JP3876711B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は画像信号に応じて所要の画像を表示する表示装置と、そのような表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
表示装置としては、現在種々の構造のものが開発されており、代表的な例としては陰極線管や液晶表示パネルが、テレビジョン受像機、パーソナルコンピュータのモニター、金融機関の自動取引機や大規模施設の自動案内機の操作画面などに多く用いられている。表示装置の中には、表示するだけではなく、入力装置を一体にした構造のものがあり、ボタンを所定の領域に表示した上でその領域に対する透明な所謂タッチパネルにて接触を検知した場合には、該表示にかかる入力ボタンが押されたものとして処理を進め、複雑な操作も容易に行えるように工夫されたものがある。
【0003】
例えば、特開平5−114088号公報に記載の電子式行先表示装置では、所在表示部には直接に制御可能な押圧スイッチ又はタッチスイッチが設けられる構造とされ、所在表示部にはLED(発光ダイオード)が使用されている。また、前記電子式行先表示装置ではLEDは点灯用であって画像表示用とはならないが、液晶表示装置の上にタッチスイッチ手段が設けられた構造の装置として例えば特開平9−134467号公報に記載される接触式入力装置等が知られる。更に、特開平6−236154号公報に記載されるように、プラズマディスプレイ上にシートが湾曲することで透明電極間が導通する構造のタッチスイッチを配設する例も知られている。
【0004】
タッチパネル等を設ける場合、前述の特開平9−134467号公報に開示されるように、通常、装置の表示部の画面上にタッチパネルが配設されることが多く、タッチパネルに対する接触ないし近接操作およびその位置を表示内容に応じた入力情報として取り込むもので、表示内容を変えることによって他種類の取引等に対応できるという利点がある。このような入力装置を一体にした表示装置を用いることで、入力キーや入力ボタンの数を増やすことなく、処理を進めることができ、異なる業務に対しても柔軟に対応できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、タッチパネル式の入力装置を一体にした表示装置においては、装置の表示部の画面上に透明なタッチパネルが配設される。このようなタッチパネル付きの表示装置においては、操作者が触れた場合に奥行き方向に違和感があり、特に、入力ボタンの配置を細かく設定した場合では、その違和感に基づくボタンの押し間違いなどが発生し易く、的確な処理が難しくなると言った問題点が生ずる。
【0006】
そこで、本発明は、上述の技術的な課題に鑑み、入力装置を備えた表示装置において、その操作性の良好な装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置は、基板上に複数の発光素子がマトリクス状に配列され、複数の発光素子の間の空間に夫々押圧を出力信号に変換する感圧素子及び/又は能動素子が設けられ、感圧素子及び/又は能動素子は微小パッケージに形成され、微小パッケージに形成された感圧素子及び/又は能動素子は、微小パッケージ内に形成された発光素子と共に基板上に転写されたものであることを特徴とする。
【0010】
本発明の表示装置の製造方法は、支持基板上の発光素子を微小パッケージ内に配設する工程と、他の支持基板上のセンサを微小パッケージに配設する工程と、発光素子を微小パッケージごと装置基板上に転写する素子転写工程と、センサを微小パッケージごと装置基板上に素子転写工程と同一の転写機構を用いて転写するセンサ転写工程とを有することを特徴とする。
また、本発明の表示装置の製造方法において、基板上に複数の発光素子からなる発光素子群と複数のセンサからなるセンサ素子群とを略同一平面上に形成することを特徴とする。本発明の表示装置の製造方法によれば、複数の発光素子からなる発光素子群と複数のセンサからなるセンサ素子群とを略同一平面上に配設するため、同様にボタン操作における違和感を抑えることができる。
更に、本発明の表示装置の製造方法において、前記センサは種々のセンサを用いることが可能であるが、該センサのサイズが発光素子と同じ面内に配設可能なものとすることが望まれる。このようなセンサの例としては、押圧を出力信号に変換する感圧素子や、入射光を出力信号に変換する受光素子などを用いることができる。
【0011】
本発明の表示装置の製造方法によれば、センサと発光素子の双方を夫々微小パッケージ内に配設した上で装置基板上に転写される。このためセンサと発光素子で同一の転写機構を用いることもでき、これにより転写精度を合わせることもできる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。本実施形態の表示装置では、夫々発光素子としての発光ダイオードを有する複数の発光ダイオードパッケージ11がマトリクス状に配列され、各発光ダイオードパッケージ11の間の空間にセンサ12が配設されている。
【0013】
発光ダイオードパッケージ11は、透明樹脂材の内部に赤、青、緑の各色の発光ダイオード素子を並べて封止した部材であり、後述するように、当該発光ダイオードパッケージ11の一部にはパッド電極や各発光ダイオード素子を駆動するための駆動素子も形成されている。発光ダイオードパッケージ11には、赤色、青色及び緑色の発光ダイオード素子用に3本の信号線15が配線されており、これら3本の信号線15は図中垂直方向に延長されている。発光ダイオードパッケージ11内に形成された発光ダイオードは、画像信号に応じた所定の駆動電流によって発光し、マトリクス状に配列された全体では所要の画像表示が可能となる。マトリクス状に配列される発光ダイオードパッケージ11は、隣接する発光ダイオードパッケージ11との間には、所要のスペースをとることができる。これは液晶表示デバイスなどとは異なり、発光ダイオードは輝度が比較的に高いことから、素子間の距離を大きくとっても十分に表示装置として機能させることが可能なためである。一例としては、発光ダイオードパッケージ11は例えば200μm角のサイズであり、例えば3倍乃至36倍程度、好ましくは3倍乃至24倍程度の間隔を離間するように配置することが可能である。また、このパッケージはRGB一体でも、別々のものでも差し支えない。また、発光ダイオードパッケージ11は、垂直方向に延長される信号線15が装置基板上に形成された後に該信号線15上に電気的な接続が可能なように転写されるが、信号線15は発光ダイオードパッケージ11に信号を供給できる構造であれば良く、発光ダイオードパッケージ11を転写などによって装置基板上に配列させた後に信号線15用の配線層を形成しても良い。
【0014】
センサ12は、外的な状態に応じて所要の出力信号を発生させる素子であり、後述する構造のタッチスイッチからなる感圧センサとすることもでき、また、CCD型センサやMOS型センサなどからなる受光素子などによって構成することも可能である。また、タッチスイッチや受光素子に限定されずに、圧電センサ、温度センサ、ガスセンサ、磁気センサなどの種々のセンサを配置しても良い。センサ12は、発光ダイオードパッケージ11の間のスペースに配され、マトリクス状に配列される発光ダイオードパッケージ11の配列面と略同一の面内に配列することができる。センサ12は、図1に示すように、マトリクス状に配列され、例えば水平方向に隣接する一対の発光ダイオードパッケージ11の略中点近傍に配置される。なお、センサ12の数は、必ずしも発光ダイオードパッケージ11の数と等しくなくとも良く、例えば、発光ダイオードパッケージ11の数に比べてセンサ12の数を減らしたり、逆にセンサ12の数を増やしたりすることができる。また、異なる2種類以上のセンサを組み合わせて、その組み合わせからなるセンサを発光ダイオードパッケージ11の間のスペースに配することもでき、発光ダイオードパッケージ11とセンサ12のパッケージを一体化するように構成しても良い。
【0015】
図2及び図3は前述のセンサ12をタッチスイッチによって構成した場合の平面図と断面図である。一対の配線層21が基板10上で離間して対峙する構造とされ、一対の配線層21の対峙する端部にはそれぞれ下側接触電極22、22が略矩形状のパターンに形成されている。下側接触電極22、22の上には、基板10の法線方向に微小な間隔を空けて対向する上側接触電極23が形成されている。上側接触電極23は略帯状の配線層であり、一対の下側接触電極22、22にそれぞれ対向し、押された場合では一対の下側接触電極22、22の間を電気的に接続できる長さを有している。
【0016】
この上側接触電極23は金属薄膜をばね性を有するように微細加工された板バネ部材25に両側から支持されており、板バネ部材25自体の形状は細い帯状の部分が蛇行して構成される。この板バネ部材25の両端部24は基板10上若しくは下側接触電極22、22上で支持されており、板バネ部材25はそこから斜めに立ち上がって上側接触電極23に結合されている。上側接触電極23近傍では該上側接触電極23を支持するために上側接触電極23の長手方向に垂直な方向における両側から板バネ部材25が上側接触電極23に接続する。板バネ部材25は弾性部材であり、押し圧などによって当該板バネ部材25が弾性変形することで上側接触電極23が一対の下側接触電極22、22に接触し、その結果、一対の配線層21が上側接触電極23及び一対の下側接触電極22、22を介して導通して、スイッチが閉成した状態となる。逆に、押し圧を開放した際には、弾性変形する板バネ部材25が元の位置に戻って上側接触電極23及び一対の下側接触電極22、22の間の電気的な接続が解除されることになり、スイッチ自体は開成した状態となる。
【0017】
このような金属薄膜による板バネ部材25の微細加工は、フォトリソグラフィー技術を用いることで可能である。例えば、一対の配線層21と一対の下側接触電極22、22を所定のパターンに形成した後、タッチスイッチとして用いられる領域を保護するように、シリコン酸化膜或いは合成樹脂膜などの絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に上側接触電極23及び金属薄膜を形成した後に該金属薄膜を板バネ部材25を有するパターンに加工する。絶縁膜の表面が斜めになるように形成することで、その絶縁膜上に形成される金属薄膜も表面が斜めに延長される形に形成されることになる。フォトリソグラフィー技術を用いて金属薄膜を蛇行する帯状の形状に加工することで、金属薄膜の弾性特性を利用してタッチスイッチを構成することができ、最後にシリコン酸化膜或いは合成樹脂膜などの絶縁膜をエッチングやアッシング等の手段によって除去することで、上側接触電極23と一対の下側接触電極22、22の間に必要な空隙が得られることになる。
【0018】
上述のタッチスイッチは、装置基板に対して直接形成することも可能であるが、別の基板上に形成し、その後で装置基板上に転写するようにしても良い。この場合には、後述する製造方法の例に示すように、タッチスイッチを微小パッケージ上に形成し、微小パッケージごと転写するようにしても良く、発光素子を微小パッケージに形成した場合では同じ転写手段を活用して高効率な転写が実現される。
【0019】
前述のタッチスイッチなどのセンサ12は、発光ダイオードパッケージ11の間の空間に配置されるが、発光ダイオードパッケージ11には図4に示すような発光ダイオードを搭載することが可能である。図4の(a)が素子断面図であり、図4の(b)が平面図である。この発光ダイオードはGaN系の発光ダイオードであり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子である。このようなGaN系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、GaNの窒素が気化する現象にともなってサファイア基板とGaN系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【0020】
まず、その構造については、GaN系半導体層からなる下地成長層31上に選択成長された六角錐形状のGaN層32が形成されている。なお、下地成長層31上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のGaN層32はその絶縁膜を開口した部分にMOCVD法などによって形成される。このGaN層32は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をC面とした場合にS面(1−101面)で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このGaN層32の傾斜したS面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。GaN層32の傾斜したS面を覆うように活性層であるInGaN層33が形成されており、その外側にマグネシウムドープのGaN層34が形成される。このマグネシウムドープのGaN層34もクラッドとして機能する。
【0021】
このような発光ダイオードには、p電極35とn電極36が形成されている。p電極35はマグネシウムドープのGaN層34上に形成されるNi/Pt/AuまたはNi(Pd)/Pt/Auなどの金属材料を蒸着して形成される。n電極36は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でTi/Al/Pt/Auなどの金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層31の裏面側からn電極取り出しを行う場合は、n電極36の形成は下地成長層31の表面側には不要となる。
【0022】
このような構造のGaN系の発光ダイオードは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブレーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。なお、GaN系の発光ダイオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にC面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子などであっても良い。
【0023】
本実施形態の表示装置は、図1に示すように発光ダイオードパッケージ11を微小な樹脂で封止するパッケージで構成することも可能であるが、図5に示すように、発光素子ごとに異なるパッケージとすることも可能である。図5は、本実施形態の表示装置に用いられるマトリクス状に配列される画素のうち1つの画素部分に対応するレイアウトであり、1画素内には、赤、青、緑の3色それぞれの発光源となる発光ダイオードを内包した赤色発光樹脂形成チップ41、青色発光樹脂形成チップ42、緑色発光樹脂形成チップ43、及び発光ダイオードを発光駆動するための駆動トランジスタを設けた集積回路装置44が例えば透明ガラス製の装置基板45上に配置されている。各樹脂形成チップ41、42、43が固定される配列ピッチは、約200μm程度である。また、装置基板45には、これら樹脂形成チップ41、42、43及び駆動トランジスタを設けた集積回路装置44の配線を行うための配線パターンが予め形成されている。配線パターンは、接地線46、電源線47、アドレス線48、信号線49、信号線50、信号線51からなり、各樹脂形成チップ41、42、43及び駆動トランジスタ44は、これら配線パターンと接続され、相互に電気的に接続されている。
【0024】
前述のような図2、図3に示すタッチスイッチは、図5に示すような画素領域同士の間にスペースにも配置することができ、図1に示す発光ダイオードパッケージ11は必ずしも1つの樹脂パッケージとしてまとまった構造を有していなくとも良い。
【0025】
次に、図6乃至図9を参照して、本実施形態の表示装置の製造方法の一例について説明する。ここで説明する表示装置の製造方法の一例は、発光ダイオードパッケージとタッチスイッチパッケージをそれぞれ転写して装置基板上に配列する例である。
【0026】
先ず、例えばサファイア基板上に形成されたGaN系の発光ダイオード63は、個々の発光ダイオードごとに素子分離され、樹脂形成パッケージ64内に封止されている。この発光ダイオード63は、例えば図4に示した如きピラミッド構造を有するが、プレナー型の発光素子であっても良い。発光ダイオード63を内包する樹脂形成パッケージ64は、成長用基板から透明ガラス基板などの一時保持用基板61に転写され、図6に示すように、一時保持用基板61上に塗布された粘着膜62に複数の樹脂形成パッケージ64が貼り付けられている。その一時保持用基板61の樹脂形成パッケージ64側の面を装置基板65に対峙させたところで該一時保持用基板61の裏面からエキシマレーザーやYAGレーザーなどのレーザー光を選択的に照射して、図7に示すように発光ダイオード63を樹脂形成パッケージ64ごと装置基板65上に選択的に転写できる。
【0027】
この発光ダイオード63を内包する樹脂形成パッケージ64の転写に際して、予め装置基板65上には配線層を形成しておくことも可能であり、転写によってこれらの配線層に対する電気的な接続を例えばバンプなどによって確保するように構成することも可能である。装置基板65上には予め接着層を形成しておいても良く、装置基板65は透明樹脂製のシート材などで構成することも可能である。
【0028】
このような発光素子の転写と前後して、タッチスイッチ74も支持基板71上に図8に示すように形成される。支持基板71上には、粘着膜72を介して樹脂パッケージ73が形成され、その樹脂パッケージ73の上面に貼り付けられた形でタッチスイッチ74が配列される。このような樹脂パッケージ73を用いることで、真空チャッキングが可能な治具75によって把持することが可能となり、特に樹脂パッケージ73の側面を保持しながら転写が可能となることから、タッチスイッチ74を金属薄膜を微細加工した構造としても良いことになる。また、タッチスイッチ74の下部の樹脂パッケージ73が、タッチスイッチ74の底上げ部材として機能し、表示装置として表面にシートやパネルを配置した場合に、タッチスイッチ74の可動部がシートやパネルに接して確実に動作することになる。従って、発光ダイオードの樹脂形成パッケージ64の厚みに因らず、また、樹脂形成パッケージ64の間の空間に配列した場合であっても、センサとして押圧を確実に検知できることになる。
【0029】
次に図8に示すように、各タッチスイッチ74は樹脂パッケージ73ごと治具75に把持され、同時に粘着層72の粘着力を低下させるために選択的な加熱を行う。この加熱には、例えば支持基板71の裏面からのレーザー光の照射が利用されるが、他の加熱手段、例えばRTAなどの赤外線加熱手段を利用しても良い。
【0030】
治具75が把持した樹脂パッケージ73付きのタッチスイッチ74は、図9に示すように前述の装置基板65上で樹脂形成パッケージ64の間の所定領域に配される。なお、本実施形態では、装置基板65上に先に発光素子側の樹脂形成パッケージ64が転写され、次いでタッチスイッチ74側の樹脂パッケージ73が転写されるものとして説明したが、先にタッチスイッチ74側の樹脂パッケージ73を転写し、次いで発光素子側の樹脂形成パッケージ64を転写するようにしても良い。また、タッチスイッチの代りにMOS型やCCD型などの受光素子をセンサとして配設することも可能である。また、発光素子としては発光ダイオードの代わりに、半導体レーザーを形成しても良い。
【0031】
ここで本実施形態の表示装置に用いて好適な二段階拡大転写法による素子の配列方法について説明する。二段階拡大転写法による素子の配列方法は、高集積度をもって第一基板上に作成された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子をさらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転写を行う。なお、本例では転写を2段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階やそれ以上の多段階とすることもできる。
【0032】
図10はそれぞれ二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。まず、図10の(a)に示す第一基板90上に、例えば発光素子のような素子92を密に形成する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。第一基板90は例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基板であるが、各素子92は第一基板90上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【0033】
次に、図10の(b)に示すように、第一基板90から各素子92が一時保持用部材に転写され、この一時保持用部材の上に各素子92が保持される。このとき、同時に素子92毎に素子周りの樹脂の被覆を行う。素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、転写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成される。なお、隣接する素子92は例えば複数の一時保持用部材間での転写などにより選択分離を行うことにより、最終的には一時保持用部材上で離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子92はx方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、x方向に垂直なy方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。
【0034】
このような第一転写工程の後、図10の(c)に示すように、一時保持用部材91上に存在する素子92は離間されていることから、各素子92毎に電極パッドの形成が行われる。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。なお、図10の(c)には電極パッドは図示していない。樹脂93で固められた各素子92に電極パッドを形成することで樹脂形成チップ94が形成される。素子92は平面上、樹脂形成チップ94の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。
【0035】
次に、図10の(d)に示すように、第二転写工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材91上でマトリクス状に配される素子92が樹脂形成チップ94ごと更に離間するように第二基板15上に転写される。第二転写工程においても、隣接する素子92は樹脂形成チップ94ごと離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子92はx方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、x方向に垂直なy方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。第二転写工程によって配置された素子の位置が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子92間のピッチの略整数倍が第二転写工程によって配置された素子92のピッチとなる。ここで第一基板90から一時保持用部材91での離間したピッチの拡大率をnとし、一時保持用部材91から第二基板95での離間したピッチの拡大率をmとすると、略整数倍の値EはE=n×mで表される。
【0036】
第二基板95上に樹脂形成チップ94ごと離間された各素子92には、配線が施される。この時、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子92が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、p電極、n電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。
【0037】
図10に示した二段階拡大転写法においては、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッドの形成などを行うことができ、そして第二転写後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従って、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が2工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで第一基板90から一時保持用部材91での離間したピッチの拡大率を2(n=2)とし、一時保持用部材91から第二基板95での離間したピッチの拡大率を2(m=2)とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が2×2の4倍で、その二乗の16回の転写すなわち第一基板のアライメントを16回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率2の二乗の4回と第二転写工程での拡大率2の二乗の4回を単純に加えただけの計8回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意図する場合においては、(n+m)2=n2+2nm+m2であることから、必ず2nm回だけ転写回数を減らすことができることになる。従って、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。
【0038】
図11は図1の表示装置の変形例であり、夫々発光素子としての発光ダイオードを有する複数の発光ダイオードパッケージ81がマトリクス状に配列され、各発光ダイオードパッケージ81の間の空間にセンサ82が配設されている。センサ82の位置は、水平方向に並ぶ発光ダイオードパッケージ81同士の間ではなく、斜め方向に隣接する発光ダイオードパッケージ81同士の間の位置に決められており、複数の発光ダイオードパッケージ81で構成するマトリクスと、複数のセンサ82で構成するマトリクスとが水平方向と垂直方向の両方で所定距離だけシフトした構成とされる。このような構成によれば、水平方向や垂直方向でのピッチがセンサを配置するのに十分でない場合であっても、斜め方向で距離がとれる分だけ余裕を持って配置することができる。
【0039】
なお、本実施形態では、マトリクス状に配列される発光素子の間に、センサ12、82が配される構造について説明したが、センサの代わり或いはセンサと共に所要の能動素子を配列することも可能である。このような能動素子としてはトランジスタやダイオードなどが挙げられるが、エレクトロクロミック材などを組み合わせることも可能である。また、発光素子と共に形成する素子として、上述の実施形態の素子に限らず、例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これらの組み合わせなどを用いることも可能である。
【0040】
【発明の効果】
本発明の表示装置によれば、複数の発光素子の間の空間に夫々センサが配設されることから、各センサの位置を発光素子群と同じ面内にすることが可能となり、ボタン操作における違和感を確実に抑えることができる。また、本発明の表示装置を製造する場合には、転写法を用いることで、センサや発光素子を量産しながら、所定の表示装置を構成することが可能となり、特に大画面化を図る場合に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の表示装置の一例を示す概略平面図である。
【図2】本発明の表示装置の一例に用いられるタッチスイッチの一例を示す平面図である。
【図3】本発明の表示装置の一例に用いられるタッチスイッチの一例を示す断面図である。
【図4】本発明の表示装置の一例に用いられる発光ダイオードの一例を示す図であって、(a)は発光ダイオードの断面図であり、(b)は発光ダイオードの平面図である。
【図5】本発明の表示装置の一例に用いられる各発光素子ごとに異なるパッケージとした例の平面図である。
【図6】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工程断面図であって、発光素子側の樹脂形成パッケージの選択的な転写工程を示す工程断面図である。
【図7】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工程断面図であって、転写後の装置基板の状態を示す工程断面図である。
【図8】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工程断面図であって、タッチスイッチ側の樹脂パッケージの選択的な転写工程を示す工程断面図である。
【図9】本発明の表示装置の製造方法の一例にかかる工程断面図であって、タッチスイッチ側の樹脂パッケージの転写後の装置基板の状態を示す工程断面図である。
【図10】本発明の表示装置に適用される素子の配列方法を示す模式図である。
【図11】本発明の表示装置の他の一例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
11、81 発光ダイオードパッケージ
12、82 センサ
63 発光ダイオード
64 樹脂形成パッケージ
73 樹脂パッケージ
74 タッチセンサ
Claims (13)
- 支持基板上の発光素子を微小パッケージ内に配設する工程と、
他の支持基板上のセンサを微小パッケージに配設する工程と、
前記発光素子を前記微小パッケージごと装置基板上に転写する素子転写工程と、
前記センサを前記微小パッケージごと前記装置基板上に前記素子転写工程と同一の転写機構を用いて転写するセンサ転写工程とを有する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 第一基板上に前記発光素子を形成した後、前記発光素子の間隔を前記第一基板上における前記発光素子の間隔に比して大として一時保持用部材に転写する工程と、
前記一時保持用部材上において、前記発光素子を覆って微小パッケージを形成した後、前記発光素子の間隔を前記一時保持用部材上における前記発光素子の間隔に比して大として前記装置基板上に転写する工程とを有することを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記センサは押圧を出力信号に変換する感圧素子であることを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
- 前記感圧素子は弾性部材を設けた構造とされ、前記弾性部材の弾性変形によって前記押圧を検知することを特徴とする請求項3記載の表示装置の製造方法。
- 前記弾性部材は金属薄膜を微細加工した板状部材からなることを特徴とする請求項4記載の表示装置の製造方法。
- 前記感圧素子を微小パッケージに形成し、該微小パッケージ内に形成された前記感圧素子を微小パッケージ内に形成された前記発光素子と共に前記基板上に転写することを特徴とする請求項3記載の表示装置の製造方法。
- 前記発光素子は発光ダイオード若しくは半導体レーザからなることを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
- 前記センサは入射光を出力信号に変換する受光素子であることを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
- 前記受光素子は半導体素子からなることを特徴とする請求項8記載の表示装置の製造方法。
- 装置基板上に複数の発光素子からなる発光素子群と複数のセンサからなるセンサ素子群とを略同一平面上に形成することを特徴とする請求項 1 記載の表示装置の製造方法。
- 支持基板上の発光素子を微小パッケージ内に配設する工程と、
前記微小パッケージにセンサを配設する工程と、
前記発光素子及びセンサを前記微小パッケージごと装置基板上に転写する素子転写工程と、を有することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 第一基板上に前記発光素子を形成した後、前記発光素子の間隔を前記第一基板上の前記発光素子での間隔に比して大として一時保持用部材に転写する工程と、
前記一時保持用部材上において、前記発光素子を覆って微小パッケージを形成すると共に、前記微小パッケージにセンサを配設する工程と、
前記発光素子の間隔を前記一時保持用部材上での前記発光素子の間隔に比して大として、前記微小パッケージに配設したセンサと共に前記装置基板上に転写する工程とを有することを特徴とする請求項11記載の表示装置の製造方法。 - 基板上に複数の発光素子がマトリクス状に配列され、
前記複数の発光素子の間の空間に夫々押圧を出力信号に変換する感圧素子及び/又は能動素子が設けられ、
前記感圧素子及び/又は能動素子は微小パッケージに形成され、該微小パッケージに形成された前記感圧素子及び/又は能動素子は、微小パッケージ内に形成された前記発光素子と共に前記基板上に転写されたものであることを特徴とする表示装置。
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