JP3879425B2 - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機半導体膜を用いたディスプレイ、表示光源などに用いられる電気的発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子およびその製造に適した薄膜パターニング基板の形成技術に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
近年液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子の開発が加速している。有機物を用いた有機ＥＬ素子としては、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）、２１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７の９１３ページから示されているように低分子を蒸着法で成膜する方法と、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１）、７ Ｊｕｌｙ １９９７の３４ページから示されているように高分子を塗布する方法が主に報告されている。
【０００３】
カラー化の手段としては低分子系材料の場合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画素上に蒸着し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料については、微細かつ容易にパターニングができることからインクジェット法を用いたカラー化が注目されている。インクジェット法による有機ＥＬ素子の形成としては以下の公知例が知られている。特開平７−２３５３７８、特開平１０−１２３７７、特開平１０−１５３９６７、特開平１１−４０３５８、特開平１１−５４２７０、特開平１１−３３９９５７である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
塗布により同一基板上に特性の異なる薄膜をパターン形成しうるインクジェット方式は、基板上で異なる薄膜材料が混合するために、吐出された液体材料が隣接する画素に流出する等の問題が生じる。
【０００５】
このような問題に対して、通常、異なる薄膜領域を仕切る凸状の仕切部材（「バンク」または凸部ともよばれる）を設け、前記仕切部材で囲まれた領域に異なる薄膜となる液体材料を充填する方法が採られている。仕切部材（以下バンクと称する）の表面特性と前記バンクで囲まれた領域の表面特性、具体的には薄膜材料液（以下インクと称する）に対する親和性に差を生じせしめることにより液体材料の充填が制御されている。
【０００６】
バンクの表面がインクに対し親和性（親水性）を示すと、バンクの高さを超える量の材料を充填した場合に、バンクがあってもインクは容易に隣接するバンクで囲まれた領域に流出してしまう。逆にバンクの表面がインクに対し適度に非親和性（撥インク性）を示すと、バンクの高さを超える量の材料を充填しても材料の表面張力により隣のバンクで囲まれた領域にインクが流れ出すことはない。
【０００７】
また、バンクの撥インク性が強い場合、バンクの側壁で薄膜材料の液がはじかれるため、成膜後の厚みがバンクで囲まれた領域の中央部で厚く周辺部で薄くなる。これでは、表示素子に画素での色むらが生じる。特に、ＥＬ素子においてはショートが生じ易く信頼性の低下につながる。
【０００８】
バンクの表面に撥インク処理を施して、その側面、より望むべきはバンクの下方の層に親和性（親インク性）を付与した場合には、薄膜材料を提供して成膜後の厚みがバンクで囲まれた領域の周辺で薄くなることはないが、インクがバンクの側面に引っ張られるため、薄膜の裾部分、即ち、基板と接する部分で膜厚がより大きくなり、素子としての信頼性が向上する。
【０００９】
バンクの上部の層を構成する物質表面のインクに対する親和性（濡れ性）の改質とは、主に表面自由エネルギーの制御により行われ、インクが表面自由エネルギーの高い液体、例えば、多くの水溶液の場合、表面自由エネルギーの高い材料に対するインクの濡れ性は高くなる。
【００１０】
現在、前述した機能を備えた、一般的に用いられているバンク構造は二層のバンク構造（バンク下層とバンク上層の二層）である。具体的には、無機材料の上に有機材料を積層したバンク構造が用いられており、インクに対して親和性を高める表面処理を無機材料に施し、一方、上の有機材料に親和性を下げる処理を施すことによりインクをバンクで囲まれた領域に供給し、薄膜を形成している。この二層構造は撥インク性および親インク性を、プラズマ処理により一括で表面に付与できる利便性から用いられており、以下に説明する。
【００１１】
有機物質の表面改質に対しては、プラズマ処理を行うことがよく知られており、例えば、特開昭６３−３０８９２０号公報に記載されているものがある。この公報に記載された表面改質方法は、フッ素系ガスと酸素ガスを含む混合ガスプラズマを用いて有機物質表面を処理し、前記混合ガスの混合比を変えることにより、前記有機物質の表面自由エネルギーを制御するものである。
【００１２】
また、バンク下層を構成するガラスやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの無機物表面を親水化するためにＵＶ照射や酸素プラズマ処理をする方法も良く知られた手法である。
【００１３】
しかしながら、同一基板上に有機物或いは無機物からなる層のパターンを設けて、混合ガスプラズマ処理により有機物質表面、あるいは有機物で形成される部材表面に撥インク性を付与する方法では、効率よく撥インク性を付与することができなかったり、表面の撥インク性が一過性であり、熱工程を経たり、時間が経過すると撥インク性が劣化するという問題がある。
【００１４】
そこで、二層構造のバンクが形成されている基板に対し、ほぼ全面に一律に酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマの連続処理を行う方法が採られ、この一連の工程を経ることにより、バンクの下層は親インク性の表面特性を持ちながら、バンク上層における有機材料に安定な撥インク性を持たせることが可能となり、従来の工程においては二層構造が用いられてきた。
【００１５】
図７は従来の手法による有機EL素子の製造に際しての模式断面図である。
【００１６】
図７（Ａ）参照
従来の有機EL素子の製造方法を説明するに際して、図６（Ａ）は有機EL素子の透明画素電極間を分離するバンクの下層を形成する工程を示したものである。
【００１７】
画素電極２を有する、支持体であると同時に光を取り出す面として機能する透明基板１上に、例えばバンク形成面３が画素電極のＩＴＯ等により形成されている場合、絶縁膜として一般的なシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜、アモルファスシリコンを材料として、下層膜５が周知の成膜プロセスとエッチングプロセスを用いて形成される。
【００１８】
上層形成工程（図７Ｂ）：次いで、上記下層膜５の上にポリイミド等の有機材料からなる層を塗布成膜し、リソグラフィ法を利用してバンク上層６を形成する。
【００１９】
表面処理工程（図７Ｄ）：次に、 基板表面に対し酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマ処理の連続処理を行って、例えば、ＩＴＯやＳｉＯ２により構成されるバンクに囲まれた領域４と下層膜５および、有機材料により構成されるバンク上層６の薄膜材料液に対する親和性を調整し、親和性の程度を、「バンクに囲まれた領域＞＝バンク下層表面＞バンク上層表面」という順番になるように表面処理する。
【００２０】
薄膜形成工程（図７Ｅ，７Ｆ）： 次に、バンク下層５および上層６で囲まれた凹部、つまりバンクで囲まれた領域４とバンク下層５の側面に対して、薄膜材料液７を充填して薄膜層を形成し、充填に次いで加熱処理等により溶媒成分を蒸発させて薄膜層８を形成する。
【００２１】
上記の方法では、素子の信頼性を高めることを目的とした場合、上部の電極とのショートを防ぐためにはバンク上層６をバンク下層５の上にバンク下層よりも小さなサイズで形成する必要性がある。この理由として、撥インク性の高いバンク上層６の側壁をバンク下層５よりも一回り小さくすることにより、液滴がはじかれてむらが生じ、最終的な薄膜層８の周辺部部分が薄くなる可能性を低くするためである。
【００２２】
このためには、従来のフォトリソグラフィー技術を多用する必要性があり、工程数の増加によりコストの面でも時間的な面でも無駄が多い。
【００２３】
また、上記手法ではバンクの表面改質に、酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマの連続処理を用いており、過度のプラズマ照射は基板表面のダメージ、特に電極の表面酸化を招く恐れがある。
【００２４】
また、プラズマ処理によってバンク上層の６表面とバンク下層５の表面、およびバンクに囲まれた領域４の表面のインクに対する親和性の順番を「バンクで囲まれた領域＞＝バンク下層表面＞バンク上層表面」と調整しているが、バンク下層５、バンク上層６の材料選択に制約が大きい。
【００２５】
この制約が大きいとは、第1にバンク上層６とバンク下層５の密着性に関する材料の制約、第２に、バンク下層５およびバンク上層６のプラズマ処理による表面自由エネルギー変化に関する材料の制約、第３にプラズマ処理後の表面自由エネルギー変化の保持力に関する材料の制約などが挙げられる。
【００２６】
一方、プラズマ処理を用いない、転写を用いた従来の表面処理技術として、マイクロコンタクトプリンティング（μCP）技術を挙げることができ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．３７、Ｎｏ．１８ １９９８の５５０ページから示されている方法や、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｂ １０２、Ｎｏ．１８ １９９８の３３２４ページから示されている方法のように、スタンプ（原板）のパターン形状を基板に転写する表面処理技術が報告されている。
【００２７】
このような方法は、平坦な基板の表面処理を目的としているために、表面処理剤を含むインク組成物のパターンをスタンプの凹凸形状に対応して平坦な基板へ転写する方法であることから、今回我々が発明した凹凸のある基板の表面処理とは異なっている。
【００２８】
本発明はこのような状況下で、成し遂げられたものである。
【００２９】
本発明の目的は、従来の手法で保証されていたインクがバンクを超えて流れ出るという事態を防止するためのバンクとしての機能を損なわず、前述した従来の手法にける工程数の増加、プラズマ処理工程を経ることによるダメージの懸念、バンクを形成するための材質に対する制約などの問題を解決し、簡便かつ適切な濡れ性の制御を目的とした基板の表面処理方法、およびこの表面処理方法を利用して平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜を高精度かつ微細に形成する方法、並びにこの薄膜を備えた歩留まりの良い有機半導体素子の製造方法を提供することである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下記（１）〜（７）の有機ＥＬ素子の製造方法が提供される。
【００３１】
（１）所定の高さのバンクおよび前記バンクに区切られた被塗布領域が形成された基板に、正孔注入層と発光層を、陽極および陰極で挟持した構造の有機EL素子の製造方法であって、
前記基板に対して、撥インク処理を施すための表面処理剤を吸収または表面に付着させた原板を接触させることにより、前記表面処理剤の一部を転写し、前記バンクの表面の一部に対して撥インク性を付与する工程と、前記工程により撥インク性を付与されなかった領域に対して正孔注入層と発光層を形成するため材料を含むインク組成物を塗布する工程と、を有することを特徴とする。
【００３２】
本発明においては、バンクの表面の一部に撥インク性を付与するための原板は、表面処理剤を吸収または表面に付着させており、薄膜パターニング基板のバンク表面の一部に接触することによって原板からバンク表面の一部に転写される。
【００３３】
転写された表面処理剤の効果によりバンク表面の撥インク性が高まり、この撥インク性は半永久的に保持される。転写を用いた表面処理はプロセスによるダメージが少なく、基板に対する処理を一括して行うことができるためプラズマ処理が不要となり、そのためにバンクの材質に関する制約も軽減される。また、装置が小型で作業時間も短時間で行うことができる。さらに、表面処理剤を吸収した原板は再利用することができるため、コスト的にも有利である。
かかる方法により、簡便な方法で、短時間に、低コストで、プラズマ連続処理による従来の撥インク性処理方法にくらべて、はるかに多種のバンク材料を用いて撥インク性を有する薄膜パターニング基板を形成することができる。つまり、本発明はバンクに撥インク性を付与する処理として適している。
【００３４】
なお、本発明において表面処理剤を転写するための原板は平坦であっても、バンクの形状に対して合わせてパターン構造を有していてもよい。
【００３５】
（２）バンクに区切られた被塗布領域が親インク性を有し、接触角が３０°以下であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
本発明の当該（２）条件により、平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜層を形成することができる。
【００３６】
インクが基板に対して供給された場合、インクは流動体であるため親和力の高い領域により高い確率でとどまる。したがって、本発明では被塗布領域はインクに対して親和性が高く、インク液滴が接触角３０°以下を示すような条件で材料を設定する。材質の設定は、流動体であるインクに対する親和性はインクが極性の高い流動体であれば、極性の高い表面自由エネルギーをもつ材質を、インクが極性の低い流動体であれば極性の低い部材で被塗布領域に形成することにより条件設定される。しかしながら、通常画素電極を含むので、極性溶媒を極性の高い被塗布領域に供給する。
【００３７】
（３）バンクを形成する材料のインクに対する接触角が２０°〜５０°であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００３８】
本発明当該（３）の条件により、被塗布領域の裾部分、即ち、インクがバンクと接する部分で十分な膜厚が得られるため、ＥＬ素子の周辺部におけるショートを防ぐことによる信頼性の向上につながる。
【００３９】
条件（２）で前述したように、インクは被塗布領域に滞在し、その後乾燥することにより薄膜層を形成するが、EL素子のショートを防ぐために、バンクを形成する部材はインクをはじきすぎないように、インクに対して２０~５０°の接触角を示すような材料に条件設定する。
【００４０】
（４）前記撥インク性を付与する工程により、前記バンクの上面の撥インク性が接触角において５０°以上であるようにしたことを特徴とする（１）の有機EL素子の製造方法。
【００４１】
当該（４）の条件により、異なる発光層が混合することなく、多色で且つ高精細の有機ＥＬ素子を容易に得ることができる。
【００４２】
（５）バンク表面の少なくともバンク上面に対して撥インク性を付与する工程において、バンクの少なくとも表面の一部が有機物あるいは無機物の酸化物の層で形成され、バンク表面に転写される前記撥インク処理剤がフッ素系のシランカップリング剤であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００４３】
当該（５）の方法により、バンク表面の少なくともバンク上面の一部において所望の撥インク性をもった領域を形成することができる。
【００４４】
（６）インク組成物を塗布する工程が、ディップ法またはスピンコート法であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
当該（６）の方法により、簡便にインクを被塗布領域に対して塗布することができる。
【００４５】
（７）請求項１記載のインク組成物を塗布する工程が、インクジェット法であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００４６】
当該（７）の方法により、複数の画素を有する素子を形成する場合に、簡便にインクを被塗布領域に対して塗布することができる。
本発明によれば、上記の方法により得られた、高性能のＥＬ素子が提供される
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００４８】
インクジェット方式による有機ＥＬ素子の製造方法とは、素子を構成する正孔注入／輸送材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させたインク組成物を、インクジェットヘッドから吐出させて透明電極基板上にパターニング塗布し、正孔注入／輸送層ならびに発光材層をパターン形成する方法である。
【００４９】
図１（A）はインクジェット方式による有機ＥＬ素子の製造に用いられる基板の断面図を示したものである。透明なガラス基板１０あるいはＴＦＴ付きの基板上に、例えば、ＩＴＯ等の透明画素電極１２がパターンニングされ、画素を隔てる領域に、例えば、ＳｉＯ２からなるバンク１５を設けた構造である。
バンク１５の形状つまり画素の開口形は、円形、楕円、四角、ストライプいずれの形状でも構わないが、インク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びているほうが好ましい。バンクによって囲まれた領域（以降、被塗布領域２０と称する）に対してインクジェット法によりＥＬ材料が成膜される。
【００５０】
図１（B）と（C）はバンク１５表面を撥インク性に処理するための表面処理剤４０の転写工程を示したものである。原板３０は基板１０を撥インク処理するために、少なくとも表面の一部に表面処理剤４０が塗布されている。原板３０を基板表面に接触させることにより、原板３０の表面に塗布されていた表面処理剤４０のうちの接触部分のみが、基板の側に転写される。
【００５１】
原板３０の形状は特に限定されるものでは無く、平面であっても、基板上のバンクの形状に対応した凹凸をもっていても構わないが、基板１０とのアライメントをとる必要性が無いことから、プロセスの簡略化のためには平面であることが好ましい。
【００５２】
（表面処理剤）
表面処理剤４０としては、例えば、分子の末端官能基が基板構成原子に選択的に化学的吸着することを特徴とする自己組織化化合物のシランカップリング剤（有機ケイ素化合物）を使用することができる。ここで、シランカップリング剤とは、Ｒ2nＳｉＸ4-n（ｎは自然数、Ｒ2はＨ、アルキル基等の置換可能な炭化水素基）で表される化合物であり、Ｘは−ＯＲ3、−ＣＯＯＨ、−ＯＯＣＲ3、−ＮＨ3-nＲ3ｎ、−ＯＣＮ、ハロゲン等である（Ｒ3はアルキル基等の置換可能な炭化水素基）。
【００５３】
シランカップリング剤は基板表面における水酸基に対して化学的に吸着することを特徴とするため、金属や絶縁体などの幅広い材料の酸化物表面に反応性を示すため、表面処理剤４０として好適に用いることができる。
これらシランカップリング剤の中で、特にＲ1やＲ3がＣnＦ2n+1ＣmＨ2m（ｎ、ｍは自然数）であるようなフッ素原子を有する化合物によって修飾された固体表面の表面自由エネルギーは２０ｍＪ／ｍ２よりも低くなり、極性を持った材料との親和性が小さくなるため、好適に用いられる。
【００５４】
転写された表面処理剤４０の膜はバンクのサイズに影響を与えないように、厚みは１０nm以下が好ましく、より好ましくは５nm以下の膜厚である。
【００５５】
（原板形成工程）
原板３０としては、基板１０との密着性を高めるために弾性体を用いるのが好ましい。例えば、前述したシランカップリング剤などを表面処理剤４０として用いる場合には、同じくシラン化合物であるポリジメチルシロキサン（PDMS）系の弾性体を挙げることができる。この高分子の構造式はSi（CH3）3−O−（Si（CH3）2O）n−Si（CH3）3で表される。nは正の整数。この材料を用いることによって成型された弾性体の表面に、表面処理剤４０を吸収または付着させることができる。
【００５６】
例えば、液体材料を反応させ弾性体を成型する場合の反応は、縮合型あるいは付加型いずれによってもよいが、０．５％程度の線収縮率を示す縮合型は高分子が反応する過程にガスを発生することから、線収縮率０．１％程度の付加型反応機構による弾性体材料を使用することが、パターンの精度上より好ましい。
【００５７】
図１（Ｂ）に示すように、表面処理剤４０を原板３０に吸収または付着させる手法としてスピンコート、ディッピング法などを用いることができ、その場合の表面処理剤４０は液体または溶媒に溶かした材料を使用する。
【００５８】
（表面処理剤の転写）
図１（Ｃ）に示すように、表面処理剤４０を塗布した原板３０を基板１０に対して接触させることにより、表面処理剤４０を転写する。基板表面にバンク１５による凹凸が形成されているため、バンク１５の上面に対して表面処理剤４０が転写される。
【００５９】
バンク表面の撥インク性を高めるために、転写の工程の後に、表面処理剤４０を基板１０に対して固定するための工程、具体的には加熱処理や反応性の蒸気にさらすなどの処理を用いることも好ましい。例えば、シランカップリング剤の場合、基板を高温に加熱する、あるいは室温で高湿度の環境下にさらすことにより反応が進行する。
【００６０】
本発明においては、表面修飾剤４０により撥インク処理されたバンクの上面の少なくとも一部（以下、修飾領域５０と呼ぶ）が、それ以外の非修飾領域５５に比べてインクに対する親和性の程度がより低くなるように、バンク１５および被塗布領域２０の基板材料を組み合わせるか、表面処理を施しておくことが好ましい。このような表面修飾剤４０による処理により、インクの修飾領域５０に対する接触角を５０°以上とし、また、ＥＬ素子の色むらやをショート防ぐために、被塗布領域２０のインクに対する接触角を３０°以下とすることが好ましい。このようにすることにより、薄膜層の厚さに比べて多量のインクを吐出しても、インクがバンクを乗り越えて溢れでることもなく、所定の領域のみインクが充填される。また、インクがバンクの側壁に適度に引っ張られることにより薄膜層の厚みが制御しやすくなることからバンク材質のインクに対する接触角を２０〜５０°とすることが好ましく、これにより薄膜層の色むらやショートを防ぐことができる。
【００６１】
図１（Ｄ）〜図２（Ｆ）において、インクジェット方式による正孔注入／輸送層７５＋発光層８５の積層構造を形成する工程を示す。
【００６２】
図１（Ｄ）および（Ｅ）において、正孔注入／輸送材料を含むインク組成物７０をインクジェットヘッド６０から吐出し、パターン塗布する。塗布後、溶媒除去および／または熱処理、あるいは窒素ガスなどのフローにより正孔注入／輸送層７５を形成する。
【００６３】
図２（Ｆ）および（Ｇ）に示すように、続いて発光材料を含むインク組成物８０を正孔注入／輸送層上に塗布し、溶媒除去および／または熱処理あるいは窒素ガスなどのフローにより発光層８５を形成する。
【００６４】
図２（Ｈ）に示すように、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｌｉ等の金属を用い、蒸着法およびスパッタ法等により陰極９０を形成する。さらに素子の保護を考え、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等により封止層９５を形成し、素子が出来上がる。
【００６５】
以下、実施例を参照して本発明を更に、具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００６６】
（実施例１）
図３に本実施例に用いた原板と基板を示す。
【００６７】
ＩＴＯの透明電極１１２がパターニングされたガラス基板１１０上にフォトリソグラフィーによりＳｉＯ２層をエッチングしてバンク１１５を形成したものである。バンク径（ＳｉＯ２の開口径）は２８μｍ、高さが２μｍである。バンクの開口は４４μｍである。これらの画素が７０．５μｍピッチで連続的に配置されている基板である。
【００６８】
バンクを構成するSiO2層は水に対して５０〜６０°の接触角を示す。
【００６９】
原板１３０の材料としてはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を用いて、付加型の反応機構により硬化する樹脂材料と硬化剤を混合することにより、室温２４時間放置によりパターンの無い平坦な原板１３０を形成した。パターンが無い平坦な原板を形成するための母型は平坦な面をもつものであればなんでも良く、特に限定されない。
【００７０】
原板１３０の上に、表面処理剤１４０としてシランカップリング剤のオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の溶液を塗布した。ＯＴＳは水と反応するため、ヘキサン溶媒に希釈し１０mMの溶媒とし、スピナーにより３０００rpm３０秒の回転により原板１３０に表面処理剤１４０を塗布した。
【００７１】
表面処理剤を塗布したＰＤＭＳの原板をガラス基板に密着させることによりガラス基板上のバンク上面に対してのみ表面処理剤であるＯＴＳの薄膜が形成された。転写されたＯＴＳにより表面が撥インク性に処理されたバンク表面は水に対し９０°以上の高い接触角を示す。
【００７２】
表面処理剤としてのＯＴＳを基板表面に反応させるために、１１０℃に加熱したオーブンで１０分間加熱処理した。
【００７３】
正孔注入／輸送層用インク組成物として表１に示したものを調製した。
【００７４】
【表１】
基板の表面処理後、表１に示した正孔注入／輸送層用のインク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド（エプソン社製ＭＪ−９３０Ｃ）から１５ｐｌ吐出しパターン塗布。真空中（１ｔｏｒｒ）、室温、２０分という条件で溶媒を除去した。続けて、同じ正孔注入／輸送層用インク組成物を１５ｐｌ吐出しパターン塗布した。真空中（１ｔｏｒｒ）、室温、２０分という条件で溶媒を除去し、大気中、２００℃（ホットプレート上）、１０分の熱処理により正孔注入／輸送を形成した。これにより、膜厚５０ｎｍの平坦な正孔注入／輸送層を得た。
【００７５】
発光層用インク組成物として、表２および表３に示したものを調製した。
【００７６】
【表２】
【００７７】
【表３】
表２に示した１％（ｗｔ／ｖｏｌ）濃度の発光層用インク組成物をインクジェットプリント装置のヘッド（エプソン社製ＭＪ−９３０Ｃ）から、Ｎ２ガスをフローしながら２０ｐｌ吐出しパターン製膜した。
【００７８】
次に、表３に示した１％（ｗｔ／ｖｏｌ）濃度の発光層用インク組成物を、Ｎ２ガスをフローしながら７０．５μｍ離れた隣の画素に２０ｐｌパターン塗布した。これらにより、青色および緑色発光層を得た。緑色発光層（表２の吐出製膜物）の蛍光スペクトルを図４に示す。
【００７９】
陰極として、Ｃａを蒸着で２０ｎｍ、Ａｌをスパッタで２００ｎｍで形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行った。
【００８０】
選られた素子は蛍光スペクトルに示した通り均一な緑色発光を示した。
【００８１】
（変形例１）
本発明に用いられる原板は平坦であることが望ましいが、バンクの形状によって原板に凹凸を形成することにより表面処理を行う領域を調整することが可能である。
【００８２】
図５に示すように、原板２１０の表面に凹凸を設けて、バンクの上面のサイズより小さな領域に対応する部分を凸部とするように原板を成型することもできる。この表面処理剤２４０が塗布された原板２３０をバンク上面の一部の修飾領域２５０に整合させて密着させることにより、修飾領域２５０だけを撥インク性に表面処理することができる。この原板を用いた場合、上面の周辺部分の撥インク性が高くないのでインクが周辺部分ではじかれることによって薄膜層の周辺部分が薄くなることが回避でき、結果として有機ＥＬ素子の信頼性が向上する。
【００８３】
（変形例２）
図６に示すように、バンクの部分を凹部とした形状の凹凸を有する原板３３０を用意することによって、バンクの上面とさらに側壁の一部を含む修飾領域３５０を撥インク性に表面処理することができる。前記修飾領域３５０で囲まれた非修飾領域３５５に対してインクが供給される。このとき、側面の表面処理される深さは、原板の凹凸の深さによって調節される。
【００８４】
このような原板３３０を用いて表面処理された基板３１０はバンク側面の途中まで高い撥インク特性を有しているためインクが画素の外側に流れ出す可能性が低くなる。
【００８５】
以上のように、本実施例によれば、表面修飾剤を塗布した原板を基板の凹凸に対して転写することにより、基板表面のバンクの上面の一部を撥インク性に処理することができる。これにより、プラズマ処理を行うことなく、基板の表面の親インク性を保持したままで、少なくともバンク上面の一部に半永久的な撥インク性を付与することができる。
【００８６】
続けてインクジェット法でＥＬ材料を供給しＥＬ素子を形成することで、簡便な方法で、短時間に、低コストで、ＥＬ素子を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関わる有機ＥＬ素子の製造工程を示す図。
【図２】本発明に関わる有機ＥＬ素子の製造工程を示す図。
【図３】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板および原板。
【図４】本発明に関わるインクジェット法で製膜された薄膜の蛍光スペクトル。
【図５】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板および原板の変形例１。
【図６】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板および原板の変形例２。
【図７】従来の方法による有機ＥＬ素子の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
１．透明基板
２．画素電極
３．バンク形成面
４．バンクに囲まれた領域
５．バンク下層
６．バンク上層
７．薄膜材料液
８．薄膜層
１０．基板
１２．透明画素電極
１５．バンク
２０．塗布領域
３０．原板
４０．表面処理剤
５０．修飾領域
５５．非修飾領域
６０．インクジェットヘッド
７０．正孔注入／輸送層を含むインク組成物
７５．正孔注入／輸送層
８０．発光層を含むインク組成物
８５．発光層
９０．陰極
９５．封止層
１１０．ガラス基板
１１２．ITO透明電極
１１５．バンク
１３０．原板
１４０．表面処理剤
２１０．基板
２１２．透明電極
２１５．バンク
２３０．原板
２４０．表面修飾剤
２５０．修飾領域
２５５．非修飾領域
３１０．基板
３１２．透明電極
３１５．バンク
３３０．原板
３４０．表面修飾剤
３５０．修飾領域
３５５.非修飾領域
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機半導体膜を用いたディスプレイ、表示光源などに用いられる電気的発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子およびその製造に適した薄膜パターニング基板の形成技術に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
近年液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして有機物を用いた発光素子の開発が加速している。有機物を用いた有機ＥＬ素子としては、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）、２１ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９８７の９１３ページから示されているように低分子を蒸着法で成膜する方法と、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７１（１）、７ Ｊｕｌｙ １９９７の３４ページから示されているように高分子を塗布する方法が主に報告されている。
【０００３】
カラー化の手段としては低分子系材料の場合、マスク越しに異なる発光材料を所望の画素上に蒸着し形成する方法が行われている。一方、高分子系材料については、微細かつ容易にパターニングができることからインクジェット法を用いたカラー化が注目されている。インクジェット法による有機ＥＬ素子の形成としては以下の公知例が知られている。特開平７−２３５３７８、特開平１０−１２３７７、特開平１０−１５３９６７、特開平１１−４０３５８、特開平１１−５４２７０、特開平１１−３３９９５７である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
塗布により同一基板上に特性の異なる薄膜をパターン形成しうるインクジェット方式は、基板上で異なる薄膜材料が混合するために、吐出された液体材料が隣接する画素に流出する等の問題が生じる。
【０００５】
このような問題に対して、通常、異なる薄膜領域を仕切る凸状の仕切部材（「バンク」または凸部ともよばれる）を設け、前記仕切部材で囲まれた領域に異なる薄膜となる液体材料を充填する方法が採られている。仕切部材（以下バンクと称する）の表面特性と前記バンクで囲まれた領域の表面特性、具体的には薄膜材料液（以下インクと称する）に対する親和性に差を生じせしめることにより液体材料の充填が制御されている。
【０００６】
バンクの表面がインクに対し親和性（親水性）を示すと、バンクの高さを超える量の材料を充填した場合に、バンクがあってもインクは容易に隣接するバンクで囲まれた領域に流出してしまう。逆にバンクの表面がインクに対し適度に非親和性（撥インク性）を示すと、バンクの高さを超える量の材料を充填しても材料の表面張力により隣のバンクで囲まれた領域にインクが流れ出すことはない。
【０００７】
また、バンクの撥インク性が強い場合、バンクの側壁で薄膜材料の液がはじかれるため、成膜後の厚みがバンクで囲まれた領域の中央部で厚く周辺部で薄くなる。これでは、表示素子に画素での色むらが生じる。特に、ＥＬ素子においてはショートが生じ易く信頼性の低下につながる。
【０００８】
バンクの表面に撥インク処理を施して、その側面、より望むべきはバンクの下方の層に親和性（親インク性）を付与した場合には、薄膜材料を提供して成膜後の厚みがバンクで囲まれた領域の周辺で薄くなることはないが、インクがバンクの側面に引っ張られるため、薄膜の裾部分、即ち、基板と接する部分で膜厚がより大きくなり、素子としての信頼性が向上する。
【０００９】
バンクの上部の層を構成する物質表面のインクに対する親和性（濡れ性）の改質とは、主に表面自由エネルギーの制御により行われ、インクが表面自由エネルギーの高い液体、例えば、多くの水溶液の場合、表面自由エネルギーの高い材料に対するインクの濡れ性は高くなる。
【００１０】
現在、前述した機能を備えた、一般的に用いられているバンク構造は二層のバンク構造（バンク下層とバンク上層の二層）である。具体的には、無機材料の上に有機材料を積層したバンク構造が用いられており、インクに対して親和性を高める表面処理を無機材料に施し、一方、上の有機材料に親和性を下げる処理を施すことによりインクをバンクで囲まれた領域に供給し、薄膜を形成している。この二層構造は撥インク性および親インク性を、プラズマ処理により一括で表面に付与できる利便性から用いられており、以下に説明する。
【００１１】
有機物質の表面改質に対しては、プラズマ処理を行うことがよく知られており、例えば、特開昭６３−３０８９２０号公報に記載されているものがある。この公報に記載された表面改質方法は、フッ素系ガスと酸素ガスを含む混合ガスプラズマを用いて有機物質表面を処理し、前記混合ガスの混合比を変えることにより、前記有機物質の表面自由エネルギーを制御するものである。
【００１２】
また、バンク下層を構成するガラスやＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの無機物表面を親水化するためにＵＶ照射や酸素プラズマ処理をする方法も良く知られた手法である。
【００１３】
しかしながら、同一基板上に有機物或いは無機物からなる層のパターンを設けて、混合ガスプラズマ処理により有機物質表面、あるいは有機物で形成される部材表面に撥インク性を付与する方法では、効率よく撥インク性を付与することができなかったり、表面の撥インク性が一過性であり、熱工程を経たり、時間が経過すると撥インク性が劣化するという問題がある。
【００１４】
そこで、二層構造のバンクが形成されている基板に対し、ほぼ全面に一律に酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマの連続処理を行う方法が採られ、この一連の工程を経ることにより、バンクの下層は親インク性の表面特性を持ちながら、バンク上層における有機材料に安定な撥インク性を持たせることが可能となり、従来の工程においては二層構造が用いられてきた。
【００１５】
図７は従来の手法による有機EL素子の製造に際しての模式断面図である。
【００１６】
図７（Ａ）参照
従来の有機EL素子の製造方法を説明するに際して、図６（Ａ）は有機EL素子の透明画素電極間を分離するバンクの下層を形成する工程を示したものである。
【００１７】
画素電極２を有する、支持体であると同時に光を取り出す面として機能する透明基板１上に、例えばバンク形成面３が画素電極のＩＴＯ等により形成されている場合、絶縁膜として一般的なシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜、アモルファスシリコンを材料として、下層膜５が周知の成膜プロセスとエッチングプロセスを用いて形成される。
【００１８】
上層形成工程（図７Ｂ）：次いで、上記下層膜５の上にポリイミド等の有機材料からなる層を塗布成膜し、リソグラフィ法を利用してバンク上層６を形成する。
【００１９】
表面処理工程（図７Ｄ）：次に、 基板表面に対し酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマ処理の連続処理を行って、例えば、ＩＴＯやＳｉＯ２により構成されるバンクに囲まれた領域４と下層膜５および、有機材料により構成されるバンク上層６の薄膜材料液に対する親和性を調整し、親和性の程度を、「バンクに囲まれた領域＞＝バンク下層表面＞バンク上層表面」という順番になるように表面処理する。
【００２０】
薄膜形成工程（図７Ｅ，７Ｆ）： 次に、バンク下層５および上層６で囲まれた凹部、つまりバンクで囲まれた領域４とバンク下層５の側面に対して、薄膜材料液７を充填して薄膜層を形成し、充填に次いで加熱処理等により溶媒成分を蒸発させて薄膜層８を形成する。
【００２１】
上記の方法では、素子の信頼性を高めることを目的とした場合、上部の電極とのショートを防ぐためにはバンク上層６をバンク下層５の上にバンク下層よりも小さなサイズで形成する必要性がある。この理由として、撥インク性の高いバンク上層６の側壁をバンク下層５よりも一回り小さくすることにより、液滴がはじかれてむらが生じ、最終的な薄膜層８の周辺部部分が薄くなる可能性を低くするためである。
【００２２】
このためには、従来のフォトリソグラフィー技術を多用する必要性があり、工程数の増加によりコストの面でも時間的な面でも無駄が多い。
【００２３】
また、上記手法ではバンクの表面改質に、酸素ガスプラズマとフッ素系ガスプラズマの連続処理を用いており、過度のプラズマ照射は基板表面のダメージ、特に電極の表面酸化を招く恐れがある。
【００２４】
また、プラズマ処理によってバンク上層の６表面とバンク下層５の表面、およびバンクに囲まれた領域４の表面のインクに対する親和性の順番を「バンクで囲まれた領域＞＝バンク下層表面＞バンク上層表面」と調整しているが、バンク下層５、バンク上層６の材料選択に制約が大きい。
【００２５】
この制約が大きいとは、第1にバンク上層６とバンク下層５の密着性に関する材料の制約、第２に、バンク下層５およびバンク上層６のプラズマ処理による表面自由エネルギー変化に関する材料の制約、第３にプラズマ処理後の表面自由エネルギー変化の保持力に関する材料の制約などが挙げられる。
【００２６】
一方、プラズマ処理を用いない、転写を用いた従来の表面処理技術として、マイクロコンタクトプリンティング（μCP）技術を挙げることができ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．３７、Ｎｏ．１８ １９９８の５５０ページから示されている方法や、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｂ １０２、Ｎｏ．１８ １９９８の３３２４ページから示されている方法のように、スタンプ（原板）のパターン形状を基板に転写する表面処理技術が報告されている。
【００２７】
このような方法は、平坦な基板の表面処理を目的としているために、表面処理剤を含むインク組成物のパターンをスタンプの凹凸形状に対応して平坦な基板へ転写する方法であることから、今回我々が発明した凹凸のある基板の表面処理とは異なっている。
【００２８】
本発明はこのような状況下で、成し遂げられたものである。
【００２９】
本発明の目的は、従来の手法で保証されていたインクがバンクを超えて流れ出るという事態を防止するためのバンクとしての機能を損なわず、前述した従来の手法にける工程数の増加、プラズマ処理工程を経ることによるダメージの懸念、バンクを形成するための材質に対する制約などの問題を解決し、簡便かつ適切な濡れ性の制御を目的とした基板の表面処理方法、およびこの表面処理方法を利用して平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜を高精度かつ微細に形成する方法、並びにこの薄膜を備えた歩留まりの良い有機半導体素子の製造方法を提供することである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下記（１）〜（７）の有機ＥＬ素子の製造方法が提供される。
【００３１】
（１）所定の高さのバンクおよび前記バンクに区切られた被塗布領域が形成された基板に、正孔注入層と発光層を、陽極および陰極で挟持した構造の有機EL素子の製造方法であって、
前記基板に対して、撥インク処理を施すための表面処理剤を吸収または表面に付着させた原板を接触させることにより、前記表面処理剤の一部を転写し、前記バンクの表面の一部に対して撥インク性を付与する工程と、前記工程により撥インク性を付与されなかった領域に対して正孔注入層と発光層を形成するため材料を含むインク組成物を塗布する工程と、を有することを特徴とする。
【００３２】
本発明においては、バンクの表面の一部に撥インク性を付与するための原板は、表面処理剤を吸収または表面に付着させており、薄膜パターニング基板のバンク表面の一部に接触することによって原板からバンク表面の一部に転写される。
【００３３】
転写された表面処理剤の効果によりバンク表面の撥インク性が高まり、この撥インク性は半永久的に保持される。転写を用いた表面処理はプロセスによるダメージが少なく、基板に対する処理を一括して行うことができるためプラズマ処理が不要となり、そのためにバンクの材質に関する制約も軽減される。また、装置が小型で作業時間も短時間で行うことができる。さらに、表面処理剤を吸収した原板は再利用することができるため、コスト的にも有利である。
かかる方法により、簡便な方法で、短時間に、低コストで、プラズマ連続処理による従来の撥インク性処理方法にくらべて、はるかに多種のバンク材料を用いて撥インク性を有する薄膜パターニング基板を形成することができる。つまり、本発明はバンクに撥インク性を付与する処理として適している。
【００３４】
なお、本発明において表面処理剤を転写するための原板は平坦であっても、バンクの形状に対して合わせてパターン構造を有していてもよい。
【００３５】
（２）バンクに区切られた被塗布領域が親インク性を有し、接触角が３０°以下であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
本発明の当該（２）条件により、平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜層を形成することができる。
【００３６】
インクが基板に対して供給された場合、インクは流動体であるため親和力の高い領域により高い確率でとどまる。したがって、本発明では被塗布領域はインクに対して親和性が高く、インク液滴が接触角３０°以下を示すような条件で材料を設定する。材質の設定は、流動体であるインクに対する親和性はインクが極性の高い流動体であれば、極性の高い表面自由エネルギーをもつ材質を、インクが極性の低い流動体であれば極性の低い部材で被塗布領域に形成することにより条件設定される。しかしながら、通常画素電極を含むので、極性溶媒を極性の高い被塗布領域に供給する。
【００３７】
（３）バンクを形成する材料のインクに対する接触角が２０°〜５０°であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００３８】
本発明当該（３）の条件により、被塗布領域の裾部分、即ち、インクがバンクと接する部分で十分な膜厚が得られるため、ＥＬ素子の周辺部におけるショートを防ぐことによる信頼性の向上につながる。
【００３９】
条件（２）で前述したように、インクは被塗布領域に滞在し、その後乾燥することにより薄膜層を形成するが、EL素子のショートを防ぐために、バンクを形成する部材はインクをはじきすぎないように、インクに対して２０~５０°の接触角を示すような材料に条件設定する。
【００４０】
（４）前記撥インク性を付与する工程により、前記バンクの上面の撥インク性が接触角において５０°以上であるようにしたことを特徴とする（１）の有機EL素子の製造方法。
【００４１】
当該（４）の条件により、異なる発光層が混合することなく、多色で且つ高精細の有機ＥＬ素子を容易に得ることができる。
【００４２】
（５）バンク表面の少なくともバンク上面に対して撥インク性を付与する工程において、バンクの少なくとも表面の一部が有機物あるいは無機物の酸化物の層で形成され、バンク表面に転写される前記撥インク処理剤がフッ素系のシランカップリング剤であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
【００４３】
当該（５）の方法により、バンク表面の少なくともバンク上面の一部において所望の撥インク性をもった領域を形成することができる。
【００４４】
（６）インク組成物を塗布する工程が、ディップ法またはスピンコート法であることを特徴とする（１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
当該（６）の方法により、簡便にインクを被塗布領域に対して塗布することができる。
【００４５】
（７）請求項１記載のインク組成物を塗布する工程が、インクジェット法であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【００４６】
当該（７）の方法により、複数の画素を有する素子を形成する場合に、簡便にインクを被塗布領域に対して塗布することができる。
本発明によれば、上記の方法により得られた、高性能のＥＬ素子が提供される
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００４８】
インクジェット方式による有機ＥＬ素子の製造方法とは、素子を構成する正孔注入／輸送材料ならびに発光材料を溶媒に溶解または分散させたインク組成物を、インクジェットヘッドから吐出させて透明電極基板上にパターニング塗布し、正孔注入／輸送層ならびに発光材層をパターン形成する方法である。
【００４９】
図１（A）はインクジェット方式による有機ＥＬ素子の製造に用いられる基板の断面図を示したものである。透明なガラス基板１０あるいはＴＦＴ付きの基板上に、例えば、ＩＴＯ等の透明画素電極１２がパターンニングされ、画素を隔てる領域に、例えば、ＳｉＯ２からなるバンク１５を設けた構造である。
バンク１５の形状つまり画素の開口形は、円形、楕円、四角、ストライプいずれの形状でも構わないが、インク組成物には表面張力があるため、四角形の角部は丸みを帯びているほうが好ましい。バンクによって囲まれた領域（以降、被塗布領域２０と称する）に対してインクジェット法によりＥＬ材料が成膜される。
【００５０】
図１（B）と（C）はバンク１５表面を撥インク性に処理するための表面処理剤４０の転写工程を示したものである。原板３０は基板１０を撥インク処理するために、少なくとも表面の一部に表面処理剤４０が塗布されている。原板３０を基板表面に接触させることにより、原板３０の表面に塗布されていた表面処理剤４０のうちの接触部分のみが、基板の側に転写される。
【００５１】
原板３０の形状は特に限定されるものでは無く、平面であっても、基板上のバンクの形状に対応した凹凸をもっていても構わないが、基板１０とのアライメントをとる必要性が無いことから、プロセスの簡略化のためには平面であることが好ましい。
【００５２】
（表面処理剤）
表面処理剤４０としては、例えば、分子の末端官能基が基板構成原子に選択的に化学的吸着することを特徴とする自己組織化化合物のシランカップリング剤（有機ケイ素化合物）を使用することができる。ここで、シランカップリング剤とは、Ｒ2nＳｉＸ4-n（ｎは自然数、Ｒ2はＨ、アルキル基等の置換可能な炭化水素基）で表される化合物であり、Ｘは−ＯＲ3、−ＣＯＯＨ、−ＯＯＣＲ3、−ＮＨ3-nＲ3ｎ、−ＯＣＮ、ハロゲン等である（Ｒ3はアルキル基等の置換可能な炭化水素基）。
【００５３】
シランカップリング剤は基板表面における水酸基に対して化学的に吸着することを特徴とするため、金属や絶縁体などの幅広い材料の酸化物表面に反応性を示すため、表面処理剤４０として好適に用いることができる。
これらシランカップリング剤の中で、特にＲ1やＲ3がＣnＦ2n+1ＣmＨ2m（ｎ、ｍは自然数）であるようなフッ素原子を有する化合物によって修飾された固体表面の表面自由エネルギーは２０ｍＪ／ｍ２よりも低くなり、極性を持った材料との親和性が小さくなるため、好適に用いられる。
【００５４】
転写された表面処理剤４０の膜はバンクのサイズに影響を与えないように、厚みは１０nm以下が好ましく、より好ましくは５nm以下の膜厚である。
【００５５】
（原板形成工程）
原板３０としては、基板１０との密着性を高めるために弾性体を用いるのが好ましい。例えば、前述したシランカップリング剤などを表面処理剤４０として用いる場合には、同じくシラン化合物であるポリジメチルシロキサン（PDMS）系の弾性体を挙げることができる。この高分子の構造式はSi（CH3）3−O−（Si（CH3）2O）n−Si（CH3）3で表される。nは正の整数。この材料を用いることによって成型された弾性体の表面に、表面処理剤４０を吸収または付着させることができる。
【００５６】
例えば、液体材料を反応させ弾性体を成型する場合の反応は、縮合型あるいは付加型いずれによってもよいが、０．５％程度の線収縮率を示す縮合型は高分子が反応する過程にガスを発生することから、線収縮率０．１％程度の付加型反応機構による弾性体材料を使用することが、パターンの精度上より好ましい。
【００５７】
図１（Ｂ）に示すように、表面処理剤４０を原板３０に吸収または付着させる手法としてスピンコート、ディッピング法などを用いることができ、その場合の表面処理剤４０は液体または溶媒に溶かした材料を使用する。
【００５８】
（表面処理剤の転写）
図１（Ｃ）に示すように、表面処理剤４０を塗布した原板３０を基板１０に対して接触させることにより、表面処理剤４０を転写する。基板表面にバンク１５による凹凸が形成されているため、バンク１５の上面に対して表面処理剤４０が転写される。
【００５９】
バンク表面の撥インク性を高めるために、転写の工程の後に、表面処理剤４０を基板１０に対して固定するための工程、具体的には加熱処理や反応性の蒸気にさらすなどの処理を用いることも好ましい。例えば、シランカップリング剤の場合、基板を高温に加熱する、あるいは室温で高湿度の環境下にさらすことにより反応が進行する。
【００６０】
本発明においては、表面修飾剤４０により撥インク処理されたバンクの上面の少なくとも一部（以下、修飾領域５０と呼ぶ）が、それ以外の非修飾領域５５に比べてインクに対する親和性の程度がより低くなるように、バンク１５および被塗布領域２０の基板材料を組み合わせるか、表面処理を施しておくことが好ましい。このような表面修飾剤４０による処理により、インクの修飾領域５０に対する接触角を５０°以上とし、また、ＥＬ素子の色むらやをショート防ぐために、被塗布領域２０のインクに対する接触角を３０°以下とすることが好ましい。このようにすることにより、薄膜層の厚さに比べて多量のインクを吐出しても、インクがバンクを乗り越えて溢れでることもなく、所定の領域のみインクが充填される。また、インクがバンクの側壁に適度に引っ張られることにより薄膜層の厚みが制御しやすくなることからバンク材質のインクに対する接触角を２０〜５０°とすることが好ましく、これにより薄膜層の色むらやショートを防ぐことができる。
【００６１】
図１（Ｄ）〜図２（Ｆ）において、インクジェット方式による正孔注入／輸送層７５＋発光層８５の積層構造を形成する工程を示す。
【００６２】
図１（Ｄ）および（Ｅ）において、正孔注入／輸送材料を含むインク組成物７０をインクジェットヘッド６０から吐出し、パターン塗布する。塗布後、溶媒除去および／または熱処理、あるいは窒素ガスなどのフローにより正孔注入／輸送層７５を形成する。
【００６３】
図２（Ｆ）および（Ｇ）に示すように、続いて発光材料を含むインク組成物８０を正孔注入／輸送層上に塗布し、溶媒除去および／または熱処理あるいは窒素ガスなどのフローにより発光層８５を形成する。
【００６４】
図２（Ｈ）に示すように、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、Ｌｉ等の金属を用い、蒸着法およびスパッタ法等により陰極９０を形成する。さらに素子の保護を考え、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等により封止層９５を形成し、素子が出来上がる。
【００６５】
以下、実施例を参照して本発明を更に、具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００６６】
（実施例１）
図３に本実施例に用いた原板と基板を示す。
【００６７】
ＩＴＯの透明電極１１２がパターニングされたガラス基板１１０上にフォトリソグラフィーによりＳｉＯ２層をエッチングしてバンク１１５を形成したものである。バンク径（ＳｉＯ２の開口径）は２８μｍ、高さが２μｍである。バンクの開口は４４μｍである。これらの画素が７０．５μｍピッチで連続的に配置されている基板である。
【００６８】
バンクを構成するSiO2層は水に対して５０〜６０°の接触角を示す。
【００６９】
原板１３０の材料としてはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を用いて、付加型の反応機構により硬化する樹脂材料と硬化剤を混合することにより、室温２４時間放置によりパターンの無い平坦な原板１３０を形成した。パターンが無い平坦な原板を形成するための母型は平坦な面をもつものであればなんでも良く、特に限定されない。
【００７０】
原板１３０の上に、表面処理剤１４０としてシランカップリング剤のオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の溶液を塗布した。ＯＴＳは水と反応するため、ヘキサン溶媒に希釈し１０mMの溶媒とし、スピナーにより３０００rpm３０秒の回転により原板１３０に表面処理剤１４０を塗布した。
【００７１】
表面処理剤を塗布したＰＤＭＳの原板をガラス基板に密着させることによりガラス基板上のバンク上面に対してのみ表面処理剤であるＯＴＳの薄膜が形成された。転写されたＯＴＳにより表面が撥インク性に処理されたバンク表面は水に対し９０°以上の高い接触角を示す。
【００７２】
表面処理剤としてのＯＴＳを基板表面に反応させるために、１１０℃に加熱したオーブンで１０分間加熱処理した。
【００７３】
正孔注入／輸送層用インク組成物として表１に示したものを調製した。
【００７４】
【表１】
【００７５】
発光層用インク組成物として、表２および表３に示したものを調製した。
【００７６】
【表２】
【表３】
【００７８】
次に、表３に示した１％（ｗｔ／ｖｏｌ）濃度の発光層用インク組成物を、Ｎ２ガスをフローしながら７０．５μｍ離れた隣の画素に２０ｐｌパターン塗布した。これらにより、青色および緑色発光層を得た。緑色発光層（表２の吐出製膜物）の蛍光スペクトルを図４に示す。
【００７９】
陰極として、Ｃａを蒸着で２０ｎｍ、Ａｌをスパッタで２００ｎｍで形成し、最後にエポキシ樹脂により封止を行った。
【００８０】
選られた素子は蛍光スペクトルに示した通り均一な緑色発光を示した。
【００８１】
（変形例１）
本発明に用いられる原板は平坦であることが望ましいが、バンクの形状によって原板に凹凸を形成することにより表面処理を行う領域を調整することが可能である。
【００８２】
図５に示すように、原板２１０の表面に凹凸を設けて、バンクの上面のサイズより小さな領域に対応する部分を凸部とするように原板を成型することもできる。この表面処理剤２４０が塗布された原板２３０をバンク上面の一部の修飾領域２５０に整合させて密着させることにより、修飾領域２５０だけを撥インク性に表面処理することができる。この原板を用いた場合、上面の周辺部分の撥インク性が高くないのでインクが周辺部分ではじかれることによって薄膜層の周辺部分が薄くなることが回避でき、結果として有機ＥＬ素子の信頼性が向上する。
【００８３】
（変形例２）
図６に示すように、バンクの部分を凹部とした形状の凹凸を有する原板３３０を用意することによって、バンクの上面とさらに側壁の一部を含む修飾領域３５０を撥インク性に表面処理することができる。前記修飾領域３５０で囲まれた非修飾領域３５５に対してインクが供給される。このとき、側面の表面処理される深さは、原板の凹凸の深さによって調節される。
【００８４】
このような原板３３０を用いて表面処理された基板３１０はバンク側面の途中まで高い撥インク特性を有しているためインクが画素の外側に流れ出す可能性が低くなる。
【００８５】
以上のように、本実施例によれば、表面修飾剤を塗布した原板を基板の凹凸に対して転写することにより、基板表面のバンクの上面の一部を撥インク性に処理することができる。これにより、プラズマ処理を行うことなく、基板の表面の親インク性を保持したままで、少なくともバンク上面の一部に半永久的な撥インク性を付与することができる。
【００８６】
続けてインクジェット法でＥＬ材料を供給しＥＬ素子を形成することで、簡便な方法で、短時間に、低コストで、ＥＬ素子を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関わる有機ＥＬ素子の製造工程を示す図。
【図２】本発明に関わる有機ＥＬ素子の製造工程を示す図。
【図３】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板および原板。
【図４】本発明に関わるインクジェット法で製膜された薄膜の蛍光スペクトル。
【図５】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板および原板の変形例１。
【図６】本発明に関わる表面処理工程に用いた基板および原板の変形例２。
【図７】従来の方法による有機ＥＬ素子の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
１．透明基板
２．画素電極
３．バンク形成面
４．バンクに囲まれた領域
５．バンク下層
６．バンク上層
７．薄膜材料液
８．薄膜層
１０．基板
１２．透明画素電極
１５．バンク
２０．塗布領域
３０．原板
４０．表面処理剤
５０．修飾領域
５５．非修飾領域
６０．インクジェットヘッド
７０．正孔注入／輸送層を含むインク組成物
７５．正孔注入／輸送層
８０．発光層を含むインク組成物
８５．発光層
９０．陰極
９５．封止層
１１０．ガラス基板
１１２．ITO透明電極
１１５．バンク
１３０．原板
１４０．表面処理剤
２１０．基板
２１２．透明電極
２１５．バンク
２３０．原板
２４０．表面修飾剤
２５０．修飾領域
２５５．非修飾領域
３１０．基板
３１２．透明電極
３１５．バンク
３３０．原板
３４０．表面修飾剤
３５０．修飾領域
３５５.非修飾領域
Claims (7)
- 所定の高さのバンクおよび前記バンクに区切られた被塗布領域が形成された基板に、正孔注入層と発光層を、陽極および陰極で挟持した構造の有機EL素子の製造方法であって、
前記基板に対して、撥インク処理を施すための表面処理剤を吸収または表面に付着させた原板を接触させることにより、前記表面処理剤の一部を転写し、前記バンクの表面の一部に対して撥インク性を付与する工程と、
前記工程により撥インク性を付与されなかった領域に対して正孔注入層と発光層とを形成するため材料を含むインク組成物を塗布する工程と、を有すること、
を特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 請求項１記載の有機EL素子の製造方法において、
前記バンクに区切られた被塗布領域が親インク性を有し、前記被塗布領域に対する前記インク組成物の接触角が３０°以下であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 請求項１記載の有機EL素子の製造方法において、
前記バンクを形成する材料に対する前記インク組成物の接触角が２０°〜５０°であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 請求項１記載の有機EL素子の製造方法において、
前記撥インク性を付与する工程により、前記バンクの上面に対する前記インク組成物の接触角が５０°以上であるようにしたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記バンクの表面の一部が有機物あるいは無機物の酸化物の層で形成され、バンク表面に転写される前記撥インク処理剤がフッ素系シランカップリング剤であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記インク組成物を塗布する工程が、ディップ法またはスピンコート法であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 請求項１記載のインク組成物を塗布する工程が、インクジェット法であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001104614A JP3879425B2 (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001104614A JP3879425B2 (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002305077A JP2002305077A (ja) | 2002-10-18 |
| JP3879425B2 true JP3879425B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=18957447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001104614A Expired - Fee Related JP3879425B2 (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3879425B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4517569B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2010-08-04 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネルの製造方法 |
| JP2004172090A (ja) | 2002-10-31 | 2004-06-17 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及びエレクトロルミネッセンス装置、並びに電子機器 |
| GB0329364D0 (en) * | 2003-12-19 | 2004-01-21 | Cambridge Display Tech Ltd | Optical device |
| JP4082400B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2008-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| US7746293B2 (en) | 2004-03-09 | 2010-06-29 | Senzo Kobayashi | Information display apparatus |
| KR101112534B1 (ko) | 2005-03-04 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 그 제조 방법 |
| US7485023B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-02-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having partition wall and a manufacturing method of the same by relief printing method |
| EP1875529A1 (en) | 2005-04-25 | 2008-01-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method of producing a display device |
| JP2007012504A (ja) | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP4872288B2 (ja) | 2005-09-22 | 2012-02-08 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US7696683B2 (en) | 2006-01-19 | 2010-04-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and the manufacturing method |
| US7546803B2 (en) | 2006-01-30 | 2009-06-16 | Toppan Printing Co., Ltd. | Letterpress printing machine |
| JP4706845B2 (ja) | 2006-02-15 | 2011-06-22 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US7880382B2 (en) | 2006-03-08 | 2011-02-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescence panel and manufacturing method of the same |
| GB2436163A (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-19 | Seiko Epson Corp | Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures, and embossing tool |
| JP5458469B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2014-04-02 | 凸版印刷株式会社 | 凸版反転オフセット印刷用凸版及びその製造方法、並びに印刷物の製造方法 |
| US7687390B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-03-30 | Toppan Printing Co., Ltd. | Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method |
| JP2007273094A (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US7910287B2 (en) | 2007-02-14 | 2011-03-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Relief printing plate, and method for manufacturing electronic circuit pattern, organic electroluminescence device and organic electronic device by using the same |
| JP5396976B2 (ja) | 2008-09-29 | 2014-01-22 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2010021153A (ja) * | 2009-10-20 | 2010-01-28 | Casio Comput Co Ltd | 溶液噴出装置及び溶液噴出方法 |
| JP5343815B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2013-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
| JP2012022787A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2012074225A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| CN114040573A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-02-11 | 广域兴智能(南通)科技有限公司 | 一种使用移印堆叠制程方式的MiniLED PCB表面高反射结构 |
-
2001
- 2001-04-03 JP JP2001104614A patent/JP3879425B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002305077A (ja) | 2002-10-18 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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|
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