JP3729054B2 - 圧電共振子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は圧電共振子に関し、特にたとえば、主として発振子などに用いられる圧電共振子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、主として発振子に用いられる圧電共振子として、圧電体単板の厚み縦振動基本波、圧電体単板の厚み縦振動3次高調波、圧電体単板の厚みすべり振動、積層圧電体の厚み縦振動高調波などを利用したエネルギ閉じ込め型共振子が提案され、実用化されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の厚み縦振動基本波を利用した共振子では、エネルギ閉じ込めの可能な材料が限られており、耐熱性の高い材料を用いてエネルギ閉じ込め共振子を作製することはかなり難しい。また、従来の厚みすべり共振子では、耐熱性の高い材料が利用可能であるが、音速が低いため、高い周波数の共振子を作製する上でハンドリングが困難になるとともに、素子自体の機械的な信頼性を高くすることが困難であるという問題があった。また、これらの共振子は、電気機械結合係数が大きく、狭公差の発振子用途には利用しにくいという別の問題もある。
【0004】
圧電体単板の厚み縦振動3次高調波を用いた素子では、これらの問題はないが、エネルギ閉じ込め共振子の最適電極径が大きくなるため、素子自体の小型化を進める上で不利である。また、素子厚みも基本波タイプの3倍と厚くなるため、素子の薄型化も困難である。積層構造の厚み縦振動高調波を利用した共振子は、耐熱性の高い材料の利用が可能で、エネルギ閉じ込め共振子の最適電極径も厚み縦振動基本波共振子並みなので、小型化に関する制約は少ないが、電気機械結合係数が大きいため、狭公差の発信子用途に応用しにくいという問題がある。このように、従来の技術では、小型で、耐熱性が高く、かつ狭公差の発振子を実現することが困難であった。
【0005】
なお、本発明者らにより、圧電性を有しない常誘電体層と圧電体層の2層からなる積層物を用いた圧電共振子が、特開平5−48377号に開示されている。この圧電共振子では、圧電体層と常誘電体層とが直列につながれた状態で電界が印加されるため、圧電体層を効率的に振動させられず、また等価回路において直列に容量成分が入ってくるため、共振子としての特性が大きく変わるなどの問題があった。
【0006】
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型で、耐熱性が高く、狭公差の高性能圧電発振子の実現を可能とする圧電共振子を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この発明は、少なくとも一対の振動電極に挟まれ電界によって振動が励振される少なくとも1つの励振層と、振動が励振されない少なくとも1つの非励振層とが積層された素子本体を含み、n次縦振動高調波(nは1以外の整数)を励振する圧電共振子であって、素子本体の厚みをt、単位層厚を略t/nと定義したとき、励振層の層厚を単位層厚の整数倍とし、かつ少なくとも1つの非励振層の層厚を単位層厚の整数倍とし、かつ単位層厚が略t/nである励振層および非励振層の単位層の総数がn層(nは1以外の整数)であることを特徴とする、圧電共振子である。
このような圧電共振子において、励振層の単位層厚が0.7t/n〜1.2t/nの範囲にあり、非励振層の前記単位層厚が0.8t/n〜1.3t/nの範囲にあることが好ましい。
また、非励振層には、一方主面のみに振動電極が形成されるか、または両主面に同じ電位を有する振動電極が形成される。
さらに、非励振層は、分極していない圧電体セラミックまたは誘電体セラミックを用いることによっても形成することができる。
上述のような圧電共振子において、素子本体に第1および第2の端面電極を形成し、第1の端面電極に電気的に接続されたスプリアス抑制電極を有する圧電共振子であって、励振層および非励振層の積層方向と直交する方向において、一端が第2の端面電極に接続された振動電極の他端と一定のギャップを有するようにスプリアス抑制電極を形成してもよい。
スプリアス抑制電極を形成する場合、ギャップと単位層厚との比をとったとき、ギャップ/単位層厚が1.0〜3.0の範囲にあることが好ましい。
【0008】
励振層を挟んで形成される振動電極間に電界を印加することにより、励振層に厚み縦振動が励振される。このとき、非励振層には電界が印加されないか、または電界が印加されても励振しない材料で非励振層が形成されているため、非励振層には振動が励振されないが、励振層の振動により非励振層にも定在波が乗り、全体として高次モードの圧電共振子とすることができる。つまり、素子本体の厚みをtとしたとき、単位層厚を略t/nとし、励振層および少なくとも1つの非励振層の厚みを単位層厚の整数倍とすることにより、全体としてn次モードの圧電共振子とすることができる。
このような圧電共振子では、耐熱性の高い材料を使用することができ、しかも電気機械結合係数を小さくすることができるため、狭公差の共振子とすることができる。
このような圧電共振子において、励振層の単位層厚を0.7t/n〜1.2t/nの範囲とし、非励振層の前記単位層厚を0.8t/n〜1.3t/nの範囲とすることにより、良好な特性を有する圧電共振子を得ることができる。
なお、非励振層としては、振動電極に挟まれない構造とすることにより、電界が印加されない層とすることができる。
また、非励振層としては、分極していない圧電体セラミックや誘電体セラミックなどを用いることにより、電界が印加されても励振されない層とすることができる。もちろん、この場合、電界が印加されないような電極配置とされていてもよいことは言うまでもない。
さらに、スプリアス抑制電極を形成することにより、所望のモードの振動以外の振動を抑制することができる。
このような効果は、ギャップ/単位層厚が1.0〜3.0の範囲にあるときに顕著となる。
【0009】
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の圧電共振子の一例を示す図解図である。圧電共振子10は、素子本体12を含む。素子本体12は、励振層14と非励振層16とを含む。ここで、非励振層16とは、後述するように、圧電共振子10に電界を印加したときに、振動が励振されない層を示している。そして、励振層14は、その厚み方向に分極される。ここで、励振層14と非励振層16とは同じ厚みとなるように形成される。つまり、素子本体12の厚みをtとしたとき、励振層14および非励振層16の厚みがt/2となるように形成される。
【0011】
励振層14の両面には、振動電極18,20が形成される。振動電極18は、励振層14の表面に形成され、振動電極20は、励振層14と非励振層16との間に形成される。一方の振動電極18は励振層14の一方端から中央部に向かって形成され、他方の振動電極20は励振層14の他方端から中央部に向かって形成される。そして、励振層14の中央部において、2つの振動電極18,20が互いに対向するように形成される。さらに、素子本体12の両端面に端面電極22,24が形成され、一方の端面電極22が励振層14の表面の振動電極18に接続され、他方の端面電極24が励振層14と非励振層16との間の振動電極20に接続される。
【0012】
この圧電共振子10では、端面電極22,24に信号を与えることにより、振動電極18,20間において、励振層14の厚み方向に電界が印加される。それにより、励振層14に厚み縦振動が励振される。このとき、非励振層16には電界が印加されず、非励振層16には振動が励振されない。しかしながら、励振層14に厚み縦振動が励振されるため、それによって非励振層16にも定在波が乗り、全体として高次モードの厚み縦振動高調波を利用した圧電共振子となる。図1に示す圧電共振子10は、同じ厚みの励振層14と非励振層16とが積層されていることにより、厚み縦振動2次高調波を利用した圧電共振子となっている。また、このような構造の圧電共振子10では、振動電極18,20が、励振層14の中央部でのみ対向しているため、この部分にエネルギ閉じ込め領域が形成され、エネルギ閉じ込め型の圧電共振子が形成される。
【0013】
この圧電共振子10では、励振層14の材料として耐熱性の高い材料を用いることができ、しかも電気機械結合係数を小さくすることができるため、狭公差の共振子とすることができる。さらに、励振層14の両面に振動電極18,20が形成されることにより、励振層14のみに電界を印加することができ、効率的に厚み縦振動を励振することができる。また、等価回路においても、励振層14と直列に容量が入らないため、安定した共振子特性を得ることができる。
【0014】
なお、図2に示すように、2層の励振層14a,14bと1層の非励振層16とを積層した素子本体12を含む圧電共振子10を用いて厚み縦振動3次高調波を利用した圧電共振子10とすることもできる。この圧電共振子10では、励振層14a,14bの両側に振動電極30,32が形成され、これらの振動電極30,32が端面電極22に接続される。また、2つの励振層14a,14bの間に別の振動電極34が形成され、この振動電極34が端面電極24に接続される。なお、非励振層16の外面には振動電極が形成されず、非励振層16には電界が印加されない構造となっている。ここで、素子本体12の厚みをtとしたとき、励振層14a,14bの厚みおよび非励振層16の厚みは、それぞれt/3となるように形成される。
【0015】
このような圧電共振子10では、励振層14a,14bに電界が印加され、これらの励振層14a,14bに厚み縦振動が励振される。このとき、非励振層16にも定在波が乗り、全体として厚み縦振動3次高調波を利用した圧電共振子とすることができる。
【0016】
さらに、図3に示すように、励振層14の両側に非励振層16a,16bを形成した素子本体12を用いてもよい。この場合、素子本体12の厚みをtとしたとき、励振層14の厚みはt/3となるように形成され、2つの非励振層16a,16bの厚みT2は、それぞれt/3となるように形成される。そして、中央部の励振層14の両側に振動電極18,20が形成され、これらの振動電極18,20のそれぞれが異なる端面電極22,24に接続される。このような圧電共振子10も、中央部の励振層14に電界が印加されることにより厚み縦振動が励振され、その両側に形成された非励振層16a,16bに定在波が乗って、全体として厚み縦振動3次高調波を利用した圧電共振子となる。
【0017】
さらに、図4に示すように、励振層14と非励振層16とを積層した素子本体12を用いた圧電共振子10において、素子本体12の厚みをtとしたとき、励振層14の厚みt/3とし、非励振層16の厚みT2を2t/3としてもよい。この場合、励振層14に厚み縦振動が励振されると、励振層14の2倍の厚みを有する非励振層16に定在波が乗り、全体として厚み縦振動3次高調波を利用した圧電共振子とすることができる。
【0018】
また、図5に示すように、中央部に非励振層16を形成し、その両側に励振層14a,14bを形成した素子本体12を用いてもよい。この圧電共振子10では、素子本体12の厚みをtとしたとき、励振層14a,14bの厚みがt/4となるように形成され、非励振層16の厚みT2がt/2となるように形成されている。そして、励振層14aの両側に振動電極36,38が形成され、励振層14bの両側に振動電極40,42が形成されている。素子本体12の外面に形成された振動電極36,42は端面電極22に接続され、素子本体12の内部に形成された振動電極38,40が端面電極24に接続されている。
【0019】
このような圧電共振子10では、素子本体12の両側の励振層14a,14bに電界が印加されることにより、厚み縦振動が励振される。ただし、中央部の非励振層16の両側の振動電極38,40は同じ端面電極24に接続されているため、非励振層16には電界が印加されず、ここには振動が励振されない。そして、励振層14a,14bの2倍の厚みを有する中央部の非励振層16に定在波が乗ることにより、全体として厚み縦振動4次高調波を利用した圧電共振子とすることができる。
【0020】
このように、素子本体12の厚みをtとして、単位層厚をt/nで表したとき、励振層および非励振層の厚みをt/nの整数倍とすることにより、全体として厚み縦振動n次高調波を利用した圧電共振子を得ることができる。なお、上述のそれぞれの圧電共振子10では、電界が印加されない構造とすることにより非励振層を形成したが、電界が印加される構造であっても、分極されていない圧電体セラミックまたは誘電体セラミックなどで形成することにより非励振層とすることができる。
【0021】
なお、素子本体の厚みをtとしたとき、励振層および非励振層の厚みは、正確にt/nとする必要はない。たとえば、図6に示すように、厚み縦振動2次高調波を利用した圧電共振子10において、励振層14の厚みを非励振層16の厚みT2より厚くしてもよい。逆に、励振層14の厚みを非励振層16の厚みT2より薄くしてもよい。実験によれば、素子本体12の厚みをtとしたとき、励振層14の厚みが0.7t/n〜1.2t/nの範囲にあり、非励振層16の厚みが0.8t/n〜1.3t/nの範囲にあれば、良好な特性を有する圧電共振子が得られることがわかった。
【0022】
さらに、図7に示すように、素子本体12にスプリアス抑制電極44を形成することにより、スプリアスの発生を抑えることができる。この圧電共振子10では、端面電極22に接続されるようにして、非励振層16の外面にスプリアス抑制電極44が形成されている。このスプリアス抑制電極44は、励振層14および非励振層16の積層方向に直交する方向で、端面電極24に接続された内部の振動電極20とギャップを隔てて形成される。このようなスプリアス抑制電極44を形成することにより、スプリアスの発生を抑えることができるが、実験によれば、Esd/Dの値が1.0〜3.0の範囲にあるときにこのような効果が顕著であることがわかった。ここで、Esdは振動電極20とスプリアス抑制電極44との間のギャップの間隔を示し、Dは単位層厚であって、素子本体12の厚みtの1/2を示す。
【0023】
図7に示す圧電共振子10は、厚み縦振動2次高調波を利用した圧電共振子であるため、Dは素子本体12の厚みの1/2としたが、一般的に、厚み縦振動n次高調波を利用した圧電共振子の場合、素子本体12の厚みをtとしたとき、Dはt/nで表される単位層厚である。そして、ギャップEsdと単位層厚Dとの比Esd/Dが1.0〜3.0の範囲にあるときに、スプリアス抑制効果が顕著となる。
【0024】
スプリアス抑制電極44を形成した厚み縦振動2次高調波の圧電共振子10としては、図8に示すように、振動電極18,20およびスプリアス抑制電極44が素子本体12の外面に露出していないものであってもよい。また、図9に示すように、非励振層16の厚みが励振層14の厚みの2倍である厚み縦振動3次高調波の圧電共振子にスプリアス抑制電極を形成してもよい。図9に示す圧電共振子10では、スプリアス抑制電極44aが非励振層16の厚み方向の中間部に形成され、非励振層16の表面に別のスプリアス抑制電極44bが形成されている。そして、スプリアス抑制電極44aと内部の振動電極20との間にギャップEsdが形成され、スプリアス抑制電極44bと表面の振動電極18との間にギャップEsdが形成される。このように、厚み縦振動2次高調波の圧電共振子だけでなく、厚み縦振動n次高調波の圧電共振子においても、スプリアス抑制電極44を形成することにより、スプリアスの発生を抑えることができる。
【0025】
【実施例】
(実施例1)
まず、酸化鉛、酸化チタン、酸化ランタン、炭酸マンガンをPb:La:Ti:Mnのモル比率が0.865:0.090:1.000:0.020となるように調合し、水および部分安定化ジルコニアの粉砕メディアとともにボールミルに入れて、約10時間攪拌混合した。そののち、脱水工程を経て、この混合原料を大気中で800℃〜1000℃の温度で約2時間仮焼を行った。得られた仮焼原料100gに対し、酢酸ビニル系のバインダを固形分換算で10g混合し、水30gを加え、可塑剤を適量添加することでシート成形用のスラリーを作製した。
【0026】
このスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚み約50μm程度のシートの成形を行った。成形したシートを20mm×30mmの大きさにカットし、図10に示すように、シート50の一部に平行線状に電極パターン52をスクリーン印刷した。スクリーンのメッシュは#400のものを用いた。電極材料は白金であり、印刷用のペーストは白金とワニスの混合体であって、白金が50〜70重量%含まれているものを用いた。そして、図10に示すように、電極パターン52を形成したシート50の両面に電極パターンを形成していないシート54を積み重ね、面圧100〜200MPaで圧着した。この圧着体を1200℃で約2時間焼成し、内部に電極56が形成された燒結体58を得た。
【0027】
得られた燒結体58の両面全面に蒸着によって銀電極を形成し、100℃〜150℃のオイル中で電界5〜10MV/mを印加して分極処理を施した。分極後、100℃〜250℃の空気中で試料を1時間保持したのち、エッチングによって蒸着した銀電極をパターニングした。パターニングした銀電極60は、図11に示すように、燒結体内部に形成された電極56と一部が対向するようにして、互いに平行するように形成される。そして、図11の点線で示すように、燒結体の内部に形成された電極56と燒結体58の表面に形成された電極60とが対向端面に露出するように切り出し、電極18,20が形成された素子本体12を得た。この素子本体12の側面に端面電極22,24を形成して対向端面に露出した電極18,20に接続した。このようにして、図1に示す圧電共振子10を作製した。
【0028】
得られた圧電共振子10について、インピーダンスの周波数特性を測定した。また、比較例として、図12に示すような、2つの励振層62,64のそれぞれに対向する電極66,68,70を形成した従来の圧電共振子について、インピーダンスの周波数特性を測定した。そして、その結果を図13に示した。図13から、本発明の圧電共振子10では、従来の圧電共振子に比べて、帯域の狭い共振特性が得られることがわかる。なお、この実施例の圧電共振子10では、厚み縦振動の2次高調波が励振される。
【0029】
(実施例2)
図2に示すように、2層の励振層と1層の非励振層とを含み、厚み縦振動の3次高調波を励振させる圧電共振子10を作製した。得られた圧電共振子10について、インピーダンスの周波数特性を測定した。また、比較例として、図14に示すような、3つの励振層72,74,76のそれぞれに対向する電極78,80,82,84を形成した従来の圧電共振子について、インピーダンスの周波数特性を測定した。そして、その結果を図15に示した。図15から、本発明の圧電共振子10では、従来の圧電共振子に比べて、帯域の狭い共振特性が得られることがわかる。
【0030】
(実施例3)
図6に示すように、励振層14と非励振層16の厚みを変えて、厚み縦振動2次高調波を利用した圧電共振子10を形成した。そして、非励振層16の厚みT2と圧電共振子10の位相特性の最大値θmaxとの関係を測定し、その結果を図16に示した。図16からわかるように、素子本体12の厚みをtとし、D=t/2で表した場合、T2 が0.8D〜1.3Dの範囲にあるとき、つまり励振層14の厚みが0.7D〜1.2Dの範囲にあるとき、θmaxの値が大きく、良好な特性を有していることがわかる。
【0031】
(実施例4)
図7に示すように、スプリアス抑制電極44を有する厚み縦振動2次高調波の厚電共振子10を形成した。なお、図7に示す圧電共振子10において、素子本体12の厚みt=0.245mm、素子本体12の長さL=2.2mm、振動電極18,20の長さEinおよびEoutは、それぞれ1.35mmとした。そして、ギャップEsdと単位層厚Dとの比Esd/Dとθmaxとの関係を測定し、その結果を図17に示した。図17では、圧電共振子10に励振される2次高調波と、スプリアス信号である基本波および3次高調波のθmaxについて示されている。図17からわかるように、Esd/Dの値が3.0以下の範囲で、スプリアス信号である基本波および3次高調波のθmaxが小さく、2次高調波のθmaxが大きい。
【0032】
さらに、図7に示す圧電共振子10において、比帯域dF/FaとEsd/Dとの関係を測定し、その結果を図18に示した。図18からわかるように、Esd/Dが1.0以上で狭帯域が得られている。このような圧電共振子10では、狭帯域であることが好ましいため、Esd/Dは1.0以上であることが好ましい。したがって、図17および図18から、Esd/Dは1.0〜3.0の範囲にあることが好ましい。
【0033】
このように、この発明の圧電共振子10としては、何次の厚み縦振動高調波を励振させるものでもよい。また、エネルギ閉じ込め領域を形成するための電極18,20の形状としては、たとえば図19に示すように円形であってもよいし、楕円形であってもよく、これらと長方形とを連結した形状であってもよい。
【0034】
さらに、励振層14の材料としては、圧電体であれば何でもよく、ポアソン比が1/3以上であっても以下であっても、エネルギ閉じ込めを実現できることが、本発明者によって確認された。励振層の材料系としては、一体燒結する構造の場合は、セラミックス材料が一般的である。これらの材料としては、たとえばチタン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸バリウム系、タングステンブロンズ系、バイロクロア系、層状化合物系特にビスマス層状化合物系などの材料が利用可能である。単結晶圧電材料を接合、接着技術などを用いて任意の非励振層と一体化することによっても、同様の効果を得ることができる。
【0035】
また、励振層14と非励振層16とは、同じ材料としてもよいし、異なる材料としてもよい。励振層14と非励振層16とが同じ材料であれば、熱膨張率の差がないため、温度変化に対して内部で応力が発生することがなく、高信頼性の圧電共振子を得ることができる。また、励振層14と非励振層16とが異なる材料であれば、共振周波数の温度特性の補正や共振子のQ値のコントロールが可能となる。このように、励振層14と非励振層16の材料を適当に選択することにより、さまざまな特性を発現させることができる。さらに、非励振層16は圧電性を有していても有していなくてもよく、圧電共振子10に与えられる電界によって振動が励振されない構造であればよい。
【0036】
【発明の効果】
この発明によれば、小型で、耐熱性が高く、狭公差の高性能発振子の実現が可能な圧電共振子を得ることができる。
このような圧電共振子において、スプリアス抑制電極を形成することにより、スプリアスの少ない圧電共振子とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の圧電共振子の一例を示す図解図である。
【図2】この発明の圧電共振子の他の例を示す図解図である。
【図3】この発明の圧電共振子のさらに他の例を示す図解図である。
【図4】この発明の圧電共振子の別の例を示す図解図である。
【図5】この発明の圧電共振子のさらに別の例を示す図解図である。
【図6】この発明の圧電共振子において、励振層と非励振層の厚みを変えた状態を示す図解図である。
【図7】スプリアス抑制電極を形成した圧電共振子の一例を示す図解図である。
【図8】スプリアス抑制電極を形成した圧電共振子の他の例を示す図解図である。
【図9】スプリアス抑制電極を形成した圧電共振子のさらに他の例を示す図解図である。
【図10】図1に示す圧電共振子を作製するための工程の一部を示す図解図である。
【図11】図10に示す工程を経てつくられた燒結体を示す図解図である。
【図12】比較例としての従来の圧電共振子の一例を示す図解図である。
【図13】図1に示すこの発明の圧電共振子と図12に示す従来の圧電共振子のインピーダンスの周波数特性を示すグラフである。
【図14】図2に示す圧電共振子との比較例として用いられる従来の圧電共振子を示す図解図である。
【図15】図2に示すこの発明の圧電共振子と図14に示す従来の圧電共振子のインピーダンスの周波数特性を示すグラフである。
【図16】図6に示す圧電共振子の非励振層の厚みとθmaxとの関係を示すグラフである。
【図17】図7に示す圧電共振子に励振される基本波、2次高調波および3次高調波について、Esd/Dとθmaxとの関係を示すグラフである。
【図18】図7に示す圧電共振子のdF/FaとEsd/Dとの関係を示すグラフである。
【図19】この発明の圧電共振子において、振動電極の形状を変えた例を示す図解図である。
【符号の説明】
10 圧電共振子
12 素子本体
14 励振層
16 非励振層
18,20 振動電極
22,24 端面電極
30,32,34 振動電極
44 スプリアス抑制電極
Claims (6)
- 少なくとも一対の振動電極に挟まれ電界によって振動が励振される少なくとも1つの励振層と、振動が励振されない少なくとも1つの非励振層とが積層された素子本体を含み、n次縦振動高調波(nは1以外の整数)を励振する圧電共振子であって、
前記素子本体の厚みをt、単位層厚を略t/nと定義したとき、前記励振層の層厚を前記単位層厚の整数倍とし、かつ少なくとも1つの前記非励振層の層厚を前記単位層厚の整数倍とし、かつ
前記励振層および前記非励振層の単位層の総数がn層(nは1以外の整数)であることを特徴とする、圧電共振子。 - 前記励振層の前記単位層厚が0.7t/n〜1.2t/nの範囲にあり、前記非励振層の前記単位層厚が0.8t/n〜1.3t/nの範囲にあることを特徴とする、請求項1に記載の圧電共振子。
- 前記非励振層には、一方主面のみに前記振動電極が形成されるか、または両主面に同じ電位を有する前記振動電極が形成されることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の圧電共振子。
- 前記非励振層は、分極していない圧電体セラミックまたは誘電体セラミックで形成されたことを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の圧電共振子。
- 前記素子本体の表面に第1および第2の端面電極を形成し、前記第1の端面電極に電気的に接続されたスプリアス抑制電極を有する圧電共振子であって、
前記励振層および前記非励振層の積層方向と直交する方向において、一端が前記第2の端面電極に接続された前記振動電極の他端と一定のギャップを有するように前記スプリアス抑制電極が形成された、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の圧電共振子。 - 前記ギャップと前記単位層厚との比をとったとき、ギャップ/単位層厚が1.0〜3.0の範囲にあることを特徴とする、請求項5に記載の圧電共振子。
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