JP3853279B2 - 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に記録された情報を読み取る光ピックアップ、及びそれに用いられる半導体レーザ装置とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
CD−ROMやMD(ミニディスク)などの光メモリ装置に使用され、光ディスクの信号を読み取る光ピックアップ装置においては、ホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置がある。それは、一つのパッケージに半導体レーザ素子とホログラム素子と信号検出用受光素子を組み込んで、半導体レーザ素子から光線を出射し、光記録媒体であるディスクから反射して戻ってきた光線をホログラム素子により回折して光軸から離れた場所に配置された受光素子に導く方式である。
【0003】
従来のホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置としては、図16の斜視図に示す様なものが特許文献1に開示されている。図16の構成では、ステム201に、半導体レーザ素子(LD)、信号検出用受光素子等(図示せず)を搭載し、キャップ202を被せてLD、信号検出用受光素子等を覆い、キャップ202の上にホログラム素子203を取り付けている。内部素子への電源供給、外部への信号の取り出しはリード208により行う。
【0004】
また、図16のパッケージでは、ステム201及びキャップ202を円形から上下の円弧を切り欠いた形状をしてパッケージの薄型化を図っている。図16の構造のパッケージでは、ステム201にリード208を貫通させる孔を設け、そこへリードを1本1本挿入して絶縁物で封止するため、製造方法が複雑でコストが高くなる欠点があった。
【0005】
近年、光ピックアップ装置の低価格化を図るために、パッケージを樹脂化し、リードをフレーム状態にして製造することで、パッケージを低価格化したものが注目されている。その一例として、特許文献2に、図17に示すような構成のものが開示されている。なお、図17において(a)は上面図、(b)は側面断面図である。図17の構成では、パーケージとして円筒部301を備えた樹脂製枠体302を用い、樹脂製枠体302の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数のリード303が配置されており、両円筒部301に挟まれるようにして樹脂製枠体302上にホログラム素子304が取り付けられている。
【0006】
図17の構成に適用される製造方法において、両側のリードがそれぞれ6本でリードが合計12本のものについて、図18を用いて説明する。先ず帯状の金属板材料(フープ材)をプレス打ち抜きやエッチングにより、フープ材から素子搭載部となるアイランドプレート401とリード402を加工し、リードフレーム404を作製する。このときアイランドプレート401とリード402は桟部(フレーム部)403によって前後のアイランドプレート401とリード402の組とフープ状態で繋がっている(図18(a))。
【0007】
次に、リードフレーム404に対して樹脂を成形し、リード402とアイランドプレート401を保持する枠体405を作る(図18(b))。成形後、リード402と桟部403の間で各パッケージ406を単品切断(個品切断)する(図18(c))。
【0008】
これによれば、図16のパッケージでリードピンを1本1本挿入しガラス封止していたのに比べ、プレス、成形、カットという順番での大量生産に適した連続した工程で生産できるため大幅なコストダウンが行える。
【0009】
この後、図18(c)に示すように、各パッケージ406のアイランドプレート401の部分に、サブマウント412に搭載されたLD407とミラー408と信号検出用受光素子409とを搭載し、Auワイヤ410を用いてワイヤボンディングして配線する。次いで、LD407を発光させて数時間の高温通電を行い不良LD素子をスクリーニングし、発光特性検査して、ホログラム素子411を固定する。このとき、ホログラム素子411は図16のパッケージでのキャップ202の役割も兼用しており、これにより部品点数を減らしてコスタダウンが図れる。さらに、ホログラム素子411の固定後、実際に通電して基準ディスクからの受光信号を見ることで電気的・光学的特性を測定して良品を選別し、半導体レーザ装置が完成する。
【0010】
尚、上記説明ではLD407を端面発光のLDとしているため、光軸を90度曲げるようにミラー408を搭載しているが、面発光のLDであれば、ミラー408は不要である。また、LD407を直接アイランドプレート401に搭載しているが、光出力を制御するためのモニタフォトダイオードを内蔵したサブマウントを介して搭載する場合もある。
【0011】
【特許文献1】
特開平6−5990号公報
【特許文献2】
特開平6−203403号公報
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
図17,18を用いて説明した半導体レーザ装置では、ピックアップに取り付けする際に、光軸調整を容易にするのにパッケージ外形の略中心に光軸を配置するが、そのため、LD407とミラー408はパッケージのアイランドプレートの中心付近に搭載する。それに対し信号検出用受光素子409は、ホログラム素子411で光軸から信号ビームを分離するため、光軸から離れた場所に信号検出用受光素子を置くことになる。なお、ここでは、図18に対応した符号を用いて説明する。
【0013】
その為、アイランドプレート401の中心にLD407とミラー408があり、その片側に信号検出用受光素子409があることになる。すると、信号検出用受光素子409は多分割のフォトダイオードを内蔵し、また、プリアンプも内蔵する場合があり、信号端子が多くなり、そのため受光素子へ多数のワイヤを配線しなくてはならず、パッケージ内のワイヤレイアウトが偏ってしまう。
【0014】
また、ワイヤの本数が増えた分、リード本数を増やさなくてはならないが、リードピン402はパッケージの信号検出用受光素子409が配置された側に偏って必要なため、反対側に使われないリードが増える。
【0015】
無理に反対側のリードにワイヤを引き回すと、レーザ素子(LD)407やミラー408の上部でワイヤが飛び交うことになり、ビームを遮ってしまう。
【0016】
この様子を、図18の従来のものに、ワイヤを配線した構成の図19に示す。なお、図19において、(a)はホログラム素子411を取り付けない状態の上面図、(b)はホログラム素子411を取り付けた状態の側面図である。
【0017】
図19に示したものでは、パッケージは左右に6本ずつ合計12本のリードピン(402a〜402l)を有する。このうちリードピン402a,402f,402gの3本はアイランドプレート401と一体になっており、独立なリードピンの本数は10本である。これに対し配線に必要なリードピン数は、信号検出用受光素子409で8本、LD407,サブマウント412で3本であるが、信号検出用受光素子409とLD407のグランド(GND)を共通とすることで合計10本必要となる。信号検出用受光素子409の配線が多いため、信号検出用受光素子409から遠い左側のリードへ2本のワイヤ410を配線しなくてはならず、ワイヤ410がミラー408の上を横切ってしまう。
【0018】
したがって、これを避けるのに、図19のリード402cとリード402dとの間やリード402iとリード402jとの間にもう1本ずつリードを増やしたり、スペースを取るなどして、リード本数を増やしたりスペースを余計に設けて、信号検出用受光素子409から遠い方のリードへ配線するワイヤを、極力端側の方に位置するリードへ配線するようにして、ミラー408の上をワイヤが通過しないようにしなければならない。
【0019】
すると、リードフレームタイプのパッケージの場合、リード本数を多くする程パッケージの厚みが増えてしまい、それを搭載する光ピックアップの厚みを大きくしてしまう。また、パッケージが大きくなると、その分金属材料や樹脂材料の費用も増えるためコストが増大してしまう。特にホログラム素子411は高価であるため、コストを抑えるためには小さい程望ましいが、図17,18の構成では、ホログラム素子411がキャップを兼ねるため、パッケージが大きくなった分、本来不必要な周辺部分が増加してコストアップしてしまう。
【0020】
また、パッケージを薄型化するためには、無駄なリードが極力少なくなるように配線の設計をする必要がある。
【0021】
また、フープ状態でアイランドプレートとフレームを繋げてアイランドプレートを保持しておくためには、アイランドプレートを少なくとも1本のリードピンと一体化しておく必要があるが、フープを巻き取ったり、装置にセットしたりする際に、1本のリードピンで保持したものはリードピンが曲がってアイランドプレートや枠体がずれてしまうおそれがある。そのため、アイランドプレートや枠体を安定に保持するため、3点で固定している。即ち、両側のフレームに1本ずつと、片側に更に1本のリードと一体化するのに3本のリードピンが必要である。そのため、1本のリードピンはアイランドプレートと同電位にして利用するが、他の2本のリードが素子配線用には独立して使えなくなり、無効なリードピンとなってしまう。
【0022】
また、パッケージはリードフレーム状態では整列しているが、個品切断すると、移載用のトレイへ並べたり、リード曲がりを修正したりしなくてはならない。
【0023】
逆に、製造工程においてリードフレームがフープ状に繋がった状態では、全リードがショート状態にあるため、LDや信号検出用受光素子への通電試験が行えない。
【0024】
また、リードフレームに枠体を樹脂モールドした場合、特に熱可塑性の樹脂では、熱で樹脂が軟らかくなり枠体が変形する恐れがあるため、ワイヤボンディング時に加熱ができず超音波のみでワイヤボンディングを行う。そのためワイヤボンディングの強度が得にくく、ワイヤボンディング不良が多くなる。
【0025】
また、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体の配置は通常高い精度が要求されるが、実装の位置精度はダイボンディング装置の機械精度に依存するため位置調整が困難であった。
【0026】
また、受光素子と半導体レーザ素子、または半導体レーザ素子を搭載したサブマウントが同一面上に配置されるため、受光素子の受光面に半導体レーザ素子から出射した光の一部が迷い込み、受光信号のS/N特性を悪化させていた。
【0027】
また、半導体レーザ素子は発光時に発熱し、高温になると素子自身の品質が劣化するため、熱を効率的に外部へ逃がす必要があるが、樹脂モールドタイプのパッケージでは、半導体レーザ素子を搭載するリード部の裏面が樹脂に覆われるため、裏面からの放熱性が悪くなっていた。
【0028】
さらに、これらの問題の他に、上記従来技術の半導体レーザ装置を用いてピックアップを構成するのに、光軸調整等の位置調整が繁雑となっていた。
【0029】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、量産性に優れ、ワイヤ配置が改善でき、小型化が可能な半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、光軸調整等の位置調整が容易で、製造工程の調整時間の短縮と歩留向上を図り、生産性を高めた光ピックアップを提供することを目的とする。
【0030】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備え、前記絶縁性枠体の内部又は上部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部で前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体内部で、前記リードの少なくとも一つの先端は、該リードの前記絶縁性枠体の配置面に配置された他のリードの少なくとも一つの先端が対向する前記素子搭載部端部位置よりも延ばされたことを特徴とするものである。
【0031】
本発明によれば、上記のように、リードの少なくとも一つの先端が素子搭載部の端部位置よりも延ばされるので、そのリードに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、1本又はそれ以上のリードの先端を曲げて、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子の近くにリードを増やすことができ、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【0032】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【0033】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置において、前記先端が延ばされた内部リード部は、該リードの前記絶縁性枠体の配置面に配置された内部リード部のうちで最も端側に位置することを特徴とするものである。
【0034】
本発明によれば、上記のように、先端が延ばされたリードが、そのリードの絶縁性枠体配置面に配置されたリードのうちで最も端側に位置するので、上述したようなワイヤ配置をより確実に実現できる。
【0035】
また、本発明の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備え、前記絶縁性枠体内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部で前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体内部で、前記リードの少なくとも一つは、該リードの前記絶縁性枠体の配置面でのリード配置方向の端側に曲げられたことを特徴とするものである。
【0036】
本発明によれば、上記のように、リードの少なくとも一つがそのリードの絶縁性枠体配置面でのリード配置方向の端側に曲げられるので、そのリードに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、1本又はそれ以上のリードを曲げて、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【0037】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【0038】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置において、前記曲げられたリード部は、前記絶縁性枠体内部で、曲げられた方向の隣のリードよりも延ばされたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【0039】
本発明によれば、上記のように、曲げられたリードが曲げられた方向の隣のリードよりも延ばされるので、上述したようなワイヤ配置をより確実に実現できる。
【0040】
また、本発明の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部に位置するリードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極が電気的接続されてなる半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体内部に、前記半導体レーザ素子又は前記受光素子の電極の少なくとも一つとワイヤ接続されると共に前記リードの少なくとも一つとワイヤ接続される中継用電極が設けられたことを特徴とするものである。
【0041】
本発明によれば、上記のように、絶縁性枠体内部に、半導体レーザ素子又は受光素子の電極の少なくとも一つとワイヤ接続されると共にリードの少なくとも一つとワイヤ接続される中継用電極が設けられるので、そのリードに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、1本又はそれ以上のリードを中継用電極を介してその受光素子の電極とワイヤ接続して、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【0042】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【0043】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体は前記半導体レーザ素子の搭載面または出射光軸と平行な外面を備えることを特徴とするものである。
【0044】
本発明によれば、絶縁性枠体が半導体レーザ素子の搭載面または出射光軸と平行な外面を備えるので、その外面基準面として、容易に光軸調整を行うことができる。
【0045】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体搭載部を形成してなることを特徴とするものである。
【0046】
本発明によれば、絶縁性枠体に半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体搭載部を形成してなるので、半導体レーザ素子をその搭載面と平行方向に光が出射されるように配置しても、絶縁性枠体の反射体搭載部に反射体を配置して、容易に光の出射方向を変更することができる。
【0047】
また、本発明は、前記絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子の搭載面に平行となるように前記受光素子が配置される受光素子搭載部を形成してなることを特徴とするものである。
【0048】
本発明によれば、絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子の搭載面に平行となるように前記受光素子が配置される受光素子搭載部を形成してなるので、半導体レーザ素子搭載面と受光面を平行に位置決めすることが容易となる。
【0049】
また、本発明は受光素子搭載部に配置された受光素子の受光面が前記半導体レーザ素子の出射面よりも高いことを特徴とする。
【0050】
本発明によれば受光素子搭載部に配置された受光素子の受光面が半導体レーザ素子の出射面よりも高くなるように配置することができるので、半導体レーザ素子の光が受光面に迷い込んで信号受光の妨げになることが少なくなり、受光信号のS/N特性が向上できる。
【0051】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記リードのうちの一つが前記半導体レーザ素子の搭載部を備え、該搭載部全体もしくは一部の厚さが前記絶縁性枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いことを特徴とするものである。
【0052】
本発明によれば、リードのうちの一つが半導体レーザ素子の搭載部を備え、その搭載部の厚さが絶縁性枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いので、放熱特性を向上させることができる。
【0053】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分は、円柱を軸方向に対して互いに平行な二面で切り取った形状であり、該二面は前記絶縁性枠体の長手方向に対して平行で且つ該二面の前記長手方向の辺の長さが異なることを特徴とするものである。
【0054】
本発明によれば、絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分は、円柱を軸方向に対して互いに平行な二面で切り取った形状であり、該二面は前記絶縁性枠体の長手方向に対して平行で且つ該二面の前記長手方向の辺の長さが異なるので、装置を小型化でき、非対称なホログラム素子を配置でき、該ホログラム素子の小型化が図れ、装置全体の小型化も図れる。
【0055】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子搭載面と平行な前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面に、内部の前記半導体レーザ素子から出射し外部の媒体で反射されて戻ってきた光を回折して内部の前記受光素子に導くホログラム素子を搭載することを特徴とするものである。
【0056】
本発明によれば、半導体レーザ素子搭載面と平行な前記絶縁性枠体の上面もしくは絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面に、内部の前記半導体レーザ素子から出射し外部の媒体で反射されて戻ってきた光を回折して内部の前記受光素子に導くホログラム素子を搭載するので、ホログラム素子の位置決めが容易となる。
【0057】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面の一部を内側に張出させたことを特徴とする前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面の一部を内側に張出させたことを特徴とするものである。
【0058】
本発明によれば、絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面の一部を内側に張出させているので、ホログラム素子の搭載が容易となると共に、より小型のホログラム素子の搭載が可能となり、装置の小型化が図れる。
【0059】
また、本発明のピックアップは、上記半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筺体が配置されてなることを特徴とするものである。
【0060】
本発明によれば、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筺体が配置されるので、その外面を基準面として、筺体の高さ位置調整が容易となる。
【0061】
また、本発明のピックアップは上記半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の円柱の円周面に、筐体の穴を嵌合させてなることを特徴とするものである。
【0062】
本発明によれば、前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の円柱の円周面に、筐体の穴を嵌合させて配置されるので、その円周面を基準面として、筺体の光軸中心の位置調整が容易となる。
【0063】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、導電性材料からなり複数のリードがフレーム部で連結されたリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体を形成し、装置となる部分が複数繋がったような状態として、それぞれに少なくとも半導体レーザ素子及び受光素子を取り付け、素子搭載部に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態で、通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断することを特徴とするものである。
【0064】
本発明によれば、上記のように、枠体がリードフレームで繋がった状態として通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断するので、単品でない状態で各種製造装置へのロード/アンロード(セッティング及び取り外し)を容易に行える。また、上述の従来技術のように、リードが曲がることも避けることができる。これにより、生産性を向上させることができる。
【0065】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記リードフレームが素子搭載部に接続されたリードを備え、該リードを除く他のリードを前記検査工程の前に前記フレーム部から切断し、前記検査工程の後に、前記フレーム部から切断されていないリードを切断することを特徴とするものである。
【0066】
本発明によれば、上記のように、リードフレームが素子搭載部に接続されたリードを除く他のリードを検査工程の前にフレーム部から切断し、検査工程の後にフレーム部から切断されていないリードを切断するので、枠体がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、素子搭載部に接続されると共にフレーム部から切断されたリードを例えばアース電位等の同電位とし、他のフレーム部から切断されたリードを独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。
【0067】
また、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記リードフレームが前記フレーム部に接続された枠体支持部を備え、該枠体支持部の少なくとも一部を含んで前記樹脂材料を成形し、該樹脂材料の成形後に前記リードを前記フレーム部から切断して、前記絶縁性枠体が前記枠体支持部により支持された状態で、前記検査工程を行うことを特徴とするものである。
【0068】
本発明によれば、上記のように、リードをフレーム部から切断してリードフレームに設けられた枠体支持部により枠体が支持された状態で検査工程を行うので、枠体がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、各リードを独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。また、素子搭載部を保持するためのリードを削減することができる。
【0069】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記枠体支持部は前記フレーム部に接続されない端部を備え、該端部を含んで前記樹脂材料を成形することとを特徴とするものである。
【0070】
本発明によれば、上記のように、枠体支持部のフレーム部に接続されない端部を含んで樹脂材料が成形されるので、検査工程後に、その端部を引き抜くだけで容易に枠体支持部を枠体から分離させることができる。
【0071】
また、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記枠体支持部は前記フレーム部に接続されない側が素子搭載部に接続されると共に切り込みが形成されており、前記検査工程の後に、前記切り込みを用いて切断することを特徴とするものである。
【0072】
本発明によれば、上記のように、枠体支持部が素子搭載部に接続されるので、素子搭載部を安定に保持することができる。しかも、検査工程後に、枠体支持部に設けた切り込みで切断するので、容易に枠体支持部を枠体から分離させることができる。
【0073】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、導電性材料からなり複数のリードがフレーム部で連結されたリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体を形成し、少なくとも半導体レーザ素子及び受光素子を取り付け、素子の電極をリードにワイヤ接続する半導体レーザ装置の製造方法において、ワイヤ接続が施されない側に前記絶縁性枠体から前記リードが露出する部分が形成されており、該露出部分にヒータを接触させて加熱してワイヤ接続を行うことを特徴とするものである。
【0074】
本発明によれば、上記のように、ワイヤ接続が施されない側で絶縁性枠体からリードが露出する部分にヒータを接触させて加熱してワイヤ接続を行うので、枠体の樹脂を不必要に温めることなく、リードを加熱でき、ワイヤ接続を良好に行うことができる。
【0075】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0076】
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1の半導体レーザ装置の概略構成を図1に示す。なお、図1において、(a)はホログラム素子を取り付けていない状態の上面図、(b)、(c)はホログラム素子を取り付けた状態の側面図、(d)、(e)はホログラム素子を取り付けた状態の要部側面断面図である。
【0077】
図1に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体1の二面1a,1bで外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリード2(2a〜2l)を備え、絶縁性枠体1内部に半導体レーザ素子(LD)5と信号検出用受光素子7とが搭載され、絶縁性枠体1でリード2a〜2lに半導体レーザ素子5及び受光素子7の電極がワイヤ8にて接続されている。そして、枠体内部で、リード2aの先端は、リード2aの絶縁性枠体1の配置面1aに配置された他のリード2b,2d,2eの先端が対向する素子搭載部(アイランドプレート)3の端部位置Aよりも延ばされている。さらに、本実施形態では、先端が延ばされたリード2aを、そのリード2aの絶縁性枠体1の配置面1aに配置されたリード2a〜2fのうちで最も端側に位置するものとしている。
【0078】
また、枠体1がアイランドプレート3とリード2を保持し、外郭構造を構成している。アイランドプレート3の上にはサブマウント4を介して端面発光のLD5が搭載されており、LD5のビーム出射面の前方には反射体(ミラー)6が搭載され、LD5からの光の方向がミラー6にて変更される。LD5とミラー6の図面中右側方には信号検出用受光素子7が搭載されている。各素子5,7の電極はAu線8でリード2と配線され、これら全体の上にホログラム素子9が取り付けられる。
【0079】
上述の図19に示した従来技術ではリード402aがアイランドプレート401と接続され一体になったような構成であったが、本実施形態ではリード2aをアイランドプレート3と切り離して分離し、枠体1内部で、リード2aの先端を反対側のリード2g〜2l方向へ延ばして、代わりにリード2cをアイランドプレート3に接続してリード2cを一体化している。
【0080】
このようにリード2aの先端を、アイランドプレート3端部位置Aよりも反対側へ延ばすことで、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子7の近くのリード数を6本から7本に増やすことができ、ワイヤ配線が容易となった。また、アイランドプレート3の保持については、リード2c,2f,2gの3本で支持するので、従来と同等の保持能力を維持できる。
【0081】
以上のように、本実施形態の半導体レーザ装置によれば、リード2aの先端が素子搭載部3の端部位置Aよりも延ばされるので、そのリード2aに接続されるワイヤ8の配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤ8の配置を略均等にできる。従って、信号検出用受光素子7から遠い側のリード列2a〜2fに対して、1本又はそれ以上のリードをその受光素子7側へ延ばして、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子7の近くにリードを増やすことができ、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子5の上方にワイヤ8が配置されることや、半導体レーザ素子5からの光の方向を変更する反射体6を備えた構成では半導体レーザ素子5と反射体6との間や反射体6の上方にワイヤが配置されることにより光軸が遮られるのを容易に回避することが可能となる。
【0082】
次に、本実施形態の半導体レーザ装置の製造方法について、要部上面図を用いた工程図である図2,3を用いて説明する。
【0083】
導電性の金属板を例えばプレス打ち抜きで加工して、それぞれの側で複数のリード2がフレーム部10で連結され、フレーム部10間に素子搭載部(アイランドプレート)3を備えたリードフレームを作製する(図2(a))。次に、そのリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体1を形成(樹脂モールド)して、装置となる部分が複数繋がったような状態とする(図2(b))。そして、アイランドプレート3に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態とするのに、フレーム10部との間でアイランドプレート3と接続されず繋がっていないリードを切断する(図2(c))。
【0084】
この後、アイランドプレート3に半導体レーザ素子(LD)付きサブマウント4、反射体(ミラー)6及び信号検出用受光素子7を搭載し(図3(a))、Auワイヤ8をワイヤ接続(ワイヤボンディング)して配線する(図3(b))。次いで、上述の従来技術と同様に、スクリーニングし、発光特性検査、ホログラム素子固定を行い、電気的・光学的特性を検査し、最後にフレーム部10から単品切断(個品切断)して半導体レーザ装置が完成する(図3(c))。なお、ここでの電気的・光学的特性検査は、リード2に対し通電して行うものである。
【0085】
図18で説明した従来の製造方法では樹脂モールド後、個品切断してから素子搭載や特性検査等を行ったため、パッケージの取り扱いが困難であったが、本実施形態の製造方法では、アイランドプレートを支えるリードをリードカット(切断)せず、パッケージがリードフレームに連なったまま各種生産装置へのロード/アンロード(セッティング及び取り外し)が可能であり、また、独立な信号配線を行うリードは全てカットしているのでリードフレームに連なった状態で通電検査が可能である。そのため、リードフレーム状態で素子の実装(搭載)、ワイヤボンド(ワイヤ接続)、検査等が行え量産性が向上する。なお、本実施形態の製造方法は、上述の図17,19に示したような従来技術の構成にも適用可能なものである。
【0086】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、上記のように、枠体7がリードフレームで繋がった状態として通電による特性検査工程を行ってから、リードフレームを単品に分離切断するので、単品でない状態で各種製造装置等へのロード/アンロード(セッティング及び取り外し)を容易に行える。また、上述の従来技術のように、リードが曲がることも避けることができる。これにより、生産性を向上させることができる。
【0087】
〔実施形態2〕
図4は、本発明の実施形態2の半導体レーザ装置の概略構造を示す上面図であり、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示すものである。
【0088】
本実施形態において、上記実施形態1と異なる点はリード2a,2bだけであり、その他の点は上記実施形態1と同様であるので、その相違点について説明する。なお、ここでの説明で用いる符号で、図4に示されていないものは、図1と同様のものである。
【0089】
本実施形態の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体1の二面1a,1bで外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリード2を備え、絶縁性枠体1内部に半導体レーザ素子(LD)5と信号検出用受光素子7とが搭載され、絶縁性枠体1内部でリード2にLD5及び信号検出用受光素子7の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、枠体1内部で、リード2bが、そのリード2bの絶縁性枠体1の配置面1aでのリード配置方向の端側に曲げられたものである。さらに、曲げられたリード2bは、曲げられた方向の隣のリード1aよりも延ばされている。
【0090】
即ち、本実施形態では、上記実施形態1のようにリード2aの先端を反対側に延ばす代わりに、リード2bをリード2aの側へ寄せるように曲げる構成のものである。
【0091】
本実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記のように、リード2bがそのリード2bの絶縁性枠体1の配置面1aでのリード配置方向の端側に曲げられるので、そのリード2aに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、1本又はそれ以上のリードを曲げて、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【0092】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることにより光軸が遮られるのを容易に回避することが可能となる。
【0093】
〔実施形態3〕
図5は、本発明の実施形態3の半導体レーザ装置の概略構造を示す上面図であり、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示すものである。
【0094】
本実施形態において、上記実施形態1と異なる点はリード2a,2cと中継用電極11とだけであり、その他の点は上記実施形態1と同様であるので、その相違点について説明する。なお、ここでの説明で用いる符号で、図5に示されていないものは、図1と同様のものである。
【0095】
本実施形態の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体1内部に半導体レーザ素子(LD)5と信号検出用受光素子7とが搭載され、絶縁性枠体1でリード2にLD5及び信号検出用受光素子7の電極が電気的接続されてなる半導体レーザ装置において、絶縁性枠体1内部に、信号検出用受光素子7の電極とワイヤ接続されると共にリード2b,2cとワイヤ接続される中継用電極11が設けられたものである。
【0096】
即ち、本実施形態では、反射体(ミラー)6の図面中横でLD5と反対側にワイヤを中継するための電極11を取り付けている。そして、Au線8の内、信号検出用受光素子7から遠い側のリード2b,2cへ配線するワイヤは電極11で中継される。なお、中継用電極11は、素子搭載部(アイランドプレート)3上に、絶縁性材料を介して導電性材料を形成して構成することができる。
【0097】
本実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記のように、絶縁性枠体1内部に中継用電極11が設けられるので、リード2b,2cに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子7から遠い側のリード列に対して、1本又はそれ以上のリードを中継用電極11を介してその受光素子7の電極とワイヤ接続して、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子7であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【0098】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることにより光軸が遮られるのを容易に回避することが可能となる。
【0099】
なお、実施形態2,3の半導体レーザ装置は、上記実施形態1で説明した製造方法により製造可能なものである。
【0100】
〔実施形態4〕
図6は図4の半導体レーザ装置の斜視図であり、本発明の実施形態4の半導体レーザ装置の概略構造を説明するための図である。図4と同様、内部をわかりやすくするため半導体レーザ装置の上部にあるホログラム素子は外した状態の図である。説明で方向を特定するため、図のようにx、y、z軸を選ぶ。
【0101】
図6で絶縁性枠体1は、LD5の搭載面を有するLD搭載部3と平行な外面31(31a、31b)を備えている。なお、本実施形態ではLD5はサブマウント4を介してLD搭載部3に搭載されているが、サブマウントの上下面は平行であるので、外面31とLD5も平行になる。基準面となる外面31は、LD5の発光点とのz軸方向の距離が所定の距離となるように設計されている。
【0102】
基準面31は枠体樹脂モールド金型によってLD搭載部3に対して一体的に成形されるので、モールド金型を精度よく作成することにより、LD搭載部3に平行な基準面が高精度で得られ、これにより光ピックアップへの取り付けが容易に行える。
【0103】
〔実施形態5〕
同じく図6を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態5を説明する。図6で絶縁性枠体1には、半導体レーザ素子5から出射する光の方向を変更する反射体6が配置される反射体配置面を有する反射体搭載部33が、樹脂モールドにより絶縁性枠体1と一体的に形成されている。なお、反射体搭載部33の反射体配置面はLD搭載部3のLD搭載面に対して45度の角度を有している。また、本実施形態では、反射体搭載部33に平板状の反射ミラー6を搭載しているが、これに代えて、蒸着等により反射体配置面に直接反射膜を形成してもよい。
【0104】
反射体搭載部33は枠体樹脂モールド金型によってLD搭載部3に対して一体的に成形されるので、モールド金型を精度よく作成することにより、LD搭載部3に対し45度傾いた反射体配置面が高精度で得られる。これにより放射特性、即ち、光軸のブレの少ない半導体レーザ装置が容易に作成できる。
【0105】
〔実施形態6〕
同じく図6を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態6を説明する。
図6の絶縁性枠体1には、信号検出用受光素子7が配置される受光素子配置面を有する受光素子搭載部34が、樹脂モールドにより絶縁性枠体1と一体的に形成されている。
【0106】
また、受光素子搭載部34上の受光素子7の受光面の高さは、LD5の発光点高さよりも高くなるようにする。
【0107】
受光素子搭載部34は枠体樹脂モールド金型によってLD搭載部3に対して一体的に成形されるので、モールド金型を精度よく作成することにより、LD搭載部3に対して平行な受光素子搭載部34が高精度で得られる。これによりLD5に対し受光素子7を平行に配置することができるので、受光素子7の所定位置へ信号光のスポットが照射され、設計通りの受光特性が得られる。
【0108】
また、受光素子7の受光面がLD5の発光点よりも高いので、LD5からの光が直接受光素子に入らず、信号のS/N特性を改善できる。
【0109】
〔実施形態7〕
次に図6および図7を用いて本発明の半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップの実施形態7を説明する。
【0110】
図6で絶縁性枠体1はLD搭載面を連続して囲み上方へ突出させた部分(突起部)35を備えており、突起部35の外周形状は、円からその一部をなす2つの対向する弓形を削除してできる、対向した2つの円弧と対向した2つの弦とで囲まれてなる形状であり、その形状の2つの対向した円弧側に、リード2の配置面と外面31が配置されている。
【0111】
なお、突起部35は樹脂モールドにより絶縁性枠体1と一体的に形成され、突起部35の円弧側面の円弧の中心は、反射体6を介して曲げられたLD5の光学軸に一致するようにされている。モールド金型を精度よく作成することにより、突起部35の円弧側面の円弧の中心を光学軸に高精度で一致させることができる。
【0112】
ここで、図7で半導体レーザ装置をピックアップに組み立てる様子を説明する。図7(a)、図7(b)は本発明の半導体レーザ装置100をハウジング50に組み付けて光ピックアップを製作する様子を説明する図である。図7(a)はピックアップの構造を説明するため、ハウジング50内部がわかるように描いてある。半導体レーザ装置100から出た光はコリメートレンズ101、立ち上げミラー102、オブジェクトレンズ103を通って光ディスク104に集光される。
【0113】
図7(b)示すように、半導体レーザ装置100はハウジング50の取付面51の取付穴52に前述の突起部35が入るように取り付けられる。このとき、ハウジング50の取付面51に半導体レーザ装置100の基準面、即ち、外面31が当接し、取付け穴52に半導体レーザ装置100の突起部35の円弧部側面が当接することで、ハウジングの光軸53に対し半導体レーザ装置100の光軸を一致させて、かつ、コリメートレンズ101に対して決められた距離に半導体レーザ装置100を配置することが可能となる。
【0114】
また、突起部35の円弧部分の形状は、図7(c)に示すように、x軸に対し非対称であり、x軸から絶縁性枠体1の端部までの距離が両側方で異なっている。一方、円弧部分の形状がx軸に対し対称の場合を図7(d)に示す。薄型の光ピックアップを作るには光ピックアップの光軸から光ピックアップの底までの距離62を小さくする必要がある。そのためにはハウジングに組み込む半導体レーザ装置100も、光軸からy軸方向の端面までの距離63を小さくする必要がある。図7(c)の半導体レーザ装置100bの該距離63bは図7(d)の半導体レーザ装置100aの該距離63aよりも小さくなっており、このように、突起部35の円弧部分の形状をx軸に対し非対称にすることで、より薄型の光ピックアップを作ることができる。
【0115】
〔実施形態8〕
次に、図6を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態8を説明する。図6において、絶縁性枠体1の突起部35は、樹脂モールドにより絶縁性枠体1と一体的に形成されている。モールド金型を精度よく作成することにより、高精度で突起部35の上面をLD搭載部3に平行することができる。突起部35の上面にホログラム素子を接着剤で搭載することで、LD5に対しホログラム素子を高精度で平行に配置することができる。これにより、ホログラムから受光素子7の所定位置へ信号光のスポットが照射され、設計通りの受光特性を得ることができる。
【0116】
また、内側に向かって張り出させた部分35a、35b、35cを設け、その上にホログラム素子等の光学素子を配置する。これにより、ホログラム素子搭載時の接着面積が増加し、ホログラム素子を絶縁性枠体1に安定した姿勢および接着強度で取り付けることできる。また、より小型のホログラム素子でも、取り付け可能となり、ホログラム素子サイズの小型化により材料費の低減が可能になる。
【0117】
〔実施形態9〕
次に図8を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態9を説明する。半導体レーザ用パッケージとしては、半導体レーザ素子の発光により発生する熱を効率よく伝導する必要がある。そのため、リードフレーム材料を熱伝導率の高い銅系材料を使用し、半導体レーザ素子近傍のリードフレーム板厚のみを厚くするのがよい。
【0118】
ここで、リードフレーム全体の板厚を厚くすることが考えられるが、リードピッチ(リードと次のリードとの距離)は、板厚に依存するため、パッケージが大きくなってしまう。そこで、図8に示すように、リード部は薄く、最も重要な半導体レーザ搭載部周辺のみ板厚を厚くすることが、パッケージ小型化及び薄型化には効率的である。
【0119】
先ず、図8(a)に示すようにパッケージ完成時のリード板厚の1.5倍程度の板厚の金属板材料のリードフレーム材料160を用意し、図8(b)のようにリードフレームの半導体レーザ素子搭載箇所(アイランドプレート部30)以外の部分を任意の板厚になるようにプレスする。プレスすることにより、半導体レーザ素子搭載箇所の板厚が増加し、異形フープ材161が完成する。
【0120】
次に、図8(c)のように、プレス打ち抜きやエッチングをして、異形フープ材161からアイランドプレート30とリード2を加工し、リードフレーム162を作成する。
【0121】
次に、図8(d)、図8(e)のように、樹脂モールドし、桟(フレーム)152とリード10を切断することにより、半導体レーザ素子搭載部付近の板厚のみ厚いパッケージが完成する。
【0122】
なお、高放熱半導体レーザ装置(図8)と通常放熱半導体レーザ装置(図2、図3)は、リードフレーム材料をプレスする工程が追加になるだけで、樹脂モールド以降の工程を共通化可能であるため、生産装置の共有化が可能となり、製造コストの削減が図れる。
【0123】
〔実施形態10〕
実施形態10として、上記実施形態1と異なる半導体レーザ装置の製造方法ついて、上面図を用いた工程図である図9,10を用いて説明する。
【0124】
導電性の金属板を例えばプレス打ち抜きで加工して、それぞれの側で複数のリード2がフレーム部10で連結され、フレーム部10間に素子搭載部(アイランドプレート)3を備えたリードフレームを作製する(図9(a))。さらに、このとき、4つの枠体支持部12を形成しておく。また、ここで、アイランドプレート3は、単一のリードに接続されて繋がっているだけである。
【0125】
次に、このリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体1を形成(樹脂モールド)して、装置となる部分が複数繋がったような状態とする(図9(b))。ここで、枠体支持部12の先端を含んで樹脂成形を行って、枠体1の側面の4ヶ所で枠体支持部12の先端が埋没するようにしている。
【0126】
そして、この後、アイランドプレート3に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態とするのに、リード2の全てを、フレーム部10が分離するように切断(リードカット)する(図9(c))。ここで、枠体1が枠体支持部12によってフレーム部10に繋がるようにして保持されるので、素子搭載以降の工程でもリードフレームに連なった状態で取り扱うことができる。また、アイランドプレート3が1本のリードしか繋がっておらず、全てのリードがフレーム部10からカットされているので、12本全てのリードが独立しており、後述の工程で、ワイヤ配線の自由度が増し、また通電による特性検査も可能となる。
【0127】
この後、アイランドプレート3に半導体レーザ素子(LD)付きサブマウント4、反射体(ミラー)6及び信号検出用受光素子7を搭載し(図10(a))、Auワイヤ8をワイヤ接続(ワイヤボンディング)して配線する(図10(b))。次いで、上述の従来技術と同様に、スクリーニングし、発光特性検査、ホログラム素子固定を行い、電気的・光学的特性を検査し、最後にフレーム部10から単品切断(個品切断)して半導体レーザ装置が完成する(図10(c))。なお、ここでの電気的・光学的特性検査は、リード2に対し通電して行うものである。
【0128】
図18で説明した従来の製造方法では樹脂モールド後、個品切断してから素子搭載や特性検査等を行ったため、パッケージの取り扱いが困難であったが、本実施形態の製造方法では、枠体1が枠体支持部12により支持されているので、パッケージがリードフレームに連なったまま各種生産装置へのロード/アンロード(セッティング及び取り外し)が可能であり、また、リード2の全てをフレーム部10からカットしているのでリードフレームに連なった状態で通電検査が可能である。さらに、枠体支持部12は枠体1に先端が埋没しているだけなので、枠体1から引き抜くだけでよい。そのため、リードフレーム状態で素子の実装(搭載)、ワイヤボンド(ワイヤ接続)、検査等が行え量産性が向上する。
【0129】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、上記のように、リード2をフレーム部10から切断してリードフレームに設けられた枠体支持部12により枠体1が支持された状態で検査工程を行うので、枠体1がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、各リード2を独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。また、素子搭載部を保持するためのリードを削減することができる。さらに、枠体支持部12のフレーム部10に接続されない端部を含んで樹脂材料が成形されるので、検査工程後に、その端部を引き抜くだけで容易に枠体支持部12を枠体1から分離させることができる。
【0130】
〔実施形態11〕
実施形態11として、上記実施形態1,10と異なる半導体レーザ装置の製造方法ついて、上面図を用いた工程図である図11,12、及び枠体支持部の要部斜視図である図13を用いて説明する。
【0131】
導電性の金属板を例えばプレス打ち抜きで加工して、それぞれの側で複数のリード2がフレーム部10で連結され、フレーム部10間に素子搭載部(アイランドプレート)3を備えたリードフレームを作製する(図11(a))。さらに、このとき、4つの枠体支持部12を形成しておく。また、ここで、アイランドプレート3は、単一のリードと枠体支持部12に接続されて繋がっている。
【0132】
さらに、本実施形態では、枠体支持部12のアイランドプレートとの接続部分に近い方に、V字型の切り込み(ハーフノッチ)13を設けておく。このハーフノッチ13は、その要部斜視図の図13に示すように、アイランドプレート3との接続部分から直線状に延びた部分に形成されている。
【0133】
次に、このリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体1を形成(樹脂モールド)して、装置となる部分が複数繋がったような状態とする(図11(b))。ここで、前述のハーフノッチ13を形成するときに、ハーフノッチ13が枠体1に埋まるように形成しておけば、後工程で枠体支持部12を枠体1から分離した後に、残存する枠体支持部1の一部が枠体1からはみ出さないので好ましい。
【0134】
そして、この後、アイランドプレート3に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態とするのに、リード2の全てを、フレーム部10が分離するように切断(リードカット)する(図11(c))。ここで、枠体1が枠体支持部12によってフレーム部10に繋がるようにして保持されるので、素子搭載以降の工程でもリードフレームに連なった状態で取り扱うことができる。さらに、アイランドプレート3が枠体支持部12によって保持されるので、後工程において、上記実施形態10のものよりも、アイランドプレート3を安定して保持することができる。また、リードに対してはアイランドプレート3が1本のリードしか繋がっておらず、全てのリードがフレーム部10からカットされているので、12本全てのリードが独立しており、後述の工程で、ワイヤ配線の自由度が増し、また通電による特性検査も可能となる。
【0135】
この後、アイランドプレート3に半導体レーザ素子(LD)付きサブマウント4、反射体(ミラー)6及び信号検出用受光素子7を搭載し(図12(a))、Auワイヤ8をワイヤ接続(ワイヤボンディング)して配線する(図12(b))。次いで、上述の従来技術と同様に、スクリーニングし、発光特性検査、ホログラム素子固定を行い、電気的・光学的特性を検査し、最後にフレーム部10から単品切断(個品切断)して半導体レーザ装置が完成する(図12(c))。なお、ここでの電気的・光学的特性検査は、リード2に対し通電して行うものである。
【0136】
本実施形態では、ハーフノッチ13を設けているので、枠体支持部12を曲げるようにして、ハーフノッチ13の部分で切断して、容易に枠体支持部12を枠体から分離させることができる。
【0137】
図18で説明した従来の製造方法では樹脂モールド後、個品切断してから素子搭載や特性検査等を行ったため、パッケージの取り扱いが困難であったが、本実施形態の製造方法では、枠体1が枠体支持部12により支持されているので、パッケージがリードフレームに連なったまま各種生産装置へのロード/アンロード(セッティング及び取り外し)が可能であり、また、リードの全てをフレーム部からカットしているのでリードフレームに連なった状態で通電検査が可能である。さらに、枠体支持部12は枠体1に先端が埋没しているだけなので、枠体1から引き抜くだけでよい。そのため、リードフレーム状態で素子の実装(搭載)、ワイヤボンド(ワイヤ接続)、検査等が行え量産性が向上する。
【0138】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、上記のように、リード2をフレーム部10から切断してリードフレームに設けられた枠体支持部12により枠体1が支持された状態で検査工程を行うので、枠体1がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、各リード2を独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。また、素子搭載部を保持するためのリードを削減することができる。さらに、アイランドプレート3に接続される枠体支持部12にハーフノッチを設けているので、検査工程後に、その枠体支持部12を曲げるようにして、容易に枠体支持部12を枠体1から分離させることができる。
【0139】
〔実施形態12〕
実施形態12として、半導体レーザ装置の製造方法におけるワイヤ接続(ワイヤボンディング)時の加熱について、図14,15を用いて説明する。なお、ここでは、上記実施形態11のものに適用した場合について説明するが、この加熱方法は、上記実施形態のいずれにも適用できるものであり、また上述の従来技術にも適用できるものである。
【0140】
図14において、(a)は図12(a)に相当する上面図で素子搭載後の状態を示すものであり、(b)は(a)の状態を裏面側から見た下面図であり、(c)は素子搭載側を図面中下側にした要部側面断面図である。また、図15は、要部側面断面図を用いた本実施形態の加熱方法を説明するための概念図である。
【0141】
図14(b),(c)に示すように、本実施形態では、上記実施形態11の樹脂材料成形(樹脂モールド)時に、素子搭載側の反対側の裏面側に、絶縁性枠体1からリード2を内部側の先端部を含んで部分的に露出させる孔部21を形成しておく。
【0142】
そして、素子搭載後のワイヤボンディング時には、図15に示すように、孔部21に挿入される凸部が設けられた電気ヒータ23を用いて、その凸部を孔部21内で露出したリード2に接触させてリード2を加熱して、ワイヤボンディングを行う。なお、ヒータ23のリード接触側の凸部の周囲には、枠体1の樹脂の加熱を抑止するように、断熱材22が貼り付けにより配置されている。
【0143】
ここで説明した以外は、上記実施形態11と同様である。
【0144】
以上のように、本実施形態によれば、上記のように、ワイヤ接続が施されない側で絶縁性枠体1からリード2が露出する部分にヒータ23を接触させて加熱してワイヤ接続を行うので、枠体1の樹脂を不必要に温めることなく、リード2を加熱でき、ワイヤ接続を容易に行うことができる。
【0145】
なお、上記各実施形態では、LD5を端面発光のLDとしているため、光軸を90度曲げるようにミラー6を搭載しているが、面発光のLDであれば、ミラー6は不要である。また、LD5の光出力を制御するためのモニター用受光素子をアイランドプレート3に搭載しても良く、LD5をサブマウント4を介してアイランドプレート3に搭載しているが、光出力を制御するためのモニタ用受光素子(フォトダイオード)を内蔵したサブマウントを介して搭載しても良い。
【0146】
【発明の効果】
以上のように、本発明の半導体レーザ装置によれば、その内部リード部に接続されるワイヤの配置を改善して、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。また、装置の小型化を実現することができる。そして、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【0147】
また本発明の半導体レーザ装置及び光ピックアップによれば、光軸調整等の一両性が容易となり、製造工程の調整時間の短縮と歩留向上が図れ、生産性を高めることができる。
【0148】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、枠体がリードフレームで繋がった状態として通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断するので、単品でない状態で各種製造装置へのロード/アンロード(セッティング及び取り外し)を容易に行える。また、上述の従来技術のように、リードが曲がることも避けることができる。これにより、生産性を向上させることができる。
【0149】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、ワイヤ接続が施されない側で絶縁性枠体からリードが露出する部分にヒータを接触させて加熱してワイヤ接続を行うので、枠体の樹脂を不必要に温めることなく、リードを加熱でき、ワイヤ接続を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態1の半導体レーザ装置の概略構成を示す図であり、(a)はホログラム素子を取り付けていない状態の上面図、(b)、(c)はホログラム素子を取り付けた状態の側面図、(d)、(e)はホログラム素子を取り付けた状態の要部側面断面図である。
【図2】 実施形態1の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図3】 実施形態1の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図4】 実施形態2の半導体レーザ装置の概略構造を示し、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示す上面図である。
【図5】 実施形態3の半導体レーザ装置の概略構造を示し、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示す上面図である。
【図6】 実施形態4〜8の半導体レーザ装置の概略構成を示す斜視図である。
【図7】 実施形態7の半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップを説明する図であり、(a)は光ピックアップの構成を示す概略図、(b)はその斜視図、(c)は光ピックアップに取り付ける薄型の半導体レーザ装置の図、(d)は厚みのある半導体レーザ装置の図である。
【図8】 実施形態9のパッケージの製造方法を説明する工程図であり、(a)〜(c)は平面図と側面図、(d)、(e)は平面図である。
【図9】 実施形態10の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図10】 実施形態10の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図11】 実施形態11の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図12】 実施形態11の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図13】 実施形態11の枠体支持部の概略構造を示す要部斜視図である。
【図14】 実施形態11の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための図であり、(a)は要部上面図であり、(b)は要部下面図であり、(c)は要部側面断面図である。
【図15】 実施形態11における加熱方法を説明するための要部側面断面図を用いた概念図である。
【図16】 従来の半導体レーザ装置の概略構造を示す要部斜視図である。
【図17】 従来の半導体レーザ装置の概略構造を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面断面図である。
【図18】 図17の半導体レーザ装置に適用可能な製造方法を説明するための上面図を用いた工程図である。
【図19】 図18の製造方法により製造された半導体レーザ装置の概略構造を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁性枠体
2,2a〜2l リード
3 アイランドプレート(素子搭載部)
4 サブマウント
5 半導体レーザ素子(LD)
6 ミラー(反射体)
7 信号検出用受光素子
8 Auワイヤ
9 ホログラム素子
10 フレーム部
11 中継用電極
12 枠体支持部
13 ハーフノッチ(切り込み)
33 反射体搭載部
34 受光素子搭載部
35 突起部
50 ハウジング(筐体)
100 半導体レーザ装置
Claims (12)
- 絶縁性枠体の長手方向に垂直な二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置され、先端まで直線状に延びたリードを備え、前記絶縁性枠体の内部又は上部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部で前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、
前記絶縁性枠体内部で、前記リードの少なくとも一つの先端は、該リードの前記絶縁性枠体の配置面に配置された他のリードの少なくとも一つの先端が対向する素子搭載部端部位置よりも延ばされ、
前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分は、円柱を軸方向に対して互いに平行な二面で切り取った形状であり、該二面は前記絶縁性枠体の長手方向に対して平行で且つ該二面の前記長手方向の辺の長さが異なり、円弧の中心は、前記絶縁性枠体の上面方向に出射されるレーザ光の光軸中心であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、前記先端が延ばされたリードは、該リードの前記絶縁性枠体の配置面に配置されたリードのうちで最も端側に位置することを特徴とする半導体レーザ装置。
- 絶縁性枠体の長手方向に垂直な二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備え、前記絶縁性枠体内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部で前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、
前記絶縁性枠体内部で、前記リードの少なくとも一つは、該リードの前記絶縁性枠体の配置面でのリード配置方向の端側に曲げられ、かつ曲げられた方向の隣のリードよりも延ばされ、前記半導体レーザ素子と前記受光素子とが搭載されたアイランド部の一部を該リードに沿って切り取られた領域に離間して配置され、それ以外のリードは、先端まで直線状に延び、
前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分は、円柱を軸方向に対して互いに平行な二面で切り取った形状であり、該二面は前記絶縁性枠体の長手方向に対して平行で且つ該二面の前記長手方向の辺の長さが異なり、円弧の中心は、前記絶縁性枠体の上面方向に出射されるレーザ光の光軸中心であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1〜3の何れかに記載の半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体は前記半導体レーザ素子の搭載面または出射光軸と平行な外面を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
- 請求項1〜4の何れかに記載の半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体搭載部を形成してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
- 請求項1〜5の何れかに記載の半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子の搭載面に平行となるように前記受光素子が配置される受光素子搭載部を形成してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
- 請求項6に記載の半導体レーザ装置において、前記受光素子搭載部に配置された受光素子の受光面が前記半導体レーザ素子の出射面よりも高いことを特徴とする半導体レーザ装置。
- 請求項1〜7の何れかに記載の半導体レーザ装置において、前記リードのうちの一つが前記半導体レーザ素子の搭載部を備え、該搭載部全体もしくは一部の厚さが前記絶縁性枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いことを特徴とする半導体レーザ装置。
- 請求項1〜8の何れかに記載の半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子搭載面と平行な前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面に、内部の前記半導体レーザ素子から出射し外部の媒体で反射されて戻ってきた光を回折して内部の前記受光素子に導くホログラム素子を搭載することを特徴とする半導体レーザ装置。
- 請求項9に記載の半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面の一部を内側に張出させたことを特徴とする半導体レーザ装置。
- 請求項1〜10の何れかに記載の半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、
前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筺体が配置されてなることを特徴とする光ピックアップ。 - 請求項1〜8の何れかに記載の半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、
前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の円柱の円周面に、筐体の穴を嵌合させてなることを特徴とする光ピックアップ。
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TWI497779B (zh) * | 2012-07-11 | 2015-08-21 | Fusheng Electronics Corp | 發光二極體的支架結構製作方法(三) |
TWI469405B (zh) * | 2012-08-17 | 2015-01-11 | Fusheng Electronics Corp | 熱固型發光二極體的支架結構製作方法 |
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