JP3777581B2 - Film thickness measurement method using X-ray diffraction method - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、試料の膜厚を測定する方法に関し、特に試料によるＸ線の回折強度から薄膜の膜厚を測定する膜厚測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜は半導体素子や各種の機能素子等において広く使用されており、その使用の広がりと共に、該薄膜の膜厚等の品質管理や評価技術の要求も高まっている。分析装置を用いた薄膜の評価方法としては、例えば蛍光Ｘ線分析，ＥＰＭＡ等の元素分析，ＥＳＣＡ等の状態分析、Ｘ線回折法による結晶構造の解析等が知られている。
【０００３】
従来、薄膜の膜厚測定では、一般に、標準試料を用いてあらかじめ検量線を求めておき、この検量線を用いた検量線法が行われており、エリプソメトリやイオンエッチングを用いたＸＰＳ測定等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の検量線法では、測定対象の試料と同質の膜材料の標準試料を用意し、この標準試料についてあらかじめ検量線を求める必要があり、未知試料を直接測定することができないという問題点がある。
【０００５】
また、蛍光Ｘ線分析などの元素分析を用いた測定方法では、膜材料と下地に同じ元素が存在する場合には、測定精度低下するという問題点があり、エリプソメトリでは下地との界面に異種の層が形成されているときや、光学的に吸収が大きい不透明膜に対しては測定が困難であるという問題点があり、ＸＰＳ測定では試料が破壊されるという問題点がある。
【０００６】
そこで、本発明は前記した問題点を解決し、標準試料を必要とせず、未知試料の膜厚を直接測定することができる膜厚測定方法を提供することを目的とし、また、下地中の薄膜と同種の元素が含まれる場合でも、薄膜の膜厚の測定精度に影響しない膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下地から放出されるＸ線の回折線の強度を、測定対象である薄膜を通して測定し、回折線の減衰の程度と薄膜の膜厚との関係を利用して、回折線の減衰傾向から薄膜の膜厚を求めるものである。
【０００８】
本発明のＸ線回折法を用いた膜厚測定方法は、下地上に形成された薄膜の膜厚測定において、薄膜を通して下地にＸ線を入射し、入射角度に対する下地のＸ線の回折線強度を測定し、測定したＸ線の回折線強度を強度補正して薄膜による減衰曲線を求め、該減衰曲線からＸ線の回折線強度が零となる入射角度を求め、Ｘ線の入射角度と膜厚との関係を用いて求めた入射角度に対する膜厚を求めるものである。
【０００９】
Ｘ線の薄膜への侵入深さは、薄膜の質量吸収係数，および密度とＸ線の入射角度をパラメータとする式によって表すことができ、所定の入射角で入射したＸ線を検出することによって、そのＸ線の侵入深さを知ることができる。本発明はこの関係を利用して、減衰曲線からＸ線の回折線強度が零となる入射角度を、上記関係式に代入して得られるＸ線の侵入深さを薄膜の膜厚として求めるものである。
【００１０】
本発明の第１の実施形態は、測定したＸ線の回折線強度の強度補正は、物質に特有の回折線のピークの入射角度とピーク値の比率を用いるものであり、測定したＸ線の回折線強度にピーク値の比率の逆数を乗じて回折線強度の均一化を行うものである。この均一化によって得られた回折線強度のピーク値の入射角度に対する減衰傾向から減衰曲線を求め、該減衰曲線からＸ線の回折線強度が零となる入射角度を求める。
【００１１】
本発明の第２の実施形態は、平行線束（ソーラースリット）を含む光学系を通過させたＸ線の回折線を検出するものであり、これによって、Ｘ線の回折線の入射角度の検出精度を向上させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図を参照しながら詳細に説明する。
図１は薄膜のＸ線回折法を説明するための図であり、表面から深さｘの薄層で特性Ｘ線が回折される様子を示している。図１において、入射ビームの強度をＩ0 （ｅｒｇ／ｃｍ2 ／ｓｅｃ），その断面積を１ｃｍ2 ，試料と入射Ｘ線のなす角度をαとすると、厚みｄｘ，長さｌの薄層で回折されるＸ線強度ｄＩｘは試料中での吸収を受け、次式（１）で表される。
【００１３】
ｄＩｘ＝ＫＩ0 ｅｘｐ｛−μ（ＡＢ＋ＢＣ）｝ｄｘ （erg/sec) …（１）
なお、上記式において、Ｋは比例定数であり、μは線吸収係数である。
上記式（１）にｌ＝１／ｓｉｎα，ＡＢ＝ｘ／ｓｉｎα，ＢＣ＝ｘ／ｓｉｎβの関係式を代入すると、以下の式（２）が得られる。
【００１４】
上記式（３）について、ｘおよび無限大の深さまで積分し、その強度比を求めると、表面から深さｘまで回折されたＸ線強度が全回折線強度に占める割合を求めることができる。ここで、Ｘ線の侵入深さとして、無限大の厚さの試料による回折強度の９９％の強度が得られる深さｔを定めると、以下の式（４）で表される。
ｔ＝２．３０ｓｉｎθ／｛（μ／ρ）ρ｝ …（４）
なお、（μ／ρ）は薄膜の質量吸収係数であり、ρは薄膜の密度である。
【００１５】
例えば、Ａｕ薄膜をＣｕＫαで測定するとき、回折線としてＡｕ（１１１）を用いれば、回折角２θは３８．２°であり、上記式（４）から侵入深さｔは、ｔ＝２．３０×０．３２７／２．１４×１９．３２＝１．８μｍとなり、Ａｕに対して１．８μｍが無限大の厚さであることを示している。
また、上記式は、入射Ｘ線を試料面に対して低角入射を行なうことによってＸ線の侵入深さが浅くなることを示している。
本発明は、上記式（４）を用いることによって薄膜の膜厚を求めるものであり、下地と薄膜との境界における入射角を求め、この入射角を上記式（４）に代入して薄膜の膜厚を求める。
【００１６】
次に、上記入射角を求める方法について、図２〜図６を用いて説明する。図２は、下地１０および薄膜１１に対するＸ線の入射角αとＸ線の侵入深さとの関係を表す図である。
図２において、Ｘ線を低入射角（θ1 ）で薄膜２０に入射させる場合には、符号２１で示すように、Ｘ線の侵入深さは薄膜１１内に止まり、薄膜による回折線が得られ、下地１０による回折線は放出されない。これに対して、Ｘ線を高入射角（θ2 ）で薄膜２０に入射させる場合には、符号２２で示すように、Ｘ線の侵入深さは下地１０まで達し、下地１０で生成された回折線は薄膜１１を通過して検出される。このとき、入射するＸ線の強度をＩ0 とすると、下地１０から放出された回折Ｘ線は薄膜１１を通過する間に減衰して、薄膜１１の外部に放出されるＸ線の強度はＩとなる。
【００１７】
前記式（４）に示したように、Ｘ線の入射角θによってＸ線の侵入深さを求めることができるため、図２において、Ｘ線の入射角度が薄膜１１と下地１０との境界面で回折したときの入射角を用いれば、薄膜１１の表面から下地１０の上層部までの侵入深さを求めることができ、これによって、薄膜１１の膜厚を求めることができる。
【００１８】
以下、図３〜図６を用いて、上記入射角度を求める方法について説明する。図３は、薄膜によるＸ線の回折線の強度の減衰を説明するための概略図である。図３（ａ）〜（ｃ）は、下地１０から強度Ｉ0 で発生したＸ線の回折線が、薄膜１１を通過した場合を、膜厚がＬ１，Ｌ２，Ｌ３の順で厚くなり、それぞれ強度Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 で検出されることを示している。
【００１９】
図３（ｄ）は、このときの膜厚Ｌと検出強度Ｉとの関係を示すグラフであり、図中の矢印は薄膜の通過による回折線の減衰の程度を示し、薄膜の膜厚が厚いほど減衰の程度が大きくなる傾向を示している。従って、この薄膜による減衰傾向から、薄膜の膜厚を求めることができる。なお、図３（ｄ）では、減衰の傾向を示す減衰曲線を直線で示しているが、概略を示すために便宜上直線で示したもので、実際の減衰曲線は必ずしも直線的に変化するものではない。
【００２０】
ここで、薄膜１１を通過した回折線の強度を検出する場合には、上記図３中の下地で発生するＸ線の回折線の強度Ｉ0 を、直接求めることは困難である。そのため、本発明では、測定したＸ線の回折線強度を強度補正して薄膜による減衰曲線を求める。この回折線強度の強度補正は、物質に特有の回折線のピークの入射角度とピーク値の比率を用いるものであり、測定したＸ線の回折線強度にピーク値の比率の逆数を乗じて回折線強度の均一化を行うものである。
【００２１】
以下、上記減衰曲線について図４，５，６を用いて説明する。図４は下地１０のみで薄膜１１が存在しない場合について、入射角θに対するＸ線の回折線の状態を示した図である。Ｘ線ａ，ｂ，ｃが下地１０に対して入射角θａ，θｂ，θｃで順に低入射角から高入射角で図４（ａ）に示すように入射して回折されると、このとき検出される回折線の強度は、図４（ｂ）中の回折線強度Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃとなる。この回折線強度の絶対値は、入射するＸ線の強度や検出器の感度等の測定条件で異なるため、この検出値から回折線の減衰の状態を求めることはできない。そこで、本発明では、下地に含まれる物質に特有の回折線強度のピーク値の比率ＩA ，ＩB ，ＩC を用い、このピーク値の比率の逆数を検出した回折線強度Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃに乗じることによって、回折線強度の補正して回折線強度の均一化を行う。なお、物質に特有の回折線強度のピーク値は、例えばＪＣＰＤＳカード情報から得ることができる。
【００２２】
図４（ｃ）は補正後の回折線強度を示しており、薄膜を通過することによる回折線の減衰が無い場合には、図に示すように等しいレベルとなる。
【００２３】
これに対して、図５，６は下地１０上に薄膜１１が存在する場合について、入射角θに対するＸ線の回折線の状態を示しており、図５は膜厚が薄い場合を示し、図６の膜厚が厚い場合を示している。
【００２４】
図５（ａ）は、前記図４と同様に下地に対して入射角θａ，θｂ，θｃで入射した場合を示し、このときに検出される回折線強度Ｉa1，Ｉb1，Ｉc1は薄膜を通過することによって減衰する。なお、図５（ｂ）中に示す破線は減衰が無い場合の回折線強度Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃを示している。
【００２５】
図５（ｃ）は、図４（ｃ）と同様に、下地に含まれる物質に特有の回折線強度のピーク値の比率ＩA ，ＩB ，ＩC を用い、このピーク値の比率の逆数を検出した回折線強度Ｉa1，Ｉb1，Ｉc1に乗じて回折線強度を補正した状態を示している。図５（ｃ）の補正後の回折線強度において、減衰が無い場合のレベル（図中の一点鎖線）からの差ｄa1，ｄb1，ｄc1は、薄膜による減衰の程度を表しており、回折線強度のピークを結ぶことによって減衰曲線（図中の破線）を形成することができる。
【００２６】
この減衰曲線を延長して横軸と交差する入射角を求めると、強度零のときの入射角度θαを得ることができる。このときの入射角度θαは、図５（ａ）において、入射したＸ線が薄膜１１の底面（下地１０の最上層面）で回折したときの角度であり、この角度は薄膜１１の膜厚を表すパラメータとなっている。
【００２７】
従って、この減衰曲線から求めた入射角度θαを、前記式（４）に代入することによって、薄膜の膜厚を求めることができる。なお、このとき、式（４）には薄膜の質量吸収係数（μ／ρ）および薄膜の密度ρを求めて代入する。
【００２８】
図６は膜厚が厚い場合であり、図５と同様の処理によって、図６（ｃ）に示す減衰曲線を求め、この減衰曲線を延長して横軸と交差する入射角から強度零のときの入射角度θβを得、さらに、この入射角度θβを前記式（４）に代入することによって、薄膜の膜厚を求める。
【００２９】
次に、本発明のＸ線回折法を用いた膜厚測定方法を適用するＸ線回折装置の概略について、図７を用いて説明する。Ｘ線回折装置は、Ｘ線源１から発したＸ線を一次側スリット２を通して試料３に入射し、試料３で回折した回折線を二次側スリット４を通して平行結晶５に入射して分光させて、検出器６に入射する。検出器６は、試料３に対するＸ線の入射角を変更しながら回折線強度を検出する。
【００３０】
二次側スリット４として、平行線束（ソーラースリット）を含む光学系によって形成することができ、これによって、入射角の精度を向上させて、ノイズ分の除去を行うことができる。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＸ線回折法を用いた膜厚測定方法によれば、標準試料を必要とせず、未知試料の膜厚を直接測定することができ、また、下地中の薄膜と同種の元素が含まれる場合でも、薄膜の膜厚の測定精度の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜のＸ線回折法を説明するための図である。
【図２】下地および薄膜に対するＸ線の入射角とＸ線の侵入深さとの関係を表す図である。
【図３】薄膜によるＸ線の回折線の強度の減衰を説明するための概略図である。
【図４】下地で薄膜が存在しない場合の入射角に対するＸ線の回折線の状態を示した図である。
【図５】下地上に薄い薄膜が存在する場合の入射角に対するＸ線の回折線の状態を示した図である。
【図６】下地上に厚い薄膜が存在する場合の入射角に対するＸ線の回折線の状態を示した図である。
【図７】本発明のＸ線回折法を用いた膜厚測定方法を適用するＸ線回折装置の概略図である。
【符号の説明】
１…Ｘ線源、２，４…スリット、３…試料、５…平行結晶、６…検出器、１０…下地、１１，１２，１３…薄膜。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for measuring the film thickness of a sample, and more particularly to a film thickness measuring method for measuring the film thickness of a thin film from the X-ray diffraction intensity of the sample.
[0002]
[Prior art]
Thin films are widely used in semiconductor elements, various functional elements, and the like, and with the spread of their use, there is an increasing demand for quality control and evaluation techniques such as film thickness of the thin films. As a thin film evaluation method using an analyzer, for example, fluorescent X-ray analysis, elemental analysis such as EPMA, state analysis such as ESCA, analysis of crystal structure by X-ray diffraction method, and the like are known.
[0003]
Conventionally, in measuring the film thickness of a thin film, a calibration curve is generally obtained in advance using a standard sample, and a calibration curve method using this calibration curve is performed, such as XPS measurement using ellipsometry or ion etching, etc. It has been known.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional calibration curve method, it is necessary to prepare a standard sample of a film material of the same quality as the sample to be measured, and to obtain a calibration curve in advance for this standard sample, which makes it impossible to directly measure unknown samples. .
[0005]
In addition, a measurement method using elemental analysis such as X-ray fluorescence analysis has a problem that the measurement accuracy is lowered when the same element exists in the film material and the base, and in ellipsometry, there is a problem at the interface with the base. There is a problem that the measurement is difficult when an opaque film having a large optical absorption is formed or an opaque film having a large optical absorption, and the sample is destroyed in the XPS measurement.
[0006]
Accordingly, the present invention has an object to provide a film thickness measuring method that solves the above-described problems and that can directly measure the film thickness of an unknown sample without requiring a standard sample. It is an object to provide a film thickness measurement method that does not affect the measurement accuracy of the film thickness of a thin film even when the same kind of element is included.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention measures the intensity of the X-ray diffraction line emitted from the substrate through the thin film to be measured, and uses the relationship between the degree of attenuation of the diffraction line and the film thickness of the thin film to attenuate the diffraction line. The film thickness of the thin film is obtained from the tendency.
[0008]
In the film thickness measurement method using the X-ray diffraction method of the present invention, in the film thickness measurement of a thin film formed on the base, X-rays are incident on the base through the thin film, and the X-ray diffraction line intensity of the base with respect to the incident angle The X-ray diffraction line intensity is corrected to obtain an attenuation curve by the thin film, and an incident angle at which the X-ray diffraction line intensity becomes zero is obtained from the attenuation curve. The film thickness with respect to the incident angle obtained using the relationship with the thickness is obtained.
[0009]
The penetration depth of the X-ray into the thin film can be expressed by an equation using the thin film mass absorption coefficient and the density and the incident angle of the X-ray as parameters, and by detecting the X-ray incident at a predetermined incident angle. The penetration depth of the X-ray can be known. The present invention uses this relationship to obtain the X-ray penetration depth obtained by substituting the incident angle at which the X-ray diffraction line intensity becomes zero from the attenuation curve into the above relational expression as the film thickness of the thin film. It is.
[0010]
In the first embodiment of the present invention, the intensity correction of the measured X-ray diffraction line intensity uses the ratio of the incident angle of the peak of the diffraction line peculiar to the substance and the peak value. The diffraction line intensity is made uniform by multiplying the diffraction line intensity by the reciprocal of the peak value ratio. An attenuation curve is obtained from the attenuation tendency with respect to the incident angle of the peak value of the diffraction line intensity obtained by this homogenization, and an incident angle at which the X-ray diffraction line intensity becomes zero is obtained from the attenuation curve.
[0011]
The second embodiment of the present invention detects an X-ray diffraction line that has passed through an optical system including a parallel beam bundle (solar slit), and thereby detects the incident angle of the X-ray diffraction line. Can be improved.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram for explaining an X-ray diffraction method of a thin film, and shows how characteristic X-rays are diffracted by a thin layer having a depth x from the surface. In FIG. 1, when the intensity of the incident beam is I 0 (erg / cm 2 / sec), its cross-sectional area is 1 cm 2 , and the angle formed by the sample and the incident X-ray is α, a thin layer having a thickness dx and a length l is obtained. The diffracted X-ray intensity dIx receives absorption in the sample and is expressed by the following formula (1).
[0013]
dIx = KI 0 exp {−μ (AB + BC)} dx (erg / sec) (1)
In the above formula, K is a proportional constant, and μ is a linear absorption coefficient.
Substituting the relational expression of l = 1 / sin α, AB = x / sin α, BC = x / sin β into the above equation (1), the following equation (2) is obtained.
[0014]
About the said Formula (3), if it integrates to x and infinite depth, and the intensity ratio is calculated | required, the ratio for which the X-ray intensity diffracted from the surface to the depth x accounts to the total diffraction line intensity can be calculated | required. Here, when the depth t at which 99% of the diffraction intensity by the sample of infinite thickness is obtained is determined as the penetration depth of the X-ray, it is expressed by the following formula (4).
t = 2.30 sin θ / {(μ / ρ) ρ} (4)
Note that (μ / ρ) is the mass absorption coefficient of the thin film, and ρ is the density of the thin film.
[0015]
For example, when Au (111) is used as a diffraction line when measuring an Au thin film with CuKα, the diffraction angle 2θ is 38.2 °, and the penetration depth t is t = 2.30 from the above equation (4). × 0.327 / 2.14 × 19.32 = 1.8 μm, indicating that 1.8 μm is an infinite thickness with respect to Au.
Further, the above formula shows that the penetration depth of X-rays becomes shallow by making incident X-rays incident at a low angle on the sample surface.
In the present invention, the film thickness of the thin film is obtained by using the above formula (4). The incident angle at the boundary between the base and the thin film is obtained, and this incident angle is substituted into the above formula (4) to obtain the film thickness. Find the film thickness.
[0016]
Next, a method for obtaining the incident angle will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram illustrating the relationship between the X-ray incident angle α and the X-ray penetration depth with respect to the
In FIG. 2, when X-rays are incident on the
[0017]
As shown in the equation (4), since the X-ray penetration depth can be obtained from the X-ray incident angle θ, the X-ray incident angle is the boundary surface between the
[0018]
Hereinafter, the method for obtaining the incident angle will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the attenuation of the intensity of X-ray diffraction lines by a thin film. 3 (a) to 3 (c) show the case where the X-ray diffraction line generated from the base 10 with the intensity I0 passes through the
[0019]
FIG. 3D is a graph showing the relationship between the film thickness L and the detection intensity I at this time, and the arrows in the figure indicate the degree of attenuation of diffraction lines due to the passage of the thin film, and the thin film is thick. The degree of attenuation tends to increase. Therefore, the film thickness of the thin film can be obtained from the attenuation tendency by the thin film. In FIG. 3D, the attenuation curve indicating the tendency of attenuation is shown by a straight line. However, for the sake of simplicity, the attenuation curve is shown by a straight line for convenience, and the actual attenuation curve does not necessarily change linearly. Absent.
[0020]
Here, when detecting the intensity of the diffraction line that has passed through the
[0021]
Hereinafter, the attenuation curve will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a diagram showing a state of an X-ray diffraction line with respect to the incident angle θ when only the
[0022]
FIG. 4C shows the corrected diffraction line intensity, and when there is no attenuation of the diffraction line due to passing through the thin film, the levels are equal as shown in the figure.
[0023]
On the other hand, FIGS. 5 and 6 show the state of the X-ray diffraction line with respect to the incident angle θ when the
[0024]
FIG. 5 (a) shows the case where the incident light is incident on the substrate at the incident angles θa, θb, θc as in FIG. 4, and the diffraction line intensities Ia1, Ib1, Ic1 detected at this time pass through the thin film. It attenuates by. In addition, the broken line shown in FIG.5 (b) has shown diffraction line intensity Ia, Ib, Ic when there is no attenuation.
[0025]
In FIG. 5 (c), as in FIG. 4 (c), the ratios IA, IB, and IC of the peak values of the diffraction line intensity peculiar to the substance contained in the base were used, and the reciprocal of this peak value ratio was detected. The diffraction line intensities Ia1, Ib1, and Ic1 are multiplied to correct the diffraction line intensity. In the corrected diffraction line intensity in FIG. 5C, the differences da1, db1, and dc1 from the level where there is no attenuation (dashed line in the figure) represent the degree of attenuation by the thin film, and the diffraction line intensity. An attenuation curve (broken line in the figure) can be formed by connecting the peaks.
[0026]
When the incident angle intersecting the horizontal axis is obtained by extending this attenuation curve, the incident angle θα when the intensity is zero can be obtained. The incident angle θα at this time is an angle when the incident X-ray is diffracted at the bottom surface of the thin film 11 (the uppermost layer surface of the base 10) in FIG. 5A, and this angle represents the film thickness of the
[0027]
Therefore, the thickness of the thin film can be obtained by substituting the incident angle θα obtained from this attenuation curve into the equation (4). At this time, the mass absorption coefficient (μ / ρ) of the thin film and the density ρ of the thin film are obtained and substituted into Equation (4).
[0028]
FIG. 6 shows a case where the film thickness is large. When the attenuation curve shown in FIG. 6C is obtained by the same processing as in FIG. 5, the attenuation curve is extended and the intensity is zero from the incident angle intersecting the horizontal axis. Is obtained, and the incident angle θβ is substituted into the equation (4) to obtain the film thickness of the thin film.
[0029]
Next, an outline of an X-ray diffraction apparatus to which the film thickness measurement method using the X-ray diffraction method of the present invention is applied will be described with reference to FIG. The X-ray diffractometer makes X-rays emitted from the X-ray source 1 enter the sample 3 through the primary side slit 2, and the diffraction lines diffracted by the sample 3 enter the parallel crystal 5 through the secondary side slit 4 to be dispersed. Then, the light enters the detector 6. The detector 6 detects the diffraction line intensity while changing the incident angle of the X-ray with respect to the sample 3.
[0030]
The secondary slit 4 can be formed by an optical system including a parallel line bundle (solar slit), thereby improving the accuracy of the incident angle and removing noise.
[0031]
【The invention's effect】
As described above, according to the film thickness measuring method using the X-ray diffraction method of the present invention, it is possible to directly measure the film thickness of an unknown sample without requiring a standard sample, Even when the same kind of element is included, it is possible to prevent a decrease in the measurement accuracy of the film thickness of the thin film.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining an X-ray diffraction method of a thin film.
FIG. 2 is a diagram illustrating a relationship between an X-ray incident angle and an X-ray penetration depth with respect to a base and a thin film.
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the attenuation of the intensity of an X-ray diffraction line by a thin film.
FIG. 4 is a diagram showing a state of an X-ray diffraction line with respect to an incident angle when a thin film is not present on the base.
FIG. 5 is a diagram showing a state of an X-ray diffraction line with respect to an incident angle when a thin thin film is present on a base.
FIG. 6 is a diagram showing a state of an X-ray diffraction line with respect to an incident angle when a thick thin film is present on a base.
FIG. 7 is a schematic view of an X-ray diffraction apparatus to which a film thickness measurement method using the X-ray diffraction method of the present invention is applied.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... X-ray source, 2, 4 ... Slit, 3 ... Sample, 5 ... Parallel crystal, 6 ... Detector, 10 ... Base | substrate, 11, 12, 13 ... Thin film.
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1996
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