JP3827298B2 - 放射線像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蓄積性蛍光体を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射線画像記録再生方法が広く実用に共されている。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使用される。
【０００３】
放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基本構造として、支持体とその上に設けられた蛍光体層とからなるものである。ただし、蛍光体層が自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としない。また、蛍光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。
【０００４】
蛍光体層としては、蓄積性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、蒸着法や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蓄積性蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、および蓄積性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているものなどが知られている。
【０００５】
放射線画像記録再生方法（および放射線画像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有する方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであることが望まれている。
【０００６】
感度および画質を高めることを目的として、蛍光体層を気相堆積法により形成することからなる放射線像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形成するものである。
【０００７】
気相堆積法により形成された蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上げることができるので高感度であり、また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を与えることができる。
【０００８】
特許第３０４１７１７号公報には、放射線像変換パネルの製造方法として、支持体上に輝尽性蛍光体層または輝尽性蛍光体母体層を２００乃至６００μｍの層厚で形成した後、付活剤を含有する雰囲気中で、熱処理温度Ｔ（℃）が輝尽性蛍光体母体の融点Ｔ_m（℃）に関し、
０．４０Ｔ_m ＜ Ｔ ＜ ０．７５Ｔ_m（℃）
の条件にて、かつ熱処理時間が２乃至１０時間で、熱処理を施す方法が開示されている。
【０００９】
特公平第７−１８９５９号公報には、付活輝尽性蛍光体を含む輝尽性蛍光体層を形成した後、該輝尽性蛍光体層と同一系内の該輝尽性蛍光体層から離れた位置に設置された該付活輝尽性蛍光体の付活剤成分を蒸気化しながら、該輝尽性蛍光体層を熱処理する方法が開示されている。
【００１０】
上記のいずれの公報においても、熱処理温度として、具体的には、３００℃乃至６００℃の範囲の高い温度が使用されている。また、具体的に記載されている輝尽性蛍光体はＲｂＢｒ：Ｔｌ蛍光体のみである。この蛍光体の付活剤Ｔｌは母体ＲｂＢｒよりも蒸気圧が高く、熱処理時に蛍光体層から付活剤が離脱、逃散するために、熱処理条件として付活剤ガスを含有する雰囲気が必須条件となっている。
【００１１】
また、特公平第６−５４３６０号公報には、輝尽性蛍光体母体層を形成したのち、該母体層に付活剤を拡散・添加して、付活剤で付活された輝尽性蛍光体層を形成する方法が開示されている。輝尽性蛍光体母体層に付活剤を拡散・添加する方法として、母体層上に予め付活剤層を積層しておくか、あるいは付活剤ガスを導入しながら、母体層を熱処理することが記載されている。しかしながら、この場合に熱処理は、蛍光体母体層に付活剤を添加、導入する手段として用いられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、高感度であって、高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、気相堆積法によりユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層を形成する方法について検討した結果、気相堆積法を５０℃乃至３００℃の温度に基板を加熱しながら実施することによって柱状結晶性の良好な気相堆積膜を形成した後、この気相堆積膜を一定条件下で熱処理することにより、蛍光体層から放出される輝尽発光量が飛躍的に増加して放射線像変換パネルの感度が顕著に向上することを見い出した。
【００１４】
これは、適正な熱処理によって以下のような現象が生じるためであると考察される。蒸着法などの気相堆積法により蛍光体層を形成したとき、蛍光体層中には酸素が存在して、付活剤Ｅｕと複合体を形成している。酸素は、結晶中で付活剤Ｅｕ（Ｅｕ²⁺および／またはＥｕ³⁺として存在）の電荷を補償する役割を果たしている。熱処理によって、酸素は拡散し、付活剤と分離される。その結果、付活剤Ｅｕに電子が結合しやすくなり、付活剤の付活効率および電荷移動効率が向上し、それによって蛍光体層からの輝尽発光量が増加する。そして、酸素と付活剤Ｅｕとの複合体は一般に大気との界面に存在しやすいが、蛍光体層を柱状結晶構造にしてその柱状結晶性を高めることにより、界面が減って結晶の中まで入り込むために、上記効果を飛躍的に高めることが可能となる。
【００１５】
本発明は、基本組成式（Ｉ）を有するユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層を、気相堆積法により基板上に形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、基板を５０℃乃至３００℃の温度に加熱しながら基板上に該輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜を形成した後、該気相堆積膜を１００℃以上、３００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気中もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活性ガス雰囲気中で、１乃至８時間熱処理することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法にある。
【００１６】
基本組成式（Ｉ）：
ＣｓＢｒ・ａＭ^IＸ・ｂＭ^IIＸ’₂・ｃＭ^IIIＸ”₃：ｚＥｕ ‥‥（Ｉ）
［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ及びＲｂからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ、ｃ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０≦ｃ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法において、気相堆積膜における輝尽性蛍光体の柱状結晶の直径が１乃至１０μｍの範囲にあり、高さが１０乃至１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比が１０乃至１０００の範囲にあることが好ましい。基本組成式（Ｉ）において、ｚが０．００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値を表すことが好ましい。
【００１８】
また、気相堆積膜の熱処理を、５０℃乃至２８０℃の温度、更には１５０℃乃至２５０℃の温度で行うことが好ましく、そして１乃至４時間かけて行うことが好ましい。
【００１９】
さらに、蒸着法により基板上に輝尽性蛍光体の蒸着膜を形成することが好ましく、その際に、基板を５０℃乃至３００℃の温度、特には１００℃乃至２９０℃の温度に加熱しながら蒸着を行うことが好ましい。蒸発源として、少なくとも輝尽性蛍光体の母体成分である臭化セシウムを含む蒸発源と、付活剤成分であるユーロピウム化合物を含む蒸発源とを用いて、多元蒸着を行うことが好ましい。また、輝尽性蛍光体の母体からなる蒸着膜を形成した後、該蒸着膜の上に該蛍光体からなる蒸着膜を積層することが好ましい。
【００２０】
以下に、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について、蛍光体層を気相堆積法の一種である電子線蒸着法により形成する場合を例にとって詳細に述べる。電子線蒸着法は、抵抗加熱法などと比較して、蒸発源を局所的に加熱して瞬時に蒸発させるので、蒸発速度を制御しやすく、また蒸発源として仕込んだ蛍光体もしくはその原料の組成と形成された蛍光体層中の蛍光体の組成との不一致を小さくできる利点がある。
【００２１】
本発明に用いられるユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体は、前記の基本組成式（Ｉ）で示される。基本組成式（Ｉ）において、付活剤Ｅｕの量を表すｚは０．００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値であることが特に好ましい。ｚをこの範囲内にすることにより、前述した付活効率および電荷移動効率を最大に高めて輝尽発光量を増加させることが可能になるとともに、形成された気相堆積膜（蒸着膜）の強度を高めることができる。高い膜強度を得ることにより、熱処理時にクラックなどが発生するのを防ぐことができる。また、Ｍ^IはＫ及び／又はＲｂであることが好ましく、ＸはＣｌ及び／又はＢｒであることが好ましい。さらに、基本組成式（Ｉ）には必要に応じて、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物として、ＣｓＢｒ、１モルに対して０．５モル以下の量で加えてもよい。
【００２２】
蛍光体層形成のための基板は、通常は放射線像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラスシート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどからなる樹脂シートである。公知の放射線像変換パネルにおいて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られている。本発明で用いられる基板についても、これらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途に応じて任意に選択することができる。さらに、気相堆積膜の柱状結晶性を高める目的で、基板の気相堆積膜が形成される側の表面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合には、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が形成されていてもよい。
【００２３】
多元蒸着（共蒸着）により蛍光体層を形成する場合には、まず蒸発源として、上記輝尽性蛍光体の母体（ＣｓＢｒ）成分を含むものと付活剤（Ｅｕ）成分を含むものとからなる少なくとも二個の蒸発源を用意する。多元蒸着は、本発明に係るＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光体のように蛍光体の母体成分と付活剤成分の蒸気圧が大きく異なる場合に、その蒸着速度を各々制御することができるので好ましい。各蒸発源は、所望とする輝尽性蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤成分それぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分などとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限定されるものではなく、例えば別に添加物成分などからなる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。
【００２４】
蛍光体の母体成分は、ＣｓＢｒそれ自体であってもよいし、または反応してＣｓＢｒとなりうる二以上の原料の混合物であってもよい。また、付活剤成分は、一般にはＥｕを含む化合物であり、例えばＥｕのハロゲン化物が用いられる。Ｅｕ化合物におけるＥｕ²⁺化合物のモル比は７０％以上であることが好ましい。一般に、Ｅｕ化合物にはＥｕ²⁺とＥｕ³⁺が混合して含まれているが、所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっても）はＥｕ²⁺を付活剤とする蛍光体から発せられるからである。Ｅｕ化合物はＥｕＢｒ_xであることが好ましく、その場合には、ｘは２．０≦ｘ≦２．３の範囲内の数値であることが好ましい。ｘは、２．０であることが望ましいが、２．０に近づけようとすると酸素が混入しやすくなる。よって、実際にはｘは２．２付近でＢｒの比率が比較的高い状態が安定している。
【００２５】
蒸発源は、突沸防止などの点からその含水量が０．５質量％以下であることが好ましい。蒸発源の脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００℃の温度範囲で加熱処理したり、あるいは窒素雰囲気などの水分を含まない雰囲気中で、蛍光体成分の融点以上の温度で数十分乃至数時間加熱することにより行うことができる。
【００２６】
蒸発源の相対密度は、８０％以上、９８％以下であることが好ましく、より好ましくは９０％以上、９６％以下である。蒸発源が相対密度の低い粉体状態であると、蒸着の際に粉体が飛散するなどの不都合が生じたり、蒸発源の表面から均一に蒸発しないで蒸着膜の膜厚が不均一となったりする。よって、安定した蒸着を実現するためには蒸発源の密度がある程度高いことが望ましい。上記相対密度とするには一般に、粉体を２０ＭＰａ以上の圧力で加圧成形したり、あるいは融点以上の温度で加熱溶融して、タブレット（錠剤）の形状にする。ただし、蒸発源は必ずしもタブレットの形状である必要はない。
【００２７】
また、蒸発源、特に蛍光体母体成分を含む蒸発源は、アルカリ金属不純物（蛍光体の構成元素以外のアルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、そしてアルカリ土類金属不純物（蛍光体の構成元素以外のアルカリ土類金属）の含有量が１ｐｐｍ以下であることが望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアルカリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用することにより調製することができる。これによって、不純物の混入が少ない蒸着膜を形成することができるとともに、そのような蒸着膜は発光量が増加する。
【００２８】
上記の蒸発源および基板を蒸着装置内に設置し、装置内を排気して１×１０^-5〜１×１０^-2Ｐａ程度の真空度とする。このとき、真空度をこの程度に保持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ₂ガスなどの不活性ガスを導入してもよい。ただし、装置内の雰囲気中の酸素分圧を、１×１０^-6乃至１×１０^-2Ｐａの範囲とする。また、装置内の雰囲気中の水分圧を、ディフュージョンポンプとコールドトラップとの組合せなどを用いることによって、７．０×１０^-3Ｐａ以下にすることが好ましい。
【００２９】
良好な柱状結晶性を得るためには、基板を裏面からヒータなどを用いて５０℃乃至３００℃の温度に加熱することが好ましく、特には１００℃乃至２９０℃の温度に加熱することが好ましい。
【００３０】
次に、二つの電子銃から電子線をそれぞれ発生させて、各蒸発源に照射する。このとき、電子線の加速電圧を１．５ｋＶ以上で、５．０ｋＶ以下に設定することが望ましい。電子線の照射により、蒸発源である輝尽性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は加熱されて蒸発、飛散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとともに基板表面に堆積する。この際に、各電子線の加速電圧などを調整することにより、各蒸発源の蒸発速度を制御することができる。蛍光体の堆積する速度、すなわち蒸着速度は、一般には０．１〜１０００μｍ／分の範囲にあり、好ましくは１〜１００μｍ／分の範囲にある。なお、電子線の照射を複数回に分けて行って二つ以上の蒸着膜を形成することもできる。
【００３１】
一元蒸着の場合には、蒸発流に垂直な方向（基板に平行な方向）に上記蛍光体母体成分と付活剤成分とを分離して含む一個の蒸発源を用意し、蒸発源の母体成分領域および付活剤成分領域各々に電子線を照射する時間（滞在時間）を制御しながら、蒸着を実施することが好ましい（疑似一元蒸着）。これにより、均一な組成の輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成することができる。あるいは、蒸発源として輝尽性蛍光体自体を用いる一元蒸着であってもよい。
【００３２】
またあるいは、上記輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体の母体（ＣｓＢｒ）のみからなる蒸着膜を形成してもよい。これによって、より一層柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることができる。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の付活剤など添加物は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の熱処理によって、蛍光体母体からなる蒸着膜中に拡散するために、両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００３３】
本発明において、このようにして得られた蒸着膜は、柱状結晶構造の輝尽性蛍光体からなる。ここで、柱状結晶構造とは、蒸着した多数の輝尽性蛍光体の粒が互いに蒸発流方向（高さ方向）に融着して連続した形状をとるものを一本の柱とみなし、このような柱多数から構成されていることを意味する。蒸着膜は、柱状結晶性が良好であることが望ましく、特に柱状結晶の各柱は、その直径が１乃至１０μｍの範囲にあり、高さが１０乃至１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比（高さ／直径）が１０乃至１０００の範囲にあることが好ましい。
【００３４】
蒸着終了後、得られた蒸着膜を熱処理する。熱処理は、１００℃乃至３００℃の温度で、１乃至８時間かけて行う。熱処理雰囲気としては、不活性ガス雰囲気、もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活性ガス雰囲気が用いられる。不活性ガスとしては、Ｎ₂ガス、Ａｒガス、Ｎｅガスなどを挙げることができる。酸素ガスまたは水素ガスは、一般に２０００Ｐａ以下の分圧で含まれる。好ましくは、１００℃乃至２５０℃の温度で、特には１５０℃乃至２５０℃の温度で、そして１乃至４時間かけて熱処理する。また、蒸着装置内で基板上に蒸着したのち続けて熱処理を行ってもよいし、あるいは装置から一度基板を取り出したのち熱処理を行ってもよい。
【００３５】
このようにして、基本組成式（Ｉ）のユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体の柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。酸素は、蒸着過程で蒸着雰囲気より結晶中に取り込まれ、付活剤Ｅｕの電荷補償の役割を担って、Ｅｕ−Ｏ複合体を形成する。蒸着膜を熱処理することによって、酸素は結晶中に拡散し、付活剤と分離される。これにより、結晶中の電荷移動効率および付活剤の付活効率が向上し、その結果、蛍光体の輝尽発光量が増加する。
【００３６】
蛍光体層は、結合剤を含有せず、上記ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体のみからなり、輝尽性蛍光体の柱状結晶の各柱間には空隙（クラック）が存在する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、気相堆積法の実施手段や条件などによって異なるが、通常は５０μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７００μｍの範囲にある。
【００３７】
なお、本発明において、気相堆積法は上記の電子線蒸着法に限られるものではなく、抵抗加熱法、スパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法など公知の他の方法を利用することもできる。これら他の蒸着法および気相堆積法の詳細は、各種公報を含む公知の各種の文献に記載されており、それらを参照することができる。
【００３８】
基板は必ずしも放射線像変換パネルの支持体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基板）が付設されていなくてもよい。
【００３９】
蛍光体層の表面には、放射線像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のために、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透明であることが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
【００４０】
保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜１０００μｍの範囲にある。
【００４１】
保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防止剤などのような添加成分を用いることができる。特に架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有利である。
【００４２】
上述のようにして本発明の放射線像変換パネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各種のバリエーションを含むものであってもよい。例えば、得られる画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、上記の少なくともいずれかの層を、励起光を吸収し輝尽発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよい。
【００４３】
【実施例】
［実施例１］ 一元蒸着
（１）ＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源の作製
ＣｓＢｒ１００ｇ（０．４７モル）およびＥｕＢｒ_x（ｘ＝２．２）０．４６２ｇ（１．４×１０^-3モル）を秤量し、ミキサーで混合した。得られた混合物を石英容器に入れ、これを電気炉の炉芯に入れて、初期真空引き後、窒素ガスを大気圧まで導入し、温度５２５℃にて１時間焼成した。次いで、５分間中間真空引きした後、酸素を１３３Ｐａまで導入し、更に窒素ガスを導入して大気圧にした状態で、１時間焼成を行った。焼成後、真空状態で室温まで冷却し、乳鉢で粉砕して、ＣｓＢｒ：0.003Ｅｕ蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末をジルコニア製粉末成形用ダイス（内径：３５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機（テーブルプレスＴＢ−５型、エヌピーエーシステム(株)製）にて５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット（直径：３５ｍｍ、厚み：２０ｍｍ）に成形した。このとき、蛍光体粉末に掛かった圧力は約４０ＭＰａであった。次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度２００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの密度は３．９ｇ／ｃｍ³であり、含水量は０．３質量％であった。
【００４４】
（２）蛍光体層の形成
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ洗浄を施した合成石英基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダに設置した。上記ＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源を装置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１０^-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタ、ターボ分子ポンプの組合せを用いた。次いで、基板の蒸着面とは反対側に位置したシーズヒータで、石英基板を２００℃に加熱した。蒸発源に電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して、基板上に輝尽性蛍光体を４μｍ／分の速度で堆積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０^-3Ｐａであった。
【００４５】
蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子(株)製）で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約５０であった。
【００４６】
次に、この石英基板をガス導入可能な真空加熱装置に入れ、ロータリーポンプを用いて約１Ｐａまで真空に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処理した。次いで、真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった時点で装置から基板を取り出した。このようにして、支持体と蛍光体層とからなる本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００４７】
［実施例２〜４］ 一元蒸着
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、熱処理温度を１００℃、１５０℃および２５０℃にそれぞれ変更したこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う各種の放射線像変換パネルを製造した。
【００４８】
［比較例１］ 一元蒸着
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、基板温度を室温に保ったまま蒸着を行い、かつ蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成されていた。
【００４９】
［比較例２］ 一元蒸着
実施例１の（２）蛍光体層の形成において、基板温度を室温に保ったまま蒸着を行ったこと以外は実施例１と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成されていた。
【００５０】
［比較例３］ 一元蒸着
実施例１の（２）の蛍光体層の形成において、蒸着後に熱処理を行なわなかったこと以外は実施例１と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００５１】
［比較例４］ 一元蒸着
実施例１の（２）の蛍光体層の形成において、熱処理温度を３５０℃に変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００５２】
［実施例５］ 一元蒸着
実施例１の（１）ＣｓＢｒ：Ｅｕの蒸発源の作製において、ＥｕＢｒ_xの量を０．１５４０ｇ（４．７×１０^-4モル）に変更してＣｓＢｒ：0.001Ｅｕ蛍光体粉末を得たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００５３】
［比較例５］ 一元蒸着
実施例５において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例５と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００５４】
［実施例６］ 一元蒸着
実施例１の（１）のＣｓＢｒ：Ｅｕ蒸発源の作製において、ＥｕＢｒ_xの量を１．２３２１ｇ（３．８×１０^-3モル）に変更してＣｓＢｒ：0.008Ｅｕ蛍光体粉末を得たこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００５５】
［比較例６］ 一元蒸着
実施例６において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例６と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００５６】
［放射線像変換パネルの性能評価１］
得られた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支持体との接着性について評価を行った。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。
【００５７】
（１）感度
放射線像変換パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、これに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した。次いで、パネルをカセッテから取り出し、パネル表面にレーザ光（波長：６３３ｎｍ）を照射してパネルから放出された輝尽発光光をフォトマルチプライヤで検出し、輝尽発光量を測定した。得られた輝尽発光量（相対値）を感度とした。
【００５８】
（２）柱状結晶性
放射線像変換パネルの蛍光体層を、支持体ごと厚み方向に切断し、チャージアップ防止のためにイオンスパッタにより金（厚み：３００オングストローム）で被覆した後、走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子(株)製）を用いて、蛍光体層の表面および切断面を観察した。なお、十分な柱状結晶構造を有しない場合を不良とした。
【００５９】
（３）支持体（基板）との接着性：蛍光体層の支持体からの剥離し易さにより判断した。
【００６０】
得られた結果をまとめて表１および図１に示す。
【００６１】
【表１】

【００６２】
図１は、蒸着膜の熱処理温度と得られた放射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである。図１において、曲線１は一元蒸着の場合（実施例１〜４）を示す。
【００６３】
表１に示した結果から、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が十分でない場合には、蒸着膜を熱処理しても感度は１０％程度しか増加しない（比較例１、２）。それに対して、蒸着膜の柱状結晶構造が良好である場合には、熱処理することによって感度が５０％以上、最大で１５０％も増加することが明らかである（比較例３と実施例１〜４等）。また、良好な柱状結晶は蒸着の際に基板を加熱することにより得られる。
【００６４】
図１に示したグラフ（曲線１）から、熱処理による感度の著しい増加は処理温度５０℃〜３００℃の範囲においてであり、特に１００℃〜２８０℃、さらには１００℃〜２５０℃の範囲においてであることが明らかである。また、処理温度が高過ぎると、基板との接着性が低下し、更には柱状結晶性自体が低下する。
【００６５】
［実施例７］ 二元蒸着
（１）ＣｓＢｒ蒸発源の作製
ＣｓＢｒ粉末７５ｇをジルコニア製粉末成形用ダイス（内径：３５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機にて５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット（直径：３５ｍｍ、厚み：２０ｍｍ）に成形した。このとき、ＣｓＢｒ粉末に掛かった圧力は約４０ＭＰａであった。次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度２００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの密度は３．９ｇ／ｃｍ³であり、含水量は０．３質量％であった。
【００６６】
（２）ＥｕＢｒ_x蒸発源の作製
ＥｕＢｒ_x（ｘ＝２．２）粉末２５ｇをジルコニア製粉末成形用ダイス（内径：２５ｍｍ）に入れ、粉末金型プレス成形機にて５０ＭＰａの圧力で加圧し、タブレット（直径：２５ｍｍ、厚み：１０ｍｍ）に成形した。このとき、ＥｕＢｒ_x粉末に掛かった圧力は約８０ＭＰａであった。次に、このタブレットに真空乾燥機にて温度２００℃で２時間の真空乾燥処理を施した。得られたタブレットの密度は５．１ｇ／ｃｍ³であり、含水量は０．５質量％であった。
【００６７】
（３）蛍光体層の形成
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施した合成石英基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。上記ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ_x蒸発源を装置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１０^-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタおよびターボ分子ポンプの組合せを用いた。次いで、基板の蒸着面とは反対側に位置したシーズヒータで、石英基板を２００℃に加熱した。蒸発源それぞれに電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。このとき、各々の電子銃のエミッション電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるようにし、そして１０μｍ／分の速度で堆積させた。必要に応じて、リボルバーにて蒸発源を逐次供給しながら目標膜厚になるまで蒸着させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４×１０^-3Ｐａであった。
【００６８】
蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約６０であった。
【００６９】
次に、この基板をガス導入可能な真空加熱装置に入れ、ロータリーポンプにより約１Ｐａまで真空に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処理した。真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった時点で装置から基板を取り出した。このようにして、共蒸着により支持体と蛍光体層とからなる本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００７０】
［実施例８〜１２］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理温度を５０℃、１００℃、１５０℃、２５０℃および３００℃にそれぞれ変更したこと以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放射線像変換パネルを製造した。
【００７１】
［実施例１３、１４］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理時間を１時間および４時間にそれぞれ変更したこと以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放射線像変換パネルを製造した。
【００７２】
［実施例１５〜１７］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理雰囲気を少量の酸素を含む窒素雰囲気（Ｏ₂分圧１３３Ｐａ、４００Ｐａ、１３３０Ｐａ）にそれぞれ変更したこと以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放射線像変換パネルを製造した。
【００７３】
［実施例１８〜２０］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、熱処理雰囲気を少量の水素を含む窒素雰囲気（Ｈ₂分圧１３３Ｐａ、４００Ｐａ、１３３０Ｐａ）にそれぞれ変更したこと以外は実施例７と同様にして、本発明に従う各種の放射線像変換パネルを製造した。
【００７４】
［比較例７］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、基板温度を室温に保ったまま蒸着を行い、かつ蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例７と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成されていた。
【００７５】
［比較例８］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、基板温度を室温に保ったまま蒸着を行ったこと以外は実施例７と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成されていた。
【００７６】
［比較例９］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例７と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００７７】
［比較例１０］ 二元蒸着
実施例７の（３）の蛍光体層の形成において、熱処理温度を３５０℃に変更したこと以外は実施例７と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００７８】
［比較例１１］ 二元蒸着
実施例７の（３）の蛍光体層の形成において、熱処理時間を１２時間に変更したこと以外は実施例７と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００７９】
［実施例２１］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００１／１となるように各電子銃のエミッション電流を調整したこと以外は実施例７と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００８０】
［比較例１２］ 二元蒸着
実施例２１において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例２１と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００８１】
［実施例２２］ 二元蒸着
実施例７の（３）蛍光体層の形成において、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００８／１となるように各電子銃のエミッション電流を調整したこと以外は実施例７と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００８２】
［比較例１３］ 二元蒸着
実施例２２において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例２２と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００８３】
［放射線像変換パネルの性能評価２］
得られた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支持体との接着性について、前記と同様にして評価を行った。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。
得られた結果をまとめて表２、３および図１、２に示す。
【００８４】
【表２】

【００８５】
【表３】

【００８６】
図１は、蒸着膜の熱処理温度と得られた放射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである。図１において、曲線２は二元蒸着の場合（実施例７〜１２）を示す。
図２は、蒸着膜の熱処理時間と得られた放射線像変換パネルの感度との関係を表すグラフである（比較例９、１１、実施例７、１３、１４）。
【００８７】
表２及び表３に示した結果から、二元蒸着においても、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が十分でない場合には、蒸着膜を熱処理しても感度は７％程度しか増加しない（比較例７、８）。それに対して、蒸着膜の柱状結晶構造が良好である場合には、熱処理することによって感度が最大で約８倍にまで増加することが明らかである（比較例９と実施例７〜２０等）。
【００８８】
図１に示したグラフ（曲線２）から、熱処理による感度の著しい増加は処理温度５０℃〜３００℃の範囲においてであり、特に１５０℃〜２５０℃の範囲においてであることが明らかである。また、図２に示したグラフから、熱処理による感度の著しい増加は処理時間１〜８時間の範囲においてであり、特に１〜４時間の範囲においてであることが明らかである。
【００８９】
［実施例２３］ 二層二元蒸着
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施した合成石英基板を用意し、蒸着装置内の基板ホルダに設置した。実施例７で作製したＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ_x蒸発源を装置内の所定位置に配置した後、装置内を排気して１×１０^-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタ、ターボ分子ポンプの組合せを用いた。そして、基板の蒸着面とは反対側に配置したシーズヒータで、石英基板を２００℃に加熱した。次いでまず、ＣｓＢｒ蒸発源に電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して、１０μｍ／分の速度で２分間ＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。次に、蒸発源それぞれに電子銃で加速電圧４．０ｋＶの電子線を照射して共蒸着させ、ＣｓＢｒ母体蒸着膜の上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。このとき、各々の電子銃のエミッション電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００５／１となるようにし、そして１０μｍ／分の速度で４０分間堆積させた。蒸着雰囲気中の水分圧は４．０×１０^-3Ｐａであった。
【００９０】
蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から石英基板を取り出した。石英基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４２０μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４２０μｍ、および平均アスペクト比約６５であった。
【００９１】
次に、この基板をガス導入可能な真空加熱装置に入れ、ロータリーポンプにより約１Ｐａまで真空に引いて蒸着膜に吸着している水分等を除去した後、窒素ガス雰囲気中、２００℃の温度で２時間蒸着膜を熱処理した。真空下で基板を冷却し、十分に温度が下がった時点で装置から基板を取り出した。このようにして、支持体と蛍光体層とからなる本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００９２】
［実施例２４〜２８］ 二層二元蒸着
実施例２３において、熱処理温度を５０℃、１００℃、１５０℃、２５０℃および３００℃にそれぞれ変更したこと以外は実施例２３と同様にして、各種の放射線像変換パネルを製造した。なお、実施例２５〜２８のみが本発明の実施例である。
【００９３】
［比較例１４］ 二層二元蒸着
実施例２３において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例２３と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００９４】
［放射線像変換パネルの性能評価３］
得られた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支持体との接着性について、前記と同様にして評価を行った。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。
得られた結果をまとめて表４に示す。
【００９５】
【表４】

【００９６】
表４に示した結果から、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が良好であるほど、熱処理することによって感度が飛躍的に増加することが明らかである。また、熱処理による感度の著しい増加は処理温度１００℃〜３００℃の範囲においてであり、特に１５０℃〜２５０℃の範囲においてであることが明らかである。
【００９７】
［実施例２９］ 二元蒸着
実施例７において、支持体としてパターニングした合成石英基板を用い、そして輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００５／１となるように各電子銃のエミッション電流を調整したこと以外は実施例７と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００９８】
図３の（ａ）は、パターニングした合成石英基板を示す概略上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った部分拡大断面図である。図３において、各凸部の直径（φ）＝５μｍ、高さ（ｈ）＝５μｍ、および凸部間の距離（ｄ）＝２μｍである。
【００９９】
なお、蒸着終了後、石英基板の表面には、輝尽性蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蒸着膜（膜厚：約４００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成され、蒸着膜を走査型電子顕微鏡で観察、測定した結果、柱状結晶の平均直径約５μｍ、平均高さ約４００μｍ、および平均アスペクト比約８０であった。
【０１００】
［実施例３０〜３３］ 二元蒸着
実施例２９において、熱処理温度を５０℃、１００℃、１５０℃および２５０℃にそれぞれ変更したこと以外は実施例２９と同様にして、各種の放射線像変換パネルを製造した。なお、実施例３１〜３３のみが本発明の実施例である。
【０１０１】
［比較例１５］ 二元蒸着
実施例２９において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例２９と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【０１０２】
［比較例１６］ 二元蒸着
実施例２９において、熱処理温度を３５０℃に変更したこと以外は実施例２９と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【０１０３】
［比較例１７］ 二元蒸着
実施例２９において、基板温度を室温に保ったまま蒸着を行い、かつ熱処理温度を５０℃に変更したこと以外は実施例２９と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。蒸着後、石英基板上には十分な柱状結晶構造を持たない蒸着膜が形成されていた。
【０１０４】
［実施例３４］ 二元蒸着
実施例２９において、支持体をパターニングした合成石英基板（φ＝２μｍ、ｈ＝２μｍ、ｄ＝１μｍ）に変更したこと以外は実施例２９と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【０１０５】
［比較例１８］ 二元蒸着
実施例３４において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例３４と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【０１０６】
［実施例３５］ 二元蒸着
実施例２９において、支持体をパターニングした合成石英基板（φ＝１０μｍ、ｈ＝１０μｍ、ｄ＝３μｍ）に変更したこと以外は実施例２９と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【０１０７】
［比較例１９］ 二元蒸着
実施例３５において、蒸着後に熱処理を行わなかったこと以外は実施例３５と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【０１０８】
［放射線像変換パネルの性能評価４］
得られた各放射線像変換パネルの感度、柱状結晶性および支持体との接着性について、前記と同様にして評価を行った。また、柱状結晶の平均アスペクト比を測定した。
得られた結果をまとめて表５に示す。
【０１０９】
【表５】

【０１１０】
表５に示した結果から、ＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体からなる蒸着膜の柱状結晶構造が良好であるほど、熱処理することによって感度が飛躍的に増加することが明らかである。また、熱処理による感度の著しい増加は、特に１００℃〜２５０℃の範囲においてであることが明らかである。
【０１１１】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、良好な柱状結晶構造を有する気相堆積膜を形成した後、この気相堆積膜を比較的低温の条件下で熱処理することにより、蛍光体層からの輝尽発光量を顕著に高めて、非常に高感度の放射線像変換パネルを得ることができる。また、蛍光体層は柱状結晶性に優れており、この点でも得られたパネルは高画質の放射線画像を与えることができる。よって、医療診断のための放射線画像記録再生方法に適した高性能の放射線像変換パネルが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】蒸着膜の熱処理温度と、得られた放射線像変換パネルとの感度との関係を表わすグラフである。
【図２】蒸着膜の熱処理時間と、得られた放射線像変換パネルとの感度との関係を表わすグラフである。
【図３】（ａ）は、パターニングした合成石英基板を示す概略上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った部分拡大断面図である。

Claims (9)

1. 基本組成式（Ｉ）を有するユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層を、気相堆積法により基板上に形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、基板を５０℃乃至３００℃の温度に加熱しながら、基板上に該輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜を形成した後、該気相堆積膜を１００℃以上、３００℃以下の温度にて、不活性ガス雰囲気中もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活性ガス雰囲気中で、１乃至８時間熱処理することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
   ＣｓＢｒ・ａＭ^IＸ・ｂＭ^IIＸ’₂・ｃＭ^IIIＸ”₃：ｚＥｕ ‥‥（Ｉ）
   ［ただし、Ｍ^IはＬｉ、Ｎａ、Ｋ及びＲｂからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；Ｍ^IIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；Ｍ^IIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；そしてａ、ｂ、ｃ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０≦ｃ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］
2. 気相堆積膜における輝尽性蛍光体の柱状結晶の直径が１乃至１０μｍの範囲にあり、高さが１０乃至１０００μｍの範囲にあり、そしてアスペクト比が１０乃至１０００の範囲にある請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
3. 基本組成式（Ｉ）において、ｚが、０．００１≦ｚ≦０．０１の範囲内の数値を表す請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
4. 気相堆積膜の熱処理を１００℃乃至２８０℃の温度で行なう請求項１乃至３のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
5. 気相堆積膜の熱処理を１５０℃乃至２５０℃の温度で行なう請求項４に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
6. 蒸着法により基板上に輝尽性蛍光体の蒸着膜を形成する請求項１乃至５のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
7. 基板を１００℃乃至２９０℃の温度に加熱しながら蒸着を行う請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
8. 蒸発源として、少なくとも輝尽性蛍光体の母体成分である臭化セシウムを含む蒸発源と、付活剤成分であるユーロピウム化合物を含む蒸発源とを用いて多元蒸着を行う請求項６もしくは７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
9. 輝尽性蛍光体の母体からなる蒸着膜を形成した後、該蒸着膜の上に該蛍光体からなる蒸着膜を積層する請求項６乃至８のうちのいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。

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