JP3729953B2 - TFT array substrate and its manufacturing method - Google Patents
TFT array substrate and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP3729953B2 JP3729953B2 JP32156696A JP32156696A JP3729953B2 JP 3729953 B2 JP3729953 B2 JP 3729953B2 JP 32156696 A JP32156696 A JP 32156696A JP 32156696 A JP32156696 A JP 32156696A JP 3729953 B2 JP3729953 B2 JP 3729953B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- charge collector
- layer
- insulating film
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
近年、レントゲン写真に代って、X線を生体に照射してリアルタイムで生体内を診断するX線イメージセンサが開発されている。この発明は、このX線メイージセンサに用いられるTFT(薄膜トランジスタ)アレイ基板に関し、特に製造工程数の縮減に関する。
【0002】
【従来の技術】
X線イメージセンサは、生体を透過又は反射したX線を受光する表面膜状部と、その下に重ねて配されるTFTアレイ基板を有する。TFTアレイ基板にはTFTドットマトリクスLCDの場合と同様に、TFT及び各画素がマトリクス状に配列されている。従来のTFTアレイ基板を図4、図5に示し、その製造工程を順に説明する。
【0003】
(1)ガラス基板1の内面に必要に応じSiO2 などの絶縁膜2をコートする。
(2)ITOを一面に着膜し、ホトリソグラフィ技術を用いたエッチング処理(以下ホトリソ・エッチングと言う)によりソース電極S、ソースバスSB1、ドレイン電極D、蓄積容量電極CS1を形成する。
【0004】
(3)モリブデン(Mo)などのメタルを一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングにより、ソースバスSB2、蓄積容量電極CS2を形成する。
(4)ソース電極S及びドレイン電極Dの表面にP(燐)処理を施す。
(5)a−Si(アモルファスシリコン)を一面に着膜し、ホトリソ・エッチングにより半導体層3を形成すると共にソース電極S及びドレイン電極Dとの界面にn+ a−Siより成るオーミックコンタクト層3′を形成する。
【0005】
(6)SiNx などの絶縁膜4を一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングによりコンタクトホール5を形成すると共に、ガラス基板の周辺のゲートバスGB、ソースバスSB及び蓄積容量電極CSの各端末(端子を形成する部分)上の絶縁膜4を除去する。
(7)ITOを一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングにより第1チャージコレクタ6を形成する。
(8)AlとMoの2層膜(Alが上)を一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングによりゲート電極G、ゲートバスGBを形成する。
【0006】
(9)SiO2 膜7aとSiNx 膜7bとより成る2層膜を一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングにより第1チャージコレクタ6上の大部分の2層膜7a,7bを除去する。
(10)SiO2 膜7cを一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングにより第1チャージコレクタ6の中央部上のSiO2 膜7cを除去する。
【0007】
(11)ITOを一面に着膜し、ホトリソ・エッチングにより第2チャージコレクタ8を形成する。
(12)TFTアレイ基板の周辺に延長されたゲートバスGB、ソースバスSB(SB1,SB2より成る)及び蓄積容量電極CS(CS1,CS2より成る)の各端末上の絶縁膜7a,7b,7cを2回のホトリソ・エッチングにより除去して、各端末(接続端子となるものであるが図示していない)を露出させる。
【0008】
その後、セレン等のX線照射により電荷を発生させる層がチャージコレクタ上に形成される。
X線イメージセンサにX線が照射されると、TFTアレイ基板の各画素に対応する第2チャージコレクタ8上に電荷が蓄積される。各行のゲートバスGBを順に走査してTFTをオンに制御することにより、各列のソースバスSBの端末に接続された検出手段により各画素の信号電荷を検出し、その検出値に対応するデータを表示器に表示させることにより、リアルタイムで、X線を照射された生体内の映像を診断することができる。
【0009】
X線イメージセンサに用いるTFTアレイ基板は、各画素のほぼ全面が第2チャージコレクタ8でシールドされた構造であるところから、FSP(FieldShilded Pixel)構造と呼ばれる。また第2チャージコレクタ8はゲート電極G上できのこの頭に似た形状をしていることからMH(Mushroom Head)ITOと呼ぶことがある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
TFTアレイ基板を製造する上で、時間の掛かる工程はホトリソ・エッチング工程(ホト工程とも言う)である。従来の技術では図3に示すように11工程にもなる多くのホト工程を必要としていたために、生産性が低く、製造コストが大きくなる問題があった。この発明は、ホトリソ・エッチング工程数を減らして生産性を向上させることを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
(1)請求項1のTFTアレイ基板は、ガラス基板上にソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極が共通の金属材料により形成され、ソース電極とドレイン電極の間の領域及びその領域の近傍にa−Siより成る半導体層が形成され、その半導体層のソース電極及びドレイン電極との界面に、n+ a−Siより成るオーミックコンタクト層が形成される。半導体層、ソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極を覆うように一面に絶縁膜4が形成され、その絶縁膜上にゲート電極、ゲートバス及び第1チャージコレクタが共通の金属材料により形成される。
【0012】
ゲート電極、ゲートバス及び第1チャージコレクタ(しかし第1チャージコレクタの中央部を除く)上を覆うように、絶縁膜が一面に形成され、その絶縁膜及び第1チャージコレクタ上に第2チャージコレクタがITOにより形成される。第1チャージコレクタは絶縁膜4に形成されたコンタクトホールを通じてドレイン電極に接続される。
【0013】
(2)請求項2の発明は、前記(1)において、ゲート電極、ゲートバス及び第1チャージコレクタが、Al層の上下に他のメタル層を配した3層膜か、またはAl層の上に他のメタル層を配した2層膜で形成される。
(3)請求項3の発明は前記(1)において、ゲート電極、ゲートバス及び第1チャージコレクタ上に形成された絶縁膜が感光性絶縁膜とされる。
【0014】
(4)請求項4の発明は、請求項1のTFTアレイ基板を製法としてクレイムしたものである。
(5)請求項5の発明は、請求項2のTFTアレイ基板を製法としてクレイムしたものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
この発明の実施例を図1、図2に、図4、図5と対応する部分に同じ符号を付けて示し、工程順に説明する。
(1)ガラス基板1上に必要に応じSiO2 などの絶縁膜2を一面に着膜する。
【0016】
(2)例えばモリブデンなどのメタルを一面に着膜して、ホトリソ・エッチングにより、ソース電極S、ソースバスSB、ドレイン電極D、蓄積容量電極CSを形成する。
(3)ソース電極S及びドレイン電極Dとの界面に対するP処理を行いながら、a−Siを一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングにより半導体層3を形成する。半導体層3のソース電極Sとドレイン電極Dとの界面にはn+ a−Siより成るオーミックコンタクト層3′が形成される。
【0017】
(4)SiNx などの絶縁膜4を一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングによりコンタクトホール5を形成する。
(5)例えばMo/Al/MoまたはMo/Al(Moが上)より成る多層金属膜を一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングによりゲート電極G、ゲートバスGB及び第1チャージコレクタ6を形成する。第1チャージコレクタ6はコンタクトホール5を通じてドレイン電極Dに接続される。
【0018】
(6)感光性アクリル樹脂などの感光性絶縁膜7を一面に着膜した後、ホトリソにより第1チャージコレクタ6の中央部上の絶縁膜7を除去する。
(7)ITOを一面に着膜した後、ホトリソ・エッチングにより第2チャージコレクタ8を形成する。
(8)TFTアレイ基板の周辺に延長されたゲートバスGB、ソースバスSB及び蓄積容量電極CSの各端末(端子として使用される)上の感光性絶縁膜7をホトリソ・エッチングにより除去して、各端末を露出させる。
【0019】
上述したこの発明の製法では必要なホトリソ・エッチング工程(ホト工程)は図3に示すように7工程となり、従来より4工程少くなる。以下、この工程の縮減について詳細に説明する。
▲1▼従来はa−SiのITOとの界面にオーミックコンタクト層3′を形成する技術しか持たなかったので、ソース電極S及びドレイン電極Dの少くともその表面側はITOで形成する必要があった。そのため、ソース電極S、ソースバスSB1、ドレイン電極D、蓄積容量電極CS1をITOで形成し、導電性を更によくする必要のあるソースバスSBや蓄積容量電極CSは、ITOの上にメタル製のSB2やCS2を形成する必要があり、このため2つのホト工程を必要としていた。しかしa−Siのメタルとの界面にオーミックコンタクト層を形成する技術がこの発明者の一人によって既に提案され、適用可能となっているので、この発明ではこの新しい技術を用いることにより、これらの電極を全てMoなどのメタルで形成することによってホト工程を1工程縮減している。
【0020】
▲2▼従来では、第1チャージコレクタ6は、ITOより成る第2チャージコレクタ8と接触させることから、ゲート電極の材料となっているAlを用いることができなかった。その理由は、AlとITOがある現像液にさらされるとAlが腐食される恐れがあること、AlとITOが接触しているとITO中の酸素(O)によってAlが酸化される恐れがあることからである。そのため、第1チャージコレクタ6はゲート電極6と同じAlを用いることができず、ITOを用いてゲート電極Gとは別工程をとっていた。
【0021】
しかし、この発明では第1チャージコレクタ6を例えばMo/Al/MoまたはMo/Al(Moが上)の多層金属膜で形成することによってITOより成る第2チャージコレクタ8とAlが接触しないようにすると共に、ゲート電極G及びゲートバスGBも第1チャージコレクタ6と同じ多層金属膜を用いることによって、同一ホト工程で形成し、1工程を縮減している。
【0022】
▲3▼従来はゲート電極G、ゲートバスGBと第2チャージコレクタ8との間のピンホール等による絶縁不良を減らすために、絶縁膜7はSiO2 /SiNX /SiO2 の3層で形成していた。そのため絶縁膜4上の絶縁膜7a,7bを除去する工程と、第1チャージコレクタ6上の絶縁膜7cを除去する工程とが必要であった。この発明では一層で充分絶縁できる感光性絶縁膜7を用いることによって感光性絶縁膜除去工程を、第1チャージコレクタ6上のものを除去する1工程のみとし、1工程を縮減している。
【0023】
▲4▼TFTアレイ基板の周辺のソースバス、ゲートバス及び蓄積容量電極の各端末にそれぞれ電極端子を形成するために、これら端末上の絶縁物を除去する必要がある。従来は各端末上の絶縁膜7は3層構造であり、1つのホト工程で除去するのは困難であるので、同じホトマスクを用いたホト工程を2回繰返していた。この発明では、各端末上の絶縁膜7は感光性アクリル樹脂などの1層で充分耐えるようにしたので、1つの工程で除去することができ、1ホト工程を縮減している。
【0024】
【発明の効果】
▲1▼以上述べたように、この発明では、メタル製のソース電極S及びドレイン電極Dと接する半導体層3の界面にオーミックコンタクト層3′を形成する技術を用いることによって、これらの電極及びソースバスSB、蓄積容量電極CSを共通の金属材料を用いて同じホト工程で形成できる。
【0025】
▲2▼この発明では、第1チャージコレクタ6を、第2チャージコレクタ(ITO)6とAlが直接接触しないような多層金属膜(例えばAlをMoでサンドイッチする)を用いると共に、ゲート電極G、ゲートバスGBも同じ多層膜を用いることによって同一ホト工程で形成できる。
▲3▼ゲート電極G、ゲートバスGB上に一層の感光性絶縁膜7を用いることによって、絶縁膜7を除去するホト工程を1工程のみにすることができる。
【0026】
▲4▼絶縁膜7を一層とすることによって、1回のホト工程で、端子として使用するソースバス端末、ゲートバス端末及び蓄積容量電極端末を露出させることができる。
以上により、この発明ではホト工程を従来より4工程縮減することが可能となり、生産性を大幅に向上できる。
【0027】
▲5▼感光性絶縁膜7を使用することによって、ソース入力容量(ソースバスSBと第2チャージコレクタ8との間の容量)を低減することが可能となり、ソース入力容量を通じてのるソースバスSBのノイズレベルが下がり、X線照射量を減らして、生体に与える影響をより少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示す図で、図2のA−A′断面図。
【図2】この発明の実施例を示す平面図。
【図3】この発明のTFTアレイ基板に必要なホト工程を従来と比較して示した図。
【図4】従来のTFTアレイ基板を示す図で、図5のA−A′断面図。
【図5】従来のTFTアレイ基板の平面図。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In recent years, X-ray image sensors for irradiating a living body with X-rays and diagnosing the living body in real time have been developed instead of X-ray photographs. The present invention relates to a TFT (thin film transistor) array substrate used in the X-ray mage sensor, and more particularly to reduction in the number of manufacturing steps.
[0002]
[Prior art]
The X-ray image sensor has a surface film-like portion that receives X-rays that are transmitted or reflected through a living body, and a TFT array substrate that is disposed under the surface film-like portion. As in the case of the TFT dot matrix LCD, TFTs and pixels are arranged in a matrix on the TFT array substrate. A conventional TFT array substrate is shown in FIGS. 4 and 5, and its manufacturing process will be described in order.
[0003]
(1) coating the
(2) ITO is deposited on one surface, and the source electrode S, the source bus SB1, the drain electrode D, and the storage capacitor electrode CS1 are formed by an etching process using a photolithography technique (hereinafter referred to as photolithography etching).
[0004]
(3) After depositing a metal such as molybdenum (Mo) on one surface, the source bus SB2 and the storage capacitor electrode CS2 are formed by photolithography and etching.
(4) P (phosphorus) treatment is performed on the surfaces of the source electrode S and the drain electrode D.
(5) a-Si (amorphous silicon) is deposited on one surface, the
[0005]
(6) After depositing an
(7) After depositing ITO on one surface, the
(8) After a two-layer film of Al and Mo (Al is on top) is deposited on one surface, a gate electrode G and a gate bus GB are formed by photolithography and etching.
[0006]
(9) After a two-layer film composed of the SiO 2 film 7a and the SiN x
(10) After the SiO 2
[0007]
(11) ITO is deposited on one surface, and the
(12) Insulating
[0008]
Thereafter, a layer for generating charges by X-ray irradiation such as selenium is formed on the charge collector.
When the X-ray image sensor is irradiated with X-rays, electric charges are accumulated on the
[0009]
The TFT array substrate used for the X-ray image sensor has a structure in which almost the entire surface of each pixel is shielded by the
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
In manufacturing the TFT array substrate, a time-consuming process is a photolithography etching process (also called a photo process). In the conventional technique, as shown in FIG. 3, many photo processes as many as 11 processes are required. Therefore, there is a problem that productivity is low and manufacturing cost is increased. An object of the present invention is to improve productivity by reducing the number of photolithography etching steps.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
(1) In the TFT array substrate of
[0012]
An insulating film is formed on one surface so as to cover the gate electrode, the gate bus, and the first charge collector (but excluding the central portion of the first charge collector), and the second charge collector is formed on the insulating film and the first charge collector. Is formed of ITO. The first charge collector is connected to the drain electrode through a contact hole formed in the
[0013]
(2) In the invention of
(3) In the invention of
[0014]
(4) The invention of
(5) The invention of
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention are shown in FIGS. 1 and 2 with the same reference numerals assigned to the portions corresponding to those in FIGS.
(1) An
[0016]
(2) A metal such as molybdenum is deposited on one surface, and the source electrode S, the source bus SB, the drain electrode D, and the storage capacitor electrode CS are formed by photolithography and etching.
(3) A-Si is deposited over the entire surface while performing P treatment on the interface between the source electrode S and the drain electrode D, and then the
[0017]
(4) After depositing an
(5) After a multilayer metal film made of, for example, Mo / Al / Mo or Mo / Al (Mo is on) is deposited on one surface, the gate electrode G, the gate bus GB, and the
[0018]
(6) After a photosensitive
(7) After depositing ITO on one surface, the
(8) The photosensitive
[0019]
In the manufacturing method of the present invention described above, the necessary photolitho etching process (photo process) is 7 processes as shown in FIG. Hereinafter, the reduction of this process will be described in detail.
{Circle around (1)} Conventionally, since there was only a technique for forming an
[0020]
{Circle around (2)} Conventionally, since the
[0021]
However, in the present invention, the
[0022]
(3) Conventionally, the insulating
[0023]
(4) In order to form electrode terminals at the respective terminals of the source bus, gate bus and storage capacitor electrode around the TFT array substrate, it is necessary to remove the insulator on these terminals. Conventionally, the insulating
[0024]
【The invention's effect】
(1) As described above, in the present invention, by using the technique of forming the
[0025]
(2) In the present invention, the
(3) By using a single layer of the photosensitive
[0026]
(4) By forming the insulating
As described above, in the present invention, the photo process can be reduced by 4 processes compared to the conventional process, and the productivity can be greatly improved.
[0027]
(5) By using the photosensitive
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a photo process necessary for the TFT array substrate of the present invention in comparison with the prior art.
4 is a view showing a conventional TFT array substrate, and is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 5. FIG.
FIG. 5 is a plan view of a conventional TFT array substrate.
Claims (5)
前記ソース電極とドレイン電極との間の領域及びその領域の近傍に形成されたa−Siよりなる半導体層と、
その半導体層のソース電極及びドレイン電極との間の界面に形成されたn+a−Siよりなるオーミックコンタクト層と、
前記半導体層、ソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極を覆うように一面に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に共通の金属材料により形成されたゲート電極、ゲートバス及び第1のチャージコレクタと、
前記ゲート電極、ゲートバス及び中央部を除く第1のチャージコレクタ上を覆うように一面に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜及び第1のチャージコレクタ上に形成されたITOよりなる第2チャージコレクタと、
を具備し、
前記第1のチャージコレクタは、前記第1の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続されていることを特徴とするTFTアレイ基板。A source electrode, a source bus, a drain electrode, and a storage capacitor electrode formed of a common metal material on a glass substrate;
A semiconductor layer made of a-Si formed in a region between the source electrode and the drain electrode and in the vicinity of the region;
An ohmic contact layer made of n + a-Si formed at the interface between the source electrode and the drain electrode of the semiconductor layer;
A first insulating film formed on one surface so as to cover the semiconductor layer, the source electrode, the source bus, the drain electrode, and the storage capacitor electrode;
A gate electrode formed of a common metal material on the first insulating film, a gate bus, and a first charge collector;
A second insulating film formed on one surface so as to cover the first charge collector excluding the gate electrode, the gate bus and the central portion;
A second charge collector made of ITO formed on the second insulating film and the first charge collector;
Comprising
The TFT array substrate, wherein the first charge collector is connected to the drain electrode through a contact hole formed in the first insulating film.
前記ソース電極とドレイン電極との間の領域及びその領域の近傍にa−Siよりなる半導体層を形成すると共に、その半導体層のソース電極及びドレイン電極との間の界面にn+a−Siよりなるオーミックコンタクト層を形成し、
前記半導体層、ソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極を覆うように一面に第1の絶縁膜を形成した後、ドレイン電極上にコンタクトホールを形成し、
前記第1の絶縁膜上にゲート電極、ゲートバス及び第1チャージコレクタを共通の金属材料により形成すると共に、第1のチャージコレクタを前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続し、
前記ゲート電極、ゲートバス及び中央部を除く第1チャージコレクタ上を覆うように感光性絶縁膜を一面に形成し、
前記感光性絶縁膜及び第1チャージコレクタ上にITOよりなる第2チャージコレクタを形成することを特徴とするTFTアレイ基板の製法。A source electrode, a source bus, a drain electrode and a storage capacitor electrode are formed of a common metal material on a glass substrate,
A semiconductor layer made of a-Si is formed in the region between the source electrode and the drain electrode and in the vicinity of the region, and n + a-Si is formed at the interface between the source electrode and the drain electrode of the semiconductor layer. Forming an ohmic contact layer
Forming a first insulating film on one surface so as to cover the semiconductor layer, the source electrode, the source bus, the drain electrode, and the storage capacitor electrode, and then forming a contact hole on the drain electrode;
Forming a gate electrode, a gate bus and a first charge collector on the first insulating film from a common metal material, and connecting the first charge collector to the drain electrode through the contact hole;
A photosensitive insulating film is formed on one surface so as to cover the first charge collector excluding the gate electrode, the gate bus, and the central portion,
A method of manufacturing a TFT array substrate, comprising forming a second charge collector made of ITO on the photosensitive insulating film and the first charge collector.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32156696A JP3729953B2 (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | TFT array substrate and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32156696A JP3729953B2 (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | TFT array substrate and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10163463A JPH10163463A (en) | 1998-06-19 |
JP3729953B2 true JP3729953B2 (en) | 2005-12-21 |
Family
ID=18134006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32156696A Expired - Fee Related JP3729953B2 (en) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | TFT array substrate and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3729953B2 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6501098B2 (en) | 1998-11-25 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device |
KR100577410B1 (en) | 1999-11-30 | 2006-05-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | X-ray image sensor and a method for fabricating the same |
US6740884B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-05-25 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
US6559506B1 (en) * | 2002-04-03 | 2003-05-06 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
WO2006030937A1 (en) | 2004-09-15 | 2006-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI285929B (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-21 | Au Optronics Corp | Manufacturing method of pixel structure |
CN105789204B (en) * | 2009-12-25 | 2021-11-02 | 株式会社半导体能源研究所 | Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips |
JP6345544B2 (en) * | 2013-09-05 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for manufacturing semiconductor device |
CN105789324B (en) * | 2016-04-15 | 2019-05-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Sensor and its manufacturing method, electronic equipment |
-
1996
- 1996-12-02 JP JP32156696A patent/JP3729953B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10163463A (en) | 1998-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101098010B1 (en) | TFT-LCD array substrate and method of fabricating the same | |
US6423973B2 (en) | X-ray image sensor and method for fabricating the same | |
KR100732877B1 (en) | X-ray detecter and manufacturing method of the same | |
JP3845605B2 (en) | Switching element for X-ray sensor and method for manufacturing the same | |
JP3729953B2 (en) | TFT array substrate and its manufacturing method | |
KR20010088443A (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
JPS62171160A (en) | Thin film transistor | |
US20030049880A1 (en) | Method of fabricating an array substrate for an X-ray detector | |
JP2940689B2 (en) | Thin film transistor array of active matrix display device and method of manufacturing the same | |
JP3735682B2 (en) | Manufacturing method of X-ray detector | |
US6465286B2 (en) | Method of fabricating an imager array | |
KR100859464B1 (en) | Thin film transistor array panel of digital X-ray defector device and manufacturing method of the same | |
JPH10123253A (en) | Sensor array having coupling prevention layer between data line and charge collecting electrode | |
JP2711015B2 (en) | Matrix type display device | |
JP2002236054A (en) | Electromagnetic wave detector | |
US7402810B2 (en) | X-ray detecting device and fabricating method thereof | |
JPH1093063A (en) | Photodetector | |
JPH11274446A (en) | X-ray image pick-up device | |
US7855371B2 (en) | Image detection apparatus and method for producing the apparatus | |
JPH0135351B2 (en) | ||
JP3807550B2 (en) | Active matrix display device | |
JP2002231922A (en) | Image sensor | |
JP2545902B2 (en) | Method for manufacturing active matrix type liquid crystal display device | |
KR100488945B1 (en) | a method for manufacturing of TFT array panel of digital X-ray detector device | |
JPS61216360A (en) | Contact-type image sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081014 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081014 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081014 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131014 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |