電部分の蛍光体層を設けない場合のパネルの断面を示す説明図である。
【図１１】本発明の背面側の基板の非表示領域のシール部と端子部を示す平面図である。
【図１２】図１１の断面形状を示す説明図である。
【図１３】図１２（ｂ）の部分拡大図である。
【図１４】本発明の背面側の基板のシール部の詳細を示す説明図である。
【図１５】本発明の通気経路の確保の第１例及び第２例を示す説明図である。
【符号の説明】
１ ＰＤＰ
１１ 前面側の基板
１７ 下層の誘電体層
１８ 上層の誘電体層
２１ 背面側の基板
２２ 表示領域
２３ アドレス電極形成領域
２４ シール部
２５ 斜め端子引出し部
２６ 端子部
２７ 蛍光体ペースト
２８ 蛍光体層
２８Ｒ Ｒ（赤）の蛍光体層
２８Ｇ Ｇ（緑）の蛍光体層
２８Ｂ Ｂ（青）の蛍光体層
２９ リブ
３０ 放電空間
３１ シール材
３２ 通気孔
４１ 透明電極
４２ 金属電極（バス電極）
Ａ アドレス電極
ＥＵ サブピクセル
Ｌ ライン
Ｘ，Ｙ サステイン電極
Claims (4)
- プラズマディスプレイパネルとなる一対の基板の一方の内側面上に複数の蛇行状の隔壁とその隔壁間の溝底面に直線状の電極とを形成するに際し、
隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深くなるように複数の蛇行状の隔壁を形成した後、電極材料及び感光性材料を基板全面に塗布し、隔壁をフォトマスクとして用いて、隔壁間の溝内の電極形成領域のみが未露光部となるように基板に対して両斜め方向から露光した後、現像を行うことにより、隔壁間の溝底面にほぼ均一な幅の直線状の電極を形成する工程を備えてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 隔壁がサンドブラストにより形成される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 電極の端子部が電極と同時に形成される請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 対向して配置された一対の基板の一方の内側面上に形成された複数の蛇行状の隔壁を備え、
その隔壁間の溝の深さが、溝幅の狭いところでは浅く、溝幅の広いところでは深く形成され、かつその溝底面にほぼ均一な幅の直線状の電極が形成されてなるプラズマディスプレイパネル。
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