JP3796857B2 - 表面処理方法及びその装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置、水晶発振子、回路基板又は線材などのワークを表面処理して、例えば半田の濡れ性を向上させるなどのための表面処理方法及びその装置に関する。
【０００２】
【背景技術及び発明が解決しようとする課題】
従来より、真空プラズマにより生成される水素原子により金属表面を清浄化する方法（特開平２−１９０４８９）や、真空プラズマクリーニングにより基板の半田の濡れ性を改善する方法（特開平３−１７４９７２）が提案されている。
【０００３】
本願出願人は、従来の真空プラズマに代えて、大気圧プラズマによりガスを活性化し、イオン、励起種等の活性種により、半田付けされるワークの濡れ性を向上させる技術を既に提案している（ＷＯ９４／２２６２８、特願平７−２９５０）。
【０００４】
ここで、上述した真空プラズマ及び大気圧プラズマを利用した処理では、いずれもプラズマにより励起された活性種により表面処理を行っている。
【０００５】
ここで、被処理体をプラズマに晒す直接放電処理方式では、プラズマダメージに起因した被処理体の物理的性質の破壊が生じやすく、好ましくない。特に、被処理体の被処理面が金属であると、突起した部分に集中的に強いプラズマが生成され、被処理面全体を均一に処理できなくなる。
【０００６】
一方、プラズマ発生部にて生成された活性種を、プラズマに晒されない位置に配置された被処理体に導いて処理する間接放電処理方式も提案されている。この場合には、上述したプラズマダメージは生じない。
【０００７】
しかし、この活性種には寿命があり、この寿命が比較的短いため、被処理体をプラズマ発生部より離れた位置に置くことで、表面処理が不能になるか、あるいは処理効率が大幅に低下してしまう。従って、この間接放電処理方式は、被処理体の設置場所に制約が生じて実用的でない。
【０００８】
そこで、本発明の目的とするところは、プラズマダメージがない状態で被処理体の表面を改質させる処理ができ、しかも被処理体の設置場所の自由度が大きい表面処理方法及びその装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、安定な物質から反応性の高い処理ガスを生成して、該処理ガスにより被処理体の表面を改質させる処理ができる表面処理方法及びその装置を提供することにある。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、比較的高価なヘリウムＨｅを必ずしも要せずに、しかも、処理ガスの消費量を低減しながら、低ランニングコストにて被処理体の表面を改質させる表面処理が可能な表面処理装置及びその方法を提供することにある。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、被処理体を酸化させるオゾンの発生を抑制しながら被処理体の表面を改質させる表面処理が可能な表面処理装置及びその方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段及びその作用】
本発明方法は、ハロゲン又はハロゲン化水素を含む処理ガスを被処理体の表面に接触させ、前記被処理体の表面を処理することを特徴とする。ハロゲン、ハロゲン化水素の代表的なものとして、フッ素Ｆ₂、フッ化水素ＨＦを挙げることができる。
【００１３】
本発明では、フッ素ラジカル等の寿命が短い活性種に頼らずに、反応性の高いハロゲン又はハロゲン化水素を含む処理ガスにより、被処理体を化学反応により表面処理することができる。しかも、被処理体をプラズマに晒すことがないので、プラズマダメージによる欠陥が被処理体に生ずることもない。
【００１４】
本発明方法では、ハロゲン化合物を、熱分解、光分解、放電による分解又は電気分解のうちの一又は複数の組合せにより分解して、前記処理ガスを生成することが好ましい。このために、本発明装置では、上記のいずれかの方式にてハロゲン化合物を分解して処理ガスを生成する処理ガス生成手段と、その処理ガスを被処理体の表面に導く処理ガス供給手段とを備える。
【００１５】
ハロゲン又はハロゲン化水素は、それ自体反応性が高く腐食性も強いので、安定なハロゲン化合物を原料とし、これを上記のいずれかの方法により分解して処理ガスを生成している。このハロゲン又はハロゲン化水素は、活性種のように寿命が短くないので、分解後被処理体に到達するまでの時間に制約がない。従って、被処理体の処理位置の設定の自由度が大きくなる。
【００１６】
ここで、原料となるハロゲン化合物として有機ハロゲン化合物を用いると、これらは中性であるため取り扱いが容易である。
【００１７】
また、熱分解、光分解及び放電による分解に適するハロゲン化合物として、ＮＦ₃、ＳＦ₆、ＣＦ₄又はＮＨ₄Ｆのいずれかを用いることが好ましい。これらのハロゲン化合物は、原料ガスとなり、原料ガス供給手段を介して処理ガス生成手段に供給される。
【００１８】
ハロゲン化合物を放電により分解する際には、大気圧又はその近傍の圧力下で、原料ガスを５０ｋＨｚ以下の低周波数の交流電圧又は直流電圧が印加される一対の電極により励起して分解することが好ましい。このために、本発明装置の処理ガス生成手段は、５０ｋＨｚ以下の低周波数の交流電圧又は直流電圧を出力する電源と、その電圧が印加される一対の電極を備え、大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマを誘起するプラズマ発生部と、を有する。
【００１９】
上述の低周波数の交流電圧又は直流電圧を一対の電極間に印加すると、放電電圧のピーク ツー ピーク電圧を比較的大きくでき、プラズマ生成用ガスであるＨｅ等を供給しなくても、安定して放電を生成することができる。このような安定した大気圧プラズマを生成するのに、必ずしもＨｅを用いる必要が無くなり、ランニングコストを低減できる。
【００２０】
この熱分解、光分解及び放電によるハロゲン化合物の分解工程を、水分を含む雰囲気中にて実施することが好ましい。水分の存在により、ハロゲン化合物からハロゲン化水素を効率よく分解させることができるからである。
【００２１】
電気分解に適するハロゲン化合物としては、電気分解され易いハロゲン化塩の水溶液が適している。
【００２２】
熱分解、光分解、放電による分解又は電気分解のいずれの方式の場合でも、処理ガスをキャリアガスにより圧送して、被処理体に接触させることが好ましい。このとき、ハロゲン化合物の分解工程後に、処理ガスにキャリアガスを混合するとさらに良い。キャリアガスとして酸素を含む気体を用いても、ハロゲン化合物の分解時にオゾンの発生が増大しないからである。このために、本発明装置では、原料ガス供給手段又は処理ガス供給手段のいずれかに、キャリアガス供給手段が連結される。
【００２３】
本発明方法及び本発明装置では、上記の分解方式に代えて、ハロゲン又はハロゲン化水素の水溶液にキャリアガスを接触させて、処理ガスを生成することができる。
【００２４】
こうすると、ハロゲン又はハロゲン化水素の液体を含む処理ガスが生成され、それにより被処理体を処理できる。
【００２５】
本発明方法では、
被処理体に向けて供給された処理ガス及び反応生成物を強制排気する工程と、
排気途中にて、処理ガス又は前記反応生成物をトラップする工程と、
をさらに有することが好ましい。このために、本発明装置では、強制排気手段とトラップ手段とを備える。
【００２６】
処理ガスは腐食性に富むため、未反応の腐食性の高い処理ガスあるいは反応生成物を強制排気途中でトラップすることで、大気に散乱させずに回収できる。
【００２７】
本発明方法では、処理ガスを被処理体の表面に接触させることで、被処理体の表面の酸化物をハロゲン化合物に置換して、その表面での半田の濡れ性を向上させる処理に適用することが好ましい。
【００２８】
この種の処理に適する被処理体として、回路基板、集積回路（ＩＣ）などの電子部品、半田付けされる線材、あるいは水晶振動子を挙げることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表面処理方法及び表面処理装置について、図面を参照して具体的に説明する。
【００３０】
＜処理ガスの生成方法について＞
本発明では、ハロゲン例えばＦ₂、Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂など、又はハロゲン化水素例えばＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩなどを含む処理ガス被処理体に接触させ、この反応性の高い処理ガスにより、被処理体を表面処理している。この反応性の高い処理ガスを生成するために、図１〜図５の５通りの方法のいずれかを採用している。
【００３１】
図１〜図５において、共通する構成として、処理ガス生成用容器１と、生成された処理ガスを被処理体に向けて導く処理ガス供給管２とを有する。
【００３２】
図１では、原料ガスであるハロゲン化合物例えばＮＦ₃を処理ガス生成用容器１に供給する原料ガス供給管３と、処理ガス生成用容器１内を加熱する加熱器４とを有する。そして、図１では、処理ガス生成用容器１内にて、ハロゲン化合物を熱エネルギーにより熱分解して、ハロゲン又はハロゲン化水素を含む処理ガスを生成している。
【００３３】
原料ガスをＮＦ₃とした時、これを熱分解するのに必要な温度は３００℃以上であり、本実施例にて５００℃にて加熱したところ、
２ＮＦ₃→Ｎ₂＋３Ｆ₂
の熱分解により、フッ素Ｆ₂を約１０００ｐｐｍ含む処理ガスを生成できた。
【００３４】
図２の実施例では、処理ガス供給管２及び原料ガス供給管３が連結された処理ガス生成用容器１内にて、原料ガスであるハロゲン化合物を光分解して、処理ガスを生成している。このために、処理ガス生成用容器１内に光例えば紫外線を照射するＵＶランプ５を設けている。
【００３５】
原料ガスをＮＦ₃とした時、ＵＶランプ５のランプ出力を１００ｍＷ／ｃｍ²とし、出射される光の波長を４００ｎｍとしたところ、図１の場合と同じ反応式の光分解が生じて、フッ素Ｆ₂を約１００ｐｐｍ含む処理ガスを生成できた。
【００３６】
図３の実施例では、処理ガス供給管２及び原料ガス供給管３が連結された処理ガス生成用容器１内にて、原料ガスであるハロゲン化合物を、大気圧又はその近傍の圧力下での放電により分解して、処理ガスを生成している。このために、処理ガス生成用容器１内に、一対の電極を備えたプラズマ発生部６を設けている。
【００３７】
図３の装置を用いて、原料ガスＣＦ₄を１００ｃｃ／ｍｉｎで供給し、一対の電極に供給される電源周波数を約１０ｋＨｚとし、放電電圧のピーク ツー ピーク電圧がＡＣ１０ｋＶｐｐで放電を生じさせた。このとき、原料ガスは、
２ＣＦ₄→Ｃ₂Ｆ₆＋Ｆ₂
と分解され、フッ素Ｆ₂を約８００ｐｐｍ含む処理ガスを生成できた。
【００３８】
図３の装置を用いて、原料ガスとしてＣＦ₄＋Ｈ₂Ｏを３００ｃｃ／ｍｉｎで供給し、他の条件を上記と同じに設定したところ、
ＣＦ₄＋２Ｈ₂Ｏ→ＣＯ₂＋４ＨＦ
と分解され、フッ化水素ＨＦを約７２００ｐｐｍ含む処理ガスを生成できた。このように、水の添加により、フッ化水素を効率よく生成することができた。
【００３９】
また、上記のように、電源周波数を１０ｋＨｚと低周波数を用いるいることで、Ｈｅを供給しなくても安定して放電を起こすことができた。この結果、ランニングコストを低減できる。なお、Ｈｅを供給せずに放電を安定して起こすためには、低周波数を用いて放電電圧のピーク ツー ピーク電圧がある値以上大きいことが必要である。本発明者等の実験によれば、直流電圧、１０ｋＨｚ、３０ｋＨｚ、４０ｋＨｚの各交流電圧で上述の放電が確認でき、放電電圧のピーク ツー ピーク電圧を大きく確保できる観点から、５０ｋＨｚ以下の低周波数の交流電圧又は直流電圧が有用であることが分かった。
【００４０】
また、図１〜図３の装置により分解されるハロゲン化合物として、ＣＦ₄、Ｃ_nＦ_(2n+2)などのパーフルオロカーボン、Ｃ₂Ｆ₂Ｈ₄などのＨＦＣ、Ｃ₂Ｆ₂Ｃｌ₄などのフロン、Ｃ₂Ｈ₃Ｃｌ₃などの塩素系溶剤、Ｃ₂Ｆ₂Ｂｒ₄などのハロン等の有機ハロゲン化合物を用いると、例えばハロゲン化水素などと異なり、それらが中性のため取り扱い性の点で優れている。
【００４１】
図４の実施例は、処理ガス供給管２が連結された処理ガス生成用容器１内にて、ハロゲン化合物の水溶液を電気分解して、処理ガスを生成している。このために、処理ガス生成用容器１内に、ハロゲン化合物の水溶液として、ハロゲン化塩例えば濃度２％のＮａＦの水溶液を収容し、仕切り板７にて仕切られた各領域に電極８ａ，８ｂを配置した。この電極８ａ，８ｂに例えばＤＣ２４Ｖを印加したところ、フッ素Ｆ₂を約１０００ｐｐｍ含む処理ガスを生成できた。
【００４２】
なお、電気分解に適するハロゲン化塩としては、ＮａＦの他、ＫＦ、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＮａＢｒ、ＮａＩなどを挙げることができる。
【００４３】
図５の実施例は、キャリアガス供給管９及び処理ガス供給管２が連結された処理ガス生成用容器１内にて、キャリアガスをハロゲン又はハロゲン化水素の水溶液と接触させ、ハロゲン又はハロゲン化水素の液体を含む処理ガスを生成している。例えば、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、ＨＣｓなどの水溶液にキャリアガスを接触させることで、これらハロゲン化水素の液体を含む処理ガスを生成できる。
【００４４】
＜間接放電を用いた表面処理装置＞
図６は、図３の間接放電方式の実施例にかかる表面処理装置の全体構成を示す概略説明図である。図６に示す実施例において、半田付されるワークをＩＣ１０とし、ＩＣ１０は、例えばコンベアライン１４上に載置され、図面の裏面から表面に向かう方向に順次搬送される。ここで、ＩＣ１０のリードフレーム１２は、予め半田メッキ処理されている。従って、リードフレーム１２の表面はスズ（Ｓｎ）で覆われているが、これが酸化されることで酸化スズ（ＳｎＯ）となっている。本実施例は、このリードフレーム１２の表面に形成された酸化スズ（ＳｎＯ）をハロゲン化合物に置換することで、リードフレーム１２の半田の濡れ性の向上を図っている。このＩＣ１０のリードフレーム１２を表面処理するために、表面処理ユニット３０と、それに連結される給気連結管２０及び排気連結管２４が設けられている。
【００４５】
給気連結管２０には、表面処理ユニット３０内部にて生成された処理ガスが導入され、ＩＣ１０の上方にて傘状に広がる給気部２２を介して、その処理ガスをＩＣ１０の特にリードフレーム１２に曝露させている。排気連結管２４は、リードフレーム１２に曝露された処理ガス及び反応生成物を吸引して、表面処理ユニット３０を介して強制排気するためのものである。
【００４６】
表面処理ユニット３０の構造
この表面処理ユニット３０は、図７に示すように、１つの筺体３２内部に、処理ガス給気管４０，原料ガス給気管４１，電源５０，プラズマ発生部６０，排気管７０及びトラップ手段である除害装置８０を搭載している。
【００４７】
原料ガス給気管４１は、図７に示すプラズマ発生部６０の上流側に連結され、この原料ガス給気管４１の途中には流量計４２が配設されている。この原料ガス給気管４１には、工場内の設備を利用して、ＣＦ₄等のハロゲン化合物を含む原料ガスが導入される。また、プラズマ発生部６０の下流側に連結され処理ガス給気管４０の開口端は、図６に示す給気連結管２０に接続されている。
【００４８】
プラズマ発生部６０は、電源５０からの電源供給を受けて、大気圧またはその近傍の圧力下にてプラズマを生成するものである。このプラズマ発生部６０は、図８に示すように、一対の電極６２ａ及び６２ｂの間に多孔質絶縁体６４が配置されることで、各電極６２ａ，６２ｂが対向配置されてる。一方の電極６２ａには電源５０が接続され、他方の電極６２ｂは接地されて、５０ｋＨｚ以下の比較的低周波数の交流電圧又は直流電圧が各電極間に印加される。
【００４９】
電源５０は、０〜５０ｋＨｚの比較的低周波数の交流電圧又は直流電圧を、一対の電極６２ａ，６２ｂに印加するもので、コンセントに差し込まれるプラグ５２を有する。
【００５０】
このように、電源５０にて比較的低周波数の交流電圧を出力させている理由は下記の通りである。すなわち、従来より大気圧プラズマを生成するためには、比較的プラズマの立ち易いＨｅガスを大量に必要としていた。この場合には、一対の電極間に印加される交流電圧の周波数を、商用周波数である１３．５６ＭＨｚとすることができた。しかしながら、比較的高価なＨｅガスを要せずに、空気又はＮ₂等の雰囲気では、商用周波数である１３．５６ＭＨｚの交流電圧では大気圧プラズマを生成することができなかった。本実施例では、０〜５０ｋＨｚの比較的低周波数の交流電圧又は直流電圧を一対の電極に印加することで、大気圧プラズマを安定して生成できた。この理由は、低周波数の交流電圧の場合、そのｐｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ電圧を大きくでき、結果としてプラズマの生成に寄与するエネルギーを確保できたからと推測される。
【００５１】
しかも、ワークを１ｃｍ²処理するための処理ガスの供給量を、０．０１ｃｃ〜５０ｃｃとして処理ガスの消費量を低減しながら、しかも高価なＨｅをキャリアガスとして使用せずに、プラズマ生成用電極に印加される交流電圧の周波数を５０ｋＨｚ以下と低周波数にすることで、大気圧又はその近傍の圧力下にて安定してプラズマを生成することができた。
【００５２】
また、本実施例では、プラズマ発生部６０の下流側の処理ガス給気管４０途中に、キャリアガス給気管９０を連結している。この給気管９０に導入されるキャリアガスとしては、Ｎ₂などの不活性ガスとしてもよいが、圧縮空気を導入することもできる。キャリアガスとして圧縮空気を用いた場合、この圧縮空気をプラズマ発生部６０内部に導入すると、この圧縮空気中の酸素が励起されてオゾンが生成されてしまう。このオゾンがＩＣ１０のリードフレーム１２に曝露されると、リードフレーム１２をかえって酸化させてしまう。そこで、本実施例では、プラズマ発生部６０の下流側にて処理ガスにキャリアガスを混合することで、このキャリアガスにより処理ガスをリードフレーム１２に向けて圧送している。
【００５３】
さらに、表面処理ユニット３０の筺体３２内部には、リードフレーム１２に曝露された処理ガスを強制排気するための排気管７０が設けられている。この表面処理ユニット３０内の排気管７０は、図６に示す排気連結管２４と接続される。
【００５４】
さらに、この排気管７０は、トラップ手段の一例である除害装置８０が接続されている。ここで、原料ガスをＣＦ₄とした場合には、この原料ガスがプラズマ発生部６０にて励起されると、下記の通り分解する。
【００５５】
２ＣＦ₄→Ｃ₂Ｆ₆＋Ｆ₂
この分解により生じたフッ素（Ｆ₂）を含む処理ガスが、ＩＣ１０のリードフレーム１２の表面処理に寄与することになるが、その一部は化学反応に寄与せずに排気される。しかし、フッ素（Ｆ₂）は腐蝕ガスであるため、大気中に放出することはできない。この除害装置８０は、排気管７０を介して導入された処理ガス中の上記の腐蝕成分を、吸着あるいは水に溶かすことで除去するものである。
【００５６】
図７の表面処理ユニットを用いた表面処理方法
この第１実施例では、キャリアガスとして圧縮空気を用い、原料ガスとしてハロゲン化合物例えばＣＦ₄を用いている。これらキャリアガス及び原料ガスは、工場内に配置された設備を用いて、表面処理ユニット３０のキャリアガス給気管９０，原料ガス給気管４１にそれぞれ導入される。原料ガス及びキャリアガスは、各給気管４１，９０途中に設けられた流量計４２、９２により流量調整されている。本実施例では、キャリアガスである圧縮空気の流量が２０リットル／ｍｉｎであるのに対し、原料ガスであるＣＦ₄の流量が５０ｃｃ／ｍｉｎとなっている。従って、キャリアガスに対する原料ガスの濃度は、（５０ｃｃ／２０リットル）×１００＝０．２５体積％となっている。なお、原料ガスの濃度は、０．５体積％未満、すなわち１００ｃｃ／ｍｉｎ未満としてもよい。
【００５７】
本実施例では、流量調整された原料ガスであるＣＦ₄のみがプラズマ発生部６０に導入される。プラズマ発生部６０内に設けられた一対の電極６２ａ，６２ｂには、１０〜５０ｋＨｚの比較的低周波数の交流電圧が印加されている。従って、原料ガスであるＣＦ₄が少量であったとしても、しかもプラズマを立ち易くするＨｅガスが大量に存在しなくても、交流化電圧の周期が長くなるため、大気圧またはその近傍の圧力下にて安定してプラズマを生成することができる。
【００５８】
プラズマ発生部６０内では、原料ガスであるＣＦ4_が励起されて分解され、反応性に富むハロゲンであるフッ素Ｆ₂を生成する。また、このプラズマ発生部６０の下流側の処理ガス給気管４０にはキャリアガス給気管９０が連結され、２０リットル／ｍｉｎの比較的大流量のキャリアガスが、生成された処理ガスと混合させることで、この処理ガスがキャリアガスにより圧送されることになる。
【００５９】
表面処理ユニット３０の処理ガス給気管４０より導出された処理ガス及びキャリアガスは、このユニット３０に連結された給気連結管２０を介して、給気部２２よりＩＣ１０の表面に曝露されることになる。これにより、ＩＣ１０のリードフレーム１２が、下記の化学式により表面処理されることになる。
【００６０】
２ＳｎＯ＋２Ｆ₂→２ＳｎＦ₂＋Ｏ₂
ここで、ＳｎＯは、リードフレーム１２表面に存在する酸化物であり、これが処理ガスと接触することで、ハロゲン化合物（ＳｎＦ₂）に置換される。また、ワークであるＩＣ１０がプラズマに晒されることがないため、ＩＣ１０がダメージを受けることもない。
【００６１】
一方、リードフレーム１２に曝露された処理ガス及びキャリアガスと、反応生成物とは、排気連結管２４を介して表面ユニット３０内部に導入されることになる。表面処理ユニット３０では、排気管７０を介して上記のガスを除害装置８０に導いている。
【００６２】
この除害装置８０では、処理ガスが分割されることで生じるＦ₂を吸着または水溶してトラップし、腐食性の強い成分を除去し、残りのガスのみを排気することになる。腐蝕成分を吸着して除去する除害装置としては、関東電化工業株式会社製の乾式排ガス処理装置であるカンデンエフトール（登録商標）を好適に用いることができる。腐蝕成分を水溶して除去する場合には、排気ガスを水中に通過させればよい。
【００６３】
従って、表面処理ユニット３０の除害装置８０を介して外部に配置された処理ガスを、工場に備えられた設備を利用して強制排気したとしても、腐蝕などの汚染を防止することができる。
【００６４】
図９の表面処理ユニットの構造
次に、工場に配置された給排気設備を利用せずに表面処理を行うことのできる表面処理ユニットについて、図９を参照して説明する。
【００６５】
図９に示す表面処理ユニット１００が、図７に示すものと相違する点は、筺体３２に、処理ガスボンベ４４，キャリアガス用の給気ファン８２，排気ファン９４及びそれらのファン駆動部８４，９６をさらに搭載した点である。ファン駆動部８４，９６は共に電源５０に接続される。
【００６６】
処理ガスボンベ４４は、その内部にＣＦ₄などの原料ガスを充填しており、原料ガス給気管４１，流量計４２を介してプラズマ発生部６０に原料ガスを導入可能としている。プラズマ発生部６０に導入される原料ガスの流量は、上述したようにキャリアガスに対して０．５体積％未満の例えば０．２５体積％程度の少量のガスでよいため、一本のガスボンベ４４により多数のＩＣ１０のリードフレーム１２の表面処理を行うことが可能となる。
【００６７】
また、キャリアガス給気管９０の前段にファン９４を配設することで、工場内部の空気を圧縮空気として排気管７０に導入することができる。さらに、除害装置８０の後段に排気ファン８２を増設することで、図６に示す連結排気管２４及び処理ユニット３０内部の排気管７０，除害装置８０を経由して、ＩＣ１０の周囲のガスを強制排気することが可能となる。
【００６８】
この結果、工場に配置された給排気設備を何ら利用しなくても、表面処理ユニット１００に給気及び排気連結管２０，２４を連結するのみにて、ＩＣ１０のリードフレーム１２の表面処理が可能となる。
【００６９】
使用可能な処理ガスについて
プラズマ発生部６０に導入される原料ガスとしては、上述したＣＦ₄等に代表される安定なハロゲン化合物であればよい。ハロゲンあるいはハロゲン化水素は、それ自体反応性が高いが、腐食性を有するので、上記実施例のように、プラズマにより励起して初めて処理ガスとなるフッ素Ｆ₂等に分解され、それ以前では安全なＣＦ₄などのハロゲン化合物を原料ガスとして用いる方が優れている。
【００７０】
原料ガスとして用いるハロゲン化合物として、ヘキサフルオロエタン、パーフルオロプロパン、パーフロオロペンタン等のパーフルオロカーボンの全て、オクタフロオロシクロブタン、テトラフルオロエタン、トリフルオロメタン、モノブロモトリフルオロメタン、テトラクロロメタン、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロジフルオロメタン、クロロトリフルオロメタン、６フッ化硫黄、３フッ化窒素、３塩化ホウ素などを挙げることができる。
【００７１】
なお、本発明の範囲外であるが、上述のハロゲン元素を含むガスに代えて、還元ガスである例えば水素ガスＨ₂を用いることができる。この水素ガスＨ₂をプラズマ発生部６０にて励起して活性化し、その後この処理ガスをリードフレーム１２に曝露させた際の化学反応は下記の通りである。
【００７２】
ＳｎＯ＋Ｈ₂→Ｓｎ＋Ｈ₂Ｏ
この還元ガスＨ₂を用いることで、リードフレーム１２表面に存在する酸化物ＳｎＯが還元され、この結果リードフレーム１２の濡れ性を高めることができた。なお、還元ガスを用いる場合には反応生成物としても腐蝕成分が生じないので、除害装置８０は不要となる。
【００７３】
キャリアガスとして使用できるガスについて
上述の実施例では、キャリアガスとして圧縮空気を用いた。圧縮空気を用いる場合としては、図９の表面処理ユニット１００を用いた場合のように、工場内部の空気を利用できる点で優れている。しかし、空気をキャリアガスとして用いた場合には、これをプラズマ発生部６０に導入するとオゾンが発生し、リードフレーム１２の酸化現象が問題となる。従って、図７または図９に示すように、キャリアガス給気管９０を、プラズマ発生部６０の下流側の処理ガス給気管４０に接続する必要がある。
【００７４】
一方、キャリアガスとして、リードフレーム１２の表面に対して不活性なガスであれば、このキャリアガスをプラズマ発生部６０に導くことも可能である。これらの不活性ガスとしては、比較的安価なチッ素Ｎ₂などを挙げることができる。
【００７５】
また、キャリアガスを用いれば、活性化された処理ガスをワーク１０に向けて圧送できる点で好ましいが、必ずしもキャリアガスを用いなくても良い。この場合にも、ワークを１ｃｍ²処理するための前記処理ガスの供給量を、０．０１ｃｃ〜５０ｃｃと比較的少量の処理ガスを導入するだけで、表面処理に必要な活性化のための大気圧プラズマを安定して生成することができる。
【００７６】
水分の添加について
プラズマ発生部６０内部に、添加物として水を加えると、処理速度が向上することがわかった。水分を添加するには、例えば原料ガスを純水に通過させればよい。水分を添加する理由は下記の通りである。
【００７７】
添加物として水を加えない場合には、例えば原料ガスとしてＣＦ₄を用いた場合には、プラズマ発生部６０中にて下記の反応が生ずる。
【００７８】
２ＣＦ₄→Ｃ₂Ｆ₆＋Ｆ₂
上記反応式中のフッ素Ｆ₂が活性ガスとして化学反応を促進することになる。
【００７９】
一方、添加物として水を加えた場合には、プラズマ発生部６０中にて下記の反応が生ずる。
【００８０】
ＣＦ₄＋２Ｈ₂Ｏ→４ＨＦ＋ＣＯ₂
このように、水を添加した場合には、ＨＦなどの酸の発生を増やすことができ、これにより表面処理速度が向上すると考えられる。
【００８１】
添加物として水を加えた場合には、単に処理速度を向上させることに限らず、プラズマ発生部６０中でのオゾンの発生を抑制することができる。
【００８２】
このオゾンの発生量（％）と湿度との関係は、下記の表１の通りである。ただし、表１におけるオゾン発生量とは、乾燥空気のオゾン発生量を１００％とした時の値である。
【００８３】
【表１】

このように、添加物として水を加えると、プラズマ発生部６０内部でのオゾンの発生を抑制でき、これによりリードフレーム１２の酸化を防止することが可能となる。
【００８４】
なお、この水の添加に関しては、図１，２に示す熱分解、光分解の場合にも、上述の放電による分解と同様に有効である。
【００８５】
プラズマ発生部を持たない表面処理ユニット
次に、図５の方式による表面処理装置及びその方法について、図１１を参照して説明する。
【００８６】
図１１は、装置全体の構成を示すもので、図６の場合と同様に、給気連結管２０及び排気連結管２４が接続された表面処理ユニット１１０が設けられている。この表面処理ユニット１１０は、１つの筺体１１２の内部に、キャリアガス給気管１２０，液体収容部１３０，排気管１４０及び除害装置１５０を有している。
【００８７】
キャリアガス給気管１２０として、液体収容部１３０の上流側の第１のキャリアガス給気管１２０ａと、液体収容部１３０の下流側の第２のキャリアガス給気管１２０ｂと、第１，第２のキャリアガス給気管同士を連結する第３のキャリアガス給気管１２０ｃを有している。
【００８８】
液体収容部１３０の内部には、ＨＦ、ＨＣｌなどのハロゲン化水素の水溶液が収容されている。第１のキャリアガス給気管１２０ａを介して液体収容部１３０内部に導入された例えばＮ₂などのキャリアガスは、その液体と接触することで、酸性に富んだ処理ガスとされる。この処理ガスは、第２のキャリアガス給気管１２０ｂを介して液体収容部１３０から排出されると共に、第３のキャリアガス給気管１２０ｃからのキャリアガス自体の圧力により圧送され、表面処理ユニット１１０の外部に導出されることになる。
【００８９】
この酸性に富んだ処理ガスは、図１０に示す給気連結管２０，給気部２２を介して、ＩＣ１０のリードフレーム１２に曝露されることになる。これにより、リードフレーム１２の表面は、下記の化学反応により表面処理されることになる。
【００９０】
処理ガスとしてフッ化水素ＨＦを用いた場合には、下記の化学式に従い表面処理がなされる。
【００９１】
ＳｎＯ＋２ＨＦ→ＳｎＦ₂＋Ｈ₂Ｏ
処理ガスとして、塩化水素Ｈｃｌを用いた場合には、下記の化学式に従い表面処理が成される。
【００９２】
ＳｎＯ＋２ＨＣｌ→ＳｎＣｌ₂＋Ｈ₂Ｏ
なお、本発明の範囲外ではあるが、液体収容部１３０の内部にＨ₂ＮＯ₃などの酸性液体、あるいはアンモニア水などの塩基性液体を収容することもできる。硝酸Ｈ₂ＮＯ₃を用いた場合には、下記の化学式により表面処理がなされる。
【００９３】
ＳｎＯ＋Ｈ₂ＮＯ₃→ＳｎＮＯ₃＋Ｈ₂Ｏ
この他、液体収容部１３０にシュウ酸などの他の酸性気体を収納することもできる。
【００９４】
液体収容部１３２塩基性液体例えばアンモニア水を収容した場合には、下記の化学式に従い表面処理がなされる。
【００９５】
ＳｎＯ＋ＮＨ₃＋２Ｈ₂Ｏ→ＮＨ⁴⁺［Ｓｎ（ＯＨ）₃］^-
一方、リードフレーム１２に曝露された処理ガスは、排気連結管２４を介して表面処理ユニット１１０内部に導入されることになる。ここで、上述の酸性又は塩基性に富んだ処理ガスは、それ自体が腐食性ガスであり、これを大気中に放出することはできない。そこで、この表面処理ユニット１１０内部では、排気管１４０を介して除害装置１５０に処理ガスを導き、この除外装置１５０にて処理ガス中の上記の腐蝕成分を除外することになる。
【００９６】
なお、図１１に示す表面処理ユニット１１０の場合も、図９に示す場合と同様に、工場内の給排気設備を用いない構成、すなわち、給気ファン、排気ファン及びそれらを駆動するファン駆動装置を筺体１１２内部に増設することもできる。
【００９７】
表面処理ユニットの各種タイプについて
次に、上述した表面処理ユニット３０，１００及び１１０の形状もしくはそれらに連結される給気連結管２０、排気連結管２４の形状を変更した各種タイプについて、図１２以降を参照して説明する。
【００９８】
（１）ラインタイプ
図１２及び図１３に示すラインタイプの表面処理ユニット１６０は、コンベアライン１４により搬送される例えば板状のワーク５００と対向する上方位置に、設けられている。この表面処理ユニット１６０は、筺体１６１の下部に給排気部１６２を備えている。この給排気部１６２は、給気管１６４及び排気管１６６にて二重管構造を構成している。本実施例では、中心部に給気管１６４を配置し、その周囲に排気管１６６を配置し、排気管１６６の下端部は、傘状に広がる形状となっている。
【００９９】
コンベアライン１４によりワーク５００が間欠的にあるいは連続的に搬送されると、このワーク５００が表面処理ユニットの給排気部１６２と対向することで、ワーク５００の表面が表面処理されることになる。これにより、表面処理ユニット１６０を固定しながらも、ワーク５００の全面について、多数のワーク５００を連続的に表面処理することが可能となる。
【０１００】
（２）スタンドタイプ
図１４に示すスタンドタイプの表面処理ユニット２００は、載置可能な底面を有する筺体２０１を有している。この筺体２０１内部には、上述した通り原料ガス、及び／又はキャリアガスが導入され、除害装置を経由して排気ガスが排気される。この筺体２０１には、上方に伸びる給気連結管２１０及び排気連結管２３０が設けられている。給気連結管２１０は屈曲され、下端にて開口する給気部２２０を有する。この給気部２２０の周囲には、処理ガスの拡散を防止するための傘状の拡散防止板２２２が設けられている。一方、排気連結管２３０は、拡散防止板２２２と対向する位置に、上方に向かうに従い開口面積の増大する傘状の排気吸引部２４０が形成されている。
【０１０１】
そして、図１４及び図１５に示すとおり、ワークとして例えば端部の被覆材がはがされた線材２５０の先端部を表面する処理に際して、この線材２５０の予めメッキ処理された先端部２５２を給気部２２０の直下の位置に配置する。こうすると、給気部２２０より導出される処理ガスにより線材２５０の先端部２５２が表面処理され、その曝露された処理ガスは排気吸引部２４０及び排気連結管２３０を介して筺体２０１内の除害装置に導かれることになる。
【０１０２】
このように、スタンドタイプの表面処理ユニット２００を用いることで、空気中に局所的な処理ガスの雰囲気を作ることができ、線材２５０などのワークを容易に表面処理することが可能となる。
【０１０３】
（３）棒状タイプについて
図１６及び図１７に示す実施例は、表面処理ユニット３００自体を、例えば半田ごてのような筒状の筺体３０１にて構成したものである。この筺体３０１に連結された給気連結管３１０及び排気連結管３２０は二重管構造となっており、内側の給気連結管３１０により処理ガスがワーク５００に向けて導出され、外側の排気連結管３２０よりその曝露された処理ガスが筺体３０１内部に導かれる。排気連結管３２０の先端部は、排気領域を拡大する観点から、図１６及び図１７に示すとおり、傘状に広がる形状とすることが好ましい。
【０１０４】
このように、表面処理ユニット３００自体を棒状タイプに構成すれば、この表面処理ユニット３００自体を手で操作して、各種ワークの表面処理を行うことが可能となる。
【０１０５】
（４）トースタータイプ
図１８及び図１９に示す表面処理ユニット４００は、筺体４０１の一面例えばその上面に、板状のワーク５００を挿入できるスリット状の挿入部４１０を有している。このスリット状の挿入部４１０には排気管４２０が連結されている。一方、スリット状の挿入部４１０の例えば両側壁には、該側壁にて一端が開口する処理ガス給気管４３０、キャリアガス給気管４４０がそれぞれ設けられている。
【０１０６】
この構成によれば、板状のワーク５００を、筺体４０１の上面に設けられたスリット状の挿入部４１０内部に挿入することで、このワーク５００の両面より処理ガスが吹き付けられ、板状のワーク５００の両面を同時に表面処理することが可能となる。なお、ワーク５００の片面のみが表面処理されるものにあっては、処理ガス給気管４３０をスリット状の挿入部４１０の一方の側壁のみに開口させればよい。
【０１０７】
（５）バッチ処理タイプ
図２０は、多数のワークをバッチ式で処理する装置を示している。この装置は、上述の表面処理ユニット３０（又は１００又は１１０）に接続された給気連結管２０及び排気連結管２４を、バッチ処理ボックス４５０に連結している。このバッチ処理ボックス４５０は、内部に多数のワーク５１０を収容するものである。バッチ処理されるワーク５１０としては、上述のＩＣ１０、線材２５０、板状のワーク５００の他、例えばロール状に巻回されたＴＡＢテープであってもよい。
【０１０８】
このバッチ処理タイプによれば、一度に多数のワーク５１０を表面処理することが可能となる。なお、本発明の処理方法に表面処理されたワークは、改善されたその半田の濡れ性を、表面処理後比較的長い時間維持することができるため、バッチ処理後半田付けまでワークをストックしておいても、良好な半田付けを行うことができる。
【０１０９】
【実施例】
次に、本発明方法により表面処理されたワークの半田の濡れ性を評価するための実験結果について、表２，表３を参照して説明する。
【０１１０】
水晶発振子の電極に銀を蒸着した日から１３日後に、該水晶発振子の電極に半田付けされる線材の先端を各種条件下にて表面処理し、同日に半田付け（マウント）した時の、半田の流れ評価を下記の表２に示す。
【０１１１】
【表２】

ここで、条件１は表面処理の無い場合であり、条件２〜６及び８はいずれも原料ガスにＣＦ₄（５０ｃｃ／ｍｉｎ）、キャリアガスにＮ₂（２０リットル／ｍｉｎ）を用い、ＣＦ₄は純水を通過させて水分を添加した。条件７は、原料ガスは条件２などと同じとし、キャリアガスに圧縮空気（２０リットル／ｍｉｎ）を用いた。プラズマ生成条件として、条件２ではパワーを５０〜９０Ｗと比較的低パワーとし、条件３〜８では２５０Ｗとした。
【０１１２】
上記の表２にて時間は９ｃｍの長さをスキャンしたトータル時間を示している。また、マウント条件は、半田付け時の半田ごての本電圧及び予備電圧を示している。
【０１１３】
表２に示すとおり、表面処理をしていない条件１と比較すると、条件２〜８でいずれも半田の流れ結果は向上しており、特にキャリアガスにＮ₂を用いた条件２〜６及び８ではきわめて良好な結果が得られた。
【０１１４】
表２中の条件３での表面処理を行ったものと、表面処理をしていないもとについて、それぞれマウント数量を増やして半田の流れ不良及びマウント後の水晶発振子の電気的特性とを評価した結果を、下記の表３に示す。
【０１１５】
【表３】

表３中の周波数ｆ₀は水晶発振子の発振周波数を示し、条件１，３が処理無しのもの、条件２，４が表面処理有りのものをそれぞれ示す。なお、条件１，２では、水晶発振子の電極に銀を蒸着した日から１４日後に、該水晶発振子の電極に線材を半田付け（マウント）した。条件２の表面処理工程は、マウント工程の２日前に実施した。条件３，４では、水晶発振子の電極に銀を蒸着した日から１７日後に、該水晶発振子の電極に線材を半田付け（マウント）した。条件４の表面処理工程は、マウント工程の２日前に実施した。
【０１１６】
条件１と２との比較、条件３と４との比較から明らかなように、表面処理を実施した方が、半田流れ不良率及び電気特性不良率が共にほぼ半減していることが分かる。
【０１１７】
＜比較例１＞
図３の方式は、ハロゲン化合物が一対の電極間での放電により分解されたハロゲン又はハロゲン化水素を処理ガスとして用いるものであり、被処理体は直接プラズマに晒されない間接放電処理である。一方、一対の電極の一方に被処理体を載置し、被処理体をプラズマに直接晒して処理する直接放電処理は公知である。
【０１１８】
下記の表４は、本実施例の間接放電処理を、公知の直接放電処理と、いずれの処理も行われない未処理のものとに対して、半田の濡れ性の良否を比較したものである。なお、本実施例の間接放電処理では、原料ガスＣＦ₄を５００ｃｃ／ｍｉｎ、キャリアガスＮ₂を２０リットル／ｍｉｎで供給した。直接放電処理では、原料ガスＣＦ₄を５００ｃｃ／ｍｉｎ、プラズマ生成用ガスＨｅを２０リットル／ｍｉｎで供給した。
【０１１９】
【表４】

表４から明らかなように、本実施例の間接放電処理では不良率が格段に低下していることが分かる。ここで、間接放電処理での不良原因は、全て半田の流れ過ぎによるもので、半田の濡れ性が向上していることでは良品と変わりはない。
【０１２０】
これに対して、上記の実験結果によると、直接放電処理では、半田流れが不良となる不良率が、未処理の場合よりも２０％低下しただけであった。この理由は下記の通りと考えられる。その一つは、被処理体のリード先端部分に強い放電が生じ、部分的にしか処理されないことである。他の一つは、電極間ギャップが数ｍｍと狭い直接放電処理では、被処理体のセット状態のばらつきにより、プラズマの状態が変化するからである。プラズマ強度が大きすぎると、被処理体が変色し、半田の流れは不良となる。
【０１２１】
＜比較例２＞
上述した各実施例では、処理ガスとしてハロゲン又はハロゲン化水素を含む処理ガスを用いているが、プラズマ発生部にて発生した例えばフッ素ラジカル等の活性種を、プラズマ発生部外に配置した被処理体に導いて処理する方式も知られている。ただし、活性種はその寿命があるため、本実施例の間接放電処理と比較すると、プラズマ発生部から被処理体までの距離を大きくすることはできない。
【０１２２】
プラズマ発生部に連結される処理ガス供給管として、一般に配管チューブとして知られている１／４径サイズ（外径６．３５ｍｍ、内径３．１７ｍｍ）を使用した場合、原料ガス供給流量とチューブ断面積とから、処理ガスの流速を求めてみた。原料ガスの供給流量を１００ｃｃ／ｍｉｎとした場合、処理ガスの流速は２１．１２ｃｍ／ｓとなる。フッ素ラジカルの寿命は、１／１０００ｓ以下であるので、プラズマ発生部から０．０２１１ｃｍ離れた位置で消滅する。原料ガスの供給流量を３０ｃｃ／ｍｉｎとした場合には、処理ガスの流速は６．３３５ｃｍ／ｓとなり、プラズマ発生部から０．００６３ｃｍ離れた位置で消滅する。
【０１２３】
これに対して、上述した各実施例では、処理ガスとしてハロゲン又はハロゲン化水素を含む処理ガスを用いているので、処理ガス生成用容器より十分に離れた位置に被処理体をおいても処理が可能である。
【０１２４】
【図面の簡単な説明】
【図１】熱分解により処理ガスを生成する装置を模式的に示す本発明の実施例の概略説明図である。
【図２】光分解により処理ガスを生成する装置を模式的に示す本発明の実施例の概略説明図である。
【図３】放電による分解により処理ガスを生成する装置を模式的に示す本発明の実施例の概略説明図である。
【図４】電気分解により処理ガスを生成する装置を模式的に示す本発明の実施例の概略説明図である。
【図５】液体との接触により処理ガスを生成する装置を模式的に示す本発明の実施例の概略説明図である。
【図６】本発明の実施例に係る表面処理装置の全体構成を示す概略説明図である。
【図７】図６に示す表面処理ユニットの内部構成を示す概略説明図である。
【図８】図７示すプラズマ発生部の構成を示す概略説明図である。
【図９】表面処理ユニットの他の実施例を示す概略説明図である。
【図１０】処理ガスを直接にワークに向けて導出する実施例を示す概略説明図である。
【図１１】表面処理ユニットのさらに他の実施例を示す概略説明図である。
【図１２】表面処理ユニツトによりラインタイプの処理装置を構成した実施例を示す概略説明図である。
【図１３】図１２に示す表面処理ユニットの給排気部を示す概略断面図である。
【図１４】表面処理ユニツトによりスタンドタイプの処理装置を構成した実施例を示す概略説明図である。
【図１５】図１４に示す表面処理ユニットの給排気部を示す概略断面図である。
【図１６】表面処理ユニツトにより棒状タイプの処理装置を構成した実施例を示す概略説明図である。
【図１７】図１６に示す表面処理ユニットの給排気部を示す概略断面図である。
【図１８】表面処理ユニツトによりトースタータイプの処理装置を構成した実施例を示す概略説明図である。
【図１９】図１８に示す表面処理ユニットの給排気部を示す概略断面図である。
【図２０】表面処理ユニツトによりバッチ処理タイプの処理装置を構成した実施例を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１ 処理ガス生成用容器
２ 処理ガス供給管
３ 原料ガス供給管
４ 加熱器
５ ＵＶランプ
６ プラズマ発生部
７ 仕切板
８ａ，８ｂ 電極
９ キャリアガス供給管
１０、２５０、５００、 ワーク
２０、２１０、３１０ 給気連結管
２４、２３０、３２０ 排気連結管
３０、１００、１１０、１６０、２００、３００、４００ 表面処理ユニット
３２、１１２、１６１、２０１、３０１、４０１ 筺体
４０、１６４、４３０ 処理ガス給気管
４２、９２ 流量計
４４ ガスボンベ
５０ 電源
６０ プラズマ発生部
６２ａ、６２ｂ 電極
７０、１４０、１６６、４２０ 排気管
８０、１５０ 除害装置
８２ 排気ファン
９０、１２０ キャリアガス給気管
９４ 給気ファン
１３０ 液体収容部

Claims (13)

1. 水分を含む雰囲気中にてハロゲン化合物を分解してハロゲン化水素を含む処理ガスを生成する工程と、
   前記処理ガスを被処理体の表面に接触させ、前記被処理体の表面を処理する工程と、
   を有することを特徴とする表面処理方法。
2. 請求項１において、
   大気圧又はその近傍の圧力下で、前記原料ガスを５０ｋＨｚ以下の低周波数の交流電圧又は直流電圧が印加される一対の電極により励起して分解することを特徴とする表面処理方法。
3. 請求項１または２において、
   前記処理ガスを、キャリアガスにより圧送して、前記被処理体に接触させることを特徴とする表面処理方法。
4. 請求項３において、
   前記ハロゲン化合物の分解工程後に、前記処理ガスに前記キャリアガスを混合することを特徴とする表面処理方法。
5. ハロゲン化水素の水溶液にキャリアガスを接触させて、ハロゲン化水素の液体を含む処理ガスを生成する工程と、
   前記処理ガスを被処理体の表面に接触させ、前記被処理体の表面を処理する工程と、
   を有することを特徴とする表面処理方法。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   前記被処理体に向けて供給された前記処理ガス及び反応生成物を強制排気する工程と、
   排気途中にて、前記処理ガス又は前記反応生成物をトラップする工程と、
   をさらに有することを特徴とする表面処理方法。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記処理ガスを前記被処理体の表面に接触させて、前記被処理体の表面の酸化物をハロゲン化合物に置換して、前記表面での半田の濡れ性を向上させることを特徴とする表面処理方法。
8. 被処理体の表面を処理する表面処理装置において、
   ハロゲン化合物を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
   水分を含む雰囲気中にて前記ハロゲン化合物を放電により分解して、ハロゲン化水素を含む処理ガスを生成する処理ガス生成手段と、
   前記処理ガスを前記処理ガス生成手段より前記被処理体の前記表面に導く処理ガス供給手段と、
   を有することを特徴とする表面処理装置。
9. 請求項８において、
   前記処理ガス生成手段は、
   ５０ｋＨｚ以下の低周波数の交流電圧又は直流電圧を出力する電源と、
   前記電圧が印加される一対の電極を備え、大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズマを誘起するプラズマ発生部と、
   を有することを特徴とする表面処理装置。
10. 請求項８または９において、
    前記原料ガス供給手段に接続され、前記原料ガスに混合されるキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段をさらに有することを特徴とする表面処理装置。
11. 請求項８乃至１０のいずれかにおいて、
    前記処理ガス供給手段に接続され、前記処理ガスに混合されるキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段をさらに有することを特徴とする表面処理装置。
12. ハロゲン水素を含む水溶液にキャリアガスを接触させて、ハロゲン化水素を含む処理ガスを生成する処理ガス生成手段と、
    前記処理ガスを前記処理ガス生成手段より前記被処理体の前記表面に導く処理ガス供給手段と、
    を有することを特徴とする表面処理装置。
13. 請求項８乃至１２のいずれかにおいて、
    前記被処理体に向けて供給された前記処理ガス及び反応生成物を強制排気する排気手段と、
    排気途中にて、前記処理ガス又は前記反応生成物をトラップするトラップ手段と、
    をさらに有することを特徴とする表面処理装置。

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