JP3828181B2 - 被覆した工作片の製造方法および被覆装置 - Google Patents
被覆した工作片の製造方法および被覆装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3828181B2 JP3828181B2 JP15924595A JP15924595A JP3828181B2 JP 3828181 B2 JP3828181 B2 JP 3828181B2 JP 15924595 A JP15924595 A JP 15924595A JP 15924595 A JP15924595 A JP 15924595A JP 3828181 B2 JP3828181 B2 JP 3828181B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- alloy
- magnetic field
- oxygen
- arc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、被覆した工作片の製造方法および被覆装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
定義 概念「相」は、以下「結晶学的相」と理解すべきである。
合金の酸化物は、通常、反応性スパッタリング被覆、電子線蒸発被覆、イオンプレーティングまたはCVD法により被覆として析出する。合金の酸化物を陰極アーク蒸発によって析出させようとするとき、多くの問題がおきる。陰極点の運動を周知の手段、たとえば磁場で制御することは、たとえば純粋な合金および導電性窒化物では達成されるのに、酸化物では達成することができない。その原因は、二次電子放射が周知のように強力に変化し、これがターゲット表面の酸化を伴ない、これによって陰極表面状態がヒステリシスになるためである。
【0003】
さらに前述の問題は、合金酸化物の被覆においては、ターゲットの特定の場所においてアークが固定燃焼する特徴があり、これによって強力な飛び跳ね放射をおこし、化学量論的に制御することができなくなり、金属が飛び跳ねて沈着することになる。
絶縁性の合金酸化物、特に化学量論的酸化物の層を工作片に被覆する方法については、仕上げ技術的に関心が強く、たとえば同一出願人の米国出願07/744 532に対応する欧州特許A−0 513 662に記載するように、高い硬度を示すことが知られている。
【0004】
この明細書によれば、実質的に合金混合結晶酸化物、特に(Al,Cr)2 O3 によって形成される硬い物質層が提案されている。
反応性陰極スパッタリング技術から周知のように、非導電性の反応生成物層、特にここで関心のある電気絶縁性の酸化物層が、金属ターゲットを汚染することは、反応気体を制御することによって規制することができる。陰極アーク蒸発において、このような処置は、生成に対して妨害するものとして現れる。酸素分圧の低下およびこれによるプロセスの進行は、金属モードに向かって進む、すなわちアーク放電蒸発において焼き入れの危険、およびこれに伴なう飛び跳ね放射の危険、および燃焼点または陰極足点の運動の飛び跳ねがターゲット表面の大きい跳躍距離にわたっておきる。
【0005】
窒化物を被覆するための陰極反応性アーク蒸発には、窒素が過剰の雰囲気において行なうことが推奨される。この考えを、ここで最初に関心をもった酸化物被覆、すなわち、まず合金酸化物被覆に、しかしこれにより一般に、たとえば非導電性の金属酸化物層のような絶縁層を有するアーク蒸発被覆に転用すると、ターゲットは酸化物で被覆、または非導電性層で被覆されるので、アーク放電が屡々中断し、かつ汚染絶縁されるので、周知の点火機構によっては、もはや確実に点火することができず、成功しない。
【0006】
前述の問題は、すでに純粋金属の酸化物を陰極アーク蒸発工作片に被覆するときに存在するが、この問題は、合金の酸化物をアーク蒸発させようとするときに、一層実質的に明白になる。合金蒸発においては、金属蒸発そのものに比べて、この問題が尖鋭化することは、窒化物被覆技術からも知られている。これには、O.Knotek, F.Loeffler, H.-J.Scholl; Surf. & Coat.Techn.45 (1991) 53を参照。
【0007】
日本特許5106022の記載によれば、真空アーク放電を使用するイオンプレーティングによって、Ti−Alターゲットを蒸発させて、金属面にTiAlN層を形成する。
“Cathodic arc evaporation in thin film technology" J.Vyskocil et al., J.Vac.Sci.Technol.A 10 (4), July/August 1992, page 1740には、陰極アーク蒸発を記載する。
【0008】
“Effects of target microstructure on aluminium alloy sputtered thin film properties" R.S.Bailey, J.Vac.Sci.Technol.A 10 (4), July/August 1992, page 1701 には、スパッタされた層に言及している。
米国特許A−4 919 968に対応する欧州特許A−0 285 745には、それ自身が蒸発される陰極による陰極アーク蒸発に関して記載する。
【0009】
米国特許5 310 607に対応する欧州特許A−513 662には、るつぼ蒸発による酸化物被覆を記載する。
特に金属酸化物層、なかでも合金酸化物層を被覆するために、陰極アーク蒸発を使用することは、基本的に極めて望ましい。これは特に陰極アーク蒸発が経済的に高い被覆率を達成するためである。もし、絶縁層で反応性アーク蒸発被覆プロセスの安定性を改良できれば、基本的に望ましいことであろう。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、そのすべての面において、工作片に、特に金属酸化物、なかでも合金酸化物を被覆することであるが、また一般に導電性ターゲットから絶縁層を化学量論的に制御して被覆し、これを陰極アーク蒸発に特有の利益、たとえば、その高い被覆率を十分に利用する。
【0011】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明の課題は、合金酸化物の被覆を、請求項1の特徴部分に記載された方法によって達成する。
驚くべきことに、単一相のターゲットを使用することにより、多相のターゲットに比べて、陰極足点がターゲット上で極めて規則的に運動するので、焼き入れを完全に防止し、かつこれによって飛び跳ねの密度を驚くほど減少させる。
【0012】
幾つかの場合によって、ターゲットに限定値の他の相が存在しても妨害しないが、本願の開示によれば、その部分は30原子%または好ましくは10原子%を超えてはならない。
後に、例について説明するように、一般に、導電性ターゲット、特に金属ターゲットを反応性アーク蒸発させて、電気絶縁性反応生成物を層として形成するとき、陰極点の挙動は、2つの特徴のある領域に分けられることを示した。これらの領域は明らかに相違し、一般に1つの領域においては、反応性気体の分圧が比較的低く、かつ幾つかの少数の陰極点が比較的広い面で陰極またはターゲットの表面の上で飛び跳ねており、第2の領域においては、反応性気体の分圧が比較的高く、多数の陰極点が実質的に急速に、および/または狹い空間で、陰極またはターゲットの表面を運動する。
【0013】
前述の第2の領域を使用すれば本願の開示により、飛び跳ねを実際に完全に防止することができる。
このとき本願の開示によれば、所謂「多数の燃焼点の領域」を最適に使用することが好ましい、すなわちプロセス動作点を、アーク放電が中断する直前の反応性気体分圧において選ぶ。
【0014】
プロセス動作点を安定化することは、観察および調整によって行なうことができるが、好ましくは制御によって行なう。このとき好ましくは、使用した観察量、および制御においては本願の開示により測定された制御量を特定して、調整(オープン・ループ)においては、使用した設定量、また制御回路においては、制御技術的に設定した設定量とすることが好ましい。
【0015】
本発明は、さらにターゲットの合金が実質的に単一の相に存在しているターゲットを、合金から製造する課題を解決するための方法を提案する。
このような方法は、本願に開示されている。
本願の開示によれば、特に前述の方法をアルミニウム/クロム合金に使用することを現時点までに明白に実証した。
【0016】
本願の開示によれば、好ましい実施態様において、少なくともクロム5原子%、好ましくはクロム10〜50原子%を含む前述の合金の硬質層を析出する。この合金は、前述の欧州特許A−0 513 662によれば、その層の特性から、たとえば切削工具の被覆に極めて適している。
前述の合金酸化物層、特に(Al,Cr)2 O3 層を、切削工具に使用するときのように、硬質金属またはセラミックの物体への付着に使用し、このとき、本願の開示によれば、付着性を実質的に向上させ、かつ再現可能に実施することができる。このとき好ましくは、前述の金属/クロム合金の中間層は、非反応性であるが、陰極アーク蒸発によって工作片の上に形成する。ここでも、好ましくは、金属/クロム合金が単一の相に存在することが少なくとも有利なターゲットを使用する。
【0017】
この層を連続して被覆するには、同一の被覆用容量内で、一般に異なるターゲットに、逐次アーク放電を行ない、このとき合金酸化物層を析出させるために、反応性気体酸素を処理雰囲気に加える。
前述のように、非導電性の合金酸化物層の形成は、プロセスを安定化する意義において、前述の「多数の燃焼領域」を使用することによって、実質的に容易にすることができる。
【0018】
しかし、本願の開示によれば、この領域を一般に被覆方法に使用し、導電性ターゲットを反応性気体雰囲気においてアーク放電蒸発させ、非導電性、または少なくとも蒸発させるターゲット物質より導電性が劣る反応生成物から被覆を形成する。
真空容器内に、酸素供給源に接続した気体導入管と、少なく1つの蒸発ターゲットとを有する陰極アーク蒸発用被覆装置が、前述の課題を装置技術的に解決することは、本願に開示した。
【0019】
この装置の好ましい実施態様は本願に開示した。
前述のように、この装置に特に金属/クロム合金であって、なかでも有利には単一相として存在する第2のターゲットを設け、これによって合金酸化物層の工作片への付着を仲介する中間層を形成する。
本願の開示によれば、次に注目すべきである。すなわち、一般にターゲット物質より導電性が劣る導電層を被覆するとき、反応性アーク蒸発プロセスが前述の多数の燃焼点領域において有利に安定化されることが、本願の開示によれば、一般に導電性ターゲットを設け、好ましくは、使用する調整量または制御量を特定した装置に指向し、特に出現する陰極点およびその運動の特性規準のために重要な、量を、放電電流周波数スペクトルの使用において、測定された制御量、または調整においては観察された量として示す。
【0020】
以下に、添付図面を参照して、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
【0021】
【実施例】
1.使用した装置の構成
図1において、円筒形の真空被覆チャンバ1はポンプ開口23を通して排気できる。チャンバ内には、円板状の陰極1および2が絶縁体を介してこの装置の蓋および底に電気的に絶縁されて固定配置されている。これらの陰極はそれぞれ冷却ジャケット2’および3’を備えていて、発生する損失熱を循環冷却媒体により排出できるようにしてある。2つの陰極はそれぞれ電源18の負極に接続されている。電源の正極は、各陰極を取り囲んでいるリング板4(これは陽極でもある)と接続されていて、気体放電による電子を回収する。
【0022】
この他に有利な構成として、各陰極についていわゆる点火フィンガー15(図には上の陰極についてのみ示した)が設けてあり、これはチャンバ壁を気密に貫通する制御機構16によって矢印方向に移動して、陰極を点火フィンガーと接触させたり離したりできるようにしてある。このときに流れる電流は抵抗器17によって数10Aに制限される。点火フィンガーを陰極から離すと、開路スパークが発生し、蒸発に必要な陰極点が始めて生ずる。
【0023】
2つの陰極2および3はそれぞれ円筒形の取付絶縁板19で囲まれており、この絶縁板は、陰極点が陰極の円筒形側壁に移動することを防止し、陰極点の移動範囲を陰極前面上のみに制限する。
更に設けたコイル13および14は、ヘルムホルツ対として構成することができ、その作用は、10ガウス程度の弱い磁場強度でもプラズマ密度を高め、一定のアーク電流で2つの陰極による両側からの被覆率を高めることである。
【0024】
被覆チャンバ内には更に、基板ホルダー5が回転可能に配置してあり、これは駆動装置6と接続されていて、回転運動により被覆を均一に行えるようにしてある。基板ホルダー5には個別ホルダー8〜12が固定してある。
2.ターゲット作製結果
粉末混合物から熱間プレスにより直径240mm、厚さ20mmのターゲットAを作製した。粉末の組成は、単体Alと単体Crの混合比でAl55wt%、Cr45wt%であった。ターゲットの表面を機械加工して、10分の数mmのオーダーの小さい切欠を表面全体に規則的に設けた。このようにして作製したターゲット材から小さな断片を一つ採取して、その相組成をX線回折装置により分析した。得られたスペクトルは、アルミニウムの面心立方相とクロムの体心立方相のスペクトルの重なりに対応した。
【0025】
ターゲットAと同じ重量のターゲットBをやはり熱間プレスにより作製したが、このときは合金粉末から作製した。この合金はAl55wt%、Cr45wt%から成り、真空溶解法により製造したものを、保護ガス下で粉砕して10分の数mmの大きさの粒とした。その後、この粉末を熱間等方プレスした。このようにして作製したターゲット材から小さな断片を一つ採取して、その相組成をX線回折装置により分析した。得られたスペクトルは、Al−Cr合金の特徴であるγ相の混合物に対応した(参考文献:M.Hansen,“Constitution of Binary Alloys", McGrawhill, 1958)。
【0026】
単一の陰極を有する他は図1に示す装置と同じ装置に、ターゲットA、Bを順次取り付けた。この場合、陽極4として銅リングを用い、これは陰極よりも僅かに大きく、陰極と同心円状に配置した。放電条件は下記のとおりであった。
アーク電流: 400A
全圧力 : 2×10-3mbar アルゴン
磁気コイル13により磁場をターゲット表面に当てた。磁場は図1にBで示すようにほぼ半径方向外向きであった。
【0027】
下記の事項が確認された。
ターゲットA、すなわち2相ターゲットでは、ターゲット表面の1つの場所において陰極足点(Kathodenfusspunkte)が数秒間隔でそれぞれ約1秒間、多くの場合これよりもかなり長く、燃焼を維持した。陰極足点の持続時間が約5秒を超えたときには、プロセスを手動で中断して、ターゲットが局部的に強く加熱されることを防止した。ミラー反射カメラによって、陰極足点の運動をカメラシャッター時間の関数として調べた。シャッター時間が1/15秒以上の場合、平均で5個の陰極足点が認められた。1箇所に停止しない陰極足点の平均速度は僅かに約1m/secであった。
【0028】
約1時間作動させた後には、装置の底は図1の領域Cがターゲット材料の凝固物で覆われていた。この投射物は最大厚さが約2mmであった。その上、ターゲットAの表面は極めて多孔質になっていた。後でREM分析を行ったところ、表面は元のとおり2相状態のままであった。
ターゲットBでは、陰極足点の燃焼持続は最大でも10分の数秒が稀にあり、すなわち長くとも5分が1回あった。したがって、燃焼点の運動はターゲットAの場合よりも実質的に均一且つ実質的に高速であった。陰極足点または燃焼点の速度は、使用したカメラの最高シャッター時間(速度)である1/60秒では測定できなかった。この速度は10〜100m/secの範囲であると推定される。ターゲットBは、約1時間作動させた後でも、表面に不規則な構造が生じなかったし、装置の領域Cにもスプラッシュは殆ど認められなかった。
【0029】
〔結果〕
金属/合金の蒸発について、1相ターゲットは2相または多相ターゲットを蒸発させるときよりも、実質的に良好な陰極点の挙動を示すことが、反応性ガス雰囲気中でアーク蒸発プロセスを行うまでもなく、既に明らかになった。
そこで、1相合金ターゲットにより更に実験を行った。
【0030】
3.プロセス実行条件の影響
図1に示す装置の陰極を1個とし、符号3で示す直径250mmのターゲットを取り付け、下記の操作条件に調整した。
アーク電流: 150A
アルゴン圧力: 0.18×10-3mbar
図1にBで示す磁場: 約40ガウス
〔酸素流量に対する依存性〕
図2は、単位時間につき図1に示す装置に導入する酸素の重量流量mO2について、アーク燃焼電圧UB の関係と、同様に酸素分圧P02の関係(一点鎖線で示す)とを、定性的に表すグラフである。臨界流量f1 までは、アーク燃焼電圧UB は一定に保たれる。選択した条件では、この電圧は38Vとなる。流量mO2を更に増加すると、アーク電圧UB は上昇する。第2の臨界流量f2 では、放電が消失し、発電機の無負荷電圧はUBOに対応してこの場合60Vであった。
【0031】
全圧は、実質的に、変化しないアルゴン圧と、酸素分圧P02との合計であり、これは、臨界流量f1 まで一定であるので、酸素分圧P02も一定に保たれる。臨界流量f1 を超えると、酸素分圧も上昇し、この場合臨界流量f2 は0.6・10-3mbarとなる。
アーク放電電圧を観察すると、臨界流量f1 の下方の領域Iと、前述の臨界流量f1 の上方の領域IIとの間では、実質的な相違を示す。すなわちf1 まで、放電は、ターゲット表面で、2〜5個の少数の陰極点が稀れに、かつ比較的緩慢に飛び跳ねることが特徴であり、これは金属ターゲットまたは窒化物ターゲットに特有な挙動である。領域IIにおいては、放電は、多数の陰極点が約40〜100個と増加し、その微細なネットワークはますます微細となり、陰極点はターゲット表面上で極めて一層急速に運動する。
【0032】
領域IIにおいて、特にf2 に対応する臨界点のできるだけ近くにおいて、反応性アーク放電蒸発プロセスを行なうと、飛び跳ねのない均質なアルミニウム/クロム酸化物を達成する。プロセスは、図2の点Pに対応して、臨界点f2 のできるだけ近くに制限されるが、制御された作業点安定性を得る。Pが臨界値f2 の近くにある条件が緩むと、場合によってプロセス動作点Pを十分に調整することができる。
磁場に対する依存性
同一の装置で、磁場Bの影響も調査した。ここでは基本的に、磁束線がターゲット表面に垂直に立つ軸方向磁場に関する。磁場Bが増加すると、アーク電圧UB が上昇するので、図2においてアーク電圧UB に関して、X軸上に酸素の重量流量m02の代りに、磁場Bの強度を記入することもできる。一方では、酸素の重量流量m02を一定に保つと、図2に示す燃焼電圧に関する定性的特性規準となる。
【0033】
プロセス動作点を調整または制御するには、次のように行なうことができる。
(a)酸素分圧P02を、観察された量として、または制御回路においては測定された制御量として把握し、かつ調整または制御するように少なくとも1つの次の量を設定する。
・酸素の重量流量m02
・燃焼電圧UB
・磁場の強度B.
(b)燃焼電圧UB を観察するか、または測定された制御量として把握し、調整または制御するように少なくとも1つの次の量を設定する。
【0034】
・重量流量m02
・磁場の磁場強度B.
(c)図1によるアーク電流IB の周波数スペクトルSωを解析する。たとえば、与えられた周波数における電流スペクトル線の振幅を解析する。陰極点の運動、ならびに特にその飛び跳ねの頻度および速度は、放電電流の周波数スペクトルに反映するので、たとえば前述の電流スペクトルにおいて周波数スペクトル線の振幅を監視すると、陰極点が、前述のスペクトル線に対応する頻度で、飛び跳ねについての情報を得る。陰極点が前述の監視した周波数に対応する頻度で飛び跳ねるように、陰極点の挙動を設定するために、再び少なくとも1つの次の量を設定する。
【0035】
・燃焼電圧
・酸素の流量
・磁場の強度。
前述のように、図2によるプロセス動作点Pを、臨界酸素流量f2 に対応する緩和位置のできるだけ近くに設定すると、最適のプロセス条件を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の装置の略図である。
【図2】燃焼電圧UB および酸素分圧P02の酸素の重量流量m02および軸方向磁場Bとの関係を定性的に示すグラフである。
【符号の説明】
1…真空被覆チャンバ
2,3…陰極
2' ,3' …冷却ジャケット
4…陽性
5…基板支持部
6…駆動装置
8〜12…支持部分
13,14…コイル
15…点火フィンガー
16…制御機構
17…抵抗
18…電源
19…円筒形絶縁板
23…ポンプ開口
Claims (18)
- 合金の酸化物を被覆した工作片を製造する方法において、陰極アーク蒸発法により酸素含有雰囲気中でターゲットを蒸発させる工程を含み、該陰極アーク蒸発法による蒸発の際に飛び跳ねを少なくするように該ターゲットが、実質的に単一の結晶学的相の合金から成ることを特徴とする方法。
- 請求項1記載の方法において、上記ターゲット上に少なくとも10個の陰極点が存在する酸素分圧の領域において、および/または、上記ターゲット上に少なくとも10個の陰極点が存在する磁場強度の領域において、上記陰極アーク蒸発法のアーク放電を行うことを特徴とする方法。
- 請求項2記載の方法において、上記ターゲット上に少なくとも殆ど最多数の陰極点が存在することを特徴とする方法。
- 請求項1から3までのいずれか1項記載の方法において、
(a)被覆プロセス中は酸素分圧を観察し、且つ、
・酸素の重量流量、
・アーク燃焼電圧、
・ターゲット面に対して実質的に垂直な磁場の磁場強度、
の少なくとも一つの量を調整することにより、規定分圧からの偏差を最小にするか、または、
(b)燃焼電圧を観察し、且つ、
・酸素の重量流量、
・前記磁場、
の少なくとも1つの量を調整することにより、規定燃焼電圧からの偏差を最小にするか、または、
(c)放電電流の周波数スペクトルを観察し、且つ、
・燃焼電圧、
・酸素の重量流用、
・前記磁場、
の少なくとも1つの量を調整することにより、スペクトルの特性成分の規定特性基準からの偏差を最小にし、これによって好ましくは、観察した量、対応する規定値との比較、および設定をプロセス動作点制御回路によって自動的に行う方法。 - 請求項1から4までのいずれか1項記載の方法において、少なくとも70at%の合金が単一相で存在している方法。
- 請求項5記載の方法において、少なくとも90 at %の合金が単一相で存在している方法。
- 請求項1から6までのいずれか1項記載の方法において、上記ターゲットが鋳造品により製造されていることを特徴とする方法。
- 請求項1から7までのいずれか1項記載の方法において、上記ターゲットが、合金組成物を粉砕した後に熱間プレスして製造されていることを特徴とする方法。
- 請求項1から8までのいずれか1項記載の方法において、合金がアルミニウム・クロム合金であることを特徴とする方法。
- 請求項1から9までのいずれか1項記載の方法において、合金が少なくとも5at%のクロムを含有することを特徴とする方法。
- 請求項10記載の方法において、合金が10〜50 at %のクロムを含有することを特徴とする方法。
- 請求項1から11までのいずれか1項記載の方法において、アルミニウム・クロム合金の酸化物を析出させ、且つ析出する相の付着を向上させるために金属の中間層を付着層として設けることを特徴とする方法。
- 請求項1から12までのいずれか1項記載の方法において、
蒸発させる導電性ターゲット材料よりも導電性が劣る層を工作片に堆積させることを特徴とする方法。 - 真空チャンバ内に、酸素貯蔵槽に接続したガス導入管と、少なくとも1つの蒸発ターゲットとを有する、陰極アーク蒸発のための被覆装置であって、ターゲットが、実質的に単一相として存在する合金から成ることを特徴とする被覆装置。
- 請求項14記載の装置において、ターゲットがアルミニウム・クロム合金から成ることを特徴とする装置。
- 請求項14または15記載の装置において、ターゲットの合金が少なくとも70at%が単一相として存在することを特徴とする装置。
- 請求項16の装置において、ターゲットの合金が少なくとも90 at %が単一相として存在することを特徴とする装置。
- 請求項14記載の装置において、実質的に単一相を成す合金とは異なる他の導電性材料から成ることもでき、かつプロセス動作点に、
(a)酸素分圧測定装置および、
・酸素の重量流量、
・アーク燃焼電圧、
・ターゲット表面に垂直な磁場の磁場強度、
の少なくとも1つの量を最終調整する装置または、
(b)アーク燃焼電圧測定装置および、
・酸素の重量流量、
・前記磁場、
の少なくとも1つの量を最終調整する装置または、
(c)アーク電流の周波数スペクトル解析装置および、
・アーク燃焼電圧、
・酸素の重量流量、
・前記磁場、
の少なくとも1つの量を最終調整する装置、
のいずれかを設け、
好ましくは測定装置の出力側において、測定信号を比較装置に導き、その出力信号が最終調整装置を制御するようにしたことを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH02024/94-4 | 1994-06-24 | ||
CH02024/94A CH688863A5 (de) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | Verfahren zum Beschichten mindestens eines Werkstueckes und Anlage hierfuer. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0849066A JPH0849066A (ja) | 1996-02-20 |
JP3828181B2 true JP3828181B2 (ja) | 2006-10-04 |
Family
ID=4224137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15924595A Expired - Lifetime JP3828181B2 (ja) | 1994-06-24 | 1995-06-26 | 被覆した工作片の製造方法および被覆装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6602390B1 (ja) |
JP (1) | JP3828181B2 (ja) |
CH (1) | CH688863A5 (ja) |
DE (1) | DE19522331B4 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10323320B2 (en) | 2008-04-24 | 2019-06-18 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Method for producing metal oxide layers of predetermined structure through arc vaporization |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000514497A (ja) | 1996-05-30 | 2000-10-31 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 構造部品を断熱層で被覆する方法と被覆装置 |
CA2305938C (en) * | 2000-04-10 | 2007-07-03 | Vladimir I. Gorokhovsky | Filtered cathodic arc deposition method and apparatus |
US6264804B1 (en) | 2000-04-12 | 2001-07-24 | Ske Technology Corp. | System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system |
JP4216518B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-01-28 | 株式会社神戸製鋼所 | カソード放電型アークイオンプレーティング用ターゲットおよびその製造方法 |
US8066854B2 (en) * | 2002-12-18 | 2011-11-29 | Metascape Llc | Antimicrobial coating methods |
US6767627B2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-27 | Kobe Steel, Ltd. | Hard film, wear-resistant object and method of manufacturing wear-resistant object |
JP5060714B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2012-10-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐摩耗性および耐酸化性に優れた硬質皮膜、並びに該硬質皮膜形成用ターゲット |
ES2374832T3 (es) * | 2005-03-24 | 2012-02-22 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Capa de material duro. |
US9997338B2 (en) * | 2005-03-24 | 2018-06-12 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Method for operating a pulsed arc source |
US20070207310A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Storey Daniel M | Chrome coated surfaces and deposition methods therefor |
JP2009540932A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | プロテウス バイオメディカル インコーポレイテッド | 陰極アーク製作構造物を備えるインプラント型医療デバイス |
TWI411696B (zh) * | 2006-07-19 | 2013-10-11 | Oerlikon Trading Ag | 沉積電絕緣層之方法 |
US7857948B2 (en) * | 2006-07-19 | 2010-12-28 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Method for manufacturing poorly conductive layers |
BRPI0719774A2 (pt) * | 2006-10-10 | 2014-04-22 | Oerlikon Trading Ag | Sistema em camadas com pelo menos uma camada de cristal mista de um polióxido |
US9605338B2 (en) | 2006-10-11 | 2017-03-28 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon | Method for depositing electrically insulating layers |
US7939181B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-05-10 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Layer system with at least one mixed crystal layer of a multi-oxide |
US8956288B2 (en) | 2007-02-14 | 2015-02-17 | Proteus Digital Health, Inc. | In-body power source having high surface area electrode |
US8129040B2 (en) * | 2007-05-16 | 2012-03-06 | Oerlikon Trading Ag, Truebbach | Cutting tool |
DE102008057020A1 (de) * | 2008-11-12 | 2010-05-20 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Zündvorrichtung für Arc Quellen |
DE102009044927A1 (de) | 2009-09-23 | 2011-04-07 | Walter Ag | Werkzeugbeschichtung |
EP2363509A1 (en) * | 2010-02-28 | 2011-09-07 | Oerlikon Trading AG, Trübbach | Synthesis of metal oxides by reactive cathodic arc evaporation |
PL2540858T3 (pl) * | 2011-06-30 | 2015-06-30 | Lamina Tech Sa | Osadzania za pomocą łuku katodowego |
WO2013159870A1 (en) * | 2012-04-22 | 2013-10-31 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Arc-deposited al-cr-o coatings having enhanced coating properties |
US11274362B2 (en) * | 2014-08-29 | 2022-03-15 | Toufic Azar | Bioresorbable materials, bioresorbable medical devices, bioresorbable coatings for implantable medical devices and method of manufacturing the same using vapor deposition |
DE102017213404A1 (de) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur Beschichtung von Substratoberflächen mittels elektrischer Lichtbogenentladung |
JP2022516432A (ja) | 2018-12-20 | 2022-02-28 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト,プフェフィコーン | カソードアーク点火装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3836451A (en) * | 1968-12-26 | 1974-09-17 | A Snaper | Arc deposition apparatus |
US4929322A (en) * | 1985-09-30 | 1990-05-29 | Union Carbide Corporation | Apparatus and process for arc vapor depositing a coating in an evacuated chamber |
EP0285745B1 (de) * | 1987-03-06 | 1993-05-26 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtungen zum Vakuumbeschichten mittels einer elektrischen Bogenentladung |
US4842710A (en) * | 1987-03-23 | 1989-06-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of making mixed nitride films with at least two metals |
EP0361265A1 (de) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellung von dünnen Schichten eines Hochtemperatur-Supraleiters (HTSL) durch ein plasmaaktiviertes PVD-Verfahren |
US5306569A (en) * | 1990-06-15 | 1994-04-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof |
JP2758999B2 (ja) * | 1991-04-10 | 1998-05-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空アーク蒸着装置 |
US5310607A (en) * | 1991-05-16 | 1994-05-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Hard coating; a workpiece coated by such hard coating and a method of coating such workpiece by such hard coating |
JPH05106022A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 耐摩耗性硬質被膜の製造方法 |
EP0614997A1 (de) * | 1993-03-09 | 1994-09-14 | Thyssen Industrie Ag | Hochleistungstarget und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Targets |
-
1994
- 1994-06-24 CH CH02024/94A patent/CH688863A5/de not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-06-20 DE DE19522331A patent/DE19522331B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-26 JP JP15924595A patent/JP3828181B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-09-11 US US08/927,864 patent/US6602390B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-17 US US10/463,096 patent/US6702931B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10323320B2 (en) | 2008-04-24 | 2019-06-18 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Method for producing metal oxide layers of predetermined structure through arc vaporization |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH688863A5 (de) | 1998-04-30 |
US6702931B2 (en) | 2004-03-09 |
DE19522331A1 (de) | 1996-01-04 |
JPH0849066A (ja) | 1996-02-20 |
DE19522331B4 (de) | 2008-11-13 |
US6602390B1 (en) | 2003-08-05 |
US20030209424A1 (en) | 2003-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3828181B2 (ja) | 被覆した工作片の製造方法および被覆装置 | |
US4919968A (en) | Method and apparatus for vacuum vapor deposition | |
JP4619464B2 (ja) | 低電圧アーク放電からのイオンを用いて基体を処理するための方法および装置 | |
JP2571948B2 (ja) | 耐火性金属化合物のアークコーティング | |
EP0583736B1 (en) | Plasma-enhanced magnetron-sputtered deposition of materials | |
US7300559B2 (en) | Filtered cathodic arc deposition method and apparatus | |
EP0070574A1 (en) | Film forming method | |
Lindfors et al. | Cathodic arc deposition technology | |
US4774151A (en) | Low contact electrical resistant composition, substrates coated therewith, and process for preparing such | |
JPH0211669B2 (ja) | ||
MX2011005039A (es) | Metodo para el tratamiento previo de sustratos para procesos de deposicion fisica de vapor (pvd). | |
Spalvins | Survey of ion plating sources | |
US5514229A (en) | Method of producing transparent and other electrically conductive materials | |
Rohde | Sputter deposition | |
Ehrich et al. | Plasma deposition of thin films utilizing the anodic vacuum arc | |
Boxman et al. | Characterization of a 1 kA vacuum arc plasma gun for use as a metal vapour deposition source | |
Bunshah | Vacuum evaporation-history, recent developments and applications | |
Barankova et al. | The radio frequency hollow cathode plasma jet arc for the film deposition | |
JP2604940B2 (ja) | イオンプレーティング用蒸発材 | |
Beilis et al. | Vacuum Arc Plasma Sources. Thin Film Deposition | |
Mausbach et al. | Cu and Zn films produced with an anodic vacuum arc | |
JPH06306588A (ja) | 成膜装置及びそれを用いた複数の物質からなる 膜の製造方法 | |
JP2667309B2 (ja) | Hcdイオンプレーティングによる耐摩耗性被膜形成法 | |
JP2790075B2 (ja) | イオンプレーティングによる複合薄膜の形成方法及び複合薄膜形成用イオンプレーティング装置 | |
Herklotz et al. | Technological advances in physical vapor deposition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060207 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060706 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130714 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |