JP3764877B2 - レーダ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーダ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
ミリ波を使用する自動車レーダや300MHz以上の周波数帯の電波を用いる高周波無線通信装置及び無線端末機は、装置の小型化,低コスト化のため、また使用する回路素子の多機能化に伴い、単一の多機能半導体素子または、半導体集積回路(IC)、これらを実装したパッケージ、または、複数のICとこれらを相互に接続し、あるいはフィルタ機能等を含む高周波回路素子を一つの筐体内に実装する。
【0003】
一筐体構造の内部に多くの機能素子を収納する場合、筐体の大きさが一定で、機能素子の数が多くなれば、それだけ機能素子間の物理的距離が短くなり、あるいは筐体の大きさが信号周波数の自由空間波長の半分(例えば、77GHzで約1.95mm )に比べ大きくなる。いずれの場合においても、筐体内の機能素子を構成するIC等の一点より筐体内に放射された信号周波数の電波エネルギーは容易に筐体内を伝播し、同じ筐体内の機能素子に結合することにより様々な機能障害を起こす。例えば、通信用送受信器,ミリ波自動車レーダ用送受信モジュールでは送信機能素子より筐体内に放射された信号の一部が受信機能素子に結合することにより受信機の飽和,受信雑音の上昇等の障害を起こす。
【0004】
従来の通信装置は、これらの問題、特に筐体内の干渉問題を解決するために、筐体構造を細分化して金属隔壁で複数の小さな部屋に分割したり、本来の信号通路に沿って不要放射に対しては局所的にカットオフ導波管構造となるような金属構造を設けていた。これらの従来技術はその筐体の構造に複雑な金属構造を必要とし、また受動回路の高周波基板の複数分割を必要とし、さらにこれらの構造や基板の複数分割のため半導体IC,受動回路部品の実装をより困難にして、通信装置の量産化及び低コスト化を阻害していた。
【0005】
これらの問題点を解決するための従来技術としては、特許文献1がある。
【0006】
しかし、特許文献1の発明では、蓋に押出加工された凹凸を設けたフィルタを構成する実装形態が提案されているが、前記凹凸と高周波回路素子や受動部品との相対的な位置関係や、それらの位置における最適な凹凸の構成については言及していない。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−307305号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、高周波回路素子である発振器として、誘電体共振器が一般的に使用される。発振器の発振周波数は、誘電体共振器と誘電体共振器近傍の電磁界条件によって、大きく変化する。従って、誘電体共振器の近傍に蓋に押出加工された凹凸が存在するとその凹凸の形状や位置によって発振周波数が大きく変化し、所望の発振周波数を得ることが非常に困難となる。
【0009】
また、凹凸はプレスによって製造されるため、凹凸の形状が小さくなったり、凹凸の高さが高くなったり、凹凸の個数が増えたりすると、プレス荷重が大きくなりプレスの型寿命が短くなる。従って、蓋の必要な場所にのみ最適な形状で最適な高さの凹凸を設けなければならない。
【0010】
本発明の目的は、誘電体共振器への電磁気的影響度が小さく、また、送受信間のアイソレーションを損なうことなく、プレス型寿命を長くできるフィルタカバーを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、誘電体共振器と、前記誘電体共振器に接続され高周波を発生する高周波発振器と、前記誘電体共振器と前記高周波発振器とが設置されたベースと、空間を挟んで前記誘電体共振器と前記高周波発振器とを覆うカバーと、を備えた車載レーダ装置であって、前記誘電体共振器と前記カバーとの間の距離が、前記高周波発振器の周波数における実効波長の1/4以上であることを特徴とするレーダ装置によって達成される。
【0012】
また、上記目的は、誘電体共振器と、前記誘電体共振器と接続する高周波発振器と、前記誘電体共振器と前記高周波発振器を搭載するベースと、前記ベースと接合し、前記誘電体共振器と前記高周波発振器を覆うカバーとを備え、前記カバーは、前記誘電体共振器の存在する方向の面に前記高周波発振器の周波数における1/4実効波長の周期的な凹凸を有し、前記カバーの前記誘電体共振器の存在する方向の面と前記ベースの前記誘電体共振器の存在する方向の面との距離が前記高周波発振器の周波数における1/2実効波長以下であり、少なくとも前記誘電体共振器の前記カバーの存在する方向の面と前記カバーの前記誘電体共振器が存在する方向の面との最近接距離が前記高周波発振器の周波数における1/4実効波長以上であることを特徴とするレーダ装置によって達成される。
【0013】
また、発振器と増幅器と混合器を成すMMICと、MMICを搭載し接続する回路基板と、アンテナを構成するアンテナ基板と、前記回路基板と前記アンテナ基板を搭載し、前記回路基板と前記アンテナ基板を接続する同軸線もしくは導波管を貫通保持するベースと、前記ベースに接合して前記MMIC及び前記回路基板を覆い、前記MMIC及び前記回路基板が存在する側に凹凸を設けたカバーとを有するレーダ装置であって、前記同軸線もしくは導波管と相対する位置に存在するカバー部と、前記位置以外でのカバー部とで、前記凹凸のピッチ,大きさ,形状の少なくともいずれかが異なることを特徴とするレーダ装置によって達成される。
また、発振器と増幅器と混合器を成すMMICと、MMICを搭載し接続する回路基板と、アンテナを構成するアンテナ基板と、前記回路基板と前記アンテナ基板を搭載し、前記回路基板と前記アンテナ基板を接続する同軸線もしくは導波管を貫通保持するベースと、前記ベースに接合して前記MMIC及び前記回路基板を覆い、前記MMIC及び前記回路基板が存在する側に電波吸収体を設けたカバーとを有するレーダ装置であって、前記同軸線もしくは導波管と相対する位置に存在する電波吸収体と、前記位置以外での電波吸収体とで、電波吸収率が異なることを特徴とするレーダ装置によって達成される。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1を用い、本発明のレーダ装置を説明する。
【0015】
図1は高周波モジュールの発振部であり、誘電体共振器1と誘電体共振器1と接続する高周波発振器2と誘電体共振器1と高周波発振器2を搭載するベース3とベース3と接合し、誘電体共振器1と高周波発振器2を覆うカバー部4で、カバー部4の誘電体共振器1の存在する方向の面とベース3の誘電体共振器1の存在する方向の面との距離Hが発振器2の周波数における1/2実効波長以下で、誘電体共振器1の存在する方向に発振器2の周波数における約1/4実効波長の長さLの周期的な凹凸5を有しているものとで構成されている。
【0016】
図2について説明する。
【0017】
誘電体共振器1と外壁11との距離Mが変わると共振周波数f0が変ることを示している。
【0018】
実線グラフより共振周波数がf0の時の波長の1/8位から周波数f0のMに対する感度が小さくなってきて、1/4程度になるとほとんど感度がないことがわかる。また、破線グラフはMに対するcut off 周波数を示している。点Pは丁度誘電体共振器1の周波数とcut off 周波数が一致しており、Mがこの点Pの示す値よりも小さくないとf0の周波数帯域の雑音レベルが上昇してしまう。
【0019】
従って、1/4λ0≦M,H≦λ0/2が望ましい。
【0020】
再び図1に戻る。
【0021】
ここで、カバー部4の少なくとも前記誘電体共振器1に相対する部分には凹凸5が存在しないようにする。この時、Hは1/2λ0より若干小さくしてあり、誘電体共振器1高さは一般的に1/4λ0より小さいものが用いられるので、誘電体共振器1とカバー部4との距離Mは1/4λ0≦Mとなり、発振周波数がフィルタカバー部4の有無によって大きく変化することはなく、所望の発振周波数を容易に得ることができるとともに、f0の周波数帯域はcut off 周波数以下となっているため雑音レベルも抑えることができるので非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。また、凹凸5が存在しないようにした部分の寸法X,Yは空洞共振器としてf0に共振しないように下記式(1)から得られる周波数f1と十分はなしておく必要がある。
【0022】
f1=C/2×√((m/X)2+(n/Y)2+(s/H)2) …(1)
C:光速、m,n,s:共振モード
ここで、具体的な寸法を記載しておく。
【0023】
誘電体共振器1寸法:□1.32mm×0.53mm
H=1.9mm
L=0.9mm
M=1.9−0.53=1.37mm
X=3.5mm
f0=76.5GHz λ0=3.9mm
但し、誘電体共振器1の形状は四角である必要はなく丸でも単なる多角形でも構わない。
【0024】
また、図3に示すように図1で凹凸5を生成しなかった部分に電波吸収体12を装着した場合、凹凸5がないことによりこの部分のフィルタ特性が損なわれた分を補うことができるとともに、カバー部4による周波数変動も小さく抑えることができるので非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0025】
また、図4に示すように図1で凹凸5を生成しなかった部分に凹凸51をわずかに生成しつつ1/4λ≦Mを満足することにより図1よりもフィルタ特性の低下を抑えることができるとともに、カバー部4による周波数変動も小さく抑えることができるので非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0026】
また、図5に示すように図1で凹凸5を生成しなかった部分にその部分以外の凹凸より細かな凹凸52を生成することによりフィルタ特性の低下を抑えることができるとともに、カバー部4による周波数変動も小さく抑えることができるので非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0027】
次にフィルタ特性を凹凸ではなく電波吸収体12により得るフィルタカバー部4構造について図6を用い説明する。この場合も誘電体共振器1が電波吸収体
12と距離が近いと発振周波数がフィルタカバー部4の有無によって大きく変化するので、図に示すように、図1で凹凸5を生成しなかった部分と同じ部分の電波吸収体12を抜いておくことによって図1と同様の効果を持つフィルタカバー部4を得ることができる。ここで、電波吸収体12には、カバー部4よりも電波を良く吸収する材料または構造のものである。
【0028】
また、図7に示すように、図1で凹凸5を生成しなかった部分に、電波吸収体121をわずかに生成しつつ1/4λ≦Mを満足することにより図6よりもフィルタ特性の低下を抑えることができるとともに、カバー部4による周波数変動も小さく抑えることができるので非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0029】
図8を用い、本発明の別のフィルタカバー部4を説明する。
【0030】
図8は送受信機であり、発振器2と増幅器6と混合器7を成すMMIC
(Monolithic Microwave Integrated Circuit)と、MMICを搭載し接続する回路基板8と、アンテナを構成するアンテナ基板9と、回路基板8とアンテナ基板9を搭載し回路基板8とアンテナ基板9を接続する同軸線10もしくは導波管を貫通保持するベース3と、ベース3に接合してMMIC及び回路基板8を覆い、MMIC及び回路基板8が存在する側に凹凸5を設けたカバー部4で構成される。
【0031】
凹凸5はプレスによって製造されるため、凹凸5の形状が小さくなったり、凹凸高さが高くなったり、凹凸の個数が増えたりすると、プレス荷重が大きくなりプレスの型寿命が短くなる。従って、カバー部4の必要な場所にのみ最適な形状で最適な高さの凹凸を設けなければならない。
【0032】
ここで、前記同軸線10もしくは導波管と相対する位置に存在するカバー部4と、前記位置以外でのカバー部4とで、図9のように凹凸51,凹凸52とピッチ,大きさ,形状を変える。
【0033】
このとき、同軸線10もしくは導波管から回路基板8への伝送線路の変換部においては、インピーダンスの不整合による不要電波の放射が発生するが、同軸線10もしくは導波管と相対する位置に存在するカバー部4の凹凸51が細かく生成されることにより、不要電波の伝播を抑制することができるとともに、前記位置以外でのカバー部の凹凸52は粗く生成することにより、プレス型の寿命を長くすることができるため非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0034】
ここで、具体的な寸法を記載しておく。
【0035】
凹凸51:□0.5mm×0.8mm
凹凸52:□0.7mm×0.8mm
また、図10に示すように、同軸線(送信側)101−同軸線(受信側)102間と同軸線(受信側A)1021−同軸線(受信側B)1022間の相対する位置に存在するカバー部4において、凹凸51,凹凸52とピッチ,大きさ,形状を変える。
【0036】
同軸線(送信側)101から放射される電力レベルと同軸線(受信側)102からの放射される電力レベルは異なり、また、互いの同軸線間の距離が異なるので、必要とされる同軸線間のアイソレーションレベルは同軸線(送信側)101−同軸線(受信側)102間と同軸線(受信側A)1021−同軸線(受信側B)
1022で異なってくる。
【0037】
このとき、同軸線(受信側A)1021−同軸線(受信側B)1022間の相対する位置に存在するカバー部4の凹凸51が細かく生成されることにより、近い距離においてもアイソレーションを確保できるとともに、同軸線(送信側)101−同軸線(受信側)102間の相対する位置に存在するカバー部4の凹凸52が粗く生成されることにより、プレス型の寿命を長くすることができるため非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0038】
ここで、具体的な寸法を記載しておく。
【0039】
凹凸51:□0.5mm×0.8mm
凹凸52:□0.7mm×0.8mm
次にフィルタ特性を凹凸でなく電波吸収体により得るフィルタカバー部4構造について図11を用い説明する。この場合も、図9と同様に同軸線10もしくは導波管と相対する位置に存在するカバー部4に電波吸収率の高い材質の電波吸収体121を形成し、その位置以外でのカバー部4の電波フィルタは電波吸収率の低い材質の電波吸収体122を形成することにより、不要電波の伝播を抑制することができるとともに、電波吸収率の高い材質は一般的に高価であるため、電波吸収体を効率良く使用することができるため非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0040】
また、図10の凹凸51を電波吸収体121に、凹凸52を電波吸収体122に置き換えた図12も高価である電波吸収体を効率良く使用することができるため非常にすぐれたフィルタカバー構造といえる。
【0041】
次に、図8で示した送受信機を用いた車載レーダについて図13と図14を用い説明する。構造について図13を用い説明する。電源がコネクタ50より信号処理回路51に供給され、同時に信号処理回路51は、ケーブル52を通して送受信機59に所定の電源を供給する。これにより発振器53は76.5GHz のミリ波を発生し、さらにミリ波は増幅器54で増幅され、同軸線56を通って、送信アンテナ57に給電される。送信アンテナ57からミリ波は送信され、受信アンテナ58は目標物に当った後の反射波を受信する。受信波は混合器55にて送信波とダウンコンバートされ、IF信号としてケーブル52を経て信号処理回路51に送られ、レーダを搭載する車両等と目標物との相対速度情報,距離情報,角度情報等を計算する。これらの結果をコネクタ50を通して出力される。
【0042】
回路について図14を用い説明する。
【0043】
車載レーダは、送信アンテナ57,受信アンテナ581,582によるアンテナ部,高周波部,制御部により構成される。
【0044】
高周波部は発振器53が出力する高周波信号を増幅器54により増幅し、送信アンテナ57を介し車両前方空間に出力する送信機能と受信アンテナ581,582が受信した対象物からの反射波と、発振器53の出力信号とを混合器551,552によりダウンコンバートしたドップラー信号を取り出す受信機能を有している。なお発振器53,増幅器54,混合器551,552は、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)など集積回路で構成される。
【0045】
制御部は高周波部が出力するドップラー周波数を信号処理回路51において、デジタル化した後、各種アルゴリズムに基づいた信号処理により対象物との距離,相対速度,角度を計算する。また、電源部60により、高周波部の各MMICにバイアス電源を供給する機能も有する。
【0046】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電体共振器への電磁気的影響度の小さいフィルタカバーを作成できる。
【0047】
また、送受信間のアイソレーションを損なうことなく、プレス型寿命を長くできるフィルタカバーを作成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す図。
【図2】本発明の第1実施例を説明補足する図。
【図3】本発明の第1実施例の応用例1を示す図。
【図4】本発明の第1実施例の応用例2を示す図。
【図5】本発明の第1実施例の応用例3を示す図。
【図6】本発明の第1実施例の応用例4を示す図。
【図7】本発明の第1実施例の応用例5を示す図。
【図8】本発明の第2実施例を示す図。
【図9】本発明の第2実施例のA部拡大図。
【図10】本発明の第2実施例のB−B断面図。
【図11】本発明の第2実施例の応用例1のA部拡大図。
【図12】本発明の第2実施例の応用例1のB−B断面図。
【図13】本発明の送受信機を用いた車載レーダ構造図。
【図14】本発明の送受信機を用いた車載レーダ回路図。
【符号の説明】
1…誘電体共振器、2…発振器、3…ベース、4…カバー部、5…凹凸、6…増幅器、7…混合器、8…回路基板、9…アンテナ基板。
Claims (11)
- 誘電体共振器と、
前記誘電体共振器に接続され高周波を発生する高周波発振器と、
前記誘電体共振器と前記高周波発振器とが設置されたベースと、
空間を挟んで前記誘電体共振器と前記高周波発振器とを覆うカバーと、
を備えた車載レーダ装置であって、
前記誘電体共振器と前記カバーとの間の距離が、前記高周波発振器の周波数における実効波長の1/4以上であることを特徴とするレーダ装置。 - 請求項1において、
前記カバーは前記誘電体共振器に向かって延びる突起を備え、
前記誘電体共振器と前記突起との間の距離が、前記高周波発振器の周波数における実効波長の1/4以上であることを特徴とするレーダ装置。 - 請求項2において、
前記ベースと前記カバーとの間の距離が、前記高周波発振器の実効波長の1/2以下であることを特徴とするレーダ装置。 - 請求項3において、
前記突起の高さが前記高周波発振器の周波数における実効波長の1/4以上であることを特徴とするレーダ装置。 - 請求項1において、
前記カバーと前記ベースとの間に、前記カバーよりも電波を良く吸収する電波吸収体を備え、
前記誘電体共振器と前記電波吸収体との間の距離が、前記高周波発振器の周波数における実効波長の1/4以上であることを特徴とするレーダ装置。 - 誘電体共振器と、
前記誘電体共振器と接続する高周波発振器と、
前記誘電体共振器と前記高周波発振器を搭載するベースと、
前記ベースと接合し、前記誘電体共振器と前記高周波発振器を覆うカバーとを備え、
前記カバーは、前記誘電体共振器の存在する方向の面に前記高周波発振器の周波数における1/4実効波長の周期的な凹凸を有し、
前記カバーの前記誘電体共振器の存在する方向の面と前記ベースの前記誘電体共振器の存在する方向の面との距離が前記高周波発振器の周波数における1/2実効波長以下であり、
少なくとも前記誘電体共振器の前記カバーの存在する方向の面と前記カバーの前記誘電体共振器が存在する方向の面との最近接距離が前記高周波発振器の周波数における1/4実効波長以上であることを特徴とするレーダ装置。 - 請求項6において、
前記カバーは、少なくとも前記誘電体共振器と相対する部分に前記周期的な凹凸が存在しないことを特徴とするレーダ装置。 - 請求項6において、
前記カバーは、少なくとも前記誘電体共振器と相対する部分に電波吸収体を具備することを特徴とするレーダ装置。 - 請求項6において、
前記カバーの前記誘電体共振器の存在する方向に電波吸収体を有し、少なくとも前記誘電体共振器の前記カバーの存在する方向の面と前記電波吸収体の前記誘電体共振器が存在する方向の面との最近接距離が前記高周波発振器の周波数における1/4実効波長以上であることを特徴とするレーダ装置。 - 発振器と増幅器と混合器を成すMMICと、
MMICを搭載し接続する回路基板と、
アンテナを構成するアンテナ基板と、
前記回路基板と前記アンテナ基板を搭載し、前記回路基板と前記アンテナ基板を接続する同軸線もしくは導波管を貫通保持するベースと、
前記ベースに接合して前記MMIC及び前記回路基板を覆い、前記MMIC及び前記回路基板が存在する側に凹凸を設けたカバーとを有するレーダ装置であって、
前記同軸線もしくは導波管と相対する位置に存在するカバー部と、前記位置以外でのカバー部とで、前記凹凸のピッチ,大きさ,形状の少なくともいずれかが異なることを特徴とするレーダ装置。 - 発振器と増幅器と混合器を成すMMICと、
MMICを搭載し接続する回路基板と、
アンテナを構成するアンテナ基板と、
前記回路基板と前記アンテナ基板を搭載し、前記回路基板と前記アンテナ基板を接続する同軸線もしくは導波管を貫通保持するベースと、
前記ベースに接合して前記MMIC及び前記回路基板を覆い、前記MMIC及び前記回路基板が存在する側に電波吸収体を設けたカバーとを有するレーダ装置であって、
前記同軸線もしくは導波管と相対する位置に存在する電波吸収体と、前記位置以外での電波吸収体とで、電波吸収率が異なることを特徴とするレーダ装置。
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US5650755A (en) * | 1996-03-18 | 1997-07-22 | Motorola, Inc. | Voltage controlled oscillator module assembly |
US5654676A (en) * | 1996-06-10 | 1997-08-05 | Motorola, Inc. | Shielded VCO module having trimmable capacitor plate external to shield |
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US5959503A (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-28 | Motorola Inc. | Voltage controlled oscillator tuning by metal lid aperture selection |
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