JP3796241B2 - 混成集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
実験によれば、Niヒゲの発生率は、研摩方法によって大きく異なるため、ブラシの毛足の線径を0.45mm、長さを14〜24mmとし、その回転数を500〜1500回/分とした。図5のようにNi厚Xに対して庇のはみ出し長さYを色々と変化させて実験してみた。例えば5μmの膜厚に対し、10〜1まで約1μmずつ変化させた結果、4μm程度からそれ以下のものは、Niヒゲが殆ど発生しないことが判った。特に2μm、1μmでは全く発生しなかった。
続いてこの庇の製造方法について説明する。
まずAl金属基板(10)を用意し、その表面を陽極酸化して酸化アルミニウム(12)を形成し、エポキシ系の樹脂(13)を成膜した後、この樹脂の接着性を利用して、全面にCu箔(14)をプレス接着し、更にこの全表面にNi層(15)をメッキにより成膜している。(以上図2参照)
続いて、ホトリソグラフィ技術により、導電路(11)を形成する領域にホトレジスト(20)を成膜し、被エッチング面に常時新しいエッチャントが供給されるようにしてウェットエッチングする。この新しいエッチャントを被エッチング面に供給すると同時に、反応物を取り除くためにエッチャントに流れを与える方式を、ここでは強制供給法と仮称する。この方法は、シャワー、液層内を循環させる方法等色々考えられ、ここでエッチャントは塩化第2鉄であり、強制循環方式としてシャワーを採用した。塩化第2鉄のエッチングレートRは、R(Cu)>R(Ni)であるため、図5にも示したような庇(16)ができた状態で第1の導電路(14)と第2の導電路(15)が形成される。(以上図3参照)
続いて、塩化第2鉄が満たされた槽(21)の中に前記基板をディップする工程がある。
図3において、周辺にダムを形成した状態で、シャワー式エッチングを行い、図のように完全にエッチングできたなら、シャワーを止める。止まるとダムがあるために、エッチャントが溜ったディップ状態と成り、Niのみ選択的にエッチングできる。これは、例えば自動ラインで、コンベヤー式に基板が流れ、シャワー室を通過した後、ディップ法に移る場合、設備の必要もなく簡単に達成できるものである。
11 導電路
14 第1の導電路
15 第2の導電路
16 庇
31 突起
Claims (4)
- 少なくとも表面が絶縁性を有する基板と、この基板に所定の回路を達成するための導電路と、この導電路と電気的に接続された半導体チップとを少なくとも有する混成集積回路装置であって、
前記導電路は、下層に設けられるCuより成る第1の導電路と、この上層に被着されて前記第1の導電路よりも薄いNiメッキよりなる第2の導電路から成り、
前記第1の導電路からはみ出す前記第2の導電路により庇が形成され、
前記庇がはみ出す距離をYとし、前記第2の導電路の厚みをXとした場合、Y/X≦1の関係が成り立ち、
前記第2の導電路の表面は、前記庇が形成された状態で、ブラッシングされることを特徴とする混成集積回路装置。 - 前記第2の導電路の厚みは10μm以下であることを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
- 基板の表面にCuより成る第1の金属層を積層させる工程と、
前記第1の金属層に、前記第1の金属層よりも薄いNiメッキよりなる第2の金属層を積層させる工程と、
前記第1の金属層および前記第2の金属層をエッチングすることにより、下層の第1の導電路と上層の第2の導電路とから成る導電路を形成する工程と、
前記第2の導電路をブラッシングする工程と、を具備し、
前記導電路を形成する工程では、前記第1の導電路からはみ出す前記第2の導電路により庇が形成され、
前記庇がはみ出す距離をYとし、前記第2の導電路の厚みをXとした場合、Y/X≦1の関係が成り立ち、
前記ブラッシングする工程では、前記庇が形成された状態で前記第2の導電路をブラッシングすることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。 - 前記導電路を形成する工程では、
前記第1の導電路および前記第2の導電路は、流れを持って供給されるエッチャントによりエッチングされて形成され、
更に、静止した状態のエッチャントに前記基板を浸漬させて、前記エッチャントと前記第1の導電路とが化合した保護膜により、前記第1の導電路を保護した状態で、前記第2の導電路をエッチングし、前記庇を短くすることを特徴とする請求項3記載の混成集積回路装置の製造方法。
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