JP3737446B2

JP3737446B2 - Microwave high power amplifier circuit

Info

Publication number: JP3737446B2
Application number: JP2002108065A
Authority: JP
Inventors: 秀史繁昌
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2002-04-10
Filing date: 2002-04-10
Publication date: 2006-01-18
Anticipated expiration: 2022-04-10
Also published as: JP2003304130A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、内部電界の影響でマイクロ波増幅回路のＲＦ特性が変化しにくくするとともに、検波モニタ回路や温度モニタ回路も近くに実装性できるマイクロ波大電力増幅回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図７は、従来のマイクロ波増幅回路の一例を示す斜視図であり、図７において、１はトランジスタであり、２は誘電体基板であり、５はＤＣカット用高周波チップコンデンサであり、６はバイアス用チップコンデンサであり、７はＲＦ終端器であり、１５はインタディジタルタイプの分配合成回路である。トランジスタ１、誘電体基板２、ＤＣカット用高周波チップコンデンサ５、バイアス用チップコンデンサ６、ＲＦ終端器７、およびインタディジタルタイプの分配合成回路１５が、互いに連結するように接続して成るたとえばケース表面に実装されて、全体としてマイクロ波増幅回路を構成している。
【０００３】
図８は従来のマイクロ波増幅回路の一例を示す断面図である。図８において、３はケースであり、９はカバーであり、２０は大容量のコンデンサである。
【０００４】
次に、動作について説明する。
図８に示すように、大容量のコンデンサ２０がコレクタ−ＧＮＤ間（あるいはドレイン−ＧＮＤ間、エミッタ−ＧＮＤ間）に接続されている。大容量のコンデンサ２０はトランジスタ１へ電流の立上がり時間の遅れを軽減するために接続されている。
【０００５】
図８に示すように、従来のマイクロ波大電力増幅回路はバイアス−ＧＮＤ間に大容量のコンデンサ２０を直接半田付けして取付けており、内部の電界の影響を受けやすく、カバー９をかぶせると取り付け位置によってはＲＦ特性が変化する。また、検波モニタ回路や温度モニタ回路はＲＦの影響を受けるため、シールドが必要となり近くに実装しにくい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマイクロ波大電力増幅回路は以上のように構成されているので、ＲＦ特性が変化する、および検波モニタ回路や温度モニタ回路を近くに実装しにくいという課題があった。
【０００７】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、内部電界の影響でマイクロ波増幅回路のＲＦ特性が変化しにくくするとともに、検波モニタ回路や温度モニタ回路も近くに実装性できるマイクロ波大電力増幅回路を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るマイクロ波大電力増幅回路は、全面にＧＮＤのパターンが形成された下層の導体層と、コンデンサバンクが配置される上層の導体層と、下層の導体層と上層の導体層とを電気的に絶縁する誘電体層とを備えた多層基板と、多層基板を収容するとともに多層基板によって分割される２つの空間を形成するカバーおよびケースと、多層基板の下部の空間に設けられた増幅素子であるトランジスタとを有するものである。
【００１１】
この発明に係るマイクロ波大電力増幅回路は、ケース内の４分の１波長の位置でＧＮＤに接続された金属ポストをさらに有するものである。
【００１２】
この発明に係るマイクロ波大電力増幅回路は、上層の導体層に金属ポストに共締めされて取り付けられた温度モニタセンサが実装されているものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態１を示す断面図である。図１において、１はトランジスタであり、２は誘電体基板であり、３はケースであり、４はコンデンサであり、８は多層基板であり、９はカバーであり、１０はリード線である。コンデンサ４は多層基板８の上に実装されている。リード線１０は多層基板８とトランジスタ１のバイアスパターンを有する誘電体基板２とを接続している。
【００１４】
図２はこの発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態１の多層基板部分を示す斜視図であり、図２において、１２はスルーホールである。多層基板８のうちケース３に接触する部分にはスルーホール１２が設けられていてＧＮＤに落としている。
【００１５】
図３はこの発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態１の多層基板８の層構成を示す断面図である。図３において、１３ａ〜１３ｄは導体層であり、１４ａ〜１４ｃは誘電体層である。１層目の導体層１３ａはＶ_d1およびＶ_d2とＧＮＤ（またはＳＧ：ＳｉｇｎａｌＧｒｏｕｎｄ）のパターンを有する。２層目の導体層１３ｂはＧＮＤのパターン（Ｖ_d2に対応するスルーホールを含む）を有する。３層目の導体層１３ｃはＶ_d2（またはＳＧ）のパターンを有する。４層目の導体層１３ｄは全面にＧＮＤのパターンを有する。電圧および電流はリード線１０を通って誘電体基板２のパターンに接続されトランジスタ１に供給される。
【００１６】
多層基板８の下面（４層目の導体層１３ｄ）の全面のＧＮＤによって電界的に分割された（絶縁された）２つの空間が形成されるだけでなく、トランジスタ１の上の空間に異物が存在しないのでＲＦ的に影響を受けにくい実装状態がつくれる。また、３層目の導体層１３ｃに形成されたＶ_d2（またはＳＧ）のパターンが２層目の導体層１３ｂに形成されたＧＮＤのパターンと４層目の導体層１３ｄの全面のＧＮＤのパターンで挟まれているので、大電流を流すＶ_d2のパターンを太くすることができ、Ｌ成分（インダクタンス）を低減することができる。
【００１７】
以上のように、この実施の形態１のマイクロ波大電力増幅回路は、全面にＧＮＤのパターンが形成された下層の導体層１３ｄと、コンデンサ４が配置される上層の導体層１３ａと、下層の導体層１３ｄと上層の導体層１３ａとを電気的に絶縁する誘電体層１４ａ〜１４ｃとを備えた多層基板８と、多層基板８を収容するとともに多層基板８によって分割される２つの空間を形成するカバー９およびケース３とを有するものである。
【００１８】
以上のように、この実施の形態１によれば、多層基板８のＧＮＤ面を用いてケース内を上部と下部の２つの空間に分割したので、下部の回路要素は上部の影響を受けにくくでき、マイクロ波増幅回路のＲＦ特性バラツキが低減できる効果が得られる。
【００１９】
実施の形態２．
図４はこの発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態２および実施の形態３を示す平面図であり、図４において、１６は温度モニタ回路であり、１７は検波モニタ回路であり、１８はコンデンサバンクであり、図２に示した実施の形態１のスルーホール１２で囲まれた部分の構成に相当する。多層基板８には、コンデンサバンク１８に加えて温度モニタ回路１６が設けられている。
【００２０】
この実施の形態２は、実施の形態１のマイクロ波増幅回路に温度モニタ回路１６を付加したものである。
【００２１】
次に動作について説明する。
この実施の形態２のマイクロ波増幅回路は実施の形態１のマイクロ波増幅回路に温度モニタ回路１６を付加したものであり、多層基板８に設けられた温度モニタ回路１６はＲＦの影響を受けにくくなる。その他の動作については実施の形態１と同様である。
【００２２】
以上のように、この実施の形態２のマイクロ波大電力増幅回路は、全面にＧＮＤのパターンが形成された下層の導体層１３ｄと、コンデンサ４が配置される上層の導体層１３ａと、下層の導体層１３ｄと上層の導体層１３ａとを電気的に絶縁する誘電体層１４ａ〜１４ｃとを備えた多層基板８と、多層基板８を収容するとともに多層基板８によって分割される２つの空間を形成するカバー９およびケース３とを有し、上層の導体層１３ａに温度モニタ回路１６が実装されているものである。
【００２３】
以上のように、この実施の形態２によれば、多層基板に温度モニタ回路を実装したので、ＲＦの影響を受けにくい温度モニタができる効果が得られる。
【００２４】
実施の形態３．
図４はこの発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態２および実施の形態３を示す平面図である。図４において、１６は温度モニタ回路であり、１７は検波モニタ回路であり、１８はコンデンサバンクであり、図２に示した実施の形態１のスルーホール１２で囲まれた部分の構成に相当する。多層基板８には、コンデンサバンク１８に加えて検波モニタ回路１７が設けられている。
【００２５】
この実施の形態３は、実施の形態１のマイクロ波増幅回路に検波モニタ回路１７を付加したものである。
【００２６】
次に動作について説明する。
この実施の形態３のマイクロ波増幅回路は実施の形態１のマイクロ波増幅回路に検波モニタ回路１７を付加したものであり、多層基板８に設けられた検波モニタ回路はＲＦの影響を受けにくくなる。その他の動作については実施の形態１と同様である。
【００２７】
以上のように、この実施の形態３のマイクロ波大電力増幅回路は、全面にＧＮＤのパターンが形成された下層の導体層１３ｄと、コンデンサバンク４が配置される上層の導体層１３ａと、下層の導体層１３ｄと上層の導体層３ａとを電気的に絶縁する誘電体層１４ａ〜１４ｃとを備えた多層基板８と、多層基板８を収容するとともに多層基板８によって分割される２つの空間を形成するカバー９およびケース３とを有し、上層の導体層１３ａに検波モニタ回路１７が実装されているものである。
【００２８】
以上のように、この実施の形態３によれば、多層基板に温度モニタ回路を実装したので、ＲＦの影響を受けにくい検波モニタができる効果が得られる。
【００２９】
実施の形態４．
図５はこの発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態４および実施の形態５を示す断面図であり、図６は、この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態４のポスト位置イメージを示す斜視図である。図５および図６において、１９は金属ポストであり、２１は温度モニタセンサである。図１と同一の符号は同一または等価の構成要素を示している。
【００３０】
次に動作について説明する。
この実施の形態４のマイクロ波増幅回路は実施の形態１のマイクロ波増幅回路に金属ポスト１９を付加したものである。金属ポスト１９はケース３内の４分の１波長の位置に設けられていてＧＮＤに接続されている。この金属ポスト１９によって、ケース３内の回路要素への電界の影響が安定化される。その他の動作については実施の形態１と同様である。
【００３１】
以上のように、この実施の形態４のマイクロ波大電力増幅回路は、全面にＧＮＤのパターンが形成された下層の導体層１３ｄと、コンデンサ４が配置される上層の導体層１３ａと、下層の導体層１３ｄと上層の導体層１３ａとを電気的に絶縁する誘電体層１４ａ〜１４ｃとを備えた多層基板８と、多層基板８を収容するとともに多層基板８によって分割される２つの空間を形成するカバー９およびケース３と、ケース３内の４分の１波長の位置でＧＮＤに接続された金属ポスト１９とを有するものである。
【００３２】
以上のように、この実施の形態４によれば、ケース内の４分の１波長の位置を金属ポストでＧＮＤに落としたので、電界の影響を受けやすいケース内の回路要素の安定化をはかれる効果が得られる。
【００３３】
実施の形態５．
図５はこの発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態４および実施の形態５を示す断面図であり、図６は、この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態４のポスト位置イメージを示す斜視図である。図５および図６において、１９は金属ポストであり、２１は温度モニタセンサである。図１と同一の符号は同一または等価の構成要素を示している。
【００３４】
次に動作について説明する。
この実施の形態５のマイクロ波増幅回路は実施の形態１のマイクロ波増幅回路に金属ポスト１９を付加し、金属ポスト１９に温度モニタセンサ２１を共締めしたものである。温度モニタセンサ２１を金属ポストに共締めすることにより、温度モニタセンサ２１が電界およびＲＦの影響を受けにくくなる。その他の動作は、実施の形態１および実施の形態４と同様である。
【００３５】
以上のように、この実施の形態５のマイクロ波大電力増幅回路は、全面にＧＮＤのパターンが形成された下層の導体層１３ｄと、コンデンサ４が配置される上層の導体層１３ａと、下層の導体層１３ｄと上層の導体層１３ａとを電気的に絶縁する誘電体層１４ａ〜１４ｃとを備えた多層基板８と、多層基板８を収容するとともに多層基板８によって分割される２つの空間を形成するカバー９およびケース３と、ケース３内の４分の１波長の位置でＧＮＤに接続された金属ポスト１９とを有し、上層の導体層１３ａに金属ポスト１９に共締めされて取り付けられた温度モニタセンサ２１が実装されているものである。
【００３６】
以上のように、この実施の形態５によれば、ケース内の４分の１波長の位置でＧＮＤに落とした金属ポストにトランジスタのフランジ温度をモニタするための温度モニタを共締めしたので、温度モニタが電界やＲＦの影響を受けにくくできる効果が得られる。
【００３７】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、多層基板のＧＮＤ面を用いてケース内を上部と下部の２つの空間に分割し、多層基板の下部の空間に設けられた増幅素子であるトランジスタとを設けたので、下部の回路要素は上部の影響を受けにくくでき、マイクロ波増幅回路のＲＦ特性バラツキが低減できる効果がある。
【００４０】
この発明によれば、ケース内の４分の１波長の位置を金属ポストでＧＮＤに落としたので、電界の影響を受けやすいケース内の回路要素の安定化をはかれる効果がある。
【００４１】
この発明によれば、ケース内の４分の１波長の位置でＧＮＤに落とした金属ポストにトランジスタのフランジ温度をモニタするための温度モニタを共締めしたので、温度モニタが電界やＲＦの影響を受けにくくできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態１を示す断面図である。
【図２】この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態１の多層基板部分を示す斜視図である。
【図３】この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態１の多層基板の層構成を示す断面図である。
【図４】この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態２および実施の形態３を示す平面図である。
【図５】この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態４および実施の形態５を示す断面図である。
【図６】この発明によるマイクロ波増幅回路の実施の形態４のポスト位置イメージを示す斜視図である。
【図７】従来のマイクロ波増幅回路の一例を示す斜視図である。
【図８】従来のマイクロ波増幅回路の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１トランジスタ、２誘電体基板、３ケース、４コンデンサ、５ＤＣカット用高周波チップコンデンサ、６バイアス用チップコンデンサ、７ＲＦ終端器、８多層基板、９カバー、１０リード線、１１ケース壁、１２スルーホール、１３ａ〜１３ｄ導体層、１４ａ〜１４ｃ誘電体層、１５分配合成回路、１６温度モニタ回路、１７検波モニタ回路、１８コンデンサバンク、１９金属ポスト、２０コンデンサ、２１温度モニタセンサ。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a microwave high-power amplifier circuit that makes it difficult for the RF characteristics of a microwave amplifier circuit to change due to the influence of an internal electric field, and that can be mounted close to a detection monitor circuit and a temperature monitor circuit.
[0002]
[Prior art]
FIG. 7 is a perspective view showing an example of a conventional microwave amplifier circuit. In FIG. 7, 1 is a transistor, 2 is a dielectric substrate, 5 is a high frequency chip capacitor for DC cut, and 6 is A bias chip capacitor, 7 is an RF terminator, and 15 is an interdigital type distribution and synthesis circuit. For example, a case surface formed by connecting a transistor 1, a dielectric substrate 2, a DC cut high frequency chip capacitor 5, a bias chip capacitor 6, an RF terminator 7, and an interdigital distribution / synthesis circuit 15. The microwave amplifying circuit is configured as a whole.
[0003]
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a conventional microwave amplifier circuit. In FIG. 8, 3 is a case, 9 is a cover, and 20 is a large-capacity capacitor.
[0004]
Next, the operation will be described.
As shown in FIG. 8, a large-capacitance capacitor 20 is connected between the collector and GND (or between the drain and GND or between the emitter and GND). A large-capacitance capacitor 20 is connected to the transistor 1 in order to reduce the delay in the rise time of the current.
[0005]
As shown in FIG. 8, in the conventional microwave high power amplifier circuit, a large-capacitance capacitor 20 is directly soldered between a bias and a GND, and is easily affected by an internal electric field. The RF characteristics change depending on the mounting position. Further, since the detection monitor circuit and the temperature monitor circuit are affected by RF, a shield is required and it is difficult to mount them nearby.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Since the conventional microwave high power amplifier circuit is configured as described above, there are problems that the RF characteristics change and that it is difficult to mount a detection monitor circuit and a temperature monitor circuit nearby.
[0007]
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and makes it difficult for the RF characteristics of the microwave amplifier circuit to change due to the influence of the internal electric field, and the detection monitor circuit and the temperature monitor circuit can be mounted in the vicinity. An object is to obtain a microwave high power amplifier circuit.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
A microwave high power amplifier circuit according to the present invention includes a lower conductor layer having a GND pattern formed on the entire surface, an upper conductor layer in which a capacitor bank is disposed, a lower conductor layer, and an upper conductor layer. A multilayer substrate having an electrically insulating dielectric layer, a cover and a case for accommodating the multilayer substrate and forming two spaces divided by the multilayer substrate, and an amplification provided in a lower space of the multilayer substrate And a transistor which is an element .
[0011]
The microwave high power amplifier circuit according to the present invention further includes a metal post connected to the GND at a quarter wavelength position in the case.
[0012]
In the microwave high power amplifier circuit according to the present invention, a temperature monitor sensor is mounted on an upper conductor layer and fastened together with a metal post.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below.
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a microwave amplifier circuit according to the present invention. In FIG. 1, 1 is a transistor, 2 is a dielectric substrate, 3 is a case, 4 is a capacitor, 8 is a multilayer substrate, 9 is a cover, and 10 is a lead wire. The capacitor 4 is mounted on the multilayer substrate 8. The lead wire 10 connects the multilayer substrate 8 and the dielectric substrate 2 having the bias pattern of the transistor 1.
[0014]
FIG. 2 is a perspective view showing a multilayer substrate portion of Embodiment 1 of the microwave amplifier circuit according to the present invention. In FIG. 2, 12 is a through hole. A through hole 12 is provided in a portion of the multilayer substrate 8 that contacts the case 3 and is dropped to GND.
[0015]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the layer structure of the multilayer substrate 8 of the first embodiment of the microwave amplifier circuit according to the present invention. In FIG. 3, 13a to 13d are conductor layers, and 14a to 14c are dielectric layers. The first conductor layer 13a has a pattern of V _d1, V _d2, and GND (or SG: Signal Ground). The second conductor layer 13b has a GND pattern (including a through hole corresponding to V _d2 ). The third conductor layer 13c has a pattern of V _d2 (or SG). The fourth conductor layer 13d has a GND pattern on the entire surface. The voltage and current are connected to the pattern of the dielectric substrate 2 through the lead wire 10 and supplied to the transistor 1.
[0016]
In addition to the formation of two spaces that are electrically divided (insulated) by the GND on the entire lower surface of the multilayer substrate 8 (fourth conductor layer 13d), foreign matter is generated in the space above the transistor 1. Since it does not exist, it is possible to create a mounting state that is hardly affected by RF. Also, the V _d2 (or SG) pattern formed on the third conductor layer 13c is the GND pattern formed on the second conductor layer 13b and the GND pattern on the entire surface of the fourth conductor layer 13d. Therefore, the V _d2 pattern through which a large current flows can be thickened, and the L component (inductance) can be reduced.
[0017]
As described above, the microwave high-power amplifier circuit according to the first embodiment includes the lower conductor layer 13d having the GND pattern formed on the entire surface, the upper conductor layer 13a on which the capacitor 4 is disposed, and the lower layer conductor layer 13a. A multilayer substrate 8 having dielectric layers 14a to 14c that electrically insulate the conductor layer 13d from the upper conductor layer 13a, and two spaces that accommodate the multilayer substrate 8 and are divided by the multilayer substrate 8 are formed. The cover 9 and the case 3 are provided.
[0018]
As described above, according to the first embodiment, since the inside of the case is divided into the upper and lower spaces using the GND surface of the multilayer substrate 8, the lower circuit elements can be hardly affected by the upper portion. Thus, the effect of reducing variation in the RF characteristics of the microwave amplifier circuit can be obtained.
[0019]
Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 is a plan view showing the second and third embodiments of the microwave amplifier circuit according to the present invention. In FIG. 4, 16 is a temperature monitor circuit, 17 is a detection monitor circuit, and 18 is a capacitor. The bank corresponds to the configuration of the portion surrounded by the through hole 12 of the first embodiment shown in FIG. The multilayer substrate 8 is provided with a temperature monitor circuit 16 in addition to the capacitor bank 18.
[0020]
In the second embodiment, a temperature monitor circuit 16 is added to the microwave amplifier circuit of the first embodiment.
[0021]
Next, the operation will be described.
The microwave amplifier circuit according to the second embodiment is obtained by adding a temperature monitor circuit 16 to the microwave amplifier circuit according to the first embodiment. The temperature monitor circuit 16 provided on the multilayer substrate 8 is not easily affected by RF. Become. Other operations are the same as those in the first embodiment.
[0022]
As described above, the microwave high power amplifier circuit according to the second embodiment includes the lower conductor layer 13d having the GND pattern formed on the entire surface, the upper conductor layer 13a on which the capacitor 4 is disposed, and the lower conductor layer 13a. A multilayer substrate 8 having dielectric layers 14a to 14c that electrically insulate the conductor layer 13d from the upper conductor layer 13a, and two spaces that accommodate the multilayer substrate 8 and are divided by the multilayer substrate 8 are formed. The temperature monitor circuit 16 is mounted on the upper conductor layer 13a.
[0023]
As described above, according to the second embodiment, since the temperature monitor circuit is mounted on the multilayer substrate, an effect of enabling temperature monitoring that is hardly affected by RF can be obtained.
[0024]
Embodiment 3 FIG.
FIG. 4 is a plan view showing Embodiment 2 and Embodiment 3 of the microwave amplifier circuit according to the present invention. In FIG. 4, 16 is a temperature monitor circuit, 17 is a detection monitor circuit, and 18 is a capacitor bank, which corresponds to the configuration surrounded by the through-hole 12 of the first embodiment shown in FIG. . The multilayer substrate 8 is provided with a detection monitor circuit 17 in addition to the capacitor bank 18.
[0025]
In the third embodiment, a detection monitor circuit 17 is added to the microwave amplifier circuit of the first embodiment.
[0026]
Next, the operation will be described.
The microwave amplifier circuit according to the third embodiment is obtained by adding a detection monitor circuit 17 to the microwave amplifier circuit according to the first embodiment, and the detection monitor circuit provided on the multilayer substrate 8 is less susceptible to RF. . Other operations are the same as those in the first embodiment.
[0027]
As described above, the microwave high power amplifier circuit according to the third embodiment includes a lower conductor layer 13d having a GND pattern formed on the entire surface, an upper conductor layer 13a on which the capacitor bank 4 is disposed, and a lower layer. A multilayer substrate 8 having dielectric layers 14a to 14c that electrically insulate the conductor layer 13d and the upper conductor layer 3a from each other, and two spaces that accommodate the multilayer substrate 8 and are divided by the multilayer substrate 8 A cover 9 and a case 3 are formed, and a detection monitor circuit 17 is mounted on an upper conductor layer 13a.
[0028]
As described above, according to the third embodiment, since the temperature monitor circuit is mounted on the multilayer substrate, the effect of enabling the detection monitor that is not easily affected by RF can be obtained.
[0029]
Embodiment 4 FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment and a fifth embodiment of the microwave amplifier circuit according to the present invention, and FIG. 6 is a perspective view showing a post position image of the microwave amplifier circuit according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 5 and 6, 19 is a metal post, and 21 is a temperature monitor sensor. The same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or equivalent components.
[0030]
Next, the operation will be described.
The microwave amplifier circuit according to the fourth embodiment is obtained by adding a metal post 19 to the microwave amplifier circuit according to the first embodiment. The metal post 19 is provided at a quarter wavelength position in the case 3 and connected to the GND. The metal post 19 stabilizes the influence of the electric field on the circuit elements in the case 3. Other operations are the same as those in the first embodiment.
[0031]
As described above, the microwave high power amplifier circuit according to the fourth embodiment includes the lower conductor layer 13d having the GND pattern formed on the entire surface, the upper conductor layer 13a on which the capacitor 4 is disposed, and the lower layer conductor layer 13a. A multilayer substrate 8 having dielectric layers 14a to 14c that electrically insulate the conductor layer 13d from the upper conductor layer 13a, and two spaces that accommodate the multilayer substrate 8 and are divided by the multilayer substrate 8 are formed. Cover 9 and case 3, and a metal post 19 connected to GND at a quarter-wavelength position in case 3.
[0032]
As described above, according to the fourth embodiment, since the position of the quarter wavelength in the case is dropped to GND by the metal post, the circuit elements in the case that are easily affected by the electric field can be stabilized. An effect is obtained.
[0033]
Embodiment 5 FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment and a fifth embodiment of the microwave amplifier circuit according to the present invention, and FIG. 6 is a perspective view showing a post position image of the microwave amplifier circuit according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 5 and 6, 19 is a metal post, and 21 is a temperature monitor sensor. The same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same or equivalent components.
[0034]
Next, the operation will be described.
In the microwave amplifier circuit according to the fifth embodiment, a metal post 19 is added to the microwave amplifier circuit according to the first embodiment, and a temperature monitor sensor 21 is fastened to the metal post 19 together. By tightening the temperature monitor sensor 21 together with the metal post, the temperature monitor sensor 21 is not easily affected by the electric field and RF. Other operations are the same as those in the first and fourth embodiments.
[0035]
As described above, the microwave high power amplifier circuit according to the fifth embodiment includes the lower conductor layer 13d having the GND pattern formed on the entire surface, the upper conductor layer 13a on which the capacitor 4 is disposed, and the lower layer conductor layer 13a. A multilayer substrate 8 having dielectric layers 14a to 14c that electrically insulate the conductor layer 13d from the upper conductor layer 13a, and two spaces that accommodate the multilayer substrate 8 and are divided by the multilayer substrate 8 are formed. Cover 9 and case 3, and a metal post 19 connected to GND at a position of a quarter wavelength in the case 3, and attached to the upper conductor layer 13 a by being fastened together with the metal post 19. The temperature monitor sensor 21 is mounted.
[0036]
As described above, according to the fifth embodiment, the temperature monitor for monitoring the flange temperature of the transistor is jointly fastened to the metal post dropped on the GND at the position of the quarter wavelength in the case. An effect is obtained in which the monitor is less susceptible to the influence of an electric field or RF.
[0037]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the inside of the case is divided into the upper and lower spaces using the GND surface of the multilayer substrate, and the transistor which is an amplifying element provided in the lower space of the multilayer substrate is obtained. Since it is provided , the lower circuit element is less affected by the upper part, and there is an effect that variation in RF characteristics of the microwave amplifier circuit can be reduced.
[0040]
According to the present invention, since the position of the quarter wavelength in the case is dropped to GND by the metal post, there is an effect of stabilizing the circuit elements in the case that are easily affected by the electric field.
[0041]
According to the present invention, since the temperature monitor for monitoring the flange temperature of the transistor is fastened together with the metal post dropped on the GND at the position of the quarter wavelength in the case, the temperature monitor has the influence of the electric field and the RF. There is an effect that can be difficult to receive.
[Brief description of the drawings]
1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a microwave amplifier circuit according to the present invention;
FIG. 2 is a perspective view showing the multilayer substrate portion of the first embodiment of the microwave amplifier circuit according to the present invention;
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the layer configuration of the multilayer substrate according to the first embodiment of the microwave amplifier circuit according to the present invention;
FIG. 4 is a plan view showing a second embodiment and a third embodiment of a microwave amplifier circuit according to the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment and a fifth embodiment of a microwave amplifier circuit according to the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing a post position image of a microwave amplifier circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a perspective view showing an example of a conventional microwave amplifier circuit.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a conventional microwave amplifier circuit.
[Explanation of symbols]
1 transistor, 2 dielectric substrate, 3 case, 4 capacitor, 5 DC cut high frequency chip capacitor, 6 bias chip capacitor, 7 RF terminator, 8 multilayer substrate, 9 cover, 10 lead wire, 11 case wall, 12 through Hall, 13a-13d Conductor layer, 14a-14c Dielectric layer, 15 Distribution synthesis circuit, 16 Temperature monitor circuit, 17 Detection monitor circuit, 18 Capacitor bank, 19 Metal post, 20 Capacitor, 21 Temperature monitor sensor.

Claims

全面にＧＮＤのパターンが形成された下層の導体層と、コンデンサバンクが配置される上層の導体層と、上記下層の導体層と上記上層の導体層とを電気的に絶縁する誘電体層とを備えた多層基板と、
上記多層基板を収容するとともに上記多層基板によって分割される２つの空間を形成するカバーおよびケースと、
上記多層基板の下部の空間に設けられた増幅素子であるトランジスタと、
上記ケース内の４分の１波長の位置でＧＮＤに接続された金属ポストとをさらに有し、
上記上層の導体層に上記金属ポストに共締めされて取り付けられた温度モニタセンサが実装されていることを特徴とするマイクロ波大電力増幅回路。A lower conductor layer having a GND pattern formed on the entire surface, an upper conductor layer in which a capacitor bank is disposed, and a dielectric layer that electrically insulates the lower conductor layer from the upper conductor layer. A multilayer board with
A cover and a case for accommodating the multilayer substrate and forming two spaces divided by the multilayer substrate;
A transistor which is an amplifying element provided in a space below the multilayer substrate;
A metal post connected to GND at a quarter wavelength position in the case;
A microwave high power amplifier circuit, wherein a temperature monitor sensor attached to the metal post together with the metal post is mounted on the upper conductor layer.