JP3775037B2 - 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び投射型表示装置 - Google Patents
電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び投射型表示装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランジスタ等の３端子素子を用いた３端子型アクティブ電気光学装置及びその駆動方法に関する。さらには、その電気光学装置を光変調器として用いた投射型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電気光学装置の一例である液晶装置は特に表示装置として、低消費電力で軽量なディスプレイデバイスとして、テレビ、電子手帳、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器に広く利用されている。そして、薄膜トランジスタをスイッチ素子として用いるいわゆる３端子型アクティブ・マトリクス液晶装置(以下、ＴＦＴパネルという。)は高い表示能力を有する。即ち、応答速度が速く、表示コントラストが高いので、多階調表示が可能である。
【０００３】
よって、多くの情報機器の情報表示手段、テレビ受像器、プロジェクタ等に広く用いられている。
【０００４】
ここでＴＦＴパネルは、電圧変調方式で階調表示を行なっており、ＴＦＴパネルを構成する各々の画素容量は、ある所定の信号電圧で充電され、この電圧を保持することによって、この電圧に対応した階調表示がなされる。
【０００５】
ここで例えば、多くの情報機器では情報表示データとしてデジタル信号が使われており、これらの情報機器の情報表示手段としてＴＦＴパネルを用いる場合には、デジタル信号をある所定の信号電圧に変換(以後、Ｄ/Ａ変換と言い、このＤ/Ａ変換を行う回路をＤ/Ａ変換回路と言う。)して、ＴＦＴパネルに供給し、駆動する必要がある。
【０００６】
しかしながら、このＤ/Ａ変換には多少時間を要するので、ＴＦＴパネルの画素数が多くなると、１つのＤ/Ａ変換回路ではこの変換が追い付かなくなり、複数のＤ/Ａ変換回路で並列変換してＴＦＴパネルに供給する方式がとられている。これを図を用いて説明する。
【０００７】
図９は、基本的なＴＦＴパネルの構成を示す模式図である。図中の、１点鎖線で囲んだ部分１０がＴＦＴパネルであり、１と２は液晶層(図示せず。)を挟持する一対の基板である。一方の基板１には、図で紙面の裏側に相当する液層層側の面に透明電極(図示せず。)が形成されてあり、この電極を対向電極と言う。Ｙ１〜Ｙ７は走査電極であり、他方の基板２の液晶層側の面に形成されている。またＸ１〜Ｘ９は信号電極であり、走査電極と交差するように基板２の液晶層側の面に形成されている。両者の交差部分は互いに絶縁してある。そして、ＴとＰはそれぞれトランジスタ素子と画素電極を示し、これらの記号は１箇所のみ示してあるが、走査電極Ｙ１〜Ｙ７と信号電極Ｘ１〜Ｘ９の交差部分毎に基板２に形成されている。
【０００８】
ここで、トランジスタ素子Ｔは、一般に薄膜の電界効果型トランジスタ素子で、電界効果型トランジスタ素子の３つの端子、即ち、ゲート端子とソース端子とドレイン端子はそれぞれ、対応する走査電極、信号電極、画素電極と接続されている。そして、ゲート端子に所定のゲート電圧を加えた時に、ソース端子とドレイン端子間が導通する電気特性を持っている。
【０００９】
ＴＦＴパネル１０の構成は以上のようになっている。次にＴＦＴパネルの基本的な駆動方法を説明する。
【００１０】
ある走査電極Ｙi(i＝1〜7,・・・・ｎ)に走査電極を選択する選択期間中に選択電圧を加えると、これがトランジスタ素子のゲート端子に印加され、走査電極Ｙiに接続されたトランジスタ素子のソースとドレイン間が導通(オン)するので、ある信号電極Ｘj(j＝1〜9,・・・・ｍ)に、対向電極に対して、ある信号電圧Ｖinを加えると、走査電極Ｙiと信号電極Ｘjの交差部分に対応する画素電極(Ｐijと表記する。)と対向電極が液晶層を誘電体として作る画素容量を、対向電極の電位に対して、信号電圧Ｖinまで充電する。そして走査電極Ｙiに選択電圧を印加するのを止めて非選択期間に移行すると走査電極Ｙiに非選択電圧が印加され、それにより走査電極Ｙiに接続されたトランジスタ素子のソースとドレイン間が非導通(オフ)となるので、画素電極Ｐijと対向電極が作る画素容量の電荷は保持され、画素電極Ｐijと対向電極間の電圧は電圧Ｖinのまま保持される。よって、画素電極Ｐijと対向電極間の液晶層には電圧Ｖinが印加され、この電圧に対応した光学特性を液晶層が呈する。即ち、画素電極によって構成される画素が、電圧Ｖinに対応した階調表示をする。
【００１１】
ここで、図９のＴＦＴパネル１０の走査電極及び信号電極の数はそれぞれ数本しか図示されないが、これは図を簡略化する為で、実際にはそれぞれ数百本以上である。また、基板１と基板２は図を見易くする為に離して描いてあるが、基板１と基板２の間は実際には数十〜数μｍ程度である。また、画素容量を増加するために、各画素には画素電極Ｐijに供給された信号電圧Ｖinを保持する蓄積容量を設けることが多く、その場合、画素容量は液晶層の容量と蓄積容量により構成される。
【００１２】
次に、ＴＦＴパネル１０を駆動する駆動回路構成について説明する。
【００１３】
図１０は、図９のＴＦＴパネル１０を用いた従来技術の電気光学装置の回路構成を示す図である。図１０において、１０は図９のＴＦＴパネル１０である。なお基板１及び対向電極は図上では省略してあるが、対向電極には所定の定電圧が印加されているものとする。
【００１４】
図１０の１１は走査電極制御回路(以下、Ｙドライバと言う。)、１２〜１４はそれぞれＤ/Ａ変換回路、１５は表示制御回路(以下、コントローラと言う。)、Ｓ１〜Ｓ９はそれぞれ信号電極スイッチ回路である。
【００１５】
Ｙドライバ１１は、ＴＦＴパネル１０の対応する走査電極の各々に対する出力端子を持ち、走査電極と出力端子が対応して接続されている。そして、ＤＤ０〜ＤＤ２はＴＦＴパネル１０に表示すべきデジタル表示データであり、コントローラ１５から出力され、それぞれＤ/Ａ変換回路１２〜１４に供給される。１６はＹドライバ１１を制御する通常２本程度からなるＹドライバ制御信号であり、コントローラ１５から出力され、Ｙドライバ１１に供給される。１７は信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のオン/オフを制御する制御信号群であり、コントローラ１５から出力される。また、ＡＤ０〜ＡＤ２はそれぞれ信号電圧線であり、Ｄ/Ａ変換回路１２〜１４がデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のそれぞれの値に応じた電圧に逐次変換した電圧が、それぞれ供給されている。
【００１６】
信号電圧線ＡＤ０はスイッチ回路Ｓ１、Ｓ４、Ｓ７の一端と、信号電圧線ＡＤ１はスイッチ回路Ｓ２、Ｓ５、Ｓ８の一端と、信号電圧線ＡＤ２はスイッチ回路Ｓ３、Ｓ６、Ｓ９の一端と接続しており、総てのスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９の他端は図に示すようにＴＦＴパネル１０の対応する信号電極Ｘ１〜Ｘ９とそれぞれ接続している。
【００１７】
ここでまず、Ｙドライバ１１は、所定の選択期間毎に順次、走査電極を選択していき、選択した走査電極に対して、選択電圧、即ちゲート電圧、を印加していく。言い換えれば、Ｙドライバ１１及び制御信号１６及びコントローラ１５がそのような動作や制御をする構成となっている。
【００１８】
そして、所定の選択期間を複数の小選択期間、ここでは３つの小選択期間に分け、初めの小選択期間では、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３がオンで他のスイッチ回路はオフ、次の小選択期間では、スイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６がオンで他のスイッチ回路はオフ、最後の小選択期間では、スイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９がオンで他のスイッチ回路はオフとなる。言い換えれば、コントローラ１５がそのような動作をさせるよう制御信号群１７をスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９に対して出力する。
【００１９】
ここで、同時にオン状態になるスイッチ回路の組み合わせは、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３、スイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６、スイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９のいずれかである。
【００２０】
また、このスイッチ回路のスイッチングに同期して、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ１のそれぞれとしては、初めの小選択期間では、選択されている走査電極と信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応したデータが供給される。次の小選択期間では、選択されている走査電極と信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応したデータが供給される。最後の小選択期間では、選択されている走査電極と信号電極Ｘ７〜Ｘ９のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応したデータが供給される。それらの供給はコントローラ１２により動作制御されている。
【００２１】
ここで、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２は、それぞれＤ/Ａ変換回路１２〜１４で逐次電圧信号に変換されていく。よって、初めの小選択期間では、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２にはそれぞれ、選択されている走査電極Ｙiと信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧が発生する。この時、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３のみがオン状態であるから、画素電極Ｐi1、Ｐi2、Ｐi3に付随して形成される画素容量のみが、走査電極Ｙiと信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧により充電される。
【００２２】
同様に、次の小選択期間では、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２にはそれぞれ、選択されている走査電極Ｙiと信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧が発生するが、この時、スイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６のみがオン状態であるから、画素電極Ｐi4、Ｐi5、Ｐi6に付随して形成される画素容量のみが、選走査電極Ｙiと信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧により充電される。
【００２３】
そして、最後の小選択期間でも同様に画素電極Ｐi7、Ｐi8、Ｐi9に付随して形成される画素容量のみが、選走査電極Ｙiと信号電極Ｘ７〜Ｘ９のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧により充電される。
【００２４】
以上の説明のように動作をして、ＴＦＴパネルの表示がなされる。これが、デジタル表示データを、複数のＤ/Ａ変換回路で並列変換してＴＦＴパネルに供給する方式である。
【００２５】
なお、この方式では、これら複数のＤ/Ａ変換回路間の変換誤差によって表示むらが発生する場合がある。これを防止する為に、複数の信号電圧線に供給する信号電圧源としての複数のＤ/Ａ変換回路の出力を周期的に他のＤ/Ａ変換回路の出力と切り替えて用いる方法(以下、ローテーション方式と言う。)が知られている。
【００２６】
次に、信号電圧をスイッチ回路に供給する組合せを順次切り替えるローテーション方式を行う従来技術の電気光学装置の構成を、図１１を用いて説明する。図において、１８以外の構成は図１０と同じである。１８は第２のスイッチ回路であり、Ｄ/Ａ変換回路１２〜１４と信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２の間に挿入されている。
【００２７】
ここで、図１１のＤ/Ａ変換回路１２〜１４とスイッチ回路１８及び信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２部分を抜粋、拡大して示した図１２を用いて、スイッチ回路１８の動作を説明する。ある小選択期間では、スイッチ回路１８は、Ｄ/Ａ変換回路１２、１３、１４の出力電圧をそれぞれ、信号電圧線ＡＤ０、ＡＤ１、ＡＤ２の信号電圧源として接続する。そして、他の小選択期間では、Ｄ/Ａ変換回路１２、１３、１４の出力電圧をそれぞれ、信号電圧線ＡＤ０、ＡＤ２、ＡＤ１の信号電圧源として接続する。同様に、Ｄ/Ａ変換回路１２、１３、１４の出力電圧をそれぞれ、更に他の小選択期間では、信号電圧線ＡＤ１、ＡＤ０、ＡＤ２の信号電圧源あるいは、信号電圧線ＡＤ１、ＡＤ２、ＡＤ０の信号電圧源あるいは、信号電圧線ＡＤ２、ＡＤ０、ＡＤ１の信号電圧源あるいは、信号電圧線ＡＤ２、ＡＤ１、ＡＤ０の信号電圧源として接続する。即ち、スイッチ回路１８は、６通りの接続の仕方を各小選択期間を最小単位として周期的に切り替える。(ここで、この周期をローテーション周期と呼ぶ。)このようにすることにより、複数のＤ/Ａ変換回路間の変換誤差によって生じる表示むらは解消される。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、デジタル表示データを、複数のＤ/Ａ変換回路で並列変換してＴＦＴパネルに供給する方式をとる場合に、ローテーション方式を行なってもなお、ある種の表示むらが発生する。図１３はパネル画面全体に同一の中間階調表示を行った場合の表示むらの発生状況を示す図である。図において、１０は図９のＴＦＴパネル１０で、画素電極にハッチングした画素が、画素電極にハッチングしていない画素と異なった階調表示を示す。これは、言い換えると各小選択期間毎で充電される画素の内の右端の画素だけ異なった階調表示となっている。
【００２９】
この発生原因について筆者等が調査をしたところ、以下の発生機構であることが判明した。図１４(ａ)は図９のＴＦＴパネル１０の一部分の横断面を示す模式図、同図(ｂ)は、同図(ａ)の横断面図に容量成分を図示した図、同図(ｃ)は同図(ｂ)の電気等価回路図である。図１４(ａ)では、走査電極Ｙ１を図の左右方向に描き、信号電極Ｘ４〜Ｘ７を紙面に対して垂直方向に描いてある。２０は画素電極Ｐと液晶層を挟んで対向する対向電極である。なお、基板１、２及び液晶層は省略した。また、Ｔ、Ｐはそれぞれトランジスタ素子、画素電極であり、図では１箇所にのみ記号を付してあるが、図の総ての信号電極Ｘ４〜Ｘ７に対応して設けられている。
【００３０】
ここで、画素電極Ｐに付随して形成される画素容量（画素電極Ｐと絶縁膜を介在して重なる走査電極又は容量電極とにより基板２上に形成される蓄積容量が各画素に存在する場合は、この蓄積容量と画素電極Ｐと対向電極２０に挟持される液晶層による液晶容量との合成容量となる。）をＣpixとし、トランジスタ素子Ｔのゲート−ドレイン間容量をＣgd、ゲート−ソース間容量をＣgsとする。また画素電極Ｐは信号電極Ｘと隣接して配置されているので、信号電極Ｘと画素電極Ｐとの間に寄生容量が発生し、その容量をＣspとする。これらの容量を書き込んだものが、同図(ｂ)である。
【００３１】
ここで、実際に駆動している時を考える。即ち、走査電極Ｙ１が選択されている期間で、最後の小選択期間が開始した時を考える。すると、走査電極Ｙ１が選択されているので、トランジスタ素子は導通状態となり、また図１０のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ６はオフとなり、スイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９がオンになるので、この時の電気等価回路は同図(ｃ)のようになる。なお、図でＣｔはＣｔ＝Ｃgd＋Ｃgsである。また三角印は対向電極（及び蓄積容量の電極）を示し、その電圧は一定である。そして、丸印は走査電極Ｙ１を示し、その電圧はゲート電圧（選択電圧）であって一定である。
【００３２】
ここで、最後の小選択期間が開始した時を考えているから、スイッチ回路Ｓ７がオフからオンになった状態である。ここで、各画素は交流駆動のために、前回の選択期間において各画素電極の電圧が対向電極に対して負(正)であった場合には、この最後の小選択期間には正(負)の電圧になるように画素容量Ｃpixを充電するのが一般的である。従って、図１４(ｃ)でＰで示した箇所の電圧が、図１０のスイッチ回路Ｓ７がオフの時に、対向電極に対して電圧Ｖｐであれば、スイッチ回路Ｓ７がオンになる時には、信号電圧線ＡＤ０の電圧は電圧−Ｖｐであり、またスイッチ回路Ｓ７がオンになって暫くするとＰで示した所の電圧も電圧−Ｖｐとなる。よって、Ｐで示した箇所の電圧の変化の絶対値は２Ｖpとなる。ここでＶｐは数Vである。
【００３３】
箇所Ｐにおけるこの電圧変化は、画素電極Ｐと信号電極Ｘ６との間の寄生容量Ｃspを介して、前の小選択期間において信号電極Ｘ４〜６からそれぞれトランジスタ素子を介して信号電圧の印加が開始された画素群のうちの最もＰに近い画素の画素容量Ｃpix（図中、右から２番目）の電圧を変化させる。
【００３４】
この電圧の変化量は、{Ｃsp/(２・Ｃsp＋Ｃｔ＋Ｃpix)}・２Ｖpでおおむね表される。
【００３５】
このＣsp/(２・Ｃsp＋Ｃｔ＋Ｃpix)の値は、ＴＦＴパネル１０の各構成要素の大きさに依存するが、例えば０.０１程度であり、数十mVの電圧変化となる。これは表示する階調に影響を及ぼすオーダである。
【００３６】
ここで、更にこの電圧変化は、画素電極Ｐと信号電極Ｘ６との間の寄生容量Ｃspを介して、前の小選択期間において信号電極Ｘ５にトランジスタ素子を介して信号電圧の印加が開始された他の画素の画素容量Ｃpix（図中、右から３番目）の電圧を変化させるが、この電圧の変化量は数百μVの電圧変化となる。これは表示する階調に影響を殆ど及ぼさないオーダである。この電圧変化は隣接する画素容量へ次々に伝播していくが、無論、電圧変化の発生した箇所から遠ざかるので、表示する階調に影響を及ぼすことは無い。
【００３７】
なお、以上においては、画素電極と信号電極が並置され、隣接する画素電極どうしの電圧変化の影響が信号電極を介して行われるように説明したが、信号電極上に層間絶縁膜を介して信号電極とは異なる層に画素電極を形成し画素電極どうしを隣接する間隙を狭めて配置した場合は、上記した寄生容量Ｃspは、隣接する画素電極間の寄生容量が主体となる。しかしながら、このような場合でも、上記現象は同様に発生する。
【００３８】
以上のように、ある小選択期間が終わり、次の小選択期間が開始するとこの小選択期間に選択される信号電極及び画素電極の電圧が信号電圧に応じて大きく変化し、その内の左端の画素電極（ある小選択期間において信号電圧の印加が同時に開始された画素電極群のうち、前の小選択期間に信号電圧の印加が開始された画素電極に最も隣接する画素電極）の電圧変化によって、その左隣の画素容量（前の小選択期間に信号電圧が印加された画素電極の画素容量）の電圧を変化させ、これが表示むらの原因となっている。これがいわゆるクロストーク現象である。
【００３９】
ここで、{Ｃsp/(２・Ｃsp＋Ｃｔ＋Ｃpix)}の値を小さくすれば、この表示むらが小さくなる。よって例えば、容量Ｃspを小さくする為に、画素電極を小さくして信号電極と画素電極（あるいは隣接する画素電極）の間の隙間を大きくすれば良い。しかしながらこのようにすると、画素面積が小さくなってしまい暗い表示、コントラストの低い表示となってしまう。
【００４０】
本発明は、上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、明るい表示や高コントラストの表示が可能で、クロストークの発生を防止することを可能とする３端子型アクティブ電気光学装置及びその駆動方法を提供するものである。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
本発明に記載の電気光学装置の駆動方法は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタにより電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給し、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に周期的に組み替えることを特徴とする。
【００４２】
また、本発明に記載の電気光学装置の駆動方法は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタにより電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給し、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に無秩序に組み替えることを特徴とする。
【００４３】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタからなる電気光学装置であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に周期的に組み替える第２の供給手段と、
を備えることを特徴とする。
【００４４】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタからなる電気光学装置であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に無秩序に組み替える第２の供給手段と、
を備えることを特徴とする。
【００４５】
また、本発明に記載の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第２の供給手段は、複数の信号電圧を供給する複数の信号電圧線と、前記複数の信号電圧線及び前記複数の信号電極間を選択信号に従って接続する複数のスイッチ回路と、複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、少なくとも一の選択期間毎に周期的に組み替える選択制御回路とを有することを特徴とする。
また、本発明に記載の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第２の供給手段は、複数の信号電圧を供給する複数の信号電圧線と、前記複数の信号電圧線及び前記複数の信号電極間を選択信号に従って接続する複数のスイッチ回路と、複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、少なくとも一の選択期間毎に無秩序に組み替える選択制御回路とを有することを特徴とする。
【００４６】
また、本発明に記載の投射型表示装置は、本発明に記載の電気光学装置を光変調手段として用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源からの光を複数の色光に合成する分離手段と、該分離手段により分離された複数の色光を変調する複数の前記光変調手段と、該複数の光変調手段により変調された色光を合成する合成手段と、該合成手段により合成された光を投射する投射光学手段とを有し、前記複数の光変調手段の電気光学装置における前記選択制御回路により行われる、前記選択信号を同時に与える複数の前記スイッチ回路の組み合わせは、前記複数の光変調手段の少なくとも１つは他の光変調手段と異なることを特徴とする。
【００４７】
また、本発明に記載の電気光学装置の駆動方法は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極に接続される複数のトランジスタと、前記トランジスタに接続される複数の画素電極とを有する電気光学装置の駆動方法において、前記走査電極を選択する選択期間には、選択された前記走査電極に、前記トランジスタを導通させる選択電圧を供給し、前記選択期間を所定の複数に分割した小選択期間毎に順次、複数の前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロック内の各信号電極に信号電圧源からの電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極群の構成を、前記選択期間毎あるいは複数の前記選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替えることを特徴とする。
このような駆動方法によれば、ある小選択期間で選択された信号電極群の内のある信号電極に隣接する、選択されていない信号電極が、周期的にあるいは無秩序にあるいは所定の組み替え則によって変化する。よって、ある小選択期間で選択された信号電極群の内のある信号電極に隣接する、選択されていない信号電極に係る画素は誤差を持つ階調表示をするが、この誤差を持つ階調表示をする画素が周期的にあるいは無秩序にあるいは所定の組み替え則によって変化するので均一化し、表示むらが解消する。
【００４８】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極に接続される複数のトランジスタと、前記トランジスタに接続される複数の画素電極とを有する電気光学装置において、前記走査電極を選択する選択期間に、選択された前記走査電極に、前記トランジスタを導通させる選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を所定の複数に分割した小選択期間毎に順次、複数の前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロック内の各信号電極に信号電圧源からの電圧を供給する第２の供給手段とを備え、前記第２の供給手段は、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極群の構成を、前記選択期間毎あるいは複数の前記選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替えることを特徴とする。
このような電気光学装置によれば、表示むらが解消し、かつ明るく高コントラストの高品質の表示を行う表示装置が得られる。
【００４９】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極に接続される複数のトランジスタと、前記トランジスタに接続される複数の画素電極とを有する電気光学装置において、前記走査電極を選択する選択期間に、選択された前記走査電極に、前記トランジスタを導通させる選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を所定の複数に分割した小選択期間毎に順次、複数の前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロック内の各信号電極に信号電圧源からの電圧を供給する第２の供給手段とを備え、前記第２の供給手段は、複数の前記信号電圧源の電圧を供給する複数の信号電圧線と、前記複数の信号電圧線のいずれかと複数の前記信号電極の各々の間を、選択信号を受けて導通する複数のスイッチ回路と、前記選択信号を同時に与える複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、前記選択期間毎あるいは複数の前記選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替え可能とする選択制回路とを有することを特徴とする。
このような電気光学装置を用いることによって、本発明に記載の駆動装置を具現する際に周辺構成を簡素化出来る。
また、本発明に記載の電気光学装置は、前記選択制御回路が、少なくともシフトレジスタ回路とラッチ回路から構成されていることを特徴とする。
このような電気光学装置によれば、本発明に記載の電気光学装置の選択制御回路を容易に構成することが出来る。
【００５０】
また、本発明に記載の投射型表示装置は、本発明に記載の電気光学装置を光変調手段として用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源からの光を複数の色光に合成する分離手段と、該分離手段により分離された複数の色光を変調する複数の前記光変調手段と、該複数の光変調手段により変調された色光を合成する合成手段と、該合成手段により合成された光を投射する投射光学手段とを有し、前記複数の光変調手段の電気光学装置における前記選択制御回路により行われる、前記選択信号を同時に与える複数の前記スイッチ回路の組み合わせは、前記複数の光変調手段の少なくとも１つは他の光変調手段と異ならせてなることを特徴とする。
このような構成により、合成された光により投射される画像において、表示むらが減少するだけでなく、表示むらが発生するとしてもその発生箇所が、合成された画像の画面上で、異なる箇所に発生するので、むらの発生が分散される。よって、合成画像は、表示むらが解消された、明るくコントラストのよいものとできる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００５２】
〔実施例１〕
本実施例では具体的な電気光学装置の一構成例として液晶装置を挙げ、これを用いて駆動方法についても説明を行う。図１は本実施例で用いるＴＦＴパネルの構成を示す斜視図である。なお、この構成は従来の技術において説明した図９に示したＴＦＴパネルと同じである。 図２は本実施例のＴＦＴパネル１０を用いた液晶装置の概略構成を示す図である。
【００５３】
図１において、１点鎖線で囲んだ部分１０はＴＦＴパネルであり、１と２は液晶層(図示せず。)を挟持する透明ガラスからなる一対の基板である。一方の基板１には、図で紙面の裏側（液晶層に面する側の基板上）にＩＴＯかならなる透明電極(図示せず。)が全面に形成されている。この電極を対向電極と言う。この対向電極には液晶層を交流駆動する際の極性反転の基準電位となるコモン電位が印加されている。
【００５４】
Ｙ１〜Ｙ７は走査電極であり、他方の基板２の液晶層に面する側に、図における横方向に形成されている。またＸ１〜Ｘ９は信号電極であり、走査電極と交差するように基板２の液晶層に面する側に形成されている。ここで、両者の交差部分は絶縁膜を介して互いに絶縁してある。そして、ＴとＰはそれぞれトランジスタ素子と画素電極を示し、これらの記号は１箇所のみ示してあるが、走査電極Ｙ１〜Ｙ７と信号電極Ｘ１〜Ｘ９の交差部分毎に基板２の液晶層に面する側に形成されている。
【００５５】
ここで、トランジスタ素子Ｔは、一般にＴＦＴと呼ばれる薄膜の電界効果型トランジスタ素子で、電界効果型トランジスタ素子の３つの端子、即ち、ゲート端子とソース端子とドレイン端子はそれぞれ、対応する走査電極、信号電極、画素電極と接続されている。そして、ゲート端子に所定のゲート電圧（選択電圧）を加えた時に、ソース端子とドレイン端子間が導通する電気特性を持っている。
【００５６】
すなわち、マトリクス状に形成される各画素は、その選択期間（水平走査期間）になると走査電極よりゲート端子に与えられる選択電圧によってＴＦＴが導通することにより、信号電極に与えられる信号電圧をＴＦＴのチャネルを介して画素電極Ｐに印加するように構成される。これにより、画素電極Ｐと対向電極との間には電界が与えられるので、この電界によりその間に介在される液晶層の液晶分子の配列が変化する結果、表示がなされる。次に、非選択期間に移行すると、走査電極には非選択電圧が印加されるのでＴＦＴは非導通となり、各画素は液晶層に与える電圧を保持するように画素容量に電荷を蓄積・保持する。電荷の蓄積・保持は、画素容量により行われる。この画素容量は画素電極Ｐと対向電極により介在される液晶層の容量にて形成されるが、各画素において、画素電極と走査電極又は容量電極とが絶縁膜を介して重ねて形成する蓄積容量が設けられている場合は、液晶容量と蓄積容量との合成容量により形成される。ＴＦＴパネルの構成は以上のようになっている。なお、ＴＦＴパネル１０の駆動方法の詳細は従来の技術にて説明したものと同様である。
【００５７】
図１のＴＦＴパネル１０の走査電極及び信号電極の数はそれぞれ数本しかないが、これは図を簡略化する為で、実際にはそれぞれ数百本以上である。また、基板１と基板２は図を見易くする為に離して描いてあるが、基板１と基板２の間は実際には数十〜数μｍ程度である。
【００５８】
次に、ＴＦＴパネル１０を駆動する駆動回路構成について説明する。
【００５９】
図２は、図１のＴＦＴパネル１０を用いた従来技術の液晶装置の回路構成を示す図である。図２において、１０は図１のＴＦＴパネル１０である。なお基板１及び対向電極は図上では省略してあるが、対向電極には上記したコモン電圧が印加されているものとする。
【００６０】
図２の１１は走査電極制御回路(以下、Ｙドライバと言う。)、１２〜１４はそれぞれＤ/Ａ変換回路、Ｓ１〜Ｓ９はそれぞれ信号電極スイッチ回路、ＳＢは信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９全体とそれを制御する機能を有するスイッチ回路ブロック、１０１は表示制御回路(以下、コントローラと言う。)である。
【００６１】
Ｙドライバ１１は、ＴＦＴパネル１０の走査電極の各々に対応する出力端子を有し、走査電極と出力端子が対応して接続されている。そして、ＤＤ０〜ＤＤ２はＴＦＴパネル１０に表示すべきデジタル表示データであり、コントローラ１０１から出力され、それぞれＤ/Ａ変換回路１２〜１４に供給される。１６はＹドライバ１１を制御する通常２本程度からなるＹドライバ制御信号であり、コントローラ１０１から出力され、Ｙドライバ１１に供給される。
【００６２】
１０２は信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のオン/オフを制御する複数の信号電極選択信号群で、本実施例では信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９と対応する本数からなり、信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９に対応させて、選択信号Ｄ１〜Ｄ９からなる。ここで、例えば信号Ｄ３が能動状態ならばスイッチ回路Ｓ３がオンになるように対応しているものとする。
【００６３】
また、ＡＤ０〜ＡＤ２はそれぞれ信号電圧線であり、Ｄ/Ａ変換回路１２〜１４がデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のそれぞれの値に応じた電圧に逐次変換した電圧が、それぞれ供給されている。信号電圧線ＡＤ０はスイッチ回路Ｓ１、Ｓ４、Ｓ７の一端と、信号電圧線ＡＤ１はスイッチ回路Ｓ２、Ｓ５、Ｓ８の一端と、信号電圧線ＡＤ２はスイッチ回路Ｓ３、Ｓ６、Ｓ９一端と接続し、総てのスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９の他端は図に示すようにＴＦＴパネル１０の対応する信号電極Ｘ１〜Ｘ９とそれぞれ接続している。
【００６４】
ここでまず、Ｙドライバ１１は、Ｙドライバ制御信号１６のクロックタイミングに応じて、所定の選択期間毎に順次、走査電極を選択していき、選択した走査電極に対して、選択電圧、即ちゲート電圧、を印加していく。言い換えれば、Ｙドライバ１１及び制御信号１６及びコントローラ１０１がそのような動作や制御をする構成となっている。なお、Ｙドライバ１１の動作及び構成は従来技術と同様なので詳細な説明を省略する。
【００６５】
なお、任意の走査電極に選択電圧が印加されている各選択期間を複数の小選択期間、ここでは３つの小選択期間に分け、初めの小選択期間を第１の小選択期間、次の小選択期間を第２の小選択期間、最後の小選択期間を第３の小選択期間と言うことにする。
【００６６】
次に、コントローラ１０１が出力する信号電極選択信号群１０２、即ち選択信号Ｄ１〜Ｄ９とデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングを、信号Ｄ１〜Ｄ９とデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングを示すタイム・チャートを示す図３を用いて説明する。
【００６７】
図３において横軸は時間を表す。デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２に関しては時間軸を拡大してあり、また一部省略してある。そして、波形内に記した数字は、数字の十の位の数で、図２のＴＦＴパネル１０走査電極の番号、一の位の数で信号電極の番号を示し、当該番号の走査電極と信号電極が交差する部分の画素に表示すべき階調データを示す。例えば、「３４」ならば走査電極Ｙ３と信号電極Ｘ４が交差する部分の画素Ｐ34に表示すべき階調データを表す。
【００６８】
また、選択信号Ｄ１〜Ｄ９の波形は、上が能動、下が非能動を示す。即ち、例えば選択信号Ｄ５が能動の時、図２のスイッチ回路Ｓ５がオンとなり、非能動の時オフとなるように、選択信号Ｄ１〜Ｄ９とスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のスイッチングは対応している。
【００６９】
本実施例においては走査電極を７本（Ｙ１〜Ｙ７）としているので、各フレーム期間は７つの選択期間からなる。従って、図２のＹドライバ１１は、各フレーム期間の初めから、各選択期間毎に走査電極Ｙ１からＹ７まで順次選択するように動作する。また、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９は３つのグループに分割されてスイッチ回路のグループが選択期間中の小選択期間毎に順次選択されるようにしているため、各選択期間は３つの小選択期間からなる。
【００７０】
図３において、選択信号Ｄ１〜Ｄ９の波形が示すように、最初のフレーム期間(図の第１フレーム期間)の走査電極Ｙ１が選択されている最初の選択期間では、第１の小選択期間で選択信号Ｄ１〜Ｄ３が能動(図２のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３がオン、信号電極Ｘ１〜Ｘ３が選択される。)、第２の小選択期間で信号Ｄ４〜Ｄ６が能動(図２のスイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６がオン、信号電極Ｘ４〜Ｘ６が選択される。)、第３の小選択期間で信号Ｄ７〜Ｄ９が能動(図２のスイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９がオン、信号電極Ｘ７〜Ｘ９が選択される。)となる。
【００７１】
これに同期して、オンしたスイッチ回路を介して信号電極に供給されるデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２はそれぞれ、第１の小選択期間には「１１」、「１２」、「１３」、第２の小選択期間には「１４」、「１５」、「１６」、第３の小選択期間には「１７」、「１８」、「１９」の各画素に供給すべき表示データとなる。これらのデジタル表示データは、図２のＤ/Ａ変換回路１２〜１４で逐次電圧に変換されるから、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２にはそれぞれ、第１の小選択期間には「１１」、「１２」、「１３」、第２の小選択期間には「１４」、「１５」、「１６」、第３の小選択期間には「１７」、「１８」、「１９」に対応した電圧が供給されることになる。すると、第１の小選択期間では図２のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３がオンとなるから、信号電極Ｘ１〜Ｘ３にそれぞれ「１１」、「１２」、「１３」に対応した電圧が供給される。
【００７２】
よって、走査電極Ｙ１と信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの部分の画素容量が「１１」、「１２」、「１３」に対応した電圧で充電されることになる。同様に、第２の小選択期間では走査電極Ｙ１と信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの部分の画素容量が「１４」、「１５」、「１６」に対応した電圧で充電され、第３の小選択期間では走査電極Ｙ１と信号電極Ｘ７〜Ｘ９のそれぞれの部分の画素容量が「１７」、「１８」、「１９」に対応した電圧で充電される。よって、走査電極Ｙ１上の総ての画素は所望する階調の表示となる。
【００７３】
次に走査電極Ｙ２が選択されている期間では、第１の小選択期間で信号Ｄ１、Ｄ２、Ｄ９が能動、第２の小選択期間で信号Ｄ３〜Ｄ５が能動、第３の小選択期間で信号Ｄ６〜Ｄ８が能動となる。これに同期して、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２はそれぞれ、第１の小選択期間にて「２１」、「２２」、「２９」、第２の小選択期間にて「２３」、「２４」、「２５」、第３の小選択期間にて「２６」、「２７」、「２８」となる。
【００７４】
よって、第１の小選択期間において図２のスイッチ回路Ｓ１、Ｓ２、Ｓ９がオンとなるから、信号電極Ｘ１、Ｘ２、Ｘ９にそれぞれ「２１」、「２２」、「２９」に対応した電圧が供給される。同様に第２の小選択期間では信号電極Ｘ３〜Ｘ５のそれぞれに「２３」、「２４」、「２５」に対応した電圧が、第３の小選択期間では信号電極Ｘ６〜Ｘ８のそれぞれの部分の画素容量が「２６」、「２７」、「２８」に対応した電圧が供給される。よって、所望する階調の表示となる。
【００７５】
ここで一般的に言うと、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のそれぞれは、ある選択されている走査電極と選択信号Ｄ１〜Ｄ９内の能動になっているものに対応した信号電極とが交差する部分の画素に表示すべき階調データとなっている。
【００７６】
よって、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングについてのこれ以上の説明を省略して、選択信号Ｄ０〜Ｄ９についてのタイミングだけを、図３の信号Ｄ０〜Ｄ９のタイミングを表１〜３を用いて説明する。表１〜表３は各々第１フレーム〜第３フレームでの図３の選択信号Ｄ１〜Ｄ９の状態を示す。各表において、第１列目がフレーム期間、２列目が選択期間、３列目が小選択期間を示す欄で、４列目以降が信号Ｄ１〜Ｄ９の状態を示す欄である。表１〜表３で○印のある部分が能動である。表に示すように選択期間毎に同時に能動となる信号の組、言い換えれば同時に選択される信号電極の組が組み替えられる。
【００７７】
【表１】
【００７８】
【表２】
【００７９】
【表３】
【００８０】
即ち、ある選択期間では、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９が同時に選択される信号電極の組であったのが、次の選択期間では、Ｘ９，Ｘ１，Ｘ２と、Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５と、Ｘ６，Ｘ７，Ｘ８となり、更に次の選択期間では、Ｘ８，Ｘ９，Ｘ１と、Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４と、Ｘ５，Ｘ６，Ｘ７となり、次は初めのＸ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９となる。表に示されるように、同時に選択される信号電極の組が小選択期間毎に順次左側にシフトしていく組み替え方式であり、このような信号電極の選択がＹ７が選択され終わるまで繰り返される。
【００８１】
また、これをフレーム期間毎に見ると、例えば走査電極Ｙ１が選択されている期間について、第１フレーム期間では、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９が同時に選択される信号電極の組であったのが、次のフレーム期間では、Ｘ８，Ｘ９，Ｘ１と、Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４と、Ｘ５，Ｘ６，Ｘ７となり、更に次のフレーム期間では、Ｘ９，Ｘ１，Ｘ２と、Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５と、Ｘ６，Ｘ７，Ｘ８となり、次は初めのＸ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９となる。これが繰り返されていく。よって、フレーム周期(ここでは７倍の選択期間)毎でも同時に選択される信号電極の組が組み替えられる。
【００８２】
図２のコントローラ１０１は、以上のようなタイミングで、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２及び信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９を制御する信号電極選択信号群１０２(選択信号Ｄ１〜Ｄ９)を出力する。
【００８３】
本実施例のＴＦＴパネル１０を用いた液晶装置は以上の駆動方法で駆動する。ところで、ある小選択期間で選択された信号電極の内、次の小選択期間で選択された信号電極に隣接する選択し終わった信号電極に係る画素容量の電圧に対して、図１４を用いて説明したような選択開始された信号電極での電圧変化の影響が及び、画素容量の電圧がシフトして誤差が生じてしまう（以下、このシフトした電圧を誤差電圧と言う。）。
【００８４】
ここで、本実施例の駆動をさせた時の誤差が生じる画素の位置を表４に示す。表で第１行が信号電極、第１列目が走査電極の番号を示す欄で、２行２列以降にこれらの信号電極と走査電極の交差する所の画素容量に誤差電圧が発生する画素に○印が付けられている。
【００８５】
【表４】
【００８６】
表４に示すように誤差の生じる画素はフレーム期間毎に異なり、信号電極Ｘ１〜Ｘ６に係る画素については、各々総て３フレームに１回だけ誤差が生じるだけとなる。言い換えれば各画素の画素容量に印加される誤差電圧（は１/３に総て均一に低減さえ、均一に分散される。
【００８７】
ところで、信号電極Ｘ７〜Ｘ９に係る画素については、誤差電圧が生じない。よって、この右端の画素(ここでは右端の３本の信号電極に係る画素)は他の画素に対して厳密には僅かながら表示むらが発生することになる。しかしながら、本実施例では図及び説明を簡略化する為に、信号電極が９本と少ない場合で説明しているが、実際は数百本以上であり、右端の３本分だけ僅かに(１/３に低減した誤差電圧分だけ)階調表示が異なっても殆ど問題無い、あるいは右端の３本分を実際には使用しないダミーとしても良く、実用上の不具合いは生じない。
【００８８】
以上、説明したように、本実施例の駆動方法、及び液晶装置によれば、所定の画素に生じていた誤差電圧が、総ての画素に１/３に均一に低減され均一分散されるので、表示むらが見えなくなり、高品質な表示が可能となる。
【００８９】
ここで、本実施例では、第１の小選択期間を除けば、先の小選択期間から後の小選択期間に向かって左側の画素から右側の画素を順次選択する組み合わせの場合を記してあるが、無論、右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせであっても良い。
【００９０】
更に左側の画素から右側の画素を順次選択する組み合わせの場合と右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせの場合を適宜交代する組み合わせ方でも良い。こうすると、左端、右端部分の画素についても若干の均一な誤差電圧が生じてこの左端、右端部分の画素での表示むらが改善される。
【００９１】
なお、本実施例では各小選択期間に同時に選択する信号電極数を３本の場合で説明したが、無論これに限定されるものではなく、２本以上の任意の本数の場合に対しても適用出来ることは言うまでもない。
【００９２】
また、本実施例では、各選択期間毎に同時に選択する信号電極の組を１本ずつ巡回的に組み替えた例を示したが、これについてもこれに限定されるものではなく、ある周期で、または無秩序(擬似的な無秩序を含む)に、または所定の組み替え則で組み替えても良い。
【００９３】
そして、更に液晶装置の信号電極数及び走査電極数が本実施例より多い場合についても適用可能なのは言うまでもない。
【００９４】
さらに、本実施例ではＴＦＴパネルを前提に説明を進めたが、これに限定されるものではない。例えば、図１における他方の基板２をシリコン基板とし、トランジスタをシリコン基板表面に形成したＭＯＳ型トランジスタで形成し、画素電極を反射型電極で形成する反射型のアクティブ液晶パネルとしてもよい。無論、本実施例の場合にも、画素電極を反射型電極として形成しても構わない。
【００９５】
また、本実施例の電気光学装置の構成は、具体的な一構成例であって、これに限定されるものではなく、同等の動作を行なえれば他の構成であっても良い。特に図２で、スイッチ回路ブロックＳＢ内の信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のオン/オフ制御に、これに対応する本数の信号Ｄ１〜Ｄ９を与えてあるが、これは動作の理解を容易に、あるいは説明を簡略化する為であり、実際にはスイッチ回路ブロックＳＢ内にデコーダ回路やその他の回路構成でより少ない数の信号電極選択信号群１０２で動作するようにすることが好ましい。
【００９６】
また、上述したローテーション方式を本実施例に併用できることは言うまでもない。
【００９７】
〔実施例２〕
次に、本発明の電気光学装置の実施例２について説明する。
【００９８】
実施例１の表１〜表３で示した駆動方法では、例えば、表１の第１フレームの第２選択期間の第１の小選択期間で信号電極Ｘ１，Ｘ２とＸ９が選択された後に、第２の小選択期間で信号電極Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５が選択される。即ち、図２のコントローラ１０１が出力するデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２は、左端の画素(Ｘ１とＸ２)と右端の画素（Ｘ９）に対応した表示データの信号とし、その後に続く小選択期間では、順次、左側からの３画素(Ｘ３〜Ｘ５）（Ｘ６〜Ｘ８)に対応した信号とする必要がある。従って、このデジタル表示データを出力する、コントローラ１０１内のこれらの制御回路(図示せず。)の構成がやや複雑になる。
【００９９】
そこで、本実施例では各選択期間を例えば４つの小選択期間に分割して、コントローラ１０１内のこれらの制御回路の構成を複雑にしない駆動方法について述べる。
【０１００】
まず、この４つの小選択期間を、第１〜第４の小選択期間とすると、この場合の各フレーム、選択期間、小選択期間で選択される信号電極は、表５のようになる。なお、表５は、表１〜３と同様の構成となっているが、表を簡略化する為に途中より後を省略してある。
【０１０１】
【表５】
【０１０２】
表５に示すように、あるフレーム期間のＹ１の選択期間では、Ｘ１〜Ｘ３とＸ４〜Ｘ６とＸ７〜Ｘ９が同時に選択される信号電極の組であったのが、次の選択期間では、４つの小選択期間において、Ｘ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が順次選択されることとなり、更に次の選択期間では、Ｘ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が順次選択されることとなる。さらに、次の選択期間では第１〜第３の小選択期間においてＸ１〜Ｘ３、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜Ｘ９が順次選択され、第４の小選択期間ではＸ１〜９のいずれの信号電極も選択されない。すなわち、表に示されるように、同時に選択される信号電極の組が小選択期間毎に順次左側にシフトしていく組み替え方式であり、このような信号電極の選択がＹ７が選択され終わるまで繰り返される。
【０１０３】
そして、次のフレーム期間でのＹ１の選択期間では、Ｘ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が４つの小選択期間毎に同時選択される信号電極の組となり、次の選択期間では、Ｘ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が各小選択期間における同時選択の組となり、更に次の選択期間ではＸ１〜Ｘ３、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜９が選択の組となり、最後の小選択期間では選択がなされない。次はＸ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が組となる。このように選択される信号電極の組が順次左シフトし、これがＹ７が選択されおわるまで繰り返される。
【０１０４】
更に次のフレーム期間でのＹ１の選択期間では、Ｘ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が同時に選択される信号電極の組となり、次の選択期間では、Ｘ１〜Ｘ３、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜Ｘ９となって残りの小選択期間では選択がなされない。更に次の選択期間ではＸ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が同時選択の組となり、次の選択期間ではＸ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が同時選択の組となる。このように選択される信号電極の組が順次左シフトし、これがＹ７が選択されおわるまで繰り返される。
【０１０５】
以上のように３フレーム期間が繰り返される。このような駆動方法を行なった時に、各フレーム期間での誤差電圧の発生する画素の位置を表６に示す。表６の構成は表４と同じである。
【０１０６】
【表６】
【０１０７】
表６に示すように誤差電圧の生じる画素はフレーム期間毎に異なり、信号電極Ｘ１〜Ｘ８に係る画素については、各々総て３フレームに１回だけ誤差電圧が生じるだけとなる。言い換えれば各画素に印加する誤差電圧は１/３に総て均一に低減さえ、均一に分散される。従って、実施例１の表１〜表３で示した駆動方法と同様の効果が得られる。また、誤差が生じないのは左端の信号電極Ｘ９だけにすることが出来る。
【０１０８】
そして、図２のコントローラ１０１が出力するデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２を、常に、隣接又は近隣の画素の組の表示データの信号を供給すればよくなる、すなわち実施例に従えば左側の画素から順に右側の画素の順番通りに対応した信号で済むので、コントローラ１０１内の制御回路を簡単にすることが出来る。なお、小選択期間の数が一つ増えるが、実際のＴＦＴパネルの場合には信号電極数が数百本以上であり、各選択期間での小選択期間の数は数十〜数百であり、小選択期間が一つ増えても問題とはならない。
【０１０９】
また、本実施例でも、先の小選択期間から後の小選択期間に向かって左側の画素から右側の画素を信号電極の組毎に順次選択する組み合わせの場合を記してあるが、無論、右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせであっても良い。
【０１１０】
更に左側の画素から右側の画素を順次選択する組み合わせの場合と右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせを適宜交代する（例えばフレーム毎に交代する）組み合わせ方でも良い。こうすると、実施例１と同様に左端、右端部分の画素についても若干の均一な誤差電圧が生じてこの左端、右端部分の画素での表示むらが改善される。
【０１１１】
また、本実施例１と同様に、各小選択期間に同時に選択する信号電極数を３本の場合で説明したが、無論これに限定されるものではなく、２本以上の任意の本数の場合に対しても適用出来ることは言うまでもない。
【０１１２】
また、本実施例では、各選択期間毎に同時に選択する信号電極の組を１本ずつ巡回的に組み替えた例を示したが、これについてもこれに限定されるものではなく、ある周期で、または無秩序(擬似的な無秩序を含む)に、または所定の組み替え則で組み替えても良い。
【０１１３】
また更に、本実施例では、各小選択期間毎に同時に選択する信号電極の組を互いに隣接する信号電極としてあるが、これについても、これに限定されるものではない。
【０１１４】
そして、更にＴＦＴパネルの信号電極数及び走査電極数が本実施例より多い場合についても適用可能なのは言うまでもないが、ここで一般的なＴＦＴパネルでの駆動方法について述べておく。
【０１１５】
まず、ｍ本の走査電極(上から並び順にＹ1〜Ｙmの記号を付し、その走査電極名とする。)とｎ本の信号電極(左から並び順にＸ１〜Ｘnの記号を付し、その信号電極名とする。)とからなるＴＦＴパネルを用いた時の、本実施例の駆動方法を説明する。即ち、各小選択期間に同時に選択する信号電極の数が最大３本の場合についての組み合わせの例について説明する。ここで、初めの選択期間から第１、第２、…の選択期間とし第１の選択期間ではＹ１、第２の選択期間ではＹ２…を選択するものとし、Ｙ1〜Ｙmを総て１巡して選択しおわるフレーム期間についても、あるフレーム期間を第１のフレーム期間、引続くフレーム期間を第２のフレーム期間…ということにする。そして、各選択期間は複数の小選択期間からなるものとし、各選択期間で、初めの小選択期間から第１、第２…の小選択期間と言うことにする。
【０１１６】
ここで、第１のフレーム期間では、第(１＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ３の３本を選択し、続く各々の小選択期間では、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜Ｘ９…と並び順に３本ずつ最後の信号電極まで選択していく。無論、最後の小選択期間では選択される信号電極数は総信号電極数ｎによって異なる。
【０１１７】
第(２＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ２の２本を選択し、続く各々の小選択期間では、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８…と並び順に３本ずつ最後の信号電極まで選択していく。
【０１１８】
第(３＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１の１本を選択し、続く各々の小選択期間では、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７…と並び順に３本ずつ最後の信号電極まで選択していく。なお、ｋは正整数である。
【０１１９】
ここで、上の各選択期間で第１の小選択期間で同時に選択される信号電極数は、
第(１＋３ｋ)の選択期間から第(３＋３ｋ)の選択期間のそれぞれで、第１の小選択期間で同時に選択される信号電極数は３本、２本、１本であり、その後の第２の小選択期間以降では並び順に３本ずつ選択していく。よって、各選択期間での、小選択期間で同時に選択する信号電極の組の組み合わせ方は、各選択期間で第１の小選択期間で同時に選択される信号電極数で表すことが出来る。
【０１２０】
即ち、第(１＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ３の３本を選択するので、「3の組み合わせ」、第(２＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ２の２本を選択するので、「2の組み合わせ」、第(３＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１の１本を選択するので、「1の組み合わせ」と表すことが出来る。
【０１２１】
更に、同一フレーム期間では、第(１＋３ｋ)の選択期間での「３の組み合わせ」と第(２＋３ｋ)の選択期間での「2の組み合わせ」と第(３＋３ｋ)の選択期間での「1の組み合わせ」が周期的に用いられるので、そのフレーム期間での組み合わせを、
{3、2、1}|3と表すことが出来、
これでそのフレーム期間での組み合わせを表すことにする。なお、|3は、第２以降の小選択期間で同時に選択される信号電極数(ここでは３)を示す指標である。ここで、
第１のフレーム期間では、{3、2、1}|3とし、
第２のフレーム期間では、{2、1、3}|3とし、
第３のフレーム期間では、{1、3、2}|3とし、
第４のフレーム期間以降では、上の第１から３のフレーム期間のくり返しとすることにより、本実施例で述べた効果が、ｍ本の走査電極とｎ本の信号電極からなる一般化したＴＦＴパネルでも得られる。
【０１２２】
なお、実施例１と同様に、他方の基板２をシリコン基板とし、トランジスタをシリコン基板表面に形成したＭＯＳ型トランジスタで形成し、画素電極を反射型電極で形成する反射型のアクティブ液晶パネルとしてもよい。無論、本実施例の場合にも、画素電極を反射型電極として形成しても構わない。
【０１２３】
〔実施例３〕
実施例１、２で述べたように、同時に選択する信号電極の組み合わせ方は、極めて多くの組み合わせがあり、その組み合わせ方を総て列記することは出来ないが、他の組み合わせの他の例のいくつかを本実施例で示す。本実施例では、ｍ本の信号電極とｎ本の走査電極からなるＴＦＴパネルを用い、同時に選択する信号電極の数が最大６本の場合についての組み合わせの例について説明する。
【０１２４】
ここで、実施例２を習って、
第１のフレーム期間では、{6、5、4、3、2、1}|6とし、
第２のフレーム期間では、{5、4、3、2、1、6}|6とし、
第３のフレーム期間では、{4、3、2、1、6、5}|6とし、
第４のフレーム期間では、{3、2、1、6、5、4}|6とし、
第５のフレーム期間では、{2、1、6、5、4、3}|6とし、
第６のフレーム期間では、{1、6、5、4、3、2}|6とし、
第７のフレーム期間以降では、上の第１から６のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第１の駆動方法と呼ぶ。この駆動方法では、各画素に第１から６フレーム期間を通して一度だけ誤差電圧が均一に生じるので、実施例２で述べた効果が得られる。
【０１２５】
しかしながらこのような組み合わせでは、表示にちらつきが生じる場合がある。これを、図４（ａ）〜(ｆ)を用いて説明する。図４（ａ）〜(ｆ)はそれぞれ第１〜第６フレーム期間で、誤差電圧の発生する画素、言い換えれば表示むらの発生する画素を示す図である。本図は、走査電極が１８本、信号電極が３６本のＴＦＴパネルを用いた場合で各マス目が画素であり、ハッチングをほどこした各マス目が表示むらの発生する画素を示す。
【０１２６】
図に示すように、各フレーム期間で表示むらの発生する画素が画面の右上から左下の斜め線状に連続する。そして、あるフレーム期間から次のフレーム期間に移ると、この表示むらの発生する画素が全体に１画素分左に移動する。従って、斜め線状の表示むらが移動して見え、表示にちらつきが生じる。ここで、各フレーム期間が充分に短ければ斜め線状の表示むらの移動が速くなり、あるいは液晶の電気光学応答が遅ければこのちらつきは減少するが、このようにすると、駆動に必要な回路や信号を速くする必要が生じ、また高速応答等の表示性能の低下につながり好ましくない。
【０１２７】
ここで、このちらつきは、斜め線状の表示むら、言い換えれば連続した定型的な表示むらパターンが６つのフレーム期間の比較的長い時間を周期にして連続的に移動することによる。言い換えれば、各フレーム期間で発生する表示むらパターンが不連続な不定型なものとすれば良く、また表示むらパターンが不連続的に短周期で移動するようにすれば良い。よって、例えば
第１のフレーム期間では、{6、3、1、5、2、4}|6とし、
第２のフレーム期間では、{3、5、4、2、6、1}|6とし、
第３のフレーム期間では、{4、2、5、1、3、6}|6とし、
第４のフレーム期間では、{1、6、2、4、5、3}|6とし、
第５のフレーム期間では、{5、1、6、3、4、2}|6とし、
第６のフレーム期間では、{2、4、3、6、1、5}|6とし、
第７のフレーム期間以降では、上の第１から６のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第２の駆動方法と呼ぶ。この駆動方法でも、各画素に第１から６フレーム期間を通して一度だけ誤差電圧が均一に生じるので、実施例２で述べた効果が得られる。
【０１２８】
図５（ａ）〜(ｆ)は、このような駆動を行なった時の、それぞれ第１〜第６フレーム期間で、表示むらの発生する画素を示す図である。なお図の見方は図４と同じで、ＴＦＴパネルの画素数も同じである。図５（ａ）〜(ｆ)で示すように、各フレーム期間での表示むらのパターンは、各フレーム期間毎に異なった不定型なパターンであり、表示むらの画素が連続する数は多くとも２画素である。また、例えば１番上の行の１番左に発生する表示むらの画素の位置は、第１〜６のフレーム期間毎に、Ｘ６、Ｘ３、Ｘ１、Ｘ５、Ｘ２、Ｘ４の位置に不連続的に変化する。よって、ちらつきが殆ど発生しない。
【０１２９】
次に、他の駆動方法を説明する。この駆動方法は、表示むらパターンが連続的で定型的であっても不連続的に移動するようにするだけでもちらつきの低減にある程度の効果が得られるようにするものである。例えば、
第１のフレーム期間では、{6、5、4、3、2、1}|6とし、
第２のフレーム期間では、{3、2、1、6、5、4}|6とし、
第３のフレーム期間では、{5、4、3、2、1、6}|6とし、
第４のフレーム期間では、{2、1、6、5、4、3}|6とし、
第５のフレーム期間では、{4、3、2、1、6、5}|6とし、
第６のフレーム期間では、{1、6、5、4、3、2}|6とし、
第７のフレーム期間以降では、上の第１から６のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第３の駆動方法と呼ぶ。この駆動は、第１の駆動法の組み合わせを各フレーム期間で用いる順番を変更したものである。
【０１３０】
図６（ａ）〜(ｆ)は、このような駆動を行なった時の、それぞれ第１〜第６フレーム期間で、表示むらの発生する画素を示す図である。なお図の見方は図４と同じで、ＴＦＴパネルの画素数も同じである。図６（ａ）〜(ｆ)で示すように、各フレーム期間での表示むらのパターンは、右上から左下に連続する斜め線状となるが、各フレーム期間毎にこの斜め線状の表示むらは不連続に移動する。よって、ちらつきが低減出来る。また更に
第１のフレーム期間では{6、5、4、3、2、1}|6とし、
第２のフレーム期間では{1、2、3、4、5、6}|6とし、
第３のフレーム期間では{5、4、3、2、1、6}|6とし、
第４のフレーム期間では{2、3、4、5、6、1}|6とし、
第５のフレーム期間では{4、3、2、1、6、5}|6とし、
第６のフレーム期間では{3、4、5、6、1、2}|6とし、
第７のフレーム期間では{3、2、1、6、5、4}|6とし、
第８のフレーム期間では{4、5、6、1、2、3}|6とし、
第９のフレーム期間では{2、1、6、5、4、3}|6とし、
第10のフレーム期間では{5、6、1、2、3}|6とし、
第11のフレーム期間では{1、6、5、4、3、2}|6とし、
第12のフレーム期間では{6、1、2、3、4、5}|6とし、
第13のフレーム期間以降では、上の第１から12のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第４の駆動方法と呼ぶ。
【０１３１】
この第４の駆動方法の奇数のフレーム期間だけを追って見ると第１の駆動方法と同じで、右上から左下への斜め状の表示むらが左へ動き、偶数のフレーム期間だけを追って見ると左上から右下への斜め状の表示むらが右へ動き、これらがほぼ相殺されちらつきが低減出来る。ここで更に、第１の駆動方法に対する第３の駆動方法と同様に各フレーム期間で用いる組み合わせの順番を変更しても良い。
【０１３２】
以上、本実施例では、第１〜第４の駆動方法を挙げて説明したが、これらのいずれかまたは他の駆動方法(組み合わせ方)をとるかは、液晶パネルの電気光学応答特性やコントローラの回路構成をどこまで複雑にして良いのか等を考慮して取捨選択すれば良い。例えば、第１の駆動方法でちらつきが見えなければ、この方法を用いることによって、コントローラのこれらの制御回路を比較的簡素なものに出来、逆に第２の駆動方法のような不規則に近い組み替え方による駆動方法をとる場合には、コントローラのこれらの制御回路は比較的複雑なものになるが、よりちらつきの無い表示が可能である。
【０１３３】
以上述べたように、様々な駆動方法(組み合わせ方)があり、組み合わせ方を適当に設定することによって、表示むら及びちらつきを防止出来る。なお、ここで挙げた組み合わせは一例に過ぎず、本実施例で述べた趣旨に反しない他の組み合わせでも、無論、かまわない。
【０１３４】
また本実施例においても、ローテーション方式が併用可能なことは言うまでもない。
【０１３５】
〔実施例４〕
実施例１の図２では、電気光学装置が、ＴＦＴパネル１０及び信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２、スイッチ回路ブロックＳＢ他で構成されている。ここで、ＴＦＴパネル１０の基板上に、少なくとも信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢを形成、搭載することが好ましい。即ち、微細加工技術の向上に伴い、ＴＦＴパネル１０の基板上に信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢを形成、搭載することが可能でありこれによって液晶装置を小さくすることが可能である。また逆にスイッチ回路ブロックＳＢをＴＦＴパネル１０の基板上に形成しない場合には、スイッチ回路ブロックＳＢとＴＦＴパネル１０の多くの端子を電気的に接続する必要があり、この接続部の信頼性が低下してしまうからである。
【０１３６】
また、実施例１〜３の駆動方法を行う場合の、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢを形成、搭載したＴＦＴパネルのスイッチ回路ブロックＳＢの具体的な構成は次の構成にするにが好ましい。
【０１３７】
図７は、ＴＦＴパネル１０を構成する他方の基板２における画素領域の周辺領域に形成された信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢの具体的な構成を示す図である。
【０１３８】
図でＡＤ０〜ＡＤ２は信号電圧線であり、破線で囲んだＳＢがスイッチ回路ブロックである。ここで、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２には外部から供給される信号電圧が与えられる。
【０１３９】
スイッチ回路ブロックＳＢ内で、実線で囲んだ７０１と７０２はそれぞれシフトレジスタ回路、ラッチ回路である。シフトレジスタ回路７０１、ラッチ回路７０２はそれぞれ、四角で示したＲ１〜Ｒ９、Ｌ１〜Ｌ９のＤ型フリップフロップ回路(四角の左上をデータ入力、左下をクロック入力、右をデータ出力とする。)からなる。また、それぞれ四角で囲んだＳ１〜Ｓ９はスイッチ回路(四角の左を制御端子、上を入力端子、下を出力端子とする。)である。
【０１４０】
ここで、シフトレジスタ回路７０１とラッチ回路７０２とで信号電極選択制御回路を構成し、ラッチ回路７０２内のＤ型フリップフロップ回路Ｌ１〜Ｌ９のデータ出力をそれぞれスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９に対応した信号電極選択信号（実施例１〜３にて説明した選択信号Ｄ１〜Ｄ９に相当する。）として、それぞれスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のそれぞれの制御端子に供給する。スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９の入力端子はそれぞれ信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２のいずれかと結線され、他方の出力端子はそれぞれＴＦＴパネルの信号電極Ｘ１〜Ｘ９(図示せず。)に結線されている。ここで、信号電極選択信号が能動ならばこの信号が供給されるスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９はオンとなり、非能動ならばオフとなる。
【０１４１】
シフトレジスタ回路７０１、ラッチ回路７０２のそれぞれのＤフリップフロップ回路の数とスイッチ回路の数は、本実施例では９個であるが、一般的にはそれぞれＴＦＴパネルの信号電極数に対応する。
【０１４２】
スイッチ回路ブロックＳＢは以上のような構成となっている。
【０１４３】
そして、選択データ信号ＳＤＡ、シフトクロック信号ＳＣＫ、ラッチクロック信号ＬＣＫから構成される信号電極選択信号１０２がスイッチ回路ブロックＳＢに与えられる。
【０１４４】
すると、信号電極選択制御回路を構成するシフトレジスタ回路７０１は、外部から供給される選択データ信号ＳＤＡをシフトクロック信号ＳＣＫに同期して取り込み、ＤフリップフロップＲ１の出力データをＲ２に、Ｒ２のデータをＲ３へ…と右にシフトする。
【０１４５】
ラッチ回路７０２内のＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９のそれぞれは、ラッチクロック信号ＬＣＫに同期して、シフトレジスタ回路７０１のＤフリップフロップＲ１〜Ｒ９の出力データを取り込み、そのデータを信号電極選択信号Ｄ１〜Ｄ９として出力する。即ち、ＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９の出力するデータが能動であればこれに対応するスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９はオン、非能動であればオフとなる。以上のような構成と動作をする。
【０１４６】
図８は、スイッチ回路ブロックＳＢの動作を説明するタイミングチャート図である。図は、あるフレーム期間で、{3、2、1}|3の駆動方法での走査電極Ｙ１〜Ｙ３が選択されている時を示している。(但し、Ｙ３については途中までである。)そして横軸は時間で、各選択期間は４つの小選択期間からなり、初めから第１、第２、…の小選択期間とする。また、図で示される波形は、上からラッチクロック信号ＬＣＫ、シフトクロック信号ＳＣＫ、信号電極選択データ信号ＳＤＡ、そしてシフトレジスタ７０１内の各ＤフリップフロップＲ１〜Ｒ９の出力データ、ラッチ回路７０２内の各ＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９の出力データ（実施例１〜３の選択信号Ｄ１〜Ｄ９に相当する。）である。なお、信号電極選択データ信号ＳＤＡ、Ｒ１〜Ｒ９、Ｌ１〜Ｌ９の出力波形は、上を能動とし、下を非能動とする。
【０１４７】
図に示すように、ラッチクロック信号ＬＣＫを３シフトクロック信号ＳＣＫ毎に１回の割合で供給してあり、ラッチクロック信号ＬＣＫの立上がりから次の立上がりまでの期間が１小選択期間となる。
【０１４８】
そして、３シフトクロック信号ＳＣＫ分の長さの能動な信号電極選択データ信号ＳＤＡを、シフトクロック信号ＳＣＫに同期して、シフトレジスタ回路７０１内のＲ１に取り込み、Ｒ２〜Ｒ９にシフトさせている。ところで、ラッチクロック信号ＬＣＫは、３シフトクロック信号ＳＣＫ毎に１回の割合で供給されているので、ラッチ回路７０２の、能動なデータを出力する連続する３つのＤフリップフロップの位置が３つずれた時に、Ｒ１〜Ｒ９の出力がラッチ回路７０２のＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９に取り込まれ出力される。よって、小選択期間の開始毎にラッチ回路７０２の能動なデータを出力するＤフリップフロップの位置が３つずつ重ならないでずれていく。
【０１４９】
ここで、信号電極選択データ信号ＳＤＡが能動となるタイミングは、例えば、図のＹ１の選択期間では、この選択期間の第１の小選択期間が開始するラッチクロック信号ＬＣＫの立上がりに対して３シフトクロック信号ＳＣＫ分前であり、Ｙ２の選択期間では２シフトクロック信号ＳＣＫ分前、Ｙ３の選択期間では１シフトクロック信号ＳＣＫ分前となっている。
【０１５０】
こうすると、Ｙ１の選択期間では、第１の小選択期間にＬ１〜Ｌ３の出力が能動となり、信号電極Ｘ１〜Ｘ３が選択され、第２の小選択期間にＬ４〜Ｌ６の出力が能動となり、第３の小選択期間にＬ７〜Ｌ９の出力が能動となり、第４の小選択期間には総てが非能動となる。即ち、「３の組み合わせ」で駆動される。
【０１５１】
同様に、Ｙ２の選択期間では、第１の小選択期間にＬ１とＬ２の出力が能動となり、第２の小選択期間にＬ３〜Ｌ５の出力が能動となり、第３の小選択期間にＬ６〜Ｌ８の出力が能動となり、第４の小選択期間にはＬ９の出力が能動となる。即ち、「２の組み合わせ」で駆動される。
【０１５２】
更に、Ｙ２の選択期間では、第１の小選択期間にＬ１の出力が能動となり、図示していないが第２の小選択期間にＬ２〜Ｌ４の出力が能動となり、第３の小選択期間にＬ５〜Ｌ７の出力が能動となり、第４の小選択期間にはＬ８とＬ９の出力が能動となる。即ち、「１の組み合わせ」で駆動される。よって、{3、2、1}|3の駆動方法がなされる。
【０１５３】
以上述べたように、本実施例のスイッチ回路ブロックＳＢの構成によれば、信号電極選択データ信号ＳＤＡ、シフトクロック信号ＳＣＫ、ラッチクロック信号ＬＣＫの３本の信号で例えば実施例２の駆動方法が実現出来る。また、シフトクロック信号ＳＣＫに対するラッチクロック信号ＬＣＫの間隔、信号電極選択データ信号ＳＤＡの与え方を適当にすることによって、実施例３で述べた他の駆動方法にも容易に適用出来る。例えば実施例３の第３の駆動方法を実現するには、第１のフレーム期間での{6、5、4、3、2、1}|6による駆動方法は、ラッチクロック信号ＬＣＫを６シフトクロック信号ＳＣＫ毎に１回の割合で供給し、６シフトクロック信号ＳＣＫ分の長さの能動な信号電極選択データ信号ＳＤＡを供給してやれば良く、そのタイミングはＹ(１＋６ｋ)の選択期間では、この選択期間の第１の小選択期間が開始するラッチクロック信号ＬＣＫの立上がりに対して６シフトクロック信号ＳＣＫ分前であり、Ｙ(２＋６ｋ)の選択期間では５シフトクロック信号ＳＣＫ分前、Ｙ(３＋６ｋ)の選択期間では４シフトクロック信号ＳＣＫ分前、…とすれば良い。なお、ｋは正整数。
【０１５４】
ここで、本実施例ではシフトレジスタ回路７０１は右シフト構成となっているが、無論左シフト構成であっても構わず、また、制御信号が１本増えるが右シフトと左シフトの両方が行なえる構成であっても構わない。
【０１５５】
無論、スイッチ回路ブロックＳＢの信号電極選択制御回路の構成は、本実施例のようなシフトレジスタ回路とラッチ回路による構成に限るものではない。即ち、１選択期間を最小単位として同時にオンとなるスイッチ回路の組み合わせを変更出来るような回路構成であれば、信号電極選択制御回路の構成はいかなる構成であっても良い。
【０１５６】
例えば、各フレーム期間の各選択期間での信号電極の組み合わせ方が周期的な場合には、各選択期間での小選択期間数を係数する係数回路、各フレーム期間での選択期間数を係数する係数回路、及びフレーム期間を係数する係数回路をＴＦＴパネルの基板上に設け、あるいはこれらの係数値を入力し、これらの数値をデコードして、スイッチ回路ブロックＳＢの各々のスイッチ回路のオン/オフ制御する回路構成であっても良い。
【０１５７】
しかしながら、このような回路構成は複雑となりやすく、各選択期間での信号電極の組み合わせ方に自由度が乏しくなりやすいので、本実施例の構成がより好ましい。
【０１５８】
なお、図２のＹドライバ１１の構成をＴＦＴパネル上に形成しても、無論良い。
【０１５９】
また、本実施例の構成のスイッチ回路ブロックＳＢをＴＦＴパネルの基板上に搭載したＴＦＴパネルを用いることによって、実施例１の電気光学装置が、制御が容易で構成の簡素化されたものになるのは言うまでもない。
【０１６０】
また、以上の説明では、ＴＦＴパネルを前提にしたが、図１における他方の基板２をシリコン基板とし、トランジスタをシリコン基板表面に形成したＭＯＳ型トランジスタで形成し、画素電極を反射型電極で形成する反射型のアクティブ液晶パネルとした場合は、パネルの基板に搭載する回路も全てシリコン基板に集積回路として形成することができる。無論、本実施例のＴＦＴパネルの場合にも、画素電極を反射型電極として形成しても構わない。
【０１６１】
以上、本実施例によれば、請求項２記載の電気光学装置と同様の効果が得られるとともに、周辺構成が少ない簡素な電気光学装置が提供出来る。
【０１６２】
〔実施例５〕
次に、実施例１〜４に係わる本発明の電気光学装置を光変調装置（以下、ライトバルブと言う。）に用いた本発明の投射型表示装置を説明する。
【０１６３】
図１５は、投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図中、１１０は光源、１１３，１１４はダイクロイックミラー、１１５，１１６，１１７は反射ミラー、１１８，１１９，１２０はリレーレンズ、１２２，１２３，１２４は上記した実施例１〜４において説明した電気光学装置（液晶装置）を用いた光変調手段（以下、液晶ライトバルブと言う。）、１２５はクロスダイクロイックプリズム、１２６は投射レンズを示す。光源１１０はメタルハライド等のランプ１１１とランプの光を反射するリフレクタ１１２とからなる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー１１３は、光源１１０からの白色光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー１１７で反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ１２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー１１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー１１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ１２３に入射される。一方、青色光は第２のダイクロイックミラー１１４も透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１８、リレーレンズ１１９、出射レンズ１２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段１２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ１２４に入射される。各ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム１２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２６によってスクリーン１２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１６４】
以上のような投射型表示装置において、例えば、赤色光用液晶ライトバルブ１２２と青色光用液晶ライトバルブ１２４については、各小選択期間における信号電極の同時選択の組合せを同一とする。それによりスクリーン１２７に投射される合成画像上において、液晶ライトバルブ１２２と１２４は同じ箇所に誤差電圧の発生する画素が重なるが、緑色光用液晶ライトバルブ１２３については誤差電圧の発生する画素が合成画像上において重ならないように、同時に選択して信号電圧が印加される信号電極の組合せを異ならせる。それにより、合成画像上において、表示むらが分散され、コントラストが向上する。
【０１６５】
さらに、各液晶ライトバルブにおける信号電極選択の組合せを、選択期間毎あるいは複数の選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替えることができる。特に、ライトバルブどうしでその組み替えの仕方を異ならせれば、表示むらはより分散される。
【０１６６】
なお、さらには３つの液晶ライトバルブの液晶装置を、合成画像上において、誤差電圧が発生する箇所が互いに重ならないように、小選択期間に同時選択する信号電極の組合せを互いに異ならせてもよい。
【０１６７】
以上、各実施例１〜５について説明したが、本発明の電気光学装置は、液晶層を用いた液晶装置に留まらず、他の光変調材料やＥＬ等の発光材料を有する装置に対しても、本発明の趣旨に沿って用いることができる。
【０１６８】
【発明の効果】
以上の説明より明かなように、本発明の駆動方法によれば、表示むらが解消する。また、表示むらが無く、かつ明るく高コントラストの高品質の表示を行う表示装置が得られる。また、周辺構成を簡素化出来る。また、選択制御回路を容易に構成することが出来る。
【０１６９】
また、本発明の電気光学装置を投射型表示装置のライトバルブとして用いれば、合成された光により投射される画像において、表示むらが減少するだけでなく、表示むらが発生するとしてもその発生箇所が、合成された画像の画面上で、異なる箇所に発生するので、むらの発生が分散される。よって、合成画像は、表示むらが解消された、明るくコントラストのよいものとできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術のＴＦＴパネルの構成を示す斜視図。
【図２】 実施例１の電気光学装置の概略構成を示す図。
【図３】 実施例１の信号Ｄ１〜Ｄ９とデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングを示すタイム・チャート。
【図４】 実施例３の第１の駆動方法を行なった時の表示むらの発生する画素を示す図。
【図５】 実施例３の第２の駆動方法を行なった時の表示むらの発生する画素を示す図。
【図６】 実施例３の第３の駆動方法を行なった時の表示むらの発生する画素を示す図。
【図７】 実施例４のＴＦＴパネルに形成された信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢの具体的な構成を示す図。
【図８】 実施例４のスイッチ回路ブロックＳＢの動作を説明するタイミングチャート。
【図９】 従来技術のＴＦＴパネルの構成を示す斜視図。
【図１０】 従来技術の電気光学装置の構成を示す図。
【図１１】 ローテーション方式を行う従来技術の電気光学装置の構成を示す図。
【図１２】 図１１の電気光学装置のＤ/Ａ変換回路１２〜１４とスイッチ回路１８及び信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２部分を抜粋、拡大して示した図。
【図１３】 従来技術の表示むらの発生状況を示す図。
【図１４】 図９のＴＦＴパネル１０の一部の横断面を示す図。
【図１５】 実施例１〜４の電気光学装置を複数個用いた実施例５の投射型表示装置を示す図。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴパネル
１、２…一対の基板
Ｙ１〜Ｙ７…走査電極
Ｘ１〜Ｘ９…信号電極
Ｐ…画素電極
Ｔ…トランジスタ
１１…走査電極制御回路(Ｙドライバ)
１２〜１４…Ｄ/Ａ変換回路
１０１…表示制御回路(コントローラ)
１６…Ｙドライバ制御信号
ＳＢ…スイッチ回路ブロック
Ｓ１〜Ｓ９…スイッチ回路
１０２…信号電極選択信号群
ＤＤ０〜ＤＤ２…デジタル表示データ
ＡＤ０〜ＡＤ２…信号電圧線
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランジスタ等の３端子素子を用いた３端子型アクティブ電気光学装置及びその駆動方法に関する。さらには、その電気光学装置を光変調器として用いた投射型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電気光学装置の一例である液晶装置は特に表示装置として、低消費電力で軽量なディスプレイデバイスとして、テレビ、電子手帳、パーソナルコンピュータ、携帯電話等の電子機器に広く利用されている。そして、薄膜トランジスタをスイッチ素子として用いるいわゆる３端子型アクティブ・マトリクス液晶装置(以下、ＴＦＴパネルという。)は高い表示能力を有する。即ち、応答速度が速く、表示コントラストが高いので、多階調表示が可能である。
【０００３】
よって、多くの情報機器の情報表示手段、テレビ受像器、プロジェクタ等に広く用いられている。
【０００４】
ここでＴＦＴパネルは、電圧変調方式で階調表示を行なっており、ＴＦＴパネルを構成する各々の画素容量は、ある所定の信号電圧で充電され、この電圧を保持することによって、この電圧に対応した階調表示がなされる。
【０００５】
ここで例えば、多くの情報機器では情報表示データとしてデジタル信号が使われており、これらの情報機器の情報表示手段としてＴＦＴパネルを用いる場合には、デジタル信号をある所定の信号電圧に変換(以後、Ｄ/Ａ変換と言い、このＤ/Ａ変換を行う回路をＤ/Ａ変換回路と言う。)して、ＴＦＴパネルに供給し、駆動する必要がある。
【０００６】
しかしながら、このＤ/Ａ変換には多少時間を要するので、ＴＦＴパネルの画素数が多くなると、１つのＤ/Ａ変換回路ではこの変換が追い付かなくなり、複数のＤ/Ａ変換回路で並列変換してＴＦＴパネルに供給する方式がとられている。これを図を用いて説明する。
【０００７】
図９は、基本的なＴＦＴパネルの構成を示す模式図である。図中の、１点鎖線で囲んだ部分１０がＴＦＴパネルであり、１と２は液晶層(図示せず。)を挟持する一対の基板である。一方の基板１には、図で紙面の裏側に相当する液層層側の面に透明電極(図示せず。)が形成されてあり、この電極を対向電極と言う。Ｙ１〜Ｙ７は走査電極であり、他方の基板２の液晶層側の面に形成されている。またＸ１〜Ｘ９は信号電極であり、走査電極と交差するように基板２の液晶層側の面に形成されている。両者の交差部分は互いに絶縁してある。そして、ＴとＰはそれぞれトランジスタ素子と画素電極を示し、これらの記号は１箇所のみ示してあるが、走査電極Ｙ１〜Ｙ７と信号電極Ｘ１〜Ｘ９の交差部分毎に基板２に形成されている。
【０００８】
ここで、トランジスタ素子Ｔは、一般に薄膜の電界効果型トランジスタ素子で、電界効果型トランジスタ素子の３つの端子、即ち、ゲート端子とソース端子とドレイン端子はそれぞれ、対応する走査電極、信号電極、画素電極と接続されている。そして、ゲート端子に所定のゲート電圧を加えた時に、ソース端子とドレイン端子間が導通する電気特性を持っている。
【０００９】
ＴＦＴパネル１０の構成は以上のようになっている。次にＴＦＴパネルの基本的な駆動方法を説明する。
【００１０】
ある走査電極Ｙi(i＝1〜7,・・・・ｎ)に走査電極を選択する選択期間中に選択電圧を加えると、これがトランジスタ素子のゲート端子に印加され、走査電極Ｙiに接続されたトランジスタ素子のソースとドレイン間が導通(オン)するので、ある信号電極Ｘj(j＝1〜9,・・・・ｍ)に、対向電極に対して、ある信号電圧Ｖinを加えると、走査電極Ｙiと信号電極Ｘjの交差部分に対応する画素電極(Ｐijと表記する。)と対向電極が液晶層を誘電体として作る画素容量を、対向電極の電位に対して、信号電圧Ｖinまで充電する。そして走査電極Ｙiに選択電圧を印加するのを止めて非選択期間に移行すると走査電極Ｙiに非選択電圧が印加され、それにより走査電極Ｙiに接続されたトランジスタ素子のソースとドレイン間が非導通(オフ)となるので、画素電極Ｐijと対向電極が作る画素容量の電荷は保持され、画素電極Ｐijと対向電極間の電圧は電圧Ｖinのまま保持される。よって、画素電極Ｐijと対向電極間の液晶層には電圧Ｖinが印加され、この電圧に対応した光学特性を液晶層が呈する。即ち、画素電極によって構成される画素が、電圧Ｖinに対応した階調表示をする。
【００１１】
ここで、図９のＴＦＴパネル１０の走査電極及び信号電極の数はそれぞれ数本しか図示されないが、これは図を簡略化する為で、実際にはそれぞれ数百本以上である。また、基板１と基板２は図を見易くする為に離して描いてあるが、基板１と基板２の間は実際には数十〜数μｍ程度である。また、画素容量を増加するために、各画素には画素電極Ｐijに供給された信号電圧Ｖinを保持する蓄積容量を設けることが多く、その場合、画素容量は液晶層の容量と蓄積容量により構成される。
【００１２】
次に、ＴＦＴパネル１０を駆動する駆動回路構成について説明する。
【００１３】
図１０は、図９のＴＦＴパネル１０を用いた従来技術の電気光学装置の回路構成を示す図である。図１０において、１０は図９のＴＦＴパネル１０である。なお基板１及び対向電極は図上では省略してあるが、対向電極には所定の定電圧が印加されているものとする。
【００１４】
図１０の１１は走査電極制御回路(以下、Ｙドライバと言う。)、１２〜１４はそれぞれＤ/Ａ変換回路、１５は表示制御回路(以下、コントローラと言う。)、Ｓ１〜Ｓ９はそれぞれ信号電極スイッチ回路である。
【００１５】
Ｙドライバ１１は、ＴＦＴパネル１０の対応する走査電極の各々に対する出力端子を持ち、走査電極と出力端子が対応して接続されている。そして、ＤＤ０〜ＤＤ２はＴＦＴパネル１０に表示すべきデジタル表示データであり、コントローラ１５から出力され、それぞれＤ/Ａ変換回路１２〜１４に供給される。１６はＹドライバ１１を制御する通常２本程度からなるＹドライバ制御信号であり、コントローラ１５から出力され、Ｙドライバ１１に供給される。１７は信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のオン/オフを制御する制御信号群であり、コントローラ１５から出力される。また、ＡＤ０〜ＡＤ２はそれぞれ信号電圧線であり、Ｄ/Ａ変換回路１２〜１４がデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のそれぞれの値に応じた電圧に逐次変換した電圧が、それぞれ供給されている。
【００１６】
信号電圧線ＡＤ０はスイッチ回路Ｓ１、Ｓ４、Ｓ７の一端と、信号電圧線ＡＤ１はスイッチ回路Ｓ２、Ｓ５、Ｓ８の一端と、信号電圧線ＡＤ２はスイッチ回路Ｓ３、Ｓ６、Ｓ９の一端と接続しており、総てのスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９の他端は図に示すようにＴＦＴパネル１０の対応する信号電極Ｘ１〜Ｘ９とそれぞれ接続している。
【００１７】
ここでまず、Ｙドライバ１１は、所定の選択期間毎に順次、走査電極を選択していき、選択した走査電極に対して、選択電圧、即ちゲート電圧、を印加していく。言い換えれば、Ｙドライバ１１及び制御信号１６及びコントローラ１５がそのような動作や制御をする構成となっている。
【００１８】
そして、所定の選択期間を複数の小選択期間、ここでは３つの小選択期間に分け、初めの小選択期間では、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３がオンで他のスイッチ回路はオフ、次の小選択期間では、スイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６がオンで他のスイッチ回路はオフ、最後の小選択期間では、スイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９がオンで他のスイッチ回路はオフとなる。言い換えれば、コントローラ１５がそのような動作をさせるよう制御信号群１７をスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９に対して出力する。
【００１９】
ここで、同時にオン状態になるスイッチ回路の組み合わせは、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３、スイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６、スイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９のいずれかである。
【００２０】
また、このスイッチ回路のスイッチングに同期して、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ１のそれぞれとしては、初めの小選択期間では、選択されている走査電極と信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応したデータが供給される。次の小選択期間では、選択されている走査電極と信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応したデータが供給される。最後の小選択期間では、選択されている走査電極と信号電極Ｘ７〜Ｘ９のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応したデータが供給される。それらの供給はコントローラ１２により動作制御されている。
【００２１】
ここで、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２は、それぞれＤ/Ａ変換回路１２〜１４で逐次電圧信号に変換されていく。よって、初めの小選択期間では、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２にはそれぞれ、選択されている走査電極Ｙiと信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧が発生する。この時、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３のみがオン状態であるから、画素電極Ｐi1、Ｐi2、Ｐi3に付随して形成される画素容量のみが、走査電極Ｙiと信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧により充電される。
【００２２】
同様に、次の小選択期間では、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２にはそれぞれ、選択されている走査電極Ｙiと信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧が発生するが、この時、スイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６のみがオン状態であるから、画素電極Ｐi4、Ｐi5、Ｐi6に付随して形成される画素容量のみが、選走査電極Ｙiと信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧により充電される。
【００２３】
そして、最後の小選択期間でも同様に画素電極Ｐi7、Ｐi8、Ｐi9に付随して形成される画素容量のみが、選走査電極Ｙiと信号電極Ｘ７〜Ｘ９のそれぞれの交差部分の画素に表示すべき階調に対応した信号電圧により充電される。
【００２４】
以上の説明のように動作をして、ＴＦＴパネルの表示がなされる。これが、デジタル表示データを、複数のＤ/Ａ変換回路で並列変換してＴＦＴパネルに供給する方式である。
【００２５】
なお、この方式では、これら複数のＤ/Ａ変換回路間の変換誤差によって表示むらが発生する場合がある。これを防止する為に、複数の信号電圧線に供給する信号電圧源としての複数のＤ/Ａ変換回路の出力を周期的に他のＤ/Ａ変換回路の出力と切り替えて用いる方法(以下、ローテーション方式と言う。)が知られている。
【００２６】
次に、信号電圧をスイッチ回路に供給する組合せを順次切り替えるローテーション方式を行う従来技術の電気光学装置の構成を、図１１を用いて説明する。図において、１８以外の構成は図１０と同じである。１８は第２のスイッチ回路であり、Ｄ/Ａ変換回路１２〜１４と信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２の間に挿入されている。
【００２７】
ここで、図１１のＤ/Ａ変換回路１２〜１４とスイッチ回路１８及び信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２部分を抜粋、拡大して示した図１２を用いて、スイッチ回路１８の動作を説明する。ある小選択期間では、スイッチ回路１８は、Ｄ/Ａ変換回路１２、１３、１４の出力電圧をそれぞれ、信号電圧線ＡＤ０、ＡＤ１、ＡＤ２の信号電圧源として接続する。そして、他の小選択期間では、Ｄ/Ａ変換回路１２、１３、１４の出力電圧をそれぞれ、信号電圧線ＡＤ０、ＡＤ２、ＡＤ１の信号電圧源として接続する。同様に、Ｄ/Ａ変換回路１２、１３、１４の出力電圧をそれぞれ、更に他の小選択期間では、信号電圧線ＡＤ１、ＡＤ０、ＡＤ２の信号電圧源あるいは、信号電圧線ＡＤ１、ＡＤ２、ＡＤ０の信号電圧源あるいは、信号電圧線ＡＤ２、ＡＤ０、ＡＤ１の信号電圧源あるいは、信号電圧線ＡＤ２、ＡＤ１、ＡＤ０の信号電圧源として接続する。即ち、スイッチ回路１８は、６通りの接続の仕方を各小選択期間を最小単位として周期的に切り替える。(ここで、この周期をローテーション周期と呼ぶ。)このようにすることにより、複数のＤ/Ａ変換回路間の変換誤差によって生じる表示むらは解消される。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、デジタル表示データを、複数のＤ/Ａ変換回路で並列変換してＴＦＴパネルに供給する方式をとる場合に、ローテーション方式を行なってもなお、ある種の表示むらが発生する。図１３はパネル画面全体に同一の中間階調表示を行った場合の表示むらの発生状況を示す図である。図において、１０は図９のＴＦＴパネル１０で、画素電極にハッチングした画素が、画素電極にハッチングしていない画素と異なった階調表示を示す。これは、言い換えると各小選択期間毎で充電される画素の内の右端の画素だけ異なった階調表示となっている。
【００２９】
この発生原因について筆者等が調査をしたところ、以下の発生機構であることが判明した。図１４(ａ)は図９のＴＦＴパネル１０の一部分の横断面を示す模式図、同図(ｂ)は、同図(ａ)の横断面図に容量成分を図示した図、同図(ｃ)は同図(ｂ)の電気等価回路図である。図１４(ａ)では、走査電極Ｙ１を図の左右方向に描き、信号電極Ｘ４〜Ｘ７を紙面に対して垂直方向に描いてある。２０は画素電極Ｐと液晶層を挟んで対向する対向電極である。なお、基板１、２及び液晶層は省略した。また、Ｔ、Ｐはそれぞれトランジスタ素子、画素電極であり、図では１箇所にのみ記号を付してあるが、図の総ての信号電極Ｘ４〜Ｘ７に対応して設けられている。
【００３０】
ここで、画素電極Ｐに付随して形成される画素容量（画素電極Ｐと絶縁膜を介在して重なる走査電極又は容量電極とにより基板２上に形成される蓄積容量が各画素に存在する場合は、この蓄積容量と画素電極Ｐと対向電極２０に挟持される液晶層による液晶容量との合成容量となる。）をＣpixとし、トランジスタ素子Ｔのゲート−ドレイン間容量をＣgd、ゲート−ソース間容量をＣgsとする。また画素電極Ｐは信号電極Ｘと隣接して配置されているので、信号電極Ｘと画素電極Ｐとの間に寄生容量が発生し、その容量をＣspとする。これらの容量を書き込んだものが、同図(ｂ)である。
【００３１】
ここで、実際に駆動している時を考える。即ち、走査電極Ｙ１が選択されている期間で、最後の小選択期間が開始した時を考える。すると、走査電極Ｙ１が選択されているので、トランジスタ素子は導通状態となり、また図１０のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ６はオフとなり、スイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９がオンになるので、この時の電気等価回路は同図(ｃ)のようになる。なお、図でＣｔはＣｔ＝Ｃgd＋Ｃgsである。また三角印は対向電極（及び蓄積容量の電極）を示し、その電圧は一定である。そして、丸印は走査電極Ｙ１を示し、その電圧はゲート電圧（選択電圧）であって一定である。
【００３２】
ここで、最後の小選択期間が開始した時を考えているから、スイッチ回路Ｓ７がオフからオンになった状態である。ここで、各画素は交流駆動のために、前回の選択期間において各画素電極の電圧が対向電極に対して負(正)であった場合には、この最後の小選択期間には正(負)の電圧になるように画素容量Ｃpixを充電するのが一般的である。従って、図１４(ｃ)でＰで示した箇所の電圧が、図１０のスイッチ回路Ｓ７がオフの時に、対向電極に対して電圧Ｖｐであれば、スイッチ回路Ｓ７がオンになる時には、信号電圧線ＡＤ０の電圧は電圧−Ｖｐであり、またスイッチ回路Ｓ７がオンになって暫くするとＰで示した所の電圧も電圧−Ｖｐとなる。よって、Ｐで示した箇所の電圧の変化の絶対値は２Ｖpとなる。ここでＶｐは数Vである。
【００３３】
箇所Ｐにおけるこの電圧変化は、画素電極Ｐと信号電極Ｘ６との間の寄生容量Ｃspを介して、前の小選択期間において信号電極Ｘ４〜６からそれぞれトランジスタ素子を介して信号電圧の印加が開始された画素群のうちの最もＰに近い画素の画素容量Ｃpix（図中、右から２番目）の電圧を変化させる。
【００３４】
この電圧の変化量は、{Ｃsp/(２・Ｃsp＋Ｃｔ＋Ｃpix)}・２Ｖpでおおむね表される。
【００３５】
このＣsp/(２・Ｃsp＋Ｃｔ＋Ｃpix)の値は、ＴＦＴパネル１０の各構成要素の大きさに依存するが、例えば０.０１程度であり、数十mVの電圧変化となる。これは表示する階調に影響を及ぼすオーダである。
【００３６】
ここで、更にこの電圧変化は、画素電極Ｐと信号電極Ｘ６との間の寄生容量Ｃspを介して、前の小選択期間において信号電極Ｘ５にトランジスタ素子を介して信号電圧の印加が開始された他の画素の画素容量Ｃpix（図中、右から３番目）の電圧を変化させるが、この電圧の変化量は数百μVの電圧変化となる。これは表示する階調に影響を殆ど及ぼさないオーダである。この電圧変化は隣接する画素容量へ次々に伝播していくが、無論、電圧変化の発生した箇所から遠ざかるので、表示する階調に影響を及ぼすことは無い。
【００３７】
なお、以上においては、画素電極と信号電極が並置され、隣接する画素電極どうしの電圧変化の影響が信号電極を介して行われるように説明したが、信号電極上に層間絶縁膜を介して信号電極とは異なる層に画素電極を形成し画素電極どうしを隣接する間隙を狭めて配置した場合は、上記した寄生容量Ｃspは、隣接する画素電極間の寄生容量が主体となる。しかしながら、このような場合でも、上記現象は同様に発生する。
【００３８】
以上のように、ある小選択期間が終わり、次の小選択期間が開始するとこの小選択期間に選択される信号電極及び画素電極の電圧が信号電圧に応じて大きく変化し、その内の左端の画素電極（ある小選択期間において信号電圧の印加が同時に開始された画素電極群のうち、前の小選択期間に信号電圧の印加が開始された画素電極に最も隣接する画素電極）の電圧変化によって、その左隣の画素容量（前の小選択期間に信号電圧が印加された画素電極の画素容量）の電圧を変化させ、これが表示むらの原因となっている。これがいわゆるクロストーク現象である。
【００３９】
ここで、{Ｃsp/(２・Ｃsp＋Ｃｔ＋Ｃpix)}の値を小さくすれば、この表示むらが小さくなる。よって例えば、容量Ｃspを小さくする為に、画素電極を小さくして信号電極と画素電極（あるいは隣接する画素電極）の間の隙間を大きくすれば良い。しかしながらこのようにすると、画素面積が小さくなってしまい暗い表示、コントラストの低い表示となってしまう。
【００４０】
本発明は、上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、明るい表示や高コントラストの表示が可能で、クロストークの発生を防止することを可能とする３端子型アクティブ電気光学装置及びその駆動方法を提供するものである。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
本発明に記載の電気光学装置の駆動方法は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタにより電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給し、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に周期的に組み替えることを特徴とする。
【００４２】
また、本発明に記載の電気光学装置の駆動方法は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタにより電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給し、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に無秩序に組み替えることを特徴とする。
【００４３】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタからなる電気光学装置であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に周期的に組み替える第２の供給手段と、
を備えることを特徴とする。
【００４４】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタからなる電気光学装置であって、前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に無秩序に組み替える第２の供給手段と、
を備えることを特徴とする。
【００４５】
また、本発明に記載の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第２の供給手段は、複数の信号電圧を供給する複数の信号電圧線と、前記複数の信号電圧線及び前記複数の信号電極間を選択信号に従って接続する複数のスイッチ回路と、複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、少なくとも一の選択期間毎に周期的に組み替える選択制御回路とを有することを特徴とする。
また、本発明に記載の電気光学装置は、上記の電気光学装置において、前記第２の供給手段は、複数の信号電圧を供給する複数の信号電圧線と、前記複数の信号電圧線及び前記複数の信号電極間を選択信号に従って接続する複数のスイッチ回路と、複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、少なくとも一の選択期間毎に無秩序に組み替える選択制御回路とを有することを特徴とする。
【００４６】
また、本発明に記載の投射型表示装置は、本発明に記載の電気光学装置を光変調手段として用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源からの光を複数の色光に合成する分離手段と、該分離手段により分離された複数の色光を変調する複数の前記光変調手段と、該複数の光変調手段により変調された色光を合成する合成手段と、該合成手段により合成された光を投射する投射光学手段とを有し、前記複数の光変調手段の電気光学装置における前記選択制御回路により行われる、前記選択信号を同時に与える複数の前記スイッチ回路の組み合わせは、前記複数の光変調手段の少なくとも１つは他の光変調手段と異なることを特徴とする。
【００４７】
また、本発明に記載の電気光学装置の駆動方法は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極に接続される複数のトランジスタと、前記トランジスタに接続される複数の画素電極とを有する電気光学装置の駆動方法において、前記走査電極を選択する選択期間には、選択された前記走査電極に、前記トランジスタを導通させる選択電圧を供給し、前記選択期間を所定の複数に分割した小選択期間毎に順次、複数の前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロック内の各信号電極に信号電圧源からの電圧を供給し、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極群の構成を、前記選択期間毎あるいは複数の前記選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替えることを特徴とする。
このような駆動方法によれば、ある小選択期間で選択された信号電極群の内のある信号電極に隣接する、選択されていない信号電極が、周期的にあるいは無秩序にあるいは所定の組み替え則によって変化する。よって、ある小選択期間で選択された信号電極群の内のある信号電極に隣接する、選択されていない信号電極に係る画素は誤差を持つ階調表示をするが、この誤差を持つ階調表示をする画素が周期的にあるいは無秩序にあるいは所定の組み替え則によって変化するので均一化し、表示むらが解消する。
【００４８】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極に接続される複数のトランジスタと、前記トランジスタに接続される複数の画素電極とを有する電気光学装置において、前記走査電極を選択する選択期間に、選択された前記走査電極に、前記トランジスタを導通させる選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を所定の複数に分割した小選択期間毎に順次、複数の前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロック内の各信号電極に信号電圧源からの電圧を供給する第２の供給手段とを備え、前記第２の供給手段は、前記小選択期間毎に選択される前記信号電極群の構成を、前記選択期間毎あるいは複数の前記選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替えることを特徴とする。
このような電気光学装置によれば、表示むらが解消し、かつ明るく高コントラストの高品質の表示を行う表示装置が得られる。
【００４９】
また、本発明に記載の電気光学装置は、互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極に接続される複数のトランジスタと、前記トランジスタに接続される複数の画素電極とを有する電気光学装置において、前記走査電極を選択する選択期間に、選択された前記走査電極に、前記トランジスタを導通させる選択電圧を供給する第１の供給手段と、前記選択期間を所定の複数に分割した小選択期間毎に順次、複数の前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロック内の各信号電極に信号電圧源からの電圧を供給する第２の供給手段とを備え、前記第２の供給手段は、複数の前記信号電圧源の電圧を供給する複数の信号電圧線と、前記複数の信号電圧線のいずれかと複数の前記信号電極の各々の間を、選択信号を受けて導通する複数のスイッチ回路と、前記選択信号を同時に与える複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、前記選択期間毎あるいは複数の前記選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替え可能とする選択制回路とを有することを特徴とする。
このような電気光学装置を用いることによって、本発明に記載の駆動装置を具現する際に周辺構成を簡素化出来る。
また、本発明に記載の電気光学装置は、前記選択制御回路が、少なくともシフトレジスタ回路とラッチ回路から構成されていることを特徴とする。
このような電気光学装置によれば、本発明に記載の電気光学装置の選択制御回路を容易に構成することが出来る。
【００５０】
また、本発明に記載の投射型表示装置は、本発明に記載の電気光学装置を光変調手段として用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源からの光を複数の色光に合成する分離手段と、該分離手段により分離された複数の色光を変調する複数の前記光変調手段と、該複数の光変調手段により変調された色光を合成する合成手段と、該合成手段により合成された光を投射する投射光学手段とを有し、前記複数の光変調手段の電気光学装置における前記選択制御回路により行われる、前記選択信号を同時に与える複数の前記スイッチ回路の組み合わせは、前記複数の光変調手段の少なくとも１つは他の光変調手段と異ならせてなることを特徴とする。
このような構成により、合成された光により投射される画像において、表示むらが減少するだけでなく、表示むらが発生するとしてもその発生箇所が、合成された画像の画面上で、異なる箇所に発生するので、むらの発生が分散される。よって、合成画像は、表示むらが解消された、明るくコントラストのよいものとできる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００５２】
〔実施例１〕
本実施例では具体的な電気光学装置の一構成例として液晶装置を挙げ、これを用いて駆動方法についても説明を行う。図１は本実施例で用いるＴＦＴパネルの構成を示す斜視図である。なお、この構成は従来の技術において説明した図９に示したＴＦＴパネルと同じである。 図２は本実施例のＴＦＴパネル１０を用いた液晶装置の概略構成を示す図である。
【００５３】
図１において、１点鎖線で囲んだ部分１０はＴＦＴパネルであり、１と２は液晶層(図示せず。)を挟持する透明ガラスからなる一対の基板である。一方の基板１には、図で紙面の裏側（液晶層に面する側の基板上）にＩＴＯかならなる透明電極(図示せず。)が全面に形成されている。この電極を対向電極と言う。この対向電極には液晶層を交流駆動する際の極性反転の基準電位となるコモン電位が印加されている。
【００５４】
Ｙ１〜Ｙ７は走査電極であり、他方の基板２の液晶層に面する側に、図における横方向に形成されている。またＸ１〜Ｘ９は信号電極であり、走査電極と交差するように基板２の液晶層に面する側に形成されている。ここで、両者の交差部分は絶縁膜を介して互いに絶縁してある。そして、ＴとＰはそれぞれトランジスタ素子と画素電極を示し、これらの記号は１箇所のみ示してあるが、走査電極Ｙ１〜Ｙ７と信号電極Ｘ１〜Ｘ９の交差部分毎に基板２の液晶層に面する側に形成されている。
【００５５】
ここで、トランジスタ素子Ｔは、一般にＴＦＴと呼ばれる薄膜の電界効果型トランジスタ素子で、電界効果型トランジスタ素子の３つの端子、即ち、ゲート端子とソース端子とドレイン端子はそれぞれ、対応する走査電極、信号電極、画素電極と接続されている。そして、ゲート端子に所定のゲート電圧（選択電圧）を加えた時に、ソース端子とドレイン端子間が導通する電気特性を持っている。
【００５６】
すなわち、マトリクス状に形成される各画素は、その選択期間（水平走査期間）になると走査電極よりゲート端子に与えられる選択電圧によってＴＦＴが導通することにより、信号電極に与えられる信号電圧をＴＦＴのチャネルを介して画素電極Ｐに印加するように構成される。これにより、画素電極Ｐと対向電極との間には電界が与えられるので、この電界によりその間に介在される液晶層の液晶分子の配列が変化する結果、表示がなされる。次に、非選択期間に移行すると、走査電極には非選択電圧が印加されるのでＴＦＴは非導通となり、各画素は液晶層に与える電圧を保持するように画素容量に電荷を蓄積・保持する。電荷の蓄積・保持は、画素容量により行われる。この画素容量は画素電極Ｐと対向電極により介在される液晶層の容量にて形成されるが、各画素において、画素電極と走査電極又は容量電極とが絶縁膜を介して重ねて形成する蓄積容量が設けられている場合は、液晶容量と蓄積容量との合成容量により形成される。ＴＦＴパネルの構成は以上のようになっている。なお、ＴＦＴパネル１０の駆動方法の詳細は従来の技術にて説明したものと同様である。
【００５７】
図１のＴＦＴパネル１０の走査電極及び信号電極の数はそれぞれ数本しかないが、これは図を簡略化する為で、実際にはそれぞれ数百本以上である。また、基板１と基板２は図を見易くする為に離して描いてあるが、基板１と基板２の間は実際には数十〜数μｍ程度である。
【００５８】
次に、ＴＦＴパネル１０を駆動する駆動回路構成について説明する。
【００５９】
図２は、図１のＴＦＴパネル１０を用いた従来技術の液晶装置の回路構成を示す図である。図２において、１０は図１のＴＦＴパネル１０である。なお基板１及び対向電極は図上では省略してあるが、対向電極には上記したコモン電圧が印加されているものとする。
【００６０】
図２の１１は走査電極制御回路(以下、Ｙドライバと言う。)、１２〜１４はそれぞれＤ/Ａ変換回路、Ｓ１〜Ｓ９はそれぞれ信号電極スイッチ回路、ＳＢは信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９全体とそれを制御する機能を有するスイッチ回路ブロック、１０１は表示制御回路(以下、コントローラと言う。)である。
【００６１】
Ｙドライバ１１は、ＴＦＴパネル１０の走査電極の各々に対応する出力端子を有し、走査電極と出力端子が対応して接続されている。そして、ＤＤ０〜ＤＤ２はＴＦＴパネル１０に表示すべきデジタル表示データであり、コントローラ１０１から出力され、それぞれＤ/Ａ変換回路１２〜１４に供給される。１６はＹドライバ１１を制御する通常２本程度からなるＹドライバ制御信号であり、コントローラ１０１から出力され、Ｙドライバ１１に供給される。
【００６２】
１０２は信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のオン/オフを制御する複数の信号電極選択信号群で、本実施例では信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９と対応する本数からなり、信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９に対応させて、選択信号Ｄ１〜Ｄ９からなる。ここで、例えば信号Ｄ３が能動状態ならばスイッチ回路Ｓ３がオンになるように対応しているものとする。
【００６３】
また、ＡＤ０〜ＡＤ２はそれぞれ信号電圧線であり、Ｄ/Ａ変換回路１２〜１４がデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のそれぞれの値に応じた電圧に逐次変換した電圧が、それぞれ供給されている。信号電圧線ＡＤ０はスイッチ回路Ｓ１、Ｓ４、Ｓ７の一端と、信号電圧線ＡＤ１はスイッチ回路Ｓ２、Ｓ５、Ｓ８の一端と、信号電圧線ＡＤ２はスイッチ回路Ｓ３、Ｓ６、Ｓ９一端と接続し、総てのスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９の他端は図に示すようにＴＦＴパネル１０の対応する信号電極Ｘ１〜Ｘ９とそれぞれ接続している。
【００６４】
ここでまず、Ｙドライバ１１は、Ｙドライバ制御信号１６のクロックタイミングに応じて、所定の選択期間毎に順次、走査電極を選択していき、選択した走査電極に対して、選択電圧、即ちゲート電圧、を印加していく。言い換えれば、Ｙドライバ１１及び制御信号１６及びコントローラ１０１がそのような動作や制御をする構成となっている。なお、Ｙドライバ１１の動作及び構成は従来技術と同様なので詳細な説明を省略する。
【００６５】
なお、任意の走査電極に選択電圧が印加されている各選択期間を複数の小選択期間、ここでは３つの小選択期間に分け、初めの小選択期間を第１の小選択期間、次の小選択期間を第２の小選択期間、最後の小選択期間を第３の小選択期間と言うことにする。
【００６６】
次に、コントローラ１０１が出力する信号電極選択信号群１０２、即ち選択信号Ｄ１〜Ｄ９とデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングを、信号Ｄ１〜Ｄ９とデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングを示すタイム・チャートを示す図３を用いて説明する。
【００６７】
図３において横軸は時間を表す。デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２に関しては時間軸を拡大してあり、また一部省略してある。そして、波形内に記した数字は、数字の十の位の数で、図２のＴＦＴパネル１０走査電極の番号、一の位の数で信号電極の番号を示し、当該番号の走査電極と信号電極が交差する部分の画素に表示すべき階調データを示す。例えば、「３４」ならば走査電極Ｙ３と信号電極Ｘ４が交差する部分の画素Ｐ34に表示すべき階調データを表す。
【００６８】
また、選択信号Ｄ１〜Ｄ９の波形は、上が能動、下が非能動を示す。即ち、例えば選択信号Ｄ５が能動の時、図２のスイッチ回路Ｓ５がオンとなり、非能動の時オフとなるように、選択信号Ｄ１〜Ｄ９とスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のスイッチングは対応している。
【００６９】
本実施例においては走査電極を７本（Ｙ１〜Ｙ７）としているので、各フレーム期間は７つの選択期間からなる。従って、図２のＹドライバ１１は、各フレーム期間の初めから、各選択期間毎に走査電極Ｙ１からＹ７まで順次選択するように動作する。また、スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９は３つのグループに分割されてスイッチ回路のグループが選択期間中の小選択期間毎に順次選択されるようにしているため、各選択期間は３つの小選択期間からなる。
【００７０】
図３において、選択信号Ｄ１〜Ｄ９の波形が示すように、最初のフレーム期間(図の第１フレーム期間)の走査電極Ｙ１が選択されている最初の選択期間では、第１の小選択期間で選択信号Ｄ１〜Ｄ３が能動(図２のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３がオン、信号電極Ｘ１〜Ｘ３が選択される。)、第２の小選択期間で信号Ｄ４〜Ｄ６が能動(図２のスイッチ回路Ｓ４〜Ｓ６がオン、信号電極Ｘ４〜Ｘ６が選択される。)、第３の小選択期間で信号Ｄ７〜Ｄ９が能動(図２のスイッチ回路Ｓ７〜Ｓ９がオン、信号電極Ｘ７〜Ｘ９が選択される。)となる。
【００７１】
これに同期して、オンしたスイッチ回路を介して信号電極に供給されるデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２はそれぞれ、第１の小選択期間には「１１」、「１２」、「１３」、第２の小選択期間には「１４」、「１５」、「１６」、第３の小選択期間には「１７」、「１８」、「１９」の各画素に供給すべき表示データとなる。これらのデジタル表示データは、図２のＤ/Ａ変換回路１２〜１４で逐次電圧に変換されるから、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２にはそれぞれ、第１の小選択期間には「１１」、「１２」、「１３」、第２の小選択期間には「１４」、「１５」、「１６」、第３の小選択期間には「１７」、「１８」、「１９」に対応した電圧が供給されることになる。すると、第１の小選択期間では図２のスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ３がオンとなるから、信号電極Ｘ１〜Ｘ３にそれぞれ「１１」、「１２」、「１３」に対応した電圧が供給される。
【００７２】
よって、走査電極Ｙ１と信号電極Ｘ１〜Ｘ３のそれぞれの部分の画素容量が「１１」、「１２」、「１３」に対応した電圧で充電されることになる。同様に、第２の小選択期間では走査電極Ｙ１と信号電極Ｘ４〜Ｘ６のそれぞれの部分の画素容量が「１４」、「１５」、「１６」に対応した電圧で充電され、第３の小選択期間では走査電極Ｙ１と信号電極Ｘ７〜Ｘ９のそれぞれの部分の画素容量が「１７」、「１８」、「１９」に対応した電圧で充電される。よって、走査電極Ｙ１上の総ての画素は所望する階調の表示となる。
【００７３】
次に走査電極Ｙ２が選択されている期間では、第１の小選択期間で信号Ｄ１、Ｄ２、Ｄ９が能動、第２の小選択期間で信号Ｄ３〜Ｄ５が能動、第３の小選択期間で信号Ｄ６〜Ｄ８が能動となる。これに同期して、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２はそれぞれ、第１の小選択期間にて「２１」、「２２」、「２９」、第２の小選択期間にて「２３」、「２４」、「２５」、第３の小選択期間にて「２６」、「２７」、「２８」となる。
【００７４】
よって、第１の小選択期間において図２のスイッチ回路Ｓ１、Ｓ２、Ｓ９がオンとなるから、信号電極Ｘ１、Ｘ２、Ｘ９にそれぞれ「２１」、「２２」、「２９」に対応した電圧が供給される。同様に第２の小選択期間では信号電極Ｘ３〜Ｘ５のそれぞれに「２３」、「２４」、「２５」に対応した電圧が、第３の小選択期間では信号電極Ｘ６〜Ｘ８のそれぞれの部分の画素容量が「２６」、「２７」、「２８」に対応した電圧が供給される。よって、所望する階調の表示となる。
【００７５】
ここで一般的に言うと、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のそれぞれは、ある選択されている走査電極と選択信号Ｄ１〜Ｄ９内の能動になっているものに対応した信号電極とが交差する部分の画素に表示すべき階調データとなっている。
【００７６】
よって、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングについてのこれ以上の説明を省略して、選択信号Ｄ０〜Ｄ９についてのタイミングだけを、図３の信号Ｄ０〜Ｄ９のタイミングを表１〜３を用いて説明する。表１〜表３は各々第１フレーム〜第３フレームでの図３の選択信号Ｄ１〜Ｄ９の状態を示す。各表において、第１列目がフレーム期間、２列目が選択期間、３列目が小選択期間を示す欄で、４列目以降が信号Ｄ１〜Ｄ９の状態を示す欄である。表１〜表３で○印のある部分が能動である。表に示すように選択期間毎に同時に能動となる信号の組、言い換えれば同時に選択される信号電極の組が組み替えられる。
【００７７】
【表１】
【表２】
【表３】
即ち、ある選択期間では、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９が同時に選択される信号電極の組であったのが、次の選択期間では、Ｘ９，Ｘ１，Ｘ２と、Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５と、Ｘ６，Ｘ７，Ｘ８となり、更に次の選択期間では、Ｘ８，Ｘ９，Ｘ１と、Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４と、Ｘ５，Ｘ６，Ｘ７となり、次は初めのＸ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９となる。表に示されるように、同時に選択される信号電極の組が小選択期間毎に順次左側にシフトしていく組み替え方式であり、このような信号電極の選択がＹ７が選択され終わるまで繰り返される。
【００８１】
また、これをフレーム期間毎に見ると、例えば走査電極Ｙ１が選択されている期間について、第１フレーム期間では、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９が同時に選択される信号電極の組であったのが、次のフレーム期間では、Ｘ８，Ｘ９，Ｘ１と、Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４と、Ｘ５，Ｘ６，Ｘ７となり、更に次のフレーム期間では、Ｘ９，Ｘ１，Ｘ２と、Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５と、Ｘ６，Ｘ７，Ｘ８となり、次は初めのＸ１，Ｘ２，Ｘ３と、Ｘ４，Ｘ５，Ｘ６と、Ｘ７，Ｘ８，Ｘ９となる。これが繰り返されていく。よって、フレーム周期(ここでは７倍の選択期間)毎でも同時に選択される信号電極の組が組み替えられる。
【００８２】
図２のコントローラ１０１は、以上のようなタイミングで、デジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２及び信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９を制御する信号電極選択信号群１０２(選択信号Ｄ１〜Ｄ９)を出力する。
【００８３】
本実施例のＴＦＴパネル１０を用いた液晶装置は以上の駆動方法で駆動する。ところで、ある小選択期間で選択された信号電極の内、次の小選択期間で選択された信号電極に隣接する選択し終わった信号電極に係る画素容量の電圧に対して、図１４を用いて説明したような選択開始された信号電極での電圧変化の影響が及び、画素容量の電圧がシフトして誤差が生じてしまう（以下、このシフトした電圧を誤差電圧と言う。）。
【００８４】
ここで、本実施例の駆動をさせた時の誤差が生じる画素の位置を表４に示す。表で第１行が信号電極、第１列目が走査電極の番号を示す欄で、２行２列以降にこれらの信号電極と走査電極の交差する所の画素容量に誤差電圧が発生する画素に○印が付けられている。
【００８５】
【表４】
表４に示すように誤差の生じる画素はフレーム期間毎に異なり、信号電極Ｘ１〜Ｘ６に係る画素については、各々総て３フレームに１回だけ誤差が生じるだけとなる。言い換えれば各画素の画素容量に印加される誤差電圧（は１/３に総て均一に低減さえ、均一に分散される。
【００８７】
ところで、信号電極Ｘ７〜Ｘ９に係る画素については、誤差電圧が生じない。よって、この右端の画素(ここでは右端の３本の信号電極に係る画素)は他の画素に対して厳密には僅かながら表示むらが発生することになる。しかしながら、本実施例では図及び説明を簡略化する為に、信号電極が９本と少ない場合で説明しているが、実際は数百本以上であり、右端の３本分だけ僅かに(１/３に低減した誤差電圧分だけ)階調表示が異なっても殆ど問題無い、あるいは右端の３本分を実際には使用しないダミーとしても良く、実用上の不具合いは生じない。
【００８８】
以上、説明したように、本実施例の駆動方法、及び液晶装置によれば、所定の画素に生じていた誤差電圧が、総ての画素に１/３に均一に低減され均一分散されるので、表示むらが見えなくなり、高品質な表示が可能となる。
【００８９】
ここで、本実施例では、第１の小選択期間を除けば、先の小選択期間から後の小選択期間に向かって左側の画素から右側の画素を順次選択する組み合わせの場合を記してあるが、無論、右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせであっても良い。
【００９０】
更に左側の画素から右側の画素を順次選択する組み合わせの場合と右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせの場合を適宜交代する組み合わせ方でも良い。こうすると、左端、右端部分の画素についても若干の均一な誤差電圧が生じてこの左端、右端部分の画素での表示むらが改善される。
【００９１】
なお、本実施例では各小選択期間に同時に選択する信号電極数を３本の場合で説明したが、無論これに限定されるものではなく、２本以上の任意の本数の場合に対しても適用出来ることは言うまでもない。
【００９２】
また、本実施例では、各選択期間毎に同時に選択する信号電極の組を１本ずつ巡回的に組み替えた例を示したが、これについてもこれに限定されるものではなく、ある周期で、または無秩序(擬似的な無秩序を含む)に、または所定の組み替え則で組み替えても良い。
【００９３】
そして、更に液晶装置の信号電極数及び走査電極数が本実施例より多い場合についても適用可能なのは言うまでもない。
【００９４】
さらに、本実施例ではＴＦＴパネルを前提に説明を進めたが、これに限定されるものではない。例えば、図１における他方の基板２をシリコン基板とし、トランジスタをシリコン基板表面に形成したＭＯＳ型トランジスタで形成し、画素電極を反射型電極で形成する反射型のアクティブ液晶パネルとしてもよい。無論、本実施例の場合にも、画素電極を反射型電極として形成しても構わない。
【００９５】
また、本実施例の電気光学装置の構成は、具体的な一構成例であって、これに限定されるものではなく、同等の動作を行なえれば他の構成であっても良い。特に図２で、スイッチ回路ブロックＳＢ内の信号電極スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のオン/オフ制御に、これに対応する本数の信号Ｄ１〜Ｄ９を与えてあるが、これは動作の理解を容易に、あるいは説明を簡略化する為であり、実際にはスイッチ回路ブロックＳＢ内にデコーダ回路やその他の回路構成でより少ない数の信号電極選択信号群１０２で動作するようにすることが好ましい。
【００９６】
また、上述したローテーション方式を本実施例に併用できることは言うまでもない。
【００９７】
〔実施例２〕
次に、本発明の電気光学装置の実施例２について説明する。
【００９８】
実施例１の表１〜表３で示した駆動方法では、例えば、表１の第１フレームの第２選択期間の第１の小選択期間で信号電極Ｘ１，Ｘ２とＸ９が選択された後に、第２の小選択期間で信号電極Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５が選択される。即ち、図２のコントローラ１０１が出力するデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２は、左端の画素(Ｘ１とＸ２)と右端の画素（Ｘ９）に対応した表示データの信号とし、その後に続く小選択期間では、順次、左側からの３画素(Ｘ３〜Ｘ５）（Ｘ６〜Ｘ８)に対応した信号とする必要がある。従って、このデジタル表示データを出力する、コントローラ１０１内のこれらの制御回路(図示せず。)の構成がやや複雑になる。
【００９９】
そこで、本実施例では各選択期間を例えば４つの小選択期間に分割して、コントローラ１０１内のこれらの制御回路の構成を複雑にしない駆動方法について述べる。
【０１００】
まず、この４つの小選択期間を、第１〜第４の小選択期間とすると、この場合の各フレーム、選択期間、小選択期間で選択される信号電極は、表５のようになる。なお、表５は、表１〜３と同様の構成となっているが、表を簡略化する為に途中より後を省略してある。
【０１０１】
【表５】
表５に示すように、あるフレーム期間のＹ１の選択期間では、Ｘ１〜Ｘ３とＸ４〜Ｘ６とＸ７〜Ｘ９が同時に選択される信号電極の組であったのが、次の選択期間では、４つの小選択期間において、Ｘ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が順次選択されることとなり、更に次の選択期間では、Ｘ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が順次選択されることとなる。さらに、次の選択期間では第１〜第３の小選択期間においてＸ１〜Ｘ３、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜Ｘ９が順次選択され、第４の小選択期間ではＸ１〜９のいずれの信号電極も選択されない。すなわち、表に示されるように、同時に選択される信号電極の組が小選択期間毎に順次左側にシフトしていく組み替え方式であり、このような信号電極の選択がＹ７が選択され終わるまで繰り返される。
【０１０３】
そして、次のフレーム期間でのＹ１の選択期間では、Ｘ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が４つの小選択期間毎に同時選択される信号電極の組となり、次の選択期間では、Ｘ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が各小選択期間における同時選択の組となり、更に次の選択期間ではＸ１〜Ｘ３、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜９が選択の組となり、最後の小選択期間では選択がなされない。次はＸ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が組となる。このように選択される信号電極の組が順次左シフトし、これがＹ７が選択されおわるまで繰り返される。
【０１０４】
更に次のフレーム期間でのＹ１の選択期間では、Ｘ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が同時に選択される信号電極の組となり、次の選択期間では、Ｘ１〜Ｘ３、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜Ｘ９となって残りの小選択期間では選択がなされない。更に次の選択期間ではＸ１とＸ２、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８、Ｘ９が同時選択の組となり、次の選択期間ではＸ１、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７、Ｘ８とＸ９が同時選択の組となる。このように選択される信号電極の組が順次左シフトし、これがＹ７が選択されおわるまで繰り返される。
【０１０５】
以上のように３フレーム期間が繰り返される。このような駆動方法を行なった時に、各フレーム期間での誤差電圧の発生する画素の位置を表６に示す。表６の構成は表４と同じである。
【０１０６】
【表６】
表６に示すように誤差電圧の生じる画素はフレーム期間毎に異なり、信号電極Ｘ１〜Ｘ８に係る画素については、各々総て３フレームに１回だけ誤差電圧が生じるだけとなる。言い換えれば各画素に印加する誤差電圧は１/３に総て均一に低減さえ、均一に分散される。従って、実施例１の表１〜表３で示した駆動方法と同様の効果が得られる。また、誤差が生じないのは左端の信号電極Ｘ９だけにすることが出来る。
【０１０８】
そして、図２のコントローラ１０１が出力するデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２を、常に、隣接又は近隣の画素の組の表示データの信号を供給すればよくなる、すなわち実施例に従えば左側の画素から順に右側の画素の順番通りに対応した信号で済むので、コントローラ１０１内の制御回路を簡単にすることが出来る。なお、小選択期間の数が一つ増えるが、実際のＴＦＴパネルの場合には信号電極数が数百本以上であり、各選択期間での小選択期間の数は数十〜数百であり、小選択期間が一つ増えても問題とはならない。
【０１０９】
また、本実施例でも、先の小選択期間から後の小選択期間に向かって左側の画素から右側の画素を信号電極の組毎に順次選択する組み合わせの場合を記してあるが、無論、右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせであっても良い。
【０１１０】
更に左側の画素から右側の画素を順次選択する組み合わせの場合と右側の画素から左側の画素を順次選択する組み合わせを適宜交代する（例えばフレーム毎に交代する）組み合わせ方でも良い。こうすると、実施例１と同様に左端、右端部分の画素についても若干の均一な誤差電圧が生じてこの左端、右端部分の画素での表示むらが改善される。
【０１１１】
また、本実施例１と同様に、各小選択期間に同時に選択する信号電極数を３本の場合で説明したが、無論これに限定されるものではなく、２本以上の任意の本数の場合に対しても適用出来ることは言うまでもない。
【０１１２】
また、本実施例では、各選択期間毎に同時に選択する信号電極の組を１本ずつ巡回的に組み替えた例を示したが、これについてもこれに限定されるものではなく、ある周期で、または無秩序(擬似的な無秩序を含む)に、または所定の組み替え則で組み替えても良い。
【０１１３】
また更に、本実施例では、各小選択期間毎に同時に選択する信号電極の組を互いに隣接する信号電極としてあるが、これについても、これに限定されるものではない。
【０１１４】
そして、更にＴＦＴパネルの信号電極数及び走査電極数が本実施例より多い場合についても適用可能なのは言うまでもないが、ここで一般的なＴＦＴパネルでの駆動方法について述べておく。
【０１１５】
まず、ｍ本の走査電極(上から並び順にＹ1〜Ｙmの記号を付し、その走査電極名とする。)とｎ本の信号電極(左から並び順にＸ１〜Ｘnの記号を付し、その信号電極名とする。)とからなるＴＦＴパネルを用いた時の、本実施例の駆動方法を説明する。即ち、各小選択期間に同時に選択する信号電極の数が最大３本の場合についての組み合わせの例について説明する。ここで、初めの選択期間から第１、第２、…の選択期間とし第１の選択期間ではＹ１、第２の選択期間ではＹ２…を選択するものとし、Ｙ1〜Ｙmを総て１巡して選択しおわるフレーム期間についても、あるフレーム期間を第１のフレーム期間、引続くフレーム期間を第２のフレーム期間…ということにする。そして、各選択期間は複数の小選択期間からなるものとし、各選択期間で、初めの小選択期間から第１、第２…の小選択期間と言うことにする。
【０１１６】
ここで、第１のフレーム期間では、第(１＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ３の３本を選択し、続く各々の小選択期間では、Ｘ４〜Ｘ６、Ｘ７〜Ｘ９…と並び順に３本ずつ最後の信号電極まで選択していく。無論、最後の小選択期間では選択される信号電極数は総信号電極数ｎによって異なる。
【０１１７】
第(２＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ２の２本を選択し、続く各々の小選択期間では、Ｘ３〜Ｘ５、Ｘ６〜Ｘ８…と並び順に３本ずつ最後の信号電極まで選択していく。
【０１１８】
第(３＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１の１本を選択し、続く各々の小選択期間では、Ｘ２〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ７…と並び順に３本ずつ最後の信号電極まで選択していく。なお、ｋは正整数である。
【０１１９】
ここで、上の各選択期間で第１の小選択期間で同時に選択される信号電極数は、
第(１＋３ｋ)の選択期間から第(３＋３ｋ)の選択期間のそれぞれで、第１の小選択期間で同時に選択される信号電極数は３本、２本、１本であり、その後の第２の小選択期間以降では並び順に３本ずつ選択していく。よって、各選択期間での、小選択期間で同時に選択する信号電極の組の組み合わせ方は、各選択期間で第１の小選択期間で同時に選択される信号電極数で表すことが出来る。
【０１２０】
即ち、第(１＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ３の３本を選択するので、「3の組み合わせ」、第(２＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１〜Ｘ２の２本を選択するので、「2の組み合わせ」、第(３＋３ｋ)の選択期間では、第１の小選択期間でＸ１の１本を選択するので、「1の組み合わせ」と表すことが出来る。
【０１２１】
更に、同一フレーム期間では、第(１＋３ｋ)の選択期間での「３の組み合わせ」と第(２＋３ｋ)の選択期間での「2の組み合わせ」と第(３＋３ｋ)の選択期間での「1の組み合わせ」が周期的に用いられるので、そのフレーム期間での組み合わせを、
{3、2、1}|3と表すことが出来、
これでそのフレーム期間での組み合わせを表すことにする。なお、|3は、第２以降の小選択期間で同時に選択される信号電極数(ここでは３)を示す指標である。ここで、
第１のフレーム期間では、{3、2、1}|3とし、
第２のフレーム期間では、{2、1、3}|3とし、
第３のフレーム期間では、{1、3、2}|3とし、
第４のフレーム期間以降では、上の第１から３のフレーム期間のくり返しとすることにより、本実施例で述べた効果が、ｍ本の走査電極とｎ本の信号電極からなる一般化したＴＦＴパネルでも得られる。
【０１２２】
なお、実施例１と同様に、他方の基板２をシリコン基板とし、トランジスタをシリコン基板表面に形成したＭＯＳ型トランジスタで形成し、画素電極を反射型電極で形成する反射型のアクティブ液晶パネルとしてもよい。無論、本実施例の場合にも、画素電極を反射型電極として形成しても構わない。
【０１２３】
〔実施例３〕
実施例１、２で述べたように、同時に選択する信号電極の組み合わせ方は、極めて多くの組み合わせがあり、その組み合わせ方を総て列記することは出来ないが、他の組み合わせの他の例のいくつかを本実施例で示す。本実施例では、ｍ本の信号電極とｎ本の走査電極からなるＴＦＴパネルを用い、同時に選択する信号電極の数が最大６本の場合についての組み合わせの例について説明する。
【０１２４】
ここで、実施例２を習って、
第１のフレーム期間では、{6、5、4、3、2、1}|6とし、
第２のフレーム期間では、{5、4、3、2、1、6}|6とし、
第３のフレーム期間では、{4、3、2、1、6、5}|6とし、
第４のフレーム期間では、{3、2、1、6、5、4}|6とし、
第５のフレーム期間では、{2、1、6、5、4、3}|6とし、
第６のフレーム期間では、{1、6、5、4、3、2}|6とし、
第７のフレーム期間以降では、上の第１から６のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第１の駆動方法と呼ぶ。この駆動方法では、各画素に第１から６フレーム期間を通して一度だけ誤差電圧が均一に生じるので、実施例２で述べた効果が得られる。
【０１２５】
しかしながらこのような組み合わせでは、表示にちらつきが生じる場合がある。これを、図４（ａ）〜(ｆ)を用いて説明する。図４（ａ）〜(ｆ)はそれぞれ第１〜第６フレーム期間で、誤差電圧の発生する画素、言い換えれば表示むらの発生する画素を示す図である。本図は、走査電極が１８本、信号電極が３６本のＴＦＴパネルを用いた場合で各マス目が画素であり、ハッチングをほどこした各マス目が表示むらの発生する画素を示す。
【０１２６】
図に示すように、各フレーム期間で表示むらの発生する画素が画面の右上から左下の斜め線状に連続する。そして、あるフレーム期間から次のフレーム期間に移ると、この表示むらの発生する画素が全体に１画素分左に移動する。従って、斜め線状の表示むらが移動して見え、表示にちらつきが生じる。ここで、各フレーム期間が充分に短ければ斜め線状の表示むらの移動が速くなり、あるいは液晶の電気光学応答が遅ければこのちらつきは減少するが、このようにすると、駆動に必要な回路や信号を速くする必要が生じ、また高速応答等の表示性能の低下につながり好ましくない。
【０１２７】
ここで、このちらつきは、斜め線状の表示むら、言い換えれば連続した定型的な表示むらパターンが６つのフレーム期間の比較的長い時間を周期にして連続的に移動することによる。言い換えれば、各フレーム期間で発生する表示むらパターンが不連続な不定型なものとすれば良く、また表示むらパターンが不連続的に短周期で移動するようにすれば良い。よって、例えば
第１のフレーム期間では、{6、3、1、5、2、4}|6とし、
第２のフレーム期間では、{3、5、4、2、6、1}|6とし、
第３のフレーム期間では、{4、2、5、1、3、6}|6とし、
第４のフレーム期間では、{1、6、2、4、5、3}|6とし、
第５のフレーム期間では、{5、1、6、3、4、2}|6とし、
第６のフレーム期間では、{2、4、3、6、1、5}|6とし、
第７のフレーム期間以降では、上の第１から６のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第２の駆動方法と呼ぶ。この駆動方法でも、各画素に第１から６フレーム期間を通して一度だけ誤差電圧が均一に生じるので、実施例２で述べた効果が得られる。
【０１２８】
図５（ａ）〜(ｆ)は、このような駆動を行なった時の、それぞれ第１〜第６フレーム期間で、表示むらの発生する画素を示す図である。なお図の見方は図４と同じで、ＴＦＴパネルの画素数も同じである。図５（ａ）〜(ｆ)で示すように、各フレーム期間での表示むらのパターンは、各フレーム期間毎に異なった不定型なパターンであり、表示むらの画素が連続する数は多くとも２画素である。また、例えば１番上の行の１番左に発生する表示むらの画素の位置は、第１〜６のフレーム期間毎に、Ｘ６、Ｘ３、Ｘ１、Ｘ５、Ｘ２、Ｘ４の位置に不連続的に変化する。よって、ちらつきが殆ど発生しない。
【０１２９】
次に、他の駆動方法を説明する。この駆動方法は、表示むらパターンが連続的で定型的であっても不連続的に移動するようにするだけでもちらつきの低減にある程度の効果が得られるようにするものである。例えば、
第１のフレーム期間では、{6、5、4、3、2、1}|6とし、
第２のフレーム期間では、{3、2、1、6、5、4}|6とし、
第３のフレーム期間では、{5、4、3、2、1、6}|6とし、
第４のフレーム期間では、{2、1、6、5、4、3}|6とし、
第５のフレーム期間では、{4、3、2、1、6、5}|6とし、
第６のフレーム期間では、{1、6、5、4、3、2}|6とし、
第７のフレーム期間以降では、上の第１から６のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第３の駆動方法と呼ぶ。この駆動は、第１の駆動法の組み合わせを各フレーム期間で用いる順番を変更したものである。
【０１３０】
図６（ａ）〜(ｆ)は、このような駆動を行なった時の、それぞれ第１〜第６フレーム期間で、表示むらの発生する画素を示す図である。なお図の見方は図４と同じで、ＴＦＴパネルの画素数も同じである。図６（ａ）〜(ｆ)で示すように、各フレーム期間での表示むらのパターンは、右上から左下に連続する斜め線状となるが、各フレーム期間毎にこの斜め線状の表示むらは不連続に移動する。よって、ちらつきが低減出来る。また更に
第１のフレーム期間では{6、5、4、3、2、1}|6とし、
第２のフレーム期間では{1、2、3、4、5、6}|6とし、
第３のフレーム期間では{5、4、3、2、1、6}|6とし、
第４のフレーム期間では{2、3、4、5、6、1}|6とし、
第５のフレーム期間では{4、3、2、1、6、5}|6とし、
第６のフレーム期間では{3、4、5、6、1、2}|6とし、
第７のフレーム期間では{3、2、1、6、5、4}|6とし、
第８のフレーム期間では{4、5、6、1、2、3}|6とし、
第９のフレーム期間では{2、1、6、5、4、3}|6とし、
第10のフレーム期間では{5、6、1、2、3}|6とし、
第11のフレーム期間では{1、6、5、4、3、2}|6とし、
第12のフレーム期間では{6、1、2、3、4、5}|6とし、
第13のフレーム期間以降では、上の第１から12のフレーム期間のくり返しとする。この駆動方法を実施例３の第４の駆動方法と呼ぶ。
【０１３１】
この第４の駆動方法の奇数のフレーム期間だけを追って見ると第１の駆動方法と同じで、右上から左下への斜め状の表示むらが左へ動き、偶数のフレーム期間だけを追って見ると左上から右下への斜め状の表示むらが右へ動き、これらがほぼ相殺されちらつきが低減出来る。ここで更に、第１の駆動方法に対する第３の駆動方法と同様に各フレーム期間で用いる組み合わせの順番を変更しても良い。
【０１３２】
以上、本実施例では、第１〜第４の駆動方法を挙げて説明したが、これらのいずれかまたは他の駆動方法(組み合わせ方)をとるかは、液晶パネルの電気光学応答特性やコントローラの回路構成をどこまで複雑にして良いのか等を考慮して取捨選択すれば良い。例えば、第１の駆動方法でちらつきが見えなければ、この方法を用いることによって、コントローラのこれらの制御回路を比較的簡素なものに出来、逆に第２の駆動方法のような不規則に近い組み替え方による駆動方法をとる場合には、コントローラのこれらの制御回路は比較的複雑なものになるが、よりちらつきの無い表示が可能である。
【０１３３】
以上述べたように、様々な駆動方法(組み合わせ方)があり、組み合わせ方を適当に設定することによって、表示むら及びちらつきを防止出来る。なお、ここで挙げた組み合わせは一例に過ぎず、本実施例で述べた趣旨に反しない他の組み合わせでも、無論、かまわない。
【０１３４】
また本実施例においても、ローテーション方式が併用可能なことは言うまでもない。
【０１３５】
〔実施例４〕
実施例１の図２では、電気光学装置が、ＴＦＴパネル１０及び信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２、スイッチ回路ブロックＳＢ他で構成されている。ここで、ＴＦＴパネル１０の基板上に、少なくとも信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢを形成、搭載することが好ましい。即ち、微細加工技術の向上に伴い、ＴＦＴパネル１０の基板上に信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢを形成、搭載することが可能でありこれによって液晶装置を小さくすることが可能である。また逆にスイッチ回路ブロックＳＢをＴＦＴパネル１０の基板上に形成しない場合には、スイッチ回路ブロックＳＢとＴＦＴパネル１０の多くの端子を電気的に接続する必要があり、この接続部の信頼性が低下してしまうからである。
【０１３６】
また、実施例１〜３の駆動方法を行う場合の、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢを形成、搭載したＴＦＴパネルのスイッチ回路ブロックＳＢの具体的な構成は次の構成にするにが好ましい。
【０１３７】
図７は、ＴＦＴパネル１０を構成する他方の基板２における画素領域の周辺領域に形成された信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢの具体的な構成を示す図である。
【０１３８】
図でＡＤ０〜ＡＤ２は信号電圧線であり、破線で囲んだＳＢがスイッチ回路ブロックである。ここで、信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２には外部から供給される信号電圧が与えられる。
【０１３９】
スイッチ回路ブロックＳＢ内で、実線で囲んだ７０１と７０２はそれぞれシフトレジスタ回路、ラッチ回路である。シフトレジスタ回路７０１、ラッチ回路７０２はそれぞれ、四角で示したＲ１〜Ｒ９、Ｌ１〜Ｌ９のＤ型フリップフロップ回路(四角の左上をデータ入力、左下をクロック入力、右をデータ出力とする。)からなる。また、それぞれ四角で囲んだＳ１〜Ｓ９はスイッチ回路(四角の左を制御端子、上を入力端子、下を出力端子とする。)である。
【０１４０】
ここで、シフトレジスタ回路７０１とラッチ回路７０２とで信号電極選択制御回路を構成し、ラッチ回路７０２内のＤ型フリップフロップ回路Ｌ１〜Ｌ９のデータ出力をそれぞれスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９に対応した信号電極選択信号（実施例１〜３にて説明した選択信号Ｄ１〜Ｄ９に相当する。）として、それぞれスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９のそれぞれの制御端子に供給する。スイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９の入力端子はそれぞれ信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２のいずれかと結線され、他方の出力端子はそれぞれＴＦＴパネルの信号電極Ｘ１〜Ｘ９(図示せず。)に結線されている。ここで、信号電極選択信号が能動ならばこの信号が供給されるスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９はオンとなり、非能動ならばオフとなる。
【０１４１】
シフトレジスタ回路７０１、ラッチ回路７０２のそれぞれのＤフリップフロップ回路の数とスイッチ回路の数は、本実施例では９個であるが、一般的にはそれぞれＴＦＴパネルの信号電極数に対応する。
【０１４２】
スイッチ回路ブロックＳＢは以上のような構成となっている。
【０１４３】
そして、選択データ信号ＳＤＡ、シフトクロック信号ＳＣＫ、ラッチクロック信号ＬＣＫから構成される信号電極選択信号１０２がスイッチ回路ブロックＳＢに与えられる。
【０１４４】
すると、信号電極選択制御回路を構成するシフトレジスタ回路７０１は、外部から供給される選択データ信号ＳＤＡをシフトクロック信号ＳＣＫに同期して取り込み、ＤフリップフロップＲ１の出力データをＲ２に、Ｒ２のデータをＲ３へ…と右にシフトする。
【０１４５】
ラッチ回路７０２内のＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９のそれぞれは、ラッチクロック信号ＬＣＫに同期して、シフトレジスタ回路７０１のＤフリップフロップＲ１〜Ｒ９の出力データを取り込み、そのデータを信号電極選択信号Ｄ１〜Ｄ９として出力する。即ち、ＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９の出力するデータが能動であればこれに対応するスイッチ回路Ｓ１〜Ｓ９はオン、非能動であればオフとなる。以上のような構成と動作をする。
【０１４６】
図８は、スイッチ回路ブロックＳＢの動作を説明するタイミングチャート図である。図は、あるフレーム期間で、{3、2、1}|3の駆動方法での走査電極Ｙ１〜Ｙ３が選択されている時を示している。(但し、Ｙ３については途中までである。)そして横軸は時間で、各選択期間は４つの小選択期間からなり、初めから第１、第２、…の小選択期間とする。また、図で示される波形は、上からラッチクロック信号ＬＣＫ、シフトクロック信号ＳＣＫ、信号電極選択データ信号ＳＤＡ、そしてシフトレジスタ７０１内の各ＤフリップフロップＲ１〜Ｒ９の出力データ、ラッチ回路７０２内の各ＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９の出力データ（実施例１〜３の選択信号Ｄ１〜Ｄ９に相当する。）である。なお、信号電極選択データ信号ＳＤＡ、Ｒ１〜Ｒ９、Ｌ１〜Ｌ９の出力波形は、上を能動とし、下を非能動とする。
【０１４７】
図に示すように、ラッチクロック信号ＬＣＫを３シフトクロック信号ＳＣＫ毎に１回の割合で供給してあり、ラッチクロック信号ＬＣＫの立上がりから次の立上がりまでの期間が１小選択期間となる。
【０１４８】
そして、３シフトクロック信号ＳＣＫ分の長さの能動な信号電極選択データ信号ＳＤＡを、シフトクロック信号ＳＣＫに同期して、シフトレジスタ回路７０１内のＲ１に取り込み、Ｒ２〜Ｒ９にシフトさせている。ところで、ラッチクロック信号ＬＣＫは、３シフトクロック信号ＳＣＫ毎に１回の割合で供給されているので、ラッチ回路７０２の、能動なデータを出力する連続する３つのＤフリップフロップの位置が３つずれた時に、Ｒ１〜Ｒ９の出力がラッチ回路７０２のＤフリップフロップＬ１〜Ｌ９に取り込まれ出力される。よって、小選択期間の開始毎にラッチ回路７０２の能動なデータを出力するＤフリップフロップの位置が３つずつ重ならないでずれていく。
【０１４９】
ここで、信号電極選択データ信号ＳＤＡが能動となるタイミングは、例えば、図のＹ１の選択期間では、この選択期間の第１の小選択期間が開始するラッチクロック信号ＬＣＫの立上がりに対して３シフトクロック信号ＳＣＫ分前であり、Ｙ２の選択期間では２シフトクロック信号ＳＣＫ分前、Ｙ３の選択期間では１シフトクロック信号ＳＣＫ分前となっている。
【０１５０】
こうすると、Ｙ１の選択期間では、第１の小選択期間にＬ１〜Ｌ３の出力が能動となり、信号電極Ｘ１〜Ｘ３が選択され、第２の小選択期間にＬ４〜Ｌ６の出力が能動となり、第３の小選択期間にＬ７〜Ｌ９の出力が能動となり、第４の小選択期間には総てが非能動となる。即ち、「３の組み合わせ」で駆動される。
【０１５１】
同様に、Ｙ２の選択期間では、第１の小選択期間にＬ１とＬ２の出力が能動となり、第２の小選択期間にＬ３〜Ｌ５の出力が能動となり、第３の小選択期間にＬ６〜Ｌ８の出力が能動となり、第４の小選択期間にはＬ９の出力が能動となる。即ち、「２の組み合わせ」で駆動される。
【０１５２】
更に、Ｙ２の選択期間では、第１の小選択期間にＬ１の出力が能動となり、図示していないが第２の小選択期間にＬ２〜Ｌ４の出力が能動となり、第３の小選択期間にＬ５〜Ｌ７の出力が能動となり、第４の小選択期間にはＬ８とＬ９の出力が能動となる。即ち、「１の組み合わせ」で駆動される。よって、{3、2、1}|3の駆動方法がなされる。
【０１５３】
以上述べたように、本実施例のスイッチ回路ブロックＳＢの構成によれば、信号電極選択データ信号ＳＤＡ、シフトクロック信号ＳＣＫ、ラッチクロック信号ＬＣＫの３本の信号で例えば実施例２の駆動方法が実現出来る。また、シフトクロック信号ＳＣＫに対するラッチクロック信号ＬＣＫの間隔、信号電極選択データ信号ＳＤＡの与え方を適当にすることによって、実施例３で述べた他の駆動方法にも容易に適用出来る。例えば実施例３の第３の駆動方法を実現するには、第１のフレーム期間での{6、5、4、3、2、1}|6による駆動方法は、ラッチクロック信号ＬＣＫを６シフトクロック信号ＳＣＫ毎に１回の割合で供給し、６シフトクロック信号ＳＣＫ分の長さの能動な信号電極選択データ信号ＳＤＡを供給してやれば良く、そのタイミングはＹ(１＋６ｋ)の選択期間では、この選択期間の第１の小選択期間が開始するラッチクロック信号ＬＣＫの立上がりに対して６シフトクロック信号ＳＣＫ分前であり、Ｙ(２＋６ｋ)の選択期間では５シフトクロック信号ＳＣＫ分前、Ｙ(３＋６ｋ)の選択期間では４シフトクロック信号ＳＣＫ分前、…とすれば良い。なお、ｋは正整数。
【０１５４】
ここで、本実施例ではシフトレジスタ回路７０１は右シフト構成となっているが、無論左シフト構成であっても構わず、また、制御信号が１本増えるが右シフトと左シフトの両方が行なえる構成であっても構わない。
【０１５５】
無論、スイッチ回路ブロックＳＢの信号電極選択制御回路の構成は、本実施例のようなシフトレジスタ回路とラッチ回路による構成に限るものではない。即ち、１選択期間を最小単位として同時にオンとなるスイッチ回路の組み合わせを変更出来るような回路構成であれば、信号電極選択制御回路の構成はいかなる構成であっても良い。
【０１５６】
例えば、各フレーム期間の各選択期間での信号電極の組み合わせ方が周期的な場合には、各選択期間での小選択期間数を係数する係数回路、各フレーム期間での選択期間数を係数する係数回路、及びフレーム期間を係数する係数回路をＴＦＴパネルの基板上に設け、あるいはこれらの係数値を入力し、これらの数値をデコードして、スイッチ回路ブロックＳＢの各々のスイッチ回路のオン/オフ制御する回路構成であっても良い。
【０１５７】
しかしながら、このような回路構成は複雑となりやすく、各選択期間での信号電極の組み合わせ方に自由度が乏しくなりやすいので、本実施例の構成がより好ましい。
【０１５８】
なお、図２のＹドライバ１１の構成をＴＦＴパネル上に形成しても、無論良い。
【０１５９】
また、本実施例の構成のスイッチ回路ブロックＳＢをＴＦＴパネルの基板上に搭載したＴＦＴパネルを用いることによって、実施例１の電気光学装置が、制御が容易で構成の簡素化されたものになるのは言うまでもない。
【０１６０】
また、以上の説明では、ＴＦＴパネルを前提にしたが、図１における他方の基板２をシリコン基板とし、トランジスタをシリコン基板表面に形成したＭＯＳ型トランジスタで形成し、画素電極を反射型電極で形成する反射型のアクティブ液晶パネルとした場合は、パネルの基板に搭載する回路も全てシリコン基板に集積回路として形成することができる。無論、本実施例のＴＦＴパネルの場合にも、画素電極を反射型電極として形成しても構わない。
【０１６１】
以上、本実施例によれば、請求項２記載の電気光学装置と同様の効果が得られるとともに、周辺構成が少ない簡素な電気光学装置が提供出来る。
【０１６２】
〔実施例５〕
次に、実施例１〜４に係わる本発明の電気光学装置を光変調装置（以下、ライトバルブと言う。）に用いた本発明の投射型表示装置を説明する。
【０１６３】
図１５は、投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図中、１１０は光源、１１３，１１４はダイクロイックミラー、１１５，１１６，１１７は反射ミラー、１１８，１１９，１２０はリレーレンズ、１２２，１２３，１２４は上記した実施例１〜４において説明した電気光学装置（液晶装置）を用いた光変調手段（以下、液晶ライトバルブと言う。）、１２５はクロスダイクロイックプリズム、１２６は投射レンズを示す。光源１１０はメタルハライド等のランプ１１１とランプの光を反射するリフレクタ１１２とからなる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー１１３は、光源１１０からの白色光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー１１７で反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ１２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー１１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー１１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ１２３に入射される。一方、青色光は第２のダイクロイックミラー１１４も透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１８、リレーレンズ１１９、出射レンズ１２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段１２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ１２４に入射される。各ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム１２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２６によってスクリーン１２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１６４】
以上のような投射型表示装置において、例えば、赤色光用液晶ライトバルブ１２２と青色光用液晶ライトバルブ１２４については、各小選択期間における信号電極の同時選択の組合せを同一とする。それによりスクリーン１２７に投射される合成画像上において、液晶ライトバルブ１２２と１２４は同じ箇所に誤差電圧の発生する画素が重なるが、緑色光用液晶ライトバルブ１２３については誤差電圧の発生する画素が合成画像上において重ならないように、同時に選択して信号電圧が印加される信号電極の組合せを異ならせる。それにより、合成画像上において、表示むらが分散され、コントラストが向上する。
【０１６５】
さらに、各液晶ライトバルブにおける信号電極選択の組合せを、選択期間毎あるいは複数の選択期間毎に、周期的に、無秩序に、あるいは所定の組み替え則によって、組み替えることができる。特に、ライトバルブどうしでその組み替えの仕方を異ならせれば、表示むらはより分散される。
【０１６６】
なお、さらには３つの液晶ライトバルブの液晶装置を、合成画像上において、誤差電圧が発生する箇所が互いに重ならないように、小選択期間に同時選択する信号電極の組合せを互いに異ならせてもよい。
【０１６７】
以上、各実施例１〜５について説明したが、本発明の電気光学装置は、液晶層を用いた液晶装置に留まらず、他の光変調材料やＥＬ等の発光材料を有する装置に対しても、本発明の趣旨に沿って用いることができる。
【０１６８】
【発明の効果】
以上の説明より明かなように、本発明の駆動方法によれば、表示むらが解消する。また、表示むらが無く、かつ明るく高コントラストの高品質の表示を行う表示装置が得られる。また、周辺構成を簡素化出来る。また、選択制御回路を容易に構成することが出来る。
【０１６９】
また、本発明の電気光学装置を投射型表示装置のライトバルブとして用いれば、合成された光により投射される画像において、表示むらが減少するだけでなく、表示むらが発生するとしてもその発生箇所が、合成された画像の画面上で、異なる箇所に発生するので、むらの発生が分散される。よって、合成画像は、表示むらが解消された、明るくコントラストのよいものとできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来技術のＴＦＴパネルの構成を示す斜視図。
【図２】 実施例１の電気光学装置の概略構成を示す図。
【図３】 実施例１の信号Ｄ１〜Ｄ９とデジタル表示データＤＤ０〜ＤＤ２のタイミングを示すタイム・チャート。
【図４】 実施例３の第１の駆動方法を行なった時の表示むらの発生する画素を示す図。
【図５】 実施例３の第２の駆動方法を行なった時の表示むらの発生する画素を示す図。
【図６】 実施例３の第３の駆動方法を行なった時の表示むらの発生する画素を示す図。
【図７】 実施例４のＴＦＴパネルに形成された信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２とスイッチ回路ブロックＳＢの具体的な構成を示す図。
【図８】 実施例４のスイッチ回路ブロックＳＢの動作を説明するタイミングチャート。
【図９】 従来技術のＴＦＴパネルの構成を示す斜視図。
【図１０】 従来技術の電気光学装置の構成を示す図。
【図１１】 ローテーション方式を行う従来技術の電気光学装置の構成を示す図。
【図１２】 図１１の電気光学装置のＤ/Ａ変換回路１２〜１４とスイッチ回路１８及び信号電圧線ＡＤ０〜ＡＤ２部分を抜粋、拡大して示した図。
【図１３】 従来技術の表示むらの発生状況を示す図。
【図１４】 図９のＴＦＴパネル１０の一部の横断面を示す図。
【図１５】 実施例１〜４の電気光学装置を複数個用いた実施例５の投射型表示装置を示す図。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴパネル
１、２…一対の基板
Ｙ１〜Ｙ７…走査電極
Ｘ１〜Ｘ９…信号電極
Ｐ…画素電極
Ｔ…トランジスタ
１１…走査電極制御回路(Ｙドライバ)
１２〜１４…Ｄ/Ａ変換回路
１０１…表示制御回路(コントローラ)
１６…Ｙドライバ制御信号
ＳＢ…スイッチ回路ブロック
Ｓ１〜Ｓ９…スイッチ回路
１０２…信号電極選択信号群
ＤＤ０〜ＤＤ２…デジタル表示データ
ＡＤ０〜ＡＤ２…信号電圧線
Claims (7)
- 互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタにより電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、
前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給し、
前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、
前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に周期的に組み替えることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタにより電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、
前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給し、
前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、
前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に無秩序に組み替えることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタからなる電気光学装置であって、
前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給する第１の供給手段と、
前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、
前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に周期的に組み替える第２の供給手段と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 互いに交差配置される複数の走査電極及び複数の信号電極に接続される複数のトランジスタからなる電気光学装置であって、
前記走査電極を選択する選択期間に、該走査電極に選択電圧を供給する第１の供給手段と、
前記選択期間を複数に分割した小選択期間毎に順次、前記複数の信号電極を複数のブロックに分けた信号電極ブロックのいずれかを選択し、該選択された信号電極ブロックに含まれる信号電極に信号電圧を供給し、
前記小選択期間毎に選択される前記信号電極ブロックに含まれる前記信号電極を、少なくとも前記選択期間毎に無秩序に組み替える第２の供給手段と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第２の供給手段は、
複数の信号電圧を供給する複数の信号電圧線と、
前記複数の信号電圧線及び前記複数の信号電極間を選択信号に従って接続する複数のスイッチ回路と、
複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、少なくとも一の選択期間毎に周期的に組み替える選択制御回路とを有することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。 - 前記第２の供給手段は、
複数の信号電圧を供給する複数の信号電圧線と、
前記複数の信号電圧線及び前記複数の信号電極間を選択信号に従って接続する複数のスイッチ回路と、
複数の前記スイッチ回路の組み合わせを、少なくとも一の選択期間毎に無秩序に組み替える選択制御回路とを有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。 - 請求項５または請求項６に記載の電気光学装置を光変調手段として用いた投射型表示装置であって、
光源と、
該光源からの光を複数の色光に合成する分離手段と、
該分離手段により分離された複数の色光を変調する複数の前記光変調手段と、
該複数の光変調手段により変調された色光を合成する合成手段と、
該合成手段により合成された光を投射する投射光学手段と、を有し、
前記複数の光変調手段の電気光学装置における前記選択制御回路により行われる、前記選択信号を同時に与える複数の前記スイッチ回路の組み合わせは、前記複数の光変調手段の少なくとも１つは他の光変調手段と異なることを特徴とする投射型表示装置。
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| JP00354098A JP3775037B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び投射型表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202836A JPH11202836A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3775037B2 true JP3775037B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=11560255
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00354098A Expired - Fee Related JP3775037B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び投射型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3775037B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100410748C (zh) * | 2006-10-12 | 2008-08-13 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器 |
-
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11202836A (ja) | 1999-07-30 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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