JP3876250B2 - 表面実装型半導体電子部品および製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、電子機器に組み込まれるプリント基板に実装するときに信頼性の高い半田付けが確保できるような表面実装型半導体電子部品を低コストで製造する方法およびそれを用いて製造される表面実装型半導体電子部品を提供することを目的とするものである。
絶縁基板上に多数の独立した導体パターンが両面に配設された、両面スルーホールプリント基板と、
金属導電膜が施された内周面と両端に開口部を有し、前記導体パターンを貫通するように前記両面スルーホールプリント基板に配設されるハーフスルーホールと、
前記開口部のうち、一方の開口部から前記内周面の途中までを塞ぐ第1レジスト膜と、該第1レジスト膜の上面に形成された第2レジスト膜の2層のレジスト膜と、
前記2層のレジスト膜側の前記両面スルーホールプリント基板の導体パターン上に配置される半導体ベアチップと、
前記半導体ベアチップを覆うように封止する樹脂と、
を備えることを特徴とするものである。
絶縁基板上に多数の独立した導体パターンが両面に配設された、両面スルーホールプリント基板と、
金属導電膜が施された内周面と両端に開口部を有し、前記導体パターンを貫通するように前記両面スルーホールプリント基板に配設されるハーフスルーホールと、
前記開口部の一方の開口部を塞ぐプリプレグと、
前記開口部から前記内周面の途中までを塞ぐプリプレグおよびプリプレグに含浸された熱硬化性樹脂と、
前記プリプレグ側の前記両面スルーホールプリント基板の導体パターン上に配置される半導体ベアチップと、
前記半導体ベアチップを覆うように封止する樹脂と、
を備えることを特徴とするものである。
2 絶縁基板
3 導体パターン
4 金属導電膜
5 スルーホール
5′ ハーフスルーホール
6 第1レジスト
7 第2レジスト
8 金メッキ
9 開口部
9′ 開口部
10 LEDベアチップ
11 受光ベアチップ
12 ワイヤ
13 光透過性樹脂
14 レンズ
15 表面実装型半導体電子部品
16 プリント基板
17 導体パターン
18 半田
19 電極パッド
20 プリプレグ
21 絶縁シート
Claims (11)
- 絶縁基板の両面に多数の独立した導体パターンが配設され、内周面に金属導電膜が施されたスルーホールを介して前記両面の導体パターンが導通するようにした両面スルーホールプリント基板の前記スルーホールの一方の開口部を塞ぐ工程と、前記両面スルーホール基板の前記スルーホールの開口部を塞いだ面の導体パターン上に半導体ベアチップを配置する工程と、前記半導体ベアチップを配置した前記両面スルーホール基板がセットされた成形金型内に第1の樹脂を圧入することによって前記半導体ベアチップを覆うように樹脂封止を行なう工程とを有することを特徴とする表面実装型半導体電子部品の製造方法であって、前記開口部を塞ぐ工程は、前記スルーホールの上部に第1レジスト膜を形成し、該第1レジスト膜の上面に第2レジスト膜を形成して2層のレジスト膜で構成されることを特徴とする表面実装型半導体電子部品の製造方法。
- 前記第1レジスト膜は、前記スルーホールの途中までを塞ぐことを特徴とする請求項1に記載の表面実装型半導体電子部品の製造方法。
- 前記スルーホールの前記第1レジストと接触する面に粗化処理が施されていることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の表面実装型半導体電子部品の製造方法。
- 絶縁基板の両面に多数の独立した導体パターンが配設され、内周面に金属導電膜が施されたスルーホールを介して前記両面の導体パターンが導通するようにした両面スルーホールプリント基板の前記スルーホールの一方の開口部を塞ぐ工程と、前記両面スルーホール基板の前記スルーホールの開口部を塞いだ面の導体パターン上に半導体ベアチップを配置する工程と、前記半導体ベアチップを配置した前記両面スルーホール基板がセットされた成形金型内に第1の樹脂を圧入することによって前記半導体ベアチップを覆うように樹脂封止を行なう工程とを有することを特徴とする表面実装型半導体電子部品の製造方法であって、前記開口部を塞ぐ工程は、前記両面スルーホールプリント基板において、前記導体パターンの少なくとも前記半導体ベアチップが配置される位置の近傍および前記半導体ベアチップに一方の端部が接続されたワイヤの他方の端部が接続される位置の近傍を除いた部分にプリプレグを備えた絶縁シートが貼着され、前記プリプレグに含浸された熱硬化性樹脂が前記スルーホールの途中までを塞ぐことを特徴とする表面実装型半導体電子部品の製造方法。
- 前記スルーホールの前記熱硬化性樹脂と接触する面に粗化処理が施されていることを特徴とする請求項4に記載の表面実装型半導体電子部品の製造方法。
- 前記半導体ベアチップを配置した前記両面スルーホール基板がセットされた前記成形金型内に第1の樹脂を圧入することによって前記樹脂封止を行なう方法は、トランスファ成形であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の表面実装型半導体電子部品の製造方法。
- 前記半導体ベアチップを配置した前記両面スルーホール基板がセットされた前記成形金型内に第1の樹脂を圧入することによって前記樹脂封止を行なう方法において、成形圧力が80kg/cm 2 から120kg/cm 2 であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の表面実装型半導体電子部品の製造方法。
- 絶縁基板上に多数の独立した導体パターンが両面に配設された、両面スルーホールプリント基板と、
金属導電膜が施された内周面と両端に開口部を有し、前記導体パターンを貫通するように前記両面スルーホールプリント基板に配設されるハーフスルーホールと、
前記開口部のうち、一方の開口部から前記内周面の途中までを塞ぐ第1レジスト膜と、該第1レジスト膜の上面に形成された第2レジスト膜の2層のレジスト膜と、
前記2層のレジスト膜側の前記両面スルーホールプリント基板の導体パターン上に配置される半導体ベアチップと、
前記半導体ベアチップを覆うように封止する樹脂と、
を備えることを特徴とする表面実装型半導体電子部品。 - 前記ハーフスルーホールの前記第1レジスト膜と接触する面に粗化処理が施されていることを特徴とする請求項8に記載の表面実装型半導体電子部品。
- 前記第1レジスト膜は、前記第2レジスト膜により覆われていることを特徴とする請求項8または9のいずれか1項に記載の表面実装型半導体電子部品。
- 絶縁基板上に多数の独立した導体パターンが両面に配設された、両面スルーホールプリント基板と、
金属導電膜が施された内周面と両端に開口部を有し、前記導体パターンを貫通するように前記両面スルーホールプリント基板に配設されるハーフスルーホールと、
前記開口部の一方の開口部を塞ぐプリプレグと、
前記開口部から前記内周面の途中までを塞ぐプリプレグおよびプリプレグに含浸された熱硬化性樹脂と、
前記プリプレグ側の前記両面スルーホールプリント基板の導体パターン上に配置される半導体ベアチップと、
前記半導体ベアチップを覆うように封止する樹脂と、
を備えることを特徴とする表面実装型半導体電子部品。
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