JP3838250B2 - 積層板及び多層プリント回路板 - Google Patents
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子を搭載可能な積層板において、海島構造を有する樹脂が織布補強材に含浸された絶縁層と、前記絶縁層の両面に形成された銅箔とを有し、該海島構造を有する樹脂は併用する成分の中の少なくとも一成分が非相溶性であり、該絶縁層の面内方向の熱膨張率が3.0 〜10ppm/K ,該絶縁層のガラス転移温度が150〜300℃であることを特徴とする積層板。
(1)ドリル加工性に優れる。
一面内上に搭載可能。熱膨張率差を低弾性率でカバーできる。
などの効果が得られる。
そのため目的に応じて多種多様に富んだ通信機器を得ることができる。
エポキシ化合物(大日本インキ化学,EXA−1514)100重量部に対して硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井東圧,XL225−3L)を88重量部、低弾性率成分としてアミン変性ジメチルシロキサン(チッソ,PS513)10重量部をメチルエチルケトン中に加えて固形分量50重量%のワニスを作製した。このワニスを用いてEガラスクロス(100μm厚)に含浸塗工し、さらに120℃10分乾燥し溶媒を除去してプリプレグを得た。得られたプリプレグの樹脂分は70重量%であった。
エポキシ化合物(油化シェル,YX4000H)100重量部に対して硬化剤としてフェノールノボラック(日立化成,H100)を55重量部、低弾性率成分として、エポキシ変性ポリジメチルシロキサン(トーレシリコン,SF8413)15重量部を樹脂成分とした。この時予備反応として、メチルイソブチルケトン中で予め硬化剤とエポキシ変性ポリジメチルシロキサンを90℃30分反応させ、室温まで冷却後エポキシ化合物を加えて固形分量50重量%のワニスとした。得られたワニスをSガラスクロス(70μm厚)に含浸塗工し、140℃10分の乾燥により溶媒を除去してプリプレグを得た。
マレイミド化合物(三井東圧,ビス(4−マレイミドフェニル)メタン))100重量部とアミン化合物(和歌山精化,2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン))38重量部,アミン変性ポリジメチルシロキサン(トーレシリコン,SF8418)5重量部を樹脂成分とした。予備反応としてマレイミド化合物50重量部とアミン変性ポリジメチルシロキサンをジメチルホルムアミド中で110℃20分反応し、さらに残りのマレイミド化合物50重量部とアミン化合物を加えて20分反応させ、固形分量40重量%のワニスを得た。さらにこれに溶融シリカフィラ(平均粒径10μm)を20重量部分散混合した。得られたワニスをDガラスクロス(80μm厚)に含浸塗工し、140℃5分,145℃5分の乾燥により溶媒を除去してプリプレグを得た。
エポキシ化合物(油化シェル,YX4000H)100重量部に対して硬化剤としてオルトクレゾールノボラック(日本化薬,OCN7000)を72重量部、低弾性率成分として両末端カルボン酸変性パーフルオロエーテル(モンテフェロス,ZDIAC−2000)10重量部を樹脂成分とした。この時硬化促進材としてイミダゾール(四国化成,2E4MZ) 1重量部を添加した。溶媒としてアセトンを用いて固形分量60重量%のワニスを作製した。得られたワニスをポリアラミドクロス(70μm厚)に含浸塗工し、110℃10分,120℃15分の乾燥により溶媒を除去してプリプレグを得た。
実施例1のエポキシ化合物及びフェノール系硬化剤を用いて、ポリジメチルシロキサンを除いて、海島構造のない均一な樹脂部分を有する積層板及び樹脂板を作製し、特性を評価した。
実施例3のマレイミド化合物,アミン化合物及び溶融シリカフィラを用いて、ポリジメチルシロキサンを除いて、海島構造のない均一な樹脂部分を有する積層板及び樹脂板を作製し、特性を評価した。
図1に本発明の積層板の構成を示す。
図2に従来の積層板の構成を示す。
図3に従来の積層板の構成を示す。
エポキシ化合物(大日本インキ化学,EXA−1514)100重量部に対して硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(三井東圧,XL225−3L)を88重量部、低弾性率成分としてアミノ基末端パーフルオロエーテル系化合物(三井フルオロケミカル社製)10,20,50重量部をメチルエチルケトン中に加えて固形分量50重量%のワニスを作製した。このワニスを用いてEガラスクロス(100μm厚)に含浸塗工し、さらに
120℃10分乾燥し溶媒を除去してプリプレグを得た。得られたプリプレグの樹脂分は70重量%であった。
エポキシ化合物(油化シェル,YX4000H)100重量部に対して硬化剤としてフェノールノボラック(日立化成,H100)55重量部、低弾性率成分として、カルボキシル基末端パーフルオロエーテル系化合物(三井フルオロケミカル社製)15重量部を樹脂成分とした。この時予備反応として、メチルイソブチルケトン中で予め硬化剤とエポキシ変性ポリジメチルシロキサンを90℃30分反応させ、室温まで冷却後エポキシ化合物を加えて固形分量50重量%のワニスとした。得られたワニスをSガラスクロス(70
μm厚)に含浸塗工し、140℃10分の乾燥により溶媒を除去したプリプレグを得た。
Claims (4)
- 半導体素子を搭載可能な積層板において、海島構造を有する樹脂が織布補強材に含浸された絶縁層と、前記絶縁層の両面に形成された銅箔とを有し、該海島構造を有する樹脂は併用する成分の中の少なくとも一成分が非相溶性であり、該絶縁層の面内方向の熱膨張率が3.0〜10ppm/K,該絶縁層のガラス転移温度が150〜300℃であることを特徴とする積層板。
- 請求項1に記載の積層板において、前記絶縁層が無機質充填材を有することを特徴とする積層板。
- 半導体素子を搭載可能な多層プリント配線板において、海島構造を有する樹脂が織布補強材に含浸された絶縁層と、前記絶縁層の両面に形成された配線層を有し、前記絶縁層及び配線層が2層以上形成され、該海島構造を有する樹脂は併用する成分の中の少なくとも一成分が非相溶性であり、該絶縁層の面内方向の熱膨張率が3.0〜10ppm/K,該絶縁層のガラス転移温度が150〜300℃であることを特徴とする多層プリント配線板。
- 請求項3に記載の多層プリント配線板において、前記絶縁層が無機質充填材を有することを特徴とする多層プリント配線板。
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