JP3847403B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、より詳しくは、視野角を拡大する為に配向状態の異なる複数の配向膜を一画素領域内に設けた、いわゆる配向分割型の液晶表示装置の改善に関する。
【0002】
【従来の技術】
以下で従来例に係る配向分割型の液晶表示装置について図面を参照しながら説明する。この配向分割型の液晶表示装置は、TN(Twisted Nematic )モードの液晶表示装置であって、図4に示すように、複数のゲートバスライン1とドレインバスライン2とが直交配置され、その交点近傍の部分にTFT(Thin Film Transistor)3を介してITO(Indium Tin Oxide)膜からなる画素電極4が接続され、これらのTFT3と画素電極4とがマトリクス状に配置されてなる。
【0003】
各々の画素電極4は表示領域とほぼ一致するが、その領域は図4に示すように第1,第2の画素領域4A,4Bに分割されている。画素電極4がこの領域で分割されているのではなく、この上に形成される不図示の配向膜の配向状態をこれら第1,第2の画素領域4A,4Bごとに変えている。このようにして一画素内で液晶分子の配向状態を意図的に変えることにより、視野角を拡大することを目的とする構造をとっている(以下でこの構造を配向分割型構造と称する)。
【0004】
この配向分割型の液晶表示装置の構造について、図5,図6を参照しながら以下で更に詳しく説明する。図5は配向分割型液晶表示装置の一つの画素に注目した上面図であり、図6(a)は図5のA−A線断面図、同図(b)は図5のB−B線断面図である。
この液晶表示装置は、図6(a)や同図(b)に示すように、ガラス等からなる透明な下側基板6と上側基板7とが対向配置され、その間に液晶が封入されることで構成される。下側基板6の上にはゲートバスライン1A,1B、ドレインバスライン2、後述するリングCs5等が形成され、絶縁膜8を介してITO膜からなる画素電極4が形成されている。また、上側基板7上にはやはりITO膜からなる共通電極9が形成されており、これらの共通電極9,画素電極4間に電圧を印加することによってその間に封入された液晶分子10の方向を変えて駆動するものである。
【0005】
また、図には示していないが、液晶分子10に接する部分には液晶分子10の配向状態(特にプレチルト角)を規定するための配向膜が設けられている。図6(a)に示すように、下側基板6の側では第1の画素領域4Aのプレチルト角をαとし、第2の画素領域4Bのプレチルト角をβとしている(α>β)。逆に上側基板7の側では、第1の画素領域4Aのプレチルト角をβとし、第2の画素領域4Bのプレチルト角をαとすることにより、上側基板側のプレチルト角と下側基板側のプレチルト角とが互いに大−小という組み合わせになるようにしているので、図6(a)に示すように液晶分子10の配向状態が第1,第2の画素領域4A,4Bでは互いに逆になる。このようにすることによって液晶の配向方向が一方向に偏るのを防ぎ、視野角を拡大することができるのである。
【0006】
また、この液晶表示装置は、開口率を向上させるために通常画素電極を横切るように形成されている補助容量用の電極を環状にして、各画素の画素電極の周縁に沿うように配置している(これを以下でリングCsと称する)。このリングCsは、図5に示すように選択された画素に接続されたゲートバスライン(図5ではこれをn番目のゲートバスライン1Aとしている)の次段の画素に接続されたゲートバスライン(図5ではこれをn+1番目のゲートバスライン1Bとしている)と接続している。n番目のゲートバスライン1Aに接続された画素が選択された場合には、このn番目のゲートバスライン1Aの電位はTFT3のON/OFF動作をさせるため変動するが、n+1番目のゲートバスライン1Bの電位はこの間一定になっているので、この瞬間はn+1番目のゲートバスライン1Bに接続されたリングCs5も一定電位になっており、補助容量として機能しうるのである。このように次段のゲートバスラインとリングCsとが接続するように構成することにより、画素の開口率を向上させることが可能になるというものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような配向分割型の液晶表示装置を製造する際に、上側基板側のプレチルト角と下側基板側のプレチルト角とが互いに大−小という組み合わせになるようにする場合は、上側基板と下側基板の貼り合せの際のずれを避けることが非常に困難である。
【0008】
このような場合には、図7(a)に示すように、同一の画素領域において上側基板のプレチルト角と下側基板のプレチルト角とが一致してしまい、プレチルト角が大−大,小−小という組み合わせが生じる。例えば図7(a)の第2の画素領域4Bにおいては、上側基板と下側基板とで大きなプレチルト角αが互いに対向している状態になる。
【0009】
このような場合では、TNモードの液晶分子が本来あるべきツイスト状態にあるのみならず、上下から大きなプレチルト角αで液晶分子が圧力を受けることによってスプレイ状態も加わった状態になるので、通常のツイスト状態の液晶分子に比してエネルギー状態が高くなり、液晶分子の配向状態が不安定になる。ひどい場合には液晶の旋回方向が通常と逆になってしまうという不良(以下でこれを逆ツイストドメイン不良と称する)が生じる。
【0010】
この現象は印加電圧が高いほど発生しやすい。
従来構造では、図5や図6,図7等に示すように、リングCs5は画素電極4の形成領域から若干はみ出すように配置されている。補助容量として用いられる面積を確保しつつ、なるべく画素電極5とオーバーラップする領域を減らして開口率向上を図る為である。
【0011】
リングCsはゲートバスラインに接続されているが、このゲートバスラインにはTFTのON/OFFを制御するため液晶の印加電圧よりも高い電圧が印加されている(液晶への印加電圧は2〜3V程度だが、ゲートバスラインには±12V程度の電圧が印加される)。
【0012】
このような場合、図7(b)に示すように、画素電極の形成領域からはみだしたリングCsと、それに対向する共通電極との間に、高電界Eが生じるので、この付近の領域にある液晶分子はこの高電界Eの影響を受け、本来の配向状態と異なるような状態になってしまう場合がままある。この異常は画素の中央部の液晶分子にも伝搬して行くので、画素全体の液晶分子の配向がこれにより異状をきたしてしまう。
【0013】
特にこの異常は、液晶分子の配向状態が画素内でも不安定な第1,第2の画素領域4A,4Bの境界領域(以下でこれを配向分割領域と称する)のリングCS近傍の液晶分子において顕著であった。
この不安定が画素領域の中央まで波及し、ひいては逆ツイストドメイン不良が生じ、ディスクリネーションが生じることにより、当該液晶表示装置の表示画面がざらついてしまうという問題が生じていた。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと直交するように配置された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインで囲まれた画素領域内に前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインに重ならないように配置された画素電極と、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインの交差する領域近傍に配置され、前記ゲートバスライン、前記ドレインバスライン及び前記画素電極と接続する液晶駆動用の素子であるTFTと、前記画素電極の配置領域の周縁に沿うように配置され、前記画素電極よりも下層に形成され、前記ゲートバスラインと接続する補助容量電極とを主面に備えた第1の透明基板と、主面に共通電極を備えた第2の透明基板とを有し、前記第1の透明基板と前記第2の透明基板とが対向配置され、その間に液晶が封入され、かつ前記画素領域が複数の領域に分割されてその各々の領域で前記液晶の配向状態が異なる液晶表示装置において、前記補助容量電極は、少なくとも前記複数の領域の境界部においては、前記画素電極の配置領域よりはみ出さないよう内側に配置されてなることを特徴とする液晶表示装置により、上記課題を解決するものである。
【0015】
引き続いて本発明の作用効果について以下で説明する。
本発明に係る液晶表示装置によれば、補助容量電極は、少なくとも複数の領域の境界部においては、画素電極の配置領域よりはみ出さないよう内側に配置されてなるため、ゲートバスラインに接続するため高電圧が印加される補助容量電極が画素電極によって電気的にシールドされることになる。
【0016】
従って、図7(b)に示すように従来生じていた補助容量電極と対向する共通電極との間の高電界Eが生じなくなるので、特に液晶分子の配向状態が不安定な複数領域の境界部の付近にある液晶分子がこの高電界Eの影響を受け、本来あるべき配向方向からずれるという異常の発生を抑止することができる。
これにより、従来装置で生じていたディスクリネーションや、これが原因となっていた表示画像のざらつきを極力抑止することが可能になる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下で、本発明の実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照しながら説明する。この液晶表示装置は、TN(Twisted Nematic )モードの液晶表示装置であって、配向分割型構造をとっているものである。また、図1に示すようにリングCsを有することで、開口率の改善を図っている点では従来と同様である。
【0018】
本実施形態に係る液晶表示装置について図1,図2を参照しながら以下で更に詳しく説明する。図1は配向分割型液晶表示装置の一画素について説明する上面図であり、図2(a)は図1のX−X線断面図、同図(b)は図1のY−Y線断面図である。
この液晶表示装置は、図2(a)や同図(b)に示すように、ガラス等からなる第1の透明基板16と第2の透明基板17とが対向配置され、その間に液晶が封入されることで構成される。第1の透明基板16の上にはゲートバスライン11A,11B、ドレインバスライン12、リングCs15等が形成され、絶縁膜18を介してITO膜からなる画素電極14が形成されている。また、第2の透明基板17上にはやはりITO膜からなる共通電極19が形成されており、これらの共通電極19,画素電極14間に電圧を印加することによってその間に封入された液晶分子20の方向を変えて駆動するものである。
【0019】
また、図には示していないが、液晶分子20に接する部分には液晶分子20の配向状態(特にプレチルト角)を規定するための配向膜が設けられている。図2(a)に示すように、第1の透明基板16の側では第1の画素領域14Aのプレチルト角をαとし、第2の画素領域14Bのプレチルト角をβとしている(α>β)。逆に第2の透明基板17の側では、第1の画素領域14Aのプレチルト角をβとし、第2の画素領域4Bのプレチルト角をαとすることにより、第1の透明基板側のプレチルト角と第2の透明基板側のプレチルト角とが互いに大−小という組み合わせになるようにすることで視野角の拡大を図っている。
【0020】
また、この液晶表示装置は、開口率を向上させるために通常画素電極を横切るように形成されている補助容量用の電極を環状にして、各画素の画素電極の周縁に沿うように配置している(これを以下でリングCsと称する)。このリングCs15は、図1に示すように選択された画素に接続されたn番目のゲートバスライン11Aの次段の画素に接続されたn+1番目のゲートバスライン11Bと接続している。なお、このリングCsは補助容量電極の一例である。
【0021】
本実施形態の液晶表示装置は、図1に示すように、配向分割領域を含む全部の領域において上述のリングCs15の形成領域が画素電極14の形成領域内に収まっており、従来のように画素電極の形成領域からリングCsがはみ出さないように配置されている。
このため、リングCs15が上層の画素電極14によって完全に電気的にシールドされることになるので、たとえゲートバスラインにTFT駆動のための高電圧が印加されても、図7(b)に示す従来のようにリングCsと共通電極との間に生じていた高電界Eが生じなくなる。
【0022】
これにより、この付近にある液晶分子がこの高電界Eの影響を受け、本来あるべき配向方向からずれるという異常の発生を抑止することができる。
従って、従来装置で生じていたディスクリネーションや、これが原因となっていた画像のざらつきを抑止することが可能になる。
また、本実施形態では全部の領域で画素電極を用いて完全にリングCsをシールドしているが、液晶分子の異常が生ずるのはほとんどが配向分割領域の近傍なので、図3に示すように配向分割領域の部分のリングCsだけが画素電極の形成領域からはみ出さないようにしてシールドしても、この領域における液晶分子の配向状態の異状を抑止することができ、図1の装置とほぼ同様の効果を奏する。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、環状の補助容量電極は、少なくとも複数の領域の境界部においては、画素電極の配置領域よりはみ出さないよう内側に配置されてなるため、液晶分子の配向状態が不安定な複数領域の境界部の付近にある液晶分子が本来あるべき配向方向からずれるという異常の発生を抑止することができる。
【0024】
これにより、従来装置で生じていたディスクリネーションや、これが原因となっていた表示画像のざらつきを極力抑止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る液晶表示装置を説明する上面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る液晶表示装置を説明する断面図である。
【図3】本発明の別の実施形態に係る液晶表示装置を説明する上面図である。
【図4】配向分割型液晶表示装置の構成を説明する図である。
【図5】従来例に係る液晶表示装置を説明する上面図である。
【図6】従来例に係る液晶表示装置を説明する断面図である。
【図7】従来例に係る液晶表示装置の問題点を説明する断面図である。
【符号の説明】
11A n番目のゲートバスライン
11B n+1番目のゲートバスライン
12 ドレインバスライン
13 TFT
14 画素電極
14A 第1の画素領域
14B 第2の画素領域
15 リングCs(補助容量電極)
16 第1の透明基板
17 第2の透明基板
18 絶縁膜
19 共通電極
20 液晶分子
Claims (4)
- 複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインと直交するように配置された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインで囲まれた画素領域内に前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインに重ならないように配置された画素電極と、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインの交差する領域近傍に配置され、前記ゲートバスライン、前記ドレインバスライン及び前記画素電極と接続する液晶駆動用の素子であるTFTと、前記画素電極の配置領域の周縁に沿うように配置され、前記画素電極よりも下層に形成され、前記ゲートバスラインと接続する補助容量電極とを主面に備えた第1の透明基板と、
主面に共通電極を備えた第2の透明基板とを有し、
前記第1の透明基板と前記第2の透明基板とが対向配置され、その間に液晶が封入され、かつ前記画素領域が複数の領域に分割されてその各々の領域で前記液晶の配向状態が異なる液晶表示装置において、
前記補助容量電極は、少なくとも前記複数の領域の境界部においては、前記画素電極の配置領域よりはみ出さないよう内側に配置されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記補助容量電極は、その全部が前記画素電極の配置領域よりはみ出さないよう内側に配置されてなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記画素領域は、複数の領域に分割され、該複数の領域ごとに配向状態が異なる配向膜が、前記液晶に接するように設けられてなることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記複数の領域ごとに配向状態が異なる配向膜は、該配向膜に接する液晶分子のプレチルト角が、前記複数の領域ごとに異なるように設けられてなることを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置。
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