JP3741535B2 - 不揮発性記憶装置 - Google Patents

不揮発性記憶装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3741535B2
JP3741535B2 JP10614598A JP10614598A JP3741535B2 JP 3741535 B2 JP3741535 B2 JP 3741535B2 JP 10614598 A JP10614598 A JP 10614598A JP 10614598 A JP10614598 A JP 10614598A JP 3741535 B2 JP3741535 B2 JP 3741535B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sector
management information
data
replacement
storage unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10614598A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11306091A (ja
Inventor
猛 鈴木
国弘 片山
誠 小畠
茂雅 塩田
隆之 田村
謙三 松村
隆 菊池
一男 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Hitachi KE Systems Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
Hitachi KE Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp, Hitachi ULSI Systems Co Ltd, Hitachi KE Systems Ltd filed Critical Renesas Technology Corp
Priority to JP10614598A priority Critical patent/JP3741535B2/ja
Publication of JPH11306091A publication Critical patent/JPH11306091A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3741535B2 publication Critical patent/JP3741535B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気的に書込み消去可能な不揮発性半導体メモリへのデータ記憶方式さらには不揮発性メモリのセクタ管理方式に適用して有効な技術に関し、例えばブロック単位で一括してデータの消去が可能な複数個のフラッシュメモリチップを内蔵したメモリカードに利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、複数個のフラッシュメモリチップを内蔵したメモリカードにおいては、例えば528バイトのような単位を1セクタとしてデータを記憶することが行なわれている。また、フラッシュメモリはRAMなどの揮発性メモリに比べて書換え可能な回数が少ないため、一部の記憶素子に書換えが集中するなど書換え頻度にむらがあると、それだけ早くメモリチップの寿命が切れてしまうことになる。そこで、フラッシュメモリカードにおいては、記憶素子の書換え頻度を平均化させるため、セクタの置換えという操作が行なわれている。
【0003】
また、フラッシュメモリカードにおいては、一部のセクタが書込み不良であっても充分な記憶容量を補償するため、予備のセクタを設けて不良セクタと代替えすることも行なわれている。なお、上記のようなセクタの置換えや代替えを可能にするため、セクタにはデータ領域の他に管理情報を記憶する領域が設けられ、セクタへのデータの書込みの際にはこの管理情報を読み出してセクタの管理を行なうようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記メモリカードにあっては、メモリチップへのデータの書込み中に電源が遮断されると、書込み対象セクタのデータが破壊されてしまうので管理情報が消失して当該セクタは不良セクタであると判断されてしまう。しかも、書込み対象セクタに置換えが行なわれていると、当該セクタと対をなす他のセクタをアクセスしたときにも不良セクタと判断されてしまうことがある。その結果、カードのメモリ空間が不連続になり、実記憶容量が減少するという問題点がある。
【0005】
この発明の目的は、電源遮断等によりデータが破壊されたセクタの修復を可能にしてデータ破壊による実記憶容量の低下を防止することができるメモリカードのデータ管理技術を提供することにある。
【0006】
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添附図面から明らかになるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のとおりである。
【0008】
すなわち、データ記憶部と管理情報記憶部とを含むセクタ単位でデータを記憶するようにされた不揮発性記憶装置において、データの書込みの際に対象セクタの管理情報の読み取りを行なっても管理情報が得られない場合には全セクタの管理情報記憶部を参照して書込み対象セクタと対をなしそれぞれのデータ記憶部には対をなす他方のセクタのデータが記憶されるようにされた置換えセクタがあるか否か判定し、置換えセクタが存在したときは当該対象セクタの管理情報記憶部にその置換えセクタを指す情報を記憶するとともに、置換えセクタのデータ記憶部にデータの書込みを行なうようにしたものである。これによって、書込み中に電源が遮断される等によってデータが破壊された不良セクタを正常セクタに修復することができ、メモリ空間が不連続になるのを回避して実記憶容量の減少を防止することができる。
【0009】
また、データの書込みの際に当該セクタの管理情報の読み取りを行なっても管理情報が得られない場合には全セクタの管理情報を参照する前に所定の記憶領域を参照して不良セクタとして登録されているか判定し、不良セクタとして登録されている場合には代替えセクタにデータの書込みを行なうようにする。これによって、予備のセクタを持つ記憶装置において、不良セクタへのアクセスがあったときに効率良く代替えセクタへの書込みを行なうことができる。
【0010】
さらに、データの書込みの際に当該セクタの管理情報の読み取りを行なっても管理情報が得られない場合であって不良セクタとしても登録されていない場合に、全セクタの管理情報を参照して置換えセクタが存在しないときには、当該セクタを不良セクタとして登録しかつ代替えセクタを設定して当該代替えセクタにデータの書込みを行なうようにする。また、この場合、当該代替えセクタの管理情報記憶部がセクタ番号が入るセクタポインタ領域を有するときは、セクタポインタ領域に自分自身を指す情報(自己のセクタ番号)を書き込むようにする。これによって、置換えがなされていないセクタのデータが破壊されて不良セクタとなった場合にも全体の記憶容量を減少させることがない。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する。
【0012】
図1は、本発明を適用したフラッシュメモリカードの一実施例を示す。
【0013】
この実施例のメモリカードは、特に制限されないが、n個のフラッシュメモリチップFM1〜FMnと、外部とのインタフェースおよびバスの切換え、アドレス信号や制御信号に基づいて各メモリチップに対する選択信号の形成、ECCコードの生成、チェック等の機能を有するコントローラチップCONT、外部から供給されるコマンドに基づいてフラッシュメモリチップに対する書込み、読出し制御やメモリチップから読み出された管理情報等に基づいてセクタ番号の変更などを行なうマイクロプロセッサMPUと、マイクロプロセッサMPUの作業領域として使用されるDRAMなどからなる作業用メモリWMMとがプリント配線基板10上に搭載され、全体が樹脂等によりモールドされて構成される。
【0014】
上記コントローラチップCONTはゲートアレイで構成され、基板10上に形成されたアドレス&コントロールバス11およびデータバス12を介して上記フラッシュメモリチップFM1〜FMnおよび作業用メモリWMMに接続されるとともに、外部のパーソナルコンピュータ本体などのカードスロットに挿入される外部端子13に接続されている。また、上記作業用メモリWMMは、マイクロプロセッサMPUがフラッシュメモリのアクセスを行なう際に論理セクタ番号(論理アドレス)から実セクタ番号(物理アドレス)への変換を行なう際に参照されるアドレス変換テーブルやフラッシュメモリ内のセクタの管理を行なう際に参照される不良セクタテーブルを格納したり、書込みデータを保持したり書込みデータと管理情報とを合成したりするのに使用される。
【0015】
図2には、上記フラッシュメモリチップFL1〜FLn内に構成されるセクタの構成例と、作業用メモリWMM内に格納される不良セクタテーブルの一例とが示されている。特に制限されないが、各セクタは、図2(a)に示すように、512バイトのような記憶容量を有する本来のデータの記憶部DATAと、当該セクタの管理情報が記憶される16バイトのような管理情報記憶部MGDTとから構成され、管理情報記憶部MGDTは消去回数記憶領域、セクタの置換えの際に対になるセクタの番号が格納されるセクタポインタSP、データ記憶部内のデータのECCコードが記憶される第1のECCコード領域および当該管理情報記憶部MGDT内のデータのECCコードが記憶される第2のECCコード領域などを含んでいる。
【0016】
なお、この実施例のメモリカードにおいては、マイクロプロセッサMPUが各セクタの管理情報記憶部MGDT内の消去回数をチェックして所定回数に達したときに所定回数に満たない他のセクタを見つけてそのセクタと置換えを行なうように構成されている。セクタの置換えは、2つのセクタを対となし、図3(a)に示すように、それぞれのセクタのセクタポインタSPに互いに相手のセクタ番号を記憶するとともに、データ記憶部DATAには相手のセクタに記憶されるべきデータを記憶することにより行なわれる。また、セクタの置換えが行なわれていないセクタのセクタポインタSPには自分自身のセクタ番号が格納されるように構成されている。
【0017】
不良セクタテーブルは、この実施例では図2(b)に示すように、各セクタ番号n−1,n,n+1,n+2‥‥‥ごとに代替えセクタ番号(予備セクタの番号)を登録する欄を設けた構成にされており、代替えがなされていないセクタの欄にはオール“1”のデータ(16ビットのときはFFFF)が格納されるようにされている。従って、マイクロプロセッサMPUは、セクタ番号を用いてこの不良セクタテーブルを参照することにより、そのセクタが不良セクタか否か、また不良セクタのときは代替えセクタの番号を知ることができる。
【0018】
この作業用メモリWMM内に設けられる不良セクタテーブルは、システムの終了時にフラッシュメモリチップ内に保存し、システムの起動時にフラッシュメモリチップから読み出して作業用メモリWMM上におくようにすることができる。これによって、電源が遮断されても不良セクタの情報を保持できるとともに、システム起動中は動作速度の遅いフラッシュメモリをアクセスせずに動作速度の速いDRAMからなる作業メモリWMMをアクセスすればよいので、マイクロプロセッサによる高速な処理が可能になる。
【0019】
次に、本実施例のメモリカードに外部よりデータ書込みコマンドが入力されたときのマイクロプロセッサMPUによる処理手順を示す図4のフローチャートを用いて、正常時のセクタへのデータの書込み方法および電源遮断等によってデータが破壊されたセクタの修復方法を具体的に説明する。
【0020】
外部からメモリカードにライトコマンドが発行(入力)されると、マイクロプロセッサMPUは、作業用メモリWMM内のアドレス変換テーブルを参照して、コマンドとともに入力された論理セクタ番号をフラッシュメモリの実セクタ番号に変換する(手続きP2)。次に、この実セクタ番号を用いて当該セクタの管理情報の読み出しを行なって、管理情報が読み出せたか否か判定する(手続きP3)。ここで、管理情報が読み出せたときは、セクタポインタSPを見てセクタの置換えがあるか否か判定する(手続きP4)。セクタの置換えがあるか否かは、セクタポインタ内のセクタ番号が自己のセクタ番号と一致するか否かで判定することができる。すなわち、セクタ番号が一致しているとき置換えがなく、一致しないときは置換えがあると判定される。
【0021】
次に、置換えがあったときはセクタポインタの示す置換え先のセクタのデータ記憶部にライトデータを書き込む(手続きP5)。この書込みはまず当該セクタのデータをすべて消去してから行なう。そのため、マイクロプロセッサは書込みの前に置換え先のセクタから管理情報記憶部内の管理情報を読み出し、内蔵らMに保持しておく。そして、置換え先セクタのデータを消去し、読み出された管理情報内の消去回数等を更新してから、更新された管理情報とライトデータとを作業用メモリWMM上で合成して、フラッシュメモリチップへの書込みを行なう。
【0022】
一方、手続きP4で置換えなしと判定したときは、当該セクタのデータ記憶部へライトデータの書込みを行なう(手続きP6)。この際にも、当該セクタの管理情報を読み出しておいてデータを消去し、読み出された管理情報内の消去回数等を更新してから更新された管理情報とライトデータを当該セクタに書き込む。
【0023】
上記手続きP3でセクタから管理情報が読み出せなかったときは、当該セクタ番号が不良セクタテーブルに登録されているか調べる(手続きP7)。そして、当該セクタが不良セクタとして登録されているか判定する(手続きP8)。登録されていたときは、テーブル登録されている代替えセクタ番号を使って代替えセクタに対してライトデータの書込みを行なう(手続きP9)。この際にも、当該代替えセクタの管理情報を読み出しておいてデータを消去し、読み出された管理情報内の消去回数等を更新してから更新された管理情報とライトデータを当該セクタに書き込む。
【0024】
一方、手続きP8で、当該セクタが不良セクタとして登録されていいないと判定されたときは、すべてのセクタから管理情報の読出しを行なう(手続きP10)。そして、読み出された管理情報内のセクタポインタを調べて当該セクタを置換え先セクタとして記憶しているものがあるか否か判定する(手続きP11)。記憶しているセクタポインタを有するセクタがあったときはそのセクタのセクタ番号を当該セクタのセクタポインタに入れ、置換え先セクタのデータ記憶領域へライトデータの書込みを行なう(手続きP12)。この際にも、置換え先セクタの管理情報を読み出しておいてデータを消去し、読み出された管理情報内のセクタポインタ等を更新してから更新された管理情報とライトデータを当該セクタに書き込む。
【0025】
また、手続きP11で当該セクタの番号をセクタポインタに保持するセクタが見つからなかったときは、不良セクタとみなして予備セクタの中から未使用のものを1つ代替えセクタとして割り付け、その代替えセクタの番号を不良セクタテーブルの当該セクタの欄に登録してから、代替えセクタへライトデータを書き込む(手続きP13)。なお、この代替えセクタの管理情報内のセクタポインタには当該セクタの番号を入れる。つまり、とりあえず置換えのないセクタとしておく。
【0026】
以上の手順に従うと、例えば書込み中に電源が遮断されて図3(b)のように当該セクタ(図ではセクタj)のデータが消失したような場合でも、当該セクタと対をなす置換えセクタ(i)のセクタポインタには当該セクタのセクタ番号が残っており、これを手続きP10,P11で見つけることができ、見つかった置換えセクタの番号を当該セクタのセクタポインタに書き込むことにより、図3(c)のように、管理情報の消失したセクタを使用可能なセクタとして修復することができる。これによって、メモリ空間が不連続になるのを回避して実記憶容量の減少を防止することができる。
【0027】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば上記実施例においては、すべてのセクタついて不良セクタテーブル上に登録欄を設けているが、不良セクタのみの番号と代替えセクタとを登録するようにしてもよい。また、実施例ではコントローラチップとマイクロプロセッサとを別個に構成しているが、これらをCPUコアをマクロセルとして内蔵したゲートアレイもしくはASIC等により1つの半導体チップとして構成することも可能である。さらに、実施例では、論理セクタ番号から実セクタ番号への変換を作業用メモリWMM内のアドレス変換テーブルを用いて行なうと説明したが、マイクロプロセッサが演算によって行なうようにすることも可能である。
【0028】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるフラッシュメモリを内蔵したメモリカードに適用した場合について説明したが、この発明はそれに限定されるものでなく、EEPROMチップやRAMチップを内蔵したメモリカードあるいは複数のメモリチップを1枚のボード上に搭載してなるメモリモジュールなどにも利用することができる。
【0029】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【0030】
すなわち、この発明は、電源遮断等によりデータが破壊されたセクタの修復が可能になり、これによってデータ破壊によるメモリカードの実記憶容量の低下を防止することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用したフラッシュメモリカードの一実施例を示すブロック図である。
【図2】実施例のフラッシュメモリのセクタの構成例および不良セクタテーブルの構成例を示す説明図である。
【図3】セクタの置換えおよびデータ破壊されたセクタの修復の様子を示す説明図である。
【図4】実施例のメモリカードに外部よりデータ書込みコマンドが入力されたときのマイクロプロセッサMPUによる処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
10 プリント配線基板
11 アドレスバス
12 データバス
13 外部端子
MPU マイクロプロセッサ
CONT コントローラチップ
FM1〜FMn フラッシュメモリチップ

Claims (5)

  1. データ記憶部と管理情報記憶部とを含むセクタ単位でデータを記憶するようにされた不揮発性記憶装置において、データの書込みの際に対象セクタの管理情報の読み取りを行なっても管理情報が得られない場合には全セクタの管理情報記憶部を参照して書込み対象セクタと対をなしそれぞれのデータ記憶部には対をなす他方のセクタのデータが記憶されるようにされた置換えセクタがあるか否か判定し、置換えセクタが存在したときは当該対象セクタの管理情報記憶部にその置換えセクタを指す情報を記憶するとともに、置換えセクタのデータ記憶部にデータの書込みを行なうようにしたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
  2. データの書込みの際に当該セクタの管理情報の読み取りを行なっても管理情報が得られない場合には全セクタの管理情報を参照する前に所定の記憶領域を参照して不良セクタとして登録されているか判定し、不良セクタとして登録されている場合には代替えセクタにデータの書込みを行なうようにしたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
  3. データの書込みの際に当該セクタの管理情報の読み取りを行なっても管理情報が得られない場合であって不良セクタとしても登録されていない場合に、全セクタの管理情報を参照して置換えセクタが存在しないときには、当該セクタを不良セクタとして登録しかつ代替えセクタを設定して当該代替えセクタにデータの書込みを行なうようにしたことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。
  4. 上記セクタはデータ記憶部と管理情報記憶部とからなり、該管理情報記憶部に上記置換えセクタのセクタ番号が入るセクタポインタ領域が含まれていることを特徴とする請求項1、2または3に記載の不揮発性記憶装置。
  5. 置換えが行なわれていないセクタの管理情報記憶部内のセクタポインタ領域には自己のセクタ番号が格納されるようにされてなることを特徴する請求項1、2、3または4に記載の不揮発性記憶装置。
JP10614598A 1998-04-16 1998-04-16 不揮発性記憶装置 Expired - Fee Related JP3741535B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10614598A JP3741535B2 (ja) 1998-04-16 1998-04-16 不揮発性記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10614598A JP3741535B2 (ja) 1998-04-16 1998-04-16 不揮発性記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11306091A JPH11306091A (ja) 1999-11-05
JP3741535B2 true JP3741535B2 (ja) 2006-02-01

Family

ID=14426198

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10614598A Expired - Fee Related JP3741535B2 (ja) 1998-04-16 1998-04-16 不揮発性記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3741535B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4843222B2 (ja) 2005-01-11 2011-12-21 株式会社東芝 半導体記憶装置の制御方法、メモリカード、及びホスト機器

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11306091A (ja) 1999-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7330995B2 (en) Nonvolatile memory apparatus which prevents destruction of write data caused by power shutdown during a writing process
US6760255B2 (en) Flash EEPROM system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
US5742934A (en) Flash solid state disk card with selective use of an address conversion table depending on logical and physical sector numbers
US6388919B2 (en) Memory controller for flash memory system and method for writing data to flash memory device
KR100622349B1 (ko) 불량 블록 관리 기능을 가지는 플레시 메모리 장치 및플레시 메모리 장치의 불량 블록 관리 방법.
JP4129381B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR100595909B1 (ko) 저장장치 및 플래시 메모리 장치내 정보 액세스 방법 및 정보 저장 관리 방법
JP4058322B2 (ja) メモリカード
EP1228510B1 (en) Space management for managing high capacity nonvolatile memory
JP3695766B2 (ja) メモリの欠陥管理方法
KR100906519B1 (ko) 비-휘발성 메모리 시스템에서 사용불가능한 블록을관리하기 위한 방법 및 장치
US7680977B2 (en) Page and block management algorithm for NAND flash
US7818492B2 (en) Source and shadow wear-leveling method and apparatus
US20020178338A1 (en) Non-volatile data storage system and data storaging method
US6839798B1 (en) Flash memory capable of storing frequently rewritten data
US8074128B2 (en) Block management and replacement method, flash memory storage system and controller using the same
JP4158526B2 (ja) メモリカード及びメモリへのデータ書き込み方法
CN101425334B (zh) 一种实现nor flash坏块管理的方法及其控制电路
JP3981268B2 (ja) 不揮発性メモリ及びそのデータ更新方法
JP4661369B2 (ja) メモリコントローラ
JP3741535B2 (ja) 不揮発性記憶装置
JP4433792B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法
KR20070024249A (ko) 배드 블럭 정보가 기록된 난드 타입의 플래시 메모리
JP4177292B2 (ja) メモリンコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
JP2005316793A (ja) フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051020

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051108

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081118

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091118

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101118

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111118

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111118

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111118

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111118

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121118

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121118

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131118

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees