JP3841892B2 - Display device and device having display function - Google Patents

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JP3841892B2
JP3841892B2 JP27748596A JP27748596A JP3841892B2 JP 3841892 B2 JP3841892 B2 JP 3841892B2 JP 27748596 A JP27748596 A JP 27748596A JP 27748596 A JP27748596 A JP 27748596A JP 3841892 B2 JP3841892 B2 JP 3841892B2
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sealing material
liquid crystal
thin film
film transistor
interlayer insulating
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舜平 山崎
聡 寺本
吉晴 平形
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、周辺駆動回路を内蔵したアクティブマトリクス型の液晶パネルの構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置が知られている。これは、マトリクス状に数百×数百の単位で配置された画素電極のそれぞれに薄膜トランジスタを配置し、この薄膜トランジスタでもって各画素電極に出入りする電荷を制御する構成を有している。
【0003】
現在市販されているアクティブマトリクス型の液晶パネルの多くは、アクティブマトリクス回路の周辺に外付けのICチップが配置され、このICチップでもってアクティブマトリクス回路を駆動する構成となっている。
【0004】
しかしさらに進んだ構成として、周辺駆動回路をも薄膜トランジスタでもって構成し、アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とを一体化させてしまう構成が知られている。この構成は、周辺駆動回路一体型と称されている。
【0005】
この周辺駆動回路を一体化した液晶パネルにおいては、周辺駆動回路に配置される薄膜トランジスタを構成する薄膜半導体を結晶性を有する珪素薄膜とする必要がある。これは、周辺駆動回路に高速動作が要求されることに起因する。
【0006】
なお、画素マトリクス回路に配置される薄膜トランジスタを構成する薄膜半導体は非晶質珪素膜であってもよい。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような周辺駆動回路一体型の液晶パネルにおいては、その信頼性が大きな問題となる。即ち、使用環境に対する画像表示の安定性が重要となる。
【0008】
特に結晶性珪素膜は、その特性の高さ故に特性の経時変化や使用環境の影響が大きいという問題がある。
【0009】
具体的には、液晶パネルの作製時や取扱時に加わる応力の影響、液晶パネル内に進入する水分の影響、といったことが問題となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本明細書で開示する発明は、液晶パネルの作製時や取扱時に加わる応力によって薄膜トランジスタが影響を受けることを抑制し、さらに液晶パネル内に水分が進入しないような構成を提供することを課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持した構成を有し、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と駆動回路とが配置されており、
前記駆動回路には層間絶縁膜として樹脂材料が配置されており、
前記液晶は封止材によって封止されており、
前記層間絶縁膜と前記封止材とは一部において積層されており、
前記封止材によって前記樹脂材料は外部から遮断されていることを特徴とする表示装置である
【0012】
他の発明の構成は、
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と駆動回路とが配置されており、
前記駆動回路上には樹脂材料でなる層間絶縁膜が配置されており、
前記液晶は封止材によって封止されており、
前記層間絶縁膜と前記封止材とは一部において重なっており、
前記層間絶縁膜は前記封止材により外部から遮断されていることを特徴とする液晶パネルを具備した表示機能を有する装置である
【0013】
また上記構成において、
層間絶縁膜はポリイミド樹脂でなることを特徴とする。
【0014】
また上記構成において、
封止材料はエポキシ樹脂でなることを特徴とする。
【0015】
他の発明の構成は、
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路には層間絶縁膜としてポリイミドでなる樹脂材料が配置されており、
前記液晶はエポキシ樹脂でなる封止材によって封止されており、
記樹脂材料と前記封材とは一部において積層されており、
前記封止材は前記周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタのソースに接続された配線及び前記樹脂材料と接していることを特徴とする。
【0016】
上記構成においては、封止材を構成するエポキシ樹脂が一部において、有機物と接触し、その部分では高い封止性を発揮するようにすることが特徴となる。
【0017】
他の発明の構成は、
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路には層間絶縁膜として無機材料及び該無機材料上に有機樹脂材料が配置されており、
前記液晶はエポキシ樹脂でなる封止材によって封止されており、
前記有機樹脂材料と前記封材と前記周辺駆動回路上において積層されており、
前記封止材は前記無機材料と接していることを特徴とする。
【0018】
上記構成において、無機材料は窒化珪素でなることを特徴とする。
【0019】
上記構成を採用することで、周辺駆動回路に加わる応力を緩和することができ、かつ図1の100又は図2の200で示される部分における封止機能を高めることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1にその具体的な構成を示すように、
一対のガラス基板101と118との間に液晶材料114を挟んで保持した構成を有し、
前記基板の一方101の表面にはアクティブマトリクス回路(102で示される薄膜トランジスタで構成される)と周辺駆動回路(103で示される薄膜トランジスタで構成される)とが配置されており、
前記周辺駆動回路には層間絶縁膜106、109、111としてポリイミドでなる樹脂材料が配置されており、
前記液晶材料114はエポキシ樹脂でなる封止材料115でもって封止されており、
前記ポリイミドでなる樹脂材料と前記エポキシ樹脂でなる封止材料とは一部において積層されており、
前記封止材料によって前記ポリイミドでなる樹脂材料は外部から遮断されていることを特徴とする。
【0021】
特に図1の100又は図2の200で示す部分では、封止材115が無機物(無機膜)である配線108又は窒化珪素膜105と接触し、高い密着性を得ることができる。こうすることで、この部分では高い封止性を得ることができる。
【0022】
図1において、101と118が液晶パネルを構成する一対のガラス基板である。この一対のガラス基板の隙間に液晶材料やアクティブマトリクス回路、さらにアクティブマトリクス回路を駆動する周辺駆動回路が配置されている。
【0023】
102で示されるのがアクティブマトリクス回路部に配置された薄膜トランジスタである。図では1つの薄膜トランジスタが配置されているだけであるが、実際には少なくとも画素の数だけ薄膜トランジスタが配置されている。
【0024】
103で示されるのが、周辺駆動回路に配置される薄膜トランジスタである。図では1つの薄膜トランジスタが配置されているだけであるが、実際にはシフトレジスタ回路やバッファー回路を構成するためにPチャネル型及びNチャネル型の薄膜トランジスタが必要な数だけ組み合わされて配置される。
【0025】
104がゲイト絶縁膜である。ゲイト絶縁膜は酸化珪素膜で構成される。105は第1の層間絶縁膜を構成する窒化珪素膜である。
【0026】
106は窒化珪素膜105とともに第1の層間絶縁膜を構成するポリイミドでなる樹脂層間膜である。このポリイミドでなる樹脂層間膜は、表面を平坦化できるという特徴を有している。
【0027】
107は、周辺駆動回路に配置された薄膜トランジスタ103のドレインから延在した配線であり、画素マトリクス回路に配置された薄膜トランジスタ102のソースに接続されている。
【0028】
108は、周辺駆動回路に配置される薄膜トランジスタ103のソースに接続された配線である。この配線108は、液晶パネルの外部端子を構成している。
【0029】
109は、第2の層間絶縁膜を構成するポリイミドでなる樹脂層間膜である。110は第2の層間絶縁膜を構成する樹脂層間膜109上に形成されたチタンでなる遮光膜である。この遮光膜110は、薄膜トランジスタ102に光照射がなされないようにするためのものである。
【0030】
111は、第3の層間絶縁膜を構成するポリイミドでなる樹脂層間膜である。112は、画素電極を構成するITO膜である。このITO膜112と遮光膜110とは、樹脂層間膜109を介して補助容量を形成している。このような構成とすることで、開口率を低下させることなく必要とする補助容量を得ることができる。
【0031】
113は、ポリイミドでなる配向膜である。この配向膜113によって、配向膜113に接する液晶114に対して配向規制力は及ぶ。
【0032】
115は、液晶材料を封止するためめのエポキシ樹脂である。このエポキシ樹脂115によって液晶材料114は、一対のガラス基板118と101との間に保持される。
【0033】
エポキシ樹脂115中には、液晶層のギャップ(間隔)を維持するためのフィラーと称されるガラス繊維が含まれている。
【0034】
116は対向基板(118を対向基板と称する)側に配置されたポリイミドでなる配向膜である。117は、対向電極である。
【0035】
本実施例で特徴とするのは、エポキシ樹脂115の一部を除いた領域において、層間膜を構成する樹脂膜111、109、106と、封止材(シール材とも称される)を構成するエポキシ樹脂115とが重なった状態となっていることである。
【0036】
このようにすることで、ポリイミドでなる樹脂層間膜でもって、応力緩和を行い、封止材を構成するエポキシ樹脂によって、パネル外部からの水分の侵入を防ぐことができる。
【0037】
111、109、106で示されるポリイミドでなる樹脂膜は、柔軟性があり、外部から加わる応力を緩和させる機能がある。しかし、吸湿性があり、水分の侵入を防ぐバリアとしてはほとんど機能しない。
【0038】
他方、封止材料を構成するエポキシ樹脂115は、強固であり、応力を緩和させる機能はほとんどないが、水分をブロックする機能は十分に有している。
【0039】
本実施例に示す構成を採用した場合は、両者の効果を相乗して得ることができる。
【0040】
特に一部においてエポキシ樹脂とポリイミドとが重ならないようにすることで、その部分で封止性を高めることができる。即ち、エポキシ樹脂とポリイミドとは密着性が悪いので、100で示される部分のように、一部において両者が重ならないようにすることで、その部分ではエポキシ樹脂による封止効果を高めることができる。
【0041】
こうすることで、100で示される部分で液晶をセル内部に封止する機能、さらび外部から液晶層に不純物がボミが進入しない構成を得ることができる。
【0042】
また、配線108が存在しない領域の断面を図2に示す。図2からも判るように、200で示される部分では、エポキシ樹脂でなる封止材115と窒化珪素膜105とが直接接し、両者の密着性を高くすることができる。
【0043】
本発明者らの知見によれば、エポキシ樹脂と無機材料との密着性は極めて良好である。従って図2の200で示される部分でもって、液晶セルの封止性を高めることは非常に有用となる。
【0044】
〔実施例2〕
本実施例は、実施例1の構成を改良したものに関する。図1の100で示される部分においては、配線108が存在することによる段差の影響で、封止性が保たれない懸念がある。
【0045】
本実施例は、この問題を解決するための工夫である。図3に図1の108の部分に対応する部分を図1の右の方向から見た断面を示す。なお、符号は図1及び図2と同じものは同じ箇所を示す。
【0046】
本実施例においては、配線108を形成した後に溶液を塗布することにより成膜される酸化珪素膜300を形成する。このような酸化珪素膜は、ICのファイナルパッシベーション膜や平坦膜として実用化されている。
【0047】
図3を右方向から見た断面を図4に示す。酸化珪素膜300は溶液を塗布することにより形成されるので、301で示されるような段差部を埋めることができる。そして、その上に形成される封止材料の密着性を高めることができ、良好な封止機能を実現することができる。
【0048】
また、図4から判るように配線108の最端部上の酸化珪素膜300は除去し、外部とのコンタクトを確保するようにしなければならない。なお、図4は図1に対応するものと見ることができる。
【0049】
〔実施例3〕
本実施例は、図1の100で示される封止材の端部において、配線108が封止材115から応力を受け、断線や導電性の不良が生じてしまうことを防ぐ構成に関する。
【0050】
封止材115を構成するエポキシ樹脂の種類や硬化条件等によっては、封止材115から配線108が応力を受ける状態が生じる。そして場合によっては、配線108に不良が発生してしまうことが発生する。
【0051】
そこで、本実施例においては、封止材115下において、配線108を図5に示すようなパターンとする。
【0052】
このようにすることにより、配線パターン108が封止材115から応力を受け、その結果として不良が発生してしまうことを抑制することができる。
【0053】
また、実施例2で示したような配線108のパターン側面における封止性の低下を抑制することもできる。
【0054】
〔実施例4〕
本実施例は、液晶パネルを具備した装置の例を示す。このような装置に具備する液晶パネルにおいて図1に示すような構成を利用することができる。(A)に示すのは、携帯型の情報処理端末である。この装置は、本体2001に液晶パネルを利用した表示装置2003、操作ボタン2004、CCDカメラ2002を備えている。この装置は、電話回線から情報を引き出したり、また電話回線を介して情報を送ることができる構成を有している。
【0055】
表示装置2003に利用される液晶パネルの形式としては、透過型又は反射型を利用することができる。低消費電力とするのであれば、反射型が有利である。
【0056】
(B)に示すのは、ヘッドマウントディスプレイと呼ばれる装置であり、人間の頭に被り、目の前に直接画像を表示させ、あたかも前方に画像が表示されているかのような機能を有するものである。この装置は、表示装置部に液晶表示装置2102を配置し、本体2101をバンド2103で頭に固定する構造となっている。
【0057】
液晶パネルとしては、透過型または反射型のものを用いることができる。
【0058】
(C)に示すのは、カーナビゲーションシステムと呼ばれるもので、本体2202に液晶パネルを利用した表示装置2202、操作ボタン2203が配置され、衛星からの電波をアンテナ2204で受ける機能を有している。
【0059】
液晶パネルとしては、透過型または反射型のものを用いることができる。
【0060】
(D)に示すのは、携帯電話であり、本体2301に液晶パネルを利用して表示装置2304、音声入力部2303、音声出力部2302、操作ボタン2305、アンテナ2306が配置されている。液晶パネルとしては、一般に反射型のものが用いられる。
【0061】
(E)に示すのは、携帯型のビデオカメラであり、本体2401に操作ボタン2404、液晶パネルでなる表示装置2402、表示装置2402に表示される画像を見るための接眼部2403、撮影した画像を記憶するために磁気テープを収納するテープホルダー2405を備えている。
【0062】
表示装置2402を構成する液晶パネルとしては、通常バックライトからの光を変調して画像を形成する透過型のものが用いられる。
【0063】
(F)に示すのは、投射型のプロジェクターであり、本体2501に光源からの光を光学変調する表示装置2503を備えている。図においては、表示装置2503として反射型の液晶パネルでなるものが示されている。
【0064】
表示装置で光学変調された画像は、光学系2504で拡大されて、スクリーン2505に投影される。画像を見る場合は、本体側からスクリーン2505に投影された像を見る。
【0065】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明を利用することにより、薄膜トランジスタ回路に水分が侵入することを防ぐことができ、かつ液晶パネルに加わる応力が薄膜トランジスタに悪影響を与えることを防ぐことができる。
【0066】
即ち、液晶パネルの作製時や取扱時に加わる応力によって薄膜トランジスタが悪影響を受けることを抑制し、さらに液晶パネル内に水分が進入しないような構成を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 発明を利用した液晶パネルの断面の一部を示す図。
【図2】 発明を利用した液晶パネルの断面の一部を示す図。
【図3】 発明を利用した液晶パネルの断面の一部を示す図。
【図4】 発明を利用した液晶パネルの断面の一部を示す図。
【図5】 発明を利用した液晶パネルの一部を示す断面図。
【図6】 発明を利用した装置の概要を示す図。
【符号の説明】
101 ガラス基板
102 画素マトリクス回路に配置された薄膜トランジスタ
103 周辺駆動回路に配置された薄膜トランジスタ
104 ゲイト絶縁膜
105 窒化珪素膜
106 ポリイミドでなる樹脂層間膜
107 薄膜トランジスタ103のドレインと薄膜トランジスタ10
2のソースを接続する配線。
108 薄膜トランジスタ103のソースに接続され、液晶パネルの
外部に延在する配線。
109 ポリイミドでなる樹脂層間膜
110 チタンでなる遮光膜
111 ポリイミドでなる樹脂層間膜
112 画素電極(ITO電極)
113 配向膜(ポリイミド膜)
114 液晶材料
115 エポキシ樹脂でなる封止材料
116 配向膜(ポリイミド膜)
117 対向電極
118 ガラス基板
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The invention disclosed in this specification relates to a structure of an active matrix liquid crystal panel including a peripheral driving circuit.
[0002]
[Prior art]
An active matrix type liquid crystal display device is known. This has a configuration in which a thin film transistor is arranged in each of pixel electrodes arranged in units of several hundreds × several hundreds in a matrix, and electric charges entering and exiting each pixel electrode are controlled by this thin film transistor.
[0003]
Many of active matrix liquid crystal panels that are currently on the market have an external IC chip arranged around the active matrix circuit, and the active matrix circuit is driven by this IC chip.
[0004]
However, as a further advanced configuration, there is known a configuration in which the peripheral drive circuit is also configured by a thin film transistor, and the active matrix circuit and the peripheral drive circuit are integrated. This configuration is called a peripheral drive circuit integrated type.
[0005]
In a liquid crystal panel in which the peripheral driving circuit is integrated, it is necessary to use a silicon thin film having crystallinity as a thin film semiconductor constituting a thin film transistor disposed in the peripheral driving circuit. This is because the peripheral drive circuit is required to operate at high speed.
[0006]
Note that the thin film semiconductor constituting the thin film transistor disposed in the pixel matrix circuit may be an amorphous silicon film.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In the liquid crystal panel integrated with the peripheral drive circuit as described above, its reliability is a big problem. That is, the stability of image display with respect to the usage environment is important.
[0008]
In particular, the crystalline silicon film has a problem that due to its high characteristics, the change in characteristics over time and the influence of the use environment are large.
[0009]
Specifically, there are problems such as the influence of stress applied during the production and handling of the liquid crystal panel, and the influence of moisture entering the liquid crystal panel.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
It is an object of the invention disclosed in this specification to provide a structure in which a thin film transistor is prevented from being affected by stress applied during manufacturing and handling of a liquid crystal panel, and moisture is not allowed to enter the liquid crystal panel. .
[0011]
[Means for Solving the Problems]
One of the inventions disclosed in this specification is:
It has a configuration in which a liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
The hand of the substrate are arranged and the active matrix circuit and a driving circuit,
Said on the drive circuit is arranged tree fat material as the interlayer insulating film,
The liquid crystal is sealed with a sealing material ,
The interlayer insulating film and the sealing material are partially laminated,
The Bark fat material prior Thus the sealing member is a display device characterized by being cut off from the outside.
[0012]
Other aspects of the invention are:
A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
An active matrix circuit and a drive circuit are arranged on one side of the substrate,
An interlayer insulating film made of a resin material is disposed on the drive circuit,
The liquid crystal is sealed with a sealing material,
Overlaps in part with the interlayer insulating film and the sealing material,
The interlayer insulating film is a device having a display function provided with the liquid crystal panel, characterized in that it is cut off from a more outside the sealing member.
[0013]
In the above configuration,
The interlayer insulating film is made of polyimide resin.
[0014]
In the above configuration,
The sealing material is made of an epoxy resin.
[0015]
Other aspects of the invention are:
Held across the liquid crystal between the pair of glass substrates,
The hand of the substrate are arranged and the active matrix circuit and a peripheral driving circuit,
A resin material made of polyimide is disposed as an interlayer insulating film on the peripheral drive circuit,
The liquid crystal is sealed by a sealing material made of epoxy resin,
Are laminated in some the previous Bark fat material before Kifu sealant,
The sealing material is characterized in that in contact with the connected wires and the resin material in the source of the thin film transistors constituting the peripheral driving circuit.
[0016]
The above-described configuration is characterized in that the epoxy resin constituting the sealing material is partly in contact with an organic substance and that part exhibits high sealing performance.
[0017]
Other aspects of the invention are:
Held across the liquid crystal between the pair of glass substrates,
The hand of the substrate are arranged and the active matrix circuit and a peripheral driving circuit,
On the peripheral drive circuit , an inorganic material as an interlayer insulating film and an organic resin material are disposed on the inorganic material ,
The liquid crystal is sealed by a sealing material made of epoxy resin,
Wherein the organic resin material and before Kifu sealant are stacked on the peripheral driving circuit,
The sealing material is in contact with the inorganic material.
[0018]
In the above structure, the inorganic material is silicon nitride.
[0019]
By adopting the above configuration, the stress applied to the peripheral drive circuit can be relaxed, and the sealing function in the portion indicated by 100 in FIG . 1 or 200 in FIG. 2 can be enhanced.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As shown in FIG.
A structure in which a liquid crystal material 114 is held between a pair of glass substrates 101 and 118;
An active matrix circuit (consisting of a thin film transistor indicated by 102) and a peripheral drive circuit (configured by a thin film transistor indicated by 103) are disposed on the surface of one of the substrates 101,
In the peripheral drive circuit, a resin material made of polyimide is disposed as the interlayer insulating films 106, 109, and 111,
The liquid crystal material 114 is sealed with a sealing material 115 made of epoxy resin,
The resin material made of polyimide and the sealing material made of epoxy resin are partially laminated,
The resin material made of polyimide is blocked from the outside by the sealing material.
[0021]
In particular, in the portion indicated by 100 in FIG. 1 or 200 in FIG. 2 , the sealing material 115 is in contact with the wiring 108 or the silicon nitride film 105 which is an inorganic substance (inorganic film), and high adhesion can be obtained. By doing so, a high sealing property can be obtained in this portion.
[0022]
In FIG. 1, reference numerals 101 and 118 denote a pair of glass substrates constituting a liquid crystal panel. A liquid crystal material, an active matrix circuit, and a peripheral driving circuit for driving the active matrix circuit are arranged in the gap between the pair of glass substrates.
[0023]
Reference numeral 102 denotes a thin film transistor disposed in the active matrix circuit portion. In the figure, only one thin film transistor is arranged, but actually, at least the number of thin film transistors is arranged.
[0024]
Reference numeral 103 denotes a thin film transistor disposed in the peripheral driver circuit. Although only one thin film transistor is disposed in the figure, in practice, a necessary number of P-channel and N-channel thin film transistors are combined and disposed in order to form a shift register circuit and a buffer circuit.
[0025]
Reference numeral 104 denotes a gate insulating film. The gate insulating film is composed of a silicon oxide film. Reference numeral 105 denotes a silicon nitride film constituting the first interlayer insulating film.
[0026]
Reference numeral 106 denotes a resin interlayer film made of polyimide which forms a first interlayer insulating film together with the silicon nitride film 105. The resin interlayer film made of polyimide has a feature that the surface can be flattened.
[0027]
Reference numeral 107 denotes a wiring extending from the drain of the thin film transistor 103 arranged in the peripheral driver circuit, and is connected to the source of the thin film transistor 102 arranged in the pixel matrix circuit.
[0028]
Reference numeral 108 denotes a wiring connected to the source of the thin film transistor 103 arranged in the peripheral driver circuit. The wiring 108 constitutes an external terminal of the liquid crystal panel.
[0029]
Reference numeral 109 denotes a resin interlayer film made of polyimide constituting the second interlayer insulating film. Reference numeral 110 denotes a light shielding film made of titanium formed on the resin interlayer film 109 constituting the second interlayer insulating film. This light shielding film 110 is for preventing the thin film transistor 102 from being irradiated with light.
[0030]
111 is a resin interlayer film made of polyimide constituting the third interlayer insulating film. Reference numeral 112 denotes an ITO film constituting the pixel electrode. The ITO film 112 and the light shielding film 110 form an auxiliary capacitor through the resin interlayer film 109. With such a configuration, a necessary auxiliary capacity can be obtained without reducing the aperture ratio.
[0031]
Reference numeral 113 denotes an alignment film made of polyimide. This alignment film 113 exerts an alignment regulating force on the liquid crystal 114 in contact with the alignment film 113.
[0032]
Reference numeral 115 denotes an epoxy resin for sealing the liquid crystal material. The liquid crystal material 114 is held between the pair of glass substrates 118 and 101 by the epoxy resin 115.
[0033]
The epoxy resin 115 contains glass fibers called fillers for maintaining the gap (interval) of the liquid crystal layer.
[0034]
Reference numeral 116 denotes an alignment film made of polyimide disposed on the counter substrate (118 is referred to as counter substrate) side. Reference numeral 117 denotes a counter electrode.
[0035]
A feature of this embodiment is that resin films 111, 109, and 106 constituting an interlayer film and a sealing material (also referred to as a sealing material) are formed in a region excluding a part of the epoxy resin 115. That is, the epoxy resin 115 is in an overlapping state.
[0036]
By doing in this way, stress can be relieved by the resin interlayer film made of polyimide, and the penetration of moisture from the outside of the panel can be prevented by the epoxy resin constituting the sealing material.
[0037]
Resin films made of polyimide denoted by 111, 109, and 106 are flexible and have a function of relieving stress applied from the outside. However, it is hygroscopic and hardly functions as a barrier that prevents moisture from entering.
[0038]
On the other hand, the epoxy resin 115 constituting the sealing material is strong and has almost no function of relieving stress, but has a sufficient function of blocking moisture.
[0039]
When the configuration shown in the present embodiment is employed, the effects of both can be obtained in synergy.
[0040]
In particular, by preventing the epoxy resin and polyimide from overlapping each other, the sealing property can be enhanced at that portion. That is, since the adhesion between the epoxy resin and the polyimide is poor, it is possible to enhance the sealing effect by the epoxy resin in a part such that the part does not overlap like the part indicated by 100. .
[0041]
By doing so, it is possible to obtain a function of sealing the liquid crystal inside the cell at a portion indicated by 100 and a structure in which impurities do not enter the liquid crystal layer from the outside.
[0042]
A cross section of a region where the wiring 108 does not exist is shown in FIG. As can be seen from FIG. 2, at the portion indicated by 200, the sealing material 115 made of epoxy resin and the silicon nitride film 105 are in direct contact with each other, and the adhesion between them can be increased.
[0043]
According to the knowledge of the present inventors, the adhesion between the epoxy resin and the inorganic material is extremely good. Therefore, it is very useful to improve the sealing property of the liquid crystal cell at the portion indicated by 200 in FIG.
[0044]
[Example 2]
The present embodiment relates to an improvement of the configuration of the first embodiment. In the portion indicated by 100 in FIG. 1, there is a concern that the sealing performance cannot be maintained due to the effect of the step due to the presence of the wiring 108.
[0045]
The present embodiment is a device for solving this problem. FIG. 3 shows a cross section of a portion corresponding to the portion 108 in FIG. 1 viewed from the right direction in FIG. In addition, the code | symbol same as FIG.1 and FIG.2 shows the same location.
[0046]
In this embodiment, a silicon oxide film 300 is formed by forming a wiring 108 and then applying a solution. Such a silicon oxide film has been put to practical use as a final passivation film or a flat film of an IC.
[0047]
FIG. 4 shows a cross section of FIG. 3 viewed from the right direction. Since the silicon oxide film 300 is formed by applying a solution, the stepped portion as indicated by 301 can be filled. And the adhesiveness of the sealing material formed on it can be improved, and a favorable sealing function can be implement | achieved.
[0048]
Further, as can be seen from FIG. 4, the silicon oxide film 300 on the endmost portion of the wiring 108 must be removed to ensure contact with the outside. 4 can be seen as corresponding to FIG.
[0049]
Example 3
The present embodiment relates to a configuration that prevents the wiring 108 from receiving stress from the sealing material 115 at the end portion of the sealing material indicated by 100 in FIG. 1 to cause disconnection or poor conductivity.
[0050]
Depending on the type of epoxy resin constituting the sealing material 115, the curing conditions, and the like, the wiring 108 may be subjected to stress from the sealing material 115. In some cases, the wiring 108 may be defective.
[0051]
Therefore, in this embodiment, the wiring 108 has a pattern as shown in FIG. 5 under the sealing material 115.
[0052]
By doing in this way, it can suppress that the wiring pattern 108 receives stress from the sealing material 115, and a defect generate | occur | produces as a result.
[0053]
In addition, it is possible to suppress a decrease in sealing performance on the pattern side surface of the wiring 108 as shown in the second embodiment.
[0054]
Example 4
This embodiment shows an example of an apparatus provided with a liquid crystal panel. A configuration as shown in FIG. 1 can be used in a liquid crystal panel included in such an apparatus. (A) shows a portable information processing terminal. This apparatus includes a display device 2003 using a liquid crystal panel, an operation button 2004, and a CCD camera 2002 in a main body 2001. This apparatus has a configuration capable of extracting information from a telephone line and sending information via the telephone line.
[0055]
As a liquid crystal panel used for the display device 2003, a transmissive type or a reflective type can be used. The reflection type is advantageous for low power consumption.
[0056]
(B) shows a device called a head-mounted display, which has a function of covering a human head and displaying an image directly in front of the eyes, as if the image is being displayed in front. is there. This device has a structure in which a liquid crystal display device 2102 is disposed in a display device portion, and a main body 2101 is fixed to a head with a band 2103.
[0057]
As the liquid crystal panel, a transmissive type or a reflective type can be used.
[0058]
(C) shows what is called a car navigation system. A display device 2202 using a liquid crystal panel and an operation button 2203 are arranged on a main body 2202, and the antenna 2204 has a function of receiving radio waves from a satellite. .
[0059]
As the liquid crystal panel, a transmissive type or a reflective type can be used.
[0060]
FIG. 4D shows a mobile phone, in which a main body 2301 is provided with a display device 2304, an audio input unit 2303, an audio output unit 2302, an operation button 2305, and an antenna 2306 using a liquid crystal panel. As the liquid crystal panel, a reflective type is generally used.
[0061]
Shown in (E) is a portable video camera, which includes an operation button 2404 on a main body 2401, a display device 2402 including a liquid crystal panel, an eyepiece unit 2403 for viewing an image displayed on the display device 2402, and a photograph taken. A tape holder 2405 for storing a magnetic tape is provided for storing images.
[0062]
As the liquid crystal panel constituting the display device 2402, a transmissive panel that modulates light from a backlight and forms an image is usually used.
[0063]
FIG. 5F shows a projection type projector, in which a main body 2501 is provided with a display device 2503 that optically modulates light from a light source. In the figure, the display device 2503 is formed of a reflective liquid crystal panel.
[0064]
An image optically modulated by the display device is enlarged by an optical system 2504 and projected onto a screen 2505. When viewing an image, the image projected on the screen 2505 is viewed from the main body side.
[0065]
【The invention's effect】
By utilizing the invention disclosed in this specification, moisture can be prevented from entering the thin film transistor circuit, and stress applied to the liquid crystal panel can be prevented from adversely affecting the thin film transistor.
[0066]
That is, it is possible to suppress the thin film transistor from being adversely affected by the stress applied during manufacturing and handling of the liquid crystal panel, and to obtain a configuration in which moisture does not enter the liquid crystal panel.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a part of a cross section of a liquid crystal panel using the invention.
FIG. 2 is a diagram showing a part of a cross section of a liquid crystal panel using the invention.
FIG. 3 is a diagram showing a part of a cross section of a liquid crystal panel using the invention.
FIG. 4 is a diagram showing a part of a cross section of a liquid crystal panel using the invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a part of a liquid crystal panel using the invention.
FIG. 6 is a diagram showing an outline of an apparatus using the invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Glass substrate 102 Thin-film transistor 103 arrange | positioned at pixel matrix circuit Thin-film transistor 104 arrange | positioned at peripheral drive circuit Gate insulating film 105 Silicon nitride film 106 Resin interlayer film 107 which consists of polyimides The drain of the thin-film transistor 103, and the thin-film transistor 10
Wiring that connects the two sources.
108 A wiring connected to the source of the thin film transistor 103 and extending outside the liquid crystal panel.
109 resin interlayer film 110 made of polyimide light shielding film 111 made of titanium resin interlayer film 112 made of polyimide pixel electrode (ITO electrode)
113 Alignment film (Polyimide film)
114 Liquid crystal material 115 Sealing material 116 made of epoxy resin Alignment film (polyimide film)
117 Counter electrode 118 Glass substrate

Claims (12)

一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には樹脂材料でなる層間絶縁膜が配置されており、
記液晶は、前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられた封止材によって封止されており、
前記層間絶縁膜と前記封止材とは一部において重な、前記層間絶縁膜は前記封止材により外部から遮断されていることを特徴とする表示装置。
A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
An interlayer insulating film made of a resin material is disposed on the thin film transistor of the peripheral driving circuit,
Before SL liquid crystal is sealed by sealing material provided above the thin film transistor via the interlayer insulating film,
The interlayer insulating film and the sealing material Ri Do heavy in part, display the interlayer insulating film is characterized in that it is cut off from the outside by the sealing material.
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には樹脂材料でなる層間絶縁膜が配置されており、
記液晶は、前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられた封止材によって封止されており、
前記層間絶縁膜と前記封止材とは一部において重な、前記層間絶縁膜は前記封止材により外部から遮断されていることを特徴とする液晶パネルを具備した表示機能を有する装置。
A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
An interlayer insulating film made of a resin material is disposed on the thin film transistor of the peripheral driving circuit,
Before SL liquid crystal is sealed by sealing material provided above the thin film transistor via the interlayer insulating film,
The interlayer insulating film and the sealing material Ri Do heavy in part, the interlayer insulating film device having a display function provided with the liquid crystal panel, characterized in that it is cut off from the outside by the sealing material.
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には、窒化珪素膜と該窒化珪素膜上に樹脂材料でなる膜を有する層間絶縁膜が配置されており、An interlayer insulating film having a silicon nitride film and a film made of a resin material on the silicon nitride film is disposed on the thin film transistor of the peripheral drive circuit,
前記液晶は、前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられた封止材によって封止されており、The liquid crystal is sealed by a sealing material provided above the thin film transistor via the interlayer insulating film,
前記樹脂材料でなる膜と前記封止材とは一部において重なり、前記樹脂材料でなる膜は前記封止材により外部から遮断されていることを特徴とする表示装置。The display device, wherein the film made of the resin material and the sealing material partially overlap, and the film made of the resin material is blocked from the outside by the sealing material.
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には、窒化珪素膜と該窒化珪素膜上に樹脂材料でなる膜を有する層間絶縁膜が配置されており、An interlayer insulating film having a silicon nitride film and a film made of a resin material on the silicon nitride film is disposed on the thin film transistor of the peripheral drive circuit,
前記液晶は、前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられた封止材によって封止されており、The liquid crystal is sealed by a sealing material provided above the thin film transistor via the interlayer insulating film,
前記樹脂材料でなる膜と前記封止材とは一部において重なり、前記樹脂材料でなる膜は前記封止材により外部から遮断されていることを特徴とする液晶パネルを具備した表示機能を有する装置。The film made of the resin material and the sealing material partially overlap, and the film made of the resin material is cut off from the outside by the sealing material, and has a display function including a liquid crystal panel apparatus.
請求項1において、前記層間絶縁膜はポリイミド樹脂でなることを特徴とする表示装置。2. The display device according to claim 1, wherein the interlayer insulating film is made of polyimide resin. 請求項1又は請求項3において、前記封止材はフィラーを含有したエポキシ樹脂でなることを特徴とする表示装置。4. The display device according to claim 1 , wherein the sealing material is made of an epoxy resin containing a filler. 請求項2において、前記層間絶縁膜はポリイミド樹脂でなることを特徴とする液晶パネルを具備した表示機能を有する装置。3. The device having a display function according to claim 2, wherein the interlayer insulating film is made of polyimide resin. 請求項2又は請求項4において、前記封止材はフィラーを含有したエポキシ樹脂でなることを特徴とする液晶パネルを具備した表示機能を有する装置。According to claim 2 or claim 4, wherein the sealing material device having a display function provided with the liquid crystal panel characterized by comprising an epoxy resin containing a filler. 一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜としてポリイミドでなる樹脂材料が配置されており、
前記液晶は、前記樹脂材料を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられ且つエポキシ樹脂でなる封止材によって封止されており、
前記樹脂材料と前記封止材とは一部において積層され、前記樹脂材料は前記封止材により外部から遮断されており、
前記封止材は前記薄膜トランジスタのソースに接続された配線及び前記樹脂材料と接していることを特徴とする表示装置。
A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
A resin material made of polyimide is disposed as an interlayer insulating film on the thin film transistor of the peripheral drive circuit,
The liquid crystal is provided above the thin film transistor via the resin material and sealed with a sealing material made of epoxy resin,
The resin material and the sealing material are partially laminated, and the resin material is blocked from the outside by the sealing material ,
The encapsulant display device, characterized in that in contact with the connected wires and the resin material in the source of the previous SL thin film transistor.
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜としてポリイミドでなる樹脂材料が配置されており、
前記液晶は、前記樹脂材料を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられ且つエポキシ樹脂でなる封止材によって封止されており、
前記樹脂材料と前記封止材とは一部において積層され、前記樹脂材料は前記封止材により外部から遮断されており、
前記封止材は前記薄膜トランジスタのソースに接続された配線及び前記樹脂材料と接していることを特徴とする液晶パネルを具備した表示機能を有する装置。
A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
A resin material made of polyimide is disposed as an interlayer insulating film on the thin film transistor of the peripheral drive circuit,
The liquid crystal is provided above the thin film transistor via the resin material and sealed with a sealing material made of epoxy resin,
The resin material and the sealing material are partially laminated, and the resin material is blocked from the outside by the sealing material ,
The sealing material device having a display function provided with the liquid crystal panel, characterized in that in contact with the connected wires and the resin material in the source of the previous SL thin film transistor.
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には窒化珪素膜及び該窒化珪素膜上にポリイミド膜が配置されており、
前記液晶は、前記窒化珪素膜及び前記ポリイミド膜を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられ且つエポキシ樹脂でなる封止材によって封止されており、
前記ポリイミド膜と前記封止材とは前記薄膜トランジスタ上において積層され、前記ポリイミド膜は前記封止材により外部から遮断されており、
前記封止材は前記窒化珪素膜と接していることを特徴とする表示装置。
A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
Said on thin film transistor in the peripheral driver circuit and the polyimide film is disposed on the silicon nitride Maku及 beauty the silicon nitride film,
The liquid crystal is sealed by a sealing material that is provided above the thin film transistor through the silicon nitride film and the polyimide film and is made of an epoxy resin,
The polyimide film and the sealing material are stacked on the thin film transistor , and the polyimide film is blocked from the outside by the sealing material ,
The display device, wherein the sealing material is in contact with the silicon nitride film .
一対のガラス基板の間に液晶を挟んで保持され、
前記基板の一方にはアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが配置されており、
前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタ上には窒化珪素膜及び該窒化珪素膜上にポリイミド膜が配置されており、
前記液晶は、前記窒化珪素膜及び前記ポリイミド膜を介して前記薄膜トランジスタの上方に設けられ且つエポキシ樹脂でなる封止材によって封止されており、
前記ポリイミド膜と前記封止材とは前記薄膜トランジスタ上において積層され、前記ポリイミド膜は前記封止材により外部から遮断されており、
前記封止材は前記窒化珪素膜と接していることを特徴とする液晶パネルを具備した表示機能を有する装置。
A liquid crystal is held between a pair of glass substrates,
An active matrix circuit and a peripheral drive circuit are arranged on one side of the substrate,
Said on thin film transistor in the peripheral driver circuit and the polyimide film is disposed on the silicon nitride Maku及 beauty the silicon nitride film,
The liquid crystal is sealed by a sealing material that is provided above the thin film transistor through the silicon nitride film and the polyimide film and is made of an epoxy resin,
The polyimide film and the sealing material are stacked on the thin film transistor , and the polyimide film is blocked from the outside by the sealing material ,
A device having a display function, comprising a liquid crystal panel, wherein the sealing material is in contact with the silicon nitride film .
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