JP3832476B2 - ウエハプローバ - Google Patents
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窒化アルミニウム(AlN)粉末に、焼結助剤とバインダーを添加し、ボールミルによって分散混合した。この原料スラリーをスプレードライ乾燥した後、直径380mm、厚み20mmの円板状にプレス成形した。得られた成形体を窒素雰囲気中にて温度800℃で脱脂した後、1900℃で4時間焼結することによって、AlN焼結体を得た。このAlN焼結体の熱伝導率は170W/mKであった。
窒化珪素(Si3N4)粉末に、焼結助剤とバインダーを添加し、ボールミルによって分散混合した。この原料スラリーをスプレードライ乾燥した後、直径380mm、厚み1mmの円板状にプレス成形した。この成形体を非酸化性雰囲気中にて800℃で脱脂した後、1550℃で4時間焼結することによって、Si3N4焼結体を得た。このSi3N4焼結体の熱伝導率は20W/mKであった。
酸窒化アルミニウム(AlON)粉末に、焼結助剤とバインダーを添加し、ボールミルによって分散混合した。この原料スラリーをスプレードライ乾燥した後、直径380mm、厚み5mmの円板状にプレス成形した。この成形体を非酸化性雰囲気中にて800℃で脱脂した後、1770℃で4時間焼結することにより、AlON焼結体を得た。このAlON焼結体の熱伝導率は20W/mKであった。
炭化珪素(SiC)粉末に焼結助剤を加え、更に有機溶剤とバインダーを加え、ボールミル混合によりスラリーを作製し、実施例1と同様の手法で円板状の成形体を作製し、脱脂した後、窒素雰囲気中にて2000℃で焼成することによりSiC焼結体を得た。このSiC焼結体の熱伝導率は220W/mKであった。
上記各実施例で得られた各試料のウエハプローバについて、ウエハ載置面にシリコンウエハを載置し、200℃に加熱した状態で、プローブカードを100回押し付け、ウエハの位置ずれの有無を確認した。その結果、比較例の各試料のウエハプローバは全て0.3mm以上の位置ずれが発生したのに対して、本発明の実施例であるウエハプローバでは、ウエハの位置ずれは全く観測されず、プローブカードの測定ピンを全てウエハに当てることができた。また、比較例である試料9のウエハプローバでは、ウエハにクラックが発生して破損した。
2 抵抗発熱体
3 絶縁層
4 セラミックスヒーター
5 電極リード
Claims (3)
- 半導体検査工程においてウエハを保持加熱するウエハプローバであって、セラミックス基板の表面に導体層を有し、該導体層を形成した面の反対側の表面又は内部に抵抗発熱体を備え、前記導体層におけるウエハ載置面の反り形状が非加熱時において0.001〜0.7mm/300mmの凹状であることを特徴とするウエハプローバ。
- 前記セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とする、請求項1に記載のウエハプローバ。
- 前記抵抗発熱体が、タングステン、モリブデン、タンタル、白金、パラジウム、銀、ニッケル、クロムから選ばれた少なくとも1種からなることを特徴とする、請求項1又は2に記載のウエハプローバ。
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