JP3881164B2

JP3881164B2 - 基板処理装置

Info

Publication number: JP3881164B2
Application number: JP2000216921A
Authority: JP
Inventors: 雅和真田; 和士茂森
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-07-18
Filing date: 2000-07-18
Publication date: 2007-02-14
Anticipated expiration: 2020-07-18
Also published as: JP2002033261A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ等の略円形の基板の表面にフォトレジスト等の処理液を均一に供給するための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置としては、スピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給するとともに、スピンチャックを高速回転させることにより、基板の表面に供給された処理液を遠心力を利用して基板の表面に均一に拡張する構成を有するものが使用されている。
【０００３】
しかしながら、このような基板処理装置においては、基板の表面に処理液を均一に拡張するためには、基板を極めて速い回転速度で、しかも、長時間回転させる必要がある。また、このように基板を高速かつ長時間回転させている間に、基板の表面に供給された処理液が基板の端縁から振り切られることから、基板の表面に多量の処理液を供給する必要があり、処理液の利用効率が悪いという欠点がある。
【０００４】
このため、特開平６−３４９７２１号公報においては、基板としての半導体ウエハの直径方向に配置された溝状の滴下ノズルから処理液を滴下するとともに、半導体ウエハを１／２回転以上回転させることにより、半導体ウエハの表面全域に処理液を供給する基板処理装置が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平６−３４９７２１号公報に記載された基板処理装置においては、滴下ノズルにおける半導体ウエハの半径方向の位置によって、滴下ノズルと半導体ウエハとの相対的な周速度が異なることになるため、半導体ウエハの表面に供給される処理液の量が半導体ウエハの半径方向の位置により異なることになる。従って、半導体ウエハの表面に均一に処理液を供給することは不可能となる。このため、特開平６−３４９７２１号公報に記載された基板処理装置においても、結局は基板を高速回転させ、処理液に均一化を図る必要がある。
【０００６】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板を高速回転させることなく基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、略円形の基板の表面に処理液を均一に供給するための基板処理装置であって、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心からこの基板の端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルを、処理液供給時に、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁付近を中心に、前記吐出部の先端部が前記スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心と対向する位置からこの基板の端縁より内側の位置と対向する位置まで回動させるノズル回動機構と、を備え、前記ノズル回動機構は、前記処理液供給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁より内側の位置に配置された軸を中心として回動させることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記吐出部は、その先端部と基端部との距離が前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さなスリットから構成されている。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、略円形の基板の表面に処理液を均一に供給するための基板処理装置であって、基板を回転可能に支持するスピンチャックと、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルを、前記吐出部の基端部付近を中心に回動させるノズル回動機構と、前記回動機構により回動するノズルの回動中心を、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径上を移動させることにより、前記回動機構により回動する処理液供給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径方向に移動させるノズル移動機構と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態に係る基板処理装置の正面概要図であり、図２はその要部を示す平面図である。
【００１１】
この基板処理装置は、半導体ウエハからなる基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためのものであり、モータ１１の駆動により基板Ｗを回転可能に支持するスピンチャック１２と、このスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を供給するための処理液供給ノズル１３とを備える。
【００１２】
この処理液供給ノズル１３は、その下面に処理液の吐出部としてのスリット１４を備える。このスリット１４は、処理液供給管２４を介して図示しない処理液供給機構と連結されている。このスリット１４は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径方向を向く直線状の形状を有し、また、このスリット１４の先端部は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃと対向する位置に配置されている。さらに、このスリット１４における先端部と基端部との距離Ｌ１は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径Ｒよりわずかに小さくなっている。
【００１３】
このため、このスリット１４は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃからこの基板Ｗの端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給することが可能となる。
【００１４】
また、この処理液供給ノズル１３は、支持台２１上に固定されたモータ２２の回転軸と軸２３を介して連結されており、軸２３を中心に回動自在となっている。この軸２３は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より内側の位置の上方に配置されている。
【００１５】
このため、処理液供給ノズル１３は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より内側の位置に配置された軸２３を中心として回動する。そして、処理液供給ノズル１３の回動範囲は、スリット１４の先端部が、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃと対向する位置と、この基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置との間となっている。
【００１６】
次にこの発明に係る基板処理装置の電気的構成について説明する。図３は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【００１７】
この基板処理装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ３１と、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ３２と、論理演算を実行するＣＰＵ３３とから成る制御部３０を備える。この制御部３０は、インターフェース３４を介して、スピンチャック１２を回転駆動するためのモータ１１と連結されている。また、この制御部３０は、インターフェース３４を介して、処理液供給ノズル１３を回動させるためのモータ２２と連結されている。
【００１８】
次に、上述した基板処理装置により、基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を均一に供給するための供給動作について説明する。
【００１９】
この基板処理装置により基板Ｗの表面に処理液を供給する際には、先ず、モータ２２の駆動により処理液供給ノズル１３を、図２において実線で示す位置まで移動させる。この状態においては、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４の先端部は、スピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向している。
【００２０】
そして、モータ１１の駆動によりスピンチャック１２に支持された基板Ｗを低速で回転させる。このときの基板Ｗの回転速度は、例えば、数ＲＰＭ程度とすることが好ましい。
【００２１】
この状態において、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４から、基板Ｗの表面に向けて処理液を吐出する。また、これと同時に、モータ２２の駆動により、処理液供給ノズル１３を、基板Ｗの端縁より内側の位置の上方に配置された軸２３を中心として反時計方向（図２において矢印１０１で示す方向）に低速で回動させる。
【００２２】
処理液供給ノズル１３が処理液を吐出しながら回動を続け、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置に到達すれば、処理液供給ノズル１３におけるスリット１４からの処理液の吐出を停止する。また、基板Ｗを支持するスピンチャック１２の回転も停止させる。これにより、基板Ｗの表面への処理液の供給動作は終了する。
【００２３】
この基板処理装置においては、処理液供給ノズル１３の回動速度と基板Ｗの回転速度とを適切な値に制御することにより、上述した供給動作で基板Ｗの表面に処理液が均一に供給される。
【００２４】
以下、この点について説明する。図４は、長さＬ１のスリット１４のうちの長さΔＬの微小領域により、基板Ｗに処理液が供給される状態を示す説明図である。
【００２５】
上述した基板処理装置において、処理液供給ノズル１３を回動させないで基板Ｗに処理液を供給した場合においては、上述した特開平６−３４９７２１号公報に記載された基板処理装置の場合と同様、スリット１４における基板Ｗの半径方向の位置によって、スリット１４と基板Ｗとの相対的な周速度が異なることになるため、基板Ｗの表面に供給される処理液の量が基板Ｗの半径方向の位置により異なることになり、基板Ｗに対する処理液の供給ムラが発生する。より具体的には、基板Ｗの回転中心Ｃ付近においてはスリット１４と基板Ｗとの相対的な周速度が小さくなり、基板Ｗに多量の処理液が供給されることになる。一方、基板Ｗの端縁付近ではスリット１４と基板Ｗとの相対的な周速度が大きくなり、基板Ｗに少量の処理液しか供給されないことになる。
【００２６】
一方、この発明においては、処理液供給ノズル１３を、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置から、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置まで回動させている。
【００２７】
処理液供給ノズル１３をこのように回動させた場合には、図４に示すように、基板Ｗの回転中心Ｃ付近においては、スリット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける幅Ｓ１の量域に処理液を供給することになる。また、基板Ｗの半径の中央付近においては、スリット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける上記幅Ｓ１より狭い幅Ｓ２の量域に処理液を供給することになる。さらに、基板Ｗの端縁付近においては、スリット１４における微小領域ΔＬは、基板Ｗにおける上記幅Ｓ２よりさらに狭い幅Ｓ３の量域に処理液を供給することになる。
【００２８】
このため、スリット１４から均一に処理液を吐出させた場合においては、スリット１４における各微小領域ΔＬから基板Ｗに供給される処理液の相対量は、基板Ｗの回転中心Ｃ付近で少なく、また、基板Ｗの端縁付近で多くなることになる。従って、スリット１４を回動させない場合に発生する上述した処理液の供給ムラの発生の原因をうち消す作用が生じることになり、この作用により基板Ｗの表面に処理液を均一に供給することが可能となる。
【００２９】
なお、上述したように、基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためには、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速度とを適切な値に制御する必要がある。このためには、処理液を均一に供給するための基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速度との関係を予め実験的に求めるとともに、このときの基板Ｗを回転させるためのモータ１１と処理液供給ノズル１３を回動させるためのモータ２２との回転速度の関係を示すデータを、制御部３０におけるＲＡＭ３２に記憶させておく。そして、処理液の供給時には、このデータをＣＰＵ３１によりＲＡＭ３２から呼び出してモータ１１、２２を制御するようにすればよい。
【００３０】
このような場合においては、制御部３０は、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル１３の回動速度とが所定の関係となるように制御する制御手段として機能することになる。
【００３１】
なお、上述した実施形態においては、処理液供給ノズル１３を、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置から、スリット１４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置まで回動させている。このため、図５に示すように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔した位置までの領域Ｅには、処理液が供給されないことになる。このように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔した位置までの領域Ｅに処理液を供給しないようにしているのは、次のような理由による。
【００３２】
すなわち、フォトレジスト等の処理液が基板Ｗの端縁に供給された場合には、この処理液が基板搬送機構や基板収納カセットの収納溝等に当接して基板Ｗから剥離し、パーティクル発生の原因となる。このため、従来、このようなパーティクルの発生を防止するために、基板処理装置とは別に端縁洗浄装置を使用し、基板Ｗの端縁から一定の領域にのみ洗浄液を供給することにより、基板Ｗの端縁付近に供給された処理液を洗浄除去するようにしている。
【００３３】
しかしながら、この発明に係る基板処理装置を使用した場合においては、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄ以上離隔した位置にのみ処理液を供給する構成を採用することにより、基板Ｗの端縁付近の領域Ｅに処理液が供給されることを防止することができ、端縁洗浄装置による端縁洗浄工程を省略することが可能となる。
【００３４】
上述した実施形態においては、処理液供給ノズル１３として、直線状のスリット１４を備えた構成のものを採用しているが、図６に示すように、基板Ｗの端縁から距離Ｄだけ離隔するような、曲線状のスリット１４を備えた処理液供給ノズル１３を使用してもよい。この場合においては、スリット１４の曲率半径は、基板Ｗの半径をＲとした場合［Ｒ−Ｄ］となっている。また、スリット１４における先端部と基端部との距離Ｌ１は、図２に示すスリット１４と同様、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径Ｒよりわずかに小さくなっている。
【００３５】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図７はこの発明の第２実施形態に係る基板処理装置の正面概要図であり、図８はその要部を示す平面図である。
【００３６】
上述した第１実施形態に係る基板処理装置は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃからこの基板Ｗの端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給することが可能なスリット１４を有する処理液供給ノズル１４と、この処理液供給ノズル１４を回動させる回動機構とを備えている。これに対し、この第２実施形態に係る基板処理装置は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能なスリット４４を備えた処理液供給ノズル４３と、この処理液供給ノズル４３を回動させるノズル回動機構と、この回動機構により回動する処理液供給ノズル４３をスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径方向に移動させるノズル移動機構とを備えている。
【００３７】
すなわち、この基板処理装置も、第１実施形態の係る基板処理装置と同様、半導体ウエハからなる基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためのものであり、モータ１１の駆動により基板Ｗを回転可能に支持するスピンチャック１２と、このスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を供給するための処理液供給ノズル４３とを備える。
【００３８】
この処理液供給ノズル４３は、その下面に処理液の吐出部としてのスリット４４を備える。このスリット４４は、図示を省略した処理液供給管を介して図示しない処理液供給機構と連結されている。このスリット４４は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径方向を向く直線状の形状を有し、また、このスリット４４の先端部は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの回転中心Ｃと対向可能な構成となっている。
【００３９】
この処理液供給ノズル４３におけるスリット４４の先端部と基端部との距離Ｌ２は、スピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの半径Ｒの数分の一程度となっている。このため、このスリット４４は、距離Ｌ２の領域に対し連続的に処理液を供給することが可能となる。
【００４０】
また、この処理液供給ノズル４３は、支持腕５１上に固定されたモータ５２の回転軸と軸５３を介して連結されており、軸５３を中心に回動自在となっている。この支持腕５１における基部５４はボールねじ５５と螺合しており、また、このボールねじ５５は、支持台５６上に固定されたモータ５７により回転する構成となっている。このため、支持腕５１はモータ５７の駆動でボールねじ５５に沿って移動可能に構成されている。
【００４１】
このため、処理液供給ノズル４３は、モータ５２の駆動により軸５３を中心として図８に示す矢印１０２方向に回動するとともに、モータ５７の駆動により図８に示す矢印１０３方向に移動する。
【００４２】
図９は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【００４３】
この基板処理装置は、第１実施形態に係る基板処理装置と同様、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ３１と、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ３２と、論理演算を実行するＣＰＵ３３とから成る制御部３０を備える。この制御部３０は、インターフェース３４を介して、スピンチャック１２を回転駆動するためのモータ１１と連結されている。また、この制御部３０は、インターフェース３４を介して、処理液供給ノズル４３を回動させるためのモータ５２と連結されている。さらに、この制御部３０は、処理液供給ノズル４３を移動させるためのモータ５７と連結されている。
【００４４】
次に、上述した第２実施形態に係る基板処理装置により、基板Ｗの表面にフォトレジスト等の処理液を均一に供給するための供給動作について説明する。
【００４５】
この基板処理装置により基板Ｗの表面に処理液を供給する際には、先ず、処理液供給ノズル４３を、図８において実線で示す位置まで移動させる。この状態においては、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４の先端部は、スピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向している。
【００４６】
そして、モータ１１の駆動によりスピンチャック１２に支持された基板Ｗを低速で回転させる。このときの基板Ｗの回転速度は、例えば、数ＲＰＭ程度とすることが好ましい。
【００４７】
この状態において、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４から、基板Ｗの表面に向けて処理液を吐出する。また、これと同時に、モータ５２の駆動により、処理液供給ノズル４３を、軸５３を中心として反時計方向（図８において矢印１０２で示す方向）に低速で回動させるとともに、モータ５７の駆動により回動中の処理液供給ノズル４３を基板Ｗの半径方向（図８において矢印１０３で示す方向）に移動させる。
【００４８】
処理液供給ノズル４３が処理液を吐出しながら反時計方向への回動および基板Ｗの半径方向への移動を続け、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４の先端部がスピンチャック１２に支持されて回転する基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置に到達すれば、処理液供給ノズル４３におけるスリット４４からの処理液の吐出を停止する。また、基板Ｗを支持するスピンチャック１２の回転も停止させる。これにより、基板Ｗの表面への処理液の供給動作は終了する。
【００４９】
この基板処理装置においては、処理液供給ノズル４３の回動および移動速度と基板Ｗの回転速度を適切な値に制御することにより、第１実施形態に係る基板処理装置の場合と同様、上述した供給動作により図４に示す作用を奏し、基板Ｗの表面に処理液が均一に供給される。
【００５０】
なお、基板Ｗの表面に処理液を均一に供給するためには、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動および移動速度とを適切な値に制御する必要がある。このためには、処理液を均一に供給するための基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動および移動速度との関係を予め実験的に求めるとともに、このときの基板Ｗを回転させるためのモータ１１と、処理液供給ノズル４３を回動させるためのモータ５２と、処理液供給ノズル４３を移動させるためのモータ５７との回転速度の関係を示すデータを、制御部３０におけるＲＡＭ３２に記憶させておく。そして、処理液の供給時には、このデータをＣＰＵ３１によりＲＡＭ３２から呼び出してモータ１１、５２、５７を制御するようにすればよい。
【００５１】
このような場合においては、制御部３０は、基板Ｗの回転速度と処理液供給ノズル４３の回動および移動速度とが所定の関係となるように制御する制御手段として機能することになる。
【００５２】
なお、上述した実施形態においては、処理液供給ノズル４３として、直線状のスリット４４を備えた構成のものを採用しているが、図１０に示すように、曲線状のスリット４４を備えた処理液供給ノズル４３を使用してもよい。この場合においては、スリット４４の曲率半径は、基板Ｗの半径をＲとした場合［Ｒ−Ｄ］となっている。
【００５３】
上述した第１、第２実施形態に係る基板処理装置によれば、基板Ｗを低速で回転させながらその表面に均一に処理液を供給することが可能となる。このため、従来のように、基板Ｗの端縁から処理液が振り切られることはなく、基板Ｗの表面に供給に必要な量以上の処理液を供給する必要はなくなる。
【００５４】
なお、上述した第１、第２実施形態に係る基板処理装置において、処理液の供給が完了した後に、基板Ｗの表面に供給された処理液を乾燥させる目的で、基板Ｗを回転させるようにしてもよい。
【００５５】
また、上述した第１、第２実施形態に係る基板処理装置において、処理液の膜厚をより均一にする目的から、処理液の供給後に基板Ｗを回転させるようにしてもよい。この場合においても、処理液は基板Ｗの表面に既に均一に供給させていることから、基板Ｗの回転速度を極度に高める必要はなく、また、この回転工程を短時間で完了することが可能となる。このため、基板Ｗの端縁から振り切られる処理液の量を最小とすることが可能となる。
【００５６】
なお、上述した実施形態においては、いずれも、処理液供給ノズル１３、４３を、処理液供給ノズル１３、４３におけるスリット１４、４４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの中心Ｃと対向する位置から基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置まで反時計方向に回動させているが、処理液供給ノズル１３、４３におけるスリット１４、４４の先端部がスピンチャック１２に支持された基板Ｗの端縁より距離Ｄだけ内側の位置と対向する位置から基板Ｗの中心Ｃと対向する位置まで時計方向に回動させるようにしてもよい。
【００５７】
また、上述した実施形態においては、いずれも、連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部として、スリット１４、４４を使用しているが、多数の処理液吐出孔を処理液供給ノズルの下面に連続した状態で穿設し、これらの処理液吐出孔から処理液を連続的に供給するようにしてもよい。
【００５８】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心からこの基板の端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、処理液供給ノズルを吐出部の先端部がスピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心と対向する位置とこの基板の端縁より内側の位置と対向する位置との間で回動させるノズル回動機構とを備えたことから、基板を高速回転させることなく基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。また、基板の端縁付近の領域に処理液が供給されることを防止することができることから、端縁洗浄装置による端縁洗浄工程を省略することが可能となる。
【００５９】
また、請求項１に記載の発明によれば、ノズル移動機構が処理液供給ノズルをスピンチャックに支持されて回転する基板の端縁より内側の位置に配置された軸を中心として回動させることから、処理液供給ノズルの回動中心を移動させることなく基板の表面に有効に処理液を供給することが可能となる。
【００６０】
請求項２に記載の発明によれば、吐出部がその先端部と基端部との距離がスピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さなスリットから構成されることから、基板の端縁付近を除く表面全域に有効に処理液を供給することが可能となる。
【００６１】
請求項３に記載の発明によれば、スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、処理液供給ノズルを吐出部の基端部付近を中心に回動させるノズル回動機構と、回動機構により回動する処理液供給ノズルの回動中心をスピンチャックに支持されて回転する基板の半径方向に移動させるノズル移動機構とを備えたことから、基板を高速回転させることなく基板の表面に均一に処理液を供給することが可能となる。また、基板の端縁付近の領域に処理液が供給されることを防止することができることから、端縁洗浄装置による端縁洗浄工程を省略することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の正面概要図である。
【図２】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【図３】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図４】長さＬ１のスリット１３のうちの長さΔＬの微小領域により、基板Ｗに処理液が供給される状態を示す説明図である。
【図５】基板Ｗの端縁付近の領域Ｅを示す説明図である。
【図６】この発明の第１実施形態の変形例に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【図７】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の正面概要図である。
【図８】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【図９】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図１０】この発明の第２実施形態の変形例に係る基板処理装置の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
１１モータ
１２スピンチャック
１３処理液供給ノズル
１４スリット
２１支持台
２２モータ
２３軸
３０制御部
４３処理液供給ノズル
４４スリット
５１支持腕
５２モータ
５３軸
５５ボールねじ
５６支持台
５７モータ
Ｗ基板

Claims

略円形の基板の表面に処理液を均一に供給するための基板処理装置であって、
基板を回転可能に支持するスピンチャックと、
前記スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心からこの基板の端縁より内側の位置に至るまでの領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを、処理液供給時に、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁付近を中心に、前記吐出部の先端部が前記スピンチャックに支持されて回転する基板の回転中心と対向する位置からこの基板の端縁より内側の位置と対向する位置まで回動させるノズル回動機構と、
を備え、
前記ノズル回動機構は、前記処理液供給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の端縁より内側の位置に配置された軸を中心として回動させることを特徴とする基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記吐出部は、その先端部と基端部との距離が前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さなスリットから構成される基板処理装置。
略円形の基板の表面に処理液を均一に供給するための基板処理装置であって、
基板を回転可能に支持するスピンチャックと、
前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径より小さな領域に対し連続的に処理液を供給可能な処理液の吐出部を備えた処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルを、前記吐出部の基端部付近を中心に回動させるノズル回動機構と、
前記回動機構により回動するノズルの回動中心を、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径上を移動させることにより、前記回動機構により回動する処理液供給ノズルを、前記スピンチャックに支持されて回転する基板の半径方向に移動させるノズル移動機構と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。