JP3767057B2 - Electroluminescent device - Google Patents

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    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電界発光素子に関し、さらに詳しくは、平面発光パネルに用いることができる電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、平面発光パネルとしては、図７および図８（図７のＢ−Ｂ断面図）に示すような電界発光素子を用いたものが知られている。この電界発光素子は、透明なガラス基板１上に所定の面積を有する透明電極２が略長方形状に形成され、この透明電極２の上に有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料でなる発光層３が形成され、さらに発光層３の上に透明電極２と略同程度の面積を有する長方形状の不透明電極４が形成されてなる。透明電極２は、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）でなり、アノード電極として機能する。また、不透明電極４は、例えばＭｇＩｎでなり、カソード電極として機能する。これら透明電極２と不透明電極４との間に電界が印加されることにより、発光層３の略全面で所謂面発光が起こるようになっている。なお、図７中、２Ａ、４Ａはそれぞれ透明電極２、不透明電極４の取り出し部を示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したような電界発光素子においては、アノード電極としての透明電極がＩＴＯでなるため、シート抵抗値が大きく、このため、電界発光素子の発光面積が大面積化すると、発光層３に流れる電流による電位降下のため、透明電極２は、取り出し部２Ａから遠くになるほど電流が供給されにくくなり、輝度むらが生じるという問題点があった。ここで、ＩＴＯ膜の低抵抗化を図るため、ＩＴＯ膜厚を２００ｎｍ以上に厚くすることは、ＩＴＯ膜自身による光の吸収を生じてしまい、このためＩＴＯ膜面に対する角度に応じて発光層３の発光色度が異なり、視認性が悪いという問題があった。
【０００４】
ところで、ガラス基板１に代えて可撓性を有する合成樹脂基板にこの電界発光素子を形成しようとすると、ＩＴＯの低抵抗化のための高温処理が行えないため、ＩＴＯのシート抵抗がガラス基板上に形成するものに比べて高くなり、輝度むらの影響が大きくなるという問題点がある。また、合成樹脂基板上のＩＴＯ膜は、撓みに伴って割れやすく、このため電界発光素子の発光不良（面内均一性の悪化など）が発生するという問題点がある。
【０００５】
この発明が解決しようとする課題は、均一な面発光を行うことができる電界発光素子を得るにはどのような手段を講じればよいかという点にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、透明電極と対向電極との間に設けられた電界発光層と、前記透明電極の材料より低い抵抗値の材料からなり、前記透明電極と接続され、前記透明電極に接する部分に開口部を有する低抵抗導電層と、前記透明電極より抵抗が低い材料からなり、前記透明電極と前記低抵抗導電層との間に介在し、前記透明電極と前記低抵抗導電層との間で電池反応を起こすことを防止するバッファ層と、を具備することを特徴としている。
【０００７】
請求項１記載の発明においては、透明電極が比較的高抵抗であっても、この透明電極に均一な連続パターンを有する低抵抗導電層が積層されているため、透明電極の取り出し部から遠くの部分での電位降下を抑制することができる。このため、電界発光層への電流供給を均一に行うことができ、均一な面発光を行わせることができる。
【０００８】
請求項２記載の発明は、前記透明電極および前記対向電極が、互いに電界発光層を介して対向する面電極であることを特徴としている。
【０００９】
請求項３記載の発明は、前記透明電極がアノードであり、前記対向電極がカソードであることを特徴としている。
【００１０】
請求項４記載の発明は、前記透明電極がＩＴＯでなることを特徴としている。
【００１１】
請求項５記載の発明は、前記低抵抗導電層が、前記透明電極の材料より高い仕事関数値の材料でなることを特徴としている。
【００１２】
請求項６記載の発明は、前記パターンが、網目形状であることを特徴としている。
【００１３】
請求項７記載の発明は、前記低抵抗導電層が、前記透明電極と電界発光層との間に介在されていることを特徴としている。
【００１４】
請求項８記載の発明は、前記低抵抗導電層が、前記透明電極おける前記電界発光層と反対側の面に積層されていることを特徴としている。
【００１５】
請求項９記載の発明は、前記低抵抗導電層が、複数の層からなることを特徴としている。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、前記透明電極または前記対向電極が、基板上に形成されていることを特徴としている。
【００１７】
請求項１１記載の発明は、前記基板が、合成樹脂でなり且つ可撓性を有することを特徴としている。
【００１８】
請求項１２記載の発明は、前記電界発光層が、有機エレクトロルミネッセンス材料でなることを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係る電界発光素子の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。
（実施形態１）
図１は本発明に係る電界発光素子の実施形態１を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３はガラス基板上に形成されたアノード電極の形状を示す平面図である。なお、本実施形態の電界発光素子は、平面発光パネルとして用いることができるものであり、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
【００２０】
図中１１は、本実施形態の電界発光素子を示している。この電界発光素子１１においては、ガラス基板１２の上に、所定面積を有する長方形状の、ＩＴＯでなる透明電極１３が形成されている。この透明電極１３の１つのコーナ部には、駆動電源に接続される取り出し部１３Ａが一体的に形成されている。なお、この透明電極１３の膜厚は、２００ｎｍ程度に設定されている。そして、透明電極１３の上面には、アルミニウム（Ａｌ）でなる格子状（網目状）の低抵抗導電層１４が５０ｎｍ程度の膜厚で積層されている。この低抵抗導電層１４は、図に示すように正方形状の多数の開口部１４Ｂが形成された枠状のものであり、各部分の線幅が１０μｍ程度に設定されている。なお、低抵抗導電層１４における正方形状の窓の一辺の寸法は、１００μｍ程度に設定されている。このような形状の低抵抗導電層１４の開口率は、８０％程度であるがＡｌによるちらつきはほとんどない。低抵抗導電層１４は、透明電極１３全面にマトリクス状に形成されているので仮に部分的に断線があっても他の部分と導通しているので、ほぼ等電位である。また、透明電極１３の取り出し部１３Ａの上面にも低抵抗導電層１４の取り出し部１４Ａが形成されている。このように、低抵抗導電層１４Ａを、連続性を有する均一なパターンに形成したことにより、取り出し部１４Ａに駆動電位を印加した場合に透明電極１３の各部に電位降下の影響の少ない状態で電位を印加することが可能となる。これら透明電極１３と低抵抗導電層１４とで、アノード電極を構成している。低抵抗導電層１４の材料は、透明電極１３の材料に比して、低抵抗で仕事関数が高く設定されている。
【００２１】
低抵抗導電層１４が積層された透明電極１３の上には、図２に示すように有機ＥＬ材料でなる有機発光層１５が積層されている。なお、この有機発光層１５としては、一層のものや複数層のものなど各種の構造を採用することができる。さらに、有機発光層１５の上には、透明電極１３と略同形状で略同面積の、カソード電極としての不透明電極１６が積層されている。この不透明電極１６には、図１に示すように、上記した透明電極１３および低抵抗導電層１４の取り出し部１３Ａ、１４Ａと重ならない位置（対角方向のコーナ部）に、取り出し部１６Ａが形成されている。なお、取り出し部１６Ａが形成された側辺部分では、図２に示すように、透明電極１３および低抵抗導電層１４の側辺の側壁を覆うように有機発光層１５が形成されており、透明電極１３側と不透明電極１６側とが短絡しないようになっている。なお、本実施形態では、不透明電極１６がＡｌＬｉで形成されている。
【００２２】
つぎに、本実施形態の作用・効果について説明する。電界発光素子１１に不透明電極１６の取り出し部１６Ａと、透明電極１３の取り出し部１３Ａ及び低抵抗導電層１４の取り出し部１４Ａと、の間に直流或いは交流電圧を印加する。ここで低抵抗導電層１４の材料は、透明電極１３の材料に比して、低抵抗で仕事関数が高く設定されているため、低抵抗導電層１４の全面がほぼ等電位になる。そして、有機発光層１５への正孔の注入は、低抵抗導電層１４より低い仕事関数の透明電極１３から行われ、対向する不透明電極１６から電子が注入され、有機発光層１５内で再結合に基づく発光が生じる。すなわち、発光領域は、透明電極１３の低抵抗導電層１４と重ならない領域、に対応する有機発光層１５の領域となり、透明電極１３より透過率の低い低抵抗導電層１４が発光を遮光することは実質的にほとんどなく光は効率よく出射される。本実施形態においては、透明電極１３が比較的高抵抗なＩＴＯであるが、この透明電極１３に均一な連続パターンを有する低抵抗導電層１４が積層されているため、透明電極１３の取り出し部１３Ａから遠くの部分での電位降下を抑制することができる。このため、有機発光層１５への電流供給を均一に行うことができ、均一な面発光を行わせることができる。また、本実施形態においては、上記したように低抵抗導電層１４の各部分の線幅が１０μｍ程度に設定されると共に、この低抵抗導電層１４における正方形状の窓の一辺の寸法が１００μｍ程度に設定されている。このため、低抵抗導電層１４の開口率は、８０％程度を達成している。このように低抵抗導電層１４が高開口率であるため、目で見てパターンの認識されない平面発光パネルとすることができる。さらに、本実施形態では、低抵抗導電層１４を曲げに強いＡｌで形成しているため、透明電極１３の割れによる面内アノードの電圧分布に不均一が発生するのを防止できるとともに、歩留まりを向上させることができる。なお、曲げに強い金属（Ａｌ）で低抵抗導電層１４を形成したことにより、特に可撓性を有する合成樹脂でなる基板を用いた場合に、高温処理することなく低抵抗で発光性能の良い、フレキシブルな平面発光パネルを実現することができる。また、本実施形態においては、低抵抗導電層１４がアノード電極全面での低抵抗化を図っているため、ＩＴＯの膜厚をより薄くできるのでアノード電圧分布の均一化を達成でき、ＩＴＯ膜部分の光透過性をより向上させることができるとともにＩＴＯの膜厚に応じた光色度の視角依存性を低減でき広い角度で均一な色の光を照射することができる。さらに、ＩＴＯが割れて断線しても比較的柔軟な低抵抗導電層１４がＩＴＯに全面に接続されているので、均一に発光することができる。
【００２３】
（実施形態２）
図４は、本発明に係る電界発光素子の実施形態２を示す断面図である。本実施形態においては、低抵抗導電層１４と透明電極１３との間にクロム（Ｃｒ）でなるバッファ層１７を介在させた構成となっている。このバッファ層１７は、低抵抗導電層１４の直下のみに形成されている。このため、開口率は上記実施形態１と同様に高開口率となっている。なお、本実施形態における他の構成は、上記した実施形態１と同様である。
【００２４】
本実施形態においては、Ａｌでなる低抵抗導電層１４と透明電極１３との間にバッファ層１７が介在されているため、透明電極１３に積層したバッファ層の材料膜（Ｃｒ膜）と低抵抗導電層１４の材料膜（Ａｌ膜）とをフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングする場合に、低抵抗のＡｌとＡｌより抵抗の高いＩＴＯとが、レジスト剥離液中で電池反応を起こすのをバッファ層１７を介在させたことで防止することができる。なお、本実施形態では、バッファ層１７としてＣｒを用いたがＡｌより抵抗が高くＩＴＯより抵抗が低い材料であれば、バッファ層１７として用いることができる。また、本実施形態においては、低抵抗導電層１４としてＡｌを用いたが、バッファ層１７とともに低抵抗化を達成できるものであれば、これらの組み合わせ以外の積層構造を用いることも可能である。
【００２５】
（実施形態３）
図５は、本発明に係る電界発光素子の実施形態３を示す断面図である。本実施形態においては、ガラス基板１２のすぐ上に低抵抗導電層１４がパターン形成され、この低抵抗導電層１４を覆うように透明電極１３が形成されている。そして、この透明電極１３の上に、順次有機発光層１５、不透明電極１６が形成されている。本実施形態における他の構成は、上記した実施形態１と同様である。
【００２６】
（実施形態４）
図６は、本発明に係る電界発光素子の実施形態４を示す断面図である。本実施形態の構成は、ガラス基板１２上に、カソード電極としての不透明電極１６が形成され、不透明電極１６の上に有機発光層１５が積層されている。また、有機発光層１５の上には、透明電極１３が２００ｎｍ程度の膜厚で形成されている。そして、透明電極１３の上面には、Ａｌでなる格子状（網目状）の低抵抗導電層１４が５０ｎｍ程度の膜厚で積層されている。この低抵抗導電層１４は、上記した実施形態１と同様に、正方形状の窓が形成された枠状のものであり、各部分の線幅が１０μｍ程度に設定されている。なお、低抵抗導電層１４における正方形状の窓の一辺の寸法は、１００μｍ程度に設定されている。このような形状の低抵抗導電層１４の開口率は、８０％程度である。また、透明電極１３と不透明電極１６との取り出し部は、互いに短絡しないように異なる位置にそれぞれ形成されている。本実施形態においても、上記した実施形態１と同様の作用を奏することができる。
【００２７】
以上、実施形態１〜４について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例えば、上記した各実施形態においては、低抵抗導電層１４が、Ａｌでなる構成としたが、他の低抵抗金属または合金を用いても勿論よい。また、有機発光層１５は、単層構造や複数層構造など各種の構造のものを用いることができる。さらに、上記した各実施形態では、不透明電極１６としてＡｌＬｉを用いたが、ＭｇＩｎ、ＭｇＩｎ／Ａｌなどのカソード電極材料を用いることができる。また、低抵抗導電層１４の形状は、上記した各実施形態のように格子状のものの他、各種形状の網目状のものを用いることができる。上記各実施形態では、透明電極１３としてＩＴＯを用いたが、Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯを用いてもよい。さらに、上記した各実施形態では、電界発光層として有機ＥＬ材料を用いたが、無機ＥＬ材料を用いても勿論よい。
【００２８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、均一な面発光を行うことができる電界発光素子を実現する効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電界発光素子の実施形態１を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】実施形態１におけるガラス基板１２上のアノード電極部分の平面図。
【図４】本発明に係る電界発光素子の実施形態２を示す断面図。
【図５】本発明に係る電界発光素子の実施形態３を示す断面図。
【図６】本発明に係る電界発光素子の実施形態４を示す断面図。
【図７】従来の電界発光素子の平面図。
【図８】図７のＢ−Ｂ断面図。
【符号の説明】
１１ 電界発光素子
１２ ガラス基板
１３ 透明電極
１４ 低抵抗導電層
１５ 有機発光層
１６ 不透明電極
１７ バッファ層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroluminescent element, and more particularly to an electroluminescent element that can be used in a flat light-emitting panel.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a flat light-emitting panel, one using an electroluminescent element as shown in FIG. 7 and FIG. In this electroluminescent element, a transparent electrode 2 having a predetermined area is formed in a substantially rectangular shape on a transparent glass substrate 1, and a light emitting layer 3 made of an organic electroluminescence (EL) material is formed on the transparent electrode 2. Further, a rectangular opaque electrode 4 having an area substantially the same as that of the transparent electrode 2 is formed on the light emitting layer 3. The transparent electrode 2 is made of, for example, ITO (indium tin oxide) and functions as an anode electrode. The opaque electrode 4 is made of, for example, MgIn and functions as a cathode electrode. By applying an electric field between the transparent electrode 2 and the opaque electrode 4, so-called surface light emission occurs on almost the entire surface of the light emitting layer 3. In FIG. 7, reference numerals 2A and 4A denote extraction portions for the transparent electrode 2 and the opaque electrode 4, respectively.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the electroluminescent element as described above, since the transparent electrode as the anode electrode is made of ITO, the sheet resistance value is large. For this reason, when the light emitting area of the electroluminescent element is increased, it flows into the light emitting layer 3. Due to the potential drop due to the current, the transparent electrode 2 has a problem in that the current is less likely to be supplied as the distance from the extraction portion 2A increases, resulting in uneven brightness. Here, in order to reduce the resistance of the ITO film, increasing the ITO film thickness to 200 nm or more causes light absorption by the ITO film itself. For this reason, the light emitting layer 3 depends on the angle with respect to the ITO film surface. There was a problem that the luminescent chromaticities of the slabs differed and the visibility was poor.
[0004]
By the way, if it is going to form this electroluminescent element on the synthetic resin substrate which has flexibility instead of the glass substrate 1, since the high temperature process for the low resistance of ITO cannot be performed, the sheet resistance of ITO will be on the glass substrate. There is a problem that the influence of luminance unevenness is increased. In addition, the ITO film on the synthetic resin substrate is easily broken as it is bent, which causes a problem that light emission defects (deterioration of in-plane uniformity, etc.) of the electroluminescence element occur.
[0005]
The problem to be solved by the present invention lies in what means should be taken to obtain an electroluminescent device capable of performing uniform surface light emission.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to claim 1 is composed of an electroluminescent layer provided between the transparent electrode and the counter electrode, and a material having a resistance value lower than that of the material of the transparent electrode, connected to the transparent electrode, and connected to the transparent electrode. A low-resistance conductive layer having an opening in a contact portion; and a material having a resistance lower than that of the transparent electrode, interposed between the transparent electrode and the low-resistance conductive layer, and the transparent electrode and the low-resistance conductive layer And a buffer layer for preventing a battery reaction between them.
[0007]
In the first aspect of the invention, even if the transparent electrode has a relatively high resistance, a low resistance conductive layer having a uniform continuous pattern is laminated on the transparent electrode. The potential drop at the portion can be suppressed. For this reason, current supply to the electroluminescent layer can be performed uniformly, and uniform surface light emission can be performed.
[0008]
The invention described in claim 2 is characterized in that the transparent electrode and the counter electrode are surface electrodes facing each other via an electroluminescent layer.
[0009]
The invention described in claim 3 is characterized in that the transparent electrode is an anode and the counter electrode is a cathode.
[0010]
The invention described in claim 4 is characterized in that the transparent electrode is made of ITO.
[0011]
The invention according to claim 5 is characterized in that the low-resistance conductive layer is made of a material having a work function value higher than that of the material of the transparent electrode.
[0012]
The invention described in claim 6 is characterized in that the pattern has a mesh shape.
[0013]
The invention according to claim 7 is characterized in that the low-resistance conductive layer is interposed between the transparent electrode and the electroluminescent layer.
[0014]
The invention according to claim 8 is characterized in that the low-resistance conductive layer is laminated on the surface of the transparent electrode opposite to the electroluminescent layer.
[0015]
The invention according to claim 9 is characterized in that the low-resistance conductive layer comprises a plurality of layers.
[0016]
The invention described in claim 10 is characterized in that the transparent electrode or the counter electrode is formed on a substrate.
[0017]
The invention described in claim 11 is characterized in that the substrate is made of synthetic resin and has flexibility.
[0018]
The invention according to claim 12 is characterized in that the electroluminescent layer is made of an organic electroluminescent material.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the details of the electroluminescent device according to the present invention will be described based on each embodiment shown in the drawings.
(Embodiment 1)
1 is a plan view showing Embodiment 1 of an electroluminescent device according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing the shape of an anode electrode formed on a glass substrate. is there. In addition, the electroluminescent element of this embodiment can be used as a flat light emission panel, for example, can be used as a backlight of a liquid crystal display device.
[0020]
In the figure, reference numeral 11 denotes the electroluminescent element of this embodiment. In the electroluminescent element 11, a rectangular transparent electrode 13 made of ITO having a predetermined area is formed on a glass substrate 12. In one corner portion of the transparent electrode 13, an extraction portion 13A connected to a driving power source is integrally formed. The film thickness of the transparent electrode 13 is set to about 200 nm. On the upper surface of the transparent electrode 13, a lattice-like (network-like) low-resistance conductive layer 14 made of aluminum (Al) is laminated with a thickness of about 50 nm. The low-resistance conductive layer 14 has a frame shape in which a large number of square openings 14B are formed as shown in the figure, and the line width of each portion is set to about 10 μm. In addition, the dimension of one side of the square-shaped window in the low resistance conductive layer 14 is set to about 100 μm. The aperture ratio of the low-resistance conductive layer 14 having such a shape is about 80%, but there is almost no flicker due to Al. Since the low-resistance conductive layer 14 is formed in a matrix on the entire surface of the transparent electrode 13, even if there is a partial disconnection, the low-resistance conductive layer 14 is electrically connected to other portions, and is therefore almost equipotential. Further, an extraction portion 14A of the low-resistance conductive layer 14 is also formed on the upper surface of the extraction portion 13A of the transparent electrode 13. Thus, by forming the low-resistance conductive layer 14A in a uniform pattern having continuity, the potential is applied to each part of the transparent electrode 13 with little influence of potential drop when the drive potential is applied to the extraction part 14A. Can be applied. The transparent electrode 13 and the low resistance conductive layer 14 constitute an anode electrode. The material of the low resistance conductive layer 14 is set to have a low resistance and a high work function as compared with the material of the transparent electrode 13.
[0021]
An organic light emitting layer 15 made of an organic EL material is laminated on the transparent electrode 13 on which the low resistance conductive layer 14 is laminated, as shown in FIG. In addition, as this organic light emitting layer 15, various structures, such as a thing of a single layer and multiple layers, are employable. Further, on the organic light emitting layer 15, an opaque electrode 16 as a cathode electrode having the same shape and the same area as the transparent electrode 13 is laminated. As shown in FIG. 1, the opaque electrode 16 has an extraction portion 16A formed at a position (a corner portion in a diagonal direction) that does not overlap with the extraction portions 13A and 14A of the transparent electrode 13 and the low-resistance conductive layer 14 described above. Has been. As shown in FIG. 2, the organic light emitting layer 15 is formed on the side portion where the extraction portion 16 </ b> A is formed so as to cover the side walls of the side of the transparent electrode 13 and the low resistance conductive layer 14. The electrode 13 side and the opaque electrode 16 side are not short-circuited. In the present embodiment, the opaque electrode 16 is made of AlLi.
[0022]
Next, functions and effects of the present embodiment will be described. A direct current or an alternating voltage is applied to the electroluminescent element 11 between the extraction portion 16A of the opaque electrode 16 and the extraction portion 13A of the transparent electrode 13 and the extraction portion 14A of the low-resistance conductive layer 14. Here, since the material of the low-resistance conductive layer 14 is set to have a low resistance and a high work function as compared with the material of the transparent electrode 13, the entire surface of the low-resistance conductive layer 14 is almost equipotential. Then, holes are injected into the organic light emitting layer 15 from the transparent electrode 13 having a work function lower than that of the low-resistance conductive layer 14, and electrons are injected from the opposing opaque electrode 16 to recombine within the organic light emitting layer 15. Luminescence based on That is, the light emitting region is a region of the organic light emitting layer 15 corresponding to a region of the transparent electrode 13 that does not overlap the low resistance conductive layer 14, and the low resistance conductive layer 14 having a lower transmittance than the transparent electrode 13 blocks light emission. There is substantially no light and light is emitted efficiently. In the present embodiment, the transparent electrode 13 is made of ITO having a relatively high resistance, but since the low resistance conductive layer 14 having a uniform continuous pattern is laminated on the transparent electrode 13, the extraction portion 13 </ b> A of the transparent electrode 13 is stacked. It is possible to suppress a potential drop at a portion far from the distance. For this reason, current supply to the organic light emitting layer 15 can be performed uniformly, and uniform surface light emission can be performed. In the present embodiment, as described above, the line width of each portion of the low-resistance conductive layer 14 is set to about 10 μm, and the dimension of one side of the square-shaped window in the low-resistance conductive layer 14 is about 100 μm. Is set to For this reason, the aperture ratio of the low-resistance conductive layer 14 achieves about 80%. Thus, since the low-resistance conductive layer 14 has a high aperture ratio, a flat light-emitting panel in which a pattern is not visually recognized can be obtained. Furthermore, in this embodiment, since the low-resistance conductive layer 14 is formed of Al which is strong against bending, it is possible to prevent nonuniformity in the voltage distribution of the in-plane anode due to cracking of the transparent electrode 13 and to improve the yield. Can be improved. In addition, since the low resistance conductive layer 14 is formed of a metal (Al) that is resistant to bending, particularly when a substrate made of a synthetic resin having flexibility is used, low resistance and good light emitting performance without high temperature treatment. A flexible flat light-emitting panel can be realized. In the present embodiment, since the low resistance conductive layer 14 is designed to reduce the resistance on the entire surface of the anode electrode, the thickness of the ITO can be made thinner, so that the anode voltage distribution can be made uniform and the ITO film portion can be achieved. In addition, the light transmittance of the light can be further improved, and the viewing angle dependency of the light chromaticity corresponding to the film thickness of the ITO can be reduced, so that light of a uniform color can be irradiated at a wide angle. Furthermore, even if ITO breaks and breaks, the relatively flexible low-resistance conductive layer 14 is connected to the entire surface of the ITO, so that light can be emitted uniformly.
[0023]
(Embodiment 2)
FIG. 4 is a sectional view showing Embodiment 2 of the electroluminescent element according to the present invention. In the present embodiment, a buffer layer 17 made of chromium (Cr) is interposed between the low-resistance conductive layer 14 and the transparent electrode 13. The buffer layer 17 is formed only directly below the low resistance conductive layer 14. For this reason, the aperture ratio is a high aperture ratio as in the first embodiment. Other configurations in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.
[0024]
In this embodiment, since the buffer layer 17 is interposed between the low-resistance conductive layer 14 made of Al and the transparent electrode 13, the material film (Cr film) of the buffer layer laminated on the transparent electrode 13 and the low resistance When patterning the material film (Al film) of the conductive layer 14 using photolithography technology and etching technology, low resistance Al and ITO having higher resistance than Al cause a battery reaction in the resist stripping solution. Can be prevented by interposing the buffer layer 17. In the present embodiment, Cr is used for the buffer layer 17, but any material that has a resistance higher than Al and lower resistance than ITO can be used as the buffer layer 17. In the present embodiment, Al is used as the low-resistance conductive layer 14, but a laminated structure other than the combination thereof can be used as long as the resistance can be lowered together with the buffer layer 17.
[0025]
(Embodiment 3)
FIG. 5 is a sectional view showing Embodiment 3 of the electroluminescent element according to the present invention. In the present embodiment, the low resistance conductive layer 14 is patterned immediately above the glass substrate 12, and the transparent electrode 13 is formed so as to cover the low resistance conductive layer 14. An organic light emitting layer 15 and an opaque electrode 16 are sequentially formed on the transparent electrode 13. Other configurations in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.
[0026]
(Embodiment 4)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing Embodiment 4 of the electroluminescent element according to the present invention. In the configuration of this embodiment, an opaque electrode 16 as a cathode electrode is formed on a glass substrate 12, and an organic light emitting layer 15 is laminated on the opaque electrode 16. A transparent electrode 13 is formed on the organic light emitting layer 15 with a film thickness of about 200 nm. On the upper surface of the transparent electrode 13, a lattice-like (network-like) low-resistance conductive layer 14 made of Al is laminated with a thickness of about 50 nm. This low-resistance conductive layer 14 has a frame shape in which square windows are formed, as in the first embodiment, and the line width of each portion is set to about 10 μm. In addition, the dimension of one side of the square-shaped window in the low resistance conductive layer 14 is set to about 100 μm. The aperture ratio of the low resistance conductive layer 14 having such a shape is about 80%. Further, the extraction portions of the transparent electrode 13 and the opaque electrode 16 are formed at different positions so as not to short-circuit each other. Also in the present embodiment, the same operation as in the first embodiment described above can be achieved.
[0027]
As mentioned above, although Embodiment 1-4 was demonstrated, this invention is not limited to these, The various change accompanying the summary of a structure is possible. For example, in each of the embodiments described above, the low resistance conductive layer 14 is made of Al, but other low resistance metals or alloys may be used as a matter of course. The organic light emitting layer 15 can have various structures such as a single layer structure or a multi-layer structure. Furthermore, in each of the above-described embodiments, AlLi is used as the opaque electrode 16, but a cathode electrode material such as MgIn or MgIn / Al can be used. Further, the low-resistance conductive layer 14 may have a mesh shape as well as a lattice shape as in each of the embodiments described above. In each of the above embodiments, ITO is used as the transparent electrode 13, but In 2 O 3 —ZnO may be used. Furthermore, in each of the embodiments described above, an organic EL material is used as the electroluminescent layer, but an inorganic EL material may of course be used.
[0028]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, the present invention has an effect of realizing an electroluminescent element capable of performing uniform surface light emission.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing Embodiment 1 of an electroluminescent element according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
3 is a plan view of an anode electrode portion on a glass substrate 12 in Embodiment 1. FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an electroluminescent device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an electroluminescent device according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view of a conventional electroluminescent element.
8 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Electroluminescent element 12 Glass substrate 13 Transparent electrode 14 Low resistance conductive layer 15 Organic light emitting layer 16 Opaque electrode 17 Buffer layer

Claims (12)

透明電極と対向電極との間に設けられた電界発光層と、前記透明電極の材料より低い抵抗値の材料からなり、前記透明電極と接続され、前記透明電極に接する部分に開口部を有する低抵抗導電層と、前記透明電極より抵抗が低い材料からなり、前記透明電極と前記低抵抗導電層との間に介在し、前記透明電極と前記低抵抗導電層との間で電池反応を起こすことを防止するバッファ層と、を具備することを特徴とする電界発光素子。An electroluminescent layer provided between the transparent electrode and the counter electrode, and a low resistance material made of a material having a lower resistance value than the material of the transparent electrode, connected to the transparent electrode, and having an opening at a portion in contact with the transparent electrode It consists of a resistance conductive layer and a material having a lower resistance than the transparent electrode, and is interposed between the transparent electrode and the low resistance conductive layer to cause a battery reaction between the transparent electrode and the low resistance conductive layer. And a buffer layer for preventing the above . 前記透明電極および前記対向電極は、互いに電界発光層を介して対向する面電極であることを特徴とする請求項１記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to claim 1, wherein the transparent electrode and the counter electrode are surface electrodes facing each other through an electroluminescent layer. 前記透明電極はアノードであり、前記対向電極はカソードであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電界発光素子。  The electroluminescent device according to claim 1, wherein the transparent electrode is an anode, and the counter electrode is a cathode. 前記透明電極は、ＩＴＯでなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to claim 1, wherein the transparent electrode is made of ITO. 前記低抵抗導電層は、前記透明電極の材料より高い仕事関数値の材料でなることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to any one of claims 1 to 4, wherein the low-resistance conductive layer is made of a material having a work function value higher than that of the material of the transparent electrode. 前記低抵抗導電層は網目形状であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to claim 1, wherein the low-resistance conductive layer has a mesh shape. 前記低抵抗導電層は、前記透明電極と電界発光層との間に介在されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to any one of claims 1 to 6, wherein the low-resistance conductive layer is interposed between the transparent electrode and the electroluminescent layer. 前記低抵抗導電層は、前記透明電極おける前記電界発光層と反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to claim 1, wherein the low-resistance conductive layer is laminated on a surface of the transparent electrode opposite to the electroluminescent layer. 前記低抵抗導電層は、複数の層からなることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to claim 1, wherein the low-resistance conductive layer includes a plurality of layers. 前記透明電極または前記対向電極は、基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to claim 1, wherein the transparent electrode or the counter electrode is formed on a substrate. 前記基板は、合成樹脂でなり且つ可撓性を有することを特徴とする請求項１０記載の電界発光素子。  The electroluminescent device according to claim 10, wherein the substrate is made of a synthetic resin and has flexibility. 前記電界発光層は、有機エレクトロルミネッセンス材料でなることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の電界発光素子。  The electroluminescent element according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is made of an organic electroluminescent material.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000001204A1 (en) * 1998-06-30 2000-01-06 Nippon Seiki Co., Ltd. Electroluminescent display
TW471239B (en) * 1999-01-22 2002-01-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display screen for displaying fixed and segmented patterns, and method of manufacturing such an electroluminescent display screen
JP2000252063A (en) * 1999-03-01 2000-09-14 Toppan Printing Co Ltd Color switching light emitting element, substrate for the same, and color display device
JP2005302508A (en) * 2004-04-12 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd Transparent conductive sheet and electroluminescent element using it
JP4559248B2 (en) * 2005-02-15 2010-10-06 小泉産業株式会社 EL light source and EL light source device
JP2007026932A (en) * 2005-07-19 2007-02-01 Konica Minolta Holdings Inc Luminescent panel
JP2008034362A (en) * 2006-06-28 2008-02-14 Sumitomo Chemical Co Ltd Organic electroluminescent element
WO2008126269A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation Light emitting device
JP2009140817A (en) * 2007-12-07 2009-06-25 Rohm Co Ltd Organic el planar light-emitting apparatus
EP2333863A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-15 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith
JP5258817B2 (en) 2010-03-02 2013-08-07 株式会社東芝 LIGHTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JP5957787B2 (en) * 2011-09-14 2016-07-27 トヨタ自動車東日本株式会社 Method for producing photoelectric conversion device and photoelectric conversion device
FR2986909B1 (en) * 2012-02-10 2014-11-21 Saint Gobain ELECTRODE SUPPORTED TRANSPARENT FOR OLED
KR20140146070A (en) * 2012-04-02 2014-12-24 파이오니아 가부시키가이샤 Organic electoluminescent panel and method for producing same
JP6168610B2 (en) 2012-04-12 2017-07-26 Ｎｅｃライティング株式会社 Organic EL lighting panel substrate, organic EL lighting panel, and organic EL lighting device
US9559333B2 (en) 2012-08-21 2017-01-31 Nec Lighting, Ltd. Organic el lighting panel substrate, method for manufacturing organic el lighting panel substrate, organic el lighting panel, and organic el lighting device
KR101477953B1 (en) * 2013-04-01 2014-12-30 주식회사 엘지화학 Organic light emitting device and method for manufacturing the same
EP2993711B1 (en) * 2013-04-29 2019-06-12 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting device and method for fabricating same
JP2015082425A (en) * 2013-10-23 2015-04-27 パイオニア株式会社 Light-emitting device and substrate
CN105374853A (en) * 2015-12-10 2016-03-02 深圳市华星光电技术有限公司 Oled display panel and display device
JP6185109B2 (en) * 2016-03-31 2017-08-23 パイオニア株式会社 Organic electroluminescence panel and manufacturing method thereof
CN109065757B (en) * 2018-08-07 2020-10-16 中国乐凯集团有限公司 Substrate for OLED lighting device and lighting device

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