JP3806637B2 - 半導体圧力検出装置 - Google Patents

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    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/06Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、出力電圧が圧力変化に対して非線形に変化する半導体圧力検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ピエゾ抵抗等において圧力に応じて発生する歪みないし抵抗変化を電圧に変換し、この電圧に基づいて該圧力を検出するようにした半導体圧力検出装置は、非常に小型であり、測定精度が高く、かつ量産が容易であることから、種々の分野で広く用いられている(例えば、特開昭55−37906号公報、特開昭63−241439号公報、特開平9−61189号公報等参照)。
【0003】
図5は、かかる従来の代表的な半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。図5に示すように、この従来の半導体圧力検出装置101には、それぞれピエゾ抵抗等からなる4つの抵抗R101〜R104で構成されるホイートストンブリッジを備えたセンサエレメント部102と、センサエレメント部102の出力電圧を増幅する差動増幅器103と、差動増幅器103の出力電圧をさらに増幅する2つの演算増幅器(以下、「オペアンプ」という。)OP101、OP102と、増幅電圧出力端子104とが設けられている。
【0004】
さらに、半導体圧力検出装置101には、外部から供給される駆動電圧Vccから、差動増幅器103及びオペアンプOP101、OP102の基準電圧Vrefを生成するオペアンプOP121が設けられている。なお、オペアンプOP101には2つの抵抗R111、R112が付設され、オペアンプOP102には4つの抵抗R121〜R124が付設されている。また、オペアンプOP121には、2つの抵抗R105、R106が付設されている。
【0005】
かくして、この半導体圧力検出装置101では、センサエレメント部102から、圧力に対応する電圧が出力され、この電圧は、差動増幅器103とオペアンプOP101、OP102とによって増幅された後、増幅電圧出力端子104から出力電圧VOUTとして出力される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、例えば図5に示すような従来の半導体圧力検出装置では、その電圧出力特性は、圧力変化に対して線形である。このため、例えば低圧領域では高精度が要求されるが、高圧領域ではさほど高精度が要求されないような場合、半導体圧力検出装置は、低圧領域の精度に合わせた設計仕様にする必要がある。また、これと逆の要求がある場合は、高圧領域の精度に合わせた設計仕様にする必要がある。したがって、種々の仕様について個別に半導体圧力検出装置を設計しなければならず、半導体圧力検出装置が高価になるといった問題がある。
【0007】
また、従来の半導体圧力検出装置では、その出力電圧は、通常、マイコン等のADコンバータに入力される。このため、半導体圧力検出装置は、電源電圧(駆動電圧)の変化に比例した出力特性(電源電圧レシオ特性)をもつように設定される。他方、マイコンのADコンバータも、電源電圧の変化に比例する動作特性をもつ。したがって、両者間で電源を共通にすれば、電源電圧の変動による誤差が相殺(キャンセル)されるといった利点がある。しかしながら、このようにすると、非線形回路を構成する場合は、電源電圧レシオ特性が得られないので、測定誤差が大きくなるといった問題がある。
【0008】
さらに、従来の半導体圧力検出装置では、非線形回路を構成した場合、出力電圧をフィードバックすると、そのオフセット電圧(圧力が0のときの出力電圧)により誤差が発生するといった問題がある。例えば、出力電圧は、単に圧力変化のみに対応する非線形特性を備える必要があるが、半導体圧力検出装置のオフセット電圧が0Vでない場合は、たとえ圧力変化が0であっても、オフセット電圧により非線形の補正がかかるといった問題がある。
【0009】
また、従来の半導体圧力検出装置では、非線形特性を調整することができないので、製品のバラツキ、例えばセンサエレメント部の非線形性(バルーン効果等による)、あるいはIC回路部の非線形性(例えば、抵抗の電圧依存性などによる)による誤差が発生するといった問題がある。
【0010】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、非線形な出力特性が得られ、電源電圧レシオ特性が得られ、オフセット電圧による誤差をなくすことができ、さらには非線形特性の調整を容易に行うことができる半導体圧力検出装置を提供することを解決すべき課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになされた本発明にかかる半導体圧力検出装置は、(i)圧力に応じてひずみ、該ひずみに応じて抵抗値が変化する半導体抵抗(例えば、ピエゾ抵抗)を備える一方、基準電源電圧Vsenが印加され、上記圧力に対応する電圧を出力するセンサエレメント部と、(ii)センサエレメント部から出力された電圧を増幅して出力する電圧増幅部とを備えている半導体圧力検出装置において、(iii)電圧増幅部の出力電圧VOUTを基準電源電圧Vsenにフィードバックさせることにより、該出力電圧に上記圧力に対する非線形特性をもたせる出力電圧フィードバック部を備えていて、上記基準電源電圧Vsenに比例する電圧が、電圧増幅部の基準電圧として用いられることを特徴とするものである。
【0012】
なお、前記の特開昭55−37906号公報、特開昭63−241439号公報又は特開平9−61189号公報に開示されている圧力検出装置でも、出力電圧をセンサエレメント部にフィードバックさせているが、これらはいずれも出力電圧に、圧力に対する非線形特性をもたせるものではなく、本発明とは明らかに構成が異なるものである。
【0013】
上記半導体圧力検出装置においては、外部から供給される駆動電圧Vccに比例する電圧(レシオ電圧)を、出力電圧フィードバック部の基準電圧として用いるのが好ましい。
【0014】
上記半導体圧力検出装置においては、出力電圧フィードバック部が、電圧増幅部の出力電圧VOUTと、該出力電圧VOUTのオフセット電圧ZSOUTとの差電圧を基準電源電圧Vsenにフィードバックさせるようになっているのが好ましい。
この場合、オフセット電圧ZSOUT及び上記差電圧の調整(オフセット調整)を同一の回路により行うのがより好ましい。
【0015】
上記半導体圧力検出装置においては、電圧増幅部の出力電圧VOUTを基準電源電圧Vsenにフィードバックさせる率を任意に設定することができるようになっているのが好ましい。
また、上記半導体圧力検出装置においては、出力電圧フィードバック部が、電圧増幅部の出力電圧VOUTが高いときほど基準電源電圧Vsenを上昇させる非線形特性を備えていてもよい。これに代えて、出力電圧フィードバック部が、電圧増幅部の出力電圧VOUTが高いときほど基準電源電圧Vsenを低下させる非線形特性を備えていてもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、本発明の実施の形態1を具体的に説明する。まず、実施の形態1にかかる半導体圧力検出装置の概要を説明する。
図1に示すように、半導体圧力検出装置1aは、ホイートストンブリッジ構造をなす4つの抵抗R1〜R4(半導体抵抗)を備えたセンサエレメント部2と、差動増幅器3と2つのオペアンプOP1、OP2と増幅電圧出力端子4とを備えた電圧増幅部と、オペアンプOP10とD/AコンバータDAC1とオフセット電圧出力端子5とを備えたオフセット電圧出力部と、3つのオペアンプOP3〜OP5とD/AコンバータDAC2とを備えた出力電圧フィードバック部と、2つのオペアンプOP21、OP22を備えた第1の基準電圧出力部と、オペアンプOP23を備えた第2の基準電圧出力部とで構成されている。
【0017】
センサエレメント部2には、基準電源電圧Vsenが印加されている。また、センサエレメント2においては、ホイートストンブリッジをなす各抵抗R1〜R4は、圧力に応じてひずみ、該ひずみに応じてその抵抗値が変化する。このため、センサエレメント部2からは、圧力に対応する電圧が出力される。
【0018】
電圧増幅部は、センサエレメント部2から出力された電圧を増幅し、その出力電圧VOUTを、増幅電圧出力端子4を介して外部機器(例えば、マイコン等)に出力するとともに、出力電圧フィードバック部にも出力する。ここで、差動増幅器3とオペアンプOP1、OP2の非反転入力端子(プラス入力端子)とには、それぞれ、第2の基準電圧出力部から出力された、基準電源電圧Vsenに比例する電圧Vref3が、基準電圧として印加される。なお、オペアンプOP1には2つの抵抗R11、R12が付設され、オペアンプOP2には4つの抵抗R21〜R24が付設されている。
【0019】
オフセット電圧出力部は、オフセット電圧ZSOUT、すなわち圧力が0のときの出力電圧VOUTを、オフセット電圧出力端子5を介して外部機器に出力するとともに、出力電圧フィードバック部にも出力する。ここで、オペアンプOP10には、第1の基準電圧出力部から出力された、駆動電圧Vccに比例する電圧Vref2(レシオ電圧)が基準電圧として印加される。
【0020】
出力電圧フィードバック部は、出力電圧VOUTとオフセット電圧ZSOUTとの差電圧を基準電源電圧Vsenにフィードバックさせることにより、出力電圧VOUTに、圧力に対する非線形特性をもたせる。ここで、オペアンプOP3、OP5の非反転入力端子には、それぞれ、第1の基準電圧出力部から出力された、外部から供給される駆動電圧Vccに比例する電圧Vref1(レシオ電圧)が基準電圧として印加される。なお、オペアンプOP3には4つの抵抗R31〜R34が付設され、オペアンプOP5には3つの抵抗R51〜R53が付設されている。
【0021】
第1の基準電圧出力部は、オペアンプ21から駆動電圧Vccに比例する基準電圧Vref1を出力するとともに、オペアンプ22から駆動電圧Vccに比例する基準電圧Vref2を出力する。
第2の基準電圧出力部は、オペアンプ23から基準電源電圧Vsenに比例する基準電圧Vref3を出力する。
【0022】
次に、半導体圧力検出装置1aのより具体的な構成及び機能を説明する。
センサエレメント部2において、ホイートストンブリッジ構造をなす4つの抵抗R1〜R4は、それぞれ、半導体(例えば、シリコン)に不純物が拡散されてなる拡散抵抗であって、半導体チップ内に形成されている。ここで、センサエレメント部2に圧力が印加されると、ホイートストンブリッジのバランスが崩れて電圧ΔVが発生し、この電圧ΔVはセンサエレメント部2から差動増幅器3に出力される。この出力電圧ΔVは圧力に比例する。
【0023】
センサエレメント部2の出力電圧ΔVは、差動増幅器3によって増幅された後、さらにオペアンプOP1及びオペアンプOP2によって増幅され、出力電圧VOUTとして出力される。ここで、差動増幅器3及び両オペアンプOP1、OP2の基準電圧Vref3は、第2の基準電圧出力部のオペアンプOP23から出力されるが、この第2の基準電圧出力の電源電圧には、センサエレメント部2に供給される基準電源電圧Vsenが用いられている。すなわち、第2の基準電圧出力部とセンサエレメント部2とは、電源電圧を共通にしている。オペアンプOP1では反転増幅が行われ、その増幅率はR12/R11となる。なお、オペアンプOP1内部の詳細な回路構成は、よく知られた一般的なものであるので、その説明は省略する(その他のオペアンプについても同様)。
【0024】
オペアンプOP2に付設された4つの抵抗R21〜R24の抵抗値は、(R23の抵抗値)/(R21の抵抗値)=(R24の抵抗値)/(R22の抵抗値)となるように設定されている。ここで、オペアンプOP2は、圧力印加が0であるときのオペアンプ1の出力が基準電圧Vref3となるように設計される。これにより、圧力印加が0のときには、出力端子が抵抗R24に接続されたオペアンプOP10の出力電圧と、オペアンプOP2の出力電圧とが等しくなる。このため、オペアンプOP10の出力電圧を調整することにより、半導体圧力検出装置1aへの圧力印加が0のときの出力電圧VOUT、すなわちオフセット電圧ZSOUTを調整することができる。
【0025】
したがって、差動増幅器3とオペアンプOP1とオペアンプOP2とによる回路増幅率をAvとすれば、オフセット時及び圧力印加時におけるオペアンプOP2の出力電圧は、それぞれ、次の式1及び式2であらわされる。なお、式2において、ΔVはセンサエレメント2の出力電圧である。
(オフセット時)
出力電圧=オペアンプOP10の出力電圧……………………………式1
(圧力印加時)
出力電圧=オペアンプOP10の出力電圧+ΔV・Av……………式2
【0026】
オペアンプOP2の出力電圧VOUTは、増幅電圧出力端子4からマイコン等の外部機器に出力される一方、抵抗R32を介して、出力電圧フィードバック部を構成するオペアンプOP3の非反転入力端子に入力される。また、オペアンプOP3の反転入力端子(マイナス入力端子)には、オペアンプOP10の出力電圧、すなわちオフセット電圧ZSOUTが入力される。
【0027】
ここで、オペアンプOP3に付設された4つの抵抗R31〜R34の抵抗値は、(R33の抵抗値)/(R31の抵抗値)=(R34の抵抗値)/(R32の抵抗値)となるように設定されている。このため、オペアンプOP3では、オペアンプOP2の出力電圧VOUTとオペアンプOP10の出力電圧ZSOUTとの差動増幅が行われる。すなわち、オペアンプOP3では、式1及び式2から明らかなとおり、ΔV・Av(つまり、圧力印加による出力電圧変化分)を増幅することになる。なお、オペアンプOP3の増幅率は、(R33の抵抗値)/(R31の抵抗値)となる。
【0028】
そして、DAコンバータDAC2の一方の入力端子には基準電圧Vref1が印加され、またこの入力端子は抵抗R34の一端にも接続されている。このため、この入力端子は固定電位となる。また、DAコンバータDAC2の他方の入力端子はオペアンプOP3の出力端子に接続されている。なお、出力電圧VOUTが上昇すれば、オペアンプOP3の出力電圧も上昇する。
【0029】
DAコンバータDAC2は、その両入力端子間の電圧差から、任意に分割した電位を取り出して出力する。DAコンバータDAC2の出力は、バッファアンプであるオペアンプOP4を介して、オペアンプOP5の反転入力端子に入力される。また、オペアンプOP5の非反転入力端子には、基準電圧Vref1が印加される。つまり、オペアンプOP5では、DAコンバータDAC2ないしはオペアンプOP4の出力電圧が基準電圧Vref1に加算される。なお、オペアンプOP5は反転アンプである。ここで、出力電圧VOUTが上昇すれば、オペアンプOP3の出力電圧は上昇し、バッファアンプであるオペアンプOP4の出力電圧も上昇する。これとは逆に、オペアンプOP5の出力電圧は、出力電圧VOUTが上昇すれば低下する。
【0030】
かくして、オペアンプOP5の出力電圧は、センサエレメント部2及び第2の基準電圧出力部(オペアンプOP23)に供給される基準電源電圧Vsenとなる。つまり、出力電圧VOUTがセンサエレメント部2の基準電源電圧Vsenにフィードバックされる。ここで、センサエレメント部2の出力電圧ΔVは、もし基準電源電圧Vsenが一定であれば、圧力に比例して上昇することなる。
【0031】
しかしながら、この実施の形態1にかかる半導体圧力検出装置1aでは、出力電圧VOUTがセンサエレメント部2の基準電源電圧Vsenにフィードバックされるので、センサエレメント部2の出力電圧ΔVが高いときほど、出力電圧VOUTの一部のフィードバックにより、基準電源電圧Vsen(供給電源電圧)が抑えられる。このため、半導体圧力検出装置1aでは、出力が大きくなるほど感度が鈍くなるといった非線形特性が発生する。つまり、低圧領域では感度が高くなり、高圧領域では感度が低くなるといった出力減衰型の非線型特性が得られる。
【0032】
また、このような非線形信号を伝達する差動増幅器3及びオペアンプOP1、OP2には、前記のとおり、非線形特性をもつ基準電源電圧Vsenを基準とした基準電圧Vref3が用いられる。このため、差動増幅器3及びオペアンプOP1、OP2は、基準電源電圧Vsenに比例した出力特性をもつことができる。さらに、基準電源電圧Vsenは、駆動電圧Vccを基準とした基準電圧Vref1に、DAコンバータDAC2ないしはオペアンプOP4の出力電圧を加算することにより生成されるので、駆動電圧Vccの変化に対して比例する出力特性をもつことができる。つまり、出力電圧に電源電圧レシオ特性(電源電圧レシオメトリック特性)をもたせることができる。
【0033】
このように、実施の形態1にかかる半導体圧力検出装置1aでは、ΔV・Av(つまり、圧力印加による出力電圧変化分)を増幅しているので(式1、式2参照)、出力電圧VOUTを基準電源電圧Vsenにフィードバックさせる際に、オフセット電圧ZSOUTの影響(誤差)をなくすことができる。また、フィードバック率を調整することができるので、1種の半導体圧力検出装置でもって仕様の変更に対応することができる。
【0034】
図2は、実施の形態1の変形例にかかる半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。図2に示すように、この変形例にかかる半導体圧力検出装置1bは、図1に示す半導体圧力検出装置1aから、オペアンプOP4と2つのDAコンバータDAC1、DAC2とを除いたものである。この半導体圧力検出装置1bでは、DAコンバータDAC1、DAC2が設けられていないので、調整機能を欠くことになるが、その他の機能は、実施の形態1にかかる半導体圧力検出装置1aの場合と同様に具備する。
【0035】
図3は、実施の形態1のもう1つの変形例にかかる半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。図3に示すように、この変形例にかかる半導体圧力検出装置1cは、図1に示す半導体圧力検出装置1aから、3つのオペアンプOP4、OP10、OP22と、2つのDAコンバータDAC1、DAC2と、オフセット電圧出力端子5と、抵抗R7とを除いたものである。
【0036】
この半導体圧力検出装置1cでは、オフセット電圧出力部(オペアンプOP10、DAコンバータDAC1、オフセット電圧出力端子5)が設けられていないので、オフセット電圧が0Vに固定されることになり、オフセット電圧の影響(誤差)をなくすことはできない。また、DAコンバータDAC2が設けられていないので、調整機能も欠くことになる。しかしながら、その他の機能は、実施の形態1にかかる半導体圧力検出装置1aの場合と同様に具備する。
【0037】
実施の形態2.
以下、図4を参照しつつ、本発明の実施の形態2を説明する。しかしながら、実施の形態2にかかる半導体圧力検出装置は、図1に示す実施の形態1と多くの共通点を有するので、説明の重複を避けるため、実施の形態1と共通する部材には同一の参照番号を付してその説明を省略し、以下では主として実施の形態1と異なる点を説明する。
【0038】
図4に示すように、実施の形態2にかかる半導体圧力検出装置1dでは、オペアンプOP4は、バッファアンプではなく、抵抗R41、R42が付設され基準電圧Vref1が供給される反転増幅回路とされている。そして、オペアンプOP4の反転入力端子にはDAコンバータDAC2の出力電圧が入力され、非反転入力端子には基準電圧Vref1が入力される。その他の構成は、実施の形態1の場合と同様である。
【0039】
かくして、実施の形態2にかかる半導体圧力検出装置1dでは、オペアンプOP4が反転増幅回路とされているので、出力電圧VOUTが上昇するほど、基準電源電圧Vsenの電位も上昇することになる。つまり、この半導体圧力検出装置1dは、高圧になるほど感度が高くなり低圧のときほど感度が低くなるといった出力増加型の非線形出力特性を具備する。
【0040】
この回路構成によれば、印加圧力が大きいときほど感度が低下するといったバルーン効果、あるいはIC回路の拡散抵抗の電圧依存性により出力電圧が高いときに感度が低下するといった効果など、いずれも通常は問題とならないほんのわずかな量の非線形性をも補正することができ、非常に高精度な出力特性を得ることができる。なお、補正量はDAコンバータDAC1、DAC2により調整することができる。
【0041】
【発明の効果】
本発明にかかる半導体圧力検出装置においては、まず、電圧増幅部の出力電圧を基準電源電圧にフィードバックさせることにより、該出力電圧に、圧力に対する非線形特性をもたせるようにしているので、出力減衰型又は出力増加型の非線形な出力特性を容易に得ることができる。
【0042】
さらに、非線形特性をもつ基準電源電圧に比例する電圧を、電圧増幅部の基準電圧として用いるので、電圧増幅部に基準電源電圧に比例する出力特性をもたせることができ、測定誤差を低減することができる。
【0043】
外部から供給される駆動電圧に出力電圧を加算した電圧を基準電圧及び電圧増幅部の基準電圧として用いるようにした場合、出力電圧に、外部から供給される駆動電圧の変化に対して比例する出力特性をもたせることができる。
【0044】
上記半導体圧力検出装置において、出力電圧フィードバック部が、電圧増幅部の出力電圧と、該出力電圧のオフセット電圧との差電圧を基準電源電圧にフィードバックさせるようになっている場合は、出力オフセット電圧に起因する測定誤差をなくすことができる。
【0045】
上記半導体圧力検出装置において、オフセット電圧、及び出力電圧とオフセット電圧との差電圧の調整を同一の回路により行わせるようにした場合は、該半導体圧力検出装置の回路構成が簡素化される。
【0046】
上記半導体圧力検出装置において、電圧増幅部の出力電圧を基準電源電圧にフィードバックさせる率を任意に設定することができるようになっている場合は、非線形特性を容易に調整することができる。
【0047】
上記半導体圧力検出装置において、出力電圧フィードバック部を、電圧増幅部の出力電圧が高いときほど基準電源電圧を上昇させる非線形特性を具備するようにした場合は、高圧領域では感度が高くなり、低圧領域では感度が低くなるといった出力増加型の非線形出力特性が得られる。
【0048】
上記半導体圧力検出装置において、出力電圧フィードバック部を、電圧増幅部の出力電圧が高いときほど基準電源電圧を低下させる非線形特性を具備するようにした場合は、低圧領域では感度が高くなり、高圧領域では感度が低くなるといった出力減衰型の非線型特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1にかかる半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。
【図2】 図1に示す半導体圧力検出装置の変形例である、DAコンバータを備えていない半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。
【図3】 図1に示す半導体圧力検出装置のもう1つの変形例である、オフセット電圧が0Vに固定された半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。
【図4】 本発明の実施の形態2にかかる半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。
【図5】 従来の半導体圧力検出装置の電気的構成を示す回路図である。
【符号の説明】
1a 半導体圧力検出装置、 1b 半導体圧力検出装置、 1c 半導体圧力検出装置、 1d 半導体圧力検出装置、 2 センサエレメント部、 3 差動増幅器、 4 増幅電圧出力端子、 5 オフセット電圧出力端子、 OP1〜OP5 オペアンプ、 OP10 オペアンプ、 OP21〜OP23 オペアンプ、 R1〜R9 抵抗、 R11〜R12 抵抗、 R21〜R24 抵抗、 R31〜R34 抵抗、 R41〜R42 抵抗、 R51〜R53 抵抗、 DAC1 DAコンバータ、 DAC2 DAコンバータ。

Claims (7)

  1. 圧力に応じてひずみ、該ひずみに応じて抵抗値が変化する半導体抵抗を備える一方、基準電源電圧が印加され、上記圧力に対応する電圧を出力するセンサエレメント部と、
    センサエレメント部から出力された電圧を増幅して出力する電圧増幅部とを備えている半導体圧力検出装置において、
    電圧増幅部の出力電圧を上記基準電源電圧にフィードバックさせることにより、該出力電圧に上記圧力に対する非線形特性をもたせる出力電圧フィードバック部を備えていて、
    上記基準電源電圧に比例する電圧が、電圧増幅部の基準電圧として用いられることを特徴とする半導体圧力検出装置。
  2. 外部から供給される駆動電圧に出力電圧を加算した電圧を上記基準電源電圧及び電圧増幅部の上記基準電圧に用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力検出装置。
  3. 出力電圧フィードバック部が、電圧増幅部の出力電圧と、該出力電圧のオフセット電圧との差電圧を上記基準電源電圧にフィードバックさせるようになっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体圧力検出装置。
  4. 上記オフセット電圧及び上記差電圧の調整が同一の回路により行われることを特徴とする請求項に記載の半導体圧力検出装置。
  5. 電圧増幅部の出力電圧を上記基準電源電圧にフィードバックさせる率を任意に設定することができるようになっていることを特徴とする請求項1〜のいずれか1つに記載の半導体圧力検出装置。
  6. 出力電圧フィードバック部が、電圧増幅部の出力電圧が高いときほど上記基準電源電圧を上昇させる非線形特性を備えていることを特徴とする請求項1〜のいずれか1つに記載の半導体圧力検出装置。
  7. 出力電圧フィードバック部が、電圧増幅部の出力電圧が高いときほど上記基準電源電圧を低下させる非線形特性を備えていることを特徴とする請求項1〜のいずれか1つに記載の半導体圧力検出装置。
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