JP3685869B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に液晶表示装置に関し、特に液晶パネルを構成する一対の対向基板のうち、TFT(薄膜トランジスタ)を担持する側の基板に遮光パターンを設けた液晶表示装置に関する。
【0002】
液晶表示装置は投射型表示装置あるいは、いわゆるラップトップ型と称される携帯型情報処理装置の表示装置として広く使われている。また、最近では、液晶表示装置をいわゆるデスクトップ型と称する固定型情報処理装置の高解像度カラー表示装置として使おうとする試みも始まっている。
【0003】
【従来の技術】
図10は、投射型液晶表示装置の例を示す。
図10を参照するに、高輝度メタルハライドランプ61より出射した光はフィルタ61aを通過した後ミラー62で光路変換され、さらに一部はダイクロイックミラー63で反射される。ミラー63で反射された光は、さらにミラー64で反射された後、コンデンサレンズ65および液晶表示パネル66を通過する。液晶表示パネル66を通過した光は、ダイクロイックミラー67、68を通過後、投射レンズ69に到達する。
【0004】
一方、前記ダイクロイックミラー63を通過した光の一部は、ダイクロイックミラー70で反射され、さらにコンデンサレンズ71および液晶表示パネル72を通過した後、ダイクロイックミラー67で反射され、反射された光はさらにダイクロイックミラー68を通って投射レンズ69に到達する。
【0005】
さらに、ダイクロイックミラー70を通過した光は、コンデンサレンズ73および液晶表示パネル74を通過し、さらにミラー75で反射された後、ダイクロイックミラー68に到達する。到達した光は、さらにレンズ69により投射される。
【0006】
ところで、液晶表示装置においてかかる高解像度カラー表示を達成するためには、個々の画素を薄膜トランジスタ(TFT)により駆動する、いわゆるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置が適している。アクティブマトリクス駆動方式を使うことにより、単純マトリクス方式において生じる画素間のクロストークを排除することができ、優れた表示特性が得られる。かかるアクティブマトリクス駆動方式では、液晶パネルを構成するガラス基板の一方にTFTが配列され、個々のTFTは対応する透明な画素電極への印加電圧を制御する。
【0007】
ところで、このようなアクティブマトリクス方式の液晶表示装置では、液晶層のうち、画素電極が形成された部分にはTFTにより駆動電界が印加されるため、光の透過がオンオフ制御されるが、TFT直上の部分には駆動電界はかからないため、このような部分を通って投射光やバックライト等の光が漏れてしまう問題が生じる。表示のコントラスト比を向上させるためには、このようなTFT形成部分を通って漏れる光を最小化する必要があり、このため、従来は、TFTを担持する基板と対向する基板上に、かかるTFT形成部分に対応して遮光パターンを形成していた。しかし、かかる構成では、遮光パターンが対応するTFTを覆うように基板間の精密なアラインメントが必要で、このため液晶パネルの組立工程に時間を要していた。アラインメント作業を容易にするために遮光パターンを大きめに形成すると、表示の明るさが減じる等の問題が生じてしまう。
【0008】
このため、本発明の発明者は、遮光パターンを、TFTを担持する同じ基板上に形成する構成を検討し、液晶表示装置の試作を行った。
【0009】
図11は、かかる本発明の発明者が試作した液晶表示パネルの平面図を示す。
図11を参照するに、液晶表示パネルを構成する対向ガラス基板の一方の上に、液晶表示装置の画素に対応して、複数の略U字型のポリシリコンパターン1が形成される。ポリシリコンパターン1の両端には、それぞれ接続パッド1a,1bが形成され、また前記ガラス基板上には、ポリシリコンパターン1をゲート酸化膜として作用するSiO2 膜を介して跨ぐように、Alよりなる複数のゲートパターン2が、互いに平行に形成される。ポリシリコンパターン1は、前記ゲートパターン2と交差する部分の両側がn型あるいはp型にドープされ、その結果ポリシリコンパターン1とゲートパターン2の交差点に対応して、TFTのチャネル領域が形成される。かかるU字型のポリシリコンパターン1では、単一のパターン1について、互いに直列に接続された一対のnチャネルあるいはpチャネルTFTが形成される。
【0010】
さらに、前記接続パッド1bに対応して、前記ポリシリコンパターン1上には、縦方向に、Alよりなる複数のデータバスパターン3が、互いに平行に形成される。かかるデータバスパターン3は、各々コンタクトホールにより対応する接続パッド1bに接続され、かかる接続パッド1bを介してポリシリコンパターン1中に形成されたp型あるいはn型のドレイン領域に駆動電流を供給する。一方、前記接続パッド1aは、以下に説明する遮光パターンあるいはAlパターンを介して透明な画素電極に接続される。
【0011】
かかる構成では、前記ゲートパターン2およびデータバスパターン3に対応して、遮光マスク5が形成される。遮光マスク5は不透明な金属、例えばTiよりなり、隣接する画素電極の隙間から漏れる光を遮断する。
【0012】
図12は,図11の構成のうち、線1−1’に沿った断面図を示す。
図12を参照するに、前記ポリシリコンパターン1がガラス基板10上に形成され、その上を第1層目の絶縁膜6が覆う。前記データバスパターン3はかかる絶縁膜6上に形成され、絶縁膜6に形成されたコンタクトホール6aを介してポリシリコンパターン1の接続パッド1bに接続される。
【0013】
データバスパターン3は、さらに第2層目の絶縁膜7に覆われ、前記遮光マスク5は、かかる絶縁膜7上に、前記データバスパターン3に対応して形成されている。遮光マスク5は、さらに第3層目の絶縁膜8により覆われ、絶縁膜8上には透明電極を構成するITOパターン9が形成される。透明電極パターン9は、図示していない別のコンタクトホールを介して、ポリシリコンパターン1の接続パッド1aに接続される。
【0014】
図12の断面図では示されていないが、前記ゲートパターン2は、前記基板10上に、前記ポリシリコンパターン1と同じレベルに形成され、TFTのチャネル領域において、前記ポリシリコンパターン1を跨ぐ。
【0015】
図11中、データバスパターン3はポリシリコンパターン1に対して左側にずれて図示されているが、これば図12に示すように、単にデータバスパターン3がポリシリコンパターン1の上に形成されていることを示すにすぎない。
【0016】
かかる構成では、縦方向(行方向)に延在する遮光マスク5が、縦方向に延在するデータバスパターン3の両側縁から漏れだす光を遮断する。データバスパターン3は、容量を介して透明電極パターン9と相互作用する可能性があるため、電極パターン9と重なるように幅を大きくすることができず、間に隙間gが形成されるのが避けられない。遮光マスク5は、このような隙間gから漏れだす光を遮断する。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
図11,12の構成は、遮光パターン5をTFTを担持する同じ基板10上に、TFTを形成する一連の工程の一部により形成できるため、遮光マスク5とTFTとの間にはほぼ理想的な位置整合が実現され、従来なされていたような、基板10と遮光パターンを担持する対向基板とを精密に整合させる工程を省略できる。
【0018】
しかし、実際に図11,12に示す構成の液晶表示装置を製作してみると、遮光、マスク5を構成する金属パターンとデータバスパターン3とが短絡し易く、液晶表示装置の歩留りが上がらないという問題点が発見された。
【0019】
これは、図13に示すように、絶縁膜7によるデータバスパターン3のステップカバレージが不十分で、遮光マスク5とデータバスパターン3とが短絡してしまうことによると考えられる。同様な短絡は、また遮光マスク5と透明電極パターン9との間にも生じやすく、このような短絡が生じると、遮光マスク5は図8に示すように縦横に連続して延在しているため、ライン欠陥を生じてしまう。
【0020】
そこで、本発明は、上記の課題を解決した、新規で有用な液晶表示装置を提供することを概括的目的とする。
【0021】
本発明のより具体的な目的は、遮光マスクの位置合わせが容易で、しかも信頼性および歩留りの高い液晶表示装置を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を、
請求項1に記載したように、
液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して複数の薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、行方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々行方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプを形成され、
さらに、各々の画素に対応して、互いに孤立した、また前記遮光ストライプに対しても孤立した別の遮光パターンを形成されていることを特徴とする液晶表示装置により、または
【0023】
請求項2に記載したように、
各々の画素において、前記孤立した別の遮光パターンは第1および第2の、互いに孤立したパターンより構成され、前記第1の孤立パターンは、列方向に延在し前記薄膜トランジスタのデータバスパターンを構成する遮光性パターンの一方の縁を覆うように形成され、前記第2の孤立パターンは、前記遮光性パターンの他方の縁を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置により、または
【0024】
請求項3に記載したように、
前記液晶表示装置は、さらに行方向に延在し前記薄膜トランジスタのゲートバスパターンを構成する複数の遮光性パターンを備え、前記ゲートバスパターンは、前記データバスパターンに対応して、その下方を列方向に延在する枝を有することを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置により、または
【0025】
請求項4に記載したように、
前記遮光ストライプは、前記ゲートバスパターンを覆うように形成され、前記枝の先端は、前記遮光ストライプの側縁よりも外側に位置することを特徴とする請求項3記載の液晶表示装置により、または
【0026】
請求項5に記載したように、
前記遮光ストライプは、さらに前記データバスパターンを覆って列方向に延在する枝を有することを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置により、または
【0027】
請求項6に記載したように、
液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して複数の薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、列方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々列方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプを形成され、
さらに、各々の画素に対応して、互いに孤立した、また前記遮光ストライプに対しても孤立した別の遮光パターンを形成されていることを特徴とする液晶表示装置により、または
【0028】
請求項7に記載したように、
各々の画素において、前記孤立した別の遮光パターンは第1および第2の、互いに孤立したパターンより構成され、前記第1の孤立パターンは、行方向に延在し前記薄膜トランジスタのゲートバスパターンを構成する遮光性パターンの一方の縁を覆うように形成され、前記第2の孤立パターンは、前記遮光性パターンの他方の縁を覆うように形成されていることを特徴とする請求項6記載の液晶表示装置により、または
【0029】
請求項8に記載したように、
液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して複数の薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、列方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々列方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプを形成され、
前記複数の遮光ストライプの各々は、行方向に延在する前記薄膜トランジスタのゲートパターンを覆うように、行方向に延在する枝を有し、前記一の遮光ストライプの枝は、隣接する遮光ストライブの対応する枝と、前記薄膜トランジスタの活性部を構成する半導体パターン上において、前記半導体パターンの幅よりもせまい間隔で、対向することを特徴とする液晶表示装置により、または
【0030】
請求項9に記載したように、
前記複数の遮光ストライプは、共通の電位に接続されていることを特徴とする請求項1〜8のうち、いずれか一項記載の液晶表示装置により解決する。
【0031】
以下、本発明の原理を、図1および3,4を参照しながら説明する。ただし、図1は本発明による液晶表示装置の基本的レイアウトを示す平面図、図3は図1中、線2ー2’に沿った断面図、さらに図4は図1中、線3ー3’に沿った断面図である。
【0032】
図1を参照するに、本発明では、図811遮光パターン5のかわりに行方向に平行に延在する複数の遮光ストライプ5’が形成され、さらに列方向に延在するデータバスパターン3の遮光パターンとして、ゲートパターン2から列方向に延在する枝2Aが形成される。枝2Aはポリシリコンパターン1の手前で止まり、ポリシリコンパターン1の接続パッド1bとの間に隙間が形成される。換言すると、ゲートパターン2とポリシリコンパターン1がかかる枝2Aを介して電気的に接触することはない。
【0033】
本発明では、さらにかかる隙間の遮光を行うために、遮光ストライプ5’から孤立した第1および第2の遮光パターン5A,5Bが形成される。遮光パターン5A,5Bは遮光ストライプ5’と同様な不透明金属よりなり、遮光パターン5Aはデータバスパターン3の左側縁と透明電極パターン9との間の隙間を遮光する。同様に、遮光パターン5Bはデータバスパターン3の右側縁と、右隣の画素の透明電極パターン9との間の隙間を遮光する。
【0034】
かかる構成によれば、万が一遮光パターン5Aあるいは5Bがデータバスパターン3と短絡しても、パターン5A,5Bは孤立しているため、短絡の影響が表示に及ぶことがない。換言すると、本発明の構成により、十分な遮光による高いコントラスト表示を、線欠陥を生じることなく実現できる液晶表示装置が得られる。
【0035】
【発明の実施の形態】
図2は、本発明の第1実施例による液晶表示装置で使われるTFT基板のレイアウトを示す平面図である。ただし、図2中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【0036】
図2を参照するに、ゲートパターン2は図1に示す枝2Aと反対側にも、データバスパターン3に沿って延在する別の枝2Bを有し、枝2Bの先端は遮光ストライプ5’の外側まで延在するのがわかる。
図3は、図2(および図1)の構成における、線2−2’に沿った断面図を示す。
【0037】
図3を参照するに、ガラス基板10上には、TFTの活性部を構成するポリシリコンパターン1と同一のレベルに、ゲートパターン2から延在する枝2Aが形成されており、パターン2A上には第1層目の絶縁膜6を介してデータバスパターン3が延在する。データバスパターン3は第2層目の絶縁膜7で覆われ、絶縁膜7上には、前記パターン3の両側縁に対応して、遮光パターン5A,5Bが、互いに離間して形成される。パターン5A,5Bはさらに第3層目の絶縁膜8により覆われ、絶縁膜8上にはITOパターン9が形成される。
【0038】
図4は、図2(および図1)の構成における、線3−3’に沿った断面図を示す。
【0039】
図4を参照するに、ガラス基板10上には、TFTの活性部を構成するポリシリコンパターン1の接続パッド1bが形成されており、パターン1上には第1層目の絶縁膜6を介してデータバスパターン3が延在する。ただし、データバスパターン3は、絶縁膜6に形成されたコンタクトホール6aを介して前記接続パッド1bに接続される。先にも説明したように、接続パッド1bはTFTのドレイン領域に接続されている。
【0040】
データバスパターン3は第2層目の絶縁膜7で覆われ、絶縁膜7上には、前記パターン3の両側縁に対応して、遮光パターン5A,5Bが、互いに離間して形成される。パターン5A,5Bはさらに第3層目の絶縁膜8により覆われ、絶縁膜8上にはITOよりなる透明電極パターン9が形成される。
【0041】
図3よりわかるように、図2の構成では、データバスパターン3に沿って延在するゲートパターンの枝2Aがパターン3と透明電極パターン9との間の隙間gを遮光し、さらに前記枝2Aが途切れた先の領域では、前記孤立遮光パターン5A,5Bがかかる隙間を遮光する。また、同様な遮光効果は、ゲートパターンの別の枝2Bによっても得られる。
【0042】
孤立遮光パターン5A,5Bは互いに分離しているため、いずれか一方の遮光パターンがデータバスパターン3あるいは透明電極パターン9との間で短絡を生じても、液晶表示装置の表示に線欠陥が現れる等の問題は生じない。
【0043】
また、図2の構成では、枝2Bの先端が遮光ストライプ5’の外側に位置するため、データバスパターン3がかかる枝2Bの前縁部において鋭い段差を形成しても、遮光ストライプ5’とデータバスパターン3とが、かかる鋭い段差より短絡してしまうことがない。
【0044】
次に、本発明の第2実施例を、図5を参照しながら説明する。ただし、図5中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【0045】
本実施例では、図2の実施例における枝2Bが省略され、そのかわり遮光ストライプ5’に、前記データバスパターン3に対応して列方向に延在する枝5C,5Dが形成される。このうち、枝5Cは前記ゲートパターン2の枝2Aの上方を延在し、データバスパターン3の側縁から漏れる光を遮断する。いっぽう、枝5Dは前記データバスパターン3に沿って、前記枝5Cとは反対の側において前記孤立遮光パターン5A,5Bの方向に延在し、データバスパターン3の側縁から漏れる光を遮断する。
【0046】
次に、本は発明の第3実施例を、図6を参照しながら説明する。ただし、図6中、先に説明した部分は同一の参照符号で示し、説明を省略する。
【0047】
本実施例では、行方向に延在する遮光ストライプ5’の代わりに、列方向に延在する遮光ストライプ5”が使われる。すなわち、遮光ストライプ5”は、データバスパターン3を覆うように列方向に延在する。また、行方向に延在するゲートバスパターン2は、前記データバスパターン3との交差点において幅を広げられており、またゲートバスパターンの幅が狭い部分に対応して、行方向に延在する一対の、孤立した遮光パターン5A”,5B”が、それぞれゲートバスパターン2の側縁を覆うように形成され、かかる側縁における光の漏れを遮断する。
【0048】
図7は、本発明の第4実施例による液晶表示装置の要部を示す。
図7を参照するに、本実施例においても、図6の実施例と同様、データバスパターン3に沿って列方向に延在する遮光ストライプ5”が形成されており、さらに、各々の遮光ストライプ5”は、前記ゲートバスパターン2を覆うように、行方向に延在する枝5C”,5D”を有する。その際、隣接する一対の遮光ストライプ5”において、一方の遮光ストライプ5”から図7中で右方向に延在する枝5D”は、隣接する遮光ストライプ5”から左方向に延在する枝5C”と、前記TFTの活性部を構成するポリシリコンパターン1上において対向する。その際、枝5D”と枝5C”との間の間隔は、ポリシリコンパターン1の幅よりも狭くされ、ポリシリコンパターン1の両側から漏れる光が、枝5C”,5D”により遮断される。すなわち、本実施例では、ポリシリコンパターン1自体を遮光に使う。
【0049】
図8は、本発明の前記第1実施例〜第4実施例による液晶表示装置においてTFTを担持する基板の全体的構成を示す。ただし、図8には、遮光ストライプ5’のみを示し、TFTあるいは透明電極パターンは省略してある。
【0050】
図8を参照するに、前記基板上には多数の遮光ストライプ5’が平行に延在し、各々の遮光ストライプ5’は表示装置の周辺領域を囲むように延在する遮光パターン50に接続されている。遮光パターン50には接続パッド51が形成されており、遮光ストライプ5’はかかる遮光パターン50および接続パッド51を介して共通の電位、例えば接地電位に落とされる。
【0051】
図9は、#1〜#8まで、液晶表示装置をそれぞれ図11に示す従来の構成および図1,2,5に示す本発明の構成に従って実際に製作し、その線欠陥密度を評価した結果を示す。
【0052】
図9よりわかるように、黒で塗りつぶした従来の構成の基板では、白抜きで示した本発明による基板よりも、発生する線欠陥の数がはるかに大きいことがわかる。換言すると、本発明は、従来の構造において生じていた線欠陥の発生の問題を解決するものであることがわかる。
【0053】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【0054】
【発明の効果】
請求項1〜7記載の本発明の特徴によれば、液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して複数の薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、行または列方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々行方向または列方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプをし、さらに、各々の画素に対応して、互いに孤立した、また前記遮光ストライプに対しても孤立した別の遮光パターンを形成することにより、光漏れのない高いコントラストを有し、線欠陥の発生しにくい信頼性の高い液晶表示装置が得られる。また、かかる液晶表示装置では、遮光パターンが薄膜トランジスタを担持する基板上に形成されるため、遮光パターンを担持する基板と薄膜トランジスタを担持する基板とを整合させるアラインメント工程が簡単になり、液晶表示装置の組立時におけるスループットが大きく向上し、また製作費用が低減される。
【0055】
請求項8記載の本発明の特徴によれば、列方向に延在する複数の遮光ストライプの各々から、行方向に枝を延在させ、さらにかかる枝が隣接する遮光ストライプの対向する枝と、薄膜トランジスタの活性部を構成するポリシリコンパターン上において、前記ポリシリコンパターンの幅よりも狭い間隔で対向するように形成することにより、簡単で効果的な、また短絡の危険の少ない遮光系を構成することができる。
【0056】
請求項9記載の本発明の特徴によれば、遮光ストライプを共通の電位、例えば接地電位に落とすことにより、個々の薄膜トランジスタの動作を安定化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明する図である。
【図2】本発明の第1実施例による液晶表示装置の要部を示す図である。
【図3】図1または図2の構造の、線2ー2’に沿った断面を示す断面図である。
【図4】図1または図22の構造の、線3ー3’に沿った断面を示す断面図である。
【図5】本発明の第2実施例による液晶表示装置の要部を示す図である。
【図6】本発明の第3実施例による液晶表示装置の要部を示す図である。
【図7】本発明の第4実施例による液晶表示装置の要部を示す図である。
【図8】本発明の液晶表示装置の全体的構成を示す図である。
【図9】本発明の効果を示す図である。
【図10】投射型液晶表示装置の構成例を示す図である。
【図11】従来の液晶表示装置の一部の構成を示す図である。
【図12】図11の構造の、線1−1’に沿った断面を示す断面図である。
【図13】図11の構成において生じる問題点を説明する図である。
【符号の説明】
1 ポリシリコンパターン
1a,1b 接続パッド
2 ゲートパターン
2A,2B ゲートパターンの枝
3 データバスパターン
5,50 遮光パターン
5’ 遮光ストライプ
5A,5B 孤立遮光パターン
5C,5D 遮光ストライプの枝
6 第1層目絶縁膜
6a コンタクトホール
7 第2層目絶縁膜
8 第3層目絶縁膜
9 透明電極
10 TFT基板
51 遮光パターン接地パッド
Claims (5)
- 液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して、ゲートバスパターンと半導体パターンの交差部分に対応してチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、列方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々列方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプが形成され、
さらに、各々の画素に対応して、互いに孤立した、また前記遮光ストライプに対しても孤立した別の遮光パターンが形成され、
前記薄膜トランジスタのゲートバスパターンは幅が狭い部分を有し、前記孤立した遮光パターンは、前記ゲートバスパターンの幅が狭い部分に対応して当該部分の縁を覆うように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して複数の薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、列方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々列方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプが形成され、
さらに、各々の画素に対応して、互いに孤立した、また前記遮光ストライプに対しても孤立した別の遮光パターンが形成され、
前記薄膜トランジスタのゲートバスパターンは幅が狭い部分を有し、前記孤立した遮光パターンは、前記ゲートバスパターンの幅が狭い部分に対応して当該部分の縁を覆うように形成され、
前記薄膜トランジスタの半導体パターンは、前記ゲートバスパターンの幅が狭い部分と交差する部分と、前記ゲートバスパターンの幅が狭い部分以外の部分と交差する部分とを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して、ゲートバスパターンと半導体パターンの交差部分に対応してチャネル領域が形成される薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、列方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々列方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプが形成され、
さらに、各々の画素に対応して、互いに孤立した、また前記遮光ストライプに対しても孤立した別の遮光パターンが形成され、
各々の画素において、前記孤立した別の遮光パターンは第1および第2の、互いに孤立したパターンより構成され、前記孤立した第1のパターンは、行方向に延在し前記薄膜トランジスタのゲートバスパターンを構成する遮光性パターンの一方の縁を覆うように形成され、前記孤立した第2のパターンは、前記遮光性パターンの他方の縁を覆うように形成され、
前記ゲートバスパターンは、幅が狭い部分を有し、前記孤立した第1および第2のパターンは、前記ゲートバスパターンの幅が狭い部分に対応して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶パネルを構成する一対の対向基板の一方の基板上に、複数の画素に対応して複数の薄膜トランジスタを行列状に配列した構成の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタを担持する基板上に、列方向に配列した複数の薄膜トランジスタを覆うように、互いに平行に、各々列方向に連続的に延在する複数の遮光ストライプが形成され、
前記複数の遮光ストライプの各々は、行方向に延在する前記薄膜トランジスタのゲートパターンを覆うように、行方向に延在する枝を有し、前記一の遮光ストライプの枝は、隣接する遮光ストライプの対応する枝と、前記薄膜トランジスタの活性部を構成する半導体パターン上において、前記半導体パターンの幅よりもせまい間隔で、対向することを特徴とする液晶表示装置。 - 前記複数の遮光ストライプは、共通の電位に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の液晶表示装置。
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