JP3851416B2 - 結晶シリコン膜の製法 - Google Patents
結晶シリコン膜の製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3851416B2 JP3851416B2 JP15534997A JP15534997A JP3851416B2 JP 3851416 B2 JP3851416 B2 JP 3851416B2 JP 15534997 A JP15534997 A JP 15534997A JP 15534997 A JP15534997 A JP 15534997A JP 3851416 B2 JP3851416 B2 JP 3851416B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- solvent metal
- silicon film
- crystalline silicon
- carbon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液相成長法にもとづく結晶シリコン膜の製法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体材料として用いられる結晶薄膜を得る方法としては、従来から、低融点金属の溶媒に溶質材料を高温で飽和させたあと、その飽和溶液を冷却して過飽和となる溶質材料を基板上に結晶として析出させて結晶薄膜を得る液相成長法(Liquid Phase Epitaxy、以下「LPE」と略す)がよく知られている。このLPEは、例えば、つぎのような各種のLPE装置を用いて行われている。
【0003】
まず、ティッピング方式(傾斜法)のLPE装置の一例を図4に示す。この装置は、片側に傾いた状態の炉芯管1内で、溶融槽2に、溶媒となる金属溶液(以下「溶媒金属」という)3と溶質となる原料4を入れ、溶媒金属3が偏った方とは反対側の溶融槽2内に基板5を装着し、高温下で原料4を溶媒金属3中に拡散させ飽和させる。そして、炉芯管1を反対側に傾けて、溶質が飽和した溶媒金属3を、基板5の上に移動させ、その状態で温度を降下させながらエピタキシャル成長を行い、所定厚みの結晶膜が得られた時点で、再び炉芯管1を元のように傾けて、結晶膜が形成された基板5を取り出すようになっている。なお、6は熱電対、7は基板5保持用のクランプである。また、上記炉芯管1内は、高純度水素ガス等の雰囲気になっている。
【0004】
また、ディッピング方式(液浸法)のLPE装置の一例を図5に示す。この装置は、竪型炉8内に、溶媒金属3を入れた白金るつぼ10を配置し、この中に溶質となる原料4を入れて高温下で溶融させ、ついで上方から基板5を下降させて溶媒金属3に浸し、その状態で温度を降下させて基板5表面でエピタキシャル成長を行うようになっている。なお、6は熱電対、11は上部ヒータ,12はアルミナ管である。
【0005】
さらに、スライドボート方式のLPE装置の一例を図6に示す。この装置は、ベース板13の上面に、基板5と原料4を所定間隔で嵌入保持し、その上に、貫通穴14a内に溶媒金属3を保持したスライダー14を取り付けたもので、上記溶媒金属3が原料4と接するようスライダー14を右に移動させ、高温下で溶媒金属3に原料4を拡散させ飽和させたのち、溶媒金属3が基板5と接するようスライダー14を左に移動させ、温度を降下させて基板5表面でエピタキシャル成長を行うようになっている。
【0006】
上記のようなLPEは、固相と液相間の準平衡状態からの結晶成長であるため、高純度でしかも欠陥が少ない完全性の高い結晶が得られる。これが他の方法にはないLPEの大きなメリットとなっている。このため、LPEは、半導体用材料に用いられる結晶シリコン膜の製法として有望視されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のLPEでは、結晶シリコン膜を作製する際、カーボンやステンレスといった、シリコンとは異なる材料を基板に用いると、シリコンと基板とで格子定数が異なるため結晶核が発生しにくく、結晶成長が殆ど起こらないか、ある程度結晶が生成したとしても、その成長が不均一な島状成長となったり、結晶の基板に対する付着力が弱くてすぐに剥離してしまう等の問題が多発することがわかっている。このため、LPEによって結晶シリコン膜を得るには、高価なシリコン基板を用いるか、あるいは安価な基板上に気相成長法等を用いて結晶シリコン中間層を形成したのち、LPEによる結晶成長を開始する、といった非経済的な方法が採用されており、その低コスト化が重要な課題となっている。
【0008】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、安価な異種基板を使用することによりLPEのコストを低減し、しかも良質な結晶が得られるというLPEの特性を最大限に活かすことができる結晶シリコン膜の製法を提供することをその目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の請求項1記載の発明は、アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含む溶媒金属に、溶質としてシリコンを添加溶融し、900〜1300℃に維持した状態でカーボン基板と接触させ、上記カーボン基板の表面に、炭化アルミニウムおよび炭化ガリウムの少なくとも一方を含む下地層を形成し、つぎに、上記カーボン基板の裏側を冷却することにより基板の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与えながら、上記溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、基板表面の下地層上に結晶シリコン膜を形成するようにしたものである。
【0010】
また、本発明の請求項2記載の発明は、アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含む溶媒金属を、溶質未添加のまま900〜1300℃に維持した状態でカーボン基板と接触させ、上記カーボン基板の表面に、炭化アルミニウムおよび炭化ガリウムの少なくとも一方を含む下地層を形成し、つぎに、上記溶媒金属中に溶質としてシリコンを添加溶融し、上記カーボン基板の裏側を冷却することにより基板の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与えながら、上記溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、基板表面の下地層上に結晶シリコン膜を形成するようにしたものである。
【0011】
さらに、本発明の請求項3記載の発明は、アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含む溶媒金属を、溶質未添加のまま900〜1300℃に維持した状態でカーボン基板と接触させ、上記カーボン基板の表面に、炭化アルミニウムおよび炭化ガリウムの少なくとも一方を含む下地層を形成し、つぎに、上記下地層が形成されたカーボン基板に、溶質としてシリコンが添加溶融された溶媒金属を接触させ、上記カーボン基板の裏側を冷却することにより基板の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与えながら、上記溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、基板表面の下地層上に結晶シリコン膜を形成するようにしたものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態を詳しく説明する。
【0013】
本発明は、例えばつぎのようにしてLPEを利用して結晶シリコン膜を製造するものである。すなわち、まず、従来からLPEに用いられる溶媒金属に、アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含有させ、これに溶質としてシリコンを添加溶融する。つぎに、図1に示すように、カーボン基板20を準備し、このカーボン基板20の表面と上記溶媒金属とを、900〜1300℃の高温で接触させ、基板表面のカーボンと、溶媒金属に含有されたアルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方とを化学反応させる。これにより、図2(a)に示すように、カーボン基板20の表面に、炭化アルミニウム含有層もしくは炭化ガリウム含有層、あるいは炭化アルミニウム・炭化ガリウム混合含有層からなる下地層21を形成する。なお、上記カーボン基板20の表面と溶媒金属の接触は、従来公知のLPE装置を適宜用いることができる。
【0014】
つぎに、カーボン基板20の裏側(下地層21が形成された面と反対側の面)を冷却することにより、図2(b)に示すように、カーボン基板20の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与えながら、上記溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、下地層21の表面に結晶シリコンを析出させ結晶シリコン膜22を形成させる。この状態を図3に示す。このようにして、結晶シリコン膜22を得ることができる。
【0015】
このようにして得られた結晶シリコン膜22は、カーボン基板20という異種基板上に形成されているにもかかわらず、緻密で高品質である。そして、結晶シリコン膜22が下地層21と強固に接合しているため、従来のように、結晶シリコン膜22の剥離が発生することがない。
【0016】
なお、上記製法に用いられるカーボン基板20としては、グラファイト製,ガラス状カーボン製のものが好適である。また、ステンレス等、他の材質の基板表面を、グラファイトやガラス状カーボンで被覆したものを用いるようにしても差し支えはない。そして、上記カーボン基板20の厚みは、通常、0.2〜2mmに設定することが好ましい。また、他の材質の基板表面をカーボンで被覆した基板の場合には、上記被覆層が0.2〜2μmとなるよう設定することが好適である。すなわち、被覆層が0.2μm未満では上記下地層21を形成するための化学反応が不充分となるおそれがあり、逆に2μmを超えると熱膨張または収縮により被覆層にクラックが発生するおそれがあるからである。
【0017】
また、上記製法に用いられる溶媒金属としては、すず,鉛,インジウム,銅,アンチモン等、各種の低融点金属が用いられる。これらは、単独で用いても2種以上を併用してもよい。そして、これらのなかでも、電気的性質の良好な結晶シリコン膜を得ることができ、融点が232℃と低く、しかも安価であるという点で、特に、すずが好適である。
【0018】
上記溶媒金属には、前出のとおり、アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含有させる。これらは、カーボン基板20表面のカーボンと化学反応して炭化物となり、カーボン基板20の表面に下地層21を形成する。上記下地層21は、シリコンが溶融混合された溶媒金属との濡れ性が良好であり、その表面に緻密で剥離しにくい結晶シリコン膜22を形成させるという効果を奏する。なお、上記下地層21の厚みは、0.01〜1μm、なかでも0.05〜0.2μmに設定することが好適である。すなわち、下地層21の厚みが0.05μm未満では下地層21による効果が充分に得られず、逆に1μmを超えると熱膨張または収縮により下地層21にクラックが発生するおそれがあるからである。
【0019】
上記溶媒金属に含有させるアルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方の、溶媒金属全体に対する含有量は1〜30重量%(以下「%」と略す)に設定することが好適であり、なかでも15〜25%に設定することが特に好適である。上記含有量が1%よりも少ないと、下地層21の形成膜厚が充分に得られないおそれがあり、逆に30%を超えると、引き続いて製膜を行うシリコン膜の膜質が低下するおそれがあるからである。
【0020】
また、上記溶媒金属に添加溶融させるシリコンの量は、溶媒金属の組成および温度によって変わるが、通常、溶媒金属全体に対し、10〜30%に設定することが好適である。なかでも、特に飽和点より10%程度過飽和に設定することが好適である。すなわち、シリコンが未飽和の状態では、結晶シリコン膜の製膜に時間がかかりすぎるおそれがあり、逆に過飽和すぎると、膜厚の制御が困難になったり治具等への結晶析出が生じてトラブルを招くおそれがあるからである。
【0021】
さらに、上記製法において、カーボン基板20の裏側から冷却して、カーボン基板20の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与える際、その温度勾配は、0.1〜50℃/mmに設定することが好適であり、なかでも2〜10℃/mmに設定することが特に好適である。すなわち、温度勾配が上記範囲よりも緩慢すぎると結晶と結晶の間に隙間が形成されてしまうおそれがあり、逆に急峻すぎると膜質が低下したり炉体の熱効率が低下するおそれがあるからである。
【0022】
そして、上記冷却による結晶シリコン膜22の製膜速度は、上記温度勾配の大きさや溶媒金属の組成,溶融シリコン量,結晶成長温度等、他の条件にも左右されるが、通常、10〜200μm/時間(h)が好ましく、なかでも80〜120μm/hが特に好適である。
【0023】
なお、結晶シリコン膜22の製膜時に、上記のようにカーボン基板20の裏側から、温度勾配を与えながら冷却することに加えて、溶媒金属およびカーボン基板20(下地層21を含む)からなる系全体を一様に冷却する(いわゆる「冷却法」)ようにしても差し支えはない。この場合、製膜温度は、溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲に設定される。そして、その冷却速度は、0.5〜10℃/分に設定することが好適である。
【0024】
また、カーボン基板20の裏側から温度勾配を与えながら冷却することと、系全体を冷却することを同時に行うのではなく、例えば結晶シリコン膜22がある程度の厚み(例えば0.01〜1.0μmの厚み)になった時点でカーボン基板20裏側からの冷却を中止し、溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、系全体の冷却に切り替えるようにしても、良好な結晶シリコン膜22を得ることができる。すなわち、すでに成長した結晶シリコン膜22を種結晶として、引き続き結晶シリコンが成長し続けるからである。なお、この場合、溶媒金属として、すずを用いるようにすると、結晶欠陥の少ない、より高品質な結晶シリコン膜22を得ることができる。
【0025】
さらに、前記の製法では、アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含む溶媒金属に、最初から溶質としてシリコンを添加溶融して用いているが、上記シリコンを添加することなく、アルミニウム等を含む溶媒金属を、900〜1300℃に維持した状態でカーボン基板20と接触させ、上記カーボン基板20の表面に下地層21を形成し、つぎに、上記溶媒金属中に溶質としてシリコンを添加溶融し、前記と同様の手順で、上記下地層21上に結晶シリコン膜22を形成するようにしてもよい。このようにしても、前記と同様、高品質の結晶シリコン膜22を、安価に製造することができる。
【0026】
また、アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方のみを含む第1の溶媒金属と、シリコンのみを含む第2の溶媒金属を別々に準備しておき、まず上記第1の溶媒金属をカーボン基板20と接触させ、上記カーボン基板20の表面に下地層21を形成し、つぎに、上記第2の溶媒金属を、下地層が形成されたカーボン基板に接触させ、前記と同様の手順で、上記下地層21上に結晶シリコン膜22を形成するようにしてもよい。なお、上記第1の溶媒金属と第2の溶媒金属の切り替えは、例えば図6に示すスライドボード方式のLPE装置を用いることにより簡単に行うことができる。
【0027】
【発明の効果】
以上のように、本発明の結晶シリコン膜の製法は、シリコンとは異なる材料からなる基板の表面に、炭化アルミニウムおよび炭化ガリウムの少なくとも一方からなる特殊な下地層を形成したものを用い、基板裏側から冷却して基板の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるように温度勾配を与えて、高品質の結晶シリコン膜を、緻密かつ強固な接合強度でLPE成長をさせるようにしたものである。上記製法によれば、従来のように、高価なシリコン基板を用いる必要がなく、シリコンとは異なる安価な基板を用いることができるため、LPEを安価に行うことができ、半導体のコストを低減させることができる。しかも、異種材料の基板を用いるにもかかわらず、結晶が高品質で、基板から剥離することもないため、長期にわたって優れた特性を発揮する。
【0028】
また、本発明によって得られる結晶シリコン膜の形成品は、異種基板と、LPEによる結晶シリコン膜との組み合わせになるため、LPEによって形成される良質の結晶だけを半導体用として用いることができ、LPEによる良質な結晶の特性が減殺されず、LPEの特性を最大限に活かすことができる。
【0029】
つぎに、実施例について説明する。
【0030】
【実施例】
基板として、0.5mm×25mm×25mmのカーボン基板を準備し、これに、下記に示す条件で、前述の手順にしたがって、結晶シリコン膜を製造した。なお、溶媒金属に最初からシリコンを添加溶融して、まず下地層を形成し、ついで結晶シリコン膜を形成するようにした。
【0031】
〔実施条件〕
成長温度 1000℃
溶媒金属の組成 アルミニウム10% すず90%
溶融シリコンの量 11%
圧力 1atm
温度勾配 5℃/mm
製膜速度 1.6μm/分
【0032】
このようにして得られた結晶シリコン膜の結晶サイズは50〜100μmであり、膜厚は約70〜100μmであった。しかも、成長した結晶同士は、互いに緊密に接触した状態で成長し、欠陥の殆どない高品質の結晶膜であった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例の製造工程の説明図である。
【図2】 (a)は上記実施例の製造工程の説明図、(b)は上記製造工程において基板に与える温度勾配の説明図である。
【図3】 上記実施例の製造工程の説明図である。
【図4】 LPE装置の一例を示す説明図である。
【図5】 LPE装置の他の例を示す説明図である。
【図6】 LPE装置のさらに他の例を示す説明図である。
【符号の説明】
20 カーボン基板
21 下地層
22 結晶シリコン膜
Claims (3)
- アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含む溶媒金属に、溶質としてシリコンを添加溶融し、900〜1300℃に維持した状態でカーボン基板と接触させ、上記カーボン基板の表面に、炭化アルミニウムおよび炭化ガリウムの少なくとも一方を含む下地層を形成し、つぎに、上記カーボン基板の裏側を冷却することにより基板の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与えながら、上記溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、基板表面の下地層上に結晶シリコン膜を形成するようにしたことを特徴とする結晶シリコン膜の製法。
- アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含む溶媒金属を、溶質未添加のまま900〜1300℃に維持した状態でカーボン基板と接触させ、上記カーボン基板の表面に、炭化アルミニウムおよび炭化ガリウムの少なくとも一方を含む下地層を形成し、つぎに、上記溶媒金属中に溶質としてシリコンを添加溶融し、上記カーボン基板の裏側を冷却することにより基板の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与えながら、上記溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、基板表面の下地層上に結晶シリコン膜を形成するようにしたことを特徴とする結晶シリコン膜の製法。
- アルミニウムおよびガリウムの少なくとも一方を含む溶媒金属を、溶質未添加のまま900〜1300℃に維持した状態でカーボン基板と接触させ、上記カーボン基板の表面に、炭化アルミニウムおよび炭化ガリウムの少なくとも一方を含む下地層を形成し、つぎに、上記下地層が形成されたカーボン基板に、溶質としてシリコンが添加溶融された溶媒金属を接触させ、上記カーボン基板の裏側を冷却することにより基板の表側から裏側に向かって徐々に温度が低くなるよう温度勾配を与えながら、上記溶媒金属の融点〜1300℃の温度域内の任意に決めた温度範囲で、基板表面の下地層上に結晶シリコン膜を形成するようにしたことを特徴とする結晶シリコン膜の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15534997A JP3851416B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 結晶シリコン膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15534997A JP3851416B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 結晶シリコン膜の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH113864A JPH113864A (ja) | 1999-01-06 |
JP3851416B2 true JP3851416B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=15603958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15534997A Expired - Fee Related JP3851416B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 結晶シリコン膜の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3851416B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8993055B2 (en) * | 2005-10-27 | 2015-03-31 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP15534997A patent/JP3851416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH113864A (ja) | 1999-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4670096A (en) | Process and apparatus for producing semi-conductor foils | |
US4112135A (en) | Method for dip-coating ceramic with molten silicon | |
US4090851A (en) | Si3 N4 Coated crucible and die means for growing single crystalline silicon sheets | |
US4137355A (en) | Ceramic coated with molten silicon | |
KR101152857B1 (ko) | 탄화규소 단결정의 성장방법 | |
JPH09268096A (ja) | 単結晶の製造方法及び種結晶 | |
US3341361A (en) | Process for providing a silicon sheet | |
US7615115B2 (en) | Liquid-phase growth apparatus and method | |
EP2426238A1 (en) | METHOD FOR FABRICATING SiC SUBSTRATE | |
JPS6024078B2 (ja) | 3−5族化合物半導体単結晶の製造装置 | |
JP3851416B2 (ja) | 結晶シリコン膜の製法 | |
JPS6046539B2 (ja) | シリコン結晶膜の製造方法 | |
CN101684568A (zh) | 外延成长方法 | |
US20110212630A1 (en) | Method for preparing a self-supporting crystallized silicon thin film | |
JP4222630B2 (ja) | 物体をエピタキシャル成長させるための方法及びそのような成長を行うための装置 | |
JPH10297997A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JPH101392A (ja) | 結晶シリコン薄膜の形成方法 | |
JPH0118575B2 (ja) | ||
Ferro et al. | Growth of sic from a liquid phase at low temperature | |
JP2000154097A (ja) | SiC結晶の液相エピタキシャル成長方法 | |
JP3913850B2 (ja) | 結晶薄膜の製法およびそれに用いる装置 | |
Jacquier et al. | Is Al-Si a Good Melt for the Low-Temperature LPE of 4H-SiC? | |
KR20210014504A (ko) | 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 | |
JP5698171B2 (ja) | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 | |
JP2556159B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |