JP3819728B2 - リードフレームを具えた電子部品 - Google Patents

リードフレームを具えた電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP3819728B2
JP3819728B2 JP2001114692A JP2001114692A JP3819728B2 JP 3819728 B2 JP3819728 B2 JP 3819728B2 JP 2001114692 A JP2001114692 A JP 2001114692A JP 2001114692 A JP2001114692 A JP 2001114692A JP 3819728 B2 JP3819728 B2 JP 3819728B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
housing half
rib piece
piece
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001114692A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002314001A5 (ja
JP2002314001A (ja
Inventor
千博 加藤
健一郎 松崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2001114692A priority Critical patent/JP3819728B2/ja
Priority to PCT/JP2002/003709 priority patent/WO2002084734A1/ja
Priority to US10/472,500 priority patent/US6858800B2/en
Priority to CNB028081412A priority patent/CN1269211C/zh
Publication of JP2002314001A publication Critical patent/JP2002314001A/ja
Publication of JP2002314001A5 publication Critical patent/JP2002314001A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3819728B2 publication Critical patent/JP3819728B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、側面からリードフレームを突出した電子部品、具体的には固体電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７は、チップ型固体電解コンデンサを形成する工程を示す斜視図であり、図８は図７をＡ−Ａ線を含む面にて破断した断面図である。
固体電解コンデンサは、図８に示すように、コンデンサ本体(８)を合成樹脂、具体的にはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなるハウジング(７)にて被覆して構成され、コンデンサ本体(８)に電気的に接続した２本のリードフレーム(９)(90)がハウジング(７)の両側から外向きに突出している。ハウジング(７)は、下ハウジング半体(71)に上ハウジング半体(70)を突き合わせて構成され、リードフレーム(９)(90)は、鉄とニッケルを主成分とした合金から構成される。
コンデンサ本体(８)は、以下のように形成される。先ず、弁金属の焼結体である陽極体(１)に陽極リード線(２)を結合又は接着させ、該陽極体(１)に誘電体酸化被膜(３)を形成し、誘電体酸化被膜(３)上にＭｎＯ2(二酸化マンガン)、導電体有機化合物の固体導電性材料からなる陰極層(４)を形成することにより、周知の如く、コンデンサ素子(５)を製作する。ここで、弁金属とは、電解酸化処理により極めて緻密で耐久性を有する誘電体酸化被膜が形成される金属を指し、Ａｌ、Ｔａの他に、Ｔｉ(チタン)、Ｎｂ(ニオブ)等が該当する。また、導電体有機化合物には、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン等の導電性高分子、ＴＣＮＱ(７、７、８、８−テトラシアノキノジメタン)錯塩、無機半導体などが挙げられる。陰極層(４)に導電体有機化合物を使用することにより、ＥＳＲ(直列等価抵抗)が低くでき、高周波特性に優れたコンデンサを形成できる。
コンデンサ素子(５)の陰極層(４)にカーボン層(６)を形成し、該カーボン層(６)上に銀ペースト層(60)を形成することにより、コンデンサ本体(８)を設ける。
【０００３】
次に、陽極リード線(２)に一方のリードフレーム(９)を抵抗溶接等によって取り付け、前記銀ペースト層(60)に他方のリードフレーム(90)を銀接着剤によって取り付ける。
更に、図７に示すように、ハウジング(７)に対応する空間を設けた上金型(45)と下金型(46)を用意し、下金型(46)にリードフレーム(９)(90)を取り付けたコンデンサ本体(８)を置く。両金型(45)(46)間の空間に溶融樹脂を流し込んだ後に、離型し、リードフレーム(９)(90)を突出したハウジング(７)を得る。上ハウジング半体(70)及び下ハウジング半体(71)の両側面には、スムーズに離型できるように、テーパ面(73)(73)が形成されている。両金型(45)(46)の突き合わせ面を、図８にＰ.Ｌ(Parting Line)として示す。
【０００４】
次に、図９に示すように、リードフレーム(９)(90)を、ハウジング(７)からの突出部から下向きに延びた第１片(91)と、該第１片(91)の下端から内向きに延びた第２片(92)とを具えるように折曲する。第２片(92)が実装基板(図示せず)にハンダ付けされる。
リードフレーム(９)(90)を折曲して、第１片(91)と第２片(92)を形成するには、図９に示すようにリードフレーム(９)の下側に曲げ治具(75)を配備して、第２片(92)を曲げる。この後、図１０に示すように、ハウジング(７)の中央部を治具(55)にて保持しながら、第１片(91)の上方からローラ(76)(76)を押し当てて、第１片(91)を基端部を中心として下向きに曲げる。
図８に示すように、第２片(92)がハウジング(７)の下面に配備される。リードフレーム(９)(90)に通電して、エージングを行ない、コンデンサが完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来にあっては、第１片(91)を下向きに曲げる際に、第１片(91)の基端部に加わる曲げ応力が大きく、該基端部にクラックが入る場合がある。リードフレーム(９)(90)にクラックが入れば、コンデンサとしての特性に悪影響を及ぼす。
本発明の目的は、リードフレームの曲げ加工時に、基端部に加わる曲げ応力を緩和して、クラックの発生を防ぐことにある。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
電子部品は、上ハウジング半体(70)と下ハウジング半体(71)を突き合わせて構成され、両ハウジング半体(70)(71)の何れか一方の突き合わせ箇所からは、下ハウジング半体(71)に向けて折曲加工されるリードフレーム(９)が側方に突出している。
下ハウジング半体(71)の側面上端部からは、リードフレーム(９)の基端部下面に接して、リードフレーム(９)の折曲加工時に該基端部に加えられる曲げ応力を受けて塑性変形するリブ片(72)が突出している。
【０００７】
【作用及び効果】
リブ片(72)がリードフレーム(９)の基端部下面に接しているから、リードフレーム(９)を、下ハウジング半体(71)に向けて折曲する際に、リードフレーム(９)の基端部に加わる曲げ応力は、リブ片(72)によって受けられる。リブ片(72)は曲げ応力を受けて塑性変形する。
即ち、リードフレーム(９)の曲げ応力の一部は、リブ片(72)に受けられる。リブ片(72)は塑性変形するから、リードフレーム(９)においてリブ片(72)からの反力が緩和される。これにより、リードフレーム(９)の基端部に直接加わる曲げ応力は緩和され、リードフレーム(９)の基端部にクラックが入る虞れを防止できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
(第１実施例)
以下、本発明の一例を図を用いて詳述する。
コンデンサ素子(５)の構成は、従来と同様である。本例にあっては、下ハウジング半体(71)から、リードフレーム(９)(90)の基端部を受けるリブ片(72)が突出している点に特徴がある。
図１は、本例に係わる固体電解コンデンサの正面図である。ハウジング(７)は上ハウジング半体(70)と、下ハウジング半体(71)を突き合わせて構成され、両ハウジング半体(70)(71)の突き合わせ箇所に於いて、下ハウジング半体(71)は上ハウジング半体(70)よりも幅が短く形成されている。即ち、下ハウジング半体(71)の上面の幅Ｌ２は、上ハウジング半体(70)の下面の幅Ｌ１よりも短く形成されている。下ハウジング半体(71)の側面上端部からは、リードフレーム(９)及び該リードフレーム(９)の下面に接するリブ片(72)が突出している。リブ片(72)は合成樹脂製であり、下ハウジング半体(71)と射出成型にて一体に設けられ、上ハウジング半体(70)よりも内側に配備される。即ち、リブ片(72)を設ける為に、下ハウジング半体(71)の上面の幅Ｌ２を、上ハウジング半体(70)の下面の幅Ｌ１よりも短く形成している。尚、下ハウジング半体(71)の幅を、上ハウジング半体(70)の幅よりも短く形成する構成は、特公平３−３０９７７号に開示している如く、公知技術であるが、本願では前記の如く、リブ片(72)に特徴がある。
【０００９】
図２は、図１の固体電解コンデンサをＢ方向から見た一部断面図であり、リードフレーム(９)の第２片(92)を省いている。リードフレーム(９)は板状であり、リブ片(72)は奥行き長さが、リードフレーム(９)の奥行き長さよりも短く形成されている。このような長さにした理由は後記する。
【００１０】
図３は、図１に示すリードフレーム(９)の基端部Ｃの拡大図である。リードフレーム(９)を下向きに曲げるには、リードフレーム(９)の上方からローラ(76)を下降させる。該曲げ加工の際に、リードフレーム(９)の基端部Ｃに加わる曲げモーメントを小さくするために、ローラ(76)とリードフレーム(９)の接触箇所からリードフレーム(９)の基端部Ｃまでの距離は短い方がよい。例えば、ローラ(76)を上ハウジング半体(70)のテーパ面(73)に沿って下降させてもよい。
リードフレーム(９)は、一点鎖線で示す位置から実線で示す位置にまで曲がる。この時に、リブ片(72)がリードフレーム(９)の第１片(91)の基端部下面を受ける。リブ片(72)は合成樹脂製であるから、曲げ応力を受けて塑性変形する。
即ち、リードフレーム(９)の曲げ応力の一部は、リブ片(72)に受けられる。リブ片(72)は塑性変形するから、リードフレーム(９)においてリブ片(72)からの反力が緩和される。これにより、リードフレーム(９)の基端部Ｃに直接加わる曲げ応力は緩和され、図３に示すように、曲げ箇所は円弧形Ｒを呈する。即ち、リードフレーム(９)の基端部にクラックが入る虞れを防止できる。
【００１１】
尚、リブ片(72)が塑性変形するから、リードフレーム(９)の曲げ加工時に、破損したリブ片(72)の滓が落ちる。仮に、リブ片(72)の奥行き長さが長すぎると、リブ片(72)の滓が多くなり、固体電解コンデンサの製造装置を汚すことになる。これを防ぐために、リブ片(72)の奥行き長さを、リードフレーム(９)の奥行き長さよりも短く形成している。
また、リードフレーム(９)上にて、リブ片(72)が接していない箇所は、円弧形を呈さずに鋭角に曲がり、仕上がり形状の見栄えがよい利点もある。但し、リブ片(72)が接していない箇所が長すぎると、却ってクラックを生じる虞れがあるのは言うまでもない。
【００１２】
(第２実施例)
図３にあっては、リブ片(72)は上ハウジング半体(70)よりも内側に配備される。この結果、リードフレーム(９)の曲げ加工時に、図３にＤで示すように、リードフレーム(９)と上ハウジング半体(70)とが剥離する。上ハウジング半体(70)の剥離滓がリードフレーム(９)に付着し、見栄えが悪いばかりか、この剥離滓が剥がれると、固体電解コンデンサの周辺に配備される電気部品に悪影響を及ぼす。従って、出願人は以下の工夫をした。図４及び図５は、別の固体電解コンデンサを示す斜視図である。図４に示すように、上ハウジング半体(70)の側面に、凹条(85)を上下に開設し、該凹条(85)の下端部内にリードフレーム(９)が位置している。リードフレーム(９)の下側には、リブ片(72)が位置している。
【００１３】
図６(a)は、図４をＥ方向から見た図である。凹条(85)は、最も内側の端面(86)の下端部が、リブ片(72)の先端に対向している。即ち、凹条(85)の端面(86)と、リブ片(72)の先端はリードフレーム(９)を挟んで、重なった位置にある。従って、リードフレーム(９)を基端部を中心として下向きに折曲しても、リードフレーム(９)と上ハウジング半体(70)とが剥離することはなく、剥離滓がリードフレーム(９)に付着する虞れを防止できる。
また、図５に示すように、上ハウジング半体(70)の下端部から、奥行き方向に離間した庇板(87)(87)を突出し、両庇板(87)(87)間の凹部(88)にリードフレーム(９)を配備してもよい。図６(b)は、図４をＥ方向から見た図である。凹部(88)は、最も内側の端面(86)が、リブ片(72)の先端に対向しており、前記と同様に、リードフレーム(９)を基端部を中心として下向きに折曲しても、リードフレーム(９)と上ハウジング半体(70)とが剥離することはない。特に、図５に示す固体電解コンデンサは、図７に示す従来品を形成する上金型(45)の下端部を、庇板(87)(87)に対応する形状に削るだけで形成することができる。
【００１４】
上記実施例の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。
例えば、本例にあっては、電子部品として固体電解コンデンサを例示したが、リードフレーム(９)(90)を折曲するその他の電子部品であってもよい。
また、リードフレーム(９)(90)は、下ハウジング半体(71)から突出するとしたが、上ハウジング半体(70)から突出してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本例に係わる固体電解コンデンサの正面図である。
【図２】図１の固体電解コンデンサをＢ方向から見た一部断面図である。
【図３】図１に示すリードフレームの基端部Ｃの拡大図である。
【図４】別の固体電解コンデンサを示す斜視図である。
【図５】別の固体電解コンデンサを示す斜視図である。
【図６】(a)は、図４の固体電解コンデンサをＥ方向から見た図、(b)は、図５の固体電解コンデンサをＥ方向から見た図である。
【図７】チップ型固体電解コンデンサを形成する工程を示す斜視図である。
【図８】図７をＡ−Ａ線を含む面にて破断した断面図である。
【図９】リードフレームの曲げ加工を示す断面正面図である。
【図１０】リードフレームの曲げ加工を示す正面図である。
【符号の説明】
(９) リードフレーム
(70) 上ハウジング半体
(71) 下ハウジング半体
(72) リブ片
(85) 凹条
(86) 端面
(88) 凹部

Claims (4)

  1. 上ハウジング半体(70)と下ハウジング半体(71)を突き合わせて成り、両ハウジング半体(70)(71)の何れか一方の突き合わせ箇所からは、下ハウジング半体(71)に向けて折曲加工されるリードフレーム(９)が側方に突出した電子部品に於いて、
    下ハウジング半体(71)の側面上端部からは、リードフレーム(９)の基端部下面に接して、リードフレーム(９)の折曲加工時に該基端部に加えられる曲げ応力を受けて塑性変形するリブ片(72)が突出したことを特徴とする電子部品。
  2. 両ハウジング半体(70)(71)の突き合わせ箇所に於いて、下ハウジング半体(71)は上ハウジング半体(70)よりも幅が短く形成され、リブ片(72)は上ハウジング半体(70)よりも内側に配備される請求項１に記載の電子部品。
  3. リブ片(72)の幅長さは、リードフレーム(９)の幅長さよりも短く形成された請求項１又は２に記載の電子部品。
  4. リードフレーム(９)は、上ハウジング半体(70)の側面に形成された凹部(88)又は凹条(85)内に設けられ、凹部(88)又は凹条(85)は、最も内側の端面(86)の下端部が、リブ片(72)の先端に対向する凹み長さに形成された請求項１乃至３に記載の電子部品。
JP2001114692A 2001-04-13 2001-04-13 リードフレームを具えた電子部品 Expired - Fee Related JP3819728B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114692A JP3819728B2 (ja) 2001-04-13 2001-04-13 リードフレームを具えた電子部品
PCT/JP2002/003709 WO2002084734A1 (fr) 2001-04-13 2002-04-12 Piece electronique a grille de connexion
US10/472,500 US6858800B2 (en) 2001-04-13 2002-04-12 Electronic part with a lead frame
CNB028081412A CN1269211C (zh) 2001-04-13 2002-04-12 具有引线框架的电子部件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001114692A JP3819728B2 (ja) 2001-04-13 2001-04-13 リードフレームを具えた電子部品

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002314001A JP2002314001A (ja) 2002-10-25
JP2002314001A5 JP2002314001A5 (ja) 2005-02-17
JP3819728B2 true JP3819728B2 (ja) 2006-09-13

Family

ID=18965714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001114692A Expired - Fee Related JP3819728B2 (ja) 2001-04-13 2001-04-13 リードフレームを具えた電子部品

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6858800B2 (ja)
JP (1) JP3819728B2 (ja)
CN (1) CN1269211C (ja)
WO (1) WO2002084734A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800500A (zh) * 2012-08-17 2012-11-28 扬州日精电子有限公司 一种电容器加工方法
JP7496517B2 (ja) * 2018-11-30 2024-06-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電解コンデンサおよびその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3735214A (en) * 1972-01-27 1973-05-22 Coilcraft Inc A header for mounting circuit elements for incorporation in an electric circuit
US4195193A (en) * 1979-02-23 1980-03-25 Amp Incorporated Lead frame and chip carrier housing
US4465898A (en) * 1981-07-27 1984-08-14 Texas Instruments Incorporated Carrier for integrated circuit
US4706811A (en) * 1986-03-03 1987-11-17 General Motors Corporation Surface mount package for encapsulated tape automated bonding integrated circuit modules
JPH0595079A (ja) * 1991-10-02 1993-04-16 Ibiden Co Ltd リードフレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法
JP2682936B2 (ja) * 1992-02-07 1997-11-26 ローム株式会社 半導体装置
US5281851A (en) * 1992-10-02 1994-01-25 Hewlett-Packard Company Integrated circuit packaging with reinforced leads

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002084734A1 (fr) 2002-10-24
CN1269211C (zh) 2006-08-09
US20040094322A1 (en) 2004-05-20
CN1502129A (zh) 2004-06-02
JP2002314001A (ja) 2002-10-25
US6858800B2 (en) 2005-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6903921B2 (en) Chip-type solid electrolytic capacitor superior in productivity and reliability thereof
US7869190B2 (en) Solid electrolytic capacitor
JP4836738B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
KR20050025097A (ko) 고체 전해 컨덴서
US7394649B2 (en) Solid electrolytic capacitor with an improved mounting property, and manufacturing method of the same
US7149077B2 (en) Solid electrolytic capacitor with face-down terminals, manufacturing method of the same, and lead frame for use therein
US7113391B2 (en) Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same
EP2372733B1 (en) Solid electrolytic capacitor
JP2005079357A (ja) チップ型固体電解コンデンサ、その製造方法及びそれに用いるリードフレーム
JP2002075807A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP3819728B2 (ja) リードフレームを具えた電子部品
JP3806818B2 (ja) チップ型個体電解コンデンサ
US9711294B2 (en) Tantalum capacitor and method of manufacturing the same
JP4775958B2 (ja) 下面電極型固体電解コンデンサ
JP2007096021A (ja) チップ型固体電解コンデンサおよびそれに用いるリードフレーム
JP3157722B2 (ja) チップ型固体電解コンデンサ
JP3883766B2 (ja) 固体電解コンデンサ
JP3958725B2 (ja) 表面実装薄型コンデンサ及びその製造方法
JP2002110462A (ja) 固体電解コンデンサ
JP2004288888A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法、及び固体電解コンデンサ
JP4307439B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP3540722B2 (ja) 固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の構造
JP2005101480A (ja) リードフレームを具えた電子部品
JP4789252B2 (ja) 積層型コンデンサ
JP5546919B2 (ja) 固体電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20040310

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040311

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040607

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050524

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050726

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050913

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051027

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060530

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060615

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 3819728

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees