JP3743186B2 - 発光ダイオード - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、発光ダイオードは、順方向に電流を流すとチップの発光部(pn接合部の近傍)から光を放射し、この電流を増加させると光出力が増加する。ただし、順方向の電流を増加させても光出力が際限なく増加するわけではなく、光出力はある電流値で最大になり、それ以上電流を増加させても以後は光出力が減少する。また、一般に市販されている発光ダイオードの定格最大電流は、光出力を最大とする電流値よりも小さく設定されており、発光ダイオードの光出力に関する性能を十分に引き出しているとは言えない。
【0003】
定格最大電流が光出力を最大とする電流値よりも小さく設定されているのは、定格最大電流が発光部の温度によって制限されるからである。すなわち、順方向電流が増加するにつれて発光部の温度が上昇するから、仮に、定格最大電流以上の順方向電流を流し続けたとすると、発光部の温度が上昇して発光部が急速に劣化し、結果的に寿命特性、特に光束寿命特性が十分に満足されなくなる。そこで、発光ダイオードのメーカーは、光出力よりも寿命特性を優先させ、発光部が所定温度以下に保たれるように定格最大電流を定めているのである。
【0004】
逆に言うと、発光部の温度を十分に低減させることができれば、定格最大電流を大きくすることができるので、寿命特性を維持しながらも光出力がより大きい高輝度の発光ダイオードが得られる。
【0005】
そこで、例えば実開平2−52465号公報に記載されているように放熱部を設けた発光ダイオードが提案されている。上記公報に記載された発光ダイオードは、図14に示すように、発光部を形成するチップ5が透明樹脂のモールド部1で覆われ、モールド部1の内部でリード端子2,3の一端部がチップ5に電気的に接続されるとともに、リード端子2,3の他端部がモールド部1の外部に引き出されている。さらに、各リード端子2,3においてモールド部1の外部に露出している部位には、それぞれリード端子2,3の一部の幅を他の部位よりも広幅に形成することにより表面積を大きくした放熱部2a,3aが形成されている。
【0006】
このような放熱部2a,3aを設けることによって、チップ5から発生しリード端子2,3に伝達される熱は放熱部2a,3aを通して放熱されるから、チップ5の温度上昇が抑制されることになり、定格最大電流を引き上げることが可能になる。その結果、寿命特性を維持しつつ光出力を大きくすることが可能になると考えられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図14に示す構成の発光ダイオードであっても、光出力を最大にするような順方向電流を流したときの寿命特性は十分ではない。これは、発光部から発生する熱によりモールド部1は経時的に黄変し、モールド部1の透過率が減少して光出力が低下することに起因している。また、モールド部1の黄変部分は通電時間の経過とともに広がりかつ濃くなるから、通電時間が長くなれば光出力は一層低下することになる。
【0008】
ここで、図14に示す構成の発光ダイオードでは、リード端子3にチップ5が取り付けられ、かつチップ5とリード端子2とが金ワイヤ6を介して接続されている。金ワイヤ6はチップ5から放射される光を妨げないように断面積の小さいものが用いられているから、チップ5で発生した熱はリード端子2には伝達されにくいが、リード端子3にはチップ5が取り付けられているからチップ5で発生した熱が伝達されやすく、モールド部1のうちリード端子3の近傍部位では他の部位よりも黄変しやすくなる。
【0009】
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、チップの発熱によって生じるモールド部の黄変による光出力の低下を防止し、寿命特性を改善した高輝度の発光ダイオードを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出するリード端子と、一端部がモールド部の中に埋入され他端部がリード端子と離隔してモールド部の後面に延設される側面から外部に引き出された複数枚の放熱板とを備えるものである。この構成によれば、モールド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部に放熱するので、モールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変による光出力の低下を防止することができ、結果的に通電電流を増加させて従来構成よりも高輝度で点灯させることが可能になる。
【0011】
請求項2の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出する複数のリード端子と、一端部がモールド部の内部で各リード端子にそれぞれ一体に結合され他端部がリード端子と離隔してモールド部の後面に延設される側面から外部に引き出された複数枚の放熱板とを備えるものである。この構成によれば、リード端子に一体に結合された放熱板を備え、各放熱板の一端部がモールド部の内部に位置し他端部がモールド部の外部に引き出されていることによって、モールド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部に放熱することができるので、モールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変による光出力の低下を防止することができ、寿命特性を改善することができる。しかも、チップで生じた熱はリード端子を通して放熱板に伝達されるから、チップの温度上昇をさらに低減することができ、寿命特性を維持しながらもチップへの通電電流を大きくして光出力の一層の高出力化が可能になる。
【0012】
請求項3の発明は、請求項2の発明において、上記放熱板の一部を覆う絶縁材料よりなる絶縁膜を設けたものである。この構成では、請求項2の発明と同様の作用を奏するとともに、他の電子部品を近接して配置しても絶縁膜によって放熱板との絶縁を保ちやすく、他の電子部品と誤って接触することによる電気事故の発生を防止することができる。
【0013】
請求項4の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出するリード端子と、チップよりも後方に位置し一端部がモールド部の内部に埋入され他端部がリード端子と離隔してモールド部の外周に沿う形状に形成された放熱板とを備えるものである。この構成によれば、放熱板がモールド部の外周に沿う形状に形成されているので、放熱板の放熱性能をほとんど損なわずに放熱板を含む全体の占有スペースが比較的小さくなり、他の電子部品を近接して配置する際に他の電子部品との間隔を小さくすることが可能になる。
【0014】
請求項5の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆う合成樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の外部に引き出された複数枚の放熱板とを備え、一つのチップに電気的に接続された2枚の放熱板のうちの一方には雄連結部が形成され他方には雄連結部に嵌合可能な雌連結部が形成されているものである。この構成によれば、モールド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部に放熱するので、モールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変による光出力の低下を防止し寿命特性を改善することができる。しかも、チップで生じた熱は放熱板に伝達されるから、チップの温度上昇をより低減することができ、寿命特性を維持しながらもチップへの通電電流を大きくして光出力を高出力化することが可能になる。加えて、放熱板には互いに嵌合可能となる雄連結部と雌連結部とがそれぞれ形成されているので、複数個の発光ダイオードの雄連結部と雌連結部とを互いに嵌合させることによって、複数個の発光ダイオードを機械的に結合すると同時に電気的に接続することが可能になり、複数個の発光ダイオードをアレイ状に接続するのが容易になる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0016】
(実施形態1)
本実施形態の発光ダイオードは、図1に示すように、透明樹脂を砲弾形に成形したモールド部1に2枚の放熱板7の一端部を埋入したものである。モールド部1は発光部を形成する半導体のチップ5を覆っており、チップ5はアルミニウムのような導電性の高い材料により形成したリード端子2,3に電気的に接続される。リード端子2,3はリードフレームにより形成される。
【0017】
チップ5は、半導体のpn接合により電気エネルギーを光エネルギーに変換する素子であって、図1(b)における下面側がn形半導体、上面側がp形半導体になっている。図示する構成ではp形半導体側から光出力を取り出すから図1(b)の上方を前方とする。このチップ5の下面はリード端子3の前端部に取り付けられたミラー4に対してダイボンドによって接合され、チップ5の上面には金ワイヤ6がワイヤボンディングにより接続され、この金ワイヤ6を介してチップ5とリード端子2とが電気的に接続される。金ワイヤ6はチップ5から放射される光を妨げないように断面積の小さいものが用いられる。
【0018】
ミラー4はチップ5の側面および後面から放射された光を前方に反射する機能を有し、チップ5から前方に放射された光およびミラー4により前方に反射された光は、半球状に形成されレンズとして機能するモールド部1の前端部を通してモールド部1から前方に放射される。モールド部1は、ミラー4、金ワイヤ6、リード端子2,3の一部とともに、チップ5を覆っており、チップ5が大気中の水分などと反応することによる特性の劣化が防止されている。各リード端子2,3の後端部はそれぞれモールド部1の後面から外部に突出する。
【0019】
ところで、上述したように、モールド部1の後部両側面には短冊状に形成された放熱板7の長手方向の一端部が埋入され、放熱板7の長手方向の他端部はモールド部1から外部に突出している。また、放熱板7の幅方向は前後方向にほぼ一致する。しかして、チップ5への通電による発熱に伴ってモールド部1が加熱されるが、上述のように放熱板7の一端部がモールド部1に埋入されていることによって、モールド部1の熱は両放熱板7を通して放熱されることになる。その結果、放熱板7を設けていない場合に比較してモールド部1の温度を引き下げることができ、モールド部1の黄変を抑制することができる。すなわち、モールド部1の黄変による光出力の低下が防止され長寿命になる。また、モールド部1の黄変が抑制されるから、放熱板7を設けていない場合と同程度の寿命とするのであれば、チップ5への通電電流を大きくして発光輝度を高めることができる。
【0020】
(実施形態2)
本実施形態は、図2のように、実施形態1と同様の発光ダイオードにおいて、各放熱板9,10(実施形態1の放熱板7に相当する)のうちモールド部1に埋入されている部位を各リード端子2,3とそれぞれ一体化したものである。
【0021】
本実施形態の構成では、両放熱板9,10がそれぞれリード端子2,3と連続一体に結合されているから、放熱板9,10はモールド部1の熱を放熱するだけではなく、リード端子2,3から直接伝導した熱も効率よく放熱することができる。つまり、チップ5からミラー4や金ワイヤ6を通してリード端子2,3に伝導した熱が効率よく放熱されることになり、チップ5の温度上昇を抑制することができる。その結果、モールド部1の黄変が抑制されるだけではなく、チップ5の温度上昇による劣化も抑制され、実施形態1に比較して一層の長寿命化や高輝度化が可能になる。ここに、本実施形態の放熱板9,10はリード端子2,3と連続一体であるから、リードフレームを用いてリード端子2,3を作製する際に放熱板9,10も同時に作製することができ、しかもモールド部1に埋入する際にリード端子2,3と放熱板9,10とを一部品として扱うことが可能になって製造が容易になる。
【0022】
ところで、本実施形態の構成では、各放熱板9,10がそれぞれリード端子2,3と一体であるから、放熱板9,10はリード端子2,3に電気的に接続されていることになる。すなわち、チップ5への通電時には放熱板9,10には電圧が印加されるから、複数個の発光ダイオードを近接して配列すると、隣接する発光ダイオードの放熱板9,10が互いに接触し短絡などの電気事故が発生する可能性がある。
【0023】
そこで、隣接する発光ダイオードの放熱板9,10同士の電気的接触を防止する必要があるときには、図3のように、放熱板9,10におけるモールド部1からの露出部位のうち、放熱板9,10の厚み方向の一面と長手方向の一端部とを絶縁膜11,12で覆えばよい。絶縁膜11,12はモールド部1の成形時に同時に形成すればよく、この場合は絶縁膜11,12はモールド部1に連続し、かつ透明樹脂により形成される。なお、両放熱板9,10を厚み方向の一面側から見たときに、一方の絶縁膜11が放熱板9の背面側を覆うとすれば、他方の絶縁膜12は放熱板10の前面側を覆うように絶縁膜11,12を設けている。このような関係とすれば、隣接する発光ダイオードの放熱板9,10間に絶縁膜11,12を介在させることができ、放熱板9,10間の電気的接触を防止することができるとともに、放熱板9,10の片面が開放されていることにより放熱性も確保される。
【0024】
また、放熱板9,10を絶縁する際には、図4のように、放熱板9,10の全周を覆う形で絶縁膜13,14を設けてもよい。ただし、放熱板9,10の放熱性を確保するために、絶縁膜13,14には放熱板9,10の一部を露出させるように多数の通気孔13a,14aを形成しておく。この構成によっても、放熱板9,10の絶縁性と放熱性とを確保することが可能である。
【0025】
(実施形態3)
本実施形態は、図5に示すように、放熱板15,16(実施形態2における放熱板9,10に相当する)においてモールド部1から露出する部位をモールド部1の外周に沿うように曲成したものである。ここに、各放熱板15,16は実施形態2と同様にそれぞれリード端子2,3と連続一体に結合されている。また、各放熱板15,16は、互いに接触することがないように、モールド部1の周方向の長さがモールド部1の外周長の半分以下に設定されている。
【0026】
本実施形態の構成では、モールド部1からの放熱板15,16の突出寸法が実施形態2に比較して小さくなるから、放熱板15,16の占有スペースを小さくすることができ、複数個の発光ダイオードを並設する場合に実施形態2の構成よりも実装密度を高めることができる。
【0027】
また、放熱板15,16によりモールド部1を囲んでいるから、放熱板15,16が配置されている部位ではモールド部1から光出力を取り出すことができない。そこで、図5(b)に示すように、両放熱板15,16をチップ5よりも後方に位置させることによって、放熱板15,16による配光特性の変化を防止している。
【0028】
本実施形態においても実施形態2と同様に放熱板15,16がリード端子2,3と電気的に接続されているから、複数個の発光ダイオードを隣接して配置するときには互いに短絡することがないように絶縁する必要がある。そこで、図6に示すように、モールド部1の外周面における放熱板15,16の前後両側(図6の上下両側)にそれぞれ鍔状のスペーサ17を突設するのが望ましい。スペーサ17はモールド部1と連続一体に形成される。この構成によれば、隣接する発光ダイオードのスペーサ17同士が当接することによって、放熱板15,16同士は互いに接触することがなく、放熱板15,16間の絶縁性が確保される。
【0029】
(実施形態4)
以上説明した各実施形態ではモールド部1が砲弾形である発光ダイオードを示したが、本実施形態では図7のようにモールド部が直方体状である例を示す。本実施形態におけるモールド部は、非透光性の合成樹脂よりなるパッケージ19と、パッケージ19の前面中央部に埋め込まれた透明樹脂よりなる窓部18とを備える。本実施形態ではチップ5(図2参照)は窓部18に覆われる。
【0030】
実施形態2と同様に、本実施形態では放熱板22,23がチップ5に電気的に接続されているが、放熱板22,23がリード端子として兼用されており、モールド部からは放熱板22,23とは別のリード端子は突設されていない。この構成でも実施形態2とほぼ同様の放熱性能を得ることが可能である。
【0031】
ところで、本実施形態における各放熱板22,23は窓部18の表面に平行な断面がL字状であって、窓部18の表面の中心を通り窓部18の表面に直交する対称軸の回りに2回回転対称となるように配置されている。すなわち、図7のパッケージ19の右側面における放熱板22はパッケージ19の奥側から突出して手前側に延設され、パッケージ19の左側面における放熱板23はパッケージ19の手前側から突出して奥側に延設されている。各放熱板22,23においてパッケージ19の側面と対向する部位は、パッケージ19の側面との距離が放熱板22,23の厚み寸法にほぼ一致する。したがって、両放熱板22,23は互いに嵌合可能な雄連結部と雌連結部とを形成していることになる。ここに、本実施形態における発光ダイオードを複数個並設し、隣接する発光ダイオードの放熱板22,23同士を嵌合させると、パッケージ19の周面のうち放熱板22,23を設けていない面同士がほぼ同一平面上に並ぶように放熱板22,23の寸法が設定されている。
【0032】
上述の発光ダイオードは、プリント基板において回路パターンが形成されている面に半田を用いて表面実装される。また、複数個の発光ダイオードをアレイ状に配列する際には、放熱板22,23を互いに嵌合させた状態で、プリント基板に表面実装すればよい。このとき、隣接する各一対の発光ダイオードは放熱板22,23同士が嵌合することにより機械的に結合され位置決めが容易になる。また、発光ダイオード同士が電気的に接続されているから、電気的接続状態の信頼性の向上につながる。しかも、隣接する各一対の発光ダイオードの放熱板22,23が互いに嵌合することによって、両発光ダイオード間の距離が比較的小さくなり、面積当たりの実装密度を高めることができる。
【0033】
たとえば、プリント基板に表面実装される発光ダイオードとしては、図8に示すように、パッケージ19の両側部にリード端子20,21を備えるものがあるが、アレイ状に配列しようとすれば、個々の発光ダイオードをプリント基板に対して位置決めする必要になり、実装作業が本実施形態の構成に比較すると面倒である。また、隣接する各一対の発光ダイオードはリード端子20,21の突出寸法の合計分だけ離れることになり、本実施形態の構成に比較すると面積当たりの実装密度が低くなる。すなわち、アレイ状に配列する際には本実施形態の構成のほうが、実装作業および実装密度の点で優れている。
【0034】
放熱板の形状としては、図7に示したもののほか、図9のように、雄結合部となる一方の放熱板24をパッケージ19の側面中央付近から突設して窓部18の表面に平行な断面がT字状となるように形成し、雌結合部となる他方の放熱板25をパッケージ19の側面両端部から突設して放熱板24と嵌合可能となる形状に形成することもできる。ここに、各放熱板24,25と発光ダイオードの極性とを対応付けておけば、発光ダイオード同士は必ず直列接続されることになり、接続時における極性の誤りが防止される。
【0035】
また、図10に示すように、一方の放熱板26の先端部をパッケージ19の後方に折曲し、他方の放熱板27の先端部をパッケージ19の前方に折曲してもよい。
【0036】
あるいはまた、図11に示すように、放熱板28,29の一部をパッケージ19において嵌合に寄与しない面に延長した形とすれば、放熱板28,29の表面積が図7に示した構成よりも大きくなり、放熱性能が一層高くなる。
【0037】
(実施形態5)
本実施形態は、モールド部に複数個のチップを収納し、各チップごとに一対の放熱板を設けた例を示す。たとえば、図12のように実施形態4と同様の直方体状のパッケージ19を用いると、パッケージ19の側面は4面になるから各側面に放熱板を1枚ずつ設けるとすれば、4枚の放熱板を設けることができる。そこで、パッケージ19の各側面にそれぞれ放熱板22a,23a,22b,23bを突設し、2個のチップ5a,5bをパッケージ19に収納してある。また、パッケージ19の側面のうち互いに離れた側面に設けた各一対の放熱板22a,23a,22b,23bがそれぞれ各チップ5a,5bに対応する。各放熱板22a,23a,22b,23bは窓部18の表面に平行な断面がL字状であり、窓部18の中心を通る対称軸の回りで4回回転対称となるように配置されている。実施形態4と同様に、各放熱板22a,23a,22b,23bは互いに嵌合可能になっている。
【0038】
また、図13に示すように、六角柱状のパッケージ19を用いると、パッケージ19に6側面が形成できるから、各側面にそれぞれ放熱板22a,23a,22b,23b,22c,23cを設けると、6枚の放熱板22a,23a,22b,23b,22c,23cを設けることが可能であり、1つのパッケージ19に3個のチップ5a,5b,5cを設けることができる。放熱板22a,23a,22b,23b,22c,23cは窓部18の中心を通る対称軸の回りで6回回転対称となるように配置され、各放熱板22a,23a,22b,23b,22c,23cは互いに嵌合可能になっている。この構成では、たとえば発光色の異なる3色のチップ5a,5b,5cを用いると、可変色の発光ダイオードを実現できる。
【0039】
本実施形態の構成を採用すれば、1つのパッケージ19に複数個のチップを設けるとともに、各チップごとに別系統として発光させることが可能になり、複数系統の発光制御が可能になる。なお、本実施形態においても放熱板を図9や図10に示す形状に形成してもよい。
【0040】
【発明の効果】
請求項1の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出するリード端子と、一端部がモールド部の中に埋入され他端部がリード端子と離隔してモールド部の後面に延設される側面から外部に引き出された複数枚の放熱板とを備えるものであり、モールド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部に放熱するので、モールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変による光出力の低下を防止することができ、結果的に通電電流を増加させて従来構成よりも高輝度で点灯させることが可能になるという効果がある。
【0041】
請求項2の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出する複数のリード端子と、一端部がモールド部の内部で各リード端子にそれぞれ一体に結合され他端部がリード端子と離隔してモールド部の後面に延設される側面から外部に引き出された複数枚の放熱板とを備えるものであり、リード端子に一体に結合された放熱板を備え、各放熱板の一端部がモールド部の内部に位置し他端部がモールド部の外部に引き出されていることによって、モールド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部に放熱することができるので、モールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変による光出力の低下を防止することができ、寿命特性を改善することができるという効果がある。しかも、チップで生じた熱はリード端子を通して放熱板に伝達されるから、チップの温度上昇をさらに低減することができ、寿命特性を維持しながらもチップへの通電電流を大きくして光出力の一層の高出力化が可能になるという効果がある。
【0042】
請求項3の発明は、請求項2の発明において、放熱板の一部を覆う絶縁材料よりなる絶縁膜を設けたものであり、請求項2の発明と同様の効果を奏するとともに、他の電子部品を近接して配置しても絶縁膜によって放熱板との絶縁を保ちやすく、他の電子部品と誤って接触することによる電気事故の発生を防止することができるという効果がある。
【0043】
請求項4の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出するリード端子と、チップよりも後方に位置し一端部がモールド部の内部に埋入され他端部がリード端子と離隔してモールド部の外周に沿う形状に形成された放熱板とを備えるものであり、放熱板がモールド部の外周に沿う形状に形成されているので、放熱板の放熱性能をほとんど損なわずに放熱板を含む全体の占有スペースが比較的小さくなり、他の電子部品を近接して配置する際に他の電子部品との間隔を小さくすることが可能になるという効果がある。
【0044】
請求項5の発明は、発光部を形成するチップと、チップを覆う合成樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の外部に引き出された複数枚の放熱板とを備え、一つのチップに電気的に接続された2枚の放熱板のうちの一方には雄連結部が形成され他方には雄連結部に嵌合可能な雌連結部が形成されているものであり、モールド部の熱を複数枚の放熱板を通してモールド部の外部に放熱するので、モールド部の温度上昇を抑制してモールド部の黄変による光出力の低下を防止し寿命特性を改善することができるという効果がある。しかも、チップで生じた熱は放熱板に伝達されるから、チップの温度上昇をより低減することができ、寿命特性を維持しながらもチップへの通電電流を大きくして光出力を高出力化することが可能になるという効果がある。さらに、放熱板には互いに嵌合可能となる雄連結部と雌連結部とがそれぞれ形成されているので、複数個の発光ダイオードの雄連結部と雌連結部とを互いに嵌合させることによって、複数個の発光ダイオードを機械的に結合すると同時に電気的に接続することが可能になり、複数個の発光ダイオードをアレイ状に接続するのが容易になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1を示し、(a)は斜視図、(b)は断面図である。
【図2】本発明の実施形態2を示す断面図である。
【図3】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図4】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図5】本発明の実施形態3を示し、(a)は斜視図、(b)は断面図である。
【図6】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図7】本発明の実施形態4を示す斜視図である。
【図8】同上の比較例を示す斜視図である。
【図9】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図10】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図11】同上の他の構成例を示す斜視図である。
【図12】本発明の実施形態5を示し、(a)は斜視図、(b)は内部配線図である。
【図13】同上の他の構成例を示し、(a)は斜視図、(b)は内部配線図である。
【図14】従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 モールド部
2,3 リード端子
5 チップ
5a,5b,5c チップ
7 放熱板
9,10 放熱板
11,12 絶縁膜
13,14 絶縁膜
15,16 放熱板
18 窓部
19 パッケージ
22,23 放熱板
22a,22b,22c 放熱板
23a,23b,23c 放熱板
Claims (5)
- 発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出するリード端子と、一端部がモールド部の中に埋入され他端部がリード端子と離隔してモールド部の後面に延設される側面から外部に引き出された複数枚の放熱板とを備えて成ることを特徴とする発光ダイオード。
- 発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出する複数のリード端子と、一端部がモールド部の内部で各リード端子にそれぞれ一体に結合され他端部がリード端子と離隔してモールド部の後面に延設される側面から外部に引き出された複数枚の放熱板とを備えて成ることを特徴とする発光ダイオード。
- 上記放熱板の一部を覆う絶縁材料よりなる絶縁膜を設けたことを特徴とする請求項2記載の発光ダイオード。
- 発光部を形成するチップと、チップを覆いチップからの光を前端部を通して前方に放射する透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の後面から外部に露出するリード端子と、チップよりも後方に位置し一端部がモールド部の内部に埋入され他端部がリード端子と離隔してモールド部の外周に沿う形状に形成された放熱板とを備えることを特徴とする発光ダイオード。
- 発光部を形成するチップと、チップを覆う透明樹脂のモールド部と、モールド部の中で一端部がチップに電気的に接続され他端部がモールド部の外部に引き出された複数枚の放熱板とを備え、一つのチップに電気的に接続された2枚の放熱板のうちの一方には雄連結部が形成され他方には雄連結部に嵌合可能な雌連結部が形成されて成ることを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35614598A JP3743186B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35614598A JP3743186B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000183406A JP2000183406A (ja) | 2000-06-30 |
JP3743186B2 true JP3743186B2 (ja) | 2006-02-08 |
Family
ID=18447567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35614598A Expired - Fee Related JP3743186B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3743186B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002184911A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型電子部品 |
WO2004107461A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks |
JP2006253528A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Opto Device Kenkyusho:Kk | 反射型発光ダイオードユニットおよび発光ダイオード |
JP4542453B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-09-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR101142940B1 (ko) | 2005-06-22 | 2012-05-10 | 서울반도체 주식회사 | 방열핀이 형성된 발광소자 |
KR100679272B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-02-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
KR101258230B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 방열핀과 이를 이용한 발광소자 |
US7705365B2 (en) | 2006-01-24 | 2010-04-27 | Denso Corporation | Lighting device and light emitting module for the same |
WO2007126074A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Shimane Prefectural Government | 半導体発光モジュール、装置、およびその製造方法 |
KR100735432B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이 |
US9028087B2 (en) | 2006-09-30 | 2015-05-12 | Cree, Inc. | LED light fixture |
US7686469B2 (en) | 2006-09-30 | 2010-03-30 | Ruud Lighting, Inc. | LED lighting fixture |
US9243794B2 (en) | 2006-09-30 | 2016-01-26 | Cree, Inc. | LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink |
US7952262B2 (en) * | 2006-09-30 | 2011-05-31 | Ruud Lighting, Inc. | Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules |
US20090086491A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Ruud Lighting, Inc. | Aerodynamic LED Floodlight Fixture |
KR101346342B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2013-12-31 | 서울반도체 주식회사 | 낮은 열저항을 갖는 발광 다이오드 램프 |
KR100877877B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2009-01-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
DE102007041136A1 (de) | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Gehäuse |
JP5489630B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2014-05-14 | スタンレー電気株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
KR101028195B1 (ko) * | 2010-01-18 | 2011-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
JP2011146611A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Stanley Electric Co Ltd | 発光素子パッケージ、及びこれを用いた線状発光装置、面状発光装置 |
KR101662038B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2016-10-05 | 삼성전자 주식회사 | 칩 패키지 |
JP5414718B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2014-02-12 | スタンレー電気株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
KR102233038B1 (ko) | 2014-07-30 | 2021-03-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 광원 모듈 |
TWI532953B (zh) | 2015-08-27 | 2016-05-11 | Cooling stent structure and manufacturing method thereof | |
JP7004397B2 (ja) * | 2017-06-09 | 2022-01-21 | ローム株式会社 | 光学装置 |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP35614598A patent/JP3743186B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000183406A (ja) | 2000-06-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050912 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081125 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101125 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |