JP3739651B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理液中に複数の半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、基板をエッチング液等の薬液や純水中に順次浸漬させることにより薬液処理や洗浄処理を繰り返し、一連の基板処理を進行させている。一般に、このような基板処理を行う装置としては、薬液を貯留する薬液槽や純水を貯留する水洗槽からなる複数の処理槽を備え、それぞれの処理槽において薬液処理や洗浄処理を行う多槽式の装置と、一つの処理槽において薬液処理や洗浄処理を繰り返すワンバスタイプの装置とが使用されている。なお、本明細書ではフッ酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水等の薬液および純水を総称して「処理液」とする。
【０００３】
ワンバスタイプの装置において、純水による洗浄処理の後薬液によるエッチング処理を行う際には、処理槽内に貯留されている純水中に処理液吐出ノズルから薬液を吐出し、処理槽内を徐々に純水から薬液に置換する。逆に、薬液によるエッチング処理の後純水による洗浄処理を行う際には、薬液中に処理液吐出ノズルから純水を吐出し、処理槽内を徐々に薬液から純水に置換する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図８は、従来の基板処理装置における処理液吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。ここでは、純水による基板Ｗの洗浄処理が終了した後に、処理槽１０１中にフッ酸等の薬液を吐出する場合について説明する。
【０００５】
純水による洗浄処理の終了時点では、処理槽１０１中に純水が貯留された状態となっており、その純水中に複数の基板Ｗがそれぞれの主面を鉛直方向に沿わせた状態（主面法線方向を水平方向に沿わせた状態）で相互に所定の間隔を隔てて並べられて浸漬されている。処理槽１０１の底部近傍には２本の処理液吐出ノズル１１０ａ，１１０ｂが相互に平行に配設されている。各処理液吐出ノズル１１０ａ，１１０ｂには等間隔にて複数の吐出孔が処理槽１０１の中央底部に向けて形成されている。また、各処理液吐出ノズル１１０ａ，１１０ｂは図外の送給配管に接続されており、その送給配管から送給された薬液は各処理液吐出ノズル１１０ａ，１１０ｂの吐出孔から処理槽１０１の中央底部に向けて吐出される。
【０００６】
処理液吐出ノズル１１０ａから吐出された薬液と処理液吐出ノズル１１０ｂから吐出された薬液とは、処理槽１０１の中央底部近傍において合流し、その合流した薬液の流れが上昇し、やがて処理槽１０１中を循環する。このようにして、処理槽１０１に貯留されていた純水が徐々に薬液に置換されることとなる。
【０００７】
しかしながら、処理液吐出ノズル１１０ａから吐出される薬液の流量と処理液吐出ノズル１１０ｂから吐出される薬液の流量とは必ずしも均一ではない。その結果、例えば処理液吐出ノズル１１０ａからの流量の方が多い場合には、図８に示すように、合流した薬液の流れが処理液吐出ノズル１１０ｂの側に偏って上昇し、不均一な流れを形成する。このような不均一な流れが形成されると、薬液の流れが通過する領域においては急速に薬液に置換されて薬液濃度が短時間で上昇する一方で、同図中領域Ｒ８がいわゆるよどみ部分となり、薬液への置換が殆ど行われずに長時間にわたって薬液濃度が他の部分よりも低くなる。
【０００８】
すなわち、処理液吐出ノズル１１０ａから吐出される薬液の流量と処理液吐出ノズル１１０ｂから吐出される薬液の流量とが不均一であると、処理槽１０１内の薬液置換効率が低下することとなり、処理槽１０１全体としての薬液濃度が長時間にわたって不均一となり、その結果均一なエッチングを行うことができないという問題が生じるのである。
【０００９】
また、上記とは逆に、基板Ｗの薬液処理が終了した後に、処理槽１０１中に純水を吐出する場合であっても、処理液吐出ノズル１１０ａから吐出される純水の流量と処理液吐出ノズル１１０ｂから吐出される純水の流量とが不均一であると、図８の領域Ｒ８のよどみ部分においては長時間にわたって薬液濃度が低下せず、処理槽１０１内の純水置換効率が低下することとなり、水洗時間に長時間を要するという問題が生じる。
【００１０】
さらに、基板Ｗの洗浄処理を行うと処理槽１０１内にパーティクルが漂うこととなるが、処理槽１０１内の処理液置換効率が低いことは、処理槽１０１内におけるパーティクルが完全には排出されにくいことを意味するため、パーティクル排出効率が低下するという問題も発生するのである。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルと、前記第１処理液吐出ノズルに処理液を送給する第１送給配管に設けられ、前記第１送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第１流量調整手段と、前記第２処理液吐出ノズルに処理液を送給する第２送給配管に設けられ、前記第２送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第２流量調整手段と、前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を個別に制御して前記第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、を備え、前記吐出流量制御手段に、前記第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第１処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第２処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせることを繰り返すように前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を制御させている。
【００１３】
また、請求項２の発明は、処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルと、前記第１処理液吐出ノズルに処理液を送給する第１送給配管に設けられ、前記第１送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第１流量調整手段と、前記第２処理液吐出ノズルに処理液を送給する第２送給配管に設けられ、前記第２送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第２流量調整手段と、前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を個別に制御して前記第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、を備え、前記吐出流量制御手段に、前記第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第１処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第２処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせた後、さらに前記所定時間の前記第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量と前記第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を制御させている。
【００１７】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記第１送給配管および第２送給配管が合流した元配管に設けられ、前記元配管内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整手段をさらに備える。
【００１９】
また、請求項４の発明は、処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する２本の処理液吐出ノズルと、前記２本の処理液吐出ノズルのそれぞれから吐出される処理液吐出流量を同一のパターンにて周期的に変化させる手段と、を備える。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置の一例を示す斜視図である。また、図２は、図１の基板処理装置の構成を示す図である。なお、図１にはＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。第１実施形態の基板処理装置は、１つの処理槽において純水による洗浄処理とフッ酸等の薬液による薬液処理との双方を行ういわゆるワンバスタイプの基板処理装置である。
【００２２】
この基板処理装置は、処理槽１０の内部に２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂを設けるとともに、それら処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂに処理液を送給する送給配管を接続して構成されている。そして、各処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂに接続された送給配管２５ａ，２５ｂには、それぞれを通過する処理液の流量を調整する流量調整バルブ３０ａ，３０ｂが設けられている。
【００２３】
処理槽１０は、断面５角形形状の長尺の槽である。処理槽１０の内部には処理液を貯留することができる。そして、図示を省略するリフターが複数の基板Ｗをそれぞれの主面を鉛直方向に沿わせて相互に所定の間隔を隔てて積層した状態にて保持しつつ昇降することによって、それら複数の基板Ｗを処理槽１０内の処理液中に浸漬したり、処理液から引き揚げたりすることができる。
【００２４】
処理槽１０の底部近傍には、それぞれが処理液を吐出する２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂが配設されている。２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂは、相互に平行に、かつ処理槽１０内の対称位置に配設されている。ここで「対称位置」とは、処理槽１０の回転対称性を有する断面の対称軸に関して対称な位置という意味である。より詳細に説明すると、図２に示すように、処理槽１０をＹＺ平面で切断した断面は、対称軸Ｓ１のまわりに１８０°（π）回転させても不変であり、すなわち図２に示す断面は処理槽１０の２回回転対称性を有する断面である。そしてその断面の対称軸Ｓ１に関して対称な位置が「対称位置」であり、２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂはそのような位置に配設される。
【００２５】
２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂは、ともに円筒表面に複数の吐出孔がＸ方向に沿って１列に等間隔に形成されたものである。２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂのそれぞれにおいて、吐出孔は処理槽１０の底部中心に向けて形成されており、吐出孔と円筒中心軸とを結ぶ線が鉛直方向となす角度（α）は等しい。
【００２６】
処理液吐出ノズル２０ａ（第１処理液吐出ノズル）は処理槽１０外部の送給配管２５ａ（第１送給配管）と接続され、同様に処理液吐出ノズル２０ｂ（第２処理液吐出ノズル）は処理槽１０外部の送給配管２５ｂ（第２送給配管）と接続されている。そして、送給配管２５ａと送給配管２５ｂとが合流して元配管２８を形成する。元配管２８は、図外の純水供給源と接続されている。また、元配管２８は、それぞれバルブ８１，８２，８３，８４を介して異なる４つの薬液供給源とも接続されている。４つの薬液供給源としては例えば、フッ酸、塩酸、アンモニア水および過酸化水素水の供給源とすれば良い。なお、薬液供給源の数は任意のものとすることができ、その種類についても上記のものに限定されるものでないことは勿論である。
【００２７】
元配管２８は純水供給源および薬液供給源に接続されているため、純水および薬液の双方を送給することができる。例えば、バルブ８１，８２，８３，８４の全てを閉鎖すれば、元配管２８は純水を送給することができる。また、薬液供給源からのバルブ（図示省略）を閉鎖するとともに、バルブ８１を開放すれば、元配管２８は例えばフッ酸を送給することができる。
【００２８】
さらに、元配管２８には、薬液が流入する部分よりも下流側に総流量調整バルブ３３および流量計３４が設けられている。総流量調整バルブ３３は、元配管２８内を通過する処理液の流量を調整する。流量計３４は、元配管２８内を通過する処理液の流量を計測する。
【００２９】
元配管２８を通過した処理液は、送給配管２５ａおよび送給配管２５ｂの双方に流入する。送給配管２５ａには、流量調整バルブ３０ａおよび流量計３１ａが設けられている。一方、送給配管２５ｂには、流量調整バルブ３０ｂおよび流量計３１ｂが設けられている。流量調整バルブ３０ａは、送給配管２５ａ内を通過する処理液の流量を調整する機能を有する。流量計３１ａは、送給配管２５ａ内を通過する処理液の流量を計測する機能を有する。また、同様に、流量調整バルブ３０ｂは、送給配管２５ｂ内を通過する処理液の流量を調整する機能を有する。流量計３１ｂは、送給配管２５ｂ内を通過する処理液の流量を計測する機能を有する。
【００３０】
流量調整バルブ３０ａおよび流量計３１ａはいずれもバルブ駆動部３２ａと電気的に接続されている。一方、流量調整バルブ３０ｂおよび流量計３１ｂはいずれもバルブ駆動部３２ｂと電気的に接続されている。さらに、総流量調整バルブ３３および流量計３４はいずれもバルブ駆動部３５と電気的に接続されている。そして、これらバルブ駆動部３２ａ，３２ｂ，３５は制御部４０と電気的に接続されている。
【００３１】
制御部４０は、コンピュータを用いて構成されており、ＣＰＵやメモリ等を備えるとともに、所定の処理プログラムに基づいてバルブ駆動部３２ａ，３２ｂ，３５のそれぞれに指示を与える。バルブ駆動部３２ａは、送給配管２５ａ内を通過する処理液の流量が制御部４０から指示された流量となるように、流量調整バルブ３０ａを開閉駆動させる。より具体的には、流量計３１ａによって検出された送給配管２５ａ内を通過する処理液の流量が制御部４０から指示された流量よりも多い場合はバルブ駆動部３２ａが流量調整バルブ３０ａをより閉じるように駆動させ、少ない場合はバルブ駆動部３２ａが流量調整バルブ３０ａをより開くように駆動させる。
【００３２】
同様に、バルブ駆動部３２ｂは、送給配管２５ｂ内を通過する処理液の流量が制御部４０から指示された流量となるように、流量調整バルブ３０ｂを開閉駆動させる。すなわち、流量計３１ｂによって検出された送給配管２５ｂ内を通過する処理液の流量が制御部４０から指示された流量よりも多い場合はバルブ駆動部３２ｂが流量調整バルブ３０ｂをより閉じるように駆動させ、少ない場合はバルブ駆動部３２ｂが流量調整バルブ３０ｂをより開くように駆動させる。
【００３３】
さらに、バルブ駆動部３５は、元配管２８内を通過する処理液の流量が制御部４０から指示された流量となるように、総流量調整バルブ３３を開閉駆動させる。すなわち、流量計３４によって検出された元配管２８内を通過する処理液の流量が制御部４０から指示された流量よりも多い場合はバルブ駆動部３５が総流量調整バルブ３３をより閉じるように駆動させ、少ない場合はバルブ駆動部３５が総流量調整バルブ３３をより開くように駆動させる。
【００３４】
上記構成を有する基板処理装置における一般的な基板処理内容の概要は、純水による洗浄処理と薬液による薬液処理とを交互に行うというものである。より詳細には、例えば処理槽１０に純水を貯留しつつその純水中に複数の基板Ｗを浸漬することによって洗浄処理を行った後、処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂから薬液を吐出して処理槽１０内を薬液に置換することによって薬液処理を行い、さらにその後再び処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂから純水を吐出して処理槽１０内を純水に置換することによって洗浄処理を行うという工程を繰り返すのである。
【００３５】
なお、第１実施形態においては、流量調整バルブ３０ａが第１流量調整手段に、流量調整バルブ３０ｂが第２流量調整手段に、制御部４０が吐出流量制御手段にそれぞれ相当する。
【００３６】
以上のような構成とすることによって、処理液吐出ノズル２０ａおよび処理液吐出ノズル２０ｂのそれぞれから処理槽１０内に吐出する処理液の流量を任意に調整することができる。具体的には、制御部４０からの指示に基づいてバルブ駆動部３２ａが流量調整バルブ３０ａを開閉動作させることにより、送給配管２５ａ内を通過する処理液の流量を調整して、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量を任意に調整する。同様に、制御部４０からの指示に基づいてバルブ駆動部３２ｂが流量調整バルブ３０ｂを開閉動作させることにより、送給配管２５ｂ内を通過する処理液の流量を調整して、処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量を任意に調整する。
【００３７】
すなわち、吐出流量制御手段たる制御部４０は、流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂを個別に制御して処理液吐出ノズル２０ａおよび処理液吐出ノズル２０ｂのそれぞれからの処理液吐出流量を調整することができる。従って、元配管２８から送給配管２５ａおよび送給配管２５ｂのそれぞれに流入する処理液の流量が異なったとしても、それに関わらず処理液吐出ノズル２０ａおよび処理液吐出ノズル２０ｂのそれぞれから処理槽１０に吐出する処理液の流量を所定の値にすることができるのである。
【００３８】
そして、第１実施形態においては、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とが等しくなるようにしている。制御部４０は、送給配管２５ａ内を通過する処理液の流量と送給配管２５ｂ内を通過する処理液の流量とが等しくなるように流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂを個別に制御し、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とが等しくなるようにしているのである。
【００３９】
図３は、第１実施形態における処理液吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。各処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂの吐出孔から処理槽１０の中央底部に向けて処理液が吐出される。処理液吐出ノズル２０ａから吐出された処理液と処理液吐出ノズル２０ｂから吐出された処理液とは、処理槽１０の中央底部近傍において合流し、その合流した薬液の流れがほぼ鉛直方向に沿って真上に上昇し、やがて処理槽１０中を循環する。
【００４０】
上述したように、２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂは処理槽１０内の対称位置に配設されている。そして、２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂのそれぞれにおいて、その吐出孔と円筒中心軸とを結ぶ線が鉛直方向となす角度は等しい。従って、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とを等しくすれば、処理槽１０内において対称な流れを形成させることができるのである。ここで「対称な流れ」とは、既述した「対称位置」と同じく、処理槽１０の回転対称性を有する断面の対称軸Ｓ１に関して対称な流れを意味する。
【００４１】
以上のように、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とを等しくして処理槽１０内において対称な流れを形成すれば、処理槽１０内の処理液の流れを均一にすることができ、その結果処理液置換効率を向上させることができる。従って、例えば、純水による洗浄処理の後、処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂから薬液を吐出したときには、処理槽１０内の薬液置換効率が向上することとなり、処理槽１０全体としての薬液濃度が短時間のうちに均一となり、その結果均一なエッチング等の薬液処理を行うことができるのである。
【００４２】
図４は、第１実施形態の基板処理装置にてエッチング処理を行ったときの結果を示す図である。同図は、１枚の基板Ｗについてエッチング処理によって削られた程度の面内均一性を示している。均一性は以下の数１によって算出される。
【００４３】
【数１】

【００４４】
数１において、”ＭＡＸ”はエッチング処理によって削られた最大量を、”ＭＩＮ”はエッチング処理によって削られた最小量を、”ＡＶＥ”は削られた平均量をそれぞれ示している。数１によって算出された均一性の値が大きいことは、エッチング処理によって削られた最大量と最小量との差が大きいことを示しており、不均一な薬液処理が行われたこととなる。つまり、均一性の値が小さいほど、均一な薬液処理が行われていることになるのである。
【００４５】
また、図４において、スロット１、スロット２６、スロット５２は処理槽１０に浸漬されている１組の基板Ｗ（ロット）における基板位置を示している。具体的には、スロット１は処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂの最も先端側（図１の最も（＋Ｘ）側）の基板Ｗを示し、スロット５２は送給配管２５ａ，２５ｂに最も近い側（図１の最も（−Ｘ）側）の基板Ｗを示し、スロット２６はそれらの中間位置の基板Ｗを示している。さらに、図４において、ハッチングを付していない方が従来の基板処理装置における均一性の結果であり、ハッチングを付した方が第１実施形態の基板処理装置における均一性の結果である。
【００４６】
図４から明らかなように、処理槽１０内に浸漬されたロットにおける基板Ｗの位置にかかわらず、本実施形態の基板処理装置によるエッチング処理の均一性の方が従来よりも小さくなっている。つまり、より均一なエッチング処理が行われている。
【００４７】
また、薬液による薬液処理の後、処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂから純水を吐出したときには、処理槽１０内の純水置換効率が向上することとなり、処理槽１０全体としての薬液濃度が均一かつ短時間のうちに低下し、洗浄時間を短時間で完了させることができる。
【００４８】
さらに、基板Ｗの洗浄処理を行うと処理槽１０内にパーティクルが漂うこととなるが、処理槽１０内の処理液置換効率が向上すれば、従来の基板処理装置における処理槽１０１内のパーティクルが短時間のうちに完全に排出されることとなるため、パーティクル排出効率も向上することとなるのである。
【００４９】
また、第１実施形態の基板処理装置では、元配管２８内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整バルブ３３が設けられている。元配管２８内を通過する処理液の流量は、処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂの双方から吐出される処理液の流量の総和であり、総流量調整バルブ３３は処理槽１０内に吐出される処理液の総流量を調整する機能を有している。従って、総流量調整バルブ３３によって元配管２８内を通過する処理液の流量を調整することにより、処理槽１０に必要な処理液の総流量を容易に確保することができる。
【００５０】
＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置の構成は第１実施形態と同じである。第１実施形態では処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とを等しくしていたのに対して、第２実施形態では処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とを周期的に変化させている。すなわち、制御部４０が一定のパターンに基づいて流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂを個別に制御することにより、送給配管２５ａ内を通過する処理液の流量と送給配管２５ｂ内を通過する処理液の流量とが周期的に変化するようにしているのである。
【００５１】
図５は、第２実施形態における流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂの開閉パターンを示す図である。時刻ｔ０から処理液吐出を開始するものとし、時刻ｔ０においては制御部４０が流量調整バルブ３０ａを開放させるとともに、流量調整バルブ３０ｂを閉鎖させる。次に、時刻ｔ１においては制御部４０が流量調整バルブ３０ａを閉鎖させるとともに、流量調整バルブ３０ｂを開放させる。以降、同様の開閉が繰り返され、時刻ｔ２，ｔ４，ｔ６のそれぞれでは流量調整バルブ３０ａが開放されるとともに、流量調整バルブ３０ｂが閉鎖され、時刻ｔ３，ｔ５，ｔ７のそれぞれでは流量調整バルブ３０ａが閉鎖されるとともに、流量調整バルブ３０ｂが開放される。なお、ある開閉切り換え時刻から次の開閉切り換え時刻までの時間間隔は常に一定（Ｔ１）である。
【００５２】
図５に示す開閉パターンによれば、時刻ｔ０から時刻ｔ１の間は流量調整バルブ３０ａのみが開放され、流量調整バルブ３０ｂが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル２０ａからのみ所定の吐出流量ＦＬにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出は停止される。一方、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間は流量調整バルブ３０ｂのみが開放され、流量調整バルブ３０ａが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル２０ｂからのみ所定の吐出流量ＦＬにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出は停止される。そして、以降同様の処理液吐出パターンが繰り返される。
【００５３】
すなわち、処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル２０ａから所定吐出流量（ＦＬ）にて所定時間（Ｔ１）の処理液吐出を行わせた後、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル２０ｂから上記所定吐出流量（ＦＬ）にて上記所定時間（Ｔ１）の処理液吐出を行わせることを繰り返すように制御部４０が流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂを制御する。
【００５４】
このように第２実施形態においては、処理液吐出ノズル２０ａから吐出される処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂから吐出される処理液吐出流量とが半周期（半波長）だけ位相の異なる同一のパターンにて周期的に変化するように制御部４０が流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂを制御している。従って、ある時点だけ見れば処理液吐出ノズル２０ａまたは処理液吐出ノズル２０ｂのいずれか一方からのみの処理液吐出が行われることとなるため、処理槽１０内の処理液の流れは均一ではないものの、流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの開閉パターンの一周期（Ｔ２）の全体においては、処理液吐出ノズル２０ａおよび処理液吐出ノズル２０ｂのそれぞれから等しい吐出流量にて同じ時間だけ処理液が吐出されるため、全体として処理槽１０内の処理液の流れが均一になる。特に、処理液吐出形態を切り換えることによって処理槽１０内の撹拌効果が得られるため、わずかなよどみ部分も存在しなくなり、処理槽１０内の全体としての処理液の流れが均一になる。
【００５５】
その結果、第１実施形態と同じように、均一な薬液処理を行うことができるとともに、洗浄時間を短縮でき、さらにはパーティクル排出効率も向上することとなるのである。
【００５６】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、第２実施形態における流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの開閉パターンは図５に示した形態に限定されるものではない。図６は、流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの開閉パターンの他の例を示す図である。
【００５７】
図６に示す開閉パターンでは、時刻ｔ０から時刻ｔ１の間は流量調整バルブ３０ａのみが開放され、流量調整バルブ３０ｂが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル２０ａからのみ所定の吐出流量ＦＬにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出は停止される。次に、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間は流量調整バルブ３０ｂのみが開放され、流量調整バルブ３０ａが閉鎖されているため、処理液吐出ノズル２０ｂからのみ所定の吐出流量ＦＬにて処理液が吐出され、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出は停止される。さらにその後、時刻ｔ２から時刻ｔ３の間は流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの双方が閉鎖されて処理液吐出が全て停止され、時刻ｔ３から時刻ｔ４の間は流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの双方が半分だけ開放されて処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とが等しくされる。そして、以降同様の処理液吐出パターンが繰り返される。
【００５８】
すなわち、処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル２０ａから所定吐出流量（ＦＬ）にて所定時間（Ｔ１）の処理液吐出を行わせた後、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出を停止するとともに処理液吐出ノズル２０ｂから上記所定吐出流量（ＦＬ）にて上記所定時間（Ｔ１）の処理液吐出を行わせた後、さらに上記所定時間（Ｔ１）の処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量（ＦＬ／２）と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように制御部４０が流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂを制御する。
【００５９】
このようにすれば、流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの開閉パターンの一周期（Ｔ３）の全体においては、処理液吐出ノズル２０ａおよび処理液吐出ノズル２０ｂのそれぞれから等しい吐出流量にて同じ時間だけ処理液が吐出されるため、全体として処理槽１０内の処理液の流れが均一になる。また、第２実施形態と同様に、処理液吐出形態を切り換えることによって処理槽１０内の撹拌効果が得られるため、わずかなよどみ部分も存在しなくなり、処理槽１０内の全体としての処理液の流れが均一になる。
【００６０】
また、流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの開閉パターンを図７のようにしても良い。図７に示す開閉パターンでは、時刻ｔ０から時刻ｔ１の間は流量調整バルブ３０ａが徐々に開放される一方で、流量調整バルブ３０ｂが徐々に閉鎖される。次に、時刻ｔ１から時刻ｔ２の間は流量調整バルブ３０ａが徐々に閉鎖される一方で、流量調整バルブ３０ｂが徐々に開放される。以降同様の処理液吐出パターンが繰り返される。
【００６１】
すなわち、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量を連続的に増加させるとともに処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量を連続的に減少させた後、処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量を連続的に減少させるとともに処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量を連続的に増加させることを繰り返し、かつ処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量との総和が常に一定となるように制御部４０が流量調整バルブ３０ａおよび流量調整バルブ３０ｂを制御する。
【００６２】
このようにしても流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの開閉パターンの一周期（Ｔ２）の全体においては、処理液吐出ノズル２０ａおよび処理液吐出ノズル２０ｂのそれぞれから等しい吐出流量にて処理液が吐出されるため、全体として処理槽１０内の処理液の流れが均一になる。また、第２実施形態と同様に、処理液吐出形態を切り換えることによって処理槽１０内の撹拌効果が得られるため、わずかなよどみ部分も存在しなくなり、処理槽１０内の全体としての処理液の流れが均一になる。
【００６３】
換言すれば、２本の処理液吐出ノズル２０ａ，２０ｂのそれぞれから吐出された処理液によって処理槽１０内に形成される流れが所定の時間幅において均一となるような流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの開閉パターンを採用することができるのである。なお、第１実施形態も処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とが等しくなるように流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの双方を一定に開放しておくような流量調整バルブ３０ａ，３０ｂの一種の開閉パターンであるとみなすことができる。
【００６４】
また、上記各実施形態においては、制御部４０がバルブ駆動部３２ａ，３２ｂを介して流量調整バルブ３０ａ，３０ｂを自動的に制御するようにしていたが、装置のオペレータが流量計３１ａ，３１ｂを目視にて確認しつつ流量調整バルブ３０ａ，３０ｂを手動にて開閉するようにしても良い。この場合であっても処理液吐出ノズル２０ａからの処理液吐出流量と処理液吐出ノズル２０ｂからの処理液吐出流量とを等しくすれば、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
さらに、上記各実施形態においては、本発明に係る基板処理装置をいわゆるワンバスタイプの装置として説明したが、これに限定されるものではなく、本発明に係る技術はいわゆる多槽式の装置に適用することもできる。多槽式の基板処理装置には、薬液のみを貯留する薬液槽および純水のみを貯留する水洗槽が備えられており、それぞれの槽において新たなロットの処理を行うときには液交換を行う。このときに、本発明に係る技術を適用すれば、槽内の液置換効率が向上するため、迅速に液交換を行うことができ、スループットが向上することとなる。また、上述と同様に、パーティクル排出効率も向上する。
【００６６】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第１処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第２処理液吐出ノズルから上記所定吐出流量にて上記所定時間の処理液吐出を行わせることを繰り返すように吐出流量制御手段が第１流量調整手段および第２流量調整手段を制御するため、その繰り返しの一周期全体においては、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる。
【００６７】
また、請求項２の発明によれば、第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第１処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに第２処理液吐出ノズルから上記所定吐出流量にて上記所定時間の処理液吐出を行わせた後、さらに上記所定時間の第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量と第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように吐出流量制御手段が第１流量調整手段および第２流量調整手段を制御するため、その繰り返しの一周期全体においては、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる。
【００７１】
また、請求項３の発明によれば、第１送給配管および第２送給配管が合流した元配管に設けられ、元配管内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整手段を備えるため、処理槽に必要な処理液の総流量を容易に確保することができる。
【００７３】
また、請求項４の発明によれば、処理液を貯留する処理槽と、処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する２本の処理液吐出ノズルと、２本の処理液吐出ノズルのそれぞれから吐出される処理液吐出流量を同一のパターンにて周期的に変化させる手段と、を備えるため、その周期的な変化の一周期全体においては、処理槽内において均一な処理液の流れを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の基板処理装置の構成を示す図である。
【図３】第１実施形態における処理液吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。
【図４】第１実施形態の基板処理装置にてエッチング処理を行ったときの結果を示す図である。
【図５】第２実施形態における流量調整バルブの開閉パターンを示す図である。
【図６】流量調整バルブの開閉パターンの他の例を示す図である。
【図７】流量調整バルブの開閉パターンの他の例を示す図である。
【図８】従来の基板処理装置における吐出ノズルからの処理液吐出の様子を示す図である。
【符号の説明】
１０ 処理槽
２０ａ，２０ｂ 処理液吐出ノズル
２５ａ，２５ｂ 送給配管
２８ 元配管
３０ａ，３０ｂ 流量調整バルブ
３３ 総流量調整バルブ
３２ａ，３２ｂ，３５ バルブ駆動部
４０ 制御部
Ｗ 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is a substrate for performing substrate processing by immersing a plurality of semiconductor substrates, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk or the like (hereinafter simply referred to as “substrate”) in a processing solution. The present invention relates to a processing apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a substrate manufacturing process, a chemical treatment and a cleaning treatment are repeated by sequentially immersing a substrate in a chemical solution such as an etching solution or pure water, and a series of substrate treatments is performed. Generally, as an apparatus for performing such substrate processing, a plurality of processing tanks including a chemical tank for storing chemical liquid and a washing tank for storing pure water are provided, and multiple tanks for performing chemical processing and cleaning processing in each processing tank And a one-bath type apparatus that repeats a chemical solution process and a cleaning process in one processing tank are used. In this specification, chemical solutions such as hydrofluoric acid, hydrochloric acid, ammonia water, and hydrogen peroxide water, and pure water are collectively referred to as “treatment liquid”.
[0003]
In a one-bus type device, when performing a chemical solution etching process after a pure water cleaning process, the chemical liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle into the pure water stored in the processing tank, Gradually replace pure water with chemicals. Conversely, when performing a cleaning process with pure water after an etching process with a chemical liquid, pure water is discharged from the processing liquid discharge nozzle into the chemical liquid, and the inside of the processing tank is gradually replaced with the pure liquid from the chemical liquid.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
FIG. 8 is a diagram showing how the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle in the conventional substrate processing apparatus. Here, a case where a chemical solution such as hydrofluoric acid is discharged into the treatment tank 101 after the cleaning process of the substrate W with pure water is completed will be described.
[0005]
At the end of the cleaning process with pure water, pure water is stored in the processing tank 101, and a plurality of substrates W have their main surfaces aligned in the vertical direction in the pure water ( The main surface normal direction is aligned along the horizontal direction) and are immersed so as to be arranged at a predetermined interval from each other. Two processing liquid discharge nozzles 110 a and 110 b are arranged in parallel with each other near the bottom of the processing tank 101. A plurality of discharge holes are formed at equal intervals in each of the processing liquid discharge nozzles 110 a and 110 b toward the center bottom of the processing tank 101. The processing liquid discharge nozzles 110a and 110b are connected to a supply pipe (not shown), and the chemical solution supplied from the supply pipe is supplied to the processing tank 101 from the discharge holes of the processing liquid discharge nozzles 110a and 110b. It is discharged toward the center bottom.
[0006]
The chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110b merge in the vicinity of the center bottom of the processing tank 101, and the flow of the combined chemical liquid rises, and in the processing tank 101 eventually. Circulate. In this way, the pure water stored in the treatment tank 101 is gradually replaced with the chemical solution.
[0007]
However, the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110b are not necessarily uniform. As a result, for example, when the flow rate from the processing liquid discharge nozzle 110a is larger, as shown in FIG. 8, the flow of the combined chemical liquid rises toward the processing liquid discharge nozzle 110b and rises unevenly. Form. When such a non-uniform flow is formed, the chemical solution is rapidly replaced with the chemical solution in the region through which the chemical solution passes, and the chemical solution concentration rises in a short time, while the region R8 in the figure becomes a so-called stagnation portion. The chemical solution concentration is lower than the other portions over a long period of time with almost no replacement with the chemical solution.
[0008]
That is, if the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the flow rate of the chemical liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 110b are not uniform, the chemical liquid replacement efficiency in the processing tank 101 is reduced, and the processing The chemical concentration of the tank 101 as a whole becomes non-uniform over a long period of time, resulting in a problem that uniform etching cannot be performed.
[0009]
Contrary to the above, the flow rate of pure water discharged from the processing liquid discharge nozzle 110a and the processing liquid even when pure water is discharged into the processing tank 101 after the chemical processing of the substrate W is completed. If the flow rate of the pure water discharged from the discharge nozzle 110b is not uniform, the chemical concentration does not decrease over a long period of time in the stagnation part of the region R8 in FIG. 8, and the pure water replacement efficiency in the treatment tank 101 decreases. As a result, there arises a problem that the washing time takes a long time.
[0010]
Further, when the cleaning process of the substrate W is performed, particles drift in the processing tank 101. However, the low replacement efficiency of the processing liquid in the processing tank 101 means that the particles in the processing tank 101 are not completely discharged. This means that there is a problem that the particle discharge efficiency is lowered.
[0011]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus capable of forming a uniform flow of processing liquid in a processing tank.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus that performs substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid, and a processing tank that stores the processing liquid, and a symmetry in the processing tank. A first treatment liquid discharge nozzle and a second treatment liquid discharge nozzle, each of which is provided at a position, and a first supply pipe for supplying the treatment liquid to the first treatment liquid discharge nozzle, A first flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid passing through the first supply pipe; and a second supply pipe for supplying the processing liquid to the second processing liquid discharge nozzle. A second flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the feed pipe; A discharge flow rate control means for individually controlling the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the first treatment liquid discharge nozzle and the second treatment liquid discharge nozzle; The discharge flow rate control means stops processing liquid discharge from the second processing liquid discharge nozzle and discharges processing liquid for a predetermined time from the first processing liquid discharge nozzle at a predetermined discharge flow rate. The first flow rate adjustment is performed such that the discharge of the processing liquid from the first processing liquid discharge nozzle is stopped and the processing liquid is discharged from the second processing liquid discharge nozzle at the predetermined discharge flow rate for the predetermined time. And the second flow rate adjusting means are controlled. .
[0013]
The invention of claim 2 In a substrate processing apparatus that performs substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing liquid, a processing tank that stores the processing liquid, and a symmetric position in the processing tank, each of which discharges the processing liquid. A treatment liquid discharge nozzle, a second treatment liquid discharge nozzle, and a flow rate of the treatment liquid that is provided in a first supply pipe that feeds the treatment liquid to the first treatment liquid discharge nozzle and passes through the first supply pipe. A first flow rate adjusting means for adjusting the flow rate, and a second feed pipe for feeding the treatment liquid to the second treatment liquid discharge nozzle, and the flow rate of the treatment liquid passing through the second feed pipe is adjusted. A second flow rate adjusting means; Discharge flow rate control means for individually adjusting the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the first treatment liquid discharge nozzle and the second treatment liquid discharge nozzle. And causing the discharge flow rate control means to stop the discharge of the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and to discharge the processing liquid at a predetermined discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle for a predetermined time. Then, after stopping the processing liquid discharge from the first processing liquid discharge nozzle and discharging the processing liquid for the predetermined time from the second processing liquid discharge nozzle at the predetermined discharge flow rate, the predetermined time further The first flow rate adjusting unit and the second flow rate adjusting unit are configured so as to repeat that the processing liquid discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle is equal to the processing liquid discharge flow rate from the second processing liquid discharge nozzle. Controlling .
[0017]
Claims 3 The invention of claim 1 Or claim 2 In the substrate processing apparatus according to the invention, there is further provided a total flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in the original pipe where the first supply pipe and the second supply pipe are merged and passes through the original pipe. Prepare.
[0019]
Claims 4 The present invention provides a substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution, a processing bath for storing the processing solution, and a symmetrical position in the processing bath, each of which receives the processing solution. Two processing liquid discharge nozzles for discharging, and means for periodically changing the processing liquid discharge flow rate discharged from each of the two processing liquid discharge nozzles in the same pattern.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0021]
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. Note that FIG. 1 has an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z-axis direction is a vertical direction and the XY plane is a horizontal plane. The substrate processing apparatus according to the first embodiment is a so-called one-bus type substrate processing apparatus that performs both a cleaning process using pure water and a chemical process using a chemical solution such as hydrofluoric acid in one processing tank.
[0022]
The substrate processing apparatus is configured by providing two processing liquid discharge nozzles 20a and 20b in the processing tank 10 and connecting a supply pipe for supplying the processing liquid to the processing liquid discharge nozzles 20a and 20b. ing. The supply pipes 25a and 25b connected to the treatment liquid discharge nozzles 20a and 20b are provided with flow rate adjustment valves 30a and 30b for adjusting the flow rate of the treatment liquid passing through the supply pipes 25a and 25b, respectively.
[0023]
The processing tank 10 is a long tank having a pentagonal cross section. A treatment liquid can be stored inside the treatment tank 10. Then, a lifter (not shown) lifts and lowers the plurality of substrates W while holding the plurality of substrates W in a state where the principal surfaces thereof are vertically stacked and spaced apart from each other by a predetermined interval. Can be immersed in the treatment liquid in the treatment tank 10 or can be lifted from the treatment liquid.
[0024]
In the vicinity of the bottom of the processing tank 10, two processing liquid discharge nozzles 20a and 20b, each discharging a processing liquid, are disposed. The two treatment liquid discharge nozzles 20 a and 20 b are arranged in parallel to each other and at symmetrical positions in the treatment tank 10. Here, the “symmetric position” means a position that is symmetric with respect to the symmetry axis of the cross section of the processing tank 10 having rotational symmetry. More specifically, as shown in FIG. 2, the cross section obtained by cutting the processing tank 10 along the YZ plane does not change even if it is rotated 180 ° (π) around the symmetry axis S1, that is, the cross section shown in FIG. Is a cross section of the treatment tank 10 having two-fold rotational symmetry. A position symmetric with respect to the symmetry axis S1 of the cross section is a “symmetric position”, and the two treatment liquid discharge nozzles 20a and 20b are disposed at such positions.
[0025]
Each of the two treatment liquid discharge nozzles 20a and 20b has a plurality of discharge holes formed on the cylindrical surface at regular intervals in one row along the X direction. In each of the two processing liquid discharge nozzles 20a and 20b, the discharge hole is formed toward the center of the bottom of the processing tank 10, and the angle (α) between the line connecting the discharge hole and the cylindrical central axis is in the vertical direction. Are equal.
[0026]
The treatment liquid discharge nozzle 20a (first treatment liquid discharge nozzle) is connected to a supply pipe 25a (first supply pipe) outside the treatment tank 10, and similarly, the treatment liquid discharge nozzle 20b (second treatment liquid discharge nozzle) is It is connected to a supply pipe 25b (second supply pipe) outside the processing tank 10. Then, the supply pipe 25a and the supply pipe 25b merge to form the original pipe 28. The main pipe 28 is connected to a pure water supply source (not shown). The main pipe 28 is also connected to four different chemical liquid supply sources via valves 81, 82, 83, and 84, respectively. The four chemical liquid supply sources may be, for example, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, ammonia water, and hydrogen peroxide water supply sources. It should be noted that the number of chemical solution supply sources can be arbitrary, and the types thereof are of course not limited to those described above.
[0027]
Since the main pipe 28 is connected to the pure water supply source and the chemical solution supply source, both the pure water and the chemical solution can be supplied. For example, if all of the valves 81, 82, 83, 84 are closed, the original pipe 28 can supply pure water. Further, when the valve (not shown) from the chemical solution supply source is closed and the valve 81 is opened, the main pipe 28 can supply, for example, hydrofluoric acid.
[0028]
Further, the main pipe 28 is provided with a total flow rate adjusting valve 33 and a flow meter 34 on the downstream side of the portion into which the chemical solution flows. The total flow rate adjustment valve 33 adjusts the flow rate of the processing liquid that passes through the original pipe 28. The flow meter 34 measures the flow rate of the processing liquid passing through the main pipe 28.
[0029]
The processing liquid that has passed through the original pipe 28 flows into both the supply pipe 25a and the supply pipe 25b. The supply pipe 25a is provided with a flow rate adjusting valve 30a and a flow meter 31a. On the other hand, the supply pipe 25b is provided with a flow rate adjustment valve 30b and a flow meter 31b. The flow rate adjusting valve 30a has a function of adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the supply pipe 25a. The flow meter 31a has a function of measuring the flow rate of the processing liquid passing through the supply pipe 25a. Similarly, the flow rate adjusting valve 30b has a function of adjusting the flow rate of the processing liquid that passes through the feed pipe 25b. The flow meter 31b has a function of measuring the flow rate of the processing liquid that passes through the feed pipe 25b.
[0030]
The flow rate adjusting valve 30a and the flow meter 31a are both electrically connected to the valve drive unit 32a. On the other hand, the flow rate adjusting valve 30b and the flow meter 31b are both electrically connected to the valve drive unit 32b. Further, the total flow rate adjustment valve 33 and the flow meter 34 are both electrically connected to the valve drive unit 35. These valve drive units 32a, 32b, and 35 are electrically connected to the control unit 40.
[0031]
The control unit 40 is configured using a computer, and includes a CPU, a memory, and the like, and gives an instruction to each of the valve drive units 32a, 32b, and 35 based on a predetermined processing program. The valve drive unit 32a opens and closes the flow rate adjustment valve 30a so that the flow rate of the processing liquid passing through the supply pipe 25a becomes the flow rate instructed by the control unit 40. More specifically, when the flow rate of the processing liquid passing through the feed pipe 25a detected by the flow meter 31a is higher than the flow rate instructed by the control unit 40, the valve drive unit 32a causes the flow rate adjustment valve 30a to be more controlled. When the number is small, the valve driving unit 32a is driven to open the flow rate adjusting valve 30a.
[0032]
Similarly, the valve drive unit 32b opens and closes the flow rate adjustment valve 30b so that the flow rate of the processing liquid passing through the supply pipe 25b becomes the flow rate instructed by the control unit 40. That is, when the flow rate of the processing liquid passing through the feed pipe 25b detected by the flow meter 31b is larger than the flow rate instructed by the control unit 40, the valve drive unit 32b is driven to close the flow rate adjustment valve 30b. If the number is small, the valve drive unit 32b drives the flow rate adjustment valve 30b to open more.
[0033]
Further, the valve driving unit 35 opens and closes the total flow rate adjusting valve 33 so that the flow rate of the processing liquid passing through the main pipe 28 becomes the flow rate instructed by the control unit 40. In other words, when the flow rate of the processing liquid passing through the main pipe 28 detected by the flow meter 34 is larger than the flow rate instructed by the control unit 40, the valve drive unit 35 is driven so as to close the total flow rate adjustment valve 33. If the number is small, the valve drive unit 35 drives the total flow rate adjusting valve 33 to open more.
[0034]
An outline of general substrate processing contents in the substrate processing apparatus having the above-described configuration is that cleaning processing with pure water and chemical processing with a chemical solution are alternately performed. More specifically, for example, after a cleaning process is performed by immersing a plurality of substrates W in pure water while storing pure water in the processing tank 10, the chemical liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzles 20 a and 20 b. The chemical treatment is performed by replacing the inside of the treatment tank 10 with the chemical liquid, and then the cleaning treatment is performed by discharging pure water again from the treatment liquid discharge nozzles 20a and 20b and replacing the inside of the treatment tank 10 with pure water. The process is repeated.
[0035]
In the first embodiment, the flow rate adjustment valve 30a corresponds to the first flow rate adjustment unit, the flow rate adjustment valve 30b corresponds to the second flow rate adjustment unit, and the control unit 40 corresponds to the discharge flow rate control unit.
[0036]
By setting it as the above structures, the flow volume of the process liquid discharged in the process tank 10 from each of the process liquid discharge nozzle 20a and the process liquid discharge nozzle 20b can be adjusted arbitrarily. Specifically, the valve drive unit 32a opens and closes the flow rate adjustment valve 30a based on an instruction from the control unit 40, thereby adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the supply pipe 25a and discharging the processing liquid. The treatment liquid discharge flow rate from the nozzle 20a is arbitrarily adjusted. Similarly, the flow rate of the processing liquid passing through the supply pipe 25b is adjusted by the valve driving unit 32b opening and closing the flow rate adjusting valve 30b based on an instruction from the control unit 40, and the processing liquid discharge nozzle 20b. The processing liquid discharge flow rate from is arbitrarily adjusted.
[0037]
That is, the control unit 40 serving as a discharge flow rate control means controls the flow rate adjustment valve 30a and the flow rate adjustment valve 30b individually to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the treatment liquid discharge nozzle 20a and the treatment liquid discharge nozzle 20b. Can do. Therefore, even if the flow rates of the processing liquid flowing into the supply pipe 25a and the supply pipe 25b from the original pipe 28 are different, the processing tank 10 is supplied from each of the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge nozzle 20b. Thus, the flow rate of the processing liquid discharged on the substrate can be set to a predetermined value.
[0038]
In the first embodiment, the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20a and the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20b are made equal. The control unit 40 individually controls the flow rate adjusting valve 30a and the flow rate adjusting valve 30b so that the flow rate of the processing liquid passing through the feed pipe 25a is equal to the flow rate of the processing liquid passing through the feed pipe 25b. The treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20a and the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20b are made equal.
[0039]
FIG. 3 is a diagram illustrating how the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle according to the first embodiment. The processing liquid is discharged from the discharge holes of the processing liquid discharge nozzles 20 a and 20 b toward the center bottom of the processing tank 10. The processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 20b merge in the vicinity of the center bottom of the processing tank 10, and the flow of the combined chemical liquid is substantially along the vertical direction. It rises directly above and eventually circulates in the treatment tank 10.
[0040]
As described above, the two processing liquid discharge nozzles 20 a and 20 b are disposed at symmetrical positions in the processing tank 10. In each of the two treatment liquid discharge nozzles 20a and 20b, the angle formed by the line connecting the discharge hole and the central axis of the cylinder with the vertical direction is equal. Therefore, if the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20a is equal to the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20b, a symmetric flow can be formed in the processing tank 10. Here, the “symmetrical flow” means a flow that is symmetric with respect to the symmetry axis S1 of the cross section having the rotational symmetry of the processing tank 10 as in the “symmetrical position” described above.
[0041]
As described above, if the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20b are equalized to form a symmetrical flow in the processing tank 10, the inside of the processing tank 10 The flow of the treatment liquid can be made uniform, and as a result, the treatment liquid replacement efficiency can be improved. Therefore, for example, when the chemical liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzles 20a and 20b after the cleaning process with pure water, the chemical liquid replacement efficiency in the processing tank 10 is improved, and the chemical liquid concentration as the entire processing tank 10 is short. It becomes uniform over time, and as a result, chemical treatment such as uniform etching can be performed.
[0042]
FIG. 4 is a diagram showing a result when the etching process is performed in the substrate processing apparatus of the first embodiment. The figure shows the in-plane uniformity of the degree to which one substrate W has been removed by the etching process. The uniformity is calculated by the following equation (1).
[0043]
[Expression 1]

[0044]
In Equation 1, “MAX” represents the maximum amount removed by the etching process, “MIN” represents the minimum amount removed by the etching process, and “AVE” represents the average amount removed. A large uniformity value calculated by Equation 1 indicates that the difference between the maximum amount and the minimum amount scraped by the etching process is large, and non-uniform chemical treatment is performed. In other words, the smaller the uniformity value, the more uniform the chemical treatment is performed.
[0045]
In FIG. 4, slot 1, slot 26, and slot 52 indicate substrate positions in a set of substrates W (lots) immersed in the processing bath 10. Specifically, the slot 1 indicates the substrate W on the most distal side (the most (+ X) side in FIG. 1) of the processing liquid discharge nozzles 20a and 20b, and the slot 52 is the side closest to the supply pipes 25a and 25b (see FIG. 1 (most (−X) side) of the substrate W, and the slot 26 indicates the substrate W at an intermediate position thereof. Furthermore, in FIG. 4, the direction without hatching is the result of uniformity in the conventional substrate processing apparatus, and the direction with hatching is the result of uniformity in the substrate processing apparatus of the first embodiment.
[0046]
As is clear from FIG. 4, the uniformity of the etching process by the substrate processing apparatus of this embodiment is smaller than the conventional one regardless of the position of the substrate W in the lot immersed in the processing tank 10. That is, a more uniform etching process is performed.
[0047]
Further, when pure water is discharged from the processing liquid discharge nozzles 20a and 20b after the chemical processing with the chemical liquid, the pure water replacement efficiency in the processing tank 10 is improved, and is the chemical liquid concentration as a whole in the processing tank 10 uniform? One Decrease in a short time, cleaning time The It can be completed in a short time.
[0048]
Further, when the cleaning process of the substrate W is performed, particles drift in the processing tank 10, but if the processing liquid replacement efficiency in the processing tank 10 is improved, the particles in the processing tank 101 in the conventional substrate processing apparatus are changed. Since the particles are completely discharged in a short time, the particle discharge efficiency is also improved.
[0049]
In the substrate processing apparatus of the first embodiment, a total flow rate adjusting valve 33 that adjusts the flow rate of the processing liquid passing through the main pipe 28 is provided. The flow rate of the processing liquid that passes through the main pipe 28 is the sum of the flow rates of the processing liquid discharged from both the processing liquid discharge nozzles 20 a and 20 b, and the total flow rate adjustment valve 33 is processed into the processing tank 10. It has a function to adjust the total flow rate of the liquid. Therefore, by adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the main pipe 28 by the total flow rate adjusting valve 33, the total flow rate of the processing liquid necessary for the processing tank 10 can be easily ensured.
[0050]
<2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The configuration of the substrate processing apparatus of the second embodiment is the same as that of the first embodiment. In the first embodiment, the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20a is equal to the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20b, whereas in the second embodiment, from the treatment liquid discharge nozzle 20a. The processing liquid discharge flow rate and the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20b are periodically changed. That is, the control unit 40 individually controls the flow rate adjustment valve 30a and the flow rate adjustment valve 30b based on a certain pattern, thereby passing the flow rate of the processing liquid passing through the feed pipe 25a and the feed pipe 25b. The flow rate of the processing liquid is changed periodically.
[0051]
FIG. 5 is a diagram showing an opening / closing pattern of the flow rate adjusting valve 30a and the flow rate adjusting valve 30b in the second embodiment. It is assumed that the processing liquid discharge starts from time t0, and at time t0, the control unit 40 opens the flow rate adjustment valve 30a and closes the flow rate adjustment valve 30b. Next, at time t1, the control unit 40 closes the flow rate adjustment valve 30a and opens the flow rate adjustment valve 30b. Thereafter, the same opening and closing is repeated, the flow rate adjustment valve 30a is opened and the flow rate adjustment valve 30b is closed at each of the times t2, t4, and t6, and the flow rate adjustment valve 30a is opened at each of the times t3, t5, and t7. While being closed, the flow rate adjusting valve 30b is opened. Note that the time interval from one open / close switching time to the next open / close switching time is always constant (T1).
[0052]
According to the open / close pattern shown in FIG. 5, since only the flow rate adjustment valve 30a is opened and the flow rate adjustment valve 30b is closed between the time t0 and the time t1, the predetermined discharge flow rate FL only from the processing liquid discharge nozzle 20a. Then, the processing liquid is discharged, and the processing liquid discharge from the processing liquid discharge nozzle 20b is stopped. On the other hand, from time t1 to time t2, only the flow rate adjustment valve 30b is opened and the flow rate adjustment valve 30a is closed, so that the processing liquid is discharged only at the predetermined discharge flow rate FL from the processing liquid discharge nozzle 20b. Discharge of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 20a is stopped. Thereafter, the same treatment liquid discharge pattern is repeated.
[0053]
That is, after the treatment liquid discharge from the treatment liquid discharge nozzle 20b is stopped and the treatment liquid discharge is performed from the treatment liquid discharge nozzle 20a for a predetermined time (T1) at a predetermined discharge flow rate (FL), the treatment liquid discharge nozzle 20a is performed. The controller 40 causes the flow rate adjusting valve 30a to repeatedly stop the processing liquid discharge from the processing liquid and to repeatedly discharge the processing liquid for the predetermined time (T1) at the predetermined discharge flow rate (FL) from the processing liquid discharge nozzle 20b. And controls the flow rate adjusting valve 30b.
[0054]
Thus, in the second embodiment, the processing liquid discharge flow rate discharged from the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge flow rate discharged from the processing liquid discharge nozzle 20b are the same in different phases by a half cycle (half wavelength). The control unit 40 controls the flow rate adjusting valve 30a and the flow rate adjusting valve 30b so as to periodically change in the pattern. Accordingly, since the processing liquid is discharged only from either the processing liquid discharge nozzle 20a or the processing liquid discharge nozzle 20b at a certain point in time, the flow of the processing liquid in the processing tank 10 is not uniform. In the entire cycle (T2) of the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valves 30a and 30b, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge nozzle 20b for the same time at the same discharge flow rate. As a whole, the flow of the processing liquid in the processing tank 10 becomes uniform. In particular, since the stirring effect in the processing tank 10 is obtained by switching the processing liquid discharge mode, there is no slight stagnation, and the flow of the processing liquid as a whole in the processing tank 10 becomes uniform.
[0055]
As a result, as in the first embodiment, uniform chemical treatment can be performed, cleaning time can be shortened, and particle discharge efficiency can be improved.
[0056]
<3. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above examples. For example, the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valves 30a, 30b in the second embodiment is not limited to the form shown in FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating another example of the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valves 30a and 30b.
[0057]
In the open / close pattern shown in FIG. 6, since only the flow rate adjustment valve 30a is opened and the flow rate adjustment valve 30b is closed between time t0 and time t1, only the treatment liquid discharge nozzle 20a has a predetermined discharge flow rate FL. The processing liquid is discharged, and the processing liquid discharge from the processing liquid discharge nozzle 20b is stopped. Next, from time t1 to time t2, only the flow rate adjustment valve 30b is opened and the flow rate adjustment valve 30a is closed, so that the processing liquid is discharged at a predetermined discharge flow rate FL only from the processing liquid discharge nozzle 20b. The process liquid discharge from the process liquid discharge nozzle 20a is stopped. Thereafter, both the flow rate adjusting valves 30a and 30b are closed between time t2 and time t3, and all the processing liquid discharge is stopped, and both the flow rate adjusting valves 30a and 30b are only half from time t3 to time t4. As a result, the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20a is made equal to the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20b. Thereafter, the same treatment liquid discharge pattern is repeated.
[0058]
That is, after the treatment liquid discharge from the treatment liquid discharge nozzle 20b is stopped and the treatment liquid discharge is performed from the treatment liquid discharge nozzle 20a for a predetermined time (T1) at a predetermined discharge flow rate (FL), the treatment liquid discharge nozzle 20a is performed. After the processing liquid discharge from the processing liquid is stopped and the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 20b at the predetermined discharge flow rate (FL) for the predetermined time (T1), the processing liquid is further discharged for the predetermined time (T1). The controller 40 controls the flow rate adjustment valve 30a and the flow rate adjustment valve 30b so that the treatment liquid discharge flow rate (FL / 2) from the discharge nozzle 20a and the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20b are repeated. To do.
[0059]
In this way, in one cycle (T3) of the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valves 30a and 30b, the processing liquid is discharged at the same discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge nozzle 20b for the same time. As a result, the flow of the processing liquid in the processing tank 10 becomes uniform as a whole. Moreover, since the stirring effect in the processing tank 10 is obtained by switching the processing liquid discharge mode as in the second embodiment, there is no slight stagnation, and the processing liquid as a whole in the processing tank 10 does not exist. The flow becomes uniform.
[0060]
Further, the open / close pattern of the flow rate adjusting valves 30a, 30b may be as shown in FIG. In the open / close pattern shown in FIG. 7, between time t0 and time t1, the flow rate adjustment valve 30a is gradually opened, while the flow rate adjustment valve 30b is gradually closed. Next, between time t1 and time t2, the flow rate adjustment valve 30a is gradually closed, while the flow rate adjustment valve 30b is gradually opened. Thereafter, the same treatment liquid discharge pattern is repeated.
[0061]
That is, after continuously increasing the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20a and continuously decreasing the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20b, the processing liquid discharge from the processing liquid discharge nozzle 20a is performed. The process liquid discharge flow rate from the process liquid discharge nozzle 20a and the process liquid discharge nozzle 20b are repeatedly increased and the process liquid discharge flow rate from the process liquid discharge nozzle 20b is continuously increased. The control unit 40 controls the flow rate adjustment valve 30a and the flow rate adjustment valve 30b so that the total sum with the liquid discharge flow rate is always constant.
[0062]
Even in this manner, the processing liquid is discharged at the same discharge flow rate from each of the processing liquid discharge nozzle 20a and the processing liquid discharge nozzle 20b in one cycle (T2) of the open / close pattern of the flow rate adjusting valves 30a and 30b. Therefore, the flow of the processing liquid in the processing tank 10 becomes uniform as a whole. Moreover, since the stirring effect in the processing tank 10 is obtained by switching the processing liquid discharge mode as in the second embodiment, there is no slight stagnation, and the processing liquid as a whole in the processing tank 10 does not exist. The flow becomes uniform.
[0063]
In other words, the flow rate adjusting valves 30a and 30b are configured so that the flow formed in the processing tank 10 by the processing liquid discharged from each of the two processing liquid discharge nozzles 20a and 20b is uniform in a predetermined time width. An open / close pattern can be employed. In the first embodiment, both the flow rate adjustment valves 30a and 30b are opened to be constant so that the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20a is equal to the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle 20b. It can be regarded as a kind of opening / closing pattern of the flow rate adjusting valves 30a, 30b.
[0064]
In each of the above embodiments, the control unit 40 automatically controls the flow rate adjusting valves 30a and 30b via the valve drive units 32a and 32b. However, the operator of the apparatus controls the flow meters 31a and 31b. The flow rate adjusting valves 30a and 30b may be manually opened and closed while visually confirming. Even in this case, if the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20a is equal to the processing liquid discharge flow rate from the processing liquid discharge nozzle 20b, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
[0065]
Further, in each of the above embodiments, the substrate processing apparatus according to the present invention has been described as a so-called one-bus type apparatus, but the present invention is not limited to this, and the technology according to the present invention is a so-called multi-tank apparatus. It can also be applied. The multi-tank type substrate processing apparatus is provided with a chemical tank for storing only a chemical liquid and a washing tank for storing only pure water, and the liquid is exchanged when a new lot is processed in each tank. At this time, if the technique according to the present invention is applied, the liquid replacement efficiency in the tank is improved, so that the liquid can be exchanged quickly and the throughput is improved. In addition, the particle discharge efficiency is improved as described above.
[0066]
【The invention's effect】
As described above, according to the invention of claim 1, Discharging the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and discharging the processing liquid from the first processing liquid discharge nozzle at a predetermined discharge flow rate for a predetermined time, and then discharging the processing liquid from the first processing liquid discharge nozzle And the discharge flow rate control means controls the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means so as to repeat the discharge of the treatment liquid for the predetermined time at the predetermined discharge flow rate from the second treatment liquid discharge nozzle. Therefore, in the entire period of the repetition, A uniform treatment liquid flow can be formed in the treatment tank.
[0067]
According to the invention of claim 2, Discharging the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and discharging the processing liquid from the first processing liquid discharge nozzle at a predetermined discharge flow rate for a predetermined time, and then discharging the processing liquid from the first processing liquid discharge nozzle And the second processing liquid discharge nozzle discharges the processing liquid for the predetermined time at the predetermined discharge flow rate, and then the processing liquid discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle for the predetermined time and the second time. Since the discharge flow rate control unit controls the first flow rate adjustment unit and the second flow rate adjustment unit so as to repeat that the treatment liquid discharge flow rate from the treatment liquid discharge nozzle becomes equal, the process is performed in the entire repetition cycle. A uniform treatment liquid flow can be formed in the tank. .
[0071]
Claims 3 According to the invention, since the first supply pipe and the second supply pipe are provided in the original pipe and provided with the total flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of the processing liquid passing through the original pipe, The total flow rate of the necessary treatment liquid can be easily ensured.
[0073]
Claims 4 According to the invention, the processing tank for storing the processing liquid, the two processing liquid discharge nozzles that are provided at symmetrical positions in the processing tank and each discharge the processing liquid, and the two processing liquid discharge nozzles, respectively. Means for periodically changing the processing liquid discharge flow rate discharged from the liquid in a uniform pattern, so that a uniform flow of the processing liquid is formed in the processing tank over the entire period of the cyclic change. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
FIG. 3 is a diagram showing a state of processing liquid discharge from a processing liquid discharge nozzle in the first embodiment.
FIG. 4 is a view showing a result when an etching process is performed in the substrate processing apparatus of the first embodiment.
FIG. 5 is a view showing an opening / closing pattern of a flow rate adjusting valve in a second embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing another example of the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valve.
FIG. 7 is a view showing another example of the opening / closing pattern of the flow rate adjusting valve.
FIG. 8 is a diagram showing how a processing liquid is discharged from a discharge nozzle in a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
10 treatment tank
20a, 20b Processing liquid discharge nozzle
25a, 25b Supply piping
28 original piping
30a, 30b Flow rate adjustment valve
33 Total flow control valve
32a, 32b, 35 Valve drive
40 Control unit
W substrate

Claims (4)

処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルと、
前記第１処理液吐出ノズルに処理液を送給する第１送給配管に設けられ、前記第１送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第１流量調整手段と、
前記第２処理液吐出ノズルに処理液を送給する第２送給配管に設けられ、前記第２送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第２流量調整手段と、
前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を個別に制御して前記第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、
を備え、
前記吐出流量制御手段は、前記第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第１処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第２処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせることを繰り返すように前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を制御することを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A first treatment liquid discharge nozzle and a second treatment liquid discharge nozzle which are provided at symmetrical positions in the treatment tank and each discharge a treatment liquid;
A first flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a first feeding pipe that feeds the processing liquid to the first processing liquid discharge nozzle and that passes through the first feeding pipe;
A second flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a second feeding pipe that feeds the processing liquid to the second processing liquid discharge nozzle and that passes through the second feeding pipe;
A discharge flow rate control means for individually controlling the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the first treatment liquid discharge nozzle and the second treatment liquid discharge nozzle;
With
The discharge flow rate control means stops the discharge of the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and discharges the processing liquid for a predetermined time at a predetermined discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle. The first flow rate adjusting means and the first flow rate adjusting means so as to repeatedly stop the processing liquid discharge from the one processing liquid discharge nozzle and cause the second processing liquid discharge nozzle to discharge the processing liquid for the predetermined time at the predetermined discharge flow rate. A substrate processing apparatus for controlling the second flow rate adjusting means . 処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルと、
前記第１処理液吐出ノズルに処理液を送給する第１送給配管に設けられ、前記第１送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第１流量調整手段と、
前記第２処理液吐出ノズルに処理液を送給する第２送給配管に設けられ、前記第２送給配管内を通過する処理液の流量を調整する第２流量調整手段と、
前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を個別に制御して前記第１処理液吐出ノズルおよび第２処理液吐出ノズルのそれぞれからの処理液吐出流量を調整する吐出流量制御手段と、
を備え、
前記吐出流量制御手段は、前記第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第１処理液吐出ノズルから所定吐出流量にて所定時間の処理液吐出を行わせた後、前記第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出を停止するとともに前記第２処理液吐出ノズルから前記所定吐出流量にて前記所定時間の処理液吐出を行わせた後、さらに前記所定時間の前記第１処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量と前記第２処理液吐出ノズルからの処理液吐出流量とが等しくなることを繰り返すように前記第１流量調整手段および第２流量調整手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A first treatment liquid discharge nozzle and a second treatment liquid discharge nozzle which are provided at symmetrical positions in the treatment tank and each discharge a treatment liquid;
A first flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a first feeding pipe that feeds the processing liquid to the first processing liquid discharge nozzle and that passes through the first feeding pipe;
A second flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of the processing liquid that is provided in a second feeding pipe that feeds the processing liquid to the second processing liquid discharge nozzle and that passes through the second feeding pipe;
A discharge flow rate control means for individually controlling the first flow rate adjustment means and the second flow rate adjustment means to adjust the treatment liquid discharge flow rate from each of the first treatment liquid discharge nozzle and the second treatment liquid discharge nozzle ;
With
The discharge flow rate control means stops the discharge of the processing liquid from the second processing liquid discharge nozzle and discharges the processing liquid for a predetermined time at a predetermined discharge flow rate from the first processing liquid discharge nozzle. After stopping the processing liquid discharge from the one processing liquid discharge nozzle and discharging the processing liquid for the predetermined time at the predetermined discharge flow rate from the second processing liquid discharge nozzle, the first processing for the predetermined time is further performed. The first flow rate adjusting unit and the second flow rate adjusting unit are controlled so as to repeatedly make the processing liquid discharge flow rate from the liquid discharge nozzle equal to the processing liquid discharge flow rate from the second processing liquid discharge nozzle. A substrate processing apparatus. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第１送給配管および第２送給配管が合流した元配管に設けられ、前記元配管内を通過する処理液の流量を調整する総流量調整手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2 ,
A substrate processing apparatus , further comprising a total flow rate adjusting unit that is provided in an original pipe where the first supply pipe and the second supply pipe are merged, and adjusts a flow rate of a processing liquid that passes through the original pipe. . 処理液中に複数の基板を浸漬することによって基板処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の対称位置に設けられ、それぞれが処理液を吐出する２本の処理液吐出ノズルと、
前記２本の処理液吐出ノズルのそれぞれから吐出される処理液吐出流量を同一のパター ンにて周期的に変化させる手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing substrate processing by immersing a plurality of substrates in a processing solution,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
Two processing liquid discharge nozzles provided at symmetrical positions in the processing tank, each discharging a processing liquid;
Means for periodically changing the processing liquid discharge flow discharged from each of the two processing liquid discharge nozzle in the same pattern,
A substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a.

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