JP3739651B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理液中に複数の半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、基板をエッチング液等の薬液や純水中に順次浸漬させることにより薬液処理や洗浄処理を繰り返し、一連の基板処理を進行させている。一般に、このような基板処理を行う装置としては、薬液を貯留する薬液槽や純水を貯留する水洗槽からなる複数の処理槽を備え、それぞれの処理槽において薬液処理や洗浄処理を行う多槽式の装置と、一つの処理槽において薬液処理や洗浄処理を繰り返すワンバスタイプの装置とが使用されている。なお、本明細書ではフッ酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水等の薬液および純水を総称して「処理液」とする。
【0003】
ワンバスタイプの装置において、純水による洗浄処理の後薬液によるエッチング処理を行う際には、処理槽内に貯留されている純水中に処理液吐出ノズルから薬液を吐出し、処理槽内を徐々に純水から薬液に置換する。逆に、薬液によるエッチング処理の後純水による洗浄処理を行う際には、薬液中に処理液吐出ノズルから純水を吐出し、処理槽内を徐々に薬液から純水に置換する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
図8は、従来の基板処理装置における処理液吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。ここでは、純水による基板Wの洗浄処理が終了した後に、処理槽101中にフッ酸等の薬液を吐出する場合について説明する。
【0005】
純水による洗浄処理の終了時点では、処理槽101中に純水が貯留された状態となっており、その純水中に複数の基板Wがそれぞれの主面を鉛直方向に沿わせた状態(主面法線方向を水平方向に沿わせた状態)で相互に所定の間隔を隔てて並べられて浸漬されている。処理槽101の底部近傍には2本の処理液吐出ノズル110a,110bが相互に平行に配設されている。各処理液吐出ノズル110a,110bには等間隔にて複数の吐出孔が処理槽101の中央底部に向けて形成されている。また、各処理液吐出ノズル110a,110bは図外の送給配管に接続されており、その送給配管から送給された薬液は各処理液吐出ノズル110a,110bの吐出孔から処理槽101の中央底部に向けて吐出される。
【0006】
処理液吐出ノズル110aから吐出された薬液と処理液吐出ノズル110bから吐出された薬液とは、処理槽101の中央底部近傍において合流し、その合流した薬液の流れが上昇し、やがて処理槽101中を循環する。このようにして、処理槽101に貯留されていた純水が徐々に薬液に置換されることとなる。
【0007】
しかしながら、処理液吐出ノズル110aから吐出される薬液の流量と処理液吐出ノズル110bから吐出される薬液の流量とは必ずしも均一ではない。その結果、例えば処理液吐出ノズル110aからの流量の方が多い場合には、図8に示すように、合流した薬液の流れが処理液吐出ノズル110bの側に偏って上昇し、不均一な流れを形成する。このような不均一な流れが形成されると、薬液の流れが通過する領域においては急速に薬液に置換されて薬液濃度が短時間で上昇する一方で、同図中領域R8がいわゆるよどみ部分となり、薬液への置換が殆ど行われずに長時間にわたって薬液濃度が他の部分よりも低くなる。
【0008】
すなわち、処理液吐出ノズル110aから吐出される薬液の流量と処理液吐出ノズル110bから吐出される薬液の流量とが不均一であると、処理槽101内の薬液置換効率が低下することとなり、処理槽101全体としての薬液濃度が長時間にわたって不均一となり、その結果均一なエッチングを行うことができないという問題が生じるのである。
【0009】
また、上記とは逆に、基板Wの薬液処理が終了した後に、処理槽101中に純水を吐出する場合であっても、処理液吐出ノズル110aから吐出される純水の流量と処理液吐出ノズル110bから吐出される純水の流量とが不均一であると、図8の領域R8のよどみ部分においては長時間にわたって薬液濃度が低下せず、処理槽101内の純水置換効率が低下することとなり、水洗時間に長時間を要するという問題が生じる。
【0010】
さらに、基板Wの洗浄処理を行うと処理槽101内にパーティクルが漂うこととなるが、処理槽101内の処理液置換効率が低いことは、処理槽101内におけるパーティクルが完全には排出されにくいことを意味するため、パーティクル排出効率が低下するという問題も発生するのである。
【0011】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルと、前記第1処理液吐出ノズルに処理液を送給する第1送給配管に設けられ、前記第1送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第1流量調整手段と、前記第2処理液吐出ノズルに処理液を送給する第2送給配管に設けられ、前記第2送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第2流量調整手段と、前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を個別に制御して前記第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、を備え、前記吐出流量制御手段に、前記第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第1処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第2処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせることを繰り返すように前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を制御させている。
【0013】
また、請求項2の発明は、処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルと、前記第1処理液吐出ノズルに処理液を送給する第1送給配管に設けられ、前記第1送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第1流量調整手段と、前記第2処理液吐出ノズルに処理液を送給する第2送給配管に設けられ、前記第2送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第2流量調整手段と、前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を個別に制御して前記第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、を備え、前記吐出流量制御手段に、前記第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第1処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第2処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせた後、さらに前記所定時間の前記第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量と前記第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を制御させている。
【0017】
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明に係る基板処理装置において、前記第1送給配管および第2送給配管が合流した元配管に設けられ、前記元配管内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整手段をさらに備える。
【0019】
また、請求項4の発明は、処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する2本の処理液吐出ノズルと、前記2本の処理液吐出ノズルのそれぞれから吐出される処理液吐出流量を同一のパターンにて周期的に変化させる手段と、を備える。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0021】
<1.第1実施形態>
図1は、本発明に係る基板処理装置の一例を示す斜視図である。また、図2は、図1の基板処理装置の構成を示す図である。なお、図1にはZ軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を付している。第1実施形態の基板処理装置は、1つの処理槽において純水による洗浄処理とフッ酸等の薬液による薬液処理との双方を行ういわゆるワンバスタイプの基板処理装置である。
【0022】
この基板処理装置は、処理槽10の内部に2本の処理液吐出ノズル20a,20bを設けるとともに、それら処理液吐出ノズル20a,20bに処理液を送給する送給配管を接続して構成されている。そして、各処理液吐出ノズル20a,20bに接続された送給配管25a,25bには、それぞれを通過する処理液の流量を調整する流量調整バルブ30a,30bが設けられている。
【0023】
処理槽10は、断面5角形形状の長尺の槽である。処理槽10の内部には処理液を貯留することができる。そして、図示を省略するリフターが複数の基板Wをそれぞれの主面を鉛直方向に沿わせて相互に所定の間隔を隔てて積層した状態にて保持しつつ昇降することによって、それら複数の基板Wを処理槽10内の処理液中に浸漬したり、処理液から引き揚げたりすることができる。
【0024】
処理槽10の底部近傍には、それぞれが処理液を吐出する2本の処理液吐出ノズル20a,20bが配設されている。2本の処理液吐出ノズル20a,20bは、相互に平行に、かつ処理槽10内の対称位置に配設されている。ここで「対称位置」とは、処理槽10の回転対称性を有する断面の対称軸に関して対称な位置という意味である。より詳細に説明すると、図2に示すように、処理槽10をYZ平面で切断した断面は、対称軸S1のまわりに180°(π)回転させても不変であり、すなわち図2に示す断面は処理槽10の2回回転対称性を有する断面である。そしてその断面の対称軸S1に関して対称な位置が「対称位置」であり、2本の処理液吐出ノズル20a,20bはそのような位置に配設される。
【0025】
2本の処理液吐出ノズル20a,20bは、ともに円筒表面に複数の吐出孔がX方向に沿って1列に等間隔に形成されたものである。2本の処理液吐出ノズル20a,20bのそれぞれにおいて、吐出孔は処理槽10の底部中心に向けて形成されており、吐出孔と円筒中心軸とを結ぶ線が鉛直方向となす角度(α)は等しい。
【0026】
処理液吐出ノズル20a(第1処理液吐出ノズル)は処理槽10外部の送給配管25a(第1送給配管)と接続され、同様に処理液吐出ノズル20b(第2処理液吐出ノズル)は処理槽10外部の送給配管25b(第2送給配管)と接続されている。そして、送給配管25aと送給配管25bとが合流して元配管28を形成する。元配管28は、図外の純水供給源と接続されている。また、元配管28は、それぞれバルブ81,82,83,84を介して異なる4つの薬液供給源とも接続されている。4つの薬液供給源としては例えば、フッ酸、塩酸、アンモニア水および過酸化水素水の供給源とすれば良い。なお、薬液供給源の数は任意のものとすることができ、その種類についても上記のものに限定されるものでないことは勿論である。
【0027】
元配管28は純水供給源および薬液供給源に接続されているため、純水および薬液の双方を送給することができる。例えば、バルブ81,82,83,84の全てを閉鎖すれば、元配管28は純水を送給することができる。また、薬液供給源からのバルブ(図示省略)を閉鎖するとともに、バルブ81を開放すれば、元配管28は例えばフッ酸を送給することができる。
【0028】
さらに、元配管28には、薬液が流入する部分よりも下流側に総流量調整バルブ33および流量計34が設けられている。総流量調整バルブ33は、元配管28内を通過する処理液の流量を調整する。流量計34は、元配管28内を通過する処理液の流量を計測する。
【0029】
元配管28を通過した処理液は、送給配管25aおよび送給配管25bの双方に流入する。送給配管25aには、流量調整バルブ30aおよび流量計31aが設けられている。一方、送給配管25bには、流量調整バルブ30bおよび流量計31bが設けられている。流量調整バルブ30aは、送給配管25a内を通過する処理液の流量を調整する機能を有する。流量計31aは、送給配管25a内を通過する処理液の流量を計測する機能を有する。また、同様に、流量調整バルブ30bは、送給配管25b内を通過する処理液の流量を調整する機能を有する。流量計31bは、送給配管25b内を通過する処理液の流量を計測する機能を有する。
【0030】
流量調整バルブ30aおよび流量計31aはいずれもバルブ駆動部32aと電気的に接続されている。一方、流量調整バルブ30bおよび流量計31bはいずれもバルブ駆動部32bと電気的に接続されている。さらに、総流量調整バルブ33および流量計34はいずれもバルブ駆動部35と電気的に接続されている。そして、これらバルブ駆動部32a,32b,35は制御部40と電気的に接続されている。
【0031】
制御部40は、コンピュータを用いて構成されており、CPUやメモリ等を備えるとともに、所定の処理プログラムに基づいてバルブ駆動部32a,32b,35のそれぞれに指示を与える。バルブ駆動部32aは、送給配管25a内を通過する処理液の流量が制御部40から指示された流量となるように、流量調整バルブ30aを開閉駆動させる。より具体的には、流量計31aによって検出された送給配管25a内を通過する処理液の流量が制御部40から指示された流量よりも多い場合はバルブ駆動部32aが流量調整バルブ30aをより閉じるように駆動させ、少ない場合はバルブ駆動部32aが流量調整バルブ30aをより開くように駆動させる。
【0032】
同様に、バルブ駆動部32bは、送給配管25b内を通過する処理液の流量が制御部40から指示された流量となるように、流量調整バルブ30bを開閉駆動させる。すなわち、流量計31bによって検出された送給配管25b内を通過する処理液の流量が制御部40から指示された流量よりも多い場合はバルブ駆動部32bが流量調整バルブ30bをより閉じるように駆動させ、少ない場合はバルブ駆動部32bが流量調整バルブ30bをより開くように駆動させる。
【0033】
さらに、バルブ駆動部35は、元配管28内を通過する処理液の流量が制御部40から指示された流量となるように、総流量調整バルブ33を開閉駆動させる。すなわち、流量計34によって検出された元配管28内を通過する処理液の流量が制御部40から指示された流量よりも多い場合はバルブ駆動部35が総流量調整バルブ33をより閉じるように駆動させ、少ない場合はバルブ駆動部35が総流量調整バルブ33をより開くように駆動させる。
【0034】
上記構成を有する基板処理装置における一般的な基板処理内容の概要は、純水による洗浄処理と薬液による薬液処理とを交互に行うというものである。より詳細には、例えば処理槽10に純水を貯留しつつその純水中に複数の基板Wを浸漬することによって洗浄処理を行った後、処理液吐出ノズル20a,20bから薬液を吐出して処理槽10内を薬液に置換することによって薬液処理を行い、さらにその後再び処理液吐出ノズル20a,20bから純水を吐出して処理槽10内を純水に置換することによって洗浄処理を行うという工程を繰り返すのである。
【0035】
なお、第1実施形態においては、流量調整バルブ30aが第1流量調整手段に、流量調整バルブ30bが第2流量調整手段に、制御部40が吐出流量制御手段にそれぞれ相当する。
【0036】
以上のような構成とすることによって、処理液吐出ノズル20aおよび処理液吐出ノズル20bのそれぞれから処理槽10内に吐出する処理液の流量を任意に調整することができる。具体的には、制御部40からの指示に基づいてバルブ駆動部32aが流量調整バルブ30aを開閉動作させることにより、送給配管25a内を通過する処理液の流量を調整して、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量を任意に調整する。同様に、制御部40からの指示に基づいてバルブ駆動部32bが流量調整バルブ30bを開閉動作させることにより、送給配管25b内を通過する処理液の流量を調整して、処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量を任意に調整する。
【0037】
すなわち、吐出流量制御手段たる制御部40は、流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bを個別に制御して処理液吐出ノズル20aおよび処理液吐出ノズル20bのそれぞれからの処理液吐出流量を調整することができる。従って、元配管28から送給配管25aおよび送給配管25bのそれぞれに流入する処理液の流量が異なったとしても、それに関わらず処理液吐出ノズル20aおよび処理液吐出ノズル20bのそれぞれから処理槽10に吐出する処理液の流量を所定の値にすることができるのである。
【0038】
そして、第1実施形態においては、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とが等しくなるようにしている。制御部40は、送給配管25a内を通過する処理液の流量と送給配管25b内を通過する処理液の流量とが等しくなるように流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bを個別に制御し、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とが等しくなるようにしているのである。
【0039】
図3は、第1実施形態における処理液吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。各処理液吐出ノズル20a,20bの吐出孔から処理槽10の中央底部に向けて処理液が吐出される。処理液吐出ノズル20aから吐出された処理液と処理液吐出ノズル20bから吐出された処理液とは、処理槽10の中央底部近傍において合流し、その合流した薬液の流れがほぼ鉛直方向に沿って真上に上昇し、やがて処理槽10中を循環する。
【0040】
上述したように、2本の処理液吐出ノズル20a,20bは処理槽10内の対称位置に配設されている。そして、2本の処理液吐出ノズル20a,20bのそれぞれにおいて、その吐出孔と円筒中心軸とを結ぶ線が鉛直方向となす角度は等しい。従って、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とを等しくすれば、処理槽10内において対称な流れを形成させることができるのである。ここで「対称な流れ」とは、既述した「対称位置」と同じく、処理槽10の回転対称性を有する断面の対称軸S1に関して対称な流れを意味する。
【0041】
以上のように、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とを等しくして処理槽10内において対称な流れを形成すれば、処理槽10内の処理液の流れを均一にすることができ、その結果処理液置換効率を向上させることができる。従って、例えば、純水による洗浄処理の後、処理液吐出ノズル20a,20bから薬液を吐出したときには、処理槽10内の薬液置換効率が向上することとなり、処理槽10全体としての薬液濃度が短時間のうちに均一となり、その結果均一なエッチング等の薬液処理を行うことができるのである。
【0042】
図4は、第1実施形態の基板処理装置にてエッチング処理を行ったときの結果を示す図である。同図は、1枚の基板Wについてエッチング処理によって削られた程度の面内均一性を示している。均一性は以下の数1によって算出される。
【0043】
【数1】
【0044】
数1において、”MAX”はエッチング処理によって削られた最大量を、”MIN”はエッチング処理によって削られた最小量を、”AVE”は削られた平均量をそれぞれ示している。数1によって算出された均一性の値が大きいことは、エッチング処理によって削られた最大量と最小量との差が大きいことを示しており、不均一な薬液処理が行われたこととなる。つまり、均一性の値が小さいほど、均一な薬液処理が行われていることになるのである。
【0045】
また、図4において、スロット1、スロット26、スロット52は処理槽10に浸漬されている1組の基板W(ロット)における基板位置を示している。具体的には、スロット1は処理液吐出ノズル20a,20bの最も先端側(図1の最も(+X)側)の基板Wを示し、スロット52は送給配管25a,25bに最も近い側(図1の最も(−X)側)の基板Wを示し、スロット26はそれらの中間位置の基板Wを示している。さらに、図4において、ハッチングを付していない方が従来の基板処理装置における均一性の結果であり、ハッチングを付した方が第1実施形態の基板処理装置における均一性の結果である。
【0046】
図4から明らかなように、処理槽10内に浸漬されたロットにおける基板Wの位置にかかわらず、本実施形態の基板処理装置によるエッチング処理の均一性の方が従来よりも小さくなっている。つまり、より均一なエッチング処理が行われている。
【0047】
また、薬液による薬液処理の後、処理液吐出ノズル20a,20bから純水を吐出したときには、処理槽10内の純水置換効率が向上することとなり、処理槽10全体としての薬液濃度が均一かつ短時間のうちに低下し、洗浄時間を短時間で完了させることができる。
【0048】
さらに、基板Wの洗浄処理を行うと処理槽10内にパーティクルが漂うこととなるが、処理槽10内の処理液置換効率が向上すれば、従来の基板処理装置における処理槽101内のパーティクルが短時間のうちに完全に排出されることとなるため、パーティクル排出効率も向上することとなるのである。
【0049】
また、第1実施形態の基板処理装置では、元配管28内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整バルブ33が設けられている。元配管28内を通過する処理液の流量は、処理液吐出ノズル20a,20bの双方から吐出される処理液の流量の総和であり、総流量調整バルブ33は処理槽10内に吐出される処理液の総流量を調整する機能を有している。従って、総流量調整バルブ33によって元配管28内を通過する処理液の流量を調整することにより、処理槽10に必要な処理液の総流量を容易に確保することができる。
【0050】
<2.第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の基板処理装置の構成は第1実施形態と同じである。第1実施形態では処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とを等しくしていたのに対して、第2実施形態では処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とを周期的に変化させている。すなわち、制御部40が一定のパターンに基づいて流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bを個別に制御することにより、送給配管25a内を通過する処理液の流量と送給配管25b内を通過する処理液の流量とが周期的に変化するようにしているのである。
【0051】
図5は、第2実施形態における流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bの開閉パターンを示す図である。時刻t0から処理液吐出を開始するものとし、時刻t0においては制御部40が流量調整バルブ30aを開放させるとともに、流量調整バルブ30bを閉鎖させる。次に、時刻t1においては制御部40が流量調整バルブ30aを閉鎖させるとともに、流量調整バルブ30bを開放させる。以降、同様の開閉が繰り返され、時刻t2,t4,t6のそれぞれでは流量調整バルブ30aが開放されるとともに、流量調整バルブ30bが閉鎖され、時刻t3,t5,t7のそれぞれでは流量調整バルブ30aが閉鎖されるとともに、流量調整バルブ30bが開放される。なお、ある開閉切り換え時刻から次の開閉切り換え時刻までの時間間隔は常に一定(T1)である。
【0052】
図5に示す開閉パターンによれば、時刻t0から時刻t1の間は流量調整バルブ30aのみが開放され、流量調整バルブ30bが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル20aからのみ所定の吐出流量FLにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出は停止される。一方、時刻t1から時刻t2の間は流量調整バルブ30bのみが開放され、流量調整バルブ30aが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル20bからのみ所定の吐出流量FLにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出は停止される。そして、以降同様の処理液吐出パターンが繰り返される。
【0053】
すなわち、処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル20aから所定吐出流量(FL)にて所定時間(T1)の処理液吐出を行わせた後、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル20bから上記所定吐出流量(FL)にて上記所定時間(T1)の処理液吐出を行わせることを繰り返すように制御部40が流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bを制御する。
【0054】
このように第2実施形態においては、処理液吐出ノズル20aから吐出される処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bから吐出される処理液吐出流量とが半周期(半波長)だけ位相の異なる同一のパターンにて周期的に変化するように制御部40が流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bを制御している。従って、ある時点だけ見れば処理液吐出ノズル20aまたは処理液吐出ノズル20bのいずれか一方からのみの処理液吐出が行われることとなるため、処理槽10内の処理液の流れは均一ではないものの、流量調整バルブ30a,30bの開閉パターンの一周期(T2)の全体においては、処理液吐出ノズル20aおよび処理液吐出ノズル20bのそれぞれから等しい吐出流量にて同じ時間だけ処理液が吐出されるため、全体として処理槽10内の処理液の流れが均一になる。特に、処理液吐出形態を切り換えることによって処理槽10内の撹拌効果が得られるため、わずかなよどみ部分も存在しなくなり、処理槽10内の全体としての処理液の流れが均一になる。
【0055】
その結果、第1実施形態と同じように、均一な薬液処理を行うことができるとともに、洗浄時間を短縮でき、さらにはパーティクル排出効率も向上することとなるのである。
【0056】
<3.変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、第2実施形態における流量調整バルブ30a,30bの開閉パターンは図5に示した形態に限定されるものではない。図6は、流量調整バルブ30a,30bの開閉パターンの他の例を示す図である。
【0057】
図6に示す開閉パターンでは、時刻t0から時刻t1の間は流量調整バルブ30aのみが開放され、流量調整バルブ30bが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル20aからのみ所定の吐出流量FLにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出は停止される。次に、時刻t1から時刻t2の間は流量調整バルブ30bのみが開放され、流量調整バルブ30aが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル20bからのみ所定の吐出流量FLにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出は停止される。さらにその後、時刻t2から時刻t3の間は流量調整バルブ30a,30bの双方が閉鎖されて処理液吐出が全て停止され、時刻t3から時刻t4の間は流量調整バルブ30a,30bの双方が半分だけ開放されて処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とが等しくされる。そして、以降同様の処理液吐出パターンが繰り返される。
【0058】
すなわち、処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル20aから所定吐出流量(FL)にて所定時間(T1)の処理液吐出を行わせた後、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル20bから上記所定吐出流量(FL)にて上記所定時間(T1)の処理液吐出を行わせた後、さらに上記所定時間(T1)の処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量(FL/2)と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように制御部40が流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bを制御する。
【0059】
このようにすれば、流量調整バルブ30a,30bの開閉パターンの一周期(T3)の全体においては、処理液吐出ノズル20aおよび処理液吐出ノズル20bのそれぞれから等しい吐出流量にて同じ時間だけ処理液が吐出されるため、全体として処理槽10内の処理液の流れが均一になる。また、第2実施形態と同様に、処理液吐出形態を切り換えることによって処理槽10内の撹拌効果が得られるため、わずかなよどみ部分も存在しなくなり、処理槽10内の全体としての処理液の流れが均一になる。
【0060】
また、流量調整バルブ30a,30bの開閉パターンを図7のようにしても良い。図7に示す開閉パターンでは、時刻t0から時刻t1の間は流量調整バルブ30aが徐々に開放される一方で、流量調整バルブ30bが徐々に閉鎖される。次に、時刻t1から時刻t2の間は流量調整バルブ30aが徐々に閉鎖される一方で、流量調整バルブ30bが徐々に開放される。以降同様の処理液吐出パターンが繰り返される。
【0061】
すなわち、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量を連続的に増加させるとともに処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量を連続的に減少させた後、処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量を連続的に減少させるとともに処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量を連続的に増加させることを繰り返し、かつ処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量との総和が常に一定となるように制御部40が流量調整バルブ30aおよび流量調整バルブ30bを制御する。
【0062】
このようにしても流量調整バルブ30a,30bの開閉パターンの一周期(T2)の全体においては、処理液吐出ノズル20aおよび処理液吐出ノズル20bのそれぞれから等しい吐出流量にて処理液が吐出されるため、全体として処理槽10内の処理液の流れが均一になる。また、第2実施形態と同様に、処理液吐出形態を切り換えることによって処理槽10内の撹拌効果が得られるため、わずかなよどみ部分も存在しなくなり、処理槽10内の全体としての処理液の流れが均一になる。
【0063】
換言すれば、2本の処理液吐出ノズル20a,20bのそれぞれから吐出された処理液によって処理槽10内に形成される流れが所定の時間幅において均一となるような流量調整バルブ30a,30bの開閉パターンを採用することができるのである。なお、第1実施形態も処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とが等しくなるように流量調整バルブ30a,30bの双方を一定に開放しておくような流量調整バルブ30a,30bの一種の開閉パターンであるとみなすことができる。
【0064】
また、上記各実施形態においては、制御部40がバルブ駆動部32a,32bを介して流量調整バルブ30a,30bを自動的に制御するようにしていたが、装置のオペレータが流量計31a,31bを目視にて確認しつつ流量調整バルブ30a,30bを手動にて開閉するようにしても良い。この場合であっても処理液吐出ノズル20aからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル20bからの処理液吐出流量とを等しくすれば、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0065】
さらに、上記各実施形態においては、本発明に係る基板処理装置をいわゆるワンバスタイプの装置として説明したが、これに限定されるものではなく、本発明に係る技術はいわゆる多槽式の装置に適用することもできる。多槽式の基板処理装置には、薬液のみを貯留する薬液槽および純水のみを貯留する水洗槽が備えられており、それぞれの槽において新たなロットの処理を行うときには液交換を行う。このときに、本発明に係る技術を適用すれば、槽内の液置換効率が向上するため、迅速に液交換を行うことができ、スループットが向上することとなる。また、上述と同様に、パーティクル排出効率も向上する。
【0066】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1の発明によれば、第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第1処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第2処理液吐出ノズルから上記所定吐出流量にて上記所定時間の処理液吐出を行わせることを繰り返すように吐出流量制御手段が第1流量調整手段および第2流量調整手段を制御するため、その繰り返しの一周期全体においては、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる。
【0067】
また、請求項2の発明によれば、第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第1処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第2処理液吐出ノズルから上記所定吐出流量にて上記所定時間の処理液吐出を行わせた後、さらに上記所定時間の第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量と第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように吐出流量制御手段が第1流量調整手段および第2流量調整手段を制御するため、その繰り返しの一周期全体においては、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる。
【0071】
また、請求項3の発明によれば、第1送給配管および第2送給配管が合流した元配管に設けられ、元配管内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整手段を備えるため、処理槽に必要な処理液の総流量を容易に確保することができる。
【0073】
また、請求項4の発明によれば、処理液を貯留する処理槽と、処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する2本の処理液吐出ノズルと、2本の処理液吐出ノズルのそれぞれから吐出される処理液吐出流量を同一のパターンにて周期的に変化させる手段と、を備えるため、その周期的な変化の一周期全体においては、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一例を示す斜視図である。
【図2】図1の基板処理装置の構成を示す図である。
【図3】第1実施形態における処理液吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。
【図4】第1実施形態の基板処理装置にてエッチング処理を行ったときの結果を示す図である。
【図5】第2実施形態における流量調整バルブの開閉パターンを示す図である。
【図6】流量調整バルブの開閉パターンの他の例を示す図である。
【図7】流量調整バルブの開閉パターンの他の例を示す図である。
【図8】従来の基板処理装置における吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。
【符号の説明】
10 処理槽
20a,20b 処理液吐出ノズル
25a,25b 送給配管
28 元配管
30a,30b 流量調整バルブ
33 総流量調整バルブ
32a,32b,35 バルブ駆動部
40 制御部
W 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is a substrate for performing substrate processing by immersing a plurality of semiconductor substrates, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk or the like (hereinafter simply referred to as “substrate”) in a processing solution. The present invention relates to a processing apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a substrate manufacturing process, a chemical treatment and a cleaning treatment are repeated by sequentially immersing a substrate in a chemical solution such as an etching solution or pure water, and a series of substrate treatments is performed. Generally, as an apparatus for performing such substrate processing, a plurality of processing tanks including a chemical tank for storing chemical liquid and a washing tank for storing pure water are provided, and multiple tanks for performing chemical processing and cleaning processing in each processing tank And a one-bath type apparatus that repeats a chemical solution process and a cleaning process in one processing tank are used. In this specification, chemical solutions such as hydrofluoric acid, hydrochloric acid, ammonia water, and hydrogen peroxide water, and pure water are collectively referred to as “treatment liquid”.
[0003]
In a one-bus type device, when performing a chemical solution etching process after a pure water cleaning process, the chemical liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle into the pure water stored in the processing tank, Gradually replace pure water with chemicals. Conversely, when performing a cleaning process with pure water after an etching process with a chemical liquid, pure water is discharged from the processing liquid discharge nozzle into the chemical liquid, and the inside of the processing tank is gradually replaced with the pure liquid from the chemical liquid.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
FIG. 8 is a diagram showing how the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle in the conventional substrate processing apparatus. Here, a case where a chemical solution such as hydrofluoric acid is discharged into the
[0005]
At the end of the cleaning process with pure water, pure water is stored in the
[0006]
The chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the chemical liquid discharged from the processing
[0007]
However, the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing
[0008]
That is, if the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing
[0009]
Contrary to the above, the flow rate of pure water discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the processing liquid even when pure water is discharged into the
[0010]
Further, when the cleaning process of the substrate W is performed, particles drift in the
[0011]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus capable of forming a uniform flow of processing liquid in a processing tank.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention of
[0013]
The invention of claim 2 In a substrate processing apparatus that performs substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid, a processing tank that stores the processing liquid, and a symmetric position in the processing tank, each of which discharges the processing liquid. A treatment liquid discharge nozzle, a second treatment liquid discharge nozzle, and a flow rate of the treatment liquid that is provided in a first supply pipe that feeds the treatment liquid to the first treatment liquid discharge nozzle and passes through the first supply pipe. A first flow rate adjusting means for adjusting the flow rate, and a second feed pipe for feeding the treatment liquid to the second treatment liquid discharge nozzle, and the flow rate of the treatment liquid passing through the second feed pipe is adjusted. A second flow rate adjusting means; Discharge flow rate control means for individually adjusting the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the first treatment liquid discharge nozzle and the second treatment liquid discharge nozzle. And causing the discharge flow rate control means to stop the discharge of the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and to discharge the processing liquid at a predetermined discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle for a predetermined time. Then, after stopping the processing liquid discharge from the first processing liquid discharge nozzle and discharging the processing liquid for the predetermined time from the second processing liquid discharge nozzle at the predetermined discharge flow rate, the predetermined time further The first flow rate adjusting unit and the second flow rate adjusting unit are configured so as to repeat that the processing liquid discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle is equal to the processing liquid discharge flow rate from the second processing liquid discharge nozzle. Controlling .
[0017]
Claims 3 The invention of
[0019]
Claims 4 The present invention provides a substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution, a processing bath for storing the processing solution, and a symmetrical position in the processing bath, each of which receives the processing solution. Two processing liquid discharge nozzles for discharging, and means for periodically changing the processing liquid discharge flow rate discharged from each of the two processing liquid discharge nozzles in the same pattern.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0021]
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. Note that FIG. 1 has an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z-axis direction is a vertical direction and the XY plane is a horizontal plane. The substrate processing apparatus according to the first embodiment is a so-called one-bus type substrate processing apparatus that performs both a cleaning process using pure water and a chemical process using a chemical solution such as hydrofluoric acid in one processing tank.
[0022]
The substrate processing apparatus is configured by providing two processing
[0023]
The
[0024]
In the vicinity of the bottom of the
[0025]
Each of the two treatment
[0026]
The treatment liquid discharge nozzle 20a (first treatment liquid discharge nozzle) is connected to a supply pipe 25a (first supply pipe) outside the
[0027]
Since the
[0028]
Further, the
[0029]
The processing liquid that has passed through the
[0030]
The flow
[0031]
The
[0032]
Similarly, the
[0033]
Further, the
[0034]
An outline of general substrate processing contents in the substrate processing apparatus having the above-described configuration is that cleaning processing with pure water and chemical processing with a chemical solution are alternately performed. More specifically, for example, after a cleaning process is performed by immersing a plurality of substrates W in pure water while storing pure water in the
[0035]
In the first embodiment, the flow
[0036]
By setting it as the above structures, the flow volume of the process liquid discharged in the
[0037]
That is, the
[0038]
In the first embodiment, the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20a and the treatment liquid discharge flow rate from the treatment
[0039]
FIG. 3 is a diagram illustrating how the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle according to the first embodiment. The processing liquid is discharged from the discharge holes of the processing
[0040]
As described above, the two processing
[0041]
As described above, if the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge flow rate from the processing
[0042]
FIG. 4 is a diagram showing a result when the etching process is performed in the substrate processing apparatus of the first embodiment. The figure shows the in-plane uniformity of the degree to which one substrate W has been removed by the etching process. The uniformity is calculated by the following equation (1).
[0043]
[Expression 1]
[0044]
In
[0045]
In FIG. 4,
[0046]
As is clear from FIG. 4, the uniformity of the etching process by the substrate processing apparatus of this embodiment is smaller than the conventional one regardless of the position of the substrate W in the lot immersed in the
[0047]
Further, when pure water is discharged from the processing
[0048]
Further, when the cleaning process of the substrate W is performed, particles drift in the
[0049]
In the substrate processing apparatus of the first embodiment, a total flow
[0050]
<2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The configuration of the substrate processing apparatus of the second embodiment is the same as that of the first embodiment. In the first embodiment, the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20a is equal to the treatment liquid discharge flow rate from the treatment
[0051]
FIG. 5 is a diagram showing an opening / closing pattern of the flow
[0052]
According to the open / close pattern shown in FIG. 5, since only the flow
[0053]
That is, after the treatment liquid discharge from the treatment
[0054]
Thus, in the second embodiment, the processing liquid discharge flow rate discharged from the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge flow rate discharged from the processing
[0055]
As a result, as in the first embodiment, uniform chemical treatment can be performed, cleaning time can be shortened, and particle discharge efficiency can be improved.
[0056]
<3. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, the opening / closing pattern of the flow
[0057]
In the open / close pattern shown in FIG. 6, since only the flow
[0058]
That is, after the treatment liquid discharge from the treatment
[0059]
In this way, in one cycle (T3) of the opening / closing pattern of the flow
[0060]
Further, the open / close pattern of the flow
[0061]
That is, after continuously increasing the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20a and continuously decreasing the processing liquid discharge flow rate from the processing
[0062]
Even in this manner, the processing liquid is discharged at the same discharge flow rate from each of the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing
[0063]
In other words, the flow
[0064]
In each of the above embodiments, the
[0065]
Further, in each of the above embodiments, the substrate processing apparatus according to the present invention has been described as a so-called one-bus type apparatus, but the present invention is not limited to this, and the technology according to the present invention is a so-called multi-tank apparatus. It can also be applied. The multi-tank type substrate processing apparatus is provided with a chemical tank for storing only a chemical liquid and a washing tank for storing only pure water, and the liquid is exchanged when a new lot is processed in each tank. At this time, if the technique according to the present invention is applied, the liquid replacement efficiency in the tank is improved, so that the liquid can be exchanged quickly and the throughput is improved. In addition, the particle discharge efficiency is improved as described above.
[0066]
【The invention's effect】
As described above, according to the invention of
[0067]
According to the invention of claim 2, Discharging the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and discharging the processing liquid from the first processing liquid discharge nozzle at a predetermined discharge flow rate for a predetermined time, and then discharging the processing liquid from the first processing liquid discharge nozzle And the second processing liquid discharge nozzle discharges the processing liquid for the predetermined time at the predetermined discharge flow rate, and then the processing liquid discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle for the predetermined time and the second time. Since the discharge flow rate control unit controls the first flow rate adjustment unit and the second flow rate adjustment unit so as to repeat that the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle becomes equal, the process is performed in the entire repetition cycle. A uniform treatment liquid flow can be formed in the tank. .
[0071]
Claims 3 According to the invention, since the first supply pipe and the second supply pipe are provided in the original pipe and provided with the total flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the original pipe, The total flow rate of the necessary treatment liquid can be easily ensured.
[0073]
Claims 4 According to the invention, the processing tank for storing the processing liquid, the two processing liquid discharge nozzles that are provided at symmetrical positions in the processing tank and each discharge the processing liquid, and the two processing liquid discharge nozzles, respectively. Means for periodically changing the processing liquid discharge flow rate discharged from the liquid in a uniform pattern, so that a uniform flow of the processing liquid is formed in the processing tank over the entire period of the cyclic change. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
FIG. 3 is a diagram showing a state of processing liquid discharge from a processing liquid discharge nozzle in the first embodiment.
FIG. 4 is a view showing a result when an etching process is performed in the substrate processing apparatus of the first embodiment.
FIG. 5 is a view showing an opening / closing pattern of a flow rate adjusting valve in a second embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing another example of the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valve.
FIG. 7 is a view showing another example of the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valve.
FIG. 8 is a diagram showing how a processing liquid is discharged from a discharge nozzle in a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
10 treatment tank
20a, 20b Processing liquid discharge nozzle
25a, 25b Supply piping
28 original piping
30a, 30b Flow rate adjustment valve
33 Total flow control valve
32a, 32b, 35 Valve drive
40 Control unit
W substrate
Claims (4)
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルと、
前記第1処理液吐出ノズルに処理液を送給する第1送給配管に設けられ、前記第1送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第1流量調整手段と、
前記第2処理液吐出ノズルに処理液を送給する第2送給配管に設けられ、前記第2送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第2流量調整手段と、
前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を個別に制御して前記第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、
を備え、
前記吐出流量制御手段は、前記第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第1処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第2処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせることを繰り返すように前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を制御することを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A first treatment liquid discharge nozzle and a second treatment liquid discharge nozzle which are provided at symmetrical positions in the treatment tank and each discharge a treatment liquid;
A first flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a first feeding pipe that feeds the processing liquid to the first processing liquid discharge nozzle and that passes through the first feeding pipe;
A second flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a second feeding pipe that feeds the processing liquid to the second processing liquid discharge nozzle and that passes through the second feeding pipe;
A discharge flow rate control means for individually controlling the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the first treatment liquid discharge nozzle and the second treatment liquid discharge nozzle;
With
The discharge flow rate control means stops the discharge of the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and discharges the processing liquid for a predetermined time at a predetermined discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle. The first flow rate adjusting means and the first flow rate adjusting means so as to repeatedly stop the processing liquid discharge from the one processing liquid discharge nozzle and cause the second processing liquid discharge nozzle to discharge the processing liquid for the predetermined time at the predetermined discharge flow rate. A substrate processing apparatus for controlling the second flow rate adjusting means .
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルと、
前記第1処理液吐出ノズルに処理液を送給する第1送給配管に設けられ、前記第1送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第1流量調整手段と、
前記第2処理液吐出ノズルに処理液を送給する第2送給配管に設けられ、前記第2送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第2流量調整手段と、
前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を個別に制御して前記第1処理液吐出ノズルおよび第2処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、
を備え、
前記吐出流量制御手段は、前記第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第1処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第2処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせた後、さらに前記所定時間の前記第1処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量と前記第2処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように前記第1流量調整手段および第2流量調整手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A first treatment liquid discharge nozzle and a second treatment liquid discharge nozzle which are provided at symmetrical positions in the treatment tank and each discharge a treatment liquid;
A first flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a first feeding pipe that feeds the processing liquid to the first processing liquid discharge nozzle and that passes through the first feeding pipe;
A second flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a second feeding pipe that feeds the processing liquid to the second processing liquid discharge nozzle and that passes through the second feeding pipe;
A discharge flow rate control means for individually controlling the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the first treatment liquid discharge nozzle and the second treatment liquid discharge nozzle ;
With
The discharge flow rate control means stops the discharge of the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and discharges the processing liquid for a predetermined time at a predetermined discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle. After stopping the processing liquid discharge from the one processing liquid discharge nozzle and discharging the processing liquid for the predetermined time at the predetermined discharge flow rate from the second processing liquid discharge nozzle, the first processing for the predetermined time is further performed. The first flow rate adjusting unit and the second flow rate adjusting unit are controlled so as to repeatedly make the processing liquid discharge flow rate from the liquid discharge nozzle equal to the processing liquid discharge flow rate from the second processing liquid discharge nozzle. A substrate processing apparatus.
前記第1送給配管および第2送給配管が合流した元配管に設けられ、前記元配管内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2 ,
A substrate processing apparatus , further comprising a total flow rate adjusting unit that is provided in an original pipe where the first supply pipe and the second supply pipe are merged, and adjusts a flow rate of a processing liquid that passes through the original pipe. .
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する2本の処理液吐出ノズルと、
前記2本の処理液吐出ノズルのそれぞれから吐出される処理液吐出流量を同一のパター ンにて周期的に変化させる手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
Two processing liquid discharge nozzles provided at symmetrical positions in the processing tank, each discharging a processing liquid;
Means for periodically changing the processing liquid discharge flow discharged from each of the two processing liquid discharge nozzle in the same pattern,
A substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a.
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