JP3782329B2 - 熱的処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体ウエハ等の基板に層間絶縁膜等の膜を形成するために用いられる熱的処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、SOD(spin on dielectric)システムを用いて、層間絶縁膜等の誘電体膜を形成することが行われている。このSODシステムにおいては、例えば、ゾル−ゲル法、シルク法、スピードフィルム法、フォックス法等により、半導体ウエハ上に塗布膜をスピンコートし、化学的処理または加熱処理等を施して所定の膜を形成している。このうち、シルク法、スピードフィルム法、フォックス法により層間絶縁膜等を形成する際には、冷却した半導体ウエハに塗布液を塗布した後に所定温度に加熱して塗布液に含まれる揮発成分等を除去し、一旦冷却して別の加熱処理ユニットへ搬送した後に、そこで低酸素濃度雰囲気下において先の加熱処理温度よりも高い温度に加熱して塗布膜を硬化(キュア)させ、層間絶縁膜等が形成される。こうして硬化処理が終了した半導体ウエハは所定温度まで冷却されて、次の処理工程へ送られる。
【0003】
例えば、硬化処理は所定温度に保持されたホットプレート上に半導体ウエハを載置することによって行われ、硬化処理の終了後には半導体ウエハは冷却プレートへ搬送されてそこで冷却される。このような一連の熱的処理において、半導体ウエハの温度が高くなっている状態で酸素濃度が大きくなると、形成される層間絶縁膜等の誘電率が大きくなるという問題が生ずる。このため、ホットプレートが配置された処理室と冷却プレートが載置された処理室には、それぞれ窒素ガス等の不活性ガスが所定量供給され、半導体ウエハの周囲の酸素濃度が、例えば、10ppmといった低濃度に保持されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ホットプレートが配置された処理室と冷却プレートが載置された処理室とは開閉可能なシャッター等によって隔離されていたために、これらの処理室間で半導体ウエハを搬送する際には、シャッター等の動作によって一時的に処理室内の酸素濃度が高くなる場合があり、このために半導体ウエハは酸素濃度が高い雰囲気に晒されて、層間絶縁膜等の特性が低下する問題がある。
【0005】
また、塗布液が塗布された半導体ウエハを、塗布膜の状態に応じて設定温度の異なるホットプレートが配置された複数の加熱処理ユニットによって処理していることから、加熱と冷却を複数回繰り返す必要があり、しかも半導体ウエハの搬送に時間を要するために、半導体ウエハ1枚あたりの処理時間が長くなり、スループットが低いという問題がある。
【0006】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、酸素濃度の変化等の雰囲気変化がない状態で基板の熱的処理を行うことができる熱的処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は、処理温度の異なる熱的処理を1個の熱的処理ユニットで行うことができる熱的処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明によれば、基板に所定の熱的処理を施す熱的処理装置であって、基板を所定温度で加熱処理する加熱処理部と、前記加熱処理部と連通し、基板を所定温度に冷却処理する冷却処理部と、その内部に前記加熱処理部と前記冷却処理部とを水平方向に隣り合わせて保持する1個の筐体と、前記冷却処理部と前記加熱処理部との間で基板を搬送する基板搬送手段と、を具備し、前記加熱処理部は、前記冷却処理部の真横に位置して前記冷却処理部との間で前記基板搬送手段による基板の搬入出が行われる上段部と、前記上段部の下方に上部から下部へ向かうにしたがって基板を処理する温度が高くなるように設けられた中段部および下段部と、前記中段部を通って前記上段部と前記下段部との間で基板を昇降させる基板昇降手段と、を有していることを特徴とする熱的処理装置、が提供される。
【0008】
また、本発明によれば、基板に所定の熱的処理を施す熱的処理装置であって、基板を冷却処理する冷却プレートと、基板を加熱処理するホットプレートと、前記冷却プレートの温度以上前記ホットプレートの温度以下の温度範囲において基板を加熱または冷却処理する中間熱処理部と、前記中間熱処理部を通って前記冷却プレートと前記ホットプレートとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、を具備し、前記中間熱処理部は前記基板搬送手段によって搬送される基板の外側に位置するように設けられたヒータを有することを特徴とする熱的処理装置、が提供される。
【0009】
このような熱的処理装置においては、基板の冷却処理を行う冷却処理部と加熱処理を行う加熱処理部とが1個の筐体内に設けられていることから、酸素濃度の変化等のガス雰囲気変化がない状態で基板の熱的処理(加熱処理および冷却処理をいう)を行うことができる。こうして、良好な特性を有し、かつ、特性のばらつきの少ない層間絶縁膜等を基板に形成することが可能となる。
【0010】
また、本発明の熱的処理装置は、冷却プレートの温度とホットプレートの温度の間の温度範囲における任意の温度での熱的処理が可能となる。つまり、処理温度の異なる熱的処理を1台の熱的処理装置を用いて連続的に行うことが可能となる。これによって、設定温度の異なるホットプレートがそれぞれ配置された加熱処理ユニット間で基板を搬送する必要がなくなり、処理時間を短縮してスループットを向上させることができる。さらに、基板をホットプレートに搬送する間に基板が徐々に加熱または冷却されるために、基板への熱衝撃が小さくなり、基板へのダメージを低減することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてさらに具体的に説明する。ここでは、半導体ウエハに層間絶縁膜等の塗布膜を形成するために用いられ、本発明の熱的処理装置の一実施形態である硬化処理ユニット(DLC)が搭載された塗布膜形成装置(SODシステム)を例として、図面を参照しながら説明する。
【0012】
図1は上記SODシステムの平面図であり、図2は図1に示したSODシステムの側面図であり、図3は図1に示したSODシステム内に装着された処理ユニット群の側面図である。
【0013】
このSODシステムは、大略的に、処理部1と、サイドキャビネット2と、キャリアステーション(CSB)3とを有している。処理部1には、図1および図2に示すように、手前側上部に塗布処理ユニット(SCT)11・12が設けられている。また、塗布処理ユニット(SCT)11・12の下方には薬品等を内蔵したケミカル室13・14が設けられている。
【0014】
処理部1の中央部には、図1および図3に示すように、複数の処理ユニットを多段に積層してなる処理ユニット群16・17が設けられ、これらの間に、昇降して半導体ウエハ(ウエハ)Wを搬送するためのウエハ搬送機構(PRA)18が設けられている。
【0015】
ウエハ搬送機構(PRA)18は、Z方向に延在し、垂直壁51a・51bおよびこれらの間の側面開口部51cを有する筒状支持体51と、その内側に筒状支持体51に沿ってZ方向に昇降自在に設けられたウエハ搬送体52とを有している。筒状支持体51はモータ53の回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送体52も一体的に回転されるようになっている。
【0016】
ウエハ搬送体52は、搬送基台54と、搬送基台54に沿って前後に移動可能な3本のウエハ搬送アーム55・56・57とを備えており、ウエハ搬送アーム55・56・57は、筒状支持体51の側面開口部51cを通過可能な大きさを有している。これらウエハ搬送アーム55・56・57は、搬送基台54内に内蔵されたモータおよびベルト機構によりそれぞれ独立して進退移動することが可能となっている。ウエハ搬送体52は、モータ58によってベルト59を駆動させることにより昇降するようになっている。なお、符号40は駆動プーリー、41は従動プーリーである。
【0017】
左側の処理ユニット群16は、図3に示すように、その上側から順に低温用のホットプレートユニット(LHP)19と、2個の硬化(キュア)処理ユニット(DLC)20と、2個のエージングユニット(DAC)21とが積層されて構成されている。また、右側の処理ユニット群17は、その上から順に2個のベーク処理ユニット(DLB)22と、低温用のホットプレートユニット(LHP)23と、2個のクーリングプレートユニット(CPL)24と、受渡ユニット(TRS)25と、クーリングプレートユニット(CPL)26とが積層されて構成されている。なお、受渡ユニット(TRS)25は、クーリングプレートの機能を兼ね備えることが可能である。
【0018】
サイドキャビネット2は、薬液を供給するためのバブラー(Bub)27と、排気ガスの洗浄のためのトラップ(TRAP)28とを有している。また、バブラー(Bub)27の下方には、電力供給源(図示せず)と、HMDS(ヘキサメチルジシラン)等の薬液やアンモニアガス(NH3)等のガスを貯留するための薬液室(図示せず)と、SODシステムにおいて使用された処理液の廃液を排出するためのドレイン31とが設けられている。
【0019】
上記のように構成されたSODシステムにおいて、例えば、ゾル−ゲル法により層間絶縁膜等を形成する場合には、クーリングプレートユニット(CPL)24・26→塗布処理ユニット(SCT)11・12→エージングユニット(DAC)21→→低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23→ベーク処理ユニット(DLB)22の順序により層間絶縁膜等が形成される。
【0020】
また、シルク法およびスピードフィルム法により層間絶縁膜等を形成する場合の第1の方法は、クーリングプレートユニット(CPL)24・26→塗布処理ユニット(SCT)11・12(アドヒージョンプロモータの塗布)→低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23→塗布処理ユニット(SCT)11・12(本薬液の塗布)→低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23→ベーク処理ユニット(DLB)22→硬化処理ユニット(DLC)20の順序により層間絶縁膜等を形成する方法である。
【0021】
シルク法およびスピードフィルム法により層間絶縁膜等を形成する場合の第2の方法は、クーリングプレートユニット(CPL)24・26→塗布処理ユニット(SCT)11・12(アドヒージョンプロモータの塗布)→低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23→塗布処理ユニット(SCT)11・12(本薬液の塗布)→硬化処理ユニット(DLC)20の順序により層間絶縁膜等を形成する方法である。
【0022】
さらに、フォックス法により層間絶縁膜等を形成する場合の第1の方法は、クーリングプレートユニット(CPL)24・26→塗布処理ユニット(SCT)11・12→低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23→ベーク処理ユニット(DLB)22→硬化処理ユニット(DLC)20の順序により層間絶縁膜等を形成する方法であり、第2の方法は、クーリングプレートユニット(CPL)24・26→塗布処理ユニット(SCT)11・12→硬化処理ユニット(DLC)20の順序により層間絶縁膜等を形成する方法である。なお、これら各種の方法によって形成される層間絶縁膜等の材質には制限はなく、有機系、無機系およびハイブリッド系の各種材料を用いることが可能である。
【0023】
次に、硬化処理によって層間絶縁膜等を形成する場合に用いられる硬化処理ユニット(DLC)の構造について詳細に説明する。図4は硬化処理ユニット(DLC)20の一実施形態の概略構造を示す断面図であり、図5は硬化処理ユニット(DLC)20における給排気形態を示した説明図(上段:平面図、下段:側面図)である。硬化処理ユニット(DLC)20は冷却処理部33と加熱処理部43とを有しており、冷却処理部33と加熱処理部43は互いに連通し、1個の筐体20a内において水平方向に隣り合うようにして設けられている。
【0024】
冷却処理部33には冷却プレート34が配置され、加熱処理部43にはホットプレート45と、ヒータ44と、加熱処理部43内でウエハWを水平姿勢で昇降させる昇降機構46とが配置されている。また、筐体20a内には、冷却処理部33と加熱処理部43との間でウエハWを移動させる搬送機構61が設けられている。
【0025】
筐体20a内のガス雰囲気を一定に保持する雰囲気調整機構として、筐体20aには筐体20a内に窒素ガス等の不活性ガスを導入する2本のガスインジェクタ49aと、筐体20a内のガスを排気する排気口49bとが設けられている。このような雰囲気調整機構によって、筐体20a内の雰囲気は、冷却処理部33と加熱処理部43で一定に保たれる。例えば、筐体20a内の酸素濃度は筐体20a内のどの部分においても10ppmに保持することができる。なお、筐体20a内の酸素濃度を正確に制御するために、筐体20aに酸素ガス等の活性ガスを導入する給気口を設けてもよい。
【0026】
冷却プレート34の表面にはウエハWの裏面に当接してウエハWを支持する支持ピン34aが複数設けられており、加熱処理部43において加熱処理されたウエハWを冷却プレート34上に載置することで、ウエハWを所定温度まで冷却させることができる。また、ウエハ搬送アーム55・56・57が、例えば、図4の紙面に垂直な方向において冷却プレート34にアクセス可能となっており、ウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかによって硬化処理を行うウエハWが冷却プレート34に搬入され、逆に硬化処理が終了したウエハWが冷却プレート34からウエハ搬送アーム55・56・57によって搬出される。
【0027】
加熱処理部43は、大別して上段部43aと中段部43bと下段部43cの3つのゾーンから構成されている。上段部43aは冷却処理部33との間で水平方向にウエハWの搬送を行うためのゾーンであり、冷却処理部33の真横に位置している。搬送機構61の搬送アーム61aは、例えば、図示しない伸縮機構やスライド機構によって、上段部43と冷却処理部33との間でウエハWを搬送する。なお、搬送機構61の搬送アーム61aは冷却プレート34に対してウエハWの受け渡しを行うことができるのみならず、ウエハ搬送アーム55・56・57に対して直接にウエハWの受け渡しを行うことも可能な構造とすることも好ましい。
【0028】
下段部43cは加熱処理部43において最も高い温度での加熱処理をウエハWに対して施すゾーンであり、下段部43cに設けられたホットプレート45は、ウエハWに形成された塗布膜の硬化処理を行うために、例えば、450℃程度の高温に保持される。ホットプレート45の表面にはウエハWを支持する支持ピン45aが複数設けられている。この支持ピン45aの突出高さは、例えば、0.1mm程度である。下段部43cに設けられた昇降機構46は、ウエハWの外周を保持する保持部46aと、保持部46aを支持する支柱部46bと、支柱部46bを昇降させる駆動機構46cとを有しており、昇降機構46はホットプレート45に対してウエハWの受け渡しを行い、また、上段部43aにおいて搬送機構61の搬送アーム61aとの間でウエハWの受け渡しを行い、さらに、上段部43aと下段部43cとの間でウエハWを略水平姿勢で昇降する。
【0029】
中段部43bの外周壁には昇降機構46によって昇降されるウエハWを囲繞するようにヒータ44が設けられており、このヒータ44は上下方向に多段に分割されて、各段ごとに設定温度を変えることができるようになっている。ヒータ44の温度設定は、下方で温度が高く、上方で温度が低くなるように設定する。例えば、図4に示すように、ヒータ44を上下2段に分割して温度設定を行う場合には、下段の温度を200℃〜350℃に設定し、上段の温度を100℃〜200℃に設定することができる。ヒータ44の最下部の温度は、ホットプレート45の設定温度よりも低くする。
【0030】
ホットプレート45とヒータ44の温度設定を前記のように下方から上方に向かって温度が低くなるように設定することにより、中段部43bにおいては上下方向に温度が下方で高く上方で低くなるような温度勾配を有する空間が形成される。また、ヒータ等の加熱手段が設置されていない上段部43aは、加熱処理部43の中で最も温度が低くなる。
【0031】
次に、シルク法を用いて層間絶縁膜等を形成する工程の一実施形態について説明する。ここでは、塗布処理ユニット(SCT)11を本薬液(Silk)の塗布液を塗布するために用い、塗布処理ユニット(SCT)12をアドヒージョンプロモータを塗布することに用いるものとする。図6は以下に説明する工程の概略を示した説明図(フローチャート)である。最初に、ウエハWを塗布処理ユニット(SCT)12に搬入する(ステップ1)。ここで、ウエハWはウエハWを収納した容器から塗布処理ユニット(SCT)12に搬入される場合や、前工程が終了してクーリングプレートユニット(CPL)24・26に搬入され、クーリングプレートユニット(CPL)24・26において所定温度となった後に塗布処理ユニット(SCT)12に搬入される場合がある。
【0032】
続いて塗布処理ユニット(SCT)12において、ウエハWにアドヒージョンプロモータが塗布される(ステップ2)。アドヒージョンプロモータの塗布は、例えば、スピンチャックに保持されたウエハWの表面ほぼ中央に所定量のアドヒージョンプロモータを供給した後にスピンチャックを回転させて、アドヒージョンプロモータをウエハWの全面に拡げることで行われる。アドヒージョンプロモータの塗布が終了したウエハWは、低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23のいずれかに搬送されて(ステップ3)、所定の加熱処理が施される(ステップ4)。
【0033】
低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23での加熱処理が終了したウエハWは、続いて塗布処理ユニット(SCT)11に搬送され(ステップ5)、そこで本薬液(Silk)を用いた塗布膜の形成が行われる(ステップ6)。このステップ6では、先にアドヒージョンプロモータをウエハWの全面に塗布した方法と同じ方法を用いて塗布膜を形成することができる。
【0034】
塗布処理ユニット(SCT)11での本薬液(Silk)の塗布が終了した後には、ウエハWを低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23のいずれかに搬送し(ステップ7)、そこで所定の温度に保持して、形成された塗布膜に含まれる溶剤の中で比較的低い温度で蒸発する成分を蒸発させる(ステップ8)。次いで、ウエハWをベーク処理ユニット(DLB)22へ搬送して(ステップ9)、そこで低温用のホットプレートユニット(LHP)19・23における処理温度よりも高い処理温度でさらに塗布膜から蒸発する成分を除去するベーク処理が行われる(ステップ10)。
【0035】
ベーク処理が施されたウエハWは、ウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかによって硬化処理ユニット(DLC)20に搬送され(ステップ11)、そこで、塗布膜の硬化処理が行われる(ステップ12)。
【0036】
このステップ12においては、ウエハWは、ウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかによって冷却プレート34に載置された後に冷却プレート34から加熱処理部43の上段部43aへ搬送機構61の搬送アーム61aによって搬送され、次いで搬送機構61の搬送アーム61aから昇降機構46の保持部46aに受け渡される。そして昇降機構46を動作させてウエハWを上段部43aから中段部43bを経て下段部43cに配置されたホットプレート45上に載置し、硬化処理を施す。
【0037】
硬化処理ユニット(DLC)20におけるこのような一連の処理においては、ウエハWは中段部43bを通過する際に徐々に加熱されるために、ベーク処理ユニット(DLB)22からの搬送過程で温度の低くなったウエハWを急に高温のホットプレート上に載置していた従来の場合と比較すると、ウエハWおよび層間絶縁膜等への熱衝撃が小さくなる。こうして、ウエハWおよび層間絶縁膜等へのダメージを低減して、層間絶縁膜等へのクラックの発生や、ウエハWの割れの発生を抑制することができる。
【0038】
硬化処理が終了したウエハWは、先に冷却プレート34からホットプレート45へウエハWを搬送した手順と逆の手順によって冷却プレート34に戻されて所定の温度まで冷却される。その後にウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかによって硬化処理ユニット(DLC)20から搬出され、例えば、ウエハWが収納されていた容器に戻される(ステップ13)。
【0039】
ウエハWの1枚あたりの処理時間を短くするために加熱処理部43から冷却処理部33へのウエハWの搬送を短時間に行う場合には、冷却プレート34に載置されるウエハWの温度はホットプレート45での処理温度に近い状態にあることから、加熱処理部43から冷却処理部33への搬送過程でウエハWが高い酸素濃度雰囲気に晒されると形成された層間絶縁膜等の特性が劣化する問題を生ずる。しかし、硬化処理ユニット(DLC)20では冷却処理部33と加熱処理部43とが1個の筐体20a内に連通して設けられているために、加熱処理部43から冷却処理部33へウエハWが搬送される過程でウエハWの周囲の酸素濃度が変化せず、こうして形成された層間絶縁膜等の特性を良好に維持することが可能となる。
【0040】
また、硬化処理ユニット(DLC)20では、ウエハWが中段部43bを通過する速度を制御することによって、ウエハWの冷却速度を制御することが可能である。ウエハWの冷却速度を遅くした場合には、ウエハWおよび層間絶縁膜等への熱衝撃が小さくなり、ウエハWおよび層間絶縁膜等へのダメージを低減することができる。なお、ウエハWの1枚あたりの処理時間を短縮する観点からは、ウエハWの冷却速度は所定の特性を有する層間絶縁膜等が得られる限りにおいて速くすることが好ましい。
【0041】
次に、シルク法を用いて層間絶縁膜等を形成する工程の別の実施形態について説明する。図7は以下に説明する工程の概略を示した説明図(フローチャート)である。図7中のステップ1からステップ6に至る工程は、図6に示したステップ1からステップ6と同じであり、これらの工程については前述した通りである。塗布処理ユニット(SCT)11において塗布膜が形成されたウエハWは、ウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかによって、硬化処理ユニット(DLC)20に搬送され(ステップ7a)、そこで、溶剤除去、硬化処理等の一連の加熱処理が施される(ステップ8a)。
【0042】
このステップ8aについて詳細に説明すると、先ず、塗布膜の形成されたウエハWは、冷却プレート34に搬送された後に、冷却プレート34から加熱処理部43の上段部43aへ搬送機構61の搬送アーム61aによって搬送され、次いで搬送機構61の搬送アーム61aから昇降機構46の保持部46aにウエハWが受け渡される。上下方向に2分割されて中段部43bに配置されたヒータ44の上側部分によってウエハWの外周が囲繞される位置まで昇降機構46を動作させてウエハWを降下させて、所定時間その位置で保持する。
【0043】
ウエハWを囲繞するヒータ44の上側部分は、例えば、150℃に設定することができ、このような温度でウエハWを所定時間保持することにより、ウエハWに形成された塗布膜に含まれる溶剤の中で比較的低い温度で蒸発する成分を蒸発させることができる。つまり、この段階ではウエハWに対して低温用ホットプレートユニット(LHP)19・23を用いた加熱処理と同様の処理が行われる。
【0044】
続いて、上下方向に2分割されて中段部43bに配置されたヒータ44の下側部分によってウエハWの外周が囲繞される位置まで昇降機構46を動作させてウエハWを降下させ、所定時間その位置で保持する。ウエハWを囲繞するヒータ44の下側部分は、例えば、300℃に設定することができ、このような温度でウエハWを所定時間保持することにより、ウエハWに形成された塗布膜に含まれる溶剤の中で比較的高い温度で塗布膜から蒸発する成分を除去するベーク処理を行うことができる。つまり、この段階ではウエハWに対してベーク処理ユニット(DLB)22を用いた加熱処理と同様の処理が行われる。
【0045】
次に、ウエハWがホットプレート45に載置されるように昇降機構46を動作させてウエハWを降下させ、所定時間そのホットプレート45上で保持して硬化処理を施す。硬化処理が終了したウエハWは、中段部43bで静止保持されることなく昇降機構46によって上段部43aへ搬送され、搬送機構61の搬送アーム61aによって冷却プレート34に戻されて所定の温度まで冷却される。所定温度に冷却されたウエハWは、ウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかによって硬化処理ユニット(DLC)20から搬出され(ステップ9a)、例えば、ウエハWが収納されていた容器に戻される。
【0046】
なお、ウエハ搬送アーム55・56・57と搬送機構61の搬送アーム61aとの間で直接にウエハWの受け渡しが可能な場合には、例えば、加熱処理部43の中段部43bと下段部43cにおいて加熱処理された後に上段部43aへ搬送されたウエハWを受け取った搬送機構61の搬送アーム61aは、ウエハWを冷却プレート34に載置することなく直接にウエハ搬送アーム55・56・57に渡して、硬化処理ユニット(DLC)20の外部へ搬出することも可能である。
【0047】
硬化処理ユニット(DLC)20では、加熱処理部43の中段部43bに冷却プレート34の温度とホットプレート45の温度の間の中間温度に設定された中間熱処理部が形成されていることから、塗布膜が形成されたウエハWの加熱処理を連続して行うことが可能である。こうして、複数の熱処理ユニットの間でウエハWを搬送する時間が省略され、ウエハWの1枚あたりの処理時間を短縮することが可能となる。
【0048】
なお、図6のフローチャートに示した層間絶縁膜等の形成方法と同様に、図7のフローチャートにしたがった層間絶縁膜等の形成方法においても、硬化処理ユニット(DLC)20内では、冷却処理部33と加熱処理部43とが1個の筐体20a内に設けられているために、加熱処理部43から冷却処理部33へウエハWが搬送される過程でウエハWの周囲の酸素濃度が変化せず、こうして層間絶縁膜等の特性が劣化するといった事態が生ずることが回避される。また、ウエハWを徐々に加熱または冷却することで、急激な熱衝撃によるウエハWや層間絶縁膜等へのダメージを低減することができる。
【0049】
硬化処理ユニット(DLC)20の実施形態は、上記説明に係る形態に限定されるものではない。例えば、ウエハ搬送アーム55・56・57は冷却プレート34との間でウエハWの受け渡しが可能な構成としたが、図8の説明図に示すように、ウエハ搬送アーム55・56・57が加熱処理部43の上段部43aにアクセス可能な構造として、上段部43aにおいて、ウエハ搬送アーム55・56・57と昇降機構46の保持部46aとの間でウエハWの受け渡しが可能であり、かつ、ウエハ搬送アーム55・56・57と搬送機構61の搬送アーム61aとの間でウエハWの受け渡しが可能であり、さらに、昇降機構46の保持部46aと搬送機構61の搬送アーム61aとの間でウエハWの受け渡しが可能な構成とすることもできる。
【0050】
この場合には、例えば、次のようにして硬化処理ユニット(DLC)20内でウエハWを搬送する。すなわち、塗布処理ユニット(SCT)11において塗布膜が形成されたウエハWを硬化処理ユニット(DLC)20の加熱処理部43の上段部43aに搬入し、そこで昇降機構46の保持部46aにウエハWを移し替える。昇降機構46の駆動機構46cを動作させることによってウエハWを降下させて、ウエハWに対して中段部43bでの所定の加熱処理と下段部43cに配置されたホットプレート45による所定の硬化処理とを行う。
【0051】
その後に、昇降機構46によってウエハWを上段部43aへ上昇させて、そこで搬送機構61の搬送アーム61aへウエハWを移し替えて、ウエハWを冷却プレート34上へ載置する。冷却処理が終了したウエハWは、搬送機構61の搬送アーム61aによって加熱処理部43の上段部43aへ搬送され、そこでウエハ搬送アーム55・56・57のいずれかに移し替えられて、硬化処理ユニット(DLC)20外に搬出される。
【0052】
また、ウエハ搬送アーム55・56・57が加熱処理部43の上段部43aにアクセス可能な構造となっている場合には、加熱処理部43で加熱処理が施されたウエハWを冷却処理部33へ搬送して冷却処理した後に、ウエハ搬送アーム55・56・57によって硬化処理ユニット(DLC)外へ搬出するか、または、上段部43aに上昇されたウエハWは温度が下がっているために、加熱処理部43で加熱処理が施されたウエハWを冷却処理部33へ搬送することなく、そのまま上段部43aからウエハ搬送アーム55・56・57によって硬化処理ユニット(DLC)外へ搬出するか、を選択することができる。
【0053】
搬送機構61は、図4では冷却処理部33側に設けられているが、加熱処理部43側に設けても構わない。また、加熱処理部43の中段部43bに配置されるヒータ44は必ず昇降機構46によって昇降または保持されるウエハWを囲繞するように配置しなければならないものではなく、例えば、ウエハWを挟み込むように対向する1組の面に設けることも可能である。
【0054】
さらに、冷却処理部33と加熱処理部43との間に、加熱処理部43から冷却処理部33への伝熱を抑制するための開閉可能なシャッター(遮蔽板)を設けることも好ましい。但し、このシャッターの開閉動作は筐体20a内で行われ、シャッターの開閉動作によって冷却処理部33と加熱処理部43の酸素濃度が変化することがないようにする。また、このシャッターは伝熱抑制を主たる目的とするために、このシャッターが閉じられた状態で冷却処理部33と加熱処理部43とが完全に隔離される必要もない。
【0055】
硬化処理ユニット(DLC)20の加熱処理部43に設けられた昇降機構46もまた図4に示したように、ホットプレート45の外周に設けられる形態に限定されるものではない。昇降機構46の別の実施形態としては、例えば、図9(a)の断面図に示す昇降機構46´のように、ホットプレート45を貫通するように設けられ、上端でウエハWを支持する少なくとも3本(図9(a))では2本のみ図示)のリフトピン(棒状部材)47aと、このリフトピン47aを昇降させる駆動機構47bとからなるものを用いることもできる。
【0056】
また、図9(b)に示す昇降機構46″のように、ホットプレート45を貫通するように設けられ、その上端でウエハWを支持する略筒状部材48aと、この略筒状部材48aを昇降させる駆動機構48bとからなるものを用いることもできる。図9(b)に示す二重構造を有する略筒状部材48aでは、例えば、回転しながらその長さが変化する構造とすることができる。さらに、昇降機構46は、加熱処理部43の下方に設けなければならないものではなく、例えば、加熱処理部43の上部からウエハWを保持する保持部材を吊り下げて、その保持部材の昇降を行う構成とすることも可能である。
【0057】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、硬化処理ユニット(DLC)20は、低温用ホットプレートユニット(LHP)19・23やベーク処理ユニット(DLB)22として用いることが可能であることから、SODシステムにおいて、低温用ホットプレートユニット(LHP)19・23やベーク処理ユニット(DLB)22を設けることなく、これらに代えて硬化処理ユニット(DLC)20をより多く設けることも可能である。
【0058】
また、上記実施形態では半導体ウエハに層間絶縁膜等を形成する場合について説明したが、基板にレジスト膜を形成する場合に用いられるポストベークユニットに硬化処理ユニット(DLC)20の構造を適用することもできる。基板としては半導体ウエハを例に挙げたが、LCD基板等の他の基板を用いた塗布膜の形成にも本発明を適用することができる。さらに、本発明は基板に塗布膜を形成する用途に限定して用いられるものではなく、酸素濃度等の変化が生ずることがない雰囲気制御が必要とされる熱的処理全般に適用することが可能である。
【0059】
【発明の効果】
上述の通り、本発明によれば、基板の冷却処理を行う冷却処理部と加熱処理を行う加熱処理部とが1個の筐体内に設けられていることから、酸素濃度の変化等の雰囲気変化がない状態で基板の熱的処理を行うことができる。こうして、基板に層間絶縁膜等やレジスト膜等の各種機能膜を形成する場合には、優れた特性を有し、しかも特性のばらつきが小さい機能膜を形成することが可能となり、品質および信頼性を向上させることが可能となる。
【0060】
また、本発明の熱的処理装置によれば、冷却プレートの温度とホットプレートの温度の間の温度範囲における任意の温度での熱的処理が可能となる。つまり、処理温度の異なる熱的処理を1個の熱的処理装置を用いて連続的に行うことが可能となるために、設定温度の異なるホットプレートが配置された加熱処理ユニット間で基板を搬送する必要がなくなり、処理時間を短縮してスループットを向上させることが可能となるという効果が得られる。
【0061】
さらに、加熱処理部における基板の温度変化が緩やかであるために、従来のように低温の基板を急に高温のホットプレート上に載置していた場合と比較すると、基板および機能膜への熱衝撃が小さくなる。これにより基板および機能膜へのダメージを低減して、機能膜へのクラックの発生や基板の割れの発生を抑制し、製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の熱的処理ユニットの一実施形態である硬化処理ユニット(DLC)を具備するSODシステムの概略構造を示す平面図。
【図2】図1記載のSODシステムの側面図。
【図3】図1記載のSODシステムの別の側面図。
【図4】硬化処理ユニット(DLC)の一実施形態を示す断面図。
【図5】硬化処理ユニット(DLC)におけるガス供給とガス排気の形態の一例を示す説明図。
【図6】層間絶縁膜等を形成する処理工程の一実施形態を示す説明図。
【図7】層間絶縁膜等を形成する処理工程の別の実施形態を示す説明図。
【図8】硬化処理ユニット(DLC)におけるウエハの搬送形態の一実施形態を示す説明図。
【図9】硬化処理ユニット(DLC)に設けられる昇降機構の一実施形態を示す説明図。
【符号の説明】
1;処理部
2;サイドキャビネット
3;キャリアステーション(CSB)
11・12;塗布処理ユニット(SCT)
16・17;処理ユニット群
18;ウエハ搬送機構(PRA)
20;硬化処理ユニット
20a;筐体
33;冷却処理部
34;冷却プレート
43;加熱処理部
43a;上段部
43b;中段部
43c;下段部
44;ヒータ
45;ホットプレート
46;昇降機構
61;搬送機構
Claims (9)
- 基板に所定の熱的処理を施す熱的処理装置であって、
基板を所定温度で加熱処理する加熱処理部と、
前記加熱処理部と連通し、基板を所定温度に冷却処理する冷却処理部と、
その内部に前記加熱処理部と前記冷却処理部とを水平方向に隣り合わせて保持する1個の筐体と、
前記冷却処理部と前記加熱処理部との間で基板を搬送する基板搬送手段と、
を具備し、
前記加熱処理部は、
前記冷却処理部の真横に位置して前記冷却処理部との間で前記基板搬送手段による基板の搬入出が行われる上段部と、
前記上段部の下方に上部から下部へ向かうにしたがって基板を処理する温度が高くなるように設けられた中段部および下段部と、
前記中段部を通って前記上段部と前記下段部との間で基板を昇降させる基板昇降手段と、
を有していることを特徴とする熱的処理装置。 - 前記冷却処理部は基板を冷却処理する冷却プレートを有し、前記加熱処理部の下段部は基板を所定温度で加熱処理するホットプレートを有し、前記加熱処理部の中段部は前記冷却プレートの温度以上前記ホットプレートの温度以下の温度範囲となる空間を形成するヒータを有することを特徴とする請求項1に記載の熱的処理装置。
- 前記ヒータは上下方向において多段に分割して温度を設定することができ、
前記加熱処理部の中段部は上下方向に所定の温度勾配または温度の異なる帯域を有することを特徴とする請求項2に記載の熱的処理装置。 - 前記ヒータは前記基板昇降手段によって昇降される基板の外周を囲むように配置されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の熱的処理装置。
- 前記基板昇降手段は、
基板の周縁部を保持する保持部と、
前記ホットプレートの外周に配置され、前記保持部を支持する支持部と、
前記支持部を昇降させる駆動機構と、
を具備することを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の熱的処理装置。 - 前記冷却処理部と前記加熱処理部との間には前記加熱処理部から前記冷却処理部への伝熱を抑制する可動な遮蔽板が配置されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の熱的処理装置。
- 前記筐体内を所定のガス雰囲気に保持する雰囲気制御手段をさらに具備し、前記冷却処理部と前記加熱処理部との間では常に一定のガス雰囲気下において基板が搬送されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の熱的処理装置。
- 基板に所定の熱的処理を施す熱的処理装置であって、
基板を冷却処理する冷却プレートと、
基板を加熱処理するホットプレートと、
前記冷却プレートの温度以上前記ホットプレートの温度以下の温度範囲において基板を加熱または冷却処理する中間熱処理部と、
前記中間熱処理部を通って前記冷却プレートと前記ホットプレートとの間で基板を搬送する基板搬送手段と、
を具備し、
前記中間熱処理部は前記基板搬送手段によって搬送される基板の外側に位置するように設けられたヒータを有することを特徴とする熱的処理装置。 - 前記中間熱処理部が上下方向に所定の温度勾配または温度の異なる複数の帯域を有するように、前記ヒータは上下方向において多段に分割して温度を設定することが可能であることを特徴とする請求項8に記載の熱的処理装置。
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