JP3880595B2 - Method for manufacturing electron-emitting device, method for manufacturing image display device - Google Patents
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Description
本発明は、電子放出素子、電子放出装置、発光装置及び画像表示装置に関し、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピューター等の表示装置に関する。 The present invention relates to an electron-emitting device, an electron-emitting device, a light-emitting device, and an image display device, and more particularly to a display device for television broadcasting, a video conference system, a computer, and the like.
金属に対し１０6Ｖ／ｃｍ以上の強電界をかけて金属表面から電子を放出させる電界放
出型（ＦＥ型）電子放出素子が冷陰極電子源の一つとして注目されている。
A field emission type (FE type) electron-emitting device that emits electrons from a metal surface by applying a strong electric field of 10 6 V / cm or more to a metal has attracted attention as one of cold cathode electron sources.
ＦＥ型の冷電子源が実用化されれば、薄型の自発光画像表示装置が可能となり、消費電力の低減、軽量化にも貢献する。 If an FE type cold electron source is put to practical use, a thin self-luminous image display device can be realized, which contributes to reduction of power consumption and weight reduction.
縦型のＦＥ型の構造を図１３に示す。なお、図中、１３１は基板、１３２はエミッター電極、１３３は絶縁層、１３５はエミッタ、１３６はアノード、１３７はアノードに照射される電子ビームの形状をあらわしている。カソード電極１３２上に配置された絶縁層１３３とゲート電極１３４との積層体に開口を形成し、この開口内に円錐状のエミッター１３５を配置した構造（以下スピント型）である。このような構造は、例えばC. A. Spindt,‘‘Physical Properties of thin-film field emission cathodes with molybdenum cones’’, J. Appl. Phys., 47, 5248 (1976) 等に開示されている。
A vertical FE structure is shown in FIG. In the figure, 131 denotes a substrate, 132 denotes an emitter electrode, 133 denotes an insulating layer, 135 denotes an emitter, 136 denotes an anode, and 137 denotes the shape of an electron beam applied to the anode. In this structure, an opening is formed in a laminate of the
一方、横形ＦＥの構造を図１４に示す。なお、図中、１４１は基板、１４２はエミッター電極、１４３は絶縁層、１４５はエミッタ、１４６はアノード、１４７はアノードに照射される電子ビームの形状をあらわしている。先端が先鋭化されたエミッター１４５と、エミッタ−先端から電子を引き出すゲート電極１４４とが基板上に平行に配置され、ゲート電極とエミッタ−電極とが配置された基板の上方にコレクタ（アノード電極）が構成される（ＵＳＰ４７２８８５１、ＵＳＰ４９０４８９５など参照）。
On the other hand, the structure of the horizontal FE is shown in FIG. In the figure, 141 is a substrate, 142 is an emitter electrode, 143 is an insulating layer, 145 is an emitter, 146 is an anode, and 147 is the shape of an electron beam applied to the anode. An
また、繊維状カーボンを用いた電子放出素子の例としては、特開平８−１１５６５２号に示すように、有機化合物ガスを用いて微細な触媒金属上で熱分解を行い、繊維状カーボンを、微細な間隙に堆積させた構成が開示されている。
上記ＦＥ型電子源を用いた画像表示装置では、電子源から蛍光体までの距離Ｈとアノード電圧Ｖａと素子の駆動電圧Ｖｆに応じた電子ビームスポット（以下ビーム径と呼ぶ）が得られる。前述のビーム径はサブミリメートル程度であり、画像表示装置としては十分の解像度を持っている。 In the image display device using the FE type electron source, an electron beam spot (hereinafter referred to as a beam diameter) corresponding to the distance H from the electron source to the phosphor, the anode voltage Va, and the element driving voltage Vf is obtained. The aforementioned beam diameter is about sub-millimeters, and has a sufficient resolution as an image display device.
しかしながら画像表示装置においては、近年、より高精細な解像度が要求されている。 However, in recent years, image display devices have been required to have higher resolution.
さらに、表示画素数の増大に伴い、駆動時には、電子放出素子の持つ素子容量に起因する消費電力が増大するため、素子容量の低減、駆動電圧の低減と電子放出素子の効率向上
が望まれていた。
Furthermore, as the number of display pixels increases, the power consumption due to the element capacitance of the electron-emitting device increases during driving. Therefore, it is desired to reduce the device capacity, drive voltage, and improve the efficiency of the electron-emitting device. It was.
前述のスピント型はゲートが基板上に絶縁層を介して積層されることで、大きな容量と多数のエミッターとの間に寄生容量が形成されていた。さらに駆動電圧が数十〜数百ボルトと高く、その構成上、容量性の消費電力が大きい欠点があった。 In the above-mentioned Spindt type, the gate is stacked on the substrate via the insulating layer, so that a parasitic capacitance is formed between a large capacitance and a large number of emitters. Furthermore, the driving voltage is as high as several tens to several hundred volts, and there is a drawback in that the capacitive power consumption is large due to its configuration.
また、取り出された電子ビームは広がるため、ビームの広がりを押さえるためには、集束電極が必要であった。例えば特開平０７−００６７１４号には、電子を集束させるための電極を配置し、電子軌道を収束する手法が開示されている。しかし、この手法では集束電極の付与による工程の複雑さと電子放出効率の低下等が問題であった。 Further, since the extracted electron beam spreads, a focusing electrode is necessary to suppress the spread of the beam. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-006714 discloses a method of arranging an electrode for converging electrons and converging an electron trajectory. However, this method has problems such as the complexity of the process due to the provision of the focusing electrode and a decrease in electron emission efficiency.
また、一般的な横型ＦＥでは陰極から放出された電子は、対向するゲート電極に衝突しやすい構成になっているため、効率（ゲートに流れる電子電流と陽極（アノード）に到達する電子電流の比）が低下するだけでなく、陽極（アノード）でのビーム形状は大きく広がる構造であった。 Further, in a general lateral type FE, electrons emitted from the cathode are likely to collide with the opposing gate electrode, so that the efficiency (ratio of the electron current flowing through the gate to the electron current reaching the anode (anode)) is increased. ) Decreases, and the beam shape at the anode (anode) greatly expands.
本発明は、係る課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、良好な電子放出効率を有する電子放出素子を簡易に製造すること、である。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to easily manufacture an electron-emitting device having good electron-emitting efficiency .
上記目的を達成するために本発明は、アノード電極に対向して配置される電子放出素子であって、基体の表面上に設けられたカソード電極及びゲート電極と、前記カソード電極上に設けられた炭素を主成分とするファイバーと、を備える電子放出素子の製造方法であって、表面に触媒を備えたカソード電極と、該カソード電極と離れて設けられたゲート電極とを、その表面に備える絶縁性の基体を用意する工程と、前記触媒を用いた加熱処理による炭化水素ガスの分解によって、炭素を主成分とするファイバーとして、ファイバーの軸方向に対して非平行な複数のグラフェンが前記軸方向に積層されている形態のファイバーを、アノード電極までの距離が前記ゲート電極から前記アノード電極までの距離よりも小さくなる部分を有するように、前記カソード電極上に形成する工程と、を備えていることを特徴とする。 To accomplish the above object, an electron-emitting device is arranged opposite to the anode electrode, a cathode electrode and a gate electrode provided on the surface of the substrate, provided on said cathode electrode A method of manufacturing an electron-emitting device comprising a fiber mainly composed of carbon, comprising: a cathode electrode provided with a catalyst on a surface; and a gate electrode provided apart from the cathode electrode and an insulation provided on the surface. A plurality of graphenes that are non-parallel to the axial direction of the fiber as a fiber mainly composed of carbon by the step of preparing a porous substrate and the decomposition of the hydrocarbon gas by heat treatment using the catalyst. fiber form as it is stacked, so that the distance to the anode electrode has a smaller section than the distance to the anode electrode from the gate electrode Characterized in that it comprises a step of forming on the cathode electrode.
また、本発明は、複数の電子放出素子を備える電子源と、該電子源から放出された電子が照射されることによって発光する発光部材を備えたアノード電極とを具備する画像表示装置の製造方法であって、前記電子放出素子が上記の製造方法により製造されることを特徴とする。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an image display device, comprising: an electron source including a plurality of electron-emitting devices; and an anode electrode including a light-emitting member that emits light when irradiated with electrons emitted from the electron source. The electron-emitting device is manufactured by the manufacturing method described above.
本発明によれば、低真空中で、高い電子放出量を、長期に渡り安定に行うことができる電子放出素子を、簡易に製造することができる。
According to the onset bright, in a low vacuum, high electron emission quantity, the electron-emitting device can be stably for a long term, it can be manufactured easily.
以上説明した様に、本発明によれば、良好な電子放出効率を有する電子放出素子を簡易に製造することができる。 As described above, according to the present invention, an electron-emitting device having good electron emission efficiency can be easily manufactured.
また、本発明の電子放出素子を用いた画像表示装置においては、より高精細な画像表示装置、例えば、カラーフラットテレビが実現できる。 Further, in the image display device using the electron-emitting device of the present invention, a higher-definition image display device such as a color flat television can be realized.
以下に図面を参照して、この発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対位置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Exemplary embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative positions, etc. of the components described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified. Absent.
一般にＦＥ素子の動作電圧Ｖｆはポアソン方程式によって導かれるエミッター先端部の電界と、その電界とエミッター部の仕事関数をパラメーターとしてFowler-Nordheimの式
と呼ばれる関係式に従う電子放出電流の電流密度によって決定される。
In general, the operating voltage Vf of the FE element is determined by the current density of the electron emission current according to the relational expression called the Fowler-Nordheim equation with the electric field at the tip of the emitter derived by the Poisson equation and the work function of the electric field and the emitter as parameters. The
また、電子放出に必要な電界は、エミッター先端とゲート電極間の距離Ｄが小さいほど、またエミッター先端の半径ｒが小さいほど得られる電界が大きくなる。 In addition, the electric field required for electron emission increases as the distance D between the emitter tip and the gate electrode decreases and as the radius r of the emitter tip decreases.
一方、陽極上で得られる電子ビームにおけるＸ方向の最大の大きさＸｄ（例えば図１３における円形ビーム形状１３７の中心からの最大到達距離）は、単純な計算では
に比例する形で表される。
On the other hand, the maximum size Xd in the X direction of the electron beam obtained on the anode (for example, the maximum reachable distance from the center of the
It is expressed in a form proportional to.
この関係から明らかなようにＶｆの増大はビーム径の増大を招く。 As is clear from this relationship, an increase in Vf causes an increase in beam diameter.
また、この考察からＶｆを下げるためには、極力距離Ｄ及び曲率半径ｒを小さくしなければならない。 From this consideration, in order to lower Vf, the distance D and the radius of curvature r must be reduced as much as possible.
従来構成のビーム形状について図１３、１４を用いて説明する。なお、図中、共通の番号として１３１，１４１は基板、１３２，１４２はエミッター電極、１３３，１４３は絶縁層、１３５、１４５はエミッタ、１３６，１４６はアノード、１３７、１４７はアノードに照射される電子ビームの形状をあらわしている。 The beam shape of the conventional configuration will be described with reference to FIGS. In the figure, 131 and 141 are substrates, 132 and 142 are emitter electrodes, 133 and 143 are insulating layers, 135 and 145 are emitters, 136 and 146 are anodes, and 137 and 147 are anodes. Represents the shape of the electron beam.
前述したスピント型の場合は図１３に示すように、エミッター１３５とゲート１３４間にＶｆを印加すると、エミッター１３５の突起先端の電界が高まり、電子がコーン状のエミッター先端近傍から真空中に取り出される。
In the case of the above-mentioned Spindt type, as shown in FIG. 13, when Vf is applied between the
エミッター先端の電界はエミッター先端の形状に沿うように、ある有限の面積を持って形成されるため、取り出される電子はエミッター先端の有限の面積から電位に対して、鉛直方向に引き出される。 Since the electric field at the emitter tip is formed with a certain finite area so as to follow the shape of the emitter tip, the extracted electrons are drawn in the vertical direction with respect to the potential from the finite area at the emitter tip.
この時、様々な角度を持つ電子も放出される。その結果、大きな角度成分を持つ電子は結果的にゲートの方向に引き出される。 At this time, electrons having various angles are also emitted. As a result, electrons having a large angular component are eventually drawn in the direction of the gate.
結果として、円形のゲートが形成されている場合に、図１３中アノード１３６上には、ほぼ円形のビーム形状１３７の電子分布が得られる。つまり得られるビームの形状は引き出すゲートの形状及びエミッターとの距離に密接に関係していることを示している。
As a result, when a circular gate is formed, an electron distribution of a substantially
電子の引き出し方向をそろえた横型ＦＥ（図１４）の場合には、エミッタ１４５とゲート１４４との間に、基板１４１表面に実質的に平行な非常に強い電界（横方向電界）が生じ、その結果、エミッター１４５から放出された電子はゲート１４４上において、一部の電子１４９は真空中に取り出され残りの電子はゲート電極１４４に取り込まれる。
In the case of the lateral FE with the electron extraction direction aligned (FIG. 14), a very strong electric field (lateral electric field) substantially parallel to the surface of the
この図１４に示す構成の場合には、アノード（アノード電極）１４６に向かう電界ベクトルの方向に対して、電子放出を行なう電界ベクトル（エミッター１４５からゲート１４４に向かう電界）が異なる方位を持つ。そのため、放出された電子がアノード１４６上で形成する電子分布（ビームスポット）が大きくなる。
In the case of the configuration shown in FIG. 14, the electric field vector for emitting electrons (the electric field directed from
ここで、さらに電子がエミッタ電極１４５から引き出される電界（ここでは便宜的に、「横方向電界」と呼び、エミッター形状による電界の増強効果は無視する）とアノードに向かう電界（ここでは「縦方向電界」と呼ぶ）について考える。 Here, an electric field from which electrons are further extracted from the emitter electrode 145 (referred to here as a “lateral electric field” for convenience, and an electric field enhancement effect due to the emitter shape is ignored) and an electric field toward the anode (here “vertical direction”). (Referred to as “electric field”).
尚、上記「横方向電界」は、図１３および図１４の構成において、「基板１３１（１４１）の表面と実質的に平行な方向における電界」と言う事も出来る。また、特に図１４の構成においては「ゲート１４４とエミッタ１４５とが対向する方向における電界」とも言うことできる。
The “lateral electric field” can also be referred to as “an electric field in a direction substantially parallel to the surface of the substrate 131 (141)” in the configuration of FIGS. In particular, in the configuration of FIG. 14, it can also be referred to as “an electric field in a direction in which the
また、上記「縦方向電界」とは、図１３および図１４の構成において、「基板１３１（１４１）の表面と実質的に垂直な方向における電界」、あるいは「基板１３１（１４１）とアノード１３６（１４６）とが対向する方向における電界」と言うこともできる。 The “longitudinal electric field” refers to “an electric field in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate 131 (141)” or “a substrate 131 (141) and an anode 136 ( 146) can also be referred to as an “electric field in a direction opposite to”.
前述したように、図１４の構成において、エミッターから放出された電子は最初、横方向電界によって引き出され、ゲート方向に向かった後に、縦方向電界によって引き上げられアノードに到達する。 As described above, in the configuration of FIG. 14, electrons emitted from the emitter are first drawn out by the horizontal electric field, and after going in the gate direction, are pulled up by the vertical electric field and reach the anode.
このとき横方向電界と縦方向電界の強度比及び電子放出点の相対位置が重要となる。 At this time, the intensity ratio between the horizontal electric field and the vertical electric field and the relative position of the electron emission point are important.
横方向電界が、縦方向電界と比較して、桁で強い場合には、エミッタから取り出された電子のほとんどは、横方向電界によって形成される放射状電位によって次第に軌道を曲げられ、ゲートに向かう軌道をとる。ゲートに衝突した電子の一部は、散乱によって再び放出されるが、放出後、縦方向電界に捉えられるまでは、何度も楕円に似た軌道を描いてゲート上を広がりながら、同時に放出される電子の数を減じながら散乱を繰り返す。そして、散乱した電子が、ゲート電位の作る等電位線を越えると（これを「淀み点」と呼ぶことがある）、ここで初めて縦方向電界によって引き上げられるようになる。 When the transverse electric field is stronger than the longitudinal electric field, most of the electrons extracted from the emitter are gradually bent in orbit by the radial potential formed by the transverse electric field, and the orbit toward the gate. Take. Some of the electrons that collided with the gate are emitted again by scattering, but after being emitted, they are emitted simultaneously while spreading over the gate in a trajectory resembling an ellipse until it is captured by the longitudinal electric field. Scattering is repeated while reducing the number of electrons. When the scattered electrons exceed the equipotential line created by the gate potential (this may be referred to as a “stagnation point”), it is first pulled up by the vertical electric field.
横方向電界と縦方向電界が同程度の場合には、取り出された電子は、やはり放射状電位によって軌道が曲げられるものの、電界による束縛がゆるくなり、ゲートに衝突することなしに縦方向電界に捉えられる電子軌道が出現する。 When the transverse electric field and the vertical electric field are comparable, the extracted electrons are still bent by the radial potential, but the electric field is loosened and captured by the vertical electric field without colliding with the gate. Appears.
この横方向電界と縦方向電界が同程度の時、即ち、横方向電界が縦方向電界の約１倍であるとき、エミッターからの電子の放出点位置を、ゲートの属する平面からアノードの属する平面側に持ち上げる（図６参照）と、放出された電子は実質的にゲートに衝突せずに、縦方向電界に捉えられる軌道を描くことが可能であることが分かった。 When the horizontal electric field and the vertical electric field are approximately the same, that is, when the horizontal electric field is about one time the vertical electric field, the electron emission point position from the emitter is changed from the plane to which the gate belongs to the plane to which the anode belongs. When lifted to the side (see FIG. 6), it has been found that the emitted electrons can draw a trajectory that can be captured by a vertical electric field without substantially colliding with the gate.
また、この電界比の検討を行った結果、ゲート電極１４４とエミッタ電極１４５の先端との間隔をｄ、素子を駆動したときの電位差（ゲート電極とエミッタ電極との電位差）をＶ１、陽極（アノード）と基板（素子）との距離をＨ、陽極（アノード）と陰極（エミッタ電極）との電位差をＶ２とした時、横方向電界が縦方向電界の５０倍以上大きくなると、取り出された電子がゲートに衝突する軌道が描かれることを見出した。
Further, as a result of the examination of the electric field ratio, the distance between the
また、本発明者は、ゲート電極２上での散乱を実質的に生じない高さｓ（ゲート電極２表面の一部を含み、基板１表面と実質的に平行な平面と、電子放出部材４の表面を含み、基板１表面と実質的に平行な平面との距離で定義される（図６参照））が存在することを見出した。上記高さＳは、縦方向電界と横方向電界との比（縦方向電界強度／横方向電界強度）に依存し、縦−横方向電界比が低いほど、その高さが低く、横方向電界が大きいほど高さが必要である。
In addition, the inventor has a height s that does not substantially cause scattering on the gate electrode 2 (including a part of the surface of the
実用的な製造上の範囲としては、その高さｓは１０ｎｍ以上１０μｍ以下である。 As a practical manufacturing range, the height s is 10 nm or more and 10 μm or less.
図１４に示した従来の構成では、ゲート１４４とエミッター（１４２，１４５）とが同一平面上に、同じ高さで構成されているだけでなく、横方向電界が縦方向電界と比較して一桁以上強いため、ゲートに衝突することに起因して、真空中に取り出される電子の量が減少する傾向が強かった。
In the conventional configuration shown in FIG. 14, the
さらに、従来の構成では横方向の電界強度を強めることを目的として素子の構造が決められていたため、アノード１４６上で得られる電子分布は広がっていた。
Further, in the conventional configuration, the structure of the element is determined for the purpose of increasing the electric field strength in the lateral direction, so that the electron distribution obtained on the
前述したように、アノード１４６に到達する電子の分布を小さくするには、１）駆動電圧（Ｖｆ）を下げる、２）電子の引き出し方向を揃える、３）電子の軌道、さらに、ゲートでの散乱がある場合には４）電子の散乱機構（特に弾性散乱）を考慮しなければならない。
As described above, in order to reduce the distribution of electrons reaching the
そこで、本発明は、アノード電極上に照射される電子分布の微細化と、電子放出素子の電子放出効率の向上（ゲート電極に吸収される放出電子の低減）を目的とするものである
。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to refine the electron distribution irradiated on the anode electrode and improve the electron emission efficiency of the electron-emitting device (reduction of emitted electrons absorbed by the gate electrode).
以下に、本発明の新規な電子放出素子の構造について詳述する。 Hereinafter, the structure of the novel electron-emitting device of the present invention will be described in detail.
図１（ａ）は本発明の電子放出素子の一例を示す平面模式図である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ間断面図である。図６は本発明の電子放出素子の上方にアノード電極を配置した電子放出装置を駆動している時の様子を示す模式断面図である。 FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of the electron-emitting device of the present invention. FIG.1 (b) is sectional drawing between AA of Fig.1 (a). FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a state in which an electron-emitting device in which an anode electrode is disposed above the electron-emitting device of the present invention is driven.
図１、図６において１は絶縁性の基板、２は引き出し電極（「ゲート電極」または「第２電極」とも言う）、３は陰極電極（「カソード電極」または「第１電極」とも言う）、４は陰極電極３上に配置された電子放出材料（「電子放出部材」あるいは「エミッタ−材料」とも言う）、６１はアノード電極（「第３電極」とも言う）を示している。
1 and 6, 1 is an insulating substrate, 2 is an extraction electrode (also referred to as “gate electrode” or “second electrode”), and 3 is a cathode electrode (also referred to as “cathode electrode” or “first electrode”).
また、本発明の電子放出装置においては、図１、図６に示したように、陰極電極３とゲート電極２との間隙の距離をｄ、電子放出素子を駆動したときの電位差（陰極電極３とゲート電極２間の電圧）をＶｆ、アノード電極６１と素子が配置された基板１表面との距離をＨ、アノード電極６１と陰極電極３との電位差をＶａとした時、駆動時の電界（横方向電界）：Ｅ１＝Ｖｆ／ｄは、アノード−カソード間の電界（縦方向電界）：Ｅ２＝Ｖａ／Ｈの１倍以上５０倍以下に設定される。
In the electron emission device of the present invention, as shown in FIGS. 1 and 6, the distance of the gap between the
このようにすることにより、陰極電極３側から放出された電子がゲート電極２に衝突する割合を低減できる。その結果、放出された電子ビームの広がりが少なく、高効率な、電子放出素子が得られる。
By doing so, it is possible to reduce the rate at which electrons emitted from the
尚、本発明で言う「横方向電界」は、「基板１の表面と実質的に平行な方向における電界」と言うことができる。あるいは、また、「ゲート２とカソード電極３とが対向する方向における電界」とも言うことができる。
The “lateral electric field” in the present invention can be referred to as “an electric field in a direction substantially parallel to the surface of the
また、本発明で言う「縦方向電界」とは、「基板１の表面と実質的に垂直な方向における電界」、あるいは「基板１とアノード電極６１とが対向する方向における電界」と言うこともできる。
In addition, the “longitudinal electric field” referred to in the present invention may also be referred to as “an electric field in a direction substantially perpendicular to the surface of the
さらには、本発明の電子放出装置においては、ゲート電極２上での散乱を抑制するために、電子放出部材４の表面を含み、基板１表面と実質的に平行な平面が、ゲート電極２表面の一部を含み、基板１表面と実質的に平行な平面よりも、基板表面よりも離れた位置に配置される（図６参照））。換言すると、本発明の電子放出装置においては、電子放出部材４の表面の一部を含み、基板１表面に実質的に平行な平面が、引き出し電極２の表面の一部を含み、前記基板表面に実質的に平行な平面と、アノード電極６１との間に配置される（図６参照））。
Furthermore, in the electron emission device of the present invention, in order to suppress scattering on the
また、さらには、本発明の電子放出素子においては、ゲート電極２上での散乱を実質的に生じない、高さｓ（ゲート電極２表面の一部を含み、基板１表面と実質的に平行な平面と、電子放出部材４の表面を含み、基板１表面と実質的に平行な平面との距離で定義される（図６参照））に電子放出部材４が配置される。
Furthermore, in the electron-emitting device of the present invention, the height s (including a part of the surface of the
上記ｓは、縦方向電界と横方向電界の比（縦方向電界強度／横方向電界強度）に依存し、縦方向電界と横方向電界比が低いほど、その高さが低く、横方向電界が大きいほど高さが必要である。実用的な範囲として、その高さｓは１０ｎｍ以上１０μｍ以下である。 The above s depends on the ratio of the vertical electric field to the horizontal electric field (vertical electric field strength / transverse electric field strength). The lower the vertical electric field to horizontal electric field ratio is, the lower the height is. The larger the size, the higher the height. As a practical range, the height s is 10 nm or more and 10 μm or less.
前記絶縁性の基板１としては、その表面を十分に洗浄した、石英ガラス、Ｎａ等の不純
物含有量を減少させＫなどに一部置換したガラス、青板ガラス及びシリコン基板等にスパッタ法等によりＳｉＯ2を積層した積層体、アルミナ等のセラミックスの絶縁性基板が挙
げられる。
As the insulating
前記引き出し電極２および陰極電極３は導電性を有しており、蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術、フォトリソグラフィー技術により前記基板１の表面に互いに対向するように形成される。電極２及び３の材料は、例えば、炭素、金属、金属の窒化物、金属の炭化物、金属のホウ化物、半導体、半導体の金属化合物から適宜選択される。電極２及び３の厚さとしては、数十ｎｍから数十μｍの範囲で設定される、好ましくは炭素、金属、金属の窒化物、金属の炭化物の耐熱性材料が望ましい。
The
本発明における、電子放出素子を構成する引き出し電極２と陰極電極３は、基板１の表面に配置される。そして、当然であるが、引き出し電極２と陰極電極３とは間隔を置いて配置され、その間隔の方向が、基板１の表面を含む平面と実質的に平行に配置される。換言すると、引き出し電極２と陰極電極３とが互いにオーバーラップしない構造である。
In the present invention, the
特に、後に述べる繊維状カーボンの成長の場合は導電性を付与したシリコン、例えばドープドポリシリコンなどが好ましい。 In particular, in the case of the growth of fibrous carbon described later, silicon imparted with conductivity, such as doped polysilicon, is preferable.
なお、この電極の厚さが薄いために電位降下などが心配される時、あるいはマトリクス配列でこの素子を用いる場合は必要に応じて低抵抗の配線用金属材料が電子放出に関与しない部分で用いられることがある。 In addition, when this electrode is thin, potential drop etc. is a concern, or when this element is used in a matrix arrangement, a low-resistance wiring metal material is used in a part not involved in electron emission as necessary. May be.
エミッター材料（電子放出部材）４はスパッタ法等の一般的な真空成膜法等で堆積した膜をＲＩＥなどの手法を用いてエミッター形状に加工する場合と、ＣＶＤにおける核成長を利用した針状結晶の成長や、ひげ結晶の成長などを利用する場合がある。エミッター形状の制御はＲＩＥの場合には用いる基板の種類、ガスの種類、ガス圧力（流量）、エッチング時間、プラズマを形成する時のエネルギーなどに依存する。一方ＣＶＤによる形成方法では基板の種類、ガスの種類、流量、成長温度などで制御される。 The emitter material (electron emitting member) 4 is formed into a shape of an emitter using a method such as RIE, which is deposited by a general vacuum film formation method such as a sputtering method, and a needle shape using nuclear growth in CVD. In some cases, crystal growth or whisker crystal growth is used. In the case of RIE, control of the emitter shape depends on the type of substrate used, the type of gas, the gas pressure (flow rate), the etching time, the energy at the time of plasma formation, and the like. On the other hand, the CVD method is controlled by the substrate type, gas type, flow rate, growth temperature, and the like.
エミッター（電子放出部材）４に用いる材料は、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等を用いることができる。 Materials used for the emitter (electron emitting member) 4 may be carbides such as TiC, ZrC, HfC, TaC, SiC, and WC, amorphous carbon, graphite, diamond-like carbon, carbon in which diamond is dispersed, and a carbon compound. .
本発明においては、エミッター（電子放出部材）４として、特に、繊維状カーボンを用いることが好ましい。尚、本発明における「繊維状カーボン」とは、「炭素を主成分とする柱状物質」あるいは、「炭素を主成分とする線状物質」ということもできる。また、「繊維状カーボン」とは、「炭素を主成分とするファイバー」ということもできる。そして、また、本発明における「繊維状カーボン」とは、より具体的には、カーボンナノチューブ，グラファイトナノファイバー，アモルファスカーボンファイバーを含む。そして、中でも、グラファイトナノファイバーが電子放出部材４として最も好ましい。
In the present invention, it is particularly preferable to use fibrous carbon as the emitter (electron emitting member) 4. The “fibrous carbon” in the present invention can also be referred to as “a columnar substance mainly composed of carbon” or “a linear substance mainly composed of carbon”. Further, “fibrous carbon” can also be referred to as “fiber containing carbon as a main component”. The “fibrous carbon” in the present invention more specifically includes carbon nanotubes, graphite nanofibers, and amorphous carbon fibers. Among these, graphite nanofibers are most preferable as the
引き出し電極２と陰極電極３の間隔は、前述したとおり、用いる陰極材料からの電子放出に必要な横方向電界と、画像形成に必要な縦方向電界との電界を比較した時に、電子放出に必要な電界が、縦方向電界よりも１倍から５０倍程度の値になるように、駆動電圧（引き出し電極２と陰極電極３との間に印加する電圧）と間隔を決めればよい。
As described above, the distance between the
陽極（アノード電極）上に蛍光体などの発光部材を配置する場合は、必要な縦方向電界は１０-1Ｖ／μｍ以上１０Ｖ／μｍ以下の範囲が好ましい。例えば、陽極（アノード電極）と陰極電極との間隔を２ｍｍとし、その間隔に１０ＫＶを印加する場合、この時の縦方
向電界は５Ｖ／μｍとなる。この場合、用いるべきエミッター材料（電子放出部材）４の電子放出電界は５Ｖ／μｍよりも大きな電子放出電界を持つ材料であり、選択した電子放出電界に相当するように、その間隔と、駆動電圧を決めればよい。
When a light emitting member such as a phosphor is disposed on the anode (anode electrode), the required longitudinal electric field is preferably in the range of 10 −1 V / μm to 10 V / μm. For example, when the interval between the anode (anode electrode) and the cathode electrode is 2 mm and 10 KV is applied to the interval, the vertical electric field at this time is 5 V / μm. In this case, the electron emission electric field of the emitter material (electron emission member) 4 to be used is a material having an electron emission electric field larger than 5 V / μm, and the interval and the driving voltage so as to correspond to the selected electron emission electric field. You can decide.
このように、数Ｖ／μｍの閾値電界を持つ材料としては、繊維状カーボンがある。繊維状カーボンの形態の一例を図１１、図１２示す。各図では一番左側に光学顕微鏡レベル（〜１０００倍）で見える形態、真中は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）レベル（〜３万倍）で見える形態、右側は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）レベル（〜１００万倍）で見えるカーボンの形態を模式的に示している。 Thus, there is fibrous carbon as a material having a threshold electric field of several V / μm. An example of the form of fibrous carbon is shown in FIGS. In each figure, the form that is visible at the optical microscope level (up to 1000 times) on the leftmost side, the form that is visible at the scanning electron microscope (SEM) level (up to 30,000 times) in the middle, and the transmission electron microscope (TEM) level (up to 100 on the right side) The form of carbon that can be seen at 10,000 times is schematically shown.
図１１のように、グラフェンが円筒形状（円筒形が多重構造になっているものはマルチウォールナノチューブと呼ばれる）の形態をとるものはカーボンナノチューブと呼ばれ、特にチューブ先端を開放させた構造の時に、最もその閾値が下がる。 As shown in FIG. 11, graphene is in the form of a cylinder (a structure in which the cylinder has a multiple structure is called a multi-wall nanotube) is called a carbon nanotube, particularly when the tube tip is open. The threshold is lowered most.
あるいは、比較的低温で生成される繊維状カーボンを図１２に示す。この形態の繊維状カーボンは、グラフェンの積層体（このため「グラファイトナノファイバー」と呼ばれることがあるが、温度によりアモルファス構造の割合が増加する）で構成されている。より具体的には、グラファイトナノファイバーは、その長手方向（ファイバーの軸方向）にグラフェンが積層されたファイバー状の物質を指す。換言すると、図１２に示す様に、グラフェンがファイバーの軸に対して非平行に配置されたファイバー状の物質である。 Or the fibrous carbon produced | generated at comparatively low temperature is shown in FIG. This form of fibrous carbon is composed of a graphene laminate (thus sometimes called “graphite nanofibers”, but the proportion of the amorphous structure increases with temperature). More specifically, graphite nanofiber refers to a fiber-like substance in which graphene is laminated in the longitudinal direction (axial direction of the fiber). In other words, as shown in FIG. 12, the graphene is a fiber-like substance arranged non-parallel to the fiber axis.
一方のカーボンナノチューブは、その長手方向（ファイバーの軸方向）を囲むよう（円筒形状）にグラフェンが配置されているファイバー状の物質である。換言すると、グラフェンがファイバーの軸に対して実質的に平行に配置されるファイバー状の物質である。 One carbon nanotube is a fiber-like substance in which graphene is disposed so as to surround (cylindrical shape) so as to surround the longitudinal direction (axial direction of the fiber). In other words, graphene is a fibrous material that is arranged substantially parallel to the fiber axis.
尚、グラファイトの１枚面を「グラフェン」あるいが「グラフェンシート」と呼ぶ。より具体的には、グラファイトは、炭素原子がｓｐ2混成により共有結合でできた正六角形
を敷き詰める様に配置された炭素平面が、３．３５４Åの距離を保って積層してできたものである。この一枚一枚の炭素平面を「グラフェン」あるいは「グラフェンシート」と呼ぶ。
One surface of graphite is called “graphene” or “graphene sheet”. More specifically, graphite is formed by laminating carbon planes arranged so as to cover regular hexagons in which carbon atoms are covalently bonded by sp 2 hybridization while maintaining a distance of 3.354 mm. . Each carbon plane is called “graphene” or “graphene sheet”.
どちらの繊維状カーボンも電子放出の閾値が１Ｖ〜１０Ｖ／μｍ程度であり、本発明のエミッター（電子放出部材）４の材料として好ましい。 Both of the fibrous carbons have an electron emission threshold of about 1 V to 10 V / μm, and are preferable as a material for the emitter (electron emission member) 4 of the present invention.
特に、グラファイトナノファイバーを用いた電子放出素子では、図１などに示した本発明の素子構造に限らず、低電界で電子放出を起こすことができ、大きな放出電流を得ることができ、簡易に製造ができ、安定な電子放出特性をもつ電子放出素子を得ることが出来る。例えば、グラファイトナノファイバーをエミッタとし、このエミッタからの電子放出を制御する電極を用意することで電子放出素子とすることができ、さらに、グラファイトナノファイバーから放出された電子の照射により発光する発光部材を用いればランプなどの発光装置を形成することができる。また、さらには、上記グラファイトナノファイバーを用いた電子放出素子を複数配列すると共に、蛍光体などの発光部材を有するアノード電極を用意することでディスプレイなどの画像表示装置をも構成することができる。グラファイトナノファイバーを用いた電子放出装置や発光装置や画像表示装置においては、内部を従来の電子放出素子のように超高真空に保持しなくても安定な電子放出をすることができ、また、低電界で電子放出するため、信頼性の高い装置を非常に簡易に製造することができる。 In particular, an electron-emitting device using graphite nanofibers is not limited to the device structure of the present invention shown in FIG. 1 and the like, and can emit electrons in a low electric field, and can obtain a large emission current. An electron-emitting device that can be manufactured and has stable electron-emitting characteristics can be obtained. For example, a graphite nanofiber is used as an emitter, and an electrode for controlling electron emission from the emitter can be prepared to provide an electron-emitting device. Further, a light emitting member that emits light by irradiation of electrons emitted from the graphite nanofiber. Can be used to form a light emitting device such as a lamp. Further, an image display device such as a display can be configured by arranging a plurality of electron-emitting devices using the graphite nanofibers and preparing an anode electrode having a light emitting member such as a phosphor. In electron emission devices, light-emitting devices and image display devices using graphite nanofibers, stable electron emission can be achieved without maintaining the inside in an ultra-high vacuum like conventional electron-emitting devices, Since electrons are emitted in a low electric field, a highly reliable device can be manufactured very easily.
上記した繊維状カーボンは、触媒（炭素の堆積を促進する材料）を用いて炭化水素ガスを分解して形成することができる。カーボンナノチューブとグラファイトナノファイバー
は触媒の種類、及び分解の温度によって異なる。
The above-mentioned fibrous carbon can be formed by decomposing hydrocarbon gas using a catalyst (a material that promotes carbon deposition). Carbon nanotubes and graphite nanofibers differ depending on the type of catalyst and decomposition temperature.
前記触媒材料としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｎｉもしくはこれらの中から選択された材料の合金が繊維状カーボン形成用の核として用いることができる。 As the catalyst material, Fe, Co, Pd, Ni or an alloy of a material selected from these can be used as a nucleus for forming fibrous carbon.
特に、Ｐｄ、Ｎｉにおいては低温（４００℃以上の温度）でグラファイトナノファイバーを生成することが可能である。Ｆｅ、Ｃｏ、を用いたカーボンナノチューブの生成温度は８００℃以上必要なことから、Ｐｄ、Ｎｉを用いてのグラファイトナノファイバー材料の作成は、低温で可能なため、他の部材への影響や、製造コストの観点からも好ましい。 In particular, in Pd and Ni, it is possible to produce graphite nanofibers at a low temperature (temperature of 400 ° C. or higher). Since the production temperature of carbon nanotubes using Fe and Co is required to be 800 ° C. or higher, the production of graphite nanofiber materials using Pd and Ni is possible at low temperatures, It is also preferable from the viewpoint of manufacturing cost.
さらに、Ｐｄにおいては酸化物が水素により低温（室温）で還元される特性を用いて、核形成材料として酸化パラジウムを用いることが可能である。 Further, palladium oxide can be used as a nucleation material because Pd has a characteristic that an oxide is reduced by hydrogen at a low temperature (room temperature).
酸化パラジウムの水素還元処理を行なうと、一般的な核形成技法として従来から使用されている金属薄膜の熱凝集や、超微粒子の生成と蒸着を用いずとも、比較的低温（２００℃以下）で初期凝集核の形成が可能となった。 When hydrogen reduction treatment of palladium oxide is performed, it does not require thermal aggregation of metal thin films, which are conventionally used as a general nucleation technique, and generation and deposition of ultrafine particles at a relatively low temperature (200 ° C or lower). The formation of initial agglomerated nuclei became possible.
前述の炭化水素ガスとしては例えばエチレン、メタン、プロパン、プロピレンなどの炭化水素ガス、ＣＯ，ＣＯ2ガスあるいはエタノールやアセトンなどの有機溶剤の蒸気を用
いることもある。
As the above-mentioned hydrocarbon gas, for example, hydrocarbon gas such as ethylene, methane, propane, propylene, CO, CO 2 gas, or vapor of an organic solvent such as ethanol or acetone may be used.
本発明の装置においては、電子放出の関与に係わらず、エミッター（電子放出部材）４の存在する領域を以後「エミッター領域」と呼ぶ。 In the apparatus of the present invention, a region where the emitter (electron emitting member) 4 exists is hereinafter referred to as an “emitter region” regardless of the participation of electron emission.
「エミッター領域」における電子放出点の位置（電子放出部位）とその動作について図６、７を用いて説明する。 The position of the electron emission point (electron emission site) and its operation in the “emitter region” will be described with reference to FIGS.
陰極電極３と引き出し電極２との間隔を数μｍに設定した本発明の電子放出素子を、図６に示すような真空装置６０に設置し、真空排気装置６５によって１０-4Ｐａ程度に到達するまで十分に排気した、図６に示したように基板１の表面から数ミリの高さＨの位置に陽極（アノード電極）６１の表面が位置するように設け、陰極電極３および引き出し電極よりも数キロボルト高い電位（電圧Ｖａ）を電圧源（「第２の電圧印加手段」または「第２の電位印加手段」）を用いて、陽極６１に印加した。ここでは、電圧Ｖａを陰極電極３と陽極６１との間に印加したが、陽極に印加する電圧はグランド電位を基準としても良い。尚、基板１の表面と陽極６１の表面は実質的に平行になるように配置される。
The electron-emitting device of the present invention in which the distance between the
素子には、図示しない電源（「第１の電圧印加手段」または「第１の電位印加手段」）により駆動電圧Ｖｆとして数十Ｖ程度からなる電圧を陰極電極３と引き出し電極２との間に印加し、電極２、３間に流れる素子電流Ｉｆと、アノード電極に流れる電子放出電流Ｉｅを計測した。
The element is supplied with a voltage of about several tens of volts as a driving voltage Vf between the
この時、等電位線６３は図６のように形成され（基板１表面に実質的に平行に電界（電界の向き）が形成され）、最も電界の集中する点は符号６４で示される電子放出部材４の最もアノード電極寄り、且つギャップに面する場所と想像される。この電界集中点近傍に位置する電子放出材料の中で最も電界集中する場所から電子が主に放出されると考えられる。素子のＩｅ特性は図７に示すような特性であった。すなわち印加電圧の約半分からＩｅが急激に立ち上がり、不図示のＩｆはＩｅの特性に類似していたが、その値はＩｅと比較して十分に小さな値であった。
At this time, the
以下、本発明の電子放出素子を複数配して得られる電子源について、図８を用いて説明
する。図８において、８１は電子源基体、８２はＸ方向配線、８３はＹ方向配線である。８４は本発明の電子放出素子、８５は結線である。
Hereinafter, an electron source obtained by arranging a plurality of electron-emitting devices of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 8, 81 is an electron source substrate, 82 is an X direction wiring, and 83 is a Y direction wiring. 84 is an electron-emitting device of the present invention, and 85 is a connection.
ｍ本のＸ方向配線８２は，ＤＸ１，ＤＸ２，．．ＤＸｍからなり，真空蒸着法，印刷法，スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で構成することができる。配線の材料、膜厚、巾は、適宜設計される。Ｙ方向配線８３は，ＤＹ１，ＤＹ２，．．ＤＹｎのｎ本の配線よりなり，Ｘ方向配線８２と同様に形成される。
これらｍ本のＸ方向配線８２とｎ本のＹ方向配線８３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している（ｍ，ｎは，共に正の整数）。
The m X-directional wirings 82 are DX1, DX2,. . It is made of DXm and can be composed of a conductive metal or the like formed using a vacuum deposition method, a printing method, a sputtering method, or the like. The material, film thickness, and width of the wiring are appropriately designed. The Y-
An interlayer insulating layer (not shown) is provided between the m X-direction wirings 82 and the n Y-
不図示の層間絶縁層は，真空蒸着法，印刷法，スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ２等で構成される。例えば、Ｘ方向配線８２を形成した基体８１の全面或は一部に所望の形状で形成され，特に，Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３の交差部の電位差に耐え得るように，膜厚，材料，製法が，適宜設定される。Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３は，それぞれ外部端子として引き出されている。
The interlayer insulating layer (not shown) is made of SiO2 or the like formed using a vacuum deposition method, a printing method, a sputtering method, or the like. For example, it is formed in a desired shape on the entire surface or a part of the
電子放出素子８４を構成する一対の電極（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線８２とｎ本のＹ方向配線８３と導電性金属等からなる結線８５によって電気的に接続されている。
A pair of electrodes (not shown) constituting the electron-emitting
配線８２と配線８３を構成する材料、結線８５を構成する材料及び一対の素子電極を構成する材料は、その構成元素の一部あるいは全部が同一であっても、またそれぞれ異なってもよい。これら材料は、例えば前述の素子電極の材料より適宜選択される。素子電極を構成する材料と配線材料が同一である場合には、素子電極に接続した配線は素子電極ということもできる。
The material constituting the
Ｘ方向配線８２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子８４の行を、選択するための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方向配線８３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子８４の各列を入力信号に応じて、変調するための不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。
The
上記構成においては、単純なマトリクス配線を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とすることができる。 In the above configuration, individual elements can be selected and driven independently using a simple matrix wiring.
このような単純マトリクス配置の電子源を用いて構成した画像形成装置について、図９を用いて説明する。図９は、画像形成装置の表示パネルの一例を示す模式図であり、図９において、８１は電子放出素子を複数配した電子源基体、９１は電子源基体８１を固定したリアプレート、９６はガラス基体９３の内面に発光部材である蛍光膜９４と、メタルバック（アノード）９５等が形成されたフェースプレートである。９２は、支持枠であり該支持枠９２には、リアプレート９１、フェースプレート９６がフリットガラス等を用いて接続されている。外囲器９７は、例えば大気中、真空中あるいは、窒素中で、４００〜５００度の温度範囲で１０分以上焼成することで、封着して構成される。
An image forming apparatus configured using such a simple matrix electron source will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic view showing an example of a display panel of the image forming apparatus. In FIG. 9,
外囲器９７は、上述の如く、フェースプレート９６、支持枠９２、リアプレート９１で構成される。リアプレート９１は主に基体８１の強度を補強する目的で設けられるため、基体８１自体で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート９１は不要とすることができる。即ち、基体８１に直接支持枠９２を封着し、フェースプレート９６、支持枠９２及び基体８１で外囲器９７を構成しても良い。一方、フェースプレート９６、リアプレート９１間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器９７を構成することもできる。
The
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
（実施例１）
図１（ａ）に本実施例により作製した電子放出素子を素子上部から見た様子を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ間断面図を示す。
Example 1
FIG. 1A shows a state where the electron-emitting device manufactured according to this example is viewed from above the device, and FIG. 1B shows a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG.
図１において１は絶縁性の基板、２は引き出し電極（ゲート）、３は陰極電極、４はエミッター材料、を示している。 In FIG. 1, 1 is an insulating substrate, 2 is an extraction electrode (gate), 3 is a cathode electrode, and 4 is an emitter material.
以下に、図５を用いて本実施例の電子放出素子の製造工程を詳細に説明する。 Hereinafter, the manufacturing process of the electron-emitting device of this example will be described in detail with reference to FIG.
（工程１）
基板１に石英基板を用い、十分洗浄を行った後、ゲート電極２及び陰極電極３としてスパッタ法により厚さ５ｎｍ（不図示）のＴｉ及び厚さ３０ｎｍのポリＳｉ（砒素ドープ）を連続的に蒸着を行なった。
(Process 1)
A quartz substrate is used as the
次に、フォトリソグラフィー工程で、ポジ型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリアント社製）を用いてレジストパターンを形成した。 Next, a resist pattern was formed by using a positive photoresist (AZ1500 / manufactured by Clariant) in a photolithography process.
次に、パターニングした前記フォトレジストをマスクとしてポリＳｉ（砒素ドープ）層、Ｔｉ層はＣＦ4ガスを用いてドライエッチングを行い、電極間ギャップが５μｍからな
る引き出し電極２、および陰極電極３を形成した（図５（ａ））。
Next, using the patterned photoresist as a mask, the poly Si (arsenic doped) layer and the Ti layer are dry-etched using CF 4 gas to form an
（工程２）
次に、基板全体にＣｒをＥＢ蒸着にて約１００ｎｍの厚さに堆積した。
(Process 2)
Next, Cr was deposited on the entire substrate to a thickness of about 100 nm by EB vapor deposition.
フォトリソグラフィー工程で、ポジ型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリアント社製）を用いてレジストパターンを形成した。 In the photolithography process, a resist pattern was formed using a positive photoresist (AZ1500 / manufactured by Clariant).
次に、パターニングした前記フォトレジストをマスクとし、電子放出材料４を配置すべき領域（１００μｍ角）の開口部を陰極電極３上に形成し、開口部のＣｒを硝酸セリウム系のエッチング液で取り除いた。
Next, using the patterned photoresist as a mask, an opening of a region (100 μm square) in which the
レジストを剥離した後、Ｐｄ錯体にイソプロピルアルコール等を加えた錯体溶液を、スピンコートにて基板全体に塗布した。 After removing the resist, a complex solution in which isopropyl alcohol or the like was added to the Pd complex was applied to the entire substrate by spin coating.
塗布後、大気中３００℃で熱処理を行い、酸化パラジウム５１を約１０ｎｍの厚さに形成した後、Ｃｒを硝酸セリウム系のエッチング液にて取り除いた（図５（ｂ））。
After coating, heat treatment was performed at 300 ° C. in the atmosphere to form
（工程３）
基板を２００℃に加熱し、大気を排気後、窒素で希釈した２％水素気流中で熱処理を行った。この段階で陰極電極３表面には、直径が約３〜１０ｎｍの粒子５２が形成された。この時の粒子の密度は約１０11〜１０12個／ｃｍ2と見積もられた（図５（ｃ））。
(Process 3)
The substrate was heated to 200 ° C., the air was exhausted, and heat treatment was performed in a 2% hydrogen stream diluted with nitrogen. At this stage,
（工程４）
続いて、窒素希釈した０．１％エチレン気流中で５００℃、１０分間加熱処理をした。これを走査電子顕微鏡で観察すると、Ｐｄ塗布領域に直径１０ｎｍ〜２５ｎｍ程度で、屈曲しながら繊維状に伸びた多数の繊維状カーボン４が形成されているのがわかった。この
とき繊維状カーボンの厚さは約５００ｎｍとなっていた（図５（ｄ））。
(Process 4)
Subsequently, heat treatment was performed at 500 ° C. for 10 minutes in a 0.1% ethylene stream diluted with nitrogen. When this was observed with a scanning electron microscope, it was found that a large number of
本素子を図６に示すような真空装置６０に設置し、真空排気装置６２によって２×１０-5Ｐａに到達するまで十分に排気した、図６に示したよう素子からＨ＝２ｍｍ離れた陽極（アノード）６１に、陽極（アノード）電圧としてＶａ＝１０ＫＶ印加した。このとき素子には駆動電圧Ｖｆ＝２０Ｖからなるパルス電圧を印加して流れる素子電流Ｉｆと電子放出電流Ｉｅを計測した。
This element was installed in a
素子のＩｆ、Ｉｅ特性は図７に示すような特性であった。すなわち印加電圧の約半分からＩｅが急激に増加し、Ｖｆが１５Ｖでは約１μＡの電子放出電流Ｉｅが測定された。一方ＩｆはＩｅの特性に類似していたが、その値はＩｅと比較して一桁以上小さな値であった。 The If and Ie characteristics of the device were as shown in FIG. That is, Ie increased rapidly from about half of the applied voltage, and an electron emission current Ie of about 1 μA was measured when Vf was 15V. On the other hand, If was similar to the characteristics of Ie, but its value was one or more orders of magnitude smaller than Ie.
得られたビームはＹ方向に細長く、Ｘ方向に短い、略矩形形状であった。Ｖｆ１５Ｖ固定とアノード間距離Ｈ２ｍｍ固定を一定に保ち、アノード電圧を５ＫＶ、１０ＫＶ、電極２、３間のギャップを１μｍ、５μｍにした時のビーム幅を測定したところ表１のようになった。
The resulting beam was substantially rectangular, elongated in the Y direction and short in the X direction. Table 1 shows the beam width measured when Vf15V fixed and anode distance H2 mm fixed are kept constant, the anode voltage is 5 KV, 10 KV, and the gap between the
ここで、駆動に必要な電界は繊維状カーボンの成長条件を変えることで変化させることが可能であった。特に酸化パラジウムを還元処理して出来るＰｄの平均粒径が、その後の成長で出来る繊維状カーボンの直径と関連している。Ｐｄの平均直径は塗布するＰｄ錯体のＰｄ濃度とスピンコートの回転数で制御することが可能であった。 Here, the electric field required for driving could be changed by changing the growth conditions of the fibrous carbon. In particular, the average particle diameter of Pd formed by reducing palladium oxide is related to the diameter of fibrous carbon formed by subsequent growth. The average diameter of Pd could be controlled by the Pd concentration of the Pd complex to be applied and the rotation speed of the spin coat.
この素子の繊維状カーボンを透過型電子顕微鏡で観察したところ、図１２の右に示すように、グラフェンがファイバーの軸方向に積層された構造であった。グラフェンの積層間隔（Ｚ軸方向）は温度が低い５００℃程度では不鮮明であり、その間隔が０．４ｎｍであったが、温度が高くなればなるほど、格子間隔が鮮明となり、７００℃では０．３４ｎｍとなりグラファイト０．３３５ｎｍに近い値となった。 When the fibrous carbon of this element was observed with a transmission electron microscope, it was a structure in which graphene was laminated in the axial direction of the fiber, as shown on the right side of FIG. The graphene stacking interval (Z-axis direction) was unclear at a low temperature of about 500 ° C., and the interval was 0.4 nm. However, the higher the temperature, the clearer the lattice interval, and at 700 ° C. The value was 34 nm, which was close to 0.335 nm of graphite.
（実施例２）
第二の実施例を図２に示す。
(Example 2)
A second embodiment is shown in FIG.
本実施例では第一の実施例における陰極電極３の厚さを５００ｎｍ、繊維状カーボンからなる電子放出材料４の厚さを１００ｎｍに形成した以外は実施例１と同様にして電子放出素子の作製を行い、Ｉｆ、Ｉｅの計測を行った。
In this example, the electron-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the
本素子構成により、陰極電極３を厚くすることで、電子放出位置をゲート電極から見て
、確実に高い位置（アノード側）にすることが出来た。この構成によって、電子がゲートに衝突する軌道が減少し、効率の低下や、ビーム径の増大を招く現象を防ぐことができた。
With this device configuration, by increasing the thickness of the
この結果、本素子構成においても、Ｖｆが２０Ｖでは約１μＡの電子放出電流Ｉｅが測定された。一方ＩｆはＩｅの特性に類似していたが、その値はＩｅと比較して二桁小さな値であった。 As a result, also in this device configuration, an electron emission current Ie of about 1 μA was measured when Vf was 20V. On the other hand, If was similar to the characteristics of Ie, but its value was two orders of magnitude smaller than Ie.
この時のビーム径もほぼ表１と同じであった。 The beam diameter at this time was also almost the same as in Table 1.
（実施例３）
第三の実施例を図３に示す。
(Example 3)
A third embodiment is shown in FIG.
本実施例では第一の実施例における工程２において酸化パラジウム５１を陰極電極３上および電極２，３間のギャップ内に配置した。ギャップ内の酸化Ｐｄは、ギャップのほぼ中間位置まで配置した。工程２以外は実施例１と同じである。
In this example,
本素子では実施例１と比較してギャップ間距離が小さい分、電界が約２倍程度強い。このため駆動の電圧は８Ｖ程度まで低下させることが可能となった。 In this element, the electric field is about twice as strong as the distance between the gaps compared to Example 1. For this reason, the driving voltage can be lowered to about 8V.
（実施例４）
第四の実施例を図４にしめす。本実施例では実施例１で述べた工程１と工程２を以下に示すように変更した。
Example 4
A fourth embodiment is shown in FIG. In this example,
（工程１）
基板１に石英基板を用い、十分洗浄を行った後、陰極電極３としてスパッタ法により厚さ５ｎｍのＴｉ及び厚さ３０ｎｍのポリＳｉ（砒素ドープ）を連続的に蒸着を行なった。
(Process 1)
A quartz substrate was used as the
次に、フォトリソグラフィー工程で、ポジ型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリアント社製）を用いてレジストパターンを形成した。 Next, a resist pattern was formed by using a positive photoresist (AZ1500 / manufactured by Clariant) in a photolithography process.
次に、パターニングした前記フォトレジストをマスクとしてポリＳｉ層、Ｔｉ層をＣＦ4を用いてドライエッチングを行い陰極電極３を形成した。
Next, using the patterned photoresist as a mask, the poly-Si layer and the Ti layer were dry-etched using CF 4 to form the
次に、陰極電極をマスクとして用い、フッ酸とフッ化アンモニウムからなる混酸を用いて、約５００ｎｍの深さ、石英基板をエッチングした。 Next, the quartz substrate was etched to a depth of about 500 nm by using a cathode electrode as a mask and a mixed acid composed of hydrofluoric acid and ammonium fluoride.
続いて、ゲート電極２として再びスパッタ法により厚さ５ｎｍのＴｉ及び厚さ３０ｎｍのＰｔを連続的に蒸着を行なった。陰極電極のフォトレジストを剥離後、再びポジ型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリアント社製）を用いてゲート電極形状を形成するためのレジストパターンを形成した。
Subsequently, as the
次に、パターニングした前記フォトレジストをマスクとしてＰｔ層、Ｔｉ層をＡｒを用いてドライエッチングを行い、電極間に形成された段差がギャップとして作用するように電極２を形成した。
Next, dry etching was performed using the patterned photoresist as a mask and a Pt layer and a Ti layer using Ar, and an
次に、レジストパターンを陰極上に形成して、直進性の良い抵抗加熱蒸着でＮｉ膜を約５ｎｍの厚さに形成し、その後酸化処理を３５０℃で３０分行った。 Next, a resist pattern was formed on the cathode, a Ni film was formed to a thickness of about 5 nm by resistance heating vapor deposition with good straightness, and then an oxidation treatment was performed at 350 ° C. for 30 minutes.
この工程以降は、実施例１と同じ工程であった。 The subsequent steps were the same as those in Example 1.
本素子構成により、より微細なギャップを作ることが可能となり、約６Ｖ程度から電子放出させることができるようになった。 With this device configuration, a finer gap can be formed, and electrons can be emitted from about 6V.
また、電子放出材料４の高さ（膜厚）がゲート電極の高さに比べて高いことに起因して、電子放出材料４の上部からだけでなく中間位置からも電子が出ることで、ゲート電極に電子が衝突し、効率の低下や、ビーム径の増大を防ぐことができた。
Further, due to the fact that the height (film thickness) of the
（実施例５）
実施例１で作成した電子放出素子を複数配して得られる電子源ならびに該電子源を用いた画像形成装置について、図８、９、１０を用いて説明する。図８において、８１は電子源基体、８２はＸ方向配線、８３はＹ方向配線である。８４は本発明の電子放出素子、８５は結線である。
(Example 5)
An electron source obtained by arranging a plurality of electron-emitting devices prepared in Example 1 and an image forming apparatus using the electron source will be described with reference to FIGS. In FIG. 8, 81 is an electron source substrate, 82 is an X direction wiring, and 83 is a Y direction wiring. 84 is an electron-emitting device of the present invention, and 85 is a connection.
複数配置したことに伴う素子の容量が増大すると、図８に示すマトリクス配線した電子源においては、パルス幅変調に伴う短いパルスを加えても容量成分により波形がなまり、期待した階調が取れないなどの問題が生じる。このため本実施例では電子放出部の脇に、層間絶縁層を配し、電子放出部以外での容量性分の増加を低減する構造を採用した。 When the capacitance of an element increases due to the arrangement of a plurality of elements, in the matrix-wired electron source shown in FIG. 8, even if a short pulse accompanying pulse width modulation is applied, the waveform becomes distorted due to the capacitance component, and the expected gradation cannot be obtained. Problems arise. For this reason, in this embodiment, a structure is adopted in which an interlayer insulating layer is disposed beside the electron emission portion to reduce the increase in capacitive component other than the electron emission portion.
図８においてｍ本のＸ方向配線８２はＤＸ1，ＤＸ2，．．ＤＸmからなり，蒸着法にて
形成された厚さ約１μｍ、幅３００μｍのアルミニウム系配線材料で構成されている。配線の材料、膜厚、巾は、適宜設計される。Ｙ方向配線８３は厚さ０．５μｍ、幅１００μｍ，ＤＹ1，ＤＹ2．．ＤＹnのｎ本の配線よりなり，Ｘ方向配線８２と同様に形成される
。これらｍ本のＸ方向配線８２とｎ本のＹ方向配線８３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している（ｍ，ｎは，共に正の整数）。
In FIG. 8, m X-direction wirings 82 are DX 1 , DX 2 ,. . It consists DX m, a thickness of about 1μm formed by vapor deposition method, and a aluminum-based wiring material having a width 300 [mu] m. The material, film thickness, and width of the wiring are appropriately designed. The Y-
不図示の層間絶縁層は，スパッタ法等を用いて厚さ約０．８μｍのＳｉＯ2で構成され
た。Ｘ方向配線８２を形成した基体８１の全面或は一部に所望の形状で形成され，特に，Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３の交差部の電位差に耐え得るように，層間絶縁層の厚さが決められた。Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３は，それぞれ外部端子として引き出されている。
An interlayer insulating layer (not shown) was made of SiO 2 having a thickness of about 0.8 μm by using a sputtering method or the like. It is formed in a desired shape on the entire surface or a part of the base 81 on which the
本発明の電子放出素子８４を構成する一対の電極（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線８２とｎ本のＹ方向配線８３と導電性金属等からなる結線８５によって電気的に接続されている。
A pair of electrodes (not shown) constituting the electron-emitting
Ｘ方向配線８２には、Ｘ方向に配列した本発明の電子放出素子８４の行を、選択するための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方向配線８３には、Ｙ方向に配列した本発明の電子放出素子８４の各列を入力信号に応じて、変調するための不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。本発明においてはＹ方向配線８３は実施例１で示した素子のゲート電極２に接続され、Ｘ方向配線は素子のカソード電極３に接続された。このように接続することで、本発明の特徴である、ビームの収束効果が得られた。
A scanning signal applying means (not shown) for applying a scanning signal for selecting a row of the electron-emitting
上記構成においては、単純なマトリクス配線を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とすることができる。 In the above configuration, individual elements can be selected and driven independently using a simple matrix wiring.
このような単純マトリクス配置の電子源を用いて構成した画像形成装置について、図９を用いて説明する。図９は、画像形成装置の表示パネルを示す図である。 An image forming apparatus configured using such a simple matrix electron source will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating a display panel of the image forming apparatus.
図９において、８１は図８で説明した電子放出素子を複数配した電子源を有する基体であり、９１は電子源基体８１を固定したリアプレート、９６はガラス基体９３の内面に蛍光膜９４とメタルバック９５等が形成されたフェースプレートである。９２は、支持枠であり該支持枠９２には、リアプレート９１、フェースプレート９６がフリットガラス等を用いて接続されている。９８は外囲器であり、真空中で、４５０度の温度範囲で１０分焼成することで、封着して構成される。電子放出素子８４は、図９における電子放出部に相当する。８２、８３は、本発明の電子放出素子の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線及びＹ方向配線である。
In FIG. 9, 81 is a substrate having an electron source in which a plurality of electron-emitting devices described in FIG. 8 are arranged, 91 is a rear plate to which the
外囲器９７は、上述の如く、フェースプレート９６、支持枠９２、リアプレート９１で構成される。一方、フェースプレート９６、リアプレート９１間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器９８を構成した。
The
メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれる。）を行い、その後Ａｌを真空蒸着等を用いて堆積させることで作られた。 The metal back was made by performing a smoothing process (usually called “filming”) on the inner surface of the phosphor film after the phosphor film was fabricated, and then depositing Al using vacuum evaporation or the like.
フェースプレート９６には、更に蛍光膜９４の導電性を高めるため、蛍光膜９４の外面側に透明電極（不図示）を設けた。
The
走査回路１０２について説明する。同回路は、内部にＭ個のスイッチング素子を備えたもので（図中，Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）ある。各スイッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０［Ｖ］（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表示パネル１０１の端子Ｄｘ１ないしＤｘｍと電気的に接続される。Ｓ１乃至Ｓｍの各スイッチング素子は、制御回路１０３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて動作するものであり、例えばＦＥＴのようなスイッチング素子を組み合わせることにより構成することができる。
The
直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には本発明の電子電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよう設定されている。 In the case of this example, the DC voltage source Vx has a driving voltage applied to an element not scanned based on the characteristics (electron emission threshold voltage) of the electron electron emission element of the present invention below the electron emission threshold voltage. Is set to output a constant voltage.
制御回路１０３は、外部より入力する画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作を整合させる機能を有する。制御回路１０３は、同期信号分離回路１０６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに基づいて、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓｆｔおよびＴｍｒｙの各制御信号を発生する。
The
同期信号分離回路１０６は、外部から入力されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度信号成分とを分離する為の回路で、一般的な周波数分離（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期信号分離回路１０６により分離された同期信号は、垂直同期信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と表した。該ＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ１０４に入力される。
The synchronization
シフトレジスタ１０４は、時系列的にシリアルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制御回路１０３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて動作する（即ち、制御信号Ｔｓｆｔは，シフトレジスタ１０４のシフトクロックであるということもできる。）。シリアル／パラレル変換された
画像１ライン分（電子放出素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータは、Ｉｄ１乃至ＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフトレジスタ１０４より出力される。
The
ラインメモリ１０５は、画像１ライン分のデータを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であり、制御回路１１３より送られる制御信号Ｔｍｒｙに従って適宜Ｉｄ１乃至Ｉｄｎの内容を記憶する。記憶された内容は、Ｉ’ｄ１乃至Ｉ’ｄｎとして出力され、変調信号発生器１０７に入力される。
The
変調信号発生器１０７は、画像データＩ’ｄ１乃至Ｉ’ｄｎの各々に応じて本発明の電子電子放出素子の各々を適切に駆動変調する為の信号源であり、その出力信号は、端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて表示パネル１１１内の本発明の電子電子放出素子に印加される。
The
前述したように、本発明を適用可能な電子放出素子は放出電流Ｉｅに対して以下の基本特性を有している。即ち、電子放出には明確なしきい値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。電子放出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化する。このことから、本素子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力される。その際、パルスの波高値Ｖｍを変化させる事により出力電子ビームの強度を制御することが可能である。また、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力される電子ビームの電荷の総量を制御することが可能である。 As described above, the electron-emitting device to which the present invention can be applied has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie. That is, there is a clear threshold voltage Vth for electron emission, and electron emission occurs only when a voltage equal to or higher than Vth is applied. For voltages above the electron emission threshold, the emission current also changes with changes in the voltage applied to the device. For this reason, when a pulsed voltage is applied to the device, for example, electron emission does not occur even when a voltage lower than the electron emission threshold is applied, but when a voltage higher than the electron emission threshold is applied, the electron beam is not Is output. At that time, the intensity of the output electron beam can be controlled by changing the pulse peak value Vm. Further, it is possible to control the total amount of charges of the output electron beam by changing the pulse width Pw.
従って、入力信号に応じて、電子放出素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際しては、変調信号発生器１０７として、一定長さの電圧パルスを発生し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いることができる。
Therefore, a voltage modulation method, a pulse width modulation method, or the like can be adopted as a method for modulating the electron-emitting device in accordance with the input signal. When implementing the voltage modulation method, a voltage modulation method circuit that generates a voltage pulse of a certain length and modulates the peak value of the pulse as appropriate according to the input data is used as the
パルス幅変調方式を実施するに際しては、変調信号発生器１０７として、一定の波高値の電圧パルスを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いることができる。
When implementing the pulse width modulation method, the
シフトレジスタ１０４やラインメモリ１０５は、デジタル信号式を用いた。
The
本実施例では、変調信号発生器１０７には、例えばＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付加する。パルス幅変調方式の場合、変調信号発生器１０７には、例えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数する計数器（カウンタ）及び計数器の出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み合わせた回路を用いた。
In this embodiment, for example, a D / A conversion circuit is used as the
ここで述べた画像形成装置の構成は、本発明を適用可能な画像形成装置の一例であり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号については、ＮＴＳＣ方式を挙げたが入力信号はこれに限られるものではなく、ＰＡＬ，ＳＥＣＡＭ方式など他、これよりも、多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、ＭＵＳＥ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用できる。 The configuration of the image forming apparatus described here is an example of an image forming apparatus to which the present invention can be applied, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention. As for the input signal, the NTSC system is mentioned, but the input signal is not limited to this, and other than this, the PAL, SECAM system, and the like, the TV signal (for example, the MUSE system including a number of scanning lines) is included. High-definition TV) can also be adopted.
本実施例で作成した画像表示装置を用いて画像を表示させたところ、高輝度で、高精細な画像を長期にわたり安定に表示することができた。 When an image was displayed using the image display device created in this example, a high-brightness and high-definition image could be stably displayed over a long period of time.
１ 基板
２ ゲート電極
３ 電極
４ 電子放出材料
６１ アノード
８１ 電子源基体
８４ 電子放出素子
DESCRIPTION OF
Claims (5)
表面に触媒を備えたカソード電極と、該カソード電極と離れて設けられたゲート電極とを、その表面に備える絶縁性の基体を用意する工程と、
前記触媒を用いた加熱処理による炭化水素ガスの分解によって、炭素を主成分とするファイバーとして、ファイバーの軸方向に対して非平行な複数のグラフェンが前記軸方向に積層されている形態のファイバーを、アノード電極までの距離が前記ゲート電極から前記アノード電極までの距離よりも小さくなる部分を有するように、前記カソード電極上に形成する工程と、
を備えていることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 Comprising an electron-emitting device is arranged opposite to the anode electrode, a cathode electrode and a gate electrode provided on the surface of the substrate, and the fiber containing carbon as a main component provided on the cathode electrode, the A method for manufacturing an electron-emitting device, comprising:
A step of preparing an insulating base provided on the surface of a cathode electrode provided with a catalyst on the surface and a gate electrode provided apart from the cathode electrode;
By decomposing hydrocarbon gas by heat treatment using the catalyst, a fiber having a form in which a plurality of graphenes non-parallel to the axial direction of the fiber are laminated in the axial direction as a fiber mainly composed of carbon. , as the distance to the anode electrode has a smaller section than the distance to the anode electrode from the gate electrode, and forming on the cathode electrode,
A method for manufacturing an electron-emitting device, comprising:
前記電子放出素子が請求項１乃至４のいずれか１項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
A method for manufacturing an image display device, comprising: an electron source including a plurality of electron-emitting devices; and an anode electrode including a light-emitting member that emits light when irradiated with electrons emitted from the electron source.
A method for manufacturing an image display device, wherein the electron-emitting device is manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
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