JP3865753B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 57
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 54
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 101100353526 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pca-2 gene Proteins 0.000 description 8
- 108091033411 PCA3 Proteins 0.000 description 8
- 101150035614 mbl-1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101150070175 MBR1 gene Proteins 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 101150098716 SWA2 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100290342 Arabidopsis thaliana MBR2 gene Proteins 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
図5は、本実施の形態のDRAMのメモリアレイおよび直接周辺回路(センスアンプ)の一部を示す回路図である。
図24は、本実施の形態のDRAMのメモリアレイおよび直接周辺回路(ワードシャント部)の一部を示す断面図である。
図26は、本実施の形態のDRAMのメモリアレイおよび直接周辺回路(センスアンプ)の一部を示す回路図、図27は、図26に示すセンスアンプの読出し時のタイミングチャートである。
図31は、本実施の形態のDRAMのメモリアレイおよび直接周辺回路(サブワードドライバ)の一部を示す回路図である。
図32は、本実施の形態のDRAMの直接周辺回路の一部を示す回路図である。
本実施の形態のDRAMは、前記実施の形態5と同様、ビット線をセンスアンプSAに接続されるメインビット線とメモリセルMCが直接接続されるサブビット線とに階層化した例(以下、階層ビット線方式と呼ぶ)である。
2 p型ウエル
3 フィールド絶縁膜
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6 n型半導体領域(ソース領域、ドレイン領域)
7 絶縁膜
8 サイドウォールスペーサ
9 絶縁膜
10 コンタクトホール
11 絶縁膜
12 サイドウォールスペーサ
13 絶縁膜
14 コンタクトホール
15 蓄積電極(SN)
16 パッド層(PAD)
17 コンタクトホール
18 絶縁膜
19 プレート電極(PL)
20 パッド層
21 層間絶縁膜
22 コンタクトホール
23 n型ウエル
24 p型半導体領域
25 コンタクトホール
26 配線
30 コンタクトホール
31 コンタクトホール
32 パッド層
33 コンタクトホール
34 配線
35 コンタクトホール
41 プラグ電極(第1プラグ電極)
42 プラグ電極(第2プラグ電極)
43 第5導電膜
45A BPSG膜
45B 絶縁膜
45 層間絶縁膜
BL ビット線
C 情報蓄積用容量素子
MC メモリセル
MC1 メモリセル
MB メインビット線
MM メモリマット
MM1〜MM4 メモリマット
NSA センスアンプ
PN1 共通ソース線
PSA センスアンプ
Qb サブビット線選択用MISFET
Qn nチャネル型MISFET
Qp pチャネル型MISFET
Qpc サブビット線プリチャージ用MISFET
Qs nチャネル型MISFET
Qt メモリセル選択用MISFET
SA センスアンプ
SB サブビット線
WL ワード線
WL1 第1ワード線
WL1'、WL2' 第2ワード線
Claims (4)
- ワード線と、
ビット線と、
一つの上記ワード線と一つの上記ビット線にそれぞれ接続されたメモリセルと、
周辺回路とを含み、
上記メモリセルのそれぞれは、第1MISFETと容量素子とを備え、上記周辺回路は第2MISFETを備える半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a)上記メモリセルのための第1部分と上記周辺回路のための第2部分とを備える主面を有する半導体基板を準備する工程と、
(b)上記半導体基板の上記主面上に第1導電膜を堆積した後、上記第1導電膜をエッチングし、上記半導体基板の上記第1部分内に一つの上記ワード線として機能する上記第1MISFETのゲート電極を形成すると共に、上記半導体基板の上記第2部分内に上記第2MISFETのゲート電極を形成する工程と、
(c)上記半導体基板の上記第1部分内に上記第1MISFETのソース、ドレイン領域を構成する第1及び第2半導体領域を形成し、上記半導体基板の上記第2部分内に上記第2MISFETのソース、ドレイン領域を構成する第3及び第4半導体領域を形成する工程と、
(d)上記半導体基板の上記主面上に第1絶縁膜を堆積した後、上記第1絶縁膜をエッチングし、上記第1MISFETの第1及び第2半導体領域の一方の上部に第1コンタクトホールを形成する工程と、
(e)上記第1絶縁膜の上部に第2導電膜を堆積した後、上記第2導電膜をエッチングし、上記第1コンタクトホールを通じて上記第1MISFETの第1及び第2半導体領域の一方に接続される上記ビット線を形成する工程と、
(f)上記ビット線の上部に第2絶縁膜を堆積した後、上記第2絶縁膜および上記第1絶縁膜をエッチングし、上記第1MISFETの第1及び第2半導体領域の他方の上部に第2コンタクトホールを形成すると共に、上記第2MISFETの第3及び第4半導体領域の一方の上部に第3コンタクトホールを形成する工程と、
(g)上記第2絶縁膜の上部に第3導電膜を堆積した後、上記第3導電膜をエッチングし、上記第2コンタクトホールを通じて上記第1MISFETの第1及び第2半導体領域の他方に接続される上記容量素子の蓄積電極を形成すると共に、上記第3コンタクトホールを通じて上記第2MISFETの第3及び第4半導体領域の一方に接続される第1パッド層を形成する工程と、
(h)上記蓄積電極の表面上に上記容量素子の誘電体膜を形成した後、上記誘電体膜の上部に堆積した第4導電膜をエッチングし、上記誘電体膜の表面上に上記容量素子のプレート電極を形成すると共に、上記第1パッド層の表面上に第2パッド層を形成する工程と、
(i)上記プレート電極の上部に第3絶縁膜を堆積した後、上記第3絶縁膜をエッチングし、上記第2パッド層の上部の上記第3絶縁膜に第4コンタクトホールを形成する工程と、
(j)上記第3絶縁膜の上部に第5導電膜を堆積した後、上記第5導電膜をエッチングし、上記第4コンタクトホールを通じて上記第2パッド層に接続される配線を形成する工程と、
を有する半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
上記第3絶縁膜を形成する工程(i)は、
酸化シリコン膜を堆積する工程と、
上記酸化シリコン膜上にBPSG膜を堆積する工程と、
上記BPSG膜の表面を平坦化するために、上記BPSG膜をアニーリングする工程とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
上記第1及び第2部分内の上記半導体基板の表面上にフィールド絶縁膜を形成する工程を更に含み、
上記第1MISFETのゲート電極及び上記第2MISFETのゲート電極は、上記フィールド絶縁膜上に延びることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
上記周辺回路は、センスアンプ回路を備えることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005107700A JP3865753B2 (ja) | 1993-08-30 | 2005-04-04 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21461093 | 1993-08-30 | ||
JP2005107700A JP3865753B2 (ja) | 1993-08-30 | 2005-04-04 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6204683A Division JPH07122654A (ja) | 1993-08-30 | 1994-08-30 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005260254A JP2005260254A (ja) | 2005-09-22 |
JP3865753B2 true JP3865753B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=35085612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005107700A Expired - Lifetime JP3865753B2 (ja) | 1993-08-30 | 2005-04-04 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3865753B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011142256A (ja) | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-04 JP JP2005107700A patent/JP3865753B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005260254A (ja) | 2005-09-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060516 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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