JP3874059B2

JP3874059B2 - Manufacturing method of semiconductor device

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Publication number: JP3874059B2
Application number: JP2000178255A
Authority: JP
Inventors: 秀樹湯澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-06-14
Filing date: 2000-06-14
Publication date: 2007-01-31
Anticipated expiration: 2020-06-14
Also published as: JP2001358245A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体チップの集積回路形成面（能動面）に入射する光を遮断するために、半導体チップを搭載する基板の裏面に遮光用の接着テープを貼り付けて、半導体チップの誤動作を防止している。従来、遮光用の接着テープは、半導体装置が製品化された後に、改めて接着していた。しかし、製品化後に遮光用の接着テープを貼り付けることは煩雑であった。
【０００３】
本発明はこの問題点を解決するためのものであり、その目的は、製造プロセスにおいて半導体チップの遮光性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）配線基板の製造方法は、
ベース基板に金属箔を形成し、前記金属箔上にレジスト層を形成し、前記金属箔の前記レジスト層からの露出部をエッチングする工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記ベース基板の両面に前記金属箔を形成し、
前記ベース基板の両面の側から前記金属箔の露出部を同時にエッチングして、前記ベース基板の一方の面に配線パターンを形成し、他方の面に前記一方の面の半導体チップの搭載領域に対応して金属膜を形成する。
【０００５】
これによれば、ベース基板の両面に金属箔を形成し、各面の金属箔を同時にエッチングすることで、ベース基板に配線パターンと金属膜とを同時に形成する。１工程で配線パターンと金属膜を形成できるので、この点でコストの削減ができる。また、金属膜は、半導体チップの搭載領域に対応して形成することで、例えば半導体チップの遮光性を高めることができる。これによって、製造プロセスにおいて、改めて工程を追加することなく、遮光性を高めることができる配線基板を製造できる。
【０００６】
（２）この配線基板の製造方法は、前記金属膜は、前記半導体チップの外形以上の大きさで形成してもよい。
【０００７】
これによって、半導体チップの能動面に入射する光を確実に遮断することができる。
【０００８】
（３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体チップの搭載領域を有して配線パターンが形成された第１領域と、前記第１領域との接続部を有し前記接続部を除いて前記半導体チップの外形以上の大きさで切断されてなる第２領域と、を含む基板に、前記半導体チップを搭載する工程を含み、
前記基板の前記第１領域に前記半導体チップを搭載し、
前記基板の前記第２領域を、前記第１領域に接続させたままで、前記半導体チップと重なるように貼り付ける。
【０００９】
本発明によれば、基板の第１領域に半導体チップを搭載し、第１領域に接続された第２領域を第１領域の半導体チップと重なるように貼り付ける。これにより、半導体チップに入射する光を第２領域によって遮断できる。また、第２領域は、第１領域と接続させたままで第１領域の半導体チップと重なるように貼り付けるので、その作業性に優れている。したがって、簡単な製造プロセスによって、半導体チップの遮光性を高めることができる。
【００１０】
（４）この半導体装置の製造方法において、前記第２領域は、前記半導体チップの外形以上の大きさの金属膜を有してもよい。
【００１１】
これによれば、半導体チップの面に入射する光を遮断する遮光部材として、第２領域に金属膜が形成されている。これによって、半導体チップの遮光性を高めることができる。
【００１２】
（５）この半導体装置の製造方法において、前記配線パターンは、前記第１領域内において、前記半導体チップの前記搭載領域の内側から外側に延びて形成され、
前記第２領域は、前記配線パターンを避けて複数形成され、
前記半導体チップの搭載後に、
複数の前記第２領域の１つを、前記基板の前記半導体チップの搭載側であって前記半導体チップの面に貼り付け、他の１つを、前記第１領域における前記半導体チップの前記搭載領域の裏面に貼り付けてもよい。
【００１３】
これによれば、第２領域の１つを基板の半導体チップの搭載側であって半導体チップの面に貼り付け、他の１つを搭載領域の裏面に貼り付ける。これにより、半導体チップの両側から入射する光を遮断することができる。
【００１４】
（６）この半導体装置の製造方法において、前記第２領域は、前記配線パターンの延びる方向と同一方向に長く形成され、
前記第２領域における前記第１領域との前記接続部を、前記第２領域が前記半導体チップと重なるように斜めに折り曲げて、
前記第２領域を、前記配線パターンの延びる方向と交差する方向が長くなるようにして貼り付けてもよい。
【００１５】
これによって、基板の限られた面積を有効に利用して、第２領域を第１領域と接続させたままで、半導体チップと重なるように貼り付けることができる。
【００１６】
（７）この半導体装置の製造方法において、前記基板は、長尺のテープ状をなし、
前記半導体チップを搭載し、前記第２領域を前記半導体チップと重なるように貼り付けた後に、少なくとも前記第１領域の範囲で前記基板を打ち抜く工程をさらに含んでもよい。
【００１７】
（８）半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【００１８】
（９）半導体装置は、
電極が形成された半導体チップと、
配線パターンが形成され、前記半導体チップが搭載された第１の基板と、
前記半導体チップと重なるように貼り付けられ、前記第１の基板と同じ材料からなる第２の基板と、
を含み、
前記第１の基板の端部と前記第２の基板の端部とは、屈曲した状態で接続され、
前記第２の基板は、前記半導体チップの外形以上の大きさの金属膜を有する。
【００１９】
これによれば、第１の基板に半導体チップが搭載され、第２の基板は第１の基板の半導体チップと重なるように貼り付けられている。これにより、半導体チップに入射する光を第２の基板によって遮断できる。また、第２の基板は、第１の基板と接続されたままで第１の基板の半導体チップと重なるように貼り付けられているので、その作業性に優れている。
【００２０】
（１０）この半導体装置において、前記第２の基板は複数形成され、
前記第２の基板の１つは、前記半導体チップの前記第１の基板を向く面とは反対側の面に貼り付けられ、前記第２の基板の他の１つは、前記第１の基板における前記半導体チップの搭載領域の裏面に貼り付けられてもよい。
【００２１】
これによれば、第２の基板の１つは第１の基板の半導体チップの搭載側であって半導体チップの面に貼り付けられ、他の１つは第１の基板の半導体チップの搭載領域の裏面に貼り付けられている。これにより、半導体チップの両側から入射する光を遮断することができる。
【００２２】
（１１）回路基板は、上記半導体装置が電気的に接続されている。
【００２３】
（１２）電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２５】
（参考例）
図１〜図４は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。参考例に係る配線基板の製造方法は、例えば、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板や、ＣＯＢ（Chip On Board）用基板の製造方法として適用するものであってもよい。
【００２６】
図１に示すように、ベース基板１０の両面に金属箔１２を形成する。ここで、ベース基板１０は、有機系の材料から形成されたものであってもよい。有機系の材料から形成されたベース基板１０として、例えばポリイミド樹脂等からなるフレキシブル基板が挙げられる。ベース基板１０は、フレキシブル基板のような遮光性の低い性質を有するものに特に効果的である。また、ベース基板１０は、上述とは別に、無機系の材料を含むものであってもよく、例えばセラミック基板、ガラス基板、又はガラスエポキシ基板などであってもよい。
【００２７】
ベース基板１０は、図１に示すように、既に個片切断されたものを使用してもよい。この場合にベース基板１０の形状及び大きさは限定されない。あるいは、ベース基板１０は長尺状のものを使用してもよい。長尺状のベース基板１０は、両端部がリール（図示しない）に巻き取られて半導体装置の製造工程を行うリール・トゥ・リールの工程に使用するものであってもよい。なお、配線基板の製造方法は、リール・トゥ・リールの工程において行ってもよい。
【００２８】
金属箔１２は、図１に示すように単一層であってもよく、あるいは複数層から形成されてもよい。金属箔１２は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のいずれか一つ又は複数の材料によって形成されてもよい。金属箔１２は、ベース基板１０の各面において、同一材料からなるものを使用してもよく、あるいは別の材料からなるものを使用してもよい。また、金属箔１２は、ベース基板１０の各面において、同一の厚さで形成してもよく、あるいは異なる厚さで形成してもよい。
【００２９】
金属箔１２は、ベース基板１０に接着剤等で貼り付けてもよい。あるいは、スパッタリング等によって、ベース基板１０上に膜を被着させて、金属箔１２を形成してもよい。もしくは、ベース基板１０に無電解メッキ等で金属箔１２を設けてもよい。また、図１に示すように、金属箔１２は、ベース基板１０の面に全体に形成してもよいが、後の工程で金属箔１２をエッチングして残す部分のあたりに部分的に形成してもよい。
【００３０】
図２に示すように、ベース基板１０の金属箔１２にレジスト層２０を形成する。詳しくは、レジスト層２０を金属箔１２上でパターニングする。レジスト層２０は、ベース基板１０の一方の面の金属箔１２において配線パターン１４の形状に対応して形成し、他方の面の金属箔１２において金属膜１６の形状に対応して形成する。言い換えると、レジスト層２０は、ベース基板１０の一方の面において、配線パターン１４として残す金属箔１２の一部を覆って形成し、他方の面において、半導体チップ３０の搭載領域に対応する領域を覆って形成する。この場合に、ベース基板１０の金属膜１６を形成する面では、ベース基板１０の平面視において、半導体チップ３０の外形以上の大きさで、その搭載領域にレジスト層２０を形成してもよい。これにより、半導体チップ３０の外形以上の大きさの金属膜１６を形成できる。なお、レジスト層２０のパターニングは、金属箔１２に対して、ベース基板１０の両面を同時に行ってもよい。
【００３１】
レジスト層２０のパターニング方法として、例えば、レジスト層２０をベース基板１０の金属箔１２の両面の全体に設け、その後にフォトリソグラフィ技術等を適用してパターニングしてもよい。すなわち、図示しないマスクを介して感光性のレジスト層２０にエネルギーを照射、現像して形成してもよい。このときに、レジスト層２０はポジ型及びネガ型レジストであることを問わない。あるいは、非感光性のレジスト層２０をエッチングして形成してもよい。
【００３２】
あるいは、レジスト層２０のパターニング方法として、インクジェット方式又は印刷方式を使用してもよい。例えば、インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつインクを無駄なく経済的に充填することが可能である。インクジェットヘッド（図示しない）は、例えばインクジェットプリンタ用に実用化されたもので、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいはエネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェットタイプ等が使用可能であり、吐出面積及び吐出パターンは任意に設定することができる。
【００３３】
あるいは、ベース基板１０の金属膜１６を形成する面では、金属箔１２上に、レジスト層２０を金属膜１６の形状に合わせて転写させることで、レジスト層２０を形成してもよい。金属膜１６は、配線パターン１４の形状に比べて微細な精度を必要としないので、転写によって容易にレジスト層２０を形成できる。
【００３４】
こうして、金属箔１２上にレジスト層２０をパターニングして形成することによって、金属箔１２のレジスト層２０からの露出部を形成する。次に、金属箔１２のレジスト層２０からの露出部をエッチングする。この場合に、ベース基板１０の両面の側から、金属箔１２の露出部を同時にエッチングする。例えば、ベース基板１０の側部を図示しない冶具によって支持しておき、ベース基板１０の両面の側から図示しないノズルによって、エッチング液２２を噴射させて、ベース基板１０の両面の金属箔１２を同時にエッチングしてもよい。これによって、１工程で、ベース基板１０の両面の金属箔１２を同時にエッチングすることができる。なお、エッチング方式は、上述のようにエッチング液２２などを用いたウェットエッチング方式を使用してもよく、ベース基板１０の両方の側から同時にエッチングできれば、エッチングガスなどを用いたドライエッチング方式を使用してもよい。
【００３５】
図３及び図４は、配線基板１に半導体チップ３０を搭載した図である。配線基板の製造方法によって、図３に示すように、ベース基板１０の一方の面に配線パターン１４を形成し、それと同時に他方の面に金属膜１６を形成することができる。ここで、配線パターン１４の形態は特に限定されない。例えば、配線パターン１４は、図４に示すように、半導体チップ３０の電極３２等の電気的接続部である接合部１５と、その接合部につながる配線とを有してもよい。この場合に、図示するように接合部１５は、配線よりも面積の広い、いわゆるランド部となっていてもよい。また、各配線は、例えば半導体チップ３０の搭載領域の内側から外側に至るように形成されてもよく、その形態は限定されない。
【００３６】
金属膜１６は、半導体チップ３０の搭載領域に対応して形成する。図３及び図４に示すように、金属膜１６は、半導体チップ３０の外形を含むように、その外形以上の大きさで形成してもよい。これによって、配線基板１に半導体チップ３０を搭載したときに、半導体チップ３０の面に、あらゆる方向から入射する光をほぼ確実に遮断することができる。
【００３７】
配線基板の製造方法によって製造された配線基板１に半導体チップ３０を搭載することで、半導体チップ３０の遮光性を高めることができる。ここで、半導体チップ３０は、複数の電極３２を有する。電極３２は、半導体チップ３０の内部に形成された集積回路の端子である。半導体チップ３０の電極３２の形成された側の面には、各電極３２の少なくとも一部を避けて、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などからなるパッシベーション膜（図示しない）が形成されている。また、電極３２上にバンプ３４が形成されていてもよい。
【００３８】
半導体チップ３０は、電極３２に形成された側の面を対向させて、配線基板１に搭載する。すなわち、半導体チップ３０を、配線基板１にフェースダウンボンディングする。この場合の電気的接続として、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等の異方性導電材料を使用して、導電粒子をバンプ３４と配線パターン１４との間に介在させてもよい。あるいは、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによる金属接合や、絶縁樹脂の収縮力によって、バンプ３４と配線パターン１４とを電気的に接続させてもよい。
【００３９】
配線基板１には、半導体チップ３０の搭載側とは反対側に金属膜１６が形成されているので、金属膜１６によって、配線基板１を向く半導体チップ３０の能動面に入射する光を遮断できる。これによって、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００４０】
配線基板の製造方法によれば、ベース基板１０の両面に金属箔１２を形成し、各面の金属箔１２を同時にエッチングすることで、ベース基板１０に配線パターン１４と金属膜１６とを同時に形成する。１工程で配線パターン１と金属膜１６を形成できるので、この点で製造時の手間をなくし、コストの削減ができる。また、金属膜１６は、半導体チップ３０の搭載領域に対応して形成することで、例えば半導体チップ３０の遮光性を高めることができる。これによって、製造プロセスにおいて、改めて工程を追加することなく、遮光性を高めることができる配線基板を製造できる。
【００４１】
（実施の形態）
図５及び図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。なお、本実施の形態でも、参考例で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【００４２】
図５は、本実施の形態に係る基板４０に、半導体チップ３０を搭載した図である。本実施の形態に係る基板４０は、ベース基板４２に配線パターン５２が形成されてなるものである。図５に示すように、ベース基板４２は、長尺状をなすものであってもよい。ベース基板４２はフレキシブル性を有する。ベース基板４２は、リール・トゥ・リールの工程に使用されるものであってもよい。ベース基板４２には、幅方向の両側端部であって、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホール４４が形成されてもよい。スプロケットホール４４に、図示しないスプロケットを噛み合わせることで、ベース基板４２を長手方向に搬送することができる。なお、ベース基板４２のその他の形態は、上述の参考例と同様であってもよい。
【００４３】
基板４０は、第１領域５０と、第２領域６０と、を含む。第１領域５０は、配線パターン５２が形成されてなり、半導体チップ３０の搭載領域を有する。図５に示す例では、第１領域５０の範囲は、２点鎖線で囲まれた範囲であるがその形態はこれに限定されない。基板４０には、その長手方向に第１領域５０が複数並んで形成されてもよい。あるいは、基板４０の長手方向と幅方向との両方に、いわゆるマトリクス状に第１領域５０が複数並んで形成されてもよい。
【００４４】
第１領域５０は、基板４０の幅方向のほぼ中央部に形成されてもよい。すなわち、配線パターン５２は、基板４０の幅方向のほぼ中央部に形成されてもよい。第１領域５０の配線パターン５２は、図５に示す例では、半導体チップ３０の内側から外側に至るように、基板４０の長手方向に延びて形成されている。あるいは、配線パターン５２は、基板４０の幅方向に延びて形成されてもよい。なお、配線パターン５２の形状は特に限定されない。
【００４５】
第２領域６０は、第１領域５０の隣に形成されている。第２領域６０は、１つの第１領域５０に対して、１つ又は複数形成されている。図５に示す例では、２つの第２領域６０が、基板４０の幅方向における第１領域５０の両側に形成されているが、その形態はこれに限定されない。
【００４６】
第２領域６０は、金属膜６２を有する。金属膜６２は、第１領域５０の配線パターン５２が形成された側と同じ側の面に形成されてもよい。また、金属膜６２は、配線パターン５２と同一材料から形成されてもよい。すなわち、金属膜６２は、配線パターン５２の形成工程と同時に形成されたものであってもよい。なお、金属膜６２の形態はこれに限定されず、基板４０の配線パターン５２が形成された側とは反対側に形成されてもよく、あるいは配線パターン５２とは異なる材料で形成されてもよい。
【００４７】
第２領域６０は、第２領域６０の端部と第１領域５０の端部とを接続する接続部６４を有し、接続部６４を除いて半導体チップ３０の外形以上の大きさで切断されている。これによって、第２領域６０を、第１領域５０に接続させたままで、半導体チップ３０と重なるように貼り付けることができる。なお、第２領域６０に形成される金属膜６２は、第１領域５０に搭載する半導体チップ３０の外形以上の大きさで形成されてもよい。これによって、後述するように半導体チップ３０に入射する光をほぼ確実に遮断することができる。
【００４８】
図５に示す例では、金属膜６２は切断されてなる第２領域６０の内側に形成されている。あるいは、これとは別に金属膜６２は、予め、第２領域６０が切断される境界部分をはみ出して形成され、切断によって第２領域６０の外形と同じ大きさで打ち抜かれて形成されてもよい。
【００４９】
図５に示すように、第２領域６０は、配線パターン５２の延びる方向と同一方向に長く形成されてもよい。図５に示す例では、配線パターン５２は、半導体チップ３０の内側から外側に基板４０の長手方向に延びて形成され、第２領域６０は、第１領域５０の配線パターン５２を避けて基板４０の幅方向に形成されている。ここで、例えば、半導体チップ３０が基板４０の幅方向に沿って長い形状を有して搭載される場合は、第２領域６０は、半導体チップ３０の形状に合わせて長い形状を有するように形成する。ところで、図５に示すように、長尺状の基板４０の幅が十分に広くない場合は、第２領域６０を基板４０の幅方向に長くして確保できない場合がある。そこで、図５に示すように、第２領域６０を、配線パターン５２の隣に、その延びる方向と同一方向に長く形成してもよい。このような第２領域６０の形態は、第２領域６０を複数形成する場合に特に効果的である。なお、この場合の第２領域６０を半導体チップ３０と重なるように貼り付ける形態は後述する。
【００５０】
基板４０の第１領域５０に、半導体チップ３０を搭載する。半導体チップ３０は、電極（図示しない）を有する面を基板４０に対向させて搭載する。この場合に、半導体チップ３０の電極と第１領域５０の配線パターン５２とを電気的に接続する形態は上述と同様であってもよい。
【００５１】
半導体チップ３０の平面形状は一般には矩形であり、図５に示すように、長方形であってもよく、あるいは正方形であってもよい。また、電極は半導体チップ３０の端部に形成されても、中央部に形成されても構わない。半導体チップ３０の外形が長方形である場合には、半導体チップ３０の長手方向に電極が配列されてもよいし、短手方向に電極が配列されてもよい。また、図５に示すように、長方形の半導体チップ３０の長手軸を、基板４０の長手軸に直交させて、半導体チップ３０を第１領域５０に搭載してもよい。
【００５２】
図６に示すように、半導体チップ３０を搭載した後に、第２領域６０を、第１領域５０に接続させたままで、半導体チップ３０と重なるように貼り付ける。詳しくは、平面視において第２領域６０を半導体チップ３０と重なるようにする。複数の第２領域６０が第１領域５０に接続されて形成されている場合は、そのうちの１つを、半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付け、他の１つを、第１領域５０における半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付ける。すなわち、複数の第２領域６０によって、第１領域５０及び半導体チップ３０を、基板４０の両面の側から挟む。これにより、半導体チップ３０の両側から入射する光を遮断することができる。
【００５３】
また、図６に示す例とは異なり、１つの第２領域６０が第１領域５０に接続された場合は、第２領域６０を、第１領域５０における半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付けてもよい。これによって、第２領域６０を第１領域５０に接続させたままで、作業性に優れる工程によって、半導体チップ３０の能動面への光の入射を遮断できる。あるいは、これとは別に第２領域６０を、第１領域５０における半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付けてもよい。
【００５４】
半導体チップ３０を基板４０の幅方向に沿って長い形状を有するように、第１領域５０に搭載した場合であって、第２領域６０を配線パターン５２の延びる方向と同一方向に長く形成したときは、第２領域６０を配線パターン５２の延びる方向と交差する方向が長くなるようにして貼り付けてもよい。すなわち、第２領域６０における第１領域５０との接続部６４を、第２領域６０が半導体チップ３０の外形を覆うようにして斜めに折り曲げる。例えば、図６に示すように、長い形状を有する第２領域６０のそれ自体の長手軸が、基板４０の長手軸と直交するように、接続部６４において斜めに折り曲げてもよい。これによって、基板４０の限られた幅を有効に利用して、第２領域６０を第１領域５０と接続させたままで、半導体チップ３０と重なるように貼り付けることができる。
【００５５】
基板４０が長尺状をなす場合は、上述の各工程をリール・トゥ・リールの工程で行ってもよい。第１領域５０は基板４０を搬送する部分に接続されており、第２領域６０は第１領域５０に接続されたままで折り曲げることが可能であるので、既存のリール・トゥ・リールの工程によって、効率良く半導体装置を製造することが可能である。なお、第２領域６０を半導体チップ３０と重なるように貼り付けた後に、少なくとも第１領域５０の範囲に沿って、図示しない金型によって基板４０を打ち抜いてもよい。基板４０を打ち抜く範囲は、例えば図６に示す２点鎖線の範囲であってもよい。あるいは、第１領域５０を含む範囲で、その範囲からはみ出した第２領域６０の接続部６４を取り除くようにして基板４０を打ち抜いても構わない。
【００５６】
本実施の形態によれば、基板４０の第１領域５０に半導体チップ３０を搭載し、第１領域５０に接続された第２領域６０を第１領域５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付ける。これにより、半導体チップ３０に入射する光を第２領域６０によって遮断できる。また、第２領域６０は、第１領域５０と接続させたままで第１領域５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付けるので、その作業性に優れている。したがって、簡単な製造プロセスによって、半導体チップ３０の遮光性を高めることができる。
【００５７】
以上に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明したが、次に半導体装置について説明する。図７は、本実施の形態に係る半導体装置を説明するための図であり、詳しくは半導体装置を電気的に接続させた回路基板を示す図である。なお、以下の説明では、上述の製造方法での記載と重複する部分は省略する。
【００５８】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ３０と、第１領域（第１の基板）５０と、第２領域（第２の基板）６０と、を含む。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法によって製造された半導体装置２（図７参照）であってもよい。あるいは、上述とは異なる製造方法によって製造されてもよい。
【００５９】
第１領域（第１の基板）５０は、配線パターン５２が形成され、半導体チップ３０の搭載領域を有する。図７に示すように、配線パターン５２は、半導体チップ３０の搭載領域の内側から外側に至って形成されてもよく、あるいは半導体チップ３０の搭載領域の内側のみに形成されてもよい。なお、第１領域（第１の基板）５０の外形は、半導体チップ３０の外形よりも大きくてもよく、あるいは半導体チップ３０の外形とほぼ同じ大きさであってもよい。
【００６０】
第２領域（第２の基板）６０は、半導体チップ３０と重なるように貼り付けられている。第２領域（第２の基板）６０は、第１領域（第１の基板）５０に対して、図７に示すように複数であってもよく、あるいは１つであってもよい。第２領域（第２の基板）６０が複数の場合は、そのうちの１つは、半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付けられている。一方、複数の第２領域（第２の基板）６０の他の１つは、第１領域（第１の基板）５０における半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付けられている。これとは別に、第２領域（第２の基板）６０が１つからなる場合は、上述の半導体チップ３０の搭載側、又はそれとは反対側のいずれの側に貼り付けられてもよい。
【００６１】
第２領域（第２の基板）６０は、半導体チップ３０の外形以上の大きさの金属膜６２を有する（図５参照）。金属膜６２は、配線パターン５２と同一材料から形成されてもよく、別材料から形成されてもよい。金属膜６２は、半導体チップ３０に重なるように貼り付けられた第２領域（第２の基板）６０におけるいずれの面に形成されてもよい。
【００６２】
第１領域（第１の基板）５０の端部と第２領域（第２の基板）６０の端部とは、屈曲した状態で接続されている。この接続部６４は、１つの第２領域（第２の基板）６０において図７の例に示すように１つであってもよく、あるいは複数位置で複数形成されてもよい。
【００６３】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、第１領域（第１の基板）５０に半導体チップ３０が搭載され、第２領域（第２の基板）６０は第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付けられている。これにより、半導体チップ３０に入射する光を第２領域（第２の基板）６０によって遮断できる。また、第２領域（第２の基板）６０は、第１領域（第１の基板）５０と接続されたままで第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付けられているので、その作業性に優れている。
【００６４】
また、第２領域（第２の基板）６０の１つは第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付けられ、他の１つは第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付けられている。これにより、半導体チップ３０の両側から入射する光を遮断することができる。
【００６５】
図７は、本発明を適用した本実施の形態に係る回路基板を示す図である。図７に示すように、回路基板９０には、上述した半導体装置２が電気的に接続されている。回路基板９０は、例えば液晶パネルであってもよい。
【００６６】
図７に示すように、半導体装置２は、屈曲させて設けてもよい。例えば、回路基板９０の端部の回りに半導体装置２を屈曲させてもよい。
【００６７】
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図８には、本発明を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ１００が示されている。図９には、携帯電話１１０が示されている。この携帯電話１１０は、本発明を適用した回路基板９０（液晶パネル）も有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図２】図２は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が電気的に接続された回路基板を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ベース基板
１２金属箔
１４配線パターン
１６金属膜
２０レジスト層
３０半導体チップ
４０基板
４２ベース基板
５０第１領域（第１の基板）
５２配線パターン
６０第２領域（第２の基板）
６２金属膜
６４接続部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention , Semiconductor equipment Set Manufacturing method To the law Related.
[0002]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In order to block the light incident on the integrated circuit formation surface (active surface) of the semiconductor chip, a light-blocking adhesive tape is attached to the back surface of the substrate on which the semiconductor chip is mounted to prevent malfunction of the semiconductor chip. Conventionally, the light-shielding adhesive tape has been bonded again after the semiconductor device is commercialized. However, it was troublesome to apply a light-shielding adhesive tape after commercialization.
[0003]
The present invention is for solving this problem, and its object is to improve the light-shielding property of the semiconductor chip in the manufacturing process. Half Conductor Set Manufacturing method The law Is to provide.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
(1 Distribution The manufacturing method of the wire board
Forming a metal foil on a base substrate, forming a resist layer on the metal foil, and etching the exposed portion of the metal foil from the resist layer,
Forming the metal foil on both sides of the base substrate;
The exposed portion of the metal foil is simultaneously etched from both sides of the base substrate to form a wiring pattern on one surface of the base substrate, and the other surface corresponds to the mounting area of the semiconductor chip on the one surface Then, a metal film is formed.
[0005]
this According to the above, a metal foil is formed on both surfaces of the base substrate, and the metal foil on each surface is simultaneously etched, whereby a wiring pattern and a metal film are simultaneously formed on the base substrate. Since the wiring pattern and the metal film can be formed in one process, the cost can be reduced in this respect. In addition, the metal film is formed corresponding to the mounting area of the semiconductor chip, so that, for example, the light shielding property of the semiconductor chip can be improved. As a result, it is possible to manufacture a wiring board capable of improving the light shielding property without adding another process in the manufacturing process.
[0006]
(2) In this method of manufacturing a wiring board, the metal film may be formed with a size larger than the outer shape of the semiconductor chip.
[0007]
Thereby, it is possible to reliably block light incident on the active surface of the semiconductor chip.
[0008]
(3) A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes:
A first region having a semiconductor chip mounting region on which a wiring pattern is formed; and a connecting portion between the first region and a portion larger than an outer shape of the semiconductor chip except for the connecting portion. A step of mounting the semiconductor chip on a substrate including the second region,
Mounting the semiconductor chip on the first region of the substrate;
The second region of the substrate is pasted so as to overlap the semiconductor chip while being connected to the first region.
[0009]
According to the present invention, a semiconductor chip is mounted on the first region of the substrate, and the second region connected to the first region is pasted so as to overlap the semiconductor chip of the first region. Thereby, the light incident on the semiconductor chip can be blocked by the second region. Moreover, since the second region is pasted so as to overlap the semiconductor chip of the first region while being connected to the first region, the workability is excellent. Therefore, the light shielding property of the semiconductor chip can be improved by a simple manufacturing process.
[0010]
(4) In this method of manufacturing a semiconductor device, the second region may include a metal film having a size larger than the outer shape of the semiconductor chip.
[0011]
According to this, the metal film is formed in the second region as a light shielding member that blocks light incident on the surface of the semiconductor chip. Thereby, the light shielding property of the semiconductor chip can be improved.
[0012]
(5) In this method of manufacturing a semiconductor device, the wiring pattern is formed extending from the inside of the mounting region of the semiconductor chip to the outside in the first region.
A plurality of the second regions are formed avoiding the wiring pattern,
After mounting the semiconductor chip,
One of the plurality of second regions is attached to the surface of the semiconductor chip on the side of the semiconductor chip of the substrate, and the other one is attached to the surface of the semiconductor chip in the first region. You may affix on the back side.
[0013]
According to this, one of the second regions is attached to the surface of the semiconductor chip on the semiconductor chip mounting side of the substrate, and the other one is attached to the back surface of the mounting region. As a result, light incident from both sides of the semiconductor chip can be blocked.
[0014]
(6) In this method of manufacturing a semiconductor device, the second region is formed long in the same direction as the direction in which the wiring pattern extends,
Bending the connection portion of the second region with the first region so that the second region overlaps the semiconductor chip,
You may affix the said 2nd area | region so that the direction which cross | intersects the direction where the said wiring pattern extends may become long.
[0015]
Accordingly, the second area can be pasted so as to overlap the semiconductor chip while effectively using the limited area of the substrate while being connected to the first area.
[0016]
(7) In this method of manufacturing a semiconductor device, the substrate has a long tape shape,
After mounting the semiconductor chip and attaching the second region so as to overlap the semiconductor chip, the method may further include a step of punching the substrate at least in a range of the first region.
[0017]
(8 Half The conductor device is manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device.
[0018]
(9 Half Conductor device
A semiconductor chip on which electrodes are formed;
A first substrate on which a wiring pattern is formed and the semiconductor chip is mounted;
A second substrate made of the same material as the first substrate, attached so as to overlap the semiconductor chip;
Including
The end portion of the first substrate and the end portion of the second substrate are connected in a bent state,
The second substrate has a metal film having a size larger than the outer shape of the semiconductor chip.
[0019]
this According to the above, a semiconductor chip is mounted on the first substrate, and the second substrate is attached so as to overlap the semiconductor chip of the first substrate. Thereby, the light incident on the semiconductor chip can be blocked by the second substrate. Further, since the second substrate is attached so as to overlap with the semiconductor chip of the first substrate while being connected to the first substrate, the workability is excellent.
[0020]
(10) In this semiconductor device, a plurality of the second substrates are formed,
One of the second substrates is attached to the surface of the semiconductor chip opposite to the surface facing the first substrate, and the other one of the second substrates is the first substrate. May be attached to the back surface of the mounting area of the semiconductor chip.
[0021]
According to this, one of the second substrates is a semiconductor chip mounting side of the first substrate and is attached to the surface of the semiconductor chip, and the other one is a semiconductor chip mounting region of the first substrate. Affixed to the back of As a result, light incident from both sides of the semiconductor chip can be blocked.
[0022]
(11 Times The road substrate is electrically connected to the semiconductor device.
[0023]
(12 ) Electric The slave device includes the semiconductor device.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments.
[0025]
( Reference example )
1-4, Reference example It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wiring board which concerns on. Reference example The wiring board manufacturing method according to the present invention may be applied, for example, as a COF (Chip On Film) substrate or a COB (Chip On Board) substrate manufacturing method.
[0026]
As shown in FIG. 1, metal foils 12 are formed on both surfaces of the base substrate 10. Here, the base substrate 10 may be formed of an organic material. As the base substrate 10 formed of an organic material, for example, a flexible substrate made of polyimide resin or the like can be given. . Be The base substrate 10 is particularly effective for a substrate having a low light shielding property such as a flexible substrate. In addition to the above, the base substrate 10 may include an inorganic material, for example, a ceramic substrate, a glass substrate, or a glass epoxy substrate.
[0027]
As shown in FIG. 1, the base substrate 10 that has already been cut into pieces may be used. In this case, the shape and size of the base substrate 10 are not limited. Alternatively, the base substrate 10 may be a long one. The long base substrate 10 may be used in a reel-to-reel process in which both ends are wound around a reel (not shown) and a semiconductor device manufacturing process is performed. In addition , Arrangement The method for manufacturing the wire substrate may be performed in a reel-to-reel process.
[0028]
The metal foil 12 may be a single layer as shown in FIG. 1 or may be formed from a plurality of layers. The metal foil 12 is, for example, copper (Cu), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), titanium tungsten (TiW), gold (Au), aluminum (Al), nickel vanadium (NiV), tungsten. It may be formed of any one or a plurality of materials of (W). The metal foil 12 may be made of the same material on each surface of the base substrate 10 or may be made of a different material. Further, the metal foil 12 may be formed with the same thickness on each surface of the base substrate 10 or may be formed with a different thickness.
[0029]
The metal foil 12 may be attached to the base substrate 10 with an adhesive or the like. Alternatively, the metal foil 12 may be formed by depositing a film on the base substrate 10 by sputtering or the like. Alternatively, the metal foil 12 may be provided on the base substrate 10 by electroless plating or the like. In addition, as shown in FIG. 1, the metal foil 12 may be formed on the entire surface of the base substrate 10, but it is partially formed around the portion left to be etched by the subsequent process. May be.
[0030]
As shown in FIG. 2, a resist layer 20 is formed on the metal foil 12 of the base substrate 10. Specifically, the resist layer 20 is patterned on the metal foil 12. The resist layer 20 is formed corresponding to the shape of the wiring pattern 14 in the metal foil 12 on one surface of the base substrate 10, and is formed corresponding to the shape of the metal film 16 in the metal foil 12 on the other surface. In other words, the resist layer 20 is formed so as to cover a part of the metal foil 12 left as the wiring pattern 14 on one surface of the base substrate 10, and a region corresponding to the mounting region of the semiconductor chip 30 is formed on the other surface. Cover and form. In this case, on the surface of the base substrate 10 on which the metal film 16 is formed, the resist layer 20 may be formed in the mounting region with a size larger than the outer shape of the semiconductor chip 30 in plan view of the base substrate 10. Thereby, the metal film 16 having a size larger than the outer shape of the semiconductor chip 30 can be formed. The resist layer 20 may be patterned on both sides of the base substrate 10 simultaneously with respect to the metal foil 12.
[0031]
As a patterning method for the resist layer 20, for example, the resist layer 20 may be provided on both surfaces of the metal foil 12 of the base substrate 10 and then patterned by applying a photolithography technique or the like. That is, the photosensitive resist layer 20 may be irradiated with energy through a mask (not shown) and developed. At this time, the resist layer 20 may be a positive type or a negative type resist. Alternatively, the non-photosensitive resist layer 20 may be formed by etching.
[0032]
Alternatively, as a patterning method for the resist layer 20, an ink jet method or a printing method may be used. For example, according to the ink jet system, it is possible to economically fill ink at high speed without waste by applying a technique that has been put to practical use for an ink jet printer. The ink jet head (not shown) is practically used for an ink jet printer, for example, and a piezo jet type using a piezoelectric element or a bubble jet type using an electrothermal transducer as an energy generating element can be used. The discharge area and the discharge pattern can be arbitrarily set.
[0033]
Alternatively, on the surface of the base substrate 10 on which the metal film 16 is to be formed, the resist layer 20 may be formed on the metal foil 12 by transferring the resist layer 20 according to the shape of the metal film 16. Since the metal film 16 does not require fine accuracy as compared with the shape of the wiring pattern 14, the resist layer 20 can be easily formed by transfer.
[0034]
Thus, by exposing the metal foil 12 to the resist layer 20 by patterning, the exposed portion of the metal foil 12 from the resist layer 20 is formed. Next, the exposed part from the resist layer 20 of the metal foil 12 is etched. In this case, the exposed portions of the metal foil 12 are simultaneously etched from both sides of the base substrate 10. For example, the side portion of the base substrate 10 is supported by a jig (not shown), the etching solution 22 is sprayed from both sides of the base substrate 10 by a nozzle (not shown), and the metal foils 12 on both sides of the base substrate 10 are simultaneously applied. Etching may be performed. Thus, the metal foils 12 on both sides of the base substrate 10 can be etched simultaneously in one step. As the etching method, a wet etching method using the etchant 22 or the like may be used as described above, and a dry etching method using an etching gas or the like is used if etching can be performed simultaneously from both sides of the base substrate 10. May be.
[0035]
3 and 4 are , Arrangement FIG. 3 is a diagram in which a semiconductor chip 30 is mounted on the line substrate 1. . Arrangement As shown in FIG. 3, the wiring pattern 14 can be formed on one surface of the base substrate 10 and the metal film 16 can be formed on the other surface at the same time by the manufacturing method of the line substrate. Here, the form of the wiring pattern 14 is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 4, the wiring pattern 14 may include a joint portion 15 that is an electrical connection portion such as the electrode 32 of the semiconductor chip 30 and a wiring connected to the joint portion. In this case, as shown in the figure, the bonding portion 15 may be a so-called land portion having a larger area than the wiring. Moreover, each wiring may be formed, for example from the inner side to the outer side of the mounting area of the semiconductor chip 30, and the form is not limited.
[0036]
The metal film 16 is formed corresponding to the mounting area of the semiconductor chip 30. As shown in FIGS. 3 and 4, the metal film 16 may be formed in a size larger than the outer shape so as to include the outer shape of the semiconductor chip 30. Thereby, when the semiconductor chip 30 is mounted on the wiring board 1, light incident on the surface of the semiconductor chip 30 from all directions can be blocked almost certainly.
[0037]
Arrangement By mounting the semiconductor chip 30 on the wiring substrate 1 manufactured by the manufacturing method of the line substrate, the light shielding property of the semiconductor chip 30 can be improved. Here, the semiconductor chip 30 has a plurality of electrodes 32. The electrode 32 is a terminal of an integrated circuit formed inside the semiconductor chip 30. On the surface of the semiconductor chip 30 where the electrodes 32 are formed, at least a part of each electrode 32 is avoided, and SiO 2 ₂ A passivation film (not shown) made of SiN, polyimide resin or the like is formed. A bump 34 may be formed on the electrode 32.
[0038]
The semiconductor chip 30 is mounted on the wiring substrate 1 with the surface on the side where the electrodes 32 are formed facing each other. That is, the semiconductor chip 30 is face-down bonded to the wiring substrate 1. As an electrical connection in this case, an anisotropic conductive material such as an anisotropic conductive film (ACF) or anisotropic conductive paste (ACP) is used, and conductive particles are placed between the bumps 34 and the wiring pattern 14. It may be interposed. Alternatively, the bumps 34 and the wiring pattern 14 may be electrically connected by metal bonding using Au—Au, Au—Sn, solder, or the like, or contraction force of the insulating resin.
[0039]
Since the metal film 16 is formed on the wiring substrate 1 on the side opposite to the mounting side of the semiconductor chip 30, the light incident on the active surface of the semiconductor chip 30 facing the wiring substrate 1 can be blocked by the metal film 16. . As a result, the reliability of the semiconductor device can be improved.
[0040]
Arrangement According to the method for manufacturing a wire substrate, the metal foil 12 is formed on both surfaces of the base substrate 10, and the metal foil 12 on each surface is simultaneously etched, so that the wiring pattern 14 and the metal film 16 are simultaneously formed on the base substrate 10. To do. Since the wiring pattern 1 and the metal film 16 can be formed in one process, the labor at the time of manufacture can be eliminated and the cost can be reduced. Further, by forming the metal film 16 corresponding to the mounting region of the semiconductor chip 30, for example, the light shielding property of the semiconductor chip 30 can be improved. As a result, it is possible to manufacture a wiring board capable of improving the light shielding property without adding another process in the manufacturing process.
[0041]
(Actual Application form)
5 and 6 apply the present invention. Fruit It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment. In this embodiment, too, Reference example The contents described in the above can be applied as much as possible.
[0042]
FIG. 5 is a diagram in which the semiconductor chip 30 is mounted on the substrate 40 according to the present embodiment. The substrate 40 according to the present embodiment has a wiring pattern 52 formed on a base substrate 42. As shown in FIG. 5, the base substrate 42 may have a long shape. The base substrate 42 has flexibility. The base substrate 42 may be used in a reel-to-reel process. The base substrate 42 may be formed with a plurality of sprocket holes 44 arranged at both side ends in the width direction and arranged in the length direction. By engaging a sprocket (not shown) in the sprocket hole 44, the base substrate 42 can be transported in the longitudinal direction. The other forms of the base substrate 42 are as described above. Reference example It may be the same.
[0043]
The substrate 40 includes a first region 50 and a second region 60. The first region 50 is formed with a wiring pattern 52 and has a mounting region for the semiconductor chip 30. In the example shown in FIG. 5, the range of the first region 50 is a range surrounded by a two-dot chain line, but the form is not limited to this. A plurality of first regions 50 may be formed in the substrate 40 in the longitudinal direction. Alternatively, a plurality of first regions 50 may be formed side by side in a so-called matrix form in both the longitudinal direction and the width direction of the substrate 40.
[0044]
The first region 50 may be formed at a substantially central portion in the width direction of the substrate 40. That is, the wiring pattern 52 may be formed at a substantially central portion in the width direction of the substrate 40. In the example shown in FIG. 5, the wiring pattern 52 in the first region 50 is formed to extend in the longitudinal direction of the substrate 40 so as to extend from the inside to the outside of the semiconductor chip 30. Alternatively, the wiring pattern 52 may be formed extending in the width direction of the substrate 40. The shape of the wiring pattern 52 is not particularly limited.
[0045]
The second region 60 is formed next to the first region 50. One or a plurality of second regions 60 are formed with respect to one first region 50. In the example shown in FIG. 5, the two second regions 60 are formed on both sides of the first region 50 in the width direction of the substrate 40, but the form is not limited to this.
[0046]
The second region 60 has a metal film 62. The metal film 62 may be formed on the same side of the first region 50 as the side on which the wiring pattern 52 is formed. Further, the metal film 62 may be formed of the same material as the wiring pattern 52. That is, the metal film 62 may be formed simultaneously with the process of forming the wiring pattern 52. The form of the metal film 62 is not limited to this, and may be formed on the side opposite to the side on which the wiring pattern 52 of the substrate 40 is formed, or may be formed of a material different from the wiring pattern 52. .
[0047]
The second region 60 has a connection portion 64 that connects the end portion of the second region 60 and the end portion of the first region 50, and the second region 60 is cut in a size larger than the outer shape of the semiconductor chip 30 except for the connection portion 64. ing. Thus, the second region 60 can be attached so as to overlap the semiconductor chip 30 while being connected to the first region 50. The metal film 62 formed in the second region 60 may be formed with a size larger than the outer shape of the semiconductor chip 30 mounted in the first region 50. As a result, the light incident on the semiconductor chip 30 can be blocked almost certainly as will be described later.
[0048]
In the example shown in FIG. 5, the metal film 62 is formed inside the second region 60 formed by cutting. Alternatively, the metal film 62 may be formed in advance so as to protrude from the boundary portion where the second region 60 is cut and punched to the same size as the outer shape of the second region 60 by cutting. .
[0049]
As shown in FIG. 5, the second region 60 may be formed long in the same direction as the direction in which the wiring pattern 52 extends. In the example shown in FIG. 5, the wiring pattern 52 is formed extending from the inside to the outside of the semiconductor chip 30 in the longitudinal direction of the substrate 40, and the second region 60 avoids the wiring pattern 52 in the first region 50. It is formed in the width direction. Here, for example, when the semiconductor chip 30 is mounted with a long shape along the width direction of the substrate 40, the second region 60 is formed to have a long shape according to the shape of the semiconductor chip 30. To do. By the way, as shown in FIG. 5, when the width | variety of the elongate board | substrate 40 is not fully wide, the 2nd area | region 60 may be lengthened in the width direction of the board | substrate 40, and it may be unable to ensure. Therefore, as shown in FIG. 5, the second region 60 may be formed long next to the wiring pattern 52 in the same direction as the extending direction. Such a form of the second region 60 is particularly effective when a plurality of the second regions 60 are formed. A form in which the second region 60 in this case is attached so as to overlap the semiconductor chip 30 will be described later.
[0050]
The semiconductor chip 30 is mounted on the first region 50 of the substrate 40. The semiconductor chip 30 is mounted with the surface having electrodes (not shown) facing the substrate 40. In this case, the form of electrically connecting the electrode of the semiconductor chip 30 and the wiring pattern 52 of the first region 50 may be the same as described above.
[0051]
The planar shape of the semiconductor chip 30 is generally rectangular, and may be rectangular or square as shown in FIG. The electrode may be formed at the end of the semiconductor chip 30 or at the center. When the external shape of the semiconductor chip 30 is rectangular, the electrodes may be arranged in the longitudinal direction of the semiconductor chip 30 or the electrodes may be arranged in the short direction. In addition, as shown in FIG. 5, the semiconductor chip 30 may be mounted in the first region 50 with the longitudinal axis of the rectangular semiconductor chip 30 orthogonal to the longitudinal axis of the substrate 40.
[0052]
As shown in FIG. 6, after mounting the semiconductor chip 30, the second region 60 is pasted so as to overlap the semiconductor chip 30 while being connected to the first region 50. Specifically, the second region 60 overlaps the semiconductor chip 30 in plan view. When the plurality of second regions 60 are formed connected to the first region 50, one of them is attached to the surface of the semiconductor chip 30 on the side where the semiconductor chip 30 is mounted, and the other one is Is attached to the back surface of the mounting region of the semiconductor chip 30 in the first region 50. That is, the plurality of second regions 60 sandwich the first region 50 and the semiconductor chip 30 from both sides of the substrate 40. Thereby, light incident from both sides of the semiconductor chip 30 can be blocked.
[0053]
Unlike the example shown in FIG. 6, when one second region 60 is connected to the first region 50, the second region 60 is pasted on the back surface of the mounting region of the semiconductor chip 30 in the first region 50. May be attached. Accordingly, it is possible to block the incidence of light on the active surface of the semiconductor chip 30 through a process with excellent workability while the second region 60 is connected to the first region 50. Alternatively, the second region 60 may be attached to the surface of the semiconductor chip 30 on the side of the first region 50 where the semiconductor chip 30 is mounted.
[0054]
When the semiconductor chip 30 is mounted in the first region 50 so as to have a long shape along the width direction of the substrate 40, and the second region 60 is formed long in the same direction as the direction in which the wiring pattern 52 extends. May be pasted so that the direction intersecting the direction in which the wiring pattern 52 extends becomes longer. That is, the connection portion 64 of the second region 60 with the first region 50 is bent obliquely so that the second region 60 covers the outer shape of the semiconductor chip 30. For example, as shown in FIG. 6, the longitudinal axis of the second region 60 having a long shape may be bent obliquely at the connection portion 64 so as to be orthogonal to the longitudinal axis of the substrate 40. Thus, the limited width of the substrate 40 can be used effectively, and the second region 60 can be attached so as to overlap the semiconductor chip 30 while being connected to the first region 50.
[0055]
When the substrate 40 has a long shape, each process described above may be performed in a reel-to-reel process. The first region 50 is connected to a portion that transports the substrate 40, and the second region 60 can be bent while being connected to the first region 50. Therefore, according to the existing reel-to-reel process, A semiconductor device can be manufactured efficiently. Note that the substrate 40 may be punched out by a mold (not shown) at least along the range of the first region 50 after the second region 60 is attached so as to overlap the semiconductor chip 30. The range in which the substrate 40 is punched out may be, for example, a range indicated by a two-dot chain line shown in FIG. Alternatively, in the range including the first region 50, the substrate 40 may be punched out so as to remove the connection portion 64 of the second region 60 protruding from the range.
[0056]
According to the present embodiment, the semiconductor chip 30 is mounted on the first region 50 of the substrate 40, and the second region 60 connected to the first region 50 is pasted so as to overlap the semiconductor chip 30 in the first region 50. . Thereby, the light incident on the semiconductor chip 30 can be blocked by the second region 60. Further, since the second region 60 is pasted so as to overlap the semiconductor chip 30 in the first region 50 while being connected to the first region 50, the workability is excellent. Therefore, the light shielding property of the semiconductor chip 30 can be improved by a simple manufacturing process.
[0057]
Although the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment has been described above, the semiconductor device will be described next. FIG. 7 is a diagram for explaining the semiconductor device according to the present embodiment, and more specifically, shows a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected. In addition, in the following description, the part which overlaps with the description by the above-mentioned manufacturing method is abbreviate | omitted.
[0058]
The semiconductor device according to the present embodiment includes a semiconductor chip 30, a first region (first substrate) 50, and a second region (second substrate) 60. The semiconductor device according to the present embodiment may be semiconductor device 2 (see FIG. 7) manufactured by the above-described manufacturing method. Or you may manufacture by the manufacturing method different from the above-mentioned.
[0059]
The first region (first substrate) 50 has a wiring pattern 52 formed thereon and has a mounting region for the semiconductor chip 30. As shown in FIG. 7, the wiring pattern 52 may be formed from the inside to the outside of the mounting area of the semiconductor chip 30, or may be formed only inside the mounting area of the semiconductor chip 30. Note that the outer shape of the first region (first substrate) 50 may be larger than the outer shape of the semiconductor chip 30 or may be approximately the same size as the outer shape of the semiconductor chip 30.
[0060]
The second region (second substrate) 60 is attached so as to overlap the semiconductor chip 30. The second region (second substrate) 60 may be plural or one as shown in FIG. 7 with respect to the first region (first substrate) 50. When there are a plurality of second regions (second substrates) 60, one of them is attached to the surface of the semiconductor chip 30 on the semiconductor chip 30 mounting side. On the other hand, another one of the plurality of second regions (second substrates) 60 is attached to the back surface of the mounting region of the semiconductor chip 30 in the first region (first substrate) 50. Apart from this, when the second region (second substrate) 60 is composed of one, it may be attached to either the mounting side of the semiconductor chip 30 or the opposite side.
[0061]
The second region (second substrate) 60 has a metal film 62 having a size larger than the outer shape of the semiconductor chip 30 (see FIG. 5). The metal film 62 may be formed of the same material as the wiring pattern 52 or may be formed of a different material. The metal film 62 may be formed on any surface in the second region (second substrate) 60 attached so as to overlap the semiconductor chip 30.
[0062]
The end of the first region (first substrate) 50 and the end of the second region (second substrate) 60 are connected in a bent state. As shown in the example of FIG. 7, one connection portion 64 may be formed in one second region (second substrate) 60, or a plurality of connection portions 64 may be formed at a plurality of positions.
[0063]
In the semiconductor device according to the present embodiment, the semiconductor chip 30 is mounted on the first region (first substrate) 50, and the second region (second substrate) 60 is the first region (first substrate). It is attached so as to overlap 50 semiconductor chips 30. Thereby, the light incident on the semiconductor chip 30 can be blocked by the second region (second substrate) 60. The second region (second substrate) 60 is attached so as to overlap the semiconductor chip 30 of the first region (first substrate) 50 while being connected to the first region (first substrate) 50. Because it has excellent workability.
[0064]
One of the second regions (second substrate) 60 is attached to the surface of the semiconductor chip 30 on the side of the first region (first substrate) 50 where the semiconductor chip 30 is mounted. Is attached to the back surface of the mounting region of the semiconductor chip 30 in the first region (first substrate) 50. Thereby, light incident from both sides of the semiconductor chip 30 can be blocked.
[0065]
FIG. 7 is a diagram showing a circuit board according to the present embodiment to which the present invention is applied. As shown in FIG. 7, the semiconductor device 2 described above is electrically connected to the circuit board 90. The circuit board 90 may be a liquid crystal panel, for example.
[0066]
As shown in FIG. 7, the semiconductor device 2 may be bent. For example, the semiconductor device 2 may be bent around the end portion of the circuit board 90.
[0067]
As an electronic apparatus having a semiconductor device to which the present invention is applied, FIG. 8 shows a notebook personal computer 100 having a semiconductor device (not shown) to which the present invention is applied. FIG. 9 shows a mobile phone 110. The cellular phone 110 also has a circuit board 90 (liquid crystal panel) to which the present invention is applied.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows Reference example It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wiring board which concerns on.
FIG. 2 shows Reference example It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wiring board which concerns on.
FIG. 3 shows Reference example It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wiring board which concerns on.
FIG. 4 shows Reference example It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wiring board which concerns on.
FIG. 5 shows an application of the present invention. Fruit It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment.
FIG. 6 shows an application of the present invention. Fruit It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment.
FIG. 7 shows the application of the present invention. Fruit It is a figure which shows the circuit board to which the semiconductor device which concerns on embodiment was electrically connected.
FIG. 8 is a diagram showing an electronic apparatus having a semiconductor device according to an embodiment to which the invention is applied.
FIG. 9 is a diagram showing an electronic apparatus having a semiconductor device according to an embodiment to which the invention is applied.
[Explanation of symbols]
10 Base substrate
12 Metal foil
14 Wiring pattern
16 Metal film
20 resist layer
30 Semiconductor chip
40 substrates
42 Base substrate
50 1st area | region (1st board | substrate)
52 Wiring pattern
60 Second region (second substrate)
62 Metal film
64 connections

Claims

基板に、長方形の半導体チップを搭載する工程を含み、
前記基板は、長尺状をなし、前記半導体チップの搭載領域を有して配線パターンが形成された第１領域と、１つの接続部のみで前記第１領域と接続して前記接続部を除いて前記半導体チップの外形以上の大きさで前記基板のいずれの部分からも切断されてなる第２領域と、を含み、
前記第２領域は、前記基板の長手方向と同一方向に長く形成され、
前記基板の前記第１領域に前記半導体チップを、前記半導体チップの長手軸が前記基板の長手軸に直交するように搭載し、
前記基板の前記第２領域を、前記第２の領域の長手方向が前記基板の前記長手方向と直交するように前記接続部を斜めに折り曲げて、前記第１領域に接続させたままで、前記半導体チップと重なるように貼り付け、
前記配線パターンは、前記第１領域内において、前記半導体チップの前記搭載領域の内側から外側に延びて形成され、
前記２領域は、前記配線パターンを避けて複数形成され、
複数の前記第２領域の１つを、前記基板の前記半導体チップの搭載側であって前記半導体チップの面に貼り付け、他の１つを、前記第１領域における前記半導体チップの前記搭載領域の裏面に貼り付ける半導体装置の製造方法。Including a step of mounting a rectangular semiconductor chip on the substrate,
The substrate has a long shape, has a mounting region for the semiconductor chip and has a wiring pattern formed thereon, and is connected to the first region with only one connecting portion and excludes the connecting portion. And a second region that is cut from any part of the substrate with a size greater than or equal to the outer shape of the semiconductor chip,
The second region is formed long in the same direction as the longitudinal direction of the substrate,
Mounting the semiconductor chip on the first region of the substrate so that the longitudinal axis of the semiconductor chip is perpendicular to the longitudinal axis of the substrate;
The second region of the substrate is left connected to the first region by bending the connection portion obliquely so that the longitudinal direction of the second region is orthogonal to the longitudinal direction of the substrate. Paste to overlap the chip,
The wiring pattern is formed extending from the inside of the mounting region of the semiconductor chip to the outside in the first region,
A plurality of the two regions are formed avoiding the wiring pattern,
One of the plurality of second regions is attached to the surface of the semiconductor chip on the semiconductor chip mounting side of the substrate, and the other one is mounted on the surface of the semiconductor chip in the first region. Of manufacturing a semiconductor device to be attached to the back surface of the semiconductor device.

請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２領域は、前記半導体チップの外形以上の大きさの金属膜を有する半導体装置の製造方法。In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second region has a metal film having a size equal to or larger than an outer shape of the semiconductor chip.

請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを搭載し、前記第２領域を前記半導体チップと重なるように貼り付けた後に、少なくとも前記第１領域の範囲で前記基板を打ち抜く工程をさらに含む半導体装置の製造方法。In the manufacturing method of the semiconductor device according to claim 1 or 2,
A method of manufacturing a semiconductor device, further comprising: a step of mounting the semiconductor chip and stamping the substrate at least in a range of the first region after the second region is attached so as to overlap the semiconductor chip.