JP3825227B2

JP3825227B2 - Photoelectric circuit board manufacturing method

Info

Publication number: JP3825227B2
Application number: JP2000188026A
Authority: JP
Inventors: 勝弘金子
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-06-22
Filing date: 2000-06-22
Publication date: 2006-09-27
Anticipated expiration: 2020-06-22
Also published as: JP2002006156A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信モジュール等に用いられる光電気回路基板に関し、より詳細には、フッ素樹脂を誘電体層に用いた多層配線部を有する電気回路基板上に光導波路を形成した、高周波電気特性に優れるとともに光伝送特性にも優れる光電気回路基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光モジュールに用いられる光電気回路基板としては、電気配線を形成したシリコン基板上に火炎堆積法やプラズマＣＶＤ法等によりシリカ膜を成膜して光導波路を形成した光電気回路基板がある。また、特開平８−194137号公報に提案されているような銅ポリイミド多層配線基板上にポリマ光導波路を形成した光電気回路基板がある。
【０００３】
一方、高周波電気回路基板としては、銅ポリイミド多層配線基板が高周波特性に優れた電気回路基板として最も認知されているが、さらなる高周波化に対応するべく、銅ポリイミド多層配線基板より高周波特性に優れた電気回路基板の研究開発が進められている。そのような中で、ポリイミド樹脂よりも誘電率が低く誘電正接が小さい誘電体材料を用いた電気回路基板の研究開発が進められている。中でもフッ素樹脂は現存の誘電体材料の中で最も誘電率が低くまた誘電正接が小さい材料の一つであることから、フッ素樹脂を誘電体層に用いた多層配線基板の研究開発が進められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
シリコン基板上に光導波路を形成した光電気回路基板においては、シリコン基板の誘電損失や寄生容量のために10ＧＨｚを超えるような周波数の高周波電気信号を伝送することができないという問題点があった。シリコン基板を用いた場合でも電気的な絶縁層と光導波路の下部クラッド層とを兼ねたシリカバッファ層を厚くすることによって高周波電気特性を向上することが可能であるが、10ＧＨｚを超えるような高周波電気信号を伝送するためには、50μｍを超えるような厚みのシリカバッファ層を形成する必要があり、その場合、膜応力により基板が大きく反ったり、クラックが生じるといった問題点があった。
【０００５】
また、現在、高周波特性に優れた電気回路基板として最も認知されている銅ポリイミド多層配線基板においても、数十ＧＨｚ程度の周波数までの信号伝送しかできないため、今後求められる100ＧＨｚあるいはＴＨｚオーダーの周波数の高周波電気伝送に対応できないという問題点があった。
【０００６】
一方、誘電体層にフッ素樹脂を用いた多層配線基板は100ＧＨｚあるいはＴＨｚオーダーの周波数の高周波電気伝送用の電気回路基板として有望であるが、フッ素樹脂から成る誘電体層を用いた多層配線基板上に光導波路を形成しようとした場合、光導波路層とフッ素樹脂層との密着性が極めて悪いことから、光導波路を良好に形成することができないという問題点があった。
【０００７】
例えば、有機系光導波路を作製する場合には、一般的に有機系光導波路材料の有機溶媒溶液をスピンコート法やディップコート法等を利用して基板上に塗布した後、熱処理を行ない光導波路層を形成するが、フッ素樹脂層の表面上に有機系光導波路材料の有機溶媒溶液を塗布しようとしても濡れ性が極めて悪く、溶液がはじかれてしまって塗布することができない。また、溶液の粘度等を調整して光導波路層が形成できたとしても、光導波路層とフッ素樹脂層との密着性は極めて乏しいため、その後の光導波路のコア部形成工程、例えば、コア部ドライエッチングのためのマスクパターン形成やドライエッチング、ウエットエッチング等の工程で、光導波路層がフッ素樹脂層から剥離したり、光導波路層にしわやクラックが発生する等の問題点があった。
【０００８】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、高周波電気伝送特性に優れたフッ素樹脂を誘電体層に用いた多層配線基板上に十分な密着強度で光導波路を形成した光電気回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電気回路基板の製造方法は、基板上にフッ素樹脂から成る誘電体層と導体層とが積層されて成る多層配線部が形成されるとともに、該多層配線部の前記誘電体層上に設けられた金属から成る中間層と、該中間層の上面に設けられ、表面が水酸基で終端された、酸化珪素あるいは珪素から成る層を介在させて有機系光導波路が形成されて成る光電気回路基板の製造方法であって、前記有機系光導波路は、下部クラッド層および上部クラッド層から成るクラッド部と、該クラッド部中に形成されたコア部とを有し、前記下部クラッド層は、水酸基もしくはアルキル基を有する有機系材料を前記酸化珪素あるいは珪素から成る層の上に塗布・熱処理して形成することを特徴とするものである。このとき、前記フッ素樹脂は、主鎖に含フッ素樹脂脂肪族環構造を含む下記の化学式（１）〜（４）で表される含フッ素重合体の少なくとも１種類から成るようにするとよい。
【化５】

【化６】

【化７】

【化８】

【００１０】
また、本発明の光電気回路基板の製造方法は、上記構成において、前記有機系光導波路がシロキサン系ポリマから成ることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の光電気回路基板の製造方法によれば、基板上にフッ素樹脂からなる誘電体層と導体層とが積層されて成る多層配線部が形成され、この多層配線部のフッ素樹脂から成る誘電体層上に金属から成る中間層を介在させて光導波路が形成されていることから、フッ素樹脂から成る誘電体層に対する光導波路の密着性を向上させることができ、光導波路の剥離あるいはしわやクラックの発生を防止して光導波路を安定かつ良好に形成することができる。その結果、高周波電気伝送特性に優れたフッ素樹脂を用いた多層配線基板上に光導波路を形成した光電気回路基板を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光導波路の製造方法について図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
図１は、本発明の製造方法に係る光電気回路基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は基板、２はフッ素樹脂から成る誘電体層と導体層とが積層されて成る多層配線部、３は多層配線部２の誘電体層上に形成された金属から成る中間層、４は中間層３上に形成された光導波路の下部クラッド層、５は光導波路のコア部、６は上部クラッド層である。
【００１４】
基板１は光電気回路が形成される支持基板として機能するものであり、光集積回路基板や光電子混在基板等の光信号を扱う基板として使用される種々の基板、例えばシリコン基板やアルミナ基板・ガラスセラミック基板・多層セラミック基板・プラスチック電気配線基板等が使用できる。
【００１５】
多層配線部２は、フッ素樹脂からなる誘電体層と所定の電気回路を構成する導体層とを多層に積層形成して多層電気配線回路を構成するものである。この多層配線部２の誘電体層に用いられるフッ素樹脂としては、例えば、環化ポリフッ化エチレン樹脂・ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）・ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）・テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）・ポリビリニデンフルオロライド（ＰＶＤＦ）・ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ）・テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体・クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体・テトラフルオロエチレン−パーフルオロビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等を用いることができる。その形成方法としては、その有機溶剤溶液をスピンコート法やディップコート法等によって基板１上に塗布した後、熱処理を行ない成膜すればよい。
【００１６】
なお、これらフッ素樹脂は１種のみに限って使用すべきものではなく、数種の樹脂を併用して使用してよいことは言うまでもない。特に、主鎖に含フッ素樹脂脂肪族環構造を有する下記の化学式（１）〜（４）で表される含フッ素重合体の少なくとも１種類から成るフッ素樹脂は、誘電率が低く、また誘電正接も小さいため優れた高周波電気特性が得られるとともに、導体層を形成する電気配線用導体材料との密着性に優れており、多層電気回路の形成、さらに光導波路の積層形成を行なう際に好適な誘電体層を得ることができるものである。
【００１７】
【化９】

【００１８】
【化１０】

【００１９】
【化１１】

【００２０】
【化１２】

【００２１】
導体層を形成するための電気配線用導体材料としては、例えばＡｕやＰｔ・Ａｌ・Ｃｕ・Ｗ・Ｔｉ・Ｍｏ・Ｃｒ・Ｎｉ等の周知の電気配線用導体材料を使用すればよい。この導体層で構成される配線導体は、例えばスパッタリング法・電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等を利用して導体層を形成した後、フォトリソグラフィ等の薄膜加工技術を用いて所望の配線パターンに加工すればよい。
【００２２】
中間層３は、多層配線部２の上面の誘電体層の表面に形成された、金属から成る層である。この中間層３の形成方法としては、スパッタリング法・電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等を利用することができる。中でも、スパッタリング法やイオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法は、多層配線部２表面への成膜材料粒子の打ち込み効果が大きいので、アンカー効果によって中間層３と多層配線部２の誘電体層との密着強度が大きくなることから好適である。
【００２３】
特に、主鎖に含フッ素樹脂脂肪族環構造を有する化学式（１）〜（４）で表される含フッ素重合体の少なくとも１種類から成るフッ素樹脂誘電体層の表面にスパッタリング法を用いて中間層３として金属薄膜を形成した場合には、誘電体層に対して10Ｎ／ｃｍ^２以上の密着強度が得られ、この中間層３上に光導波路の積層が可能である。
【００２４】
また、中間層３としてＣｕ薄膜を形成した場合には、さらに密着強度を向上することができ、例えば20Ｎ／ｃｍ²以上の密着強度を得られることを見出しており、密着性がより良好なものとなって信頼性の高いものとなる。
【００２５】
本発明の製造方法では、中間層３の上面に酸化珪素あるいは珪素から成る層を形成して、この中間層３の上面に形成された酸化珪素あるいは珪素から成る層の上に水酸基もしくはアルキル基を有する有機系材料からなる層を下部クラッド層とした有機系光導波路を積層形成するようにしている。そのため、中間層３表面終端の水酸基と光導波路層の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって結合することから、より大きな密着強度を得ることができ、より信頼性に優れた有機系光導波路を形成することができる。
【００２６】
中間層３の厚さとしては、多層配線部２の誘電体層に対する中間層３による十分な被覆性を得るために10ｎｍ以上の厚さとすることが好ましい。一方、金属をスパッタリング法・電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等で成膜した場合は、膜応力が通常数10ＭＰａ以上であり、層の厚さが厚い場合には、膜応力によって下地となるフッ素樹脂層にクラック・しわを発生させたり、基板表面から金属層が剥がれたりする問題がある。これに対し、中間層３の厚さが３μｍ以下であれば、このような問題が生じないことを知見している。
【００２７】
多層配線部２の上面に、フッ素樹脂から成る誘電体層との間に中間層３を介在させて形成される有機系光導波路は、下部クラッド層４および上部クラッド層６から成るクラッド部中にコア部５が形成された三次元導波路形状の有機系光導波路である。その形成材料としては、例えばポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）・オレフィン系樹脂等の有機系の光学材料を用いる。
【００２８】
図１に示した構成の有機系光導波路の作製方法としては、まず下部クラッド層４を形成する。これにはポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ・オレフィン系樹脂等の水酸基もしくはアルキル基を有する有機系光学材料の有機溶媒溶液を、多層配線部２および中間層３が形成された基板１にスピンコート法等により所定厚みに塗布し、熱処理することにより形成する。
【００２９】
コア部５は、下部クラッド層４上にポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ・オレフィン系樹脂等の有機系光学材料の有機溶媒溶液を例えばスピンコート法等により所定厚みに塗布し、熱処理することにより層形成した後、フォトリソグラフィやＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）等の周知の薄膜微細加工技術を用いて所定の形状で形成すればよい。ここで、コア部５は下部クラッド層４よりも高い屈折率を有する材料とする。
【００３０】
上部クラッド層６は、コア部５を形成した後に、ポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ・オレフィン系樹脂等の有機系光学材料の有機溶媒溶液を例えばスピンコート法等により所定厚みに塗布し、熱処理することにより形成する。
【００３１】
ここで、コア部５の高さや幅・屈折率、下部クラッド層４の厚さ・屈折率、上部クラッド層６の厚さ・屈折率は、周知の光導波路理論を用いて所望の仕様で設計すればよい。
【００３２】
以上のようにして、埋め込み型の三次元導波路形状の有機系光導波路を作製する。
【００３３】
本発明の製造方法に係る光電気回路基板において、光導波路を形成する有機系光学材料としてシロキサン系ポリマを用いた場合には、例えばシロキサン系ポリマの有機溶媒をスピンコート法等により多層配線部２の最上層の誘電体層上面に塗布した後、130℃から300℃程度の低温熱処理によって下部クラッド層４を形成することができ、また、屈折率を制御するために金属アルコキシドを混合して金属を含有したシロキサン系ポリマを容易に作製することができてそれにより所望の屈折率に精度良く制御できるので、光導波路の作製が容易となる。さらに、層形成の際の収縮が小さいので、多層配線部２が形成された基板１表面に形成した層の表面の平坦化性・平滑化性に優れており、基板１として表面粗さが大きな基板１や導体層による大きな起伏がある電気回路基板を用いた場合でも、その上にも精度良く光導波路を作製することができる。また、膜形成後の膜応力が20ＭＰａ程度と小さいため、下地の多層配線部２の誘電体層についても膜応力によるしわ・はがれ・クラックの発生を抑えることができる。
【００３４】
このような光導波路のクラッド部（下部クラッド層４・上部クラッド層６）およびコア部５に用いるシロキサン系ポリマとしては、基本的にポリマの骨格にシロキサン結合が含まれている樹脂であればよく、例えばポリフェニルシルセスキオキサン・ポリジフェニルシルセスキオキサン・ポリメチルフェニルシルセスキオキサン等を用いることができる。
【００３５】
【実施例】
次に、本発明の製造方法に係る光導波路について具体例を説明する。
【００３６】
まず、アルミナ基板上に電気配線層としてのＣｕから成る導体層と環化ポリフッ化エチレン樹脂からなる誘電体層とを逐次積層した多層配線部を形成した多層配線基板を作製した。
【００３７】
次に、スパッタリング法によって多層配線部上面の全面に厚さ0.3μｍのＣｕ膜を形成した。
【００３８】
次に、この基板上に、シロキサンポリマの有機溶媒溶液をスピンコート法によって塗布し、85℃／30分および150℃／30分の熱処理を行ない、厚さ12μｍのクラッド層（屈折率1.4405，λ＝1.3μｍ）を形成した。
【００３９】
次に、シロキサンポリマとテトラ−ｎ−ブトキシチタンとの混合液をスピンコート法によってクラッド層上に塗布し、85℃／30分および150℃／30分の熱処理を行ない、厚さ７μｍのコア層（屈折率1.4450，λ＝1.3μｍ）を形成した。
【００４０】
続いて、厚さ0.5μｍのＡｌ膜をスパッタリング法によりコア層上に形成し、コア部のパターンとなるフォトレジストパターンをフォトリソグラフィ手法により形成した。次いで、燐酸・酢酸・硝酸の混合溶液によりＡｌ膜をエッチングし、レジストパターンが転写されたＡｌパターンを形成した。
【００４１】
次いで、レジストを除去した後、ＣＦ₄ガスとＯ₂ガスを用いたＲＩＥ加工によりコア部のエッチング加工を行ない、幅７μｍ×高さ７μｍの断面がほぼ矩形のコア部を形成した。
【００４２】
その後、Ａｌパターンを除去し、上記と同様にしてクラッド層（屈折率1.4405，λ＝1.3μｍ）を形成してコア部を埋め込み、クラッド部がシロキサン系ポリマ、コア部がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路を形成した。
【００４３】
このとき、作製中に光導波路層の剥がれやクラック・しわの発生は見られなかった。
【００４４】
また、光導波路の光学特性は、シリコン基板上に上述と同様にして作製した、クラッド部がシロキサン系ポリマから成り、コア部がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路の光学特性と同等であり、特に問題は見られなかった。
【００４５】
以上のように、本発明によれば、フッ素樹脂多層配線基板上に光導波路を形成し得ることが確認できた。
【００４６】
なお、本発明は以上の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。例えば、金属から成る中間層の上面に有機系光導波路を形成する際に、その中間層上に、スパッタリング法等を用いて厚さ10ｎｍ程度の酸化珪素層から成る層を形成してもよい。これにより前述のように、より大きな密着強度を得ることができ、より信頼性に優れた有機系光導波路を有する光電気回路基板を得ることができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明の光電気回路基板の製造方法は、基板上にフッ素樹脂から成る誘電体層と導体層とが積層されて成る多層配線部が形成されるとともに、該多層配線部の前記誘電体層上に設けられた金属から成る中間層と、該中間層の上面に設けられ、表面が水酸基で終端された、酸化珪素あるいは珪素から成る層を介在させて有機系光導波路が形成されて成る光電気回路基板の製造方法であって、前記有機系光導波路は、下部クラッド層および上部クラッド層から成るクラッド部と、該クラッド部中に形成されたコア部とを有し、前記下部クラッド層は、水酸基もしくはアルキル基を有する有機系材料を前記酸化珪素あるいは珪素から成る層の上に塗布・熱処理して形成することから、フッ素樹脂から成る誘電体層と光導波路との密着性を向上させて良好な特性の光導波路を形成することができ、高周波電気伝送特性に優れたフッ素樹脂を誘電体層に用いた多層配線基板上に十分な密着強度で光導波路を形成した光電気回路基板を得ることができる。また、中間層表面終端の水酸基と光導波路層の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって結合することから、より大きな密着強度を得ることができ、より信頼性に優れたものとなる。
【００４８】
また、有機系光導波路をシロキサン系ポリマで形成した場合には、130℃から300℃程度の低温熱処理によって光導波路を形成することができるとともに、金属アルコキシドを混合して容易に所望の屈折率に精度良く制御できるので、光導波路の作製が容易となる。さらに、層形成の際の収縮が小さいので表面の平坦化性・平滑化性に優れており、表面に大きな起伏がある多層配線基板を用いた場合でも精度良く光導波路を作製することができ、また、膜形成後の膜応力が小さいため下地の多層配線部の誘電体層についても膜応力によるしわ・はがれ・クラックの発生を抑えることができて、良好な光電気回路基板を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法に係る光電気回路基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・多層配線部
３・・・金属から成る中間層
４・・・光導波路の下部クラッド層
５・・・光導波路のコア部
６・・・光導波路の上部クラッド層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an opto-electric circuit board used for an optical communication module or the like, and more specifically, high-frequency electric characteristics in which an optical waveguide is formed on an electric circuit board having a multilayer wiring portion using a fluororesin as a dielectric layer. The present invention relates to a method for manufacturing an opto-electric circuit board that is excellent in optical transmission characteristics and optical transmission characteristics.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as an opto-electric circuit board used in an optical module, there is an opto-electric circuit board in which an optical waveguide is formed by forming a silica film on a silicon substrate on which electric wiring is formed by a flame deposition method, a plasma CVD method, or the like. . There is also an opto-electric circuit board in which a polymer optical waveguide is formed on a copper polyimide multilayer wiring board as proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-194137.
[0003]
On the other hand, as a high-frequency electric circuit board, a copper polyimide multilayer wiring board is most recognized as an electric circuit board having excellent high-frequency characteristics, but it has better high-frequency characteristics than a copper-polyimide multilayer wiring board to cope with higher frequency. Research and development of electrical circuit boards is underway. Under such circumstances, research and development of an electric circuit board using a dielectric material having a dielectric constant lower than that of a polyimide resin and a smaller dielectric loss tangent is underway. Above all, fluororesin is one of the materials with the lowest dielectric constant and dielectric loss tangent among the existing dielectric materials, so research and development of multilayer wiring boards using fluororesin as the dielectric layer has been promoted. Yes.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In an opto-electric circuit board in which an optical waveguide is formed on a silicon substrate, there is a problem that a high-frequency electric signal having a frequency exceeding 10 GHz cannot be transmitted due to dielectric loss and parasitic capacitance of the silicon substrate. Even when a silicon substrate is used, it is possible to improve the high-frequency electrical characteristics by increasing the thickness of the silica buffer layer that also serves as the electrical insulating layer and the lower cladding layer of the optical waveguide. In order to transmit an electric signal, it is necessary to form a silica buffer layer having a thickness exceeding 50 μm. In that case, there is a problem that the substrate is greatly warped or cracked due to film stress.
[0005]
In addition, a copper polyimide multilayer wiring board, which is currently recognized as an electric circuit board having excellent high-frequency characteristics, can only transmit signals up to a frequency of about several tens of GHz. Therefore, a frequency of 100 GHz or THz order that will be required in the future. There was a problem that it could not cope with high-frequency electrical transmission.
[0006]
On the other hand, a multilayer wiring board using a fluororesin as a dielectric layer is promising as an electric circuit board for high-frequency electric transmission with a frequency of the order of 100 GHz or THz, but on a multilayer wiring board using a dielectric layer made of a fluororesin. When an optical waveguide is to be formed, there is a problem that the optical waveguide cannot be formed satisfactorily because the adhesion between the optical waveguide layer and the fluororesin layer is extremely poor.
[0007]
For example, in the case of producing an organic optical waveguide, generally, an organic solvent solution of an organic optical waveguide material is applied on a substrate by using a spin coating method, a dip coating method, or the like, and then subjected to a heat treatment. Although a layer is formed, even if an organic solvent solution of an organic optical waveguide material is applied on the surface of the fluororesin layer, the wettability is extremely poor and the solution is repelled and cannot be applied. Even if the optical waveguide layer can be formed by adjusting the viscosity or the like of the solution, the adhesion between the optical waveguide layer and the fluororesin layer is extremely poor. In the processes such as mask pattern formation for dry etching, dry etching, and wet etching, the optical waveguide layer is peeled off from the fluororesin layer, and wrinkles and cracks are generated in the optical waveguide layer.
[0008]
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems of the prior art, and its purpose is to provide sufficient adhesion strength on a multilayer wiring board using a fluororesin excellent in high-frequency electrical transmission characteristics as a dielectric layer. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an opto-electric circuit board on which an optical waveguide is formed.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In the method for manufacturing an opto-electric circuit board according to the present invention, a multilayer wiring portion formed by laminating a dielectric layer made of a fluororesin and a conductor layer is formed on the substrate, and the multilayer wiring portion on the dielectric layer is formed. And an organic optical waveguide formed by interposing an intermediate layer made of metal provided on the upper surface of the intermediate layer and a layer made of silicon oxide or silicon provided on the upper surface of the intermediate layer and terminated with a hydroxyl group. In the method of manufacturing a circuit board, the organic optical waveguide includes a clad portion including a lower clad layer and an upper clad layer, and a core portion formed in the clad portion, and the lower clad layer includes: An organic material having a hydroxyl group or an alkyl group is formed on the silicon oxide or silicon layer by coating and heat treatment. At this time, the fluororesin is preferably composed of at least one of fluoropolymers represented by the following chemical formulas (1) to (4) containing a fluororesin aliphatic ring structure in the main chain.
[Chemical formula 5]

[Chemical 6]

[Chemical 7]

[Chemical 8]

[0010]
The method for manufacturing an opto-electric circuit board according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the organic optical waveguide is made of a siloxane polymer.
[0011]
According to the method for manufacturing an opto-electric circuit board of the present invention, a multilayer wiring portion formed by laminating a dielectric layer made of a fluororesin and a conductor layer is formed on the substrate, and the dielectric made of the fluororesin of the multilayer wiring portion is formed. Since the optical waveguide is formed on the body layer through the intermediate layer made of metal, the adhesion of the optical waveguide to the dielectric layer made of fluororesin can be improved, and the optical waveguide is peeled or wrinkled. The occurrence of cracks can be prevented and the optical waveguide can be formed stably and satisfactorily. As a result, it is possible to obtain an optoelectronic circuit board in which an optical waveguide is formed on a multilayer wiring board using a fluororesin excellent in high frequency electric transmission characteristics.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The optical waveguide manufacturing method of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0013]
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of an opto-electric circuit board according to the manufacturing method of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is a multilayer wiring portion formed by laminating a dielectric layer made of a fluororesin and a conductor layer, and 3 is an intermediate layer made of metal formed on the dielectric layer of the multilayer wiring portion 2. Reference numeral 4 denotes a lower cladding layer of the optical waveguide formed on the intermediate layer 3, 5 denotes a core portion of the optical waveguide, and 6 denotes an upper cladding layer.
[0014]
The substrate 1 functions as a support substrate on which an opto-electric circuit is formed, and various substrates used as substrates for handling optical signals such as an optical integrated circuit substrate and an optoelectronic mixed substrate, such as a silicon substrate, an alumina substrate, and a glass. Ceramic substrates, multilayer ceramic substrates, plastic electrical wiring substrates, etc. can be used.
[0015]
The multilayer wiring part 2 constitutes a multilayer electrical wiring circuit by laminating and forming a dielectric layer made of a fluororesin and a conductor layer constituting a predetermined electrical circuit. Examples of the fluororesin used for the dielectric layer of the multilayer wiring portion 2 include cyclized polyfluorinated ethylene resin, polytetrafluoroethylene (PTFE), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene. Copolymer (FEP) / Polyvinylidene fluoride (PVDF) / Polyvinyl fluoride (PVF) / Tetrafluoroethylene / ethylene copolymer / Chlorotrifluoroethylene / ethylene copolymer / Tetrafluoroethylene / perfluorovinyl ether A copolymer (PFA) or the like can be used. As the formation method, the organic solvent solution is applied on the substrate 1 by a spin coating method, a dip coating method, or the like, and then heat treatment is performed to form a film.
[0016]
It should be noted that these fluororesins should not be used only in one type, and it goes without saying that several types of resins may be used in combination. In particular, a fluororesin comprising at least one of the fluoropolymers represented by the following chemical formulas (1) to (4) having a fluororesin aliphatic ring structure in the main chain has a low dielectric constant and a dielectric loss tangent. Therefore, it has excellent high-frequency electrical characteristics and excellent adhesion to the conductor material for electrical wiring forming the conductor layer, which is suitable for forming a multilayer electric circuit and further forming a laminated optical waveguide. A dielectric layer can be obtained.
[0017]
[Chemical 9]

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[Chemical Formula 10]

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Embedded image

[0020]
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[0021]
As a conductor material for electrical wiring for forming the conductor layer, a well-known conductor material for electrical wiring such as Au, Pt, Al, Cu, W, Ti, Mo, Cr, Ni may be used. The wiring conductor composed of this conductor layer is formed by forming a conductor layer using, for example, sputtering, electron beam evaporation, ion beam evaporation, laser ablation film formation, CVD, etc. What is necessary is just to process into a desired wiring pattern using a processing technique.
[0022]
The intermediate layer 3 is a layer made of metal and formed on the surface of the dielectric layer on the upper surface of the multilayer wiring portion 2. As a method for forming the intermediate layer 3, a sputtering method, an electron beam vapor deposition method, an ion beam vapor deposition method, a laser ablation film formation method, a CVD method, or the like can be used. Among them, the sputtering method, ion beam vapor deposition method, and laser ablation film forming method have a great effect of implanting film forming material particles on the surface of the multilayer wiring portion 2, so that the dielectric layer of the intermediate layer 3 and the multilayer wiring portion 2 is caused by the anchor effect. This is preferable because the adhesion strength with the material increases.
[0023]
In particular, the surface of the fluororesin dielectric layer composed of at least one of the fluoropolymers represented by chemical formulas (1) to (4) having a fluororesin aliphatic ring structure in the main chain is formed on the surface using a sputtering method. When a metal thin film is formed as the layer 3, an adhesion strength of 10 N / cm ² or more is obtained with respect to the dielectric layer, and an optical waveguide can be laminated on the intermediate layer 3.
[0024]
Further, when a Cu thin film is formed as the intermediate layer 3, it has been found that the adhesion strength can be further improved, for example, an adhesion strength of 20 N / cm ² or more can be obtained, and the adhesion is better. And become highly reliable.
[0025]
In the production method of the present invention, a layer made of silicon oxide or silicon is formed on the upper surface of the intermediate layer 3, and a hydroxyl group or an alkyl group is formed on the layer made of silicon oxide or silicon formed on the upper surface of the intermediate layer 3. An organic optical waveguide having a lower clad layer made of a layer made of an organic material is stacked . Therefore, since the hydroxyl group at the surface end of the intermediate layer 3 and the hydroxyl group or alkyl group of the optical waveguide layer are bonded by dehydration polymerization or dealcoholization polymerization, a larger adhesion strength can be obtained, and an organic system with higher reliability can be obtained. An optical waveguide can be formed.
[0026]
The thickness of the intermediate layer 3 is preferably 10 nm or more in order to obtain sufficient coverage by the intermediate layer 3 with respect to the dielectric layer of the multilayer wiring portion 2. On the other hand, if the metal is deposited by sputtering, electron beam evaporation, ion beam evaporation, laser ablation, CVD, etc., the film stress is usually several tens of MPa or more and the layer is thick However, there is a problem that cracks and wrinkles are generated in the fluororesin layer as a base due to film stress, and the metal layer is peeled off from the substrate surface. On the other hand, it has been found that such a problem does not occur if the thickness of the intermediate layer 3 is 3 μm or less.
[0027]
The upper surface of the multilayer wiring section 2, an organic-based optical waveguide which is formed by the intermediate layer 3 is interposed between the dielectric layer made of fluororesin, the cladding portion in consisting of lower cladding layer 4 and the upper cladding layer 6 This is an organic optical waveguide having a three-dimensional waveguide shape in which a core portion 5 is formed. As the forming material, for example, an organic optical material such as polyimide, fluorinated polyimide, siloxane polymer, PMMA (polymethyl methacrylate), and olefin resin is used.
[0028]
As a method of manufacturing the organic optical waveguide having the configuration shown in FIG. 1, first, the lower cladding layer 4 is formed. For this, an organic solvent solution of an organic optical material having a hydroxyl group or an alkyl group, such as polyimide, fluorinated polyimide, siloxane polymer, PMMA, olefin resin, or the like is used, and the substrate 1 on which the multilayer wiring portion 2 and the intermediate layer 3 are formed. It is formed by applying to a predetermined thickness by spin coating or the like and heat-treating it.
[0029]
The core 5 is formed by applying an organic solvent solution of an organic optical material such as polyimide, fluorinated polyimide, siloxane polymer, PMMA, and olefin resin to the predetermined thickness on the lower clad layer 4 by, for example, spin coating. Then, after forming the layer, it may be formed in a predetermined shape using a well-known thin film microfabrication technique such as photolithography or RIE (reactive ion etching). Here, the core part 5 is made of a material having a higher refractive index than that of the lower cladding layer 4.
[0030]
After the core portion 5 is formed, the upper clad layer 6 is coated with an organic solvent solution of an organic optical material such as polyimide, fluorinated polyimide, siloxane polymer, PMMA, and olefin resin to a predetermined thickness by, for example, spin coating. And formed by heat treatment.
[0031]
Here, the height and width / refractive index of the core 5, the thickness / refractive index of the lower cladding layer 4, and the thickness / refractive index of the upper cladding layer 6 are designed with desired specifications using well-known optical waveguide theory. do it.
[0032]
As described above, the embedded three-dimensional waveguide-shaped organic optical waveguide is manufactured.
[0033]
In the photoelectric circuit board according to the manufacturing method of the present invention, when a siloxane polymer is used as the organic optical material for forming the optical waveguide, for example, an organic solvent of the siloxane polymer is used for the multilayer wiring portion 2 by spin coating or the like. The lower clad layer 4 can be formed by low-temperature heat treatment at about 130 ° C. to 300 ° C. after being coated on the upper surface of the uppermost dielectric layer, and a metal alkoxide is mixed to control the refractive index. Since a siloxane polymer containing can be easily produced and can be accurately controlled to a desired refractive index, the production of an optical waveguide is facilitated. Furthermore, since the shrinkage during the formation of the layer is small, the surface of the layer formed on the surface of the substrate 1 on which the multilayer wiring portion 2 is formed is excellent in flatness and smoothness, and the surface roughness of the substrate 1 is large. Even when an electric circuit board having a large undulation due to the substrate 1 or the conductor layer is used, an optical waveguide can be produced with high accuracy on the electric circuit board. Further, since the film stress after the film formation is as small as about 20 MPa, the generation of wrinkles, peeling, and cracks due to the film stress can also be suppressed in the dielectric layer of the underlying multilayer wiring portion 2.
[0034]
As the siloxane polymer used for the clad part (lower clad layer 4 and upper clad layer 6) and the core part 5 of such an optical waveguide, basically a resin having a skeleton containing a siloxane bond may be used. For example, polyphenylsilsesquioxane, polydiphenylsilsesquioxane, polymethylphenylsilsesquioxane, and the like can be used.
[0035]
【Example】
Next, specific examples of the optical waveguide according to the manufacturing method of the present invention will be described.
[0036]
First, a multilayer wiring board was produced in which a multilayer wiring portion was formed by sequentially laminating a conductor layer made of Cu as an electric wiring layer and a dielectric layer made of cyclized polyfluorinated ethylene resin on an alumina substrate.
[0037]
Next, a Cu film having a thickness of 0.3 μm was formed on the entire upper surface of the multilayer wiring portion by sputtering.
[0038]
Next, an organic solvent solution of siloxane polymer is applied onto this substrate by spin coating, and heat treatment is performed at 85 ° C./30 minutes and 150 ° C./30 minutes, and a clad layer having a thickness of 12 μm (refractive index 1.4405, λ = 1.3 μm).
[0039]
Next, a mixed solution of siloxane polymer and tetra-n-butoxytitanium is applied onto the clad layer by spin coating, heat treatment is performed at 85 ° C./30 minutes and 150 ° C./30 minutes, and a core layer having a thickness of 7 μm (Refractive index 1.4450, λ = 1.3 μm) was formed.
[0040]
Subsequently, an Al film having a thickness of 0.5 μm was formed on the core layer by a sputtering method, and a photoresist pattern to be a pattern of the core portion was formed by a photolithography technique. Next, the Al film was etched with a mixed solution of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid to form an Al pattern to which the resist pattern was transferred.
[0041]
Next, after removing the resist, the core portion was etched by RIE using CF ₄ gas and O ₂ gas to form a core portion having a width of 7 μm and a height of 7 μm and a substantially rectangular cross section.
[0042]
Thereafter, the Al pattern is removed, and a clad layer (refractive index: 1.4405, λ = 1.3 μm) is formed in the same manner as described above to embed the core portion. The clad portion is made of a siloxane polymer and the core portion is made of a titanium-containing siloxane polymer. A step index type optical waveguide is formed.
[0043]
At this time, no peeling of the optical waveguide layer or generation of cracks or wrinkles was observed during the production.
[0044]
The optical characteristics of the optical waveguide are the same as those of a step index optical waveguide manufactured on a silicon substrate in the same manner as described above, in which the cladding is made of a siloxane polymer and the core is a titanium-containing siloxane polymer. There was no particular problem.
[0045]
As described above, according to the present invention, it has been confirmed that an optical waveguide can be formed on a fluororesin multilayer wiring board.
[0046]
It should be noted that the present invention is not limited to the above examples, and various modifications and improvements can be made without departing from the scope of the present invention. For example, when an organic optical waveguide is formed on the upper surface of an intermediate layer made of metal, a layer made of a silicon oxide layer having a thickness of about 10 nm may be formed on the intermediate layer by sputtering or the like. As a result, as described above, a greater adhesion strength can be obtained, and an optoelectronic circuit board having an organic optical waveguide with higher reliability can be obtained.
[0047]
【The invention's effect】
As described above, in the method for manufacturing an opto-electric circuit board according to the present invention, a multilayer wiring portion formed by laminating a dielectric layer made of a fluororesin and a conductor layer is formed on a substrate. An organic optical waveguide is formed by interposing an intermediate layer made of metal provided on the dielectric layer and a layer made of silicon oxide or silicon provided on the upper surface of the intermediate layer and terminated with a hydroxyl group. The organic optical waveguide has a clad portion composed of a lower clad layer and an upper clad layer, and a core portion formed in the clad portion. The lower clad layer is formed by coating and heat-treating an organic material having a hydroxyl group or an alkyl group on the silicon oxide or silicon layer, so that the dielectric layer made of fluororesin and the optical waveguide are in close contact with each other. An optical waveguide with a sufficient adhesion strength can be formed on a multilayer wiring board using a fluororesin excellent in high-frequency electrical transmission characteristics as a dielectric layer. A circuit board can be obtained. In addition, since the hydroxyl group at the surface end of the intermediate layer is bonded to the hydroxyl group or alkyl group of the optical waveguide layer by dehydration polymerization or dealcoholization polymerization, greater adhesion strength can be obtained and the reliability is improved. .
[0048]
In addition, when the organic optical waveguide is formed of a siloxane polymer, the optical waveguide can be formed by low-temperature heat treatment at about 130 ° C. to 300 ° C., and a metal alkoxide is easily mixed to obtain a desired refractive index. Since it can be controlled with high accuracy, the optical waveguide can be easily manufactured. Furthermore, since the shrinkage during layer formation is small, it has excellent surface flatness and smoothness, and even when using a multilayer wiring board with large undulations on the surface, an optical waveguide can be produced with high accuracy, In addition, since the film stress after film formation is small, it is possible to suppress the generation of wrinkles, peeling, and cracks due to the film stress in the dielectric layer of the underlying multilayer wiring part, and it is possible to fabricate a good photoelectric circuit board. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a photoelectric circuit board according to a manufacturing method of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate 2 ... Multilayer wiring part 3 ... Metal intermediate layer 4 ... Lower clad layer 5 of optical waveguide ... Core part 6 of optical waveguide ... Upper clad layer of optical waveguide

Claims

基板上にフッ素樹脂から成る誘電体層と導体層とが積層されて成る多層配線部が形成されるとともに、該多層配線部の前記誘電体層上に設けられた金属から成る中間層と、該中間層の上面に設けられ、表面が水酸基で終端された、酸化珪素あるいは珪素から成る層を介在させて有機系光導波路が形成されて成る光電気回路基板の製造方法であって、
前記有機系光導波路は、下部クラッド層および上部クラッド層から成るクラッド部と、該クラッド部中に形成されたコア部とを有し、
前記下部クラッド層は、水酸基もしくはアルキル基を有する有機系材料を前記酸化珪素あるいは珪素から成る層の上に塗布・熱処理して形成することを特徴とする光電気回路基板の製造方法。A multilayer wiring portion formed by laminating a dielectric layer made of a fluororesin and a conductor layer on a substrate is formed, and an intermediate layer made of metal provided on the dielectric layer of the multilayer wiring portion, A method of manufacturing an opto-electric circuit board in which an organic optical waveguide is formed by interposing a layer made of silicon oxide or silicon provided on an upper surface of an intermediate layer and having a surface terminated with a hydroxyl group ,
The organic optical waveguide has a clad portion composed of a lower clad layer and an upper clad layer, and a core portion formed in the clad portion,
The lower clad layer is formed by applying and heat-treating an organic material having a hydroxyl group or an alkyl group on the silicon oxide or silicon layer.

前記フッ素樹脂は、主鎖に含フッ素樹脂脂肪族環構造を含む下記の化学式（１）〜（４）で表される含フッ素重合体の少なくとも１種類から成ることを特徴とする請求項１記載の光電気回路基板の製造方法。

The said fluororesin consists of at least 1 sort (s) of the fluoropolymer represented by following Chemical formula (1)-(4) which contains a fluororesin aliphatic ring structure in a principal chain. Manufacturing method of the photoelectric circuit board.

前記有機系光導波路がシロキサン系ポリマから成ることを特徴とする請求項１または２記載の光電気回路基板の製造方法。 3. The method of manufacturing an opto-electric circuit board according to claim 1, wherein the organic optical waveguide is made of a siloxane polymer.