JP3744490B2 - 液晶装置及び電子機器並びにその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置及び電子機器並びに液晶装置の製造方法に係り、特に、液晶装置を構成する２枚の基板の一方に反射層を有する液晶装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から外光を利用して表示を視認可能にする反射型の液晶表示装置が広く用いられている。反射型の液晶表示装置においては、透過型の液晶表示装置に較べてバックライト等の光源が不要になるので、消費電力を低減することができるとともに小型化、軽量化が容易であるという利点があり、携帯機器等に多く用いられている。また、明所では反射型の液晶表示装置として用いることができるとともに、暗所ではバックライトの光によって表示を視認可能とした半透過型の液晶表示装置や、フロントライトの光によって表示を視認可能としたフロントライト付き液晶表示装置も開発されている。
【０００３】
上述の反射型、半透過型、或いは、フロントライト付きの液晶表示装置においては、いずれも、観察側から入射する光を反射するための反射層を液晶層よりも背面側に備えている。ここで、反射層の反射面が鏡面であれば背景や室内照明等の映りこみが生じて、表示画像が見にくくなるという問題点がある。この問題点を解決するため、従来から、反射層の表面を粗面化し、反射光を適度に散乱させる手法が採られている。
【０００４】
反射層の表面を粗面化する従来の手法としては、例えば、基板の表面を研磨剤によって研摩することによって粗面化し、その上に金属膜を形成することにより、その基板表面を反映した、粗面化された表面を備えた反射層を有するもの等が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の粗面化された表面を備えた反射層を有する液晶装置においては、基板の表面が全面的に粗面化されてしまうため、本来平坦な基板表面上に形成されるべきアライメントマーク、スイッチング素子、シール材などを、粗面化された基板表面上に形成せざるを得ず、マークの視認性の低下、スイッチング素子の動作不良、シール不良などを引き起こすという問題点がある。
【０００６】
また、反射層の表面凹凸形状が規則的に形成されてしまい、反射光に干渉が生じて表示画像が着色してしまうという問題もある。理想的には反射層の表面を不規則な表面凹凸を有する粗面に形成すればよいが、このような粗面状態を形成するために表面の粗面状態を精密に制御することはきわめて困難であった。
【０００７】
上記の問題点を解決するための方法として、基板表面の一部にのみエッチングや化学的研摩を行って不規則な凹凸を有する粗面を形成する方法が考えられる。しかし、このように基板表面に対して部分的な化学的加工を施した場合、粗面化された表面領域（以下、単に「粗面領域」という。）が、平坦な表面領域（以下、単に「平坦面領域」という。）に較べて凹んだ状態になるので、２枚の基板間にセルギャップを規制するためのスペーサを分散配置させるときには、スペーサが平坦面領域上に乗り上げたり、当該スペーサがシール材内に混入したりすることによって、液晶表示領域の周縁部分においてセルギャップが大きくなり、セルギャップの不均一性に起因する表示コントラスト等のばらつきが発生する可能性がある。
【０００８】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、従来の粗面化された反射面を備えた反射層を有する液晶装置において、粗面化された反射面に起因する光学的な不良及びセル構造上の不良の発生を低減することのできる新規のセル構造を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶装置は、２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置であって、一方の前記基板における他方の基板に対向する側に形成された反射層と、前記反射層上に形成された着色層と、前記着色層を保護するための保護層とを備え、一方の前記基板における他方の基板に対向する側には平担面領域と粗面領域とが形成されており、前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、前記粗面領域の全体は、一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成され、前記着色層および前記保護層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする。
本発明の液晶装置は、２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置であって、一方の前記基板における他方の基板に対向する側に形成された反射層と、前記反射層上に形成された絶縁層とを備え、一方の前記基板における他方の基板に対向する側には平担面領域と粗面領域とが形成されており、前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、前記粗面領域の全体は、一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成され、前記絶縁層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする
本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えたことを特徴とする。
本発明の液晶装置の製造方法は、２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法であって、一方の前記基板における他方の前記基板に対向する側に、粗面領域と平坦面領域とを、前記粗面領域が一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成する工程と、一方の前記基板における他方の基板に対向する側に反射層を形成する工程と、前記反射層上に着色層を形成する工程と、前記着色層を保護するための保護層を形成する工程と、２枚の前記基板を、シール材を介して貼り合わせる工程とを備え、前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、前記着色層および前記保護層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする。
本発明の液晶装置の製造方法は、２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法であって、一方の前記基板における他方の前記基板に対向する側に、粗面領域と平坦面領域とを、前記粗面領域が一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成する工程と、一方の前記基板における他方の基板に対向する側に反射層を形成する工程と、前記反射層上に絶縁層を形成する工程と、２枚の前記基板を、シール材を介して貼り合わせる工程とを備え、前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、前記絶縁層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする。
また、本発明の上記液晶装置の製造方法において、前記粗面領域及び前記平坦面領域を形成するために、一方の前記基板の表面の一部をマスクで覆った状態で、露出した表面を粗面化する粗面化処理工程と、前記粗面化処理工程の後、前記マスクを除去する工程と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明は特に、一方の前記基板上の前記粗面領域上において選択的に形成された表面構造部分の厚さ、及び、該粗面領域に対向する他方の前記基板の領域上において選択的に形成された表面構造部分の厚さの総和が、前記粗面領域の基準面高さと前記平担面領域の表面高さとの間の段差量と同等に若しくはそれよりも大きく構成されていることを特徴とする。
【００１１】
ここで、「粗面領域上において選択的に形成された」とは、平坦面領域上には実質的に形成されていないことを言い、また、「粗面領域に対向する他方の基板の領域上において選択的に形成された」とは、平坦面領域に対向する領域上には実質的に形成されていないことを言う。
【００１２】
本発明によれば、粗面領域の基準面高さが平坦面領域の表面高さよりも低くなっているにも拘わらず、一方の基板の粗面領域上において選択的に形成された表面構造部分の厚さと、粗面領域に対向する他方の基板の領域上に選択的に形成された表面構造部分の厚さとの和が粗面領域と平坦面領域の段差量と同等に若しくはそれよりも大きくなっているので、反射層を備えた粗面領域上の基板間隔を、平坦面領域上の基板間隔と同等か、或いはそれよりも小さくすることができる。したがって、２枚の基板の間隔をスペーサ等の規制手段によって規制する場合には、粗面領域上における基板間隔を規制手段によって確実に規制できるので、粗面化された反射層を備えた光学的機能部分を高精度に形成することができる。この場合、粗面領域の基準面高さと平坦面領域の表面高さの段差量をある程度自由に設定できるので、粗面領域の好適な粗面状態を、大きな制約を受けずに容易に形成できる。
【００１３】
なお、上記発明において、一方の基板の粗面領域上において選択的に形成された表面構造部分の厚さと、粗面領域に対向する他方の基板の領域上に選択的に形成された表面構造部分の厚さとの和が粗面領域と平坦面領域の間の段差量よりも大きくなっていることが望ましい。
【００１４】
また、本発明の別の液晶装置は、一方の前記基板上には所定の表面構造が形成され、該表面構造を含めた基板の表面高さは、前記粗面領域上において前記平担面領域上と同等に若しくはそれよりも高く形成されていることを特徴とする。なお、この場合においても、表面構造を含めた基板の表面高さが、前記粗面領域上において前記平担面領域上よりも高く形成されていることが望ましい。
【００１５】
さらに、本発明の別の液晶装置は、前記反射層の上に着色層及び保護層が順次積層され、又は、前記反射層の上に絶縁層が形成され、前記反射層、前記着色層及び前記保護層の厚さの総和、又は、前記反射層及び前記絶縁層の厚さの総和が、前記粗面領域の基準面高さと前記平担面領域の表面高さとの間の段差量と同等に若しくはそれよりも大きくなるように構成されていることを特徴とする。なお、この場合においても、上記各層の厚さの総和が前記粗面領域の基準面高さと前記平担面領域の表面高さとの間の段差量よりも大きく形成されていることが望ましい。
【００１６】
本発明において、２枚の前記基板がシール材を介して貼り合わされてなり、前記シール材の内側には基板間隔を規制するための規制手段が配置され、該規制手段の規制寸法は前記シール材の厚さ以下であることが好ましい。規制手段の規制寸法がシール材の厚さ以下であるので、規制手段が平坦面領域上に配置されたりシール材内に配置されてしまっても、規制手段の規制寸法によってシール材の厚さが受ける影響を低減できるので、基板間隔のばらつきを低減することができる。
【００１７】
本発明において、前記シール材には、その厚さを規制する別の規制手段が設けられていることが好ましい。別の規制手段によってシール材の厚さを規制することによって液晶装置全体の基板間隔をより高精度に且つ均等に構成できる。ここで、シール材の内側に配置される規制手段の規制寸法は、シール材に設けられた別の規制手段の規制寸法以下である。
【００１８】
なお、上記規制手段及び別の規制手段としては、規制寸法を決定する外径を備えた球状若しくは円柱状のスペーサがある。
【００１９】
また、本発明の別の液晶装置は、２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置であって、一方の前記基板における他方の基板に対向する表面上に粗面領域と平担面領域とが形成され、前記粗面領域の基準面高さが前記平担面領域の表面高さよりも低くなるように形成され、前記粗面領域上には反射層が形成され、前記平担面領域上に前記シール材が配置され、前記シール材の厚さが、前記粗面領域上における液晶層の厚さと同等に若しくはそれよりも大きくなるように構成されていることを特徴とする。なお、この場合においても、シール材の厚さが、粗面領域上における液晶層の厚さよりも大きいことが望ましい。
【００２０】
この発明においても、前記シール材の内側には基板間隔を規制するための規制手段が配置され、該規制手段の規制寸法は前記シール材の厚さ以下であることが好ましい。また、この場合、前記シール材には、その厚さを規制する別の規制手段が設けられていることが好ましい。
【００２１】
本発明の電子機器は、上記のいずれかの液晶装置を、好ましくは表示手段として、備えたものである。特に、反射層を備えた消費電力の低い反射型若しくは半透過型の液晶装置を構成できることから、携帯型情報端末、携帯電話、ページャー、携帯時計（腕時計や懐中時計など）などの携帯型電子機器であることが好ましい。
【００２２】
次に、本発明の液晶装置の製造方法は、２枚の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、一方の前記基板における他方の前記基板に対向する表面上に、粗面領域と平担面領域とを、前記粗面領域の基準面高さが前記平担面領域の表面高さより低くなるように形成し、一方の前記基板の前記粗面領域上において選択的に形成された表面構造部分の厚さ、及び、他方の前記基板における前記粗面領域に対応する領域上において選択的に形成された表面構造部分の厚さの総和が、前記粗面領域の基準面高さと前記平担面領域の表面高さとの間の段差量と同等に若しくはそれよりも大きくなるように構成し、２枚の前記基板を、前記平担面領域上に配置された前記シール材を介して相互に貼り合わせることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の液晶装置の製造方法は、２枚の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、一方の前記基板における他方の前記基板に対向する表面上に、粗面領域と平担面領域とを、前記粗面領域の基準面高さが前記平担面領域の表面高さより低くなるように形成し、一方の前記基板の前記粗面領域上及び他方の前記基板における前記粗面領域に対応する領域上にそれぞれ表面構造を形成し、２枚の前記基板を、前記平担面領域上に配置されたシール材を介して相互に貼り合わせ、前記シール材の厚さが、前記粗面領域上における液晶層の厚さよりも大きくなるように構成することを特徴とする。
【００２４】
本発明において、前記粗面領域及び前記平坦面領域を形成するために、一方の前記基板の表面の一部をマスクで覆った状態で、露出した表面を粗面化する粗面化処理工程を有し、その後、前記マスクを除去することが好ましい。
【００２５】
本発明において、前記粗面化処理工程の後に、粗面化された表面を別の方法でさらに処理し、前記粗面領域の表面凹凸形状を変更する工程を有することが好ましい。このようにすることによって、粗面領域の表面凹凸形状を、光学的に好ましい反射面の粗面状態を実現できる形状に近づけることができる。この場合に、粗面領域の表面凹凸形状を変更する工程を上記マスクを除去した状態で施すことによって、粗面領域の基準面高さと平坦面領域の表面高さとの間の段差量を低減することができる。
【００２６】
本発明において、２枚の前記基板の一方に基板間隔を規制するための規制手段を配置し、シール材を介して他方の前記基板を貼り合わせ、前記シール材が前記規制手段の規制寸法以上の厚さになるように構成することが好ましい。
【００２７】
本発明において、前記規制手段の規制寸法よりも大きな規制寸法を備えた別の規制手段を前記シール材に設け、当該別の規制手段の規制寸法によって前記シール材の厚さを規制した状態で２枚の前記基板を貼り合わせることが好ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る液晶装置及び電子機器の実施形態について詳細に説明する。
【００２９】
［第１実施形態］
図１は本発明に係る液晶装置の第１実施形態における反射基板の構造を模式的に示す概略断面図、図２は反射基板の製造方法の概略を示す工程説明図、図３は第１実施形態を構成する液晶表示パネルを模式的に示す概略断面図である。
【００３０】
この液晶表示パネル１００は、図３に示すように、ガラス等からなる反射基板１０と対向基板２０とをシール材３１を介して相互に貼り合わせ、このシール材３１の内側に液晶３０を封入してなるものである。図示例の液晶表示パネル１００はパッシブマトリクス方式の反射型カラー液晶パネルを構成した例を示すものである。
【００３１】
反射基板１０においては、図１に示すように、ガラス等からなる基板素材１１の表面上に粗面領域１１ａと平坦面領域１１ｂとを形成してなる。基板素材１１としては、例えば、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、バリウムホウ珪酸ガラス、バリウムアルミノ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス等を用いることができる。
【００３２】
粗面領域１１ａは基板表面を光学的に粗面化したものであり、平坦面領域１１ｂは粗面領域１１ａよりも平坦な表面を備えた領域である。粗面領域１１ａは全体として平坦面領域１１ｂに対して凹むように形成されている。すなわち、粗面領域１１ａの基準高さは、平坦面領域１１ｂの表面高さよりも段差量Δｄだけ低くなるように構成されている。粗面領域１１ａは微細な山部と谷部が複雑に入り組み、可視光に対して散乱効果を及ぼすように構成されている。
【００３３】
ここで、粗面領域１１ａの基準高さとは、粗面領域１１ａの表面凹凸を均して得た基準面の高さであり、例えば、山部の頂点の最高値から谷部の底点の最低値までの範囲の中央値、粗面領域１１ａの所定間隔毎の高さをサンプリングして得た高さデータの単純平均値などであり、種々の統計的な代表高さを有する仮想平面を基準面とすることができる。
【００３４】
粗面領域１１ａの面粗さは、以下の複数のパラメータを用いて把握することができる。
（１）最大高さＲｙ
この最大高さＲｙは、粗面領域１１ａにおける最も高い山部の頂上から同領域における最も深い谷部の底までの高低差を表す特徴量である。
（２）算術平均粗さＲａ
この算術平均粗さＲａは、所定の平均線（上記基準面の高さを示す仮想直線、以下同様。）から粗面領域１１ａの表面形状を表す測定凹凸線までの偏差の絶対値を合計し、平均した値である。
（３）十点平均粗さＲｚ
この十点平均粗さＲｚは、所定の平均線から見て、高い順に選択した５つの山部における頂上の高さの平均値と、深い順に選択した５つの谷部における底の深さの平均値との和である。
（４）平均波長Ｓｍ
この平均波長Ｓｍは、所定の平均線を中央値とする所定幅の不感帯を設定し、この不感帯を超える山部又は谷部の周期の平均波長を表す特徴量である。本実施形態においては、平均線を中心とし、最大高さＲｙの１％の幅を有する帯状の高さ領域を不感帯として設定した場合について、平均波長Ｓｍを規定した。
【００３５】
なお、上記の各特徴量については、ＪＩＳ（日本工業規格）Ｂ０６０１−１９９４、ＩＳＯ（International Organization for Standardization）４６８−１９８２、ＩＳＯ３２７４−１９７５、ＩＳＯ４２８７／１−１９８４、ＩＳＯ４２８７／２−１９８４、ＩＳＯ４２８８−１９８５に詳述されている。
【００３６】
本実施形態において、上記各特徴量の範囲を、最大高さＲｙが０．２〜３．０μｍ、算術平均粗さＲａが０．０２〜０．３μｍ、十点平均粗さＲｚが０．１〜２．５μｍ、平均波長Ｓｍが４．０〜６０．０μｍとすることが好ましい。
【００３７】
図１に示す反射基板１０は、粗面領域１１ａの表面上に、アルミニウムや銀等の単体金属、或いは、アルミニウム、銀またはクロム等を主成分とする合金などを素材とし、これらの素材を蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成された反射層１２を備えている。この反射層１２の表面、すなわち反射面は、粗面領域１１ａの表面凹凸形状を反映した粗面となる。
【００３８】
また、この反射層１２の表面上には、顔料や染料等を混合した樹脂を印刷法等によって塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてなる着色層１３が所定の画素領域毎に形成される。着色層１３は、一般に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）のいずれかに着色された樹脂材料が所定のパターンに配列されたものである。これらの着色層１３の上には、アクリル樹脂等からなる透明な保護層１４が形成される。保護層１４は、着色層１３を保護するとともに着色層１３間の段差を平坦化するためのものである。
【００３９】
図３に示すように、保護層１４の表面上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる帯状の透明電極１５が複数並列されたパターンにてストライプ状に形成される。そして、これらの透明電極１５上にはポリイミドやポリビニルアルコール等からなる配向膜１６が形成される。
【００４０】
本実施形態においては、図１に示すように、保護層１４の表面高さが基板素材１１の平坦面領域１１ｂの表面高さよりも高低差Δｔだけ高くなるように構成されている。この高低差Δｔは、反射層１２、着色層１３及び保護層１４の厚さの総和を上記段差量Δｄよりも大きくすることによって確保される。ここで、高低差Δｔは０以上であればよいが、実用上は液晶表示パネルのセルギャップ（液晶層の厚さに相当する。）より小さい範囲内にとどめることが好ましい。
【００４１】
図２は、上記反射基板１０の製造工程の一例を模式的に示すものである。この製造工程においては、図２（ａ）に示すように、基板素材１１の表面の一部に印刷法やフォトリソグラフィ法等によって基板表面の一部のみを被覆する所定パターンのマスク１７をレジストで形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、マスク１７を形成した基板素材１１の表面を所定のエッチング液によってエッチングし、マスク１７によって被覆されていない露出した表面に粗面１１ｃを形成する。粗面１１ｃは、エッチング液と基板素材１１との化学的相対関係によって所定の表面粗さに形成される。
【００４２】
次に、図２（ｃ）に示すように、上記マスク１７をアルカリ水溶液等によって除去する。さらにその後、図２（ｄ）に示すように、エッチング能を有する研磨液を用いて基板素材１１の全面に化学研磨（ケミカルポリッシュ）を施す。この工程におけるエッチングによって、粗面１１ｃは異なる表面粗さを有する粗面領域１１ａとなり、この粗面領域１１ａ以外の表面部分は平坦面領域１１ｂとなる。また、この工程により粗面領域１１ａの深さは上記粗面１１ｃよりもさらに深くなり、上記の段差量Δｄが得られる。
ここで、図２（ｂ）に示す粗面１１ｃを形成するための最初の粗面化工程と、この工程とは異なる方法又は条件で実施される図２（ｄ）に示す第２の粗面化工程とを順次施すことによって、粗面領域１１ａの粗面状態を所望の粗面状態、すなわち可視光に対して散乱能を有する表面粗さを備えるとともに、干渉等に起因する着色を防止することのできる不規則な表面凹凸形状を備えるものとすることができる。 最初の粗面化工程としては、上記の湿式エッチングの代わりにドライエッチング法や、サンドブラスト、スクライブ加工等の砥粒加工法などを用いてもよい。この場合、マスクは基板表面上に被着されたレジストその他の樹脂材に限らず、基板表面上に貼着された単層樹脂フィルムやラミネートフィルム、或いは、基板素材から離反した遮蔽板であってもよい。また、第２の粗面化工程としては、ケミカルポリッシングの代わりに単なる湿式エッチングを用いてもよい。さらに、上記のように最初の粗面化工程の後にマスク１７を除去して第２の粗面化工程を実施する代わりに、マスク１７を残したまま第２の粗面化工程を実施してもよい。以上の各ステップの具体例の内容は後に詳述する。
【００４３】
次に、図２（ｅ）に示すように、上記の反射層１２及び着色層１３を順次形成する。これらの反射層１２及び着色層１３は、通常、光の反射特性及び着色特性によって予め定められた厚さ範囲内になるように形成される。これは、反射層１２については、薄すぎると十分な光反射率を得ることができず、逆に、厚すぎると粗面領域１１ａの表面粗さを充分に反映した反射面の粗面状態を得ることができなくなるからである。また、着色層１３については、薄すぎると所定の色相を得ることができなくなり、逆に、厚すぎると所定の明度を確保することができなくなるからである。
【００４４】
次に、図２（ｆ）に示すように、透明な保護層１４を形成する。この保護層１４は上述のように着色層１３の保護と平坦性を得るために形成されるものであるが、本実施形態の場合にはさらに、その表面高さを平坦面領域１１ｂの表面高さよりも高くするために、換言すれば、反射層１２、着色層１３及び保護層１４の厚さの合計を上記段差量Δｄよりも大きくするために、適宜に厚さが調整された状態に形成される。
【００４５】
最後に、図１に示すように、保護層１４の上にスパッタリング法等により透明導電体を被着し、これをフォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることによりストライプ状の透明電極１５が形成される。そして、その上にさらに樹脂を塗布し、その後、焼成して樹脂を硬化させてから、例えばラビング処理を行うことによって液晶の初期配向状態を規定するための配向膜１６が形成される。
【００４６】
図３には液晶表示パネル１００の構造を示す。この液晶表示パネル１００は、上記のように形成された反射基板１０と、対向基板２０とをシール材３１を介して貼り合わせ、その内側に液晶３０を注入して構成される。
【００４７】
対向基板２０は、基板素材１１と同様のガラス等からなる基板素材２１と、この基板素材２１の反射基板１０に対向する表面上にＩＴＯ等の透明導電体で形成された透明電極２２と、上記配向膜１６と同様に形成された、透明電極２２を被覆する配向膜２３とからなる。
【００４８】
反射基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるシール材３１は、反射基板１０の平坦面領域１１ｂ上に配置されている。シール材３１の内部には球状若しくは円柱状の樹脂材からなる、同じ外径を備えた複数のスペーサ３２が混入され、これらのスペーサ３２の外径によって平坦面領域１１ｂ上における反射基板１０と対向基板２０との間隔が規制される。
【００４９】
一方、シール材３１の内側には、液晶３０とともに球状若しくは円柱状のスペーサ３３が複数配置されている。これらのスペーサ３３は、その外径によって粗面領域１１ａ上における反射基板１０と対向基板２０との間隔を規制するものである。スペーサ３３の外径はスペーサ３２の外径よりも小さく形成されており、これに対応して、平坦面領域１１ｂ上における反射基板１０と対向基板２０との間隔ＴＳは、粗面領域１１ａ上における反射基板１０と対向基板２０の間隔（すなわち液晶３０の厚さ）ＴＬよりも大きくなっている。
【００５０】
より具体的に説明すると、スペーサ３２の外径は上記間隔ＴＳと等しく、スペーサ３３の外径は上記間隔ＴＬと等しい。そして、間隔ＴＳと間隔ＴＬとの差は上記高低差Δｔにほぼ等しくなっている。このように、スペーサ３２と３３の外径差と高低差Δｔとを対応させることによって、セル構造の厚さ寸法に関する整合性を確保することができる。
【００５１】
ここで、本実施形態とは異なり、間隔ＴＬが間隔ＴＳよりも大きい場合について考えてみる。この場合においては、セル構造の厚さ寸法に関する整合性を確保するためにはスペーサ３３の外径をスペーサ３２の外径よりも大きくする必要がある。この場合、スペーサ３３が粗面領域１１ａ上に限定的に配置されていれば問題はないが、スペーサ３３が平坦面領域１１ｂ上に配置されてしまったり、シール材３１内に混入してしまったりすると、外径の大きなスペーサ３３が誤って配置されてしまった部位において間隔ＴＳが大きくなってしまう。その結果、セルギャップが当該部位の近傍において大きくなり、セルギャップの不均一性を招くことになる。
【００５２】
しかしながら、本実施形態では、スペーサ３３の外径がスペーサ３２の外径よりも小さいので、上記のように間隔ＴＳが大きくなることはなく、シール材３１の形成部位に近い液晶表示領域の周縁部においてセルギャップが不均一になることを防止できる。
【００５３】
実際には、図３に示すように、反射基板１０の粗面領域１１ａ上において保護層１４の表面上には透明電極１５及び配向膜１６が存在し、対向基板２０において基板素材２１の表面上には透明電極２２及び配向膜２３が存在する。一方、反射基板１０の平坦面領域１１ｂ上には透明電極１５又はこの透明電極１５とともに形成されたダミー電極１５’が存在している。したがって、基板素材１１，２１が基本的に平板であるとすれば、間隔ＴＳと間隔ＴＬとの差は、上記高低差Δｔに配向膜１６、透明電極２２及び配向膜２３の厚さの合計を加えたものになり、したがって、スペーサ３２とスペーサ３３の外径差もまた高低差Δｔに配向膜１６、透明電極２２及び配向膜２３の厚さの合計を加えた値にすればよい。
【００５４】
ただし、透明電極２２の厚さは数ミクロン程度の間隔ＴＬに較べて０．０５μｍ程度ときわめて小さく、また、配向膜１６，２３の厚さは透明電極２２と同様に０．０５μｍ程度ときわめて小さい上に、比較的柔らかいためにスペーサ３３によって押しつぶされることから実質的にはさらに薄くなる。したがって、本実施形態の場合、スペーサ３２の外径とスペーサ３３の外径との差を高低差Δｔと等しくしても、実質的にはセルギャップの不均一性等の問題を生ずることがない。
【００５５】
対向基板２０の外面上には、位相差板３４及び偏光板３５が順に配置されている。ここで、位相差板３４及び偏光板３５はその順に対向基板２０の基板素材２１の外面上に貼着されることが好ましい。
【００５６】
上記実施形態における各部材の厚さとしては、例えば、基板素材１１，２１が０．３〜１．２ｍｍ、段差量Δｄが１．３〜１．５μｍ、反射層１２の厚さが０．１〜０．３μｍ、着色層１３の厚さが１．０〜１．２μｍ、保護層１４の厚さが１．８〜２．２μｍ、透明電極１５の厚さが０．１３〜０．１７μｍ、配向膜１６、透明電極２２及び配向膜２３の厚さがいずれも０．０４〜０．０６μｍ程度である。また、このときの間隔ＴＳ（スペーサ３２の外径）は５．５〜５．９μｍ、間隔ＴＬ（スペーサ３３の外径）は３．５５〜３．９５μｍである。
【００５７】
このような厚さ条件においては、上記粗面領域１１ａの粗面状態は、最大高さＲｙが約１μｍ以下、算術平均粗さＲａが約０．１μｍ、平均波長Ｓｍが約１０〜２０μｍであることが好ましく、特に平均波長Ｓｍは１２〜１３μｍであることが望ましい。
【００５８】
上記実施形態の液晶表示パネル１００を多数個取りの大判パネルを分割して製造する場合における複数の反射基板１０に相当する大判基板１０Ｍの平面構造を図６に示す。また、この大判基板１０Ｍを用いた製造工程の概略を図９に示す。
【００５９】
多数個取りの製造工程において形成される反射基板１０Ｍにおいては、大判の基板素材に上記の加工が施されることにより、その表面上に複数の粗面領域１１ａが形成され、これらの粗面領域１１ａの周囲を平坦面領域１１ｂが取り囲むように構成される。次に、基板素材の粗面領域１１ａ上にそれぞれ上記の反射層１２、着色層１３、保護層１４、透明電極１５及び配向膜１６からなる表面構造が形成される。
【００６０】
また、平坦面領域１１ｂには、製造工程において用いられるアライメントマーク１８，１９や工程管理用のマークなどが形成される。これらのマークが平坦面領域１１ｂに形成されることにより、マークの視認性を向上させることができ、基板の位置決めや識別を容易に行うことができる。上記の各マークは、基板素材の表面上に上記の表面構造のいずれかの層を形成するのと同時に同材質にて形成されることが好ましい。例えば、上記マークは反射層や透明電極と同時に同材質にて形成される。
【００６１】
次に、図９に示すように、上記表面構造の最上部の配向膜にラビング処理を施す。その後、上記スペーサ３２を混入したシール材３１が、大判基板１０Ｍの平坦面領域１１ｂ上に、粗面領域１１ａを取り囲むように印刷法（例えばフレキソ印刷）によって形成される。ここで、液晶注入口３１ａは液晶を注入するための開口部である。
【００６２】
その後、反射基板１０の表面上に上記のスペーサ３３を散布し、スペーサ３３が粗面領域１１ａの表面構造上に平均的に分散配置されるようにする。ここで、スペーサ３３はスペーサ３２よりも外径が小さいので、スペーサ３３を図示しないスペーサ散布装置により大判基板１０Ｍ上に均一に分散させたとき、スペーサ３３が平坦面領域１１ｂ上やシール材３１上に散布されても、上述のように、スペーサ３３による基板貼り合わせの不具合、すなわちスペーサ３３によってシール材３１の厚さＴＳ（図３参照）がスペーサ３２の外径よりも大きくなる事態は生じない。
【００６３】
一方、複数の上記対向基板２０を含む対向側大判基板が用意され、その基板素材の表面上に上記の透明電極２２及び配向膜２３からなる表面構造が形成される。そして、その対向側大判基板を、上記の大判基板１０Ｍの表面に対して、表面構造の形成された表面を対向させるようにして重ね合わせ、シール材３１を介して貼り合わせる。これによって大判パネルが形成される。
【００６４】
図６に示す大判基板１０Ｍが上記の対向側大判基板と貼り合わせられて形成された大判パネルは、図示一点鎖線で示す分割線１０Ｔに沿って例えばスクライブブレイク法等により短冊状に分割（１次ブレーク）され、上記液晶注入口３１ａが露出される。そして、露出した液晶注入口３１ａから液晶の注入を行う。その後、液晶注入口３１ａは紫外線硬化型の樹脂等によって封鎖された後、図６に示す分割線１０Ｌに沿って再度分割され、図３に示す液晶表示パネル１００の形状が得られる。
【００６５】
本実施形態においては、反射基板１０の粗面領域１１ａが平坦面領域１１ｂよりも段差量Δｄだけ低く形成されているが、反射層１２、着色層１３及び保護層１４の厚さをΔｄよりも大きくすることによって、粗面領域１１ａ上の液晶３０の厚さである間隔ＴＬがシール材３１の厚さである間隔ＴＳよりも小さくなるように構成している。したがって、スペーサ３３の外径をシール材３１の厚さ或いは間隔ＴＳよりも小さくすることができ、その結果、スペーサ３３の散布時において平坦面領域１１ｂ上にシール材３１の形成部位にスペーサ３３が配置されたり、シール材３１上に乗り上げたりしたときにおいても、反射基板１０と対向基板２０との間隔がシール材３１の形成部位の近傍で大きくなることがない。よって、液晶表示パネルのセルギャップの均一性を向上させることができる。
【００６６】
［第２実施形態］
次に、図４を参照して本発明に係る液晶装置の第２実施形態について説明する。この実施形態の液晶表示パネル２００は、上記第１実施形態の液晶表示パネル１００とほぼ同様の構造を有するものであるが、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）型の２端子非線形素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式のモノクロ液晶パネルを構成した例を示すものである。ここで、図４において、図３に示される第１実施形態の液晶表示パネル１００と同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
【００６７】
反射基板１０には、上記と同様の粗面領域１１ａ及び平坦面領域１１ｂが形成され、粗面領域１１ａの表面上には上記と同様の反射層１２が形成され、その上に絶縁層４４が形成されている。絶縁層４４はＳｉＯ₂やＴｉＯ₂等の無機硬質皮膜又はアクリル樹脂であることが好ましい。絶縁層４４は１．５〜２．５μｍ程度の厚さに形成され、この厚さは、粗面領域１１ａの基準面の平坦面領域１１ｂの表面位置からの深さを示す段差量Δｄ（例えば１．３〜１．５μｍ）を上回るので、絶縁層４４の表面高さは平坦面領域１１ｂの表面よりも高い位置に形成される。
【００６８】
一方、この実施形態の対向基板２０においては、基板素材２１の表面上にＴａ等からなる走査線（配線）４５が透明電極１５と直交する方向に複数本並列形成されている。各走査線４５は、ＭＩＭ素子その他の２端子非線形素子等からなるスイッチング素子４６を介して、画素毎にＩＴＯ等の透明導電体により形成された対向電極４７に接続されている。ここで、スイッチング素子４５は、例えば金属Ｔａからなる走査線の一部と、陽極酸化等によって形成されたＴａ₂Ｏ₅からなる絶縁膜と、ＣｒやＩＴＯ等の導電体とのＭＩＭ接合構造によって構成される。
【００６９】
この実施形態においても、第１実施形態と同様に絶縁層４４の表面が平坦面領域１１ｂの表面高さよりも高く形成されていることにより、粗面領域１１ａ上における液晶３０の厚さである間隔ＴＬよりも平坦面領域１１ｂ上におけるシール材３１の厚さである間隔ＴＳの方が大きく形成されているので、スペーサ３３が平坦面領域１１ａ上やシール材３１上に散布されても、間隔ＴＳが影響を受けることがなく、支障なく液晶表示パネルを構成することができる。
【００７０】
なお、上記構造において、反射基板１０の表面構造を第１実施形態と同様のカラーフィルタを有する構造としてもよい。また、本実施形態では２端子非線形素子であるＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いているが、例えば３端子非線形素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）その他の適宜のスイッチング素子を用いても構わない。さらに上記構造において、対向基板２０の表面構造を第１実施形態と同様のストライプ状の透明電極を有するパッシブマトリクス方式の構造としてもよい。
【００７１】
［第３実施形態］
次に、図５を参照して本発明に係る液晶装置の第３実施形態について説明する。この第３実施形態の液晶表示パネル３００は、第１実施形態の液晶表示パネル１００と同様のパッシブマトリクス方式のモノクロ液晶パネルであるが、半透過型のパネル構造を有し、パネル背後にバックライト５０が配置された状態で用いられるものである。
【００７２】
本実施形態の反射基板１０においては、粗面領域１１ａの表面上に形成された反射層４２に、画素領域（透明電極１５と透明電極２２とが交差する領域）毎にスリット（開口）４２ａが形成されている。反射層４２の上には、第２実施形態の絶縁層４４と同材質の絶縁層４９が形成されている。ここで、絶縁層４９は第２実施形態の絶縁層４４よりも薄く、その結果、反射層４２と絶縁層４９の厚さの和は段差量Δｄよりもやや小さくなっている。
【００７３】
一方、対向基板２０においては、先の実施形態と同様の透明電極２２の表面上に上記絶縁層４４と同材質の絶縁層４８が形成され、この絶縁層４８の上に先の実施形態と同様の配向膜２３が形成されている。または、絶縁層４８の上に透明電極２２、更に配向膜２３を形成してもよい。絶縁層４８は、反射層４２、絶縁層４７及び絶縁層４８の厚さの合計が段差量Δｄよりも大きくなるように、予め設定された厚さに形成される。
【００７４】
本実施形態では、バックライト５０において、ＬＥＤ（発光ダイオード）等の光源５１から放出された光が反射板５２によって導光板５３の端面に集められ、導光板５３に導入された後、導光板５３の光変調構造によって、導光板５３の前面からほぼ均一に出射される。この光は反射層４２のスリット４２ａを通過して液晶中を通り、対向基板２０を経て前方へ進む。したがって、本実施形態の液晶表示パネルは通常の反射型パネルと同様に外光で表示を視認できるとともに、暗所ではバックライトの光で表示を見ることができる。
【００７５】
本実施形態では、粗面領域１１ａ上に形成された反射層４２及び絶縁層４９の厚さの合計は段差量Δｄよりも小さくなっているが、反射層４２及び絶縁層４９にさらに対向基板２０に形成された絶縁層４８を加えた厚さの合計が段差量Δｄよりも大きくなるように構成されているので、粗面領域１１ａ上の液晶３０の厚さに相当する反射基板１０と対向基板２０との間隔ＴＬは、平坦面領域１１ｂ上の反射基板１０と対向基板２０の間隔ＴＳよりも小さくなっており、同様に、スペーサ３３の外径がスペーサ３２の外径よりも間隔ＴＳと間隔ＴＬとの差の分だけ小さくなっている。したがって、先の実施形態と同様に、スペーサ３２が平坦面領域１１ｂ上に配置されてもセルギャップには影響しない。
【００７６】
なお、この第３実施形態において、反射基板１０の絶縁層の代わりに第１実施形態と同様の着色層及び保護層からなるカラーフィルタを形成してもよい。また、本実施形態において、第２実施形態と同様のスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式のパネル構造としてもよい。
【００７７】
［反射基板の加工方法］
次に、図７を参照して上記各実施形態に用いることのできる反射基板の加工方法の一例について説明する。この例は、基板素材としてアルミノ珪酸ガラスを用いた場合を示すものである。
【００７８】
図７（ａ）は基板素材１１０の拡大した断面構造を模式的に示す。基板素材１１０は、網目状に構成された第１構成材１１１と、この第１構成材１１１の網目部分を埋めるように存在する第２構成材１１２とを有する。ここで、第１構成材１１１は、例えば珪酸と酸化アルミニウムとの共重合体によって構成され、第２構成材１１２は、例えば酸化マグネシウム等によって構成される。
【００７９】
まず、上記の基板素材１１０の表面に、洗浄を兼ねたエッチングが施される。具体的には、基板素材１１０を、例えば２５℃の５ｗｔ％程度のフッ化水素酸水溶液に５秒間浸漬する。
【００８０】
次に、図７（ｂ）に示すように、所定のマスク材１７０を基板素材１１０の表面上の所定位置に形成する。マスク材１７０は、上記のようにフォトレジストその他の各種樹脂、フィルム材等によって構成される。そして、３０ｗｔ％のフッ化水素酸水溶液の酸化アルミニウム及び酸化マグネシウムの過飽和溶液を温度２５℃とし、この溶液中に基板素材１１０を３０秒程度浸漬する。
【００８１】
この処理によって、上記の網目状の第１構成材１１１のうちの酸化アルミニウムが局在する部分に過飽和溶液中の酸化アルミニウムが析出するとともに、第２構成材１１２のうちの酸化マグネシウムが局在する部分に過飽和溶液中の酸化マグネシウムが析出する。これらの酸化アルミニウム及び酸化マグネシウムによって、図７（ｃ）に示すようなネットワーク構造１１３が形成される。
【００８２】
一方、処理液中において過飽和となっていない成分、すなわち上記酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム以外の成分、によって形成されている基板素材１１０の部分が、処理液中のフッ化水素酸によって侵食される。そしてこの結果、基板素材１１０の上記ネットワーク構造１１３が形成された部分以外の部位に谷部１１４が形成される。
【００８３】
なお、以上のように行われるエッチング処理を以下、単に第１の粗面化工程という。この工程により、例えば、基板素材１１０表面からの深さが約０．５μｍ、算術平均粗さＲａが約０．０４μｍ、平均波長Ｓｍが約３μｍの粗面が形成される。この第１の粗面化工程においては、上記方法の代わりに、上記マスク材１７０や金属マスク等を用いて微細な研磨粉を吹き付け、これらの研磨粉によって基板素材１１０の表面を粗面化してもよい。研磨粉の粒度や材質或いは吹き付け圧は、上記のように所望の表面粗さ状態が得られるように適宜に選定される。
【００８４】
続いて、図７（ｄ）に示すように、マスク材１７０が除去される。マスク材１７０の除去はマスク材の材質によって適宜に行われ、例えばフォトレジストに対してはアルカリ水溶液によって容易に除去することができる。
【００８５】
次に、上記のようにマスク材１７０が除去された基板素材１１０の表面全体に対して湿式エッチングが施される。例えば、５０ｗｔ％のフッ化水素酸と、４０ｗｔ％のフッ化アンモニウム水溶液とが重量比１：３で混合された溶液が用意され、これを２５℃としたものに基板素材１１０を２０秒程度浸漬する。このような処理によって、上記ネットワーク構造１１３が除去されるとともに、上記谷部１１４間に形成された微細な突起部が均され、より滑らかな山部と谷部とが不規則に配列された粗面領域１１０ａが形成される。一方、上記マスク１７０によって被覆されていた部分が平坦面領域１１０ｂとなる。 この工程によって、深さ１．３〜１．５μｍ、算術平均粗さＲａが０．０７〜０．１μｍ、平均波長Ｓｍが１０〜１５μｍの粗面が形成される。
【００８６】
なお、この処理を以下、単に第２の粗面化処理という。この第２の粗面化処理においては、上記溶液を処理液としたポリッシング装置を用いたケミカルポリッシング（化学的研磨）を行ってもよい。このようにすると、マスク１７０を除去した表面部位、すなわち平坦面領域１１ｂの平坦性（平滑性）を保ったまま、良好な粗面領域１１ａを形成することが可能になる。
【００８７】
上記の第１の粗面化処理と、第２の粗面化処理とを相互に異なる方法及び条件（例えば、マスク１７０の有無、エッチング液の成分の相違などを有する態様）で行うことによって、上述のように適度な表面粗さ（最大粗さＲｙ、算術平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ、平均波長Ｓｍ）を備えた粗面領域１１ａを形成することができる。特に、第１の粗面化処理において、不規則なネットワーク構造１１３及びこれに整合した谷部１１４を形成するとともに、第２の粗面化処理において基板素材１１０全体のエッチングを行うことにより、当該ネットワーク構造１１３を除去するとともに谷部１１４に基づく凹凸構造を滑らかにしているので、全体として適度な凹凸高さや凹凸周期を備えた粗面によって可視光を適度に散乱させることができるとともに、不規則な凹凸構造によって液晶表示パネルの表示画像の着色を防止することができる。
【００８８】
この方法によれば、第１の粗面化処理においてのみマスク１７０を形成した状態で処理を行い、マスク１７０を除去してから第２の粗面化処理を施すようにしているので、所望の表面粗さ状態を得るために必要な、粗面領域１１０ａの基準面と平坦面領域１１０ｂの表面との間の段差量Δｄを低減することができる。この段差量Δｄの最適範囲としては１．０〜２．０μｍであることが好ましく、特に１．３〜１．５μｍであることが望ましい。ここで、段差量Δｄが上記範囲を下回ると、粗面領域１１ａの表面粗さ状態を良好に形成することが困難になり、反射面の粗面状態の不良により、表示画像の着色或いは背景や照明の映りこみによって視認性が低下する。また、段差量Δｄが上記範囲を上回ると、反射基板の表面構造を厚く形成しなければならなくなるので、生産効率が悪化する。
【００８９】
次に、上記とは異なる別の反射基板の加工方法の例について図８を参照して説明する。この方法においては、基板素材３１０としてソーダライムガラスを用いた場合を例示する。
【００９０】
基板素材３１０は、図８（ａ）に示すように、上記と同様に網目状の第１構造材３１１と、第１構造材３１１の網目間を埋めるように存在する第２構造材３１２とを有する。ここで、基板素材３１０においては、第１構造材３１１が珪酸で構成されている一方、第２構造材３１２がアルカリ金属やアルカリ土類金属によって構成されている。
【００９１】
まず、上記の基板素材３１０の表面に対して洗浄を兼ねたエッチングが施される。具体的には、基板素材３１０が２５℃の５ｗｔ％フッ化水素酸水溶液に５秒程度浸漬される。次に、図８（ｂ）に示すように、基板素材３１０の表面上に図７に示す例と同様のマスク材３７０を形成する。
【００９２】
次に、フッ化水素酸が３０ｗｔ％、水素二フッ化アンモニウムが４５ｗｔ％含まれる処理液中に、基板素材３１０を２５℃で１５秒間浸漬する。この処理液においては、図８（ｃ）に示すように、第１構造材３１１を溶解させる速度よりも第２構造材３１２を溶解させる速度の方が速い。その結果、上記の処理液に浸漬させることによって、最終的に基板素材３１０の表面には、図８（ｄ）に示すように、第１構造材３１１に対応した山部と第２構造材３１２に対応した谷部とを備えた凹凸構造が所定の表面粗さ状態になるように形成される。
【００９３】
［電子機器］
最後に、上記液晶表示パネルを備えた電子機器の実施形態について説明する。図１０は、上記各実施形態の液晶表示パネルを内蔵する電子機器の一例である携帯型情報端末５００を示すものである。この情報端末５００は、マイクロプロセッサユニット、記憶ユニット、通信ユニットを内蔵した本体部５１０と、この本体部５１０に対して回動可能に取り付けられた表示部５２０とから構成されている。本体部５１０には、各種の入出力端子と、キーボードとが設けられている。また、表示部５２０には、上記各実施形態で説明した液晶表示パネル１００（或いは２００，３００）が内蔵される。液晶表示パネル１００の表示面には、本体部５１０からの映像信号に応じた適宜の画像が表示される。
【００９４】
本発明は任意の電子機器に適用できるものであるが、特に、上記のような情報端末の他に、携帯電話、ページャー、腕時計、電卓などの各種の携帯型電子機器、可搬型電子機器に上記液晶表示パネルを用いることが好ましい。
【００９５】
尚、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００９６】
例えば、上記反射基板の段差量Δｄを解消してセルギャップよりもシール材を厚くするための構造（上記カラーフィルタや絶縁層に相当する表面構造部分）は上記の構造に限らず、液晶装置の動作に支障を与えない範囲で適宜の組成、構造及び寸法に構成することができる。
【００９７】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、基板表面に形成した粗面領域上の基板間隔を平坦面領域上の基板間隔と同等に、若しくはそれよりも小さくすることができるので、液晶装置の反射層上における基板間隔の均一性を容易に得ることができる。また、粗面領域と平坦面領域との高低差をより自由に形成できるので、好ましい粗面領域の粗面状態をより容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の第１実施形態における反射基板の構造を示す縦断面図である。
【図２】第１実施形態における反射基板の製造方法を概略を示す工程説明図（ａ）〜（ｆ）である。
【図３】第１実施形態の液晶表示パネル１００の構造を示す縦断面図である。
【図４】本発明に係る液晶装置の第２実施形態である液晶表示パネル２００の構造を示す縦断面図である。
【図５】本発明に係る液晶装置の第３実施形態の液晶表示パネル３００の構造を示す縦断面図である。
【図６】本発明に係る液晶表示パネルを多数個取り方式で製造する場合の大判基板の平面構造を模式的に示す概略平面図である。
【図７】本発明に係る液晶表示パネルにおける反射基板の加工方法を示す工程説明図（ａ）〜（ｅ）である。
【図８】本発明に係る液晶表示パネルにおける反射基板の別の加工方法を示す工程説明図（ａ）〜（ｅ）である。
【図９】本発明に係る多数個取り方式の製造方法の概略の工程手順を示す概略フローチャートである。
【図１０】本発明に係る液晶装置を内蔵した電子機器の一例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１０ 反射基板
１１ 基板素材
１２ 反射層
１３ 着色層
１４ 保護層
１５ 透明電極
１６ 配向膜
２０ 対向基板
２１ 基板素材
２２ 透明電極
２３ 配向膜
４４，４８，４９ 絶縁層

Claims (6)

1. ２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置であって、
   一方の前記基板における他方の基板に対向する側に形成された反射層と、
   前記反射層上に形成された着色層と、
   前記着色層を保護するための保護層とを備え、
   一方の前記基板における他方の基板に対向する側には平担面領域と粗面領域とが形成されており、
   前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、
   前記粗面領域の全体は、一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成され、
   前記着色層および前記保護層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする液晶装置。
2. ２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置であって、
   一方の前記基板における他方の基板に対向する側に形成された反射層と、
   前記反射層上に形成された絶縁層とを備え、
   一方の前記基板における他方の基板に対向する側には平担面領域と粗面領域とが形成されており、
   前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、
   前記粗面領域の全体は、一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成され、
   前記絶縁層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は２に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
4. ２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法であって、
   一方の前記基板における他方の前記基板に対向する側に、粗面領域と平坦面領域とを、前記粗面領域が一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成する工程と、
   一方の前記基板における他方の基板に対向する側に反射層を形成する工程と、
   前記反射層上に着色層を形成する工程と、
   前記着色層を保護するための保護層を形成する工程と、
   ２枚の前記基板を、シール材を介して貼り合わせる工程とを備え、
   前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、前記着色層および前記保護層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする液晶装置の製造方法。
5. ２枚の基板をシール材を介して貼り合わせ、該シール材の内側に液晶を配置してなる液晶装置の製造方法であって、
   一方の前記基板における他方の前記基板に対向する側に、粗面領域と平坦面領域とを、前記粗面領域が一方の前記基板において前記平坦面領域に対して凹むようにエッチングにより形成する工程と、
   一方の前記基板における他方の基板に対向する側に反射層を形成する工程と、
   前記反射層上に絶縁層を形成する工程と、
   ２枚の前記基板を、シール材を介して貼り合わせる工程とを備え、
   前記平坦面領域には、前記シール材が配置され、その厚さを規制するスペーサが設けられ、前記絶縁層は、前記粗面領域内のみに形成されてなることを特徴とする液晶装置の製造方法。
6. 請求項４又は５において、前記粗面領域及び前記平坦面領域を形成するために、一方の前記基板の表面の一部をマスクで覆った状態で、露出した表面を粗面化する粗面化処理工程と、前記粗面化処理工程の後、前記マスクを除去する工程と、を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。

Images