JP3730666B2 - 大電流リボンビーム注入装置 - Google Patents
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Description
［産業上の利用分野］
本発明はイオン注入システムに関し、特定すると、半導体ウェーハ、フラットパネルディスプレイ及び同等物のような大型加工体中へのイオンの製造ライン注入用大電流注入装置の設計に関する。
［発明の背景］
電気的活性要素による半導体のドーピングは、現在殆ど例外なくイオン注入装置で遂行される。半導体技術における二三の最近の傾向は、イオン注入装置の設計において望ましいであろう特性について示唆している。これらの傾向の中には、より大寸法の加工体への傾向、高注入量であるが低エネルギの注入への傾向が含まれるが、ビーム角度について比較的厳しい制限を有する。
大電流イオン注入装置は、広義には、イオン注入装置中を輸送するのに空間電荷中和されねばならぬほどにイオンビーム電流が十分に大きい機器の種類として定義される。この属性は，一般的に１ｍＡを越える電流に対して真である。普通の範囲の実際の応用に適合するように、大電流注入装置は、１５ないし３０ｍＡまでのｎ型ドーパントイオンを、及び６ないし１２ｍＡまでの硼素イオンを供給するように構成される。これらの機械の最近の発展状況は、１９９１年に商業的に入手できたすべての大電流注入装置が、一方向での走査を行うためにウェーハを回転ディスク、ホイール又はドラム上に置いて走査を行い、そして他方向での走査を達成するためにビームに垂直にウェーハキャリヤを動かすかビームを磁気的に走査することによって、複数群（バッチ）のウェーハに注入し、均一なドーピングを達成するというような状況であった。走査は、ビームがカバーする領域を拡大するとともに、供給される注入量の総変動をビームの不均質性から予測されるものよりも減ずる。
この形式のバッチ処理システムは、バッチサイズが製造ロットのサイズに非整合であるとスループット（生産量）が低減し、プロセスの試験が非常に高価となる。何故ならば、一つのバッチ全体を常に処理されねばならないからである。回転ディスクアセンブリは、ウェーハを遠心力に頼って保持する場合には、円錐状にして注入角度に変化を生じさせねばならない。３００ｍｍ又はそれより大型の基板に適する回転ディスクアセンブリのサイズは、ターンテーブル半径が加工体の大きさに比して相対的に大きくなければならないから大型となる。このため、単一のバッチには比較的大きい内在量が要求される。それゆえ、技術が許せば、各加工体を個々に処理する直列のシステムが好ましかろう。
しかしながら、高均一の大電流ビームを作ることが難しいため、商業的機械は、全部ではないが殆ど空間的平均による均一性を達成するため大型の動力アセンブリを有するバッチ処理機械に頼っていた。
本出願人による先行する米国特許第5,350,926号はより最近の手法を記述しているが、この手法にあっては、幅広ビーム注入装置が、一連の注入のための十分に均一なビームを有しており、磁石ギャップ内における低ビーム電流密度での動作により大電流を達成する。しかしながら、このような均一性は、ビームの品質を操作し制御するため比較的高い装置費用で達成され、そしてそのアナライザの使用は、ソースビームが処理の化学性やエネルギーの制約に適当する程度に十分に鮮明ないし均一である他の状況においては、スループットを必然的に減ずる。
従って、大領域を均一に且つ適当なエネルギで効率的にカバーし、しかもビームの純粋性、均一性又は注入角度の制約が緩和される商業上の注入の仕事に有用であるイオンビーム装置を開発することが望ましいであろう。
又、回転ドラム又はその他の移送機構上での加工体のバッチ処理中大面積を均一且つ有効にカバーできる大電流装置を開発することも望ましかろう。
［発明の概要］
本発明は、加工体にイオンビームを均一に注入するための装置であって、前記装置は所望する種のイオンを含むイオンビームを生成し少なくとも１つの方向にビーム路に沿って分散するイオン源、及び前記加工体を前記イオンビーム中に選択された速度分布で通過させるのに有効な加工体移送機構と一緒に使用するように構成され、
前記ビーム路にあり、分析前のソースビームを受け入れて湾曲させ、前記所望する種のイオンを、２００ミリメートルを越える横断方向の長い方の寸法と短い方の寸法を有するリボン形の出力ビームに形成し、且つ前記所望する種の前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で平行にし、前記速度分布に対応した所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って達成するために前記出力ビームの電流密度分布を同時に形成する単一の双極子磁石、
実質的に全体が前記ビーム路を横切って広がり、前記電流密度分布が達成される精度を改善する調整可能な多極イオンレンズ、並びに
前記所望する電流密度分布からの変動を減少させるために収差を変更する前記イオンレンズの磁極要素を設定するために、注入位置の近くの前記出力ビームの電流密度の測定値に応答する手段から成り、前記所望する均一でない電流密度分布が前記速度分布を補償し、それにより実質的に均一な分量のイオンを前記加工体に注入する装置及びかかる装置、及び、
加工体をイオンビーム中に選択された速度分布で通過させながら前記加工体にイオンビームを注入するための方法であって、
所望する種のイオンを含む、少なくとも１つの方向に分散する分析前のイオンビームを生成し、
前記ビームを双極子磁石に沿って通過させて
ｉ)前記所望する種のイオンを、２００ミリメートルより大きい横断方向の長い方の寸法及び短い方の寸法を有するリボン形の出力ビームに形成し、
ｉｉ)前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で平行にし、及び
ｉｉｉ)前記加工体の速度分布に関連づけた所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って達成するために、前記出力ビームの所望する電流密度分布を形成し、
前記イオンビームの前記電流密度分布をその横断方向の長い方の寸法に沿って測定し、
前記出力ビームの前記所望する電流密度分布の精度を改善するために、前記イオンビームを実質的に横切って広がるように配置された複数の多極要素を調整し、並びに
処理される前記加工体に前記出力イオンビームを均一なイオン量で正確に注入するのに有効なように、前記加工体を前記出力イオンビーム中に、前記速度分布で通過させて走査する工程から成ることを特徴とする方法、
により従来の課題を解決する。
上述の諸目的は、本発明の一側面に従うと、制御された平行性の程度と、一方向において分布に正確に整合する積分ビーム強度を有するリボン形状に広げられた大電流イオンビームを提供し、ついで各加工体が均一な注入量を受けるように規則的であるが必ずしも均一でない速度で１又は複数の加工体をビームを横切って動かすことによって達成される。リボンビームは、加工体の大きさに整合するように、実質的に１５０ミリメートルを越える幅を有し、好ましくは約３００ミリメートルを越える幅を有するのがよい。
１具体例において、イオン源と湾曲用の第１の双極（ダイポール）磁気レンズが、ビームの幅寸法として以下に言及される単一の寸法に沿って制御された程度の拡大を行う。しかして、この単一の寸法は、例えばイオン源のスロット状のイオン抽出孔と平行としてよく、そしてイオンは、この孔から少なくとも一方向に広がる。イオン源からのビームは、磁石アセンブリの磁極間を通過し、そしてこの磁石アセンブリが、イオン軌道を曲線に沿って湾曲させ、少なくとも一寸法、好ましくはビームの主交叉（幅方向）寸法におけるビームの発散を減じあるいは除去さえするようにビームを若干集束させ、他方磁石アセンブリ内又はその近傍に配置される多磁極部材が、複数の狭幅ストリップの各々において電流密度を局部的に調節し、ビームの幅を横切るビーム電流密度が、１％以下に保持し得る狭い許容値内で特定の形状又は分布を有するようにする。
この具体例の好ましい実施形態においては、磁石アセンブリは単一の双極子磁石のみを有しており、この単一双極子磁石が、入力源からの分散ビームを４５〜９０°湾曲させ、ビームに焦点を結ばせることなく、イオン軌道を実質的に平行とした幅広のカーテン状の加工体走査出力ビームを発生させる。多極アレイ即ち、一組の別個に制御可能な磁極要素が、双極磁石の平坦面にあるいはその縁部近傍にビーム幅を横切って配置されており、そして出力面にてビームの幅に沿う１次元電流密度を測定するためにビームプロファイラ（密度測定装置）が設けられている。各多極要素の磁界は、イオン軌道を局部的に変えるように調節され、それにより所望の電流分布（プロファイル）に適合するように狭帯域の電流密度を変える。加工体は、均一な注入量を受け取るようにビームを横切って動かされる。例示として、ビームは、走査方向におけるその１次元積分電流密度が幅に沿う各点で一定であり、簡単な均一速度コンベヤで加工体を搬送できるように制御されてよい。代わりに，ビーム電流分布は、幅座標とともに直線的に変化してよく、そして加工体は、その速度が半径方向に比例するように回転ステージにより搬送されてよい。この場合、ビーム幅が半径に沿って配向されると、加工体のビーム下でのドウェル時間は双曲線分布に従い、これで各位置における異なる大きさのビーム電流を補償し、加工体の各点に一定の総供給量を生ずる。
第２の具体例においては、アセンブリの第１の磁石が分析レンズであり、これがビームが分析孔をきれいに通るようにビームを偏向する。より大きな磁極幅を有する第２の磁石が、分析孔を出る分散ビームを偏向し且つそれを両方向において実質的に平行にする他のレンズを形成している。大電流での動作が行われるが、広げられたビームの電流密度は低い。この具体例の全体の物理的アーキテクチャは前記米国特許第5,350,926号のアーキテクチャに類似しているが、多極要素は、ビーム幅を横切って静止的であるが一定でない電流強度分布を生ずるように動作せしめられる。
米国特許第号5,350,926号に記述されるように、第１及び第２の両磁石レンズは各々、約９０°ないし７０°間の円弧によりビームを同方向に偏向してよく、それにより広げられる、分析された、実質的に平行なビームがイオン源方向に戻り、結果としてコンパクトな注入アセンブリを形成する。好ましくは、少なくとも第１の磁石は入力及び出力面を有し、且つイオンビームを分散せしめ当該ギャップを殆ど占拠せしめる広いギャップを有する。レンズの少なくとも一方の内部に、又はそれに近接して、多極要素が、ビーム幅方向を横切って配置され、各磁極部材にて変わる幅寸法におけるビームの拡張及び収縮を達成するように収差を修正し、所望の一定の分布からの偏差を減ずるようにビーム電流を再分配ないし修正し、それを例えばビームの幅寸法に沿う直線電流密度分布に実質的に合致させる。好ましくは、多極要素は、大型双極子磁石の一つの磁極の平坦面内において垂直に延びる複数の可動棒ないし磁極片により提供され、そしてビーム分布（プロファイル）を修正するため上述のように局部的収差を変えるように、ビーム分布測定値に応じてステッパにより調節されるのがよい。
この具体例においては、高パービアンス動作の場合、ビームは双極子磁石内の大きな横断面積内を占める。例えば、磁極ギャップはイオンビーム軌道の曲率半径の約１／４より大きくでき、そして分析孔（スロット）が上述の米国特許第5,350,926号に記述されるように第１及び第２磁石間に配置される。磁石は又、直列にワイヤ接続されてよく、それにより磁化電流は各磁石において同一となり、電流トランジェントやビームエネルギーのトランジェントがあっても、ビームは分析孔に到達させないことによって有効に消去される。初イオン源は、凸面内にスロットをもつイオン化箱が好ましく、イオンはこのスロットを通って、スロットの湾曲の中心から放射方向に分散するビームとして抽出され、そしてその一次元パワー分布が最終出力ビームの所望される分布におおむね合致するように構成することができる。加工体は出力ビーム中で走査され、その走査速度はビームプロファイルに逆比例せしめられ、その結果として実質的に一定又は均一な注入量が得られることになる。
上述のように、この分析ビームの具体例では、ビーム電流密度分布は非一定であり且つ固定的であるが、線形であることを要しない。例えば、本発明は、寸法「ｗ」の加工体が（ｒ）ないし（ｒ＋ｗ）間の半径方向位置を占める回転ドラム又は振動腕移送体と使用の場合、ビーム電流密度は、（１／ｒ＋ｗ）及び（１／ｒ）間の双曲線ドウェル時間を修正するように調節される、即ち加工体上における各点のビーム下でドウェル時間を正確に補償するように半径方向位置に関して直線的に増加するように調節される。実際には、一層多く鋭く変動するビーム電流密度分布（例えば（１／ｒ）双曲線の一層多く鋭利変動する領域に対応する）の制御によって、本願発明者は、ドラム移送体アセンブリの半径を減じ且つよりコンパクトな注入アセンブリを提供し、他方において均一な注入量をなお達成できることを見出した。例えば減速し方向を逆転しなければならない直線操作アセンブリのような他の形式の機械的走査アセンブリは、それがビーム路になおある間にそれらの一定でない移送の少なくとも一部が行われるように本システムとともに動作させることができる。詳述すると、ビーム電流密度分布は、半径方向ドラム型走査、振動振り子型キャリヤ及びその他の周知のウェーハ移送アセンブリの特有の非直線的又はほぼ直線的ドウェル時間を修正するように調節できる。これは、移送機構に関するある種の抑制を緩和し、移送体速度の厳格な一定性以外の特性、例えば比較的簡単な機械的構造を有することや低価額又は低減された粒子生成特性について移送体が選択されることを可能にする。
多極（マルチポール）部材は、異なる磁極ギャップを画定するように位置を変えることによって、あるいは磁気コイルを、ギャップ内の磁界を局部的に制御するように局部的に変えうる大きさの駆動電流で別個に付勢することによって動作する。いずれの場合にも、磁界の変化は、磁石ギャップ中を移動するイオンの経路間隔を変え、各多極要素を通る狭いビームストリップにおける偏向角度を変え、幅寸法において局部的に拡大率を増減し、それゆえに各磁極部材上を通る狭い帯域における下流に向けて測定される電流密度を変化させる。即ち、磁極は各々、イオンを有効にシフトしストリップを拡張収縮し、それにより幅座標を横切る多数の位置におけるビームを偏向するようにビーム電流密度に変化をもたらす。好ましい１具体例においては、移動方向に垂直に配向されたスロットを有する狭いスロット付きファラデーキャップが、出力ビーム幅方向を横切って移動され、得られたビームの１次元電流密度を測定し、コントローラが、測定されたビーム状態に応答して、注入面にてビーム幅に沿って必要とされる出力分布を有する安定な出力ビームを得るように調節する。
本発明の更に他の側面に従うと、本発明は、注入ビームラインとして双極子磁石中を通るイオンビームのビーム幅を横切って延びる一組の多極要素を賦活することによって、加工体内に均一な注入量を達成する方法を包含する。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の第１の具体例であるイオンビーム装置の一部概略図による線図である。
図２は本発明の第２の具体例を示す線図である。
図２Ａ〜２Ｃは、図１の装置に適当なイオン源の抽出グリッドを示す線図である。
図３は図１の装置のダイポール（双極）磁石の１磁極片を示す斜視図である。
図４は本発明のイオンビーム装置の第１具体例を採用する全注入装置システムを示す一部概略図による線図である。
図５及び図５Ａは本発明のイオンビーム装置を使用するイオン注入システムのビーム電流及びドウェルを示すグラフである。
［好ましい実施例の詳細な説明］
本発明によるイオンビーム注入装置は、大電流イオン源、単一平面内の高度に制御された収差を用いてビームを広げる形状及び輪郭の第１の双極子磁石、並びに一次元のビーム分布を調整する多極アレイを利用することにより、ｍＡより大きい電流、及び数ｋｅＶより大きいエネルギーにおいて、均一性が高く幅が広いリボン状イオンビームを達成する。いくつかの実施例では、第１の磁石は分析孔を通してビームの焦点を定め、第２の磁石は更にビームを偏向させて調整する。本発明の種々の構造は、出願人の前述の米国特許第5,350,926号において、言及される制約を緩和し、商用生産のための大電流リボン注入装置ビーム線を生ずる。システムの固有の特性は、次の考察からより充分に理解される。
出願人は、双極子磁石を用いて分析され偏向される、数ｋｅＶで付勢されるミリアンペアビームを加速するイオンビームシステムが、アイソトープ分離において、使用されるカルトロンに影響を及ぼすと報告された性質において、密接に関連する不安定性に従属することを認識した。この種の不安定性の理論的なモデルは、Igor AlexeffによりIEEE Transactions on Plasma Science,Vol.P5-11,No.2,June,1983において、提示された。これらの不安定性は、一般に数百ｋＨｚの周波数におけるビーム伝送において顕著な雑音振動を引き起こし、ビーム成長を起こし、均一性の制御を失わせる原因となる。出願人は、この種の不安定性の効果を最小にするイオン注入装置を設計することを企て、米国特許第5,350,926号に記載されたように、加工体への注入（即ちシリアル注入）に適した安定で幅広の強烈な均一ビームを達成する高度に制御された注入システムを以前に設計した。出願人は、後述するように、本発明に従い、汎用スキャンシステム又は被加工体輸送システムでの小ロット及びより大規模な製造の両方での大きい被加工体の能率的な注入に適応されたリボン形の商業的に有用で、大電流ではあるが必ずしも均一でない電流分布のビームを設計した。本出願人の新しい構造は、制御された多磁極レンズを有するビーム調整に依存する。
一般に、イオンビームの均一性はその長さに沿って変化し、制御することが極めて難しい。本発明によれば、出願人は、ここでビーム幅と呼ばれ、ビーム幅に対して横方向の各点で積分され、ビーム広がりと呼ばれる断面に沿う、単一横方向の大きなリボン形状ビームの分布を制御する。この点に関しては、たとえイオン源を出るときにビームの電流分布が実質的に滑らかでも、ビーム内のイオンが様々な方向に移動しているので、一般にそれが維持されないと理解される。この分野の専門家によく知られているように、光学要素内の収差は（輝線として観測可能な）ビーム内に火面を発生する傾向がある。出願人は、その内部で角度の広がりを減少させるために抽出されたイオンビームを広げることにより、１つの寸法の均一性に影響を及ぼさないそれら収差を犠牲にして、関心のある一平面内の収差を制御するためにビーム光学要素を構成することにより、この困難に取り組む。しかし、従来のレンズとは異なり、個々の極要素の１つ又はいくつかの列は完全にビーム全体に広がり、それらの多極収差はゼロに減少させられず、むしろ、多磁極から下流にある目標平面でストリップビームの全部の幅にわたってイオンビームの電流密度の所望の空間的変化を正確に起こすために、局部的な収差は、例えばステッパ又は電流ドライバにより制御される。
この発明によって、作られるイオン注入装置は、抽出孔、好ましくは長方形又はテーパをつけられたスロットによりイオンビームがイオン源内に維持されるプラズマから抽出される、Freeman型、Bernas型、又はマイクロ波源のようなイオン源から成る。例えば、イオン源磁場内の高度な均一性を保証することにより、プラズマはスロットに沿って周知の方法により分布させられ、一方、最終的に所望の注入ビームの形状により、抽出されたビーム電流密度は一定でも不定でもよい。不定のイオン源ビームは、例えば、末広がりのエッジを有するテーパをつけられたスロット、若しくは同様に配列されたスクリーン又は制御電極を提供することにより得ることができる。しかし、好ましくは、均一な分布を発生させるようにイオン源は構成され、線形若しくは他の所望の静止又は不定の電流分布を生じさせるように、注入装置システムの双極子磁石は形成される。スロットにより抽出されるリボン形のイオン源ビームは、両方の寸法において、広がり、好ましくは、更に以下で図示されるように、１つの寸法は半径方向にそれが抽出される孔の曲率中心（図形的に図１内の「Ｃ」で示される）と反対方向に発散する。従って、最初のイオン源は幅寸法全体に広がるビームを提供し、前記ビームは均一又はほぼ所望の出力ビーム分布であるビーム形状を有し、例えば、概略的に均一又は左から右にその幅に沿ってほぼ単調に電流密度が増加している。適当なイオン源は、例えばNucl.Instr.and Meth.B37/38(1989)p.78でN.Whiteにより記載されたようなWhite源であってもよく、水平方向の均一性のために最適化され、約０．０８ラジアンのビーム発散を有する。
図１に示される１つの実施例では、イオン源ビーム１は大きな双極子磁石３’のギャップを通って伝わり（図形的に示される）、更に詳細に後述する方法によりビーム電流密度の所望の分布を発生させるために多極要素３５の列が配置され、出力軌道は実質的に平行にされる。
他の実施例では、双極子磁石３は、両方の寸法でビームの焦点を定め、ビームを偏向させ、ビームが滑らかに分析孔４（図１Ａ）を通り抜けるように配置される分析磁石である。ビーム内の不必要な構成元素は伝達されることができず、拒絶される。磁石３に類似した寸法であるが極の幅がより大きい第２の磁石５は分析孔４を通過ぎる発散性ビームを受け入れ、両方の寸法でビームを偏向させ、平行にする。この実施例の構造は、イオン源及び多極要素の両方が、ビームの幅方向に沿って線形に増加するか又は特定の不定な走査速度を修正するように計算された電流密度のような一様でない分布のビームを形成するように操作されることを除いて、前述の米国特許第5,350,926号と類似である。更に、イオン源は、主に最終的な出力分布を形成している多極要素を有する、安定しているが一様でない電流分布を発生させるものであってもよい。
収束特性及び２次収差を制御するために偏向磁石を使用しているシステムの設計は、まず最初に前述の米国特許第5,350,926号で説明したように、例えば、Stanford Linear Accelerator Center(SLAC)の刊行物でK.L.Brownにより記述された周知で容易に利用可能なコンピュータープログラムTRANSPORTを使用して行ってもよい。一般に、このプログラムを使用すると、イオンがプラズマを放出するイオン源における位置及び加工体の平面におけるビーム中のイオン源の位置との間の１対１のマッピングを前もって決めることができる。しかし、イオンビームのための本発明の磁気要素を設計する際に、この１対１のマッピング条件が後述する実施例で幅又は水平方向と呼ばれる１つの寸法でほぼ維持されることを指示するために、出願人は制約を緩和する。その時、これらの条件のもとで、被加工体におけるビームの電流分布は、この１つの寸法でプラズマの密度を反映する。正確にビーム電流密度分布を調整するために更なる多極制御及び後述する調整ステップを実施する前に、TRANSPORTプログラムは４％未満に保持された変動を有する出力ビームを形成している磁石を生ずる。最初のイオン源がくさび型又はテーパをつけられたビームであるとき、TRANSPORT設計アルゴリズムは類似の形状の出力ビーム分布を同様に発生してもよい。
本発明の好ましい実施例によると、ビーム分布は、正確に幅全体の所望の分布と一致するように形成されるか、更に改良され、多極構成要素の調整のためのビーム分布測定値に応答するコントローラを提供することにより被加工体全体で１％の変動を達成し、コントローラは分析磁石の設計に含まれるか、又は個々の調整可能な電磁多極素子の別々の装置又は配列として提供されてもよい。概念的に、これらは以下のように作動する。
注入位置での電流密度Ｊｉは、一般に水平座標ｘｉの関数であり、添え字ｉは、注入位置を示す。以下の分析が、ビーム幅に沿った電流密度の変動を垂直電流分布で水平方向の特性を記述し、ビーム高さで積分されたビーム広がりに対応させる。ビーム挙動を描くために倍率という概念は概念的に有用であるので、たとえ論議されるシステムが必ずしも画像処理システムであるというわけではないとしても、倍率（それは画像処理システムだけのために厳密には論議されなければならない）という用語が使われ、これが、
Ｊｉ＝Ｊｓ／Ｍ
であり、添え字ｓはイオン源位置を示し、Ｍは倍率であり、ビーム減衰効果は、この分析において、無視される。倍率は、
Ｍ＝ｄｘi／ｄｘs
により定義される。
倍率自体は、ｘの関数であってもよい。例えば、K.L.Brownによって、刊行物に記載されているように、この種のイオン光学システムの光学特性が２次まで、そして原理的にはいかなる次数までも、転送マトリックス形式によって、都合よく表すことができることは周知であり、これはコンピュータコードTRANSPORTにおいて、使用され、転送関係のx1を決定する係数の決定を可能にする。
x1＝a11xs+a12xs'+...+a111xs 2+a112xsxs'+a11xs'2+...
角度ｘ’の効果が画像処理システムに対してゼロであるが、より大きい精度のために一般に考慮されることができる。ｘ’を無視すると、
Ｍ＝ａ11＋２ａ111ｘs
従って、倍率はｘ座標と一緒に変化することができ、２次及びより高次の転送係数に依存する。ビーム電流密度は、倍率に反比例し、従って、２次及びより高次の転送係数によって、制御可能である。転送係数は、個々の多極レンズによって、又はWollnikにより文献に記載されている類似した装置により理論的に制御されることができる。大電流イオン注入装置では、この装置は過剰な空間を占領するかもしれず、かなりの複雑さ及びコストを必要とするかもしれない。
出願人の発明の好ましい実施例では、これらのより高次の項は、双極子を曲げる磁石に近いか直接つながる一連のより高次の磁石素子により定義され、例えば、形成されたコイルを磁極表面に組み込むか、又は物理的に調整可能に配置された複数の鋼磁極シムを提供することにより定義される。
出願人の発明の好ましい実施例では、磁石の入口及び／又は出口の磁極表面をカーブさせることにより、いかなる必要な６極磁場構成要素も、恒久的に大きな双極子磁石設計に組み込まれる。６極構成要素は、例えば、分析磁石内のある種の望まれていない収差を制御して相殺することを要求される。それに加えて、６極構成要素は、目標位置で電流密度分布におけるほぼ線形の変動を誘発するために故意に加えられてもよい。しかし、電流密度分布のより正確な制御部は６極より多い調整可能な多極を用いて達成され、これらは出願人のシステムにおいて、複数の物理的に調整可能な位置決め可能な磁極シム、又はビームに対して横に配置された複数の電磁石素子により提供される。
一般に、大きな双極子磁石を有するシステムの下記の説明では、分析磁石（存在するならば）は低い収差のために最適化され、一方、最終又は出力双極子はビームを曲げるため及びそれを平行にするために作動し、その入射口、その出口、又は両方において、より高次の多極ユニットにより構成され、多極ユニットは所望の出力分布から変動を減少させる収差を提供するために作動する。
イオン光学アプリケーションでは、以下の形式の円筒極座標で多極レンズの範囲を表すことが普通である。
Ｂ＝−▽Φ
Φ=Φ1rcos(θ+δ1)+Φ2ｒ2cos(2θ+δ2)+Φ3ｒ3cos(3θ+δ3)+...
ここで、Φは磁気スカラーポテンシャルであり、方程式の右側の第１、第２、及び第３の頃は、それぞれ双極子、４極、及び６極構成要素である。
しかし、ビームがリボンビームであるので、この表現が現在の状況において、低い次数まで実用的なだけであり、ここで垂直でない磁場成分の効果は重要ではない。長軸が水平であると仮定すると、水平軸上の垂直磁場は、以下により表されてもよい：
Ｂ＝ΣiＢiｆ（ｘ−ａi）
ｆ（ｘ）≒ｅｘｐ（−（ｘ／δ）2）
ここでａ１は各電磁石極からの磁場の中心のｘ座標であり、δは各極により発生させられる磁場の特性幅である。関数ｆ（ｘ）はこの表現で近似され、より正確な又はより解析的に正しい関数を用いることができる。この表現によって、各多極素子に対して計算される任意のｘ座標位置における軸方向ビーム線に対する極の影響が許容され、実際に、多極配列の光学的挙動が以下で論議される修正に対してうまくモデル化されることが、軸はずれビーム線に対して十分に正確であることがわかった。
本発明の１つのシステムにおいて、基板は出力イオンビームを通して、より小さい方のビーム寸法を横切って、物理的に移動する。一次元の電流密度は基板速度と比例し、一貫した注入が達成される。基板が完全に滑らかにビームを通して移動するならば、分配されるイオンの積分された注入量に少しの変動ももたらすことなく、より小さいビーム寸法が変化できる。イオンビームのより長い寸法に沿って一次元の密度に所望の変動を引き起こす収束素子を設けることは又、より小さい寸法全体の変動をも引き起こしうるが、後者の変動はクロス走査によって平滑化され、この発明の性能に対する有害な効果を有しない。
多極素子は、イオンビームが通過する矩形の領域の内部で磁場を制御する。磁場は一般にイオンビームの内部で維持される空間電荷の中和を可能にするので、好ましくは、それらは磁気素子である。上記のように、多極素子は、例えば、より大きい磁極部分の内部で一組の可動鉄又は鋼の棒セットから成ってもよく、棒は自動制御装置により配置される。あるいは、多極素子は、リボン形にイオンビームのまわりに配置される電磁石から成ることができ、一組の別々に制御可能な電流源に接続している付勢コイルを有する。
どちらの場合でも、一般的な動作及び極の調整は、スロット開口を通してビームの分布を測定するファラデーカップからビーム電流密度分布測定値を受信するコントローラにより遂行され、それがそのより長い寸法（又は同様に配置された固定センサ配列）に沿うビーム幅を横切って進行するとき、その分布を所望の分布と比較するか、個々の電流源、サーボ機構、その他、導出された誤差関数を減少させる手段に対する一組の適当な調整値を調べ又は計算する。新しい設定は多極に加えられ、ビーム分布が所望の分布に対する許容度設定に一致するまでプロセスは繰り返される。各極素子の転送関数を測定及び表にすること、一組の調整をモデル化すること、並びに固定又は適応可能な一組の制御規則を提供することにより、一般的な制御理論から公知の方法で、自動化されたマイクロプロセッサコントローラのようなプロセス制御の分野において、公知の方法でコントローラを実施できる。それで、そのように作られる有限状態コントローラは、測定値入力、制御規則又は状態のより小さいセットを利用するために最適化されることができる。本ケースでは、種々のシステムパラメータが十分に安定していて繰り返し可能なので、注入装置の作動パラメータが特定のエネルギー及び種に対して一度経験的にセットされたら（即ち、以前にコンパイルされた設定のテーブルから）、微調整はオペレータにより少数のステップで容易に実行される。
イオンを目標（加工体）に注入するために使われるリボン形のイオンビームで所望の一次元の電流密度分布を達成するための多極レンズを調整する基礎的な方法は、次の工程を含む。
先ず、各多極及び双極子磁石のレンズ効果の表現を使用して、イオンビームが輸送されるイオン光学システムのコンピューターモデルをセットアップする。このモデルにおいて、イオンビームは、好ましくは、当初は一様な間隔の光線であって、目標上で得られる電流密度が各光線により表される電流に比例し、光線間の間隔に反比例するような光線の列により表される。そこで、目標平面で実際のイオンビームの電流密度の主要な横寸法に沿った分布を測定し、この測定値をコンピュータメモリ内の点の配列として記憶する。これは、実際の入出力にシステムの転送関数を与える。次に、その出力が各々の観測されたか又は可能な条件に対する観測されたイオンビーム電流密度分布と一致するようにモデルを調整し、所望の分布及び測定された分布の相違の増加と共に、目標領域内部の注入平面で増加する誤差関数を得るために、この分布は所望の基準出力分布と比較される。ついで、コントローラは、多極レンズ素子の設定に対して繰り返し組織的な調整をし、コンピューターモデルを使用して起こっている分布を計算し、新しい誤差関数を計算し、誤差を増やす設定を拒絶し、誤差を減少させる設定を維持する。イオンビームの操作では、分布の新しい測定が時々なされ、設定許容度で所望の分布が達成されるか、与えられた多極レンズを使用して更なる改良が得られなくなるまで、モデルは再調整される。
前述の考慮を用いて、本発明の図示された実施例の詳細な説明が、今、与えられる。
図１では、注入装置システム１００’はイオン源２により発生させられるイオンビーム１を用いて作動する。Freeman型、Bernas型又はマイクロ波イオン源を含む種々のイオン源２が使用でき、Whiteにより記述されるように修正されたBernas型イオン源が図示されている。イオンビーム１はリボン形であり、最初は５０ｍｍ〜７５ｍｍの間の幅であるが、イオン源２内のカーブさせられたスロットを出るときは、たった２〜５ｍｍの高さである。
イオン源は、図２Ａに「Ａ」で指示されたスロット開口部全体に空間的に固定され実質的に滑らかなイオン分布を提供する。イオン源は更に、図１Ａに図示されているように、熱フィラメント（番号をつけられていない）に電流を流す電力源２５、及び、イオン源チャンバでガス又は蒸気が能率的且つ一様にイオン化されるように放射された電子を強制するように、磁石電源４により励磁される磁石１０を含む。スロットを有する３つのグリッド１１，１２，１３の配列は、イオン源からのイオンを閉じ込め、抽出し、加速するのに役立つ。イオン源は、均一なビーム発生させる一定の高さのスロットか、又は幅座標と共に増加する電流のビームもしくは調整されたビーム分布を発生させることができる傾斜した高さ有することができる。しかし、均一なイオン源は十分に開発されており、ここで記載される出力分布をモデル化し作り出すのに充分であるので、イオン源が均一な分布を提供することを以下の議論は一般に仮定する。
より詳細に図２Ａ−２Ｃに示されるように、好ましいイオン源では、抽出グリッド１１は、外側に凸面状に曲げられ、上部及び底部エッジが平行なスロットを有し、スロットの端で狭くなっている。垂直断面図２Ｂに示すように、前後の表層は斜めに切られ、スロットのエッジはナイフのように鋭くなる。イオンビーム１がイオン源２のプラズマから抽出されるグリッド１１のスロットは湾曲しており、ビーム中のイオンはイオン源のグリッド１１の後ろ約１５０ｍｍに位置する曲率中心点（図１の「Ｃ」）から発している軌道に沿って表層に垂直に最初に加速され、水平面で＋１／−５°より大きい角度で発散する。スロットは、平行にカーブさせられた側面、及び２〜５ｍｍの間の高さを有する。第２のグリッド１２は、厚い黒鉛又は金属ストックで形成され、その右又はイオン源に面する表層を有し、図２Ｂに示されるように、グリッド１１の外形と平行であるので、放出されたイオンは半径方向外側、即ち、グリッド１１の表層外形に対して垂直に加速される。グリッド１２は平坦な左表面を有し、グリッド１２のスロット開口部はグリッド１１のスロット開口部よりわずかにより大きいので、第２のグリッドは放出されたイオンにより侵食されない。他のグリッド１３（それは高電圧源２０の負の（接地された）側に接続している）は、平坦なプレートであり、グリッド１２の左表面と平行であり、グリッド１２のスロットに整列したスロットを有する。イオン源２に対して中間のグリッドを高い電位差に維持するために、抑制電源２２がグリッド１２と１３の間に接続され、これによりグリッド１２からグリッド１３まで通過する際に抽出されたビームのエネルギーが減少し、ビームはわずかに平行化される。典型的な値が８０ｋｅＶシステムに対して示される。ただし、実際問題として、８０ｋｅＶ以下の如何なるエネルギーのイオンも分配するようにシステムが調整でき、その場合、抑制電源は、例えば、グリッド遮断電流を最小にする電圧レベルまで調節されることは理解されよう。イオン源のスロットは平行であるものとして示したが、幅方向に先細りにしても良いし、完全に均一なカーテン状のビームではなくて幅の広いくさび状ビームを発生させるために、非対称の構造を有するプラズマ室を用いて作動されることができる。
今、図１について続けると、ビームの幅方向に発散するリボン形のイオンビーム１は、多極アレイ３５を通過する。ここに、入射ビームは、等しい電流の領域をマークしている線を用いて描かれている。比較的多数の多極（例えば、１０個以上の素子３５ｉ，３５ｊの１もしくは複数の列）が、完全にビーム幅全体に配置され、上で記述したモデルを使用して通過するストリップ内の電流密度を調節するために各々は作動し、ビーム分布を修正するので、弯曲磁石３’に入射するビーム１ａが、出力ビーム１ｂで一定の電流（即ち等間隔に配置された線）出力分布として示される所望の出力分布に修正される。ビーム高さの小さい変動は異なる多極に起因するが、注入位置ＷＩでのウェハがビーム広がりによって、充分にスキャンされるならば、ビームの高さは注入量にも一様性にも影響を及ぼさない。磁気レンズ３’は比較的大きな表面積を有し（例えば、４００ｍｍ×５００ｍｍの湾曲した台形アセンブリ）、後述する図１Ａの磁石５に類似し、多極により修正された入力ビーム１ｂが一般的にそれと交差する方向を向く磁場を有する電磁石３’の極の間に入射するので、磁場はある角度でイオンビーム１を偏向させ、発散している軌道を平らにし、注入位置に対して約７０°のカーブを通してビームを曲げることが理解される。これは、被加工体がイオン源に対して見通し経路にないことを保証する。
従って、この第１の実施例は、一定であるか、線形であるか、カーブさせられたか、その他の予め選択された電流密度分布の高度に正確且つ平行な注入ビームを達成するために、単純な大きな双極子及びビーム間の多極アレイの比較的単純な構造を利用する。正確な出力分布を発生させることにより、ビームは単純に既存の機械的搬送の搬送特徴と整合し、注入量制御及び一様性を達成するプロセスを大いに単純化する。
第２の実施例（図１Ａに示される）において、システムは前述の米国特許第5,350,926号のそれと同様の全面レイアウトを有し、高電力で一定のビームを訂正するために分析磁石内の少数の多極を使用する代わりに、一定ではないが、正確な出力ビーム分布を有する分析されたビームを発生させるために磁石は設計され、構成される。
本実施例において、磁石３は、米国特許第5,350,926号で説明したように、分析孔４を通してビーム広さ寸法でビームを集中させるためにビーム１の広がっている広がりを圧縮する分析磁石である。
イオンビーム１は分析孔４を通過した後に再び発散し、第２の電磁石５の極間を通過し、電磁石５は更なる角度だけビームを偏向させる。電磁石３及び５の極は、実質的に平行で、不必要なイオン種がなく、不正確なエネルギーのイオンがない軌道を用いて、その幅全体の一定でない一次元のビーム電流密度分布を導くか維持する特性を有する射出イオンビーム６を提供するように設計されている。
射出イオンビーム６の電流分布は、電磁石３の２次及び高次の転送係数、及び／又は電磁石５の２次及びより高次の転送係数を修正することにより制御される。好ましい実施例では、この修正は、一般に多極構成要素と呼ばれる磁石の６極、８極、及びより高次の磁場成分で変化を導入するために、ビームの有用な部分全体の磁石５の極の中央領域にある特別に輪郭をつけられた極挿入物の部分を動かすことにより成し遂げられる。
図３は、図１のビーム線内の磁石３’を通る軌道ｔiを図示する。磁石３’は、図１Ａの湾曲した軌道を真っ直ぐにする磁石５に類似している。各々１．５ｘ１ｘ１２インチ（３．８×２．５×３０．５ｃｍ）の大きさの一連の１２個の棒３１は磁石３’のコイル３’’に直接組み込まれ、磁石３’の極の平坦な射出表面に対して設定され、ドライバメカニズム３５ａ，．．．を備えているので、極表面と同じ面内に位置づけ、又は極表面下で１インチだけ個別に引っ込めることが可能である。棒３１のこの組が所望の調整可能な多極レンズを提供し、各極棒はビーム幅方向でイオン軌道の分布を集中又は分散させるのに効果的であり、それゆえに、通過しているビームのｔi，ｔjの狭帯域内で電流密度を変える。一般に、ビームが通過する大きな双極子のギャップの高さのたった半分の間隔又はピッチを有する棒、ロッド又は他の極素子で充分である。従って、好ましい３〜４インチ（７．６〜１０ｃｍ）のギャップに対して、出願人は１．５〜２インチ（３．８〜５．１ｃｍ）までのピッチを使用する。
図１Ａでは、１．５ｘ２．０インチ（３．８×５．１ｃｍ）の類似した一列の棒が、磁極５、即ち、分析ビーム線の第２の曲げ磁石の出口エッジに沿って設定されることに留意する必要がある。極エッジのこの構成は、磁石極内に極素子を配置することよりより大きい範囲の調整を可能にする。各々の場合、棒はリードネジ及び電気のモーターにより駆動され、各棒の調整に関してその位置データをコントローラ３６に提供するために、それらの位置は、棒の動端と接触するバネ押し延長アクチュエータを備えた線形電位差計によって読み込まれる。両方の実施例において、調整可能な棒は上下の極片に具備されていてもよく、従って、ビームの反対側に突出し、より大きい範囲の局所的な磁場調整を提供している。しかし、実際の実施例に対して、調整可能な棒の単一の列は、単純で信頼性の高い制御を実施するのに好ましい。制御は、例えば、回転ドラム注入装置システムに適している単調なビーム電流密度分布を形成できる。図３に示すように、ビーム入射表面ＥＦは、ビーム形を変えるために輪郭をつけられることができ、出力の大雑把な電流密度分布を決定できる。
更に、第３の実施例は、ビーム経路全体に配置される別々の及び個々の磁気多極アレイを用いて実施される。この型の形成アレイは、図１Ａに多極４０として示され、例えば、各々がコイルにより電力を供給される２６個の極を有し、高さ４インチｘ幅１６インチ（１０×４０ｃｍ）の矩形断面孔を有するビームトンネルの上下に、２列の１３極の形で配列される。これらの動かない極は、共通の平面と同じ高さに及び鉄か鋼のコアを有し、長くて幅が狭く、例えばその平面内では５×１ｃｍであり、各々の長さ寸法は通過するビーム軌道と平行している。従って、ブレード状の極素子の角度は、ビームの幅にわたって次第に変わる。幅が狭い長い極片は、イオン光学をモデル化するためにイオンビームが明らかに単純な軌道バンドに分けられること、及び磁場を修正しながら比較的長い行程で、各バンドがその極素子を通過することを保証する。他の多極構造でのように、極素子が完全にビーム幅全体に伸びるので、それらはほぼ１インチ（２．５ｃｍ）のピッチで広がる。典型的な実施例での各極は、ビームの上下、真空トンネルの外側に、約４インチ（１０ｃｍ）伸び、それらは、磁束を反射するのに役立つ鋼のヨークにネジでとめられる。極の対向する一組の巻き線は、任意に直列に接続されることができる。多極４０のコイルは、サーボモータに電力を供給するために市販されたパルス幅変調電流源により、個別に、又は、好ましくは１３対の形で電力を供給される。ＰＷＭ源は、コントローラ３６（図１Ａ）により制御される。どちらの場合でも、より高い磁場を棒全体に提供することにより、棒を通じて進行しているイオンはシフトされ、狭帯域ｔi の一方の側で電流密度を上げ、その帯域の残りの部分で電流密度を減少させる。
本発明の本態様によると、制御装置３６は注入平面付近又は後方に位置するビームプロフィーラ３７からのビーム強度情報を線３６ａを介して受信し、制御線３６ｂに沿って磁石３、磁石５又はアレイ４０の多極素子を制御する制御信号を送り、ビーム分布を所望の電流密度分布に調整する。プロフィーラは、電源内の構成要素のエージング及び変化のために必要になった補正を決定するために、間欠的に週又は月の間隔で処理実行の間に作動してもよい。しかし、好ましくは、制御装置３６は、最初は理論的なビーム集束モデルから出発し、次いで実際の制御及び安定化プロトコル（即ち、多様な条件のオペレーションで安定した信頼性の高いビーム補正をもたらすために制御理論から公知の方法で開発され実質的に上記のような「最適化」又は最小化された「コントローラ」による方法）により調節を増やすような制御プログラムにより多極素子の調節を行う。この方法による調整は、固定された磁石の設計又は磁石のみのセットで達成するよりも非常に程度の高い出力ビーム６の電流密度分布の制御を達成する。
注入位置において、目標７はステージ７ａ上にあって制御された速度であちこちに移動する。もし速度の垂直成分がビーム幅電流密度分布と一致するならば、イオンビーム６は大きさが経時変動しないので、出力ビーム６を通して目標７を移動することにより均一な注入は達成される（垂直とは、ビーム広さ方向、即ちビームの幅の寸法に対して横方向でビーム軸を横切ることを意味し、図の平面に対して垂直という意味であることが理解される）。上記のように、異なる実施例に対して、目標７がビーム６を通過する間、目標７は直線又は曲線の経路上を動き、ビーム分布は相補的な電流分布を提供して一定の注入をもたらす。
第２の、非磁性ビーム調整又はビームトリミング手段、例えば、前述の米国特許第5,350,926号にて説明したような複数の重なったビームスクレーパを設けてもよい。その場合、それらはビーム線内で、一般に磁石３又は磁石５の近くでイオンビーム１を横断するように配置される。何らかの理由で多極形成素子により適切に減少又は制御されない電流密度内のピークが起きることがわかっている所で局所的に電流を減少させるために、この種のスクレーパを用いてもよい。必要な変化を決定するためにビームプロフィーラ３７が出力ビーム内の点配列のビーム強度を測定した後、挿入物３１の最後の調整はされる。
図４は、実際の実施例として、図３の７０°湾曲した磁石３’を使用した１つの効果的なビーム装置１１０を示す平面図である。図示するように、上記のWhite源のようなイオン源２は、イオンビームを、磁石３’の磁極の間を通る真空ハウジング６２により画定される真空トンネルを通して投影し、整形し、それを処理装置６５のウェーハ注入位置７でより大きな真空アセンブリ６４に差し向ける。装置６５は、発明者Manny Sieradzkiの米国特許5,486,080にて説明したように、転送ロボット６６を中継してロック６７，６８からウェーハを受け取り或いはロードする。図示するように、磁石３’間のトンネル、及びそのコイル３’は、イオン源及び注入装置をコンパクトに接続する。大きな発散性のイオン源ビーム１に対する効果的な曲がりを提供するために、ビーム入射表面ＥＦは水平面内の凹形として示される。しかし、ギャップを通してより長いか短い経路を提供して全面電流を移動するために、均一なイオン源ビーム１を一般に線形であるか一定でない電流分布のビームに形成するときに、まっすぐであるが、凸面であるか、他の湾曲した入射表面が使用されてもよいことは理解される。図示されないが、多極素子の他の列（例えば、入射位置で図１Ａの多極４０に類似した別々の多極、又は出口表面より中の位置で極全体に伸びる素子の線状列）が提供されてもよい。
従って、開示されている本発明、その変化及び変更は、当業者が思いつくであろう。システムは規模において、増減してもよく、ビーム形成及び整形素子の方向づけは水平のかわりに垂直でもよく、開示された外形の種々の考慮及び変更はされてもよい。二つの大きな双極子磁石を使用しているシステムが配置されてもよく、二つの磁石が同じ方向に曲がる必要はない。イオンビーム６を通して目標７を通過させるために、コンベヤーベルト、回転ドラム、及びその他を含む様々な装置を用いてもよく、正確であるが垂直でない注入が要求されるイオンビーム６の方向に関して目標７の方位を変化させる手段が含まれてもよい。例えば極片の外側のエッジに対接して配置され且つイオンビームに関して横断方向に配置された垂直に調整可能な鉄のロッド、又は双極子湾曲磁石の前後に配置される別々の多極ユニットのような、異なる調整可能な多極アレイが使われてもよい。この文書に追加される請求項において、明確にされるように、この種の変化及び変更は本発明の範囲内である。
本発明はイオン注入システムに関し、特定すると、半導体ウェーハ、フラットパネルディスプレイ及び同等物のような大型加工体中へのイオンの製造ライン注入用大電流注入装置の設計に関する。
［発明の背景］
電気的活性要素による半導体のドーピングは、現在殆ど例外なくイオン注入装置で遂行される。半導体技術における二三の最近の傾向は、イオン注入装置の設計において望ましいであろう特性について示唆している。これらの傾向の中には、より大寸法の加工体への傾向、高注入量であるが低エネルギの注入への傾向が含まれるが、ビーム角度について比較的厳しい制限を有する。
大電流イオン注入装置は、広義には、イオン注入装置中を輸送するのに空間電荷中和されねばならぬほどにイオンビーム電流が十分に大きい機器の種類として定義される。この属性は，一般的に１ｍＡを越える電流に対して真である。普通の範囲の実際の応用に適合するように、大電流注入装置は、１５ないし３０ｍＡまでのｎ型ドーパントイオンを、及び６ないし１２ｍＡまでの硼素イオンを供給するように構成される。これらの機械の最近の発展状況は、１９９１年に商業的に入手できたすべての大電流注入装置が、一方向での走査を行うためにウェーハを回転ディスク、ホイール又はドラム上に置いて走査を行い、そして他方向での走査を達成するためにビームに垂直にウェーハキャリヤを動かすかビームを磁気的に走査することによって、複数群（バッチ）のウェーハに注入し、均一なドーピングを達成するというような状況であった。走査は、ビームがカバーする領域を拡大するとともに、供給される注入量の総変動をビームの不均質性から予測されるものよりも減ずる。
この形式のバッチ処理システムは、バッチサイズが製造ロットのサイズに非整合であるとスループット（生産量）が低減し、プロセスの試験が非常に高価となる。何故ならば、一つのバッチ全体を常に処理されねばならないからである。回転ディスクアセンブリは、ウェーハを遠心力に頼って保持する場合には、円錐状にして注入角度に変化を生じさせねばならない。３００ｍｍ又はそれより大型の基板に適する回転ディスクアセンブリのサイズは、ターンテーブル半径が加工体の大きさに比して相対的に大きくなければならないから大型となる。このため、単一のバッチには比較的大きい内在量が要求される。それゆえ、技術が許せば、各加工体を個々に処理する直列のシステムが好ましかろう。
しかしながら、高均一の大電流ビームを作ることが難しいため、商業的機械は、全部ではないが殆ど空間的平均による均一性を達成するため大型の動力アセンブリを有するバッチ処理機械に頼っていた。
本出願人による先行する米国特許第5,350,926号はより最近の手法を記述しているが、この手法にあっては、幅広ビーム注入装置が、一連の注入のための十分に均一なビームを有しており、磁石ギャップ内における低ビーム電流密度での動作により大電流を達成する。しかしながら、このような均一性は、ビームの品質を操作し制御するため比較的高い装置費用で達成され、そしてそのアナライザの使用は、ソースビームが処理の化学性やエネルギーの制約に適当する程度に十分に鮮明ないし均一である他の状況においては、スループットを必然的に減ずる。
従って、大領域を均一に且つ適当なエネルギで効率的にカバーし、しかもビームの純粋性、均一性又は注入角度の制約が緩和される商業上の注入の仕事に有用であるイオンビーム装置を開発することが望ましいであろう。
又、回転ドラム又はその他の移送機構上での加工体のバッチ処理中大面積を均一且つ有効にカバーできる大電流装置を開発することも望ましかろう。
［発明の概要］
本発明は、加工体にイオンビームを均一に注入するための装置であって、前記装置は所望する種のイオンを含むイオンビームを生成し少なくとも１つの方向にビーム路に沿って分散するイオン源、及び前記加工体を前記イオンビーム中に選択された速度分布で通過させるのに有効な加工体移送機構と一緒に使用するように構成され、
前記ビーム路にあり、分析前のソースビームを受け入れて湾曲させ、前記所望する種のイオンを、２００ミリメートルを越える横断方向の長い方の寸法と短い方の寸法を有するリボン形の出力ビームに形成し、且つ前記所望する種の前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で平行にし、前記速度分布に対応した所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って達成するために前記出力ビームの電流密度分布を同時に形成する単一の双極子磁石、
実質的に全体が前記ビーム路を横切って広がり、前記電流密度分布が達成される精度を改善する調整可能な多極イオンレンズ、並びに
前記所望する電流密度分布からの変動を減少させるために収差を変更する前記イオンレンズの磁極要素を設定するために、注入位置の近くの前記出力ビームの電流密度の測定値に応答する手段から成り、前記所望する均一でない電流密度分布が前記速度分布を補償し、それにより実質的に均一な分量のイオンを前記加工体に注入する装置及びかかる装置、及び、
加工体をイオンビーム中に選択された速度分布で通過させながら前記加工体にイオンビームを注入するための方法であって、
所望する種のイオンを含む、少なくとも１つの方向に分散する分析前のイオンビームを生成し、
前記ビームを双極子磁石に沿って通過させて
ｉ)前記所望する種のイオンを、２００ミリメートルより大きい横断方向の長い方の寸法及び短い方の寸法を有するリボン形の出力ビームに形成し、
ｉｉ)前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で平行にし、及び
ｉｉｉ)前記加工体の速度分布に関連づけた所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って達成するために、前記出力ビームの所望する電流密度分布を形成し、
前記イオンビームの前記電流密度分布をその横断方向の長い方の寸法に沿って測定し、
前記出力ビームの前記所望する電流密度分布の精度を改善するために、前記イオンビームを実質的に横切って広がるように配置された複数の多極要素を調整し、並びに
処理される前記加工体に前記出力イオンビームを均一なイオン量で正確に注入するのに有効なように、前記加工体を前記出力イオンビーム中に、前記速度分布で通過させて走査する工程から成ることを特徴とする方法、
により従来の課題を解決する。
上述の諸目的は、本発明の一側面に従うと、制御された平行性の程度と、一方向において分布に正確に整合する積分ビーム強度を有するリボン形状に広げられた大電流イオンビームを提供し、ついで各加工体が均一な注入量を受けるように規則的であるが必ずしも均一でない速度で１又は複数の加工体をビームを横切って動かすことによって達成される。リボンビームは、加工体の大きさに整合するように、実質的に１５０ミリメートルを越える幅を有し、好ましくは約３００ミリメートルを越える幅を有するのがよい。
１具体例において、イオン源と湾曲用の第１の双極（ダイポール）磁気レンズが、ビームの幅寸法として以下に言及される単一の寸法に沿って制御された程度の拡大を行う。しかして、この単一の寸法は、例えばイオン源のスロット状のイオン抽出孔と平行としてよく、そしてイオンは、この孔から少なくとも一方向に広がる。イオン源からのビームは、磁石アセンブリの磁極間を通過し、そしてこの磁石アセンブリが、イオン軌道を曲線に沿って湾曲させ、少なくとも一寸法、好ましくはビームの主交叉（幅方向）寸法におけるビームの発散を減じあるいは除去さえするようにビームを若干集束させ、他方磁石アセンブリ内又はその近傍に配置される多磁極部材が、複数の狭幅ストリップの各々において電流密度を局部的に調節し、ビームの幅を横切るビーム電流密度が、１％以下に保持し得る狭い許容値内で特定の形状又は分布を有するようにする。
この具体例の好ましい実施形態においては、磁石アセンブリは単一の双極子磁石のみを有しており、この単一双極子磁石が、入力源からの分散ビームを４５〜９０°湾曲させ、ビームに焦点を結ばせることなく、イオン軌道を実質的に平行とした幅広のカーテン状の加工体走査出力ビームを発生させる。多極アレイ即ち、一組の別個に制御可能な磁極要素が、双極磁石の平坦面にあるいはその縁部近傍にビーム幅を横切って配置されており、そして出力面にてビームの幅に沿う１次元電流密度を測定するためにビームプロファイラ（密度測定装置）が設けられている。各多極要素の磁界は、イオン軌道を局部的に変えるように調節され、それにより所望の電流分布（プロファイル）に適合するように狭帯域の電流密度を変える。加工体は、均一な注入量を受け取るようにビームを横切って動かされる。例示として、ビームは、走査方向におけるその１次元積分電流密度が幅に沿う各点で一定であり、簡単な均一速度コンベヤで加工体を搬送できるように制御されてよい。代わりに，ビーム電流分布は、幅座標とともに直線的に変化してよく、そして加工体は、その速度が半径方向に比例するように回転ステージにより搬送されてよい。この場合、ビーム幅が半径に沿って配向されると、加工体のビーム下でのドウェル時間は双曲線分布に従い、これで各位置における異なる大きさのビーム電流を補償し、加工体の各点に一定の総供給量を生ずる。
第２の具体例においては、アセンブリの第１の磁石が分析レンズであり、これがビームが分析孔をきれいに通るようにビームを偏向する。より大きな磁極幅を有する第２の磁石が、分析孔を出る分散ビームを偏向し且つそれを両方向において実質的に平行にする他のレンズを形成している。大電流での動作が行われるが、広げられたビームの電流密度は低い。この具体例の全体の物理的アーキテクチャは前記米国特許第5,350,926号のアーキテクチャに類似しているが、多極要素は、ビーム幅を横切って静止的であるが一定でない電流強度分布を生ずるように動作せしめられる。
米国特許第号5,350,926号に記述されるように、第１及び第２の両磁石レンズは各々、約９０°ないし７０°間の円弧によりビームを同方向に偏向してよく、それにより広げられる、分析された、実質的に平行なビームがイオン源方向に戻り、結果としてコンパクトな注入アセンブリを形成する。好ましくは、少なくとも第１の磁石は入力及び出力面を有し、且つイオンビームを分散せしめ当該ギャップを殆ど占拠せしめる広いギャップを有する。レンズの少なくとも一方の内部に、又はそれに近接して、多極要素が、ビーム幅方向を横切って配置され、各磁極部材にて変わる幅寸法におけるビームの拡張及び収縮を達成するように収差を修正し、所望の一定の分布からの偏差を減ずるようにビーム電流を再分配ないし修正し、それを例えばビームの幅寸法に沿う直線電流密度分布に実質的に合致させる。好ましくは、多極要素は、大型双極子磁石の一つの磁極の平坦面内において垂直に延びる複数の可動棒ないし磁極片により提供され、そしてビーム分布（プロファイル）を修正するため上述のように局部的収差を変えるように、ビーム分布測定値に応じてステッパにより調節されるのがよい。
この具体例においては、高パービアンス動作の場合、ビームは双極子磁石内の大きな横断面積内を占める。例えば、磁極ギャップはイオンビーム軌道の曲率半径の約１／４より大きくでき、そして分析孔（スロット）が上述の米国特許第5,350,926号に記述されるように第１及び第２磁石間に配置される。磁石は又、直列にワイヤ接続されてよく、それにより磁化電流は各磁石において同一となり、電流トランジェントやビームエネルギーのトランジェントがあっても、ビームは分析孔に到達させないことによって有効に消去される。初イオン源は、凸面内にスロットをもつイオン化箱が好ましく、イオンはこのスロットを通って、スロットの湾曲の中心から放射方向に分散するビームとして抽出され、そしてその一次元パワー分布が最終出力ビームの所望される分布におおむね合致するように構成することができる。加工体は出力ビーム中で走査され、その走査速度はビームプロファイルに逆比例せしめられ、その結果として実質的に一定又は均一な注入量が得られることになる。
上述のように、この分析ビームの具体例では、ビーム電流密度分布は非一定であり且つ固定的であるが、線形であることを要しない。例えば、本発明は、寸法「ｗ」の加工体が（ｒ）ないし（ｒ＋ｗ）間の半径方向位置を占める回転ドラム又は振動腕移送体と使用の場合、ビーム電流密度は、（１／ｒ＋ｗ）及び（１／ｒ）間の双曲線ドウェル時間を修正するように調節される、即ち加工体上における各点のビーム下でドウェル時間を正確に補償するように半径方向位置に関して直線的に増加するように調節される。実際には、一層多く鋭く変動するビーム電流密度分布（例えば（１／ｒ）双曲線の一層多く鋭利変動する領域に対応する）の制御によって、本願発明者は、ドラム移送体アセンブリの半径を減じ且つよりコンパクトな注入アセンブリを提供し、他方において均一な注入量をなお達成できることを見出した。例えば減速し方向を逆転しなければならない直線操作アセンブリのような他の形式の機械的走査アセンブリは、それがビーム路になおある間にそれらの一定でない移送の少なくとも一部が行われるように本システムとともに動作させることができる。詳述すると、ビーム電流密度分布は、半径方向ドラム型走査、振動振り子型キャリヤ及びその他の周知のウェーハ移送アセンブリの特有の非直線的又はほぼ直線的ドウェル時間を修正するように調節できる。これは、移送機構に関するある種の抑制を緩和し、移送体速度の厳格な一定性以外の特性、例えば比較的簡単な機械的構造を有することや低価額又は低減された粒子生成特性について移送体が選択されることを可能にする。
多極（マルチポール）部材は、異なる磁極ギャップを画定するように位置を変えることによって、あるいは磁気コイルを、ギャップ内の磁界を局部的に制御するように局部的に変えうる大きさの駆動電流で別個に付勢することによって動作する。いずれの場合にも、磁界の変化は、磁石ギャップ中を移動するイオンの経路間隔を変え、各多極要素を通る狭いビームストリップにおける偏向角度を変え、幅寸法において局部的に拡大率を増減し、それゆえに各磁極部材上を通る狭い帯域における下流に向けて測定される電流密度を変化させる。即ち、磁極は各々、イオンを有効にシフトしストリップを拡張収縮し、それにより幅座標を横切る多数の位置におけるビームを偏向するようにビーム電流密度に変化をもたらす。好ましい１具体例においては、移動方向に垂直に配向されたスロットを有する狭いスロット付きファラデーキャップが、出力ビーム幅方向を横切って移動され、得られたビームの１次元電流密度を測定し、コントローラが、測定されたビーム状態に応答して、注入面にてビーム幅に沿って必要とされる出力分布を有する安定な出力ビームを得るように調節する。
本発明の更に他の側面に従うと、本発明は、注入ビームラインとして双極子磁石中を通るイオンビームのビーム幅を横切って延びる一組の多極要素を賦活することによって、加工体内に均一な注入量を達成する方法を包含する。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の第１の具体例であるイオンビーム装置の一部概略図による線図である。
図２は本発明の第２の具体例を示す線図である。
図２Ａ〜２Ｃは、図１の装置に適当なイオン源の抽出グリッドを示す線図である。
図３は図１の装置のダイポール（双極）磁石の１磁極片を示す斜視図である。
図４は本発明のイオンビーム装置の第１具体例を採用する全注入装置システムを示す一部概略図による線図である。
図５及び図５Ａは本発明のイオンビーム装置を使用するイオン注入システムのビーム電流及びドウェルを示すグラフである。
［好ましい実施例の詳細な説明］
本発明によるイオンビーム注入装置は、大電流イオン源、単一平面内の高度に制御された収差を用いてビームを広げる形状及び輪郭の第１の双極子磁石、並びに一次元のビーム分布を調整する多極アレイを利用することにより、ｍＡより大きい電流、及び数ｋｅＶより大きいエネルギーにおいて、均一性が高く幅が広いリボン状イオンビームを達成する。いくつかの実施例では、第１の磁石は分析孔を通してビームの焦点を定め、第２の磁石は更にビームを偏向させて調整する。本発明の種々の構造は、出願人の前述の米国特許第5,350,926号において、言及される制約を緩和し、商用生産のための大電流リボン注入装置ビーム線を生ずる。システムの固有の特性は、次の考察からより充分に理解される。
出願人は、双極子磁石を用いて分析され偏向される、数ｋｅＶで付勢されるミリアンペアビームを加速するイオンビームシステムが、アイソトープ分離において、使用されるカルトロンに影響を及ぼすと報告された性質において、密接に関連する不安定性に従属することを認識した。この種の不安定性の理論的なモデルは、Igor AlexeffによりIEEE Transactions on Plasma Science,Vol.P5-11,No.2,June,1983において、提示された。これらの不安定性は、一般に数百ｋＨｚの周波数におけるビーム伝送において顕著な雑音振動を引き起こし、ビーム成長を起こし、均一性の制御を失わせる原因となる。出願人は、この種の不安定性の効果を最小にするイオン注入装置を設計することを企て、米国特許第5,350,926号に記載されたように、加工体への注入（即ちシリアル注入）に適した安定で幅広の強烈な均一ビームを達成する高度に制御された注入システムを以前に設計した。出願人は、後述するように、本発明に従い、汎用スキャンシステム又は被加工体輸送システムでの小ロット及びより大規模な製造の両方での大きい被加工体の能率的な注入に適応されたリボン形の商業的に有用で、大電流ではあるが必ずしも均一でない電流分布のビームを設計した。本出願人の新しい構造は、制御された多磁極レンズを有するビーム調整に依存する。
一般に、イオンビームの均一性はその長さに沿って変化し、制御することが極めて難しい。本発明によれば、出願人は、ここでビーム幅と呼ばれ、ビーム幅に対して横方向の各点で積分され、ビーム広がりと呼ばれる断面に沿う、単一横方向の大きなリボン形状ビームの分布を制御する。この点に関しては、たとえイオン源を出るときにビームの電流分布が実質的に滑らかでも、ビーム内のイオンが様々な方向に移動しているので、一般にそれが維持されないと理解される。この分野の専門家によく知られているように、光学要素内の収差は（輝線として観測可能な）ビーム内に火面を発生する傾向がある。出願人は、その内部で角度の広がりを減少させるために抽出されたイオンビームを広げることにより、１つの寸法の均一性に影響を及ぼさないそれら収差を犠牲にして、関心のある一平面内の収差を制御するためにビーム光学要素を構成することにより、この困難に取り組む。しかし、従来のレンズとは異なり、個々の極要素の１つ又はいくつかの列は完全にビーム全体に広がり、それらの多極収差はゼロに減少させられず、むしろ、多磁極から下流にある目標平面でストリップビームの全部の幅にわたってイオンビームの電流密度の所望の空間的変化を正確に起こすために、局部的な収差は、例えばステッパ又は電流ドライバにより制御される。
この発明によって、作られるイオン注入装置は、抽出孔、好ましくは長方形又はテーパをつけられたスロットによりイオンビームがイオン源内に維持されるプラズマから抽出される、Freeman型、Bernas型、又はマイクロ波源のようなイオン源から成る。例えば、イオン源磁場内の高度な均一性を保証することにより、プラズマはスロットに沿って周知の方法により分布させられ、一方、最終的に所望の注入ビームの形状により、抽出されたビーム電流密度は一定でも不定でもよい。不定のイオン源ビームは、例えば、末広がりのエッジを有するテーパをつけられたスロット、若しくは同様に配列されたスクリーン又は制御電極を提供することにより得ることができる。しかし、好ましくは、均一な分布を発生させるようにイオン源は構成され、線形若しくは他の所望の静止又は不定の電流分布を生じさせるように、注入装置システムの双極子磁石は形成される。スロットにより抽出されるリボン形のイオン源ビームは、両方の寸法において、広がり、好ましくは、更に以下で図示されるように、１つの寸法は半径方向にそれが抽出される孔の曲率中心（図形的に図１内の「Ｃ」で示される）と反対方向に発散する。従って、最初のイオン源は幅寸法全体に広がるビームを提供し、前記ビームは均一又はほぼ所望の出力ビーム分布であるビーム形状を有し、例えば、概略的に均一又は左から右にその幅に沿ってほぼ単調に電流密度が増加している。適当なイオン源は、例えばNucl.Instr.and Meth.B37/38(1989)p.78でN.Whiteにより記載されたようなWhite源であってもよく、水平方向の均一性のために最適化され、約０．０８ラジアンのビーム発散を有する。
図１に示される１つの実施例では、イオン源ビーム１は大きな双極子磁石３’のギャップを通って伝わり（図形的に示される）、更に詳細に後述する方法によりビーム電流密度の所望の分布を発生させるために多極要素３５の列が配置され、出力軌道は実質的に平行にされる。
他の実施例では、双極子磁石３は、両方の寸法でビームの焦点を定め、ビームを偏向させ、ビームが滑らかに分析孔４（図１Ａ）を通り抜けるように配置される分析磁石である。ビーム内の不必要な構成元素は伝達されることができず、拒絶される。磁石３に類似した寸法であるが極の幅がより大きい第２の磁石５は分析孔４を通過ぎる発散性ビームを受け入れ、両方の寸法でビームを偏向させ、平行にする。この実施例の構造は、イオン源及び多極要素の両方が、ビームの幅方向に沿って線形に増加するか又は特定の不定な走査速度を修正するように計算された電流密度のような一様でない分布のビームを形成するように操作されることを除いて、前述の米国特許第5,350,926号と類似である。更に、イオン源は、主に最終的な出力分布を形成している多極要素を有する、安定しているが一様でない電流分布を発生させるものであってもよい。
収束特性及び２次収差を制御するために偏向磁石を使用しているシステムの設計は、まず最初に前述の米国特許第5,350,926号で説明したように、例えば、Stanford Linear Accelerator Center(SLAC)の刊行物でK.L.Brownにより記述された周知で容易に利用可能なコンピュータープログラムTRANSPORTを使用して行ってもよい。一般に、このプログラムを使用すると、イオンがプラズマを放出するイオン源における位置及び加工体の平面におけるビーム中のイオン源の位置との間の１対１のマッピングを前もって決めることができる。しかし、イオンビームのための本発明の磁気要素を設計する際に、この１対１のマッピング条件が後述する実施例で幅又は水平方向と呼ばれる１つの寸法でほぼ維持されることを指示するために、出願人は制約を緩和する。その時、これらの条件のもとで、被加工体におけるビームの電流分布は、この１つの寸法でプラズマの密度を反映する。正確にビーム電流密度分布を調整するために更なる多極制御及び後述する調整ステップを実施する前に、TRANSPORTプログラムは４％未満に保持された変動を有する出力ビームを形成している磁石を生ずる。最初のイオン源がくさび型又はテーパをつけられたビームであるとき、TRANSPORT設計アルゴリズムは類似の形状の出力ビーム分布を同様に発生してもよい。
本発明の好ましい実施例によると、ビーム分布は、正確に幅全体の所望の分布と一致するように形成されるか、更に改良され、多極構成要素の調整のためのビーム分布測定値に応答するコントローラを提供することにより被加工体全体で１％の変動を達成し、コントローラは分析磁石の設計に含まれるか、又は個々の調整可能な電磁多極素子の別々の装置又は配列として提供されてもよい。概念的に、これらは以下のように作動する。
注入位置での電流密度Ｊｉは、一般に水平座標ｘｉの関数であり、添え字ｉは、注入位置を示す。以下の分析が、ビーム幅に沿った電流密度の変動を垂直電流分布で水平方向の特性を記述し、ビーム高さで積分されたビーム広がりに対応させる。ビーム挙動を描くために倍率という概念は概念的に有用であるので、たとえ論議されるシステムが必ずしも画像処理システムであるというわけではないとしても、倍率（それは画像処理システムだけのために厳密には論議されなければならない）という用語が使われ、これが、
Ｊｉ＝Ｊｓ／Ｍ
であり、添え字ｓはイオン源位置を示し、Ｍは倍率であり、ビーム減衰効果は、この分析において、無視される。倍率は、
Ｍ＝ｄｘi／ｄｘs
により定義される。
倍率自体は、ｘの関数であってもよい。例えば、K.L.Brownによって、刊行物に記載されているように、この種のイオン光学システムの光学特性が２次まで、そして原理的にはいかなる次数までも、転送マトリックス形式によって、都合よく表すことができることは周知であり、これはコンピュータコードTRANSPORTにおいて、使用され、転送関係のx1を決定する係数の決定を可能にする。
x1＝a11xs+a12xs'+...+a111xs 2+a112xsxs'+a11xs'2+...
角度ｘ’の効果が画像処理システムに対してゼロであるが、より大きい精度のために一般に考慮されることができる。ｘ’を無視すると、
Ｍ＝ａ11＋２ａ111ｘs
従って、倍率はｘ座標と一緒に変化することができ、２次及びより高次の転送係数に依存する。ビーム電流密度は、倍率に反比例し、従って、２次及びより高次の転送係数によって、制御可能である。転送係数は、個々の多極レンズによって、又はWollnikにより文献に記載されている類似した装置により理論的に制御されることができる。大電流イオン注入装置では、この装置は過剰な空間を占領するかもしれず、かなりの複雑さ及びコストを必要とするかもしれない。
出願人の発明の好ましい実施例では、これらのより高次の項は、双極子を曲げる磁石に近いか直接つながる一連のより高次の磁石素子により定義され、例えば、形成されたコイルを磁極表面に組み込むか、又は物理的に調整可能に配置された複数の鋼磁極シムを提供することにより定義される。
出願人の発明の好ましい実施例では、磁石の入口及び／又は出口の磁極表面をカーブさせることにより、いかなる必要な６極磁場構成要素も、恒久的に大きな双極子磁石設計に組み込まれる。６極構成要素は、例えば、分析磁石内のある種の望まれていない収差を制御して相殺することを要求される。それに加えて、６極構成要素は、目標位置で電流密度分布におけるほぼ線形の変動を誘発するために故意に加えられてもよい。しかし、電流密度分布のより正確な制御部は６極より多い調整可能な多極を用いて達成され、これらは出願人のシステムにおいて、複数の物理的に調整可能な位置決め可能な磁極シム、又はビームに対して横に配置された複数の電磁石素子により提供される。
一般に、大きな双極子磁石を有するシステムの下記の説明では、分析磁石（存在するならば）は低い収差のために最適化され、一方、最終又は出力双極子はビームを曲げるため及びそれを平行にするために作動し、その入射口、その出口、又は両方において、より高次の多極ユニットにより構成され、多極ユニットは所望の出力分布から変動を減少させる収差を提供するために作動する。
イオン光学アプリケーションでは、以下の形式の円筒極座標で多極レンズの範囲を表すことが普通である。
Ｂ＝−▽Φ
Φ=Φ1rcos(θ+δ1)+Φ2ｒ2cos(2θ+δ2)+Φ3ｒ3cos(3θ+δ3)+...
ここで、Φは磁気スカラーポテンシャルであり、方程式の右側の第１、第２、及び第３の頃は、それぞれ双極子、４極、及び６極構成要素である。
しかし、ビームがリボンビームであるので、この表現が現在の状況において、低い次数まで実用的なだけであり、ここで垂直でない磁場成分の効果は重要ではない。長軸が水平であると仮定すると、水平軸上の垂直磁場は、以下により表されてもよい：
Ｂ＝ΣiＢiｆ（ｘ−ａi）
ｆ（ｘ）≒ｅｘｐ（−（ｘ／δ）2）
ここでａ１は各電磁石極からの磁場の中心のｘ座標であり、δは各極により発生させられる磁場の特性幅である。関数ｆ（ｘ）はこの表現で近似され、より正確な又はより解析的に正しい関数を用いることができる。この表現によって、各多極素子に対して計算される任意のｘ座標位置における軸方向ビーム線に対する極の影響が許容され、実際に、多極配列の光学的挙動が以下で論議される修正に対してうまくモデル化されることが、軸はずれビーム線に対して十分に正確であることがわかった。
本発明の１つのシステムにおいて、基板は出力イオンビームを通して、より小さい方のビーム寸法を横切って、物理的に移動する。一次元の電流密度は基板速度と比例し、一貫した注入が達成される。基板が完全に滑らかにビームを通して移動するならば、分配されるイオンの積分された注入量に少しの変動ももたらすことなく、より小さいビーム寸法が変化できる。イオンビームのより長い寸法に沿って一次元の密度に所望の変動を引き起こす収束素子を設けることは又、より小さい寸法全体の変動をも引き起こしうるが、後者の変動はクロス走査によって平滑化され、この発明の性能に対する有害な効果を有しない。
多極素子は、イオンビームが通過する矩形の領域の内部で磁場を制御する。磁場は一般にイオンビームの内部で維持される空間電荷の中和を可能にするので、好ましくは、それらは磁気素子である。上記のように、多極素子は、例えば、より大きい磁極部分の内部で一組の可動鉄又は鋼の棒セットから成ってもよく、棒は自動制御装置により配置される。あるいは、多極素子は、リボン形にイオンビームのまわりに配置される電磁石から成ることができ、一組の別々に制御可能な電流源に接続している付勢コイルを有する。
どちらの場合でも、一般的な動作及び極の調整は、スロット開口を通してビームの分布を測定するファラデーカップからビーム電流密度分布測定値を受信するコントローラにより遂行され、それがそのより長い寸法（又は同様に配置された固定センサ配列）に沿うビーム幅を横切って進行するとき、その分布を所望の分布と比較するか、個々の電流源、サーボ機構、その他、導出された誤差関数を減少させる手段に対する一組の適当な調整値を調べ又は計算する。新しい設定は多極に加えられ、ビーム分布が所望の分布に対する許容度設定に一致するまでプロセスは繰り返される。各極素子の転送関数を測定及び表にすること、一組の調整をモデル化すること、並びに固定又は適応可能な一組の制御規則を提供することにより、一般的な制御理論から公知の方法で、自動化されたマイクロプロセッサコントローラのようなプロセス制御の分野において、公知の方法でコントローラを実施できる。それで、そのように作られる有限状態コントローラは、測定値入力、制御規則又は状態のより小さいセットを利用するために最適化されることができる。本ケースでは、種々のシステムパラメータが十分に安定していて繰り返し可能なので、注入装置の作動パラメータが特定のエネルギー及び種に対して一度経験的にセットされたら（即ち、以前にコンパイルされた設定のテーブルから）、微調整はオペレータにより少数のステップで容易に実行される。
イオンを目標（加工体）に注入するために使われるリボン形のイオンビームで所望の一次元の電流密度分布を達成するための多極レンズを調整する基礎的な方法は、次の工程を含む。
先ず、各多極及び双極子磁石のレンズ効果の表現を使用して、イオンビームが輸送されるイオン光学システムのコンピューターモデルをセットアップする。このモデルにおいて、イオンビームは、好ましくは、当初は一様な間隔の光線であって、目標上で得られる電流密度が各光線により表される電流に比例し、光線間の間隔に反比例するような光線の列により表される。そこで、目標平面で実際のイオンビームの電流密度の主要な横寸法に沿った分布を測定し、この測定値をコンピュータメモリ内の点の配列として記憶する。これは、実際の入出力にシステムの転送関数を与える。次に、その出力が各々の観測されたか又は可能な条件に対する観測されたイオンビーム電流密度分布と一致するようにモデルを調整し、所望の分布及び測定された分布の相違の増加と共に、目標領域内部の注入平面で増加する誤差関数を得るために、この分布は所望の基準出力分布と比較される。ついで、コントローラは、多極レンズ素子の設定に対して繰り返し組織的な調整をし、コンピューターモデルを使用して起こっている分布を計算し、新しい誤差関数を計算し、誤差を増やす設定を拒絶し、誤差を減少させる設定を維持する。イオンビームの操作では、分布の新しい測定が時々なされ、設定許容度で所望の分布が達成されるか、与えられた多極レンズを使用して更なる改良が得られなくなるまで、モデルは再調整される。
前述の考慮を用いて、本発明の図示された実施例の詳細な説明が、今、与えられる。
図１では、注入装置システム１００’はイオン源２により発生させられるイオンビーム１を用いて作動する。Freeman型、Bernas型又はマイクロ波イオン源を含む種々のイオン源２が使用でき、Whiteにより記述されるように修正されたBernas型イオン源が図示されている。イオンビーム１はリボン形であり、最初は５０ｍｍ〜７５ｍｍの間の幅であるが、イオン源２内のカーブさせられたスロットを出るときは、たった２〜５ｍｍの高さである。
イオン源は、図２Ａに「Ａ」で指示されたスロット開口部全体に空間的に固定され実質的に滑らかなイオン分布を提供する。イオン源は更に、図１Ａに図示されているように、熱フィラメント（番号をつけられていない）に電流を流す電力源２５、及び、イオン源チャンバでガス又は蒸気が能率的且つ一様にイオン化されるように放射された電子を強制するように、磁石電源４により励磁される磁石１０を含む。スロットを有する３つのグリッド１１，１２，１３の配列は、イオン源からのイオンを閉じ込め、抽出し、加速するのに役立つ。イオン源は、均一なビーム発生させる一定の高さのスロットか、又は幅座標と共に増加する電流のビームもしくは調整されたビーム分布を発生させることができる傾斜した高さ有することができる。しかし、均一なイオン源は十分に開発されており、ここで記載される出力分布をモデル化し作り出すのに充分であるので、イオン源が均一な分布を提供することを以下の議論は一般に仮定する。
より詳細に図２Ａ−２Ｃに示されるように、好ましいイオン源では、抽出グリッド１１は、外側に凸面状に曲げられ、上部及び底部エッジが平行なスロットを有し、スロットの端で狭くなっている。垂直断面図２Ｂに示すように、前後の表層は斜めに切られ、スロットのエッジはナイフのように鋭くなる。イオンビーム１がイオン源２のプラズマから抽出されるグリッド１１のスロットは湾曲しており、ビーム中のイオンはイオン源のグリッド１１の後ろ約１５０ｍｍに位置する曲率中心点（図１の「Ｃ」）から発している軌道に沿って表層に垂直に最初に加速され、水平面で＋１／−５°より大きい角度で発散する。スロットは、平行にカーブさせられた側面、及び２〜５ｍｍの間の高さを有する。第２のグリッド１２は、厚い黒鉛又は金属ストックで形成され、その右又はイオン源に面する表層を有し、図２Ｂに示されるように、グリッド１１の外形と平行であるので、放出されたイオンは半径方向外側、即ち、グリッド１１の表層外形に対して垂直に加速される。グリッド１２は平坦な左表面を有し、グリッド１２のスロット開口部はグリッド１１のスロット開口部よりわずかにより大きいので、第２のグリッドは放出されたイオンにより侵食されない。他のグリッド１３（それは高電圧源２０の負の（接地された）側に接続している）は、平坦なプレートであり、グリッド１２の左表面と平行であり、グリッド１２のスロットに整列したスロットを有する。イオン源２に対して中間のグリッドを高い電位差に維持するために、抑制電源２２がグリッド１２と１３の間に接続され、これによりグリッド１２からグリッド１３まで通過する際に抽出されたビームのエネルギーが減少し、ビームはわずかに平行化される。典型的な値が８０ｋｅＶシステムに対して示される。ただし、実際問題として、８０ｋｅＶ以下の如何なるエネルギーのイオンも分配するようにシステムが調整でき、その場合、抑制電源は、例えば、グリッド遮断電流を最小にする電圧レベルまで調節されることは理解されよう。イオン源のスロットは平行であるものとして示したが、幅方向に先細りにしても良いし、完全に均一なカーテン状のビームではなくて幅の広いくさび状ビームを発生させるために、非対称の構造を有するプラズマ室を用いて作動されることができる。
今、図１について続けると、ビームの幅方向に発散するリボン形のイオンビーム１は、多極アレイ３５を通過する。ここに、入射ビームは、等しい電流の領域をマークしている線を用いて描かれている。比較的多数の多極（例えば、１０個以上の素子３５ｉ，３５ｊの１もしくは複数の列）が、完全にビーム幅全体に配置され、上で記述したモデルを使用して通過するストリップ内の電流密度を調節するために各々は作動し、ビーム分布を修正するので、弯曲磁石３’に入射するビーム１ａが、出力ビーム１ｂで一定の電流（即ち等間隔に配置された線）出力分布として示される所望の出力分布に修正される。ビーム高さの小さい変動は異なる多極に起因するが、注入位置ＷＩでのウェハがビーム広がりによって、充分にスキャンされるならば、ビームの高さは注入量にも一様性にも影響を及ぼさない。磁気レンズ３’は比較的大きな表面積を有し（例えば、４００ｍｍ×５００ｍｍの湾曲した台形アセンブリ）、後述する図１Ａの磁石５に類似し、多極により修正された入力ビーム１ｂが一般的にそれと交差する方向を向く磁場を有する電磁石３’の極の間に入射するので、磁場はある角度でイオンビーム１を偏向させ、発散している軌道を平らにし、注入位置に対して約７０°のカーブを通してビームを曲げることが理解される。これは、被加工体がイオン源に対して見通し経路にないことを保証する。
従って、この第１の実施例は、一定であるか、線形であるか、カーブさせられたか、その他の予め選択された電流密度分布の高度に正確且つ平行な注入ビームを達成するために、単純な大きな双極子及びビーム間の多極アレイの比較的単純な構造を利用する。正確な出力分布を発生させることにより、ビームは単純に既存の機械的搬送の搬送特徴と整合し、注入量制御及び一様性を達成するプロセスを大いに単純化する。
第２の実施例（図１Ａに示される）において、システムは前述の米国特許第5,350,926号のそれと同様の全面レイアウトを有し、高電力で一定のビームを訂正するために分析磁石内の少数の多極を使用する代わりに、一定ではないが、正確な出力ビーム分布を有する分析されたビームを発生させるために磁石は設計され、構成される。
本実施例において、磁石３は、米国特許第5,350,926号で説明したように、分析孔４を通してビーム広さ寸法でビームを集中させるためにビーム１の広がっている広がりを圧縮する分析磁石である。
イオンビーム１は分析孔４を通過した後に再び発散し、第２の電磁石５の極間を通過し、電磁石５は更なる角度だけビームを偏向させる。電磁石３及び５の極は、実質的に平行で、不必要なイオン種がなく、不正確なエネルギーのイオンがない軌道を用いて、その幅全体の一定でない一次元のビーム電流密度分布を導くか維持する特性を有する射出イオンビーム６を提供するように設計されている。
射出イオンビーム６の電流分布は、電磁石３の２次及び高次の転送係数、及び／又は電磁石５の２次及びより高次の転送係数を修正することにより制御される。好ましい実施例では、この修正は、一般に多極構成要素と呼ばれる磁石の６極、８極、及びより高次の磁場成分で変化を導入するために、ビームの有用な部分全体の磁石５の極の中央領域にある特別に輪郭をつけられた極挿入物の部分を動かすことにより成し遂げられる。
図３は、図１のビーム線内の磁石３’を通る軌道ｔiを図示する。磁石３’は、図１Ａの湾曲した軌道を真っ直ぐにする磁石５に類似している。各々１．５ｘ１ｘ１２インチ（３．８×２．５×３０．５ｃｍ）の大きさの一連の１２個の棒３１は磁石３’のコイル３’’に直接組み込まれ、磁石３’の極の平坦な射出表面に対して設定され、ドライバメカニズム３５ａ，．．．を備えているので、極表面と同じ面内に位置づけ、又は極表面下で１インチだけ個別に引っ込めることが可能である。棒３１のこの組が所望の調整可能な多極レンズを提供し、各極棒はビーム幅方向でイオン軌道の分布を集中又は分散させるのに効果的であり、それゆえに、通過しているビームのｔi，ｔjの狭帯域内で電流密度を変える。一般に、ビームが通過する大きな双極子のギャップの高さのたった半分の間隔又はピッチを有する棒、ロッド又は他の極素子で充分である。従って、好ましい３〜４インチ（７．６〜１０ｃｍ）のギャップに対して、出願人は１．５〜２インチ（３．８〜５．１ｃｍ）までのピッチを使用する。
図１Ａでは、１．５ｘ２．０インチ（３．８×５．１ｃｍ）の類似した一列の棒が、磁極５、即ち、分析ビーム線の第２の曲げ磁石の出口エッジに沿って設定されることに留意する必要がある。極エッジのこの構成は、磁石極内に極素子を配置することよりより大きい範囲の調整を可能にする。各々の場合、棒はリードネジ及び電気のモーターにより駆動され、各棒の調整に関してその位置データをコントローラ３６に提供するために、それらの位置は、棒の動端と接触するバネ押し延長アクチュエータを備えた線形電位差計によって読み込まれる。両方の実施例において、調整可能な棒は上下の極片に具備されていてもよく、従って、ビームの反対側に突出し、より大きい範囲の局所的な磁場調整を提供している。しかし、実際の実施例に対して、調整可能な棒の単一の列は、単純で信頼性の高い制御を実施するのに好ましい。制御は、例えば、回転ドラム注入装置システムに適している単調なビーム電流密度分布を形成できる。図３に示すように、ビーム入射表面ＥＦは、ビーム形を変えるために輪郭をつけられることができ、出力の大雑把な電流密度分布を決定できる。
更に、第３の実施例は、ビーム経路全体に配置される別々の及び個々の磁気多極アレイを用いて実施される。この型の形成アレイは、図１Ａに多極４０として示され、例えば、各々がコイルにより電力を供給される２６個の極を有し、高さ４インチｘ幅１６インチ（１０×４０ｃｍ）の矩形断面孔を有するビームトンネルの上下に、２列の１３極の形で配列される。これらの動かない極は、共通の平面と同じ高さに及び鉄か鋼のコアを有し、長くて幅が狭く、例えばその平面内では５×１ｃｍであり、各々の長さ寸法は通過するビーム軌道と平行している。従って、ブレード状の極素子の角度は、ビームの幅にわたって次第に変わる。幅が狭い長い極片は、イオン光学をモデル化するためにイオンビームが明らかに単純な軌道バンドに分けられること、及び磁場を修正しながら比較的長い行程で、各バンドがその極素子を通過することを保証する。他の多極構造でのように、極素子が完全にビーム幅全体に伸びるので、それらはほぼ１インチ（２．５ｃｍ）のピッチで広がる。典型的な実施例での各極は、ビームの上下、真空トンネルの外側に、約４インチ（１０ｃｍ）伸び、それらは、磁束を反射するのに役立つ鋼のヨークにネジでとめられる。極の対向する一組の巻き線は、任意に直列に接続されることができる。多極４０のコイルは、サーボモータに電力を供給するために市販されたパルス幅変調電流源により、個別に、又は、好ましくは１３対の形で電力を供給される。ＰＷＭ源は、コントローラ３６（図１Ａ）により制御される。どちらの場合でも、より高い磁場を棒全体に提供することにより、棒を通じて進行しているイオンはシフトされ、狭帯域ｔi の一方の側で電流密度を上げ、その帯域の残りの部分で電流密度を減少させる。
本発明の本態様によると、制御装置３６は注入平面付近又は後方に位置するビームプロフィーラ３７からのビーム強度情報を線３６ａを介して受信し、制御線３６ｂに沿って磁石３、磁石５又はアレイ４０の多極素子を制御する制御信号を送り、ビーム分布を所望の電流密度分布に調整する。プロフィーラは、電源内の構成要素のエージング及び変化のために必要になった補正を決定するために、間欠的に週又は月の間隔で処理実行の間に作動してもよい。しかし、好ましくは、制御装置３６は、最初は理論的なビーム集束モデルから出発し、次いで実際の制御及び安定化プロトコル（即ち、多様な条件のオペレーションで安定した信頼性の高いビーム補正をもたらすために制御理論から公知の方法で開発され実質的に上記のような「最適化」又は最小化された「コントローラ」による方法）により調節を増やすような制御プログラムにより多極素子の調節を行う。この方法による調整は、固定された磁石の設計又は磁石のみのセットで達成するよりも非常に程度の高い出力ビーム６の電流密度分布の制御を達成する。
注入位置において、目標７はステージ７ａ上にあって制御された速度であちこちに移動する。もし速度の垂直成分がビーム幅電流密度分布と一致するならば、イオンビーム６は大きさが経時変動しないので、出力ビーム６を通して目標７を移動することにより均一な注入は達成される（垂直とは、ビーム広さ方向、即ちビームの幅の寸法に対して横方向でビーム軸を横切ることを意味し、図の平面に対して垂直という意味であることが理解される）。上記のように、異なる実施例に対して、目標７がビーム６を通過する間、目標７は直線又は曲線の経路上を動き、ビーム分布は相補的な電流分布を提供して一定の注入をもたらす。
第２の、非磁性ビーム調整又はビームトリミング手段、例えば、前述の米国特許第5,350,926号にて説明したような複数の重なったビームスクレーパを設けてもよい。その場合、それらはビーム線内で、一般に磁石３又は磁石５の近くでイオンビーム１を横断するように配置される。何らかの理由で多極形成素子により適切に減少又は制御されない電流密度内のピークが起きることがわかっている所で局所的に電流を減少させるために、この種のスクレーパを用いてもよい。必要な変化を決定するためにビームプロフィーラ３７が出力ビーム内の点配列のビーム強度を測定した後、挿入物３１の最後の調整はされる。
図４は、実際の実施例として、図３の７０°湾曲した磁石３’を使用した１つの効果的なビーム装置１１０を示す平面図である。図示するように、上記のWhite源のようなイオン源２は、イオンビームを、磁石３’の磁極の間を通る真空ハウジング６２により画定される真空トンネルを通して投影し、整形し、それを処理装置６５のウェーハ注入位置７でより大きな真空アセンブリ６４に差し向ける。装置６５は、発明者Manny Sieradzkiの米国特許5,486,080にて説明したように、転送ロボット６６を中継してロック６７，６８からウェーハを受け取り或いはロードする。図示するように、磁石３’間のトンネル、及びそのコイル３’は、イオン源及び注入装置をコンパクトに接続する。大きな発散性のイオン源ビーム１に対する効果的な曲がりを提供するために、ビーム入射表面ＥＦは水平面内の凹形として示される。しかし、ギャップを通してより長いか短い経路を提供して全面電流を移動するために、均一なイオン源ビーム１を一般に線形であるか一定でない電流分布のビームに形成するときに、まっすぐであるが、凸面であるか、他の湾曲した入射表面が使用されてもよいことは理解される。図示されないが、多極素子の他の列（例えば、入射位置で図１Ａの多極４０に類似した別々の多極、又は出口表面より中の位置で極全体に伸びる素子の線状列）が提供されてもよい。
従って、開示されている本発明、その変化及び変更は、当業者が思いつくであろう。システムは規模において、増減してもよく、ビーム形成及び整形素子の方向づけは水平のかわりに垂直でもよく、開示された外形の種々の考慮及び変更はされてもよい。二つの大きな双極子磁石を使用しているシステムが配置されてもよく、二つの磁石が同じ方向に曲がる必要はない。イオンビーム６を通して目標７を通過させるために、コンベヤーベルト、回転ドラム、及びその他を含む様々な装置を用いてもよく、正確であるが垂直でない注入が要求されるイオンビーム６の方向に関して目標７の方位を変化させる手段が含まれてもよい。例えば極片の外側のエッジに対接して配置され且つイオンビームに関して横断方向に配置された垂直に調整可能な鉄のロッド、又は双極子湾曲磁石の前後に配置される別々の多極ユニットのような、異なる調整可能な多極アレイが使われてもよい。この文書に追加される請求項において、明確にされるように、この種の変化及び変更は本発明の範囲内である。
Claims (15)
- 加工体にイオンビームを均一に注入するための装置であって、前記装置は所望する種のイオンを含むイオンビームを生成し少なくとも１つの方向にビーム路に沿って分散するイオン源、及び前記加工体を前記イオンビーム中に選択された速度分布で通過させるのに有効な加工体移送機構と一緒に使用するように構成され、
前記ビーム路にあり、分析前のソースビームを受け入れて湾曲させ、前記所望する種のイオンを、２００ミリメートルを越える横断方向の長い方の寸法と短い方の寸法を有するリボン形の出力ビームに形成し、且つ前記所望する種の前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で平行にし、前記速度分布に対応した所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って達成するために前記出力ビームの電流密度分布を同時に形成する単一の双極子磁石、
実質的に全体が前記ビーム路を横切って広がり、前記電流密度分布が達成される精度を改善する調整可能な多極イオンレンズ、並びに
前記所望する電流密度分布からの変動を減少させるために収差を変更する前記イオンレンズの磁極要素を設定するために、注入位置の近くの前記出力ビームの電流密度の測定値に応答する手段から成り、前記所望する均一でない電流密度分布が前記速度分布を補償し、それにより実質的に均一な分量のイオンを前記加工体に注入するのに有効であることを特徴とする装置。 - 前記多極イオンレンズが前記双極子磁石の少なくとも１つの極に組み込まれ、前記レンズは１組の可動フェライト棒を含み、前記フェライト棒の各々が縦軸を有し、前記フェライト棒の各々が前記縦軸に沿って軸方向に移動することができ、前記棒の移動が前記磁石の前記磁場の多極成分を前記双極子磁石の各磁極間の有効ギャップを局部的に変化させることにより変更することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
- 前記多極イオンレンズが共通の帰還ヨークを共有する少なくとも３つの電磁石の第１の組を含み、前記電磁石の磁極が前記イオンビームを横切って一列に、前記イオンビームの近くに、且つ前記イオンビームの横断方向の長い方の寸法と平行に配置され、各電磁石は別々に制御可能な電流源から電流を供給され、前記組が前記横断方向の長い方の寸法を横切って広がることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
- 前記多極イオンレンズが、前記イオンビームと平行に、且つ前記第１の組から前記イオンビームの反対側に配置された第２の組の電磁石を更に含むことを特徴とする、請求項３に記載の装置。
- 前記磁極がブレード状であり、その上を通過するビーム軌道に平行であるように前記長い方の寸法に沿って次第に変位することを特徴とする、請求項３に記載の装置。
- 前記調整可能な多極イオンレンズが、前記長い方の寸法を横切る１次元電流密度データを抽出するプロファイラに応答して制御されることを特徴とする、請求項１から５の何れかに記載の装置。
- 加工体を前記ビームを通して軸のまわりの回転により移送する回転している加工体移送体と一緒に使用するためのものであって、前記所望する電流密度分布が前記回転軸からの距離に比例する分布であり、それにより均一な分量のイオンを前記加工体に与えることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
- 加工体をイオンビーム中に選択された速度分布で通過させながら前記加工体にイオンビームを注入するための方法であって、
所望する種のイオンを含む、少なくとも１つの方向に分散する分析前のイオンビームを生成し、
前記ビームを双極子磁石に沿って通過させて
ｉ)前記所望する種のイオンを、２００ミリメートルより大きい横断方向の長い方の寸法及び短い方の寸法を有するリボン形の出力ビームに形成し、
ｉｉ)前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で平行にし、及び
ｉｉｉ)前記加工体の速度分布に関連づけた所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って達成するために、前記出力ビームの所望する電流密度分布を形成し、
前記イオンビームの前記電流密度分布をその横断方向の長い方の寸法に沿って測定し、
前記出力ビームの前記所望する電流密度分布の精度を改善するために、前記イオンビームを実質的に横切って広がるように配置された複数の多極要素を調整し、並びに
処理される前記加工体に前記出力イオンビームを均一なイオン量で正確に注入するのに有効なように、前記加工体を前記出力イオンビーム中に、前記速度分布で通過させて走査する工程から成ることを特徴とする方法。 - 所望する１次元電流密度分布を達成するために多極レンズを調整し、同時にイオンを加工体にイオンを注入するのに使用されるリボン形イオンビームを平行にする方法であって、
前記イオンビームが移送されるイオン光学系のコンピュータモデルを設定し、前記コンピュータモデルでは前記イオンビームが最初は均一に間隔を空けられた光線の配列により表され、前記加工体上に結果として生じた電流密度は各光線により表される電流に比例し、光線の間隔に反比例し、
前記電流密度分布を実際のイオンビームの横断方向の長い方の寸法に沿って測定し、この測定値を配列コンピュータメモリの中の点の配列として記憶し、
その出力が観測されたイオンビーム電流密度分布と一致するように前記モデルを較正し、
前記測定された電流密度分布を所望する基準分布と比較して、前記所望する電流密度分布と加工体注入領域の中の前記測定された電流密度分布の間の差異を示す誤差関数を計算し、
前記多極レンズ要素の設定を繰り返し調整し、結果として得られる電流密度分布をモデルに従って計算し、新しい誤差関数を計算し、誤差を減少させる設定を保存し、及び
前記所望する電流密度分布を有する前記出力ビームを正確に得るために、前のステップで得られた設定に従って前記多極要素を設定する諸ステップから成ることを特徴とする方法。 - 加工体にイオンビームを均一に注入するための装置であって、
所望する種のイオンを含む分析前のイオンビームを生成し、少なくとも１つの方向にビーム路に沿って湾曲するイオン源、
前記ビーム路にあり、前記分析前のビームを受け入れて前記所望する種をリボン形の出力ビームに形成し、前記リボン形の出力ビームは注入される加工体の表面より大きい横断方向の長い方の寸法、及び前記加工体と比較して小さい短い方の寸法を有し、前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で平行にし、同時に前記ビームの所望する電流密度分布を設定し、前記電流密度分布は所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って有する第１の双極子磁石、
前記イオンビームの前記電流密度をその横断方向の長い方の寸法に沿って測定するためのプロファイリング手段、
前記ビーム路にあり、前記所望する電流密度分布が達成される精度を改善するために収差の範囲で調整可能な少なくとも１つの多極イオンレンズ、及び
加工体又は加工体のバッチに前記イオンビームを所望する均一な分量のイオンを前記加工体に注入するのに有効な前記所望する電流密度分布に関連する速度で通過させるための手段から成ることを特徴とする装置。 - 前記加工体が保持される角度を変化させるための手段を更に含み、それによりイオンの入射角及び前記加工体上の基準方向に対する方位角を変化させることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
- イオン注入のための装置であって、
分散ソースビームを受け入れ、ある範囲で前記ビームを湾曲させ、及び焦点を結ばせるのに有効な第１の双極子磁石、
前記焦点にある分析孔、
所望する種のイオンを前記孔から受け入れ、前記イオンを２００ミリメートルを越える横断方向の長い方の寸法を有する出力ビームに形成するのに有効で、前記出力ビームのイオンを約１°の範囲内で実質的に平行にし、且つ前記出力ビームが所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って有するように形成する第２の双極子磁石、及び
実質的に全体が前記ビームを横切って広がり、出力ビーム電流密度分布を前記所望する均一でない電流密度分布に変更するのに有効な複数の調整可能な磁極要素を有する多極要素から成ることを特徴とする装置。 - 加工体にイオンビームを注入する方法であって、
分散イオンビームを生成し、前記分散イオンビームの所望する種に分析孔を通じて収束させる第１の磁石を前記分散イオンビームに通過させ、それにより前記分散イオンビームの所望しない種を拒絶し、前記所望する種のビームを形成し、
前記所望する種の前記ビームに、そのイオン光学特性が所望する種の前記ビームをリボン形の出力ビームに形成する第２の磁石を通過させ、前記リボン形の出力ビームは注入される前記加工体の表面より大きい横断方向の長い方の寸法、及び前記加工体と比較して小さい短い方の寸法を有し、前記出力ビームのイオンは約１°の範囲内で平行にされ、均一でない電流密度分布を前記加工体の幅を横切る前記長い方の寸法に沿って近似し、
前記加工体を走査機構に前記イオンビームの方向に対して選択された角度及び方向で取り付け、
所望する均一でない電流密度分布に正確に適合するように前記出力ビームの出力電流密度分布を変更するために、全体が前記ビームを横切って広がる複数の多極要素を調整し、及び
角度、方向、及び単位領域あたりの分量が実質的に均一な分量のイオンを前記加工体に注入するのに有効なイオンビーム電流に関連する速度で１又は複数回だけ前記イオンビームを通して前記加工体を走査する諸ステップから成ることを特徴とする方法。 - 前記多極要素が、前記所望する電流密度分布が前記加工体の幅を横切って約２％の範囲内に適合するようにイオンビーム電流を制御することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
- 加工体にイオンビームを均一に注入するための装置であって、前記装置は所望する種のイオンを含むイオンビームを生成し少なくとも１つの方向にビーム路に沿って分散するイオン源、及び加工体に前記イオンビームの中を速度分布を有する速度で通過させるのに有効な加工体移送体と一緒に使用するように構成され、
前記ビーム路にあり、分析前のソースビームを受け入れて所望する形状に湾曲させ、その磁場が
i)前記所望する種を、２００ミリメートルを越える横断方向の長い方の寸法、及び短い方の寸法を有するリボン形の出力ビームに形成し、
ｉｉ)所望しない種を前記出力ビームとは異なる方向に向け、
ｉｉｉ)前記出力ビームの所望するイオンを約１°の範囲内で平行にし、及び
ｉｖ)所望する均一でない電流密度分布を前記横断方向の長い方の寸法に沿って達成するために、前記出力ビームの電流密度分布を形成するのに有効な単一の双極子磁石、
実質的に全体が前記ビーム路を横切って広がり、前記電流密度分布が達成される精度を改善する調整可能な多極イオンレンズ、並びに
前記所望する分布からの変動を減少させるために収差を修正する前記イオンレンズの磁極要素を設定するために、注入位置の近くの前記出力ビームの電流密度の測定値に応答する手段から成り、前記所望する電流密度分布が前記速度分布を補償し、それにより実質的に均一な分量のイオンを前記加工体に注入するのに有効であることを特徴とする装置。
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