JP3654836B2 - 光子結晶の全方向反射体 - Google Patents
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Description
(発明の背景)
本発明は光子結晶の分野に関し、特に、誘電性の高度全方向反射体に関する。
【0002】
低損失の周期的誘電体、すなわち「光子結晶」は、光などの電磁エネルギーの伝搬を、他の方法では困難または不可能なやり方で制御することができる。光子結晶中の光子のバンドギャップの存在により、光子結晶は特定の周波数範囲内でどの方向およびどの偏光をもつ光についても完全な鏡となりうる。光子バンドギャップの周波数範囲内では、周期的媒体内部にマックスウェルの方程式の伝搬解はない。従って、かかる結晶表面に入射する、該ギャップ内の周波数をもつ波面は完全に反射されるはずである。
【0003】
このような全方向反射の必要条件は、光子結晶が、完全な3次元光子バンドギャップ、つまりマックスウェルの方程式の伝搬解が存在しない周波数範囲を示すことであると、当然仮定できる。このような光子結晶は3つのすべての次元(ディメンジョン)において誘電定数の周期的変化を必要としうる。かかる結晶を赤外線または光学的な光のために設計した場合、空間周期が動作波長に匹敵しなければならないために製造が困難である。これが、高度(アドバンスト)リソグラフィ法または自己組立て式(セルフアッセンブリング)微細構造(マイクロストラクチャー)等の多数の実験にもかかわらず、光子結晶利用の提案の大半がまだ開発の初期段階にとどまっている理由である。
【0004】
(発明の概要)
従って、本発明の目的は、偏光および入射角度に関係なく、高い全方向性反射を示して完全な鏡として機能する誘電体構造を提供することである。
【0005】
本発明の他の目的は、所与の周波数範囲内のあらゆる入射角および偏光について完全な反射を示すことのできる多層フィルム等の一次元の周期的光子結晶構造を提供することである。
【0006】
従って、本発明は、反射体、その製造方法、ならびに所定の周波数範囲の入射電磁エネルギーの任意の入射角および任意の偏光について高い全方向反射を形成する方法を提供する。反射体は、表面と、該表面に垂直方向に変化し該表面沿いにはほぼ均一なままである屈折率とをもつ構造を含む。この構造は、i)該表面に垂直方向に入射する電磁エネルギーについて光子バンドギャップを規定する周波数の範囲が存在し、ii)該表面の垂直方向から約90°の方向に入射する電磁エネルギーについて光子バンドギャップを規定する周波数の範囲が存在し、かつiii)上記両方の光子バンドギャップに共通な周波数の範囲が存在するように構成される。一実施形態においては、反射体は光子結晶として構成される。
【0007】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に従う高度全方向反射体100の一実施形態を示す概略ブロック図である。反射体100は、Y軸に沿って表面101に垂直方向に周期的な屈折率を有し、厚さが交互にd1とd2(本実施形態ではd2=1−d)かつ屈折率が交互にn1とn2となっている誘電体スラブ102,104の積層の繰り返しからなる一次元の周期的光子結晶である。本実施形態では、d1およびd2は周期ユニット(単位)a内とする。かかる周期的な系のいくつかの周期だけを図示する。4分の1波長積層体では、n1d1=n2d2である。このような積層体はシリコン等の基板106上に従来の方法で作製される。
【0008】
図1はまた、入射光の直交する2つの偏光を示す。s偏光波は入射面に対して垂直に電場Eをもつ。p偏光波は入射面に対して平行に電場を有する。媒体はy方向には周期的(離散並進型対称(ディスクリート・トランスレーショナル・シンメトリー))、xおよびz方向には均一(連続並進型対称)であるため、電磁モードは波数ベクトルkによってブロッホの公式で特徴づけられる。具体的には、kyは第1のブリユアン領域−π/a<ky<π/aに限定され、kxおよびkzは限定されない。普遍性を失うことなくkz=0,kx≧0,かつn2>n1と仮定できる。選択する各ベクトルkごとに許容されるモード周波数ωnが結晶の帯域構造を構成する。各nについての連続関数ωn(ベクトルk)が光子帯域(フォトニック・バンド)である。
【0009】
図2は本実施形態のn1=1,n2=2の多層フィルム4分の1波長積層体の最初の3つの帯域を、特別なケースkx=0(垂直入射)についてkyの関数として示すグラフである。厚さはd1=0.67かつd2=0.33に選択した。kx=0ではs偏光波とp偏光波との間に違いはない。第1帯域と第2帯域との間には広い周波数ギャップがある。この***は、各インターフェースを透過かつ反射する波同士の破壊的な干渉によるものである。周波数は単位c/aであらわしており、cは周囲媒体中の光速を示し、a=d1+d2である。
【0010】
本実施形態では周期的である変化する屈折率関数n(y)で定義される任意の一次元光子結晶は、kx=0では非ゼロギャップをもつ。その中では伝搬モードはなく、従ってかかる結晶表面に垂直に入射した場合、そのギャップ範囲内で周波数が落ちていく波は反射される。
【0011】
kx>0(不定伝搬方向)については、投影帯域構造を調べるのが好都合であり、これを図2と同じ媒体、つまりn1=1,n2=2である4分の1波長積層体について図3に示す。このグラフを作成するには、まず周期的媒体中のマックスウェルの方程式を解く計算方法を用いて、構造の帯域ωn(kx,ky)を計算した。各kx値ごとに、すべての可能なky値についてモード周波数ωnをプロットした。こうして、図中、グレーの領域では、いくつかのky値について電磁モードが存在するが、白い領域ではky値に関係なく電磁モードはない。s偏光モードは原点の右側にプロットし、p偏光モードは左側にプロットしている。周波数は単位c/aであらわしている。
【0012】
多層フィルムの投影帯域構造の形状は直感的に理解できる。kx=0では、図2の垂直入射バンドギャップが回復される。この周波数範囲を点線で示す。kx>0では、破壊的干渉の条件がより短い周波数へとシフトするにつれ、帯域カーブは周波数上昇方向に進む。kx→∞に進むにつれ、グレー領域の周波数の幅は線になるまで縮小していく。この期間では、各モードはほぼ屈折率の高いスラブに閉じこめられる。kxが大きい場合は非常に良好に閉じこめられ、各層間で結合しない(kyに無関係)。これらはほぼ平面導波モードであるため、分散関係は漸近的にω=ckx/n2に近づく。
【0013】
図3のある明確な特徴は、完全なバンドギャップがないことである。どの周波数についても、波数ベクトルと、その周波数に対応する関連した電磁モードとが存在する。垂直入射バンドギャップ300(点線で囲んだ部分)は、kx>0の各モードに交差される。これは一次元光子結晶の一般的特徴である。
【0014】
だが完全なバンドギャップがないことは、全方向反射を除外することにはならない。規準は、結晶内に伝搬状態がないことではなく、入射する伝搬波に結合しうる伝搬状態がないことである。これは結晶と周囲媒体との投影帯域構造がまったく重なり合わない周波数帯域が存在することに等しい。
【0015】
図3の2本の黒い斜線302,304は「光の線」ω=ckxをさす。周囲媒体(大気)中の電磁モードはω=c(kx 2+ky 2)1/2に従い、cは周囲媒体中の光速をさすので、一般的にはω>ckxである。「光の線」をさす斜線より上の全領域ω>ckxは、周囲媒体の投影帯域で満たされる。
【0016】
y<0を占める半無限大結晶、およびy>0を占める周囲媒体では、この系はもやはy方向に周期的ではなく(並進型対称なし)、系の電磁モードは1つのky値では分類できない。かかるモードは可能なすべてのkyについて平面波の重み付け総和として書かれなければならない。ただしkxはなお有効な対称標識(シンメトリー・ラベル)である。y=0におけるインターフェース上の入射角θはωsinθ=ckxによってkxに関係づけられる。
【0017】
特定の周波数において半無限大の結晶に透過を存在させるには、その周波数で可能なy>0とy<0との両方に延びる電磁モードがなければならない。かかるモードは、結晶および周囲媒体の両方の投影光子帯域構造中に存在する必要がある。全体系中には存在せず半無限大系中に存在しうる状態は表面状態だけであり、これらの状態は表面から両方向に向かって指数関数的に減衰し、従って外部波の透過とは無関係である。このため、高度全方向反射の規準は、周囲媒体の投影帯域と結晶の投影帯域との間に共通の状態がない、つまり結晶の投影帯域にω>ckxの状態がない周波数ゾーンが存在することである。
【0018】
図3からわかるように、s偏光波についてかかる周波数ゾーン(0.36c/a〜0.45c/a)が存在する。このゾーンの上限は垂直入射バンドギャップであり、下限は第1のグレー領域の頂部と光の線との交点である。第1のグレー領域の上端はky=π/aにおける状態についての分散関係を示す。
【0019】
もっとも低い2つのp帯域はω=ckx線より上にある点で交差し、上記のような周波数ゾーンの存在を阻止する。この交差は、どのインターフェースにおいてもp偏光波の反射がないブルースター角θB=tan-1(n2/n1)で発生する。この角度ではky波と−ky波との間には結合がなく、これが帯域の交差を発生させる。この結果、帯域はより急激に上方へカーブする。
【0020】
この困難さは、誘電体フィルムの屈折率をあげることによって、結晶の帯域が周囲媒体の帯域より低くなった場合に消滅する。例えば、屈折率n(y)を定数因子α>1で乗じると、電磁モードの全周波数は同じ因子αだけ低くなる。
【0021】
図4は、同一比n2/n1=2で、n1=1.7,n2=3.4(α=1.7)、かつd1=0.67,d2=0.33の場合の、本実施形態の4分の1波長積層体の投影帯域構造を示すグラフである。このケースでは、結晶の投影帯域と周囲媒体の投影帯域とが重なり合わない周波数ゾーン、すなわち点400(ωa/2πc=0.21)から点402(ωa/2πc=0.27)が存在する。このゾーンの上限は垂直入射バンドギャップであり、下限はp偏光波の第1のグレー領域頂部と光の線404との交点である。本実施形態では、シリコン−二酸化シリコン材系を用いて説明するが、他の材料系を用いて作製することもできる。
【0022】
点400と402に対応する周波数の間では、どちらの偏光についてもどの入射角でも全反射する。有限枚数のフィルムでは、透過光はフィルムの枚数に従って指数関数的に消滅する。10枚(5周期)のフィルムからなる有限系について様々な入射角、たとえば0°〜約90°における計算上の透過スペクトルを図5にグラフにした。計算は伝達行列を用いて行った。拒絶帯は角度が大きくなるほどより高い周波数へとシフトするが、すべての角度について変わらないオーバラップ領域が存在する。
【0023】
図5は、10枚のフィルムからなる4分の1波長積層体(n1=1.7,n2=3.4)について3つの入射角の計算上のスペクトルを示すグラフである。実線のカーブはp偏光波に対応し、点線のカーブはs偏光波に対応する。反射度の高いオーバラップ領域は、図4の点400−402間の領域に相当する。本実施形態ではシリコンと二酸化シリコンとの10層フィルムをもつ構造の特性について説明するが、本発明の反射体は適切な屈折率比をもつ他の多層構造または材料系を用いても達成できることを理解されたい。
【0024】
高度全方向反射(結晶と周囲媒体の投影帯域が重なり合わない)の規準は、必ずしも周期的でなくてもよい一般関数n(y)にあてはまる。多層フィルムの特殊なケースでは、明白な形の帯域構造関数ωn(kx,ky)を導出でき、これを用いて、所与に選択したn1,n2,d1およびd2から得られる指向性反射の周波数ゾーンがある場合は、これを系統的に調べることができる。
【0025】
図4に示すような高度全方向反射のグラフ上の規準は、点400(光の線404とky=π/aでの第1のp偏光波との交点)が、点402(kx=0,ky=π/aでの第2の帯域)より低いことである。記号上では、ωpn(kx,ky)を多層フィルムのp偏光帯域構造の関数とすると、
ωp1(kx=ωp1/c,ky=π/a)<ωp2(kx=0,ky=π/a) (1)
となる。式の左側部分は周波数ωp1については自己矛盾しない解となることがわかる。これら2つの周波数間の差が、高度全方向反射の範囲である。
【0026】
多層フィルムでは、分散関係ωn(kx,ky)は、特定の周波数および入射角でのフィルムの1周期に関連した伝達行列の固有値Λを計算することによって導出できる。実数kyでΛ=exp(ikya)の場合、その周波数および角度において伝搬モードが存在する。分散関係ωn(kx,ky)は、次の超越方程式によって決定される。
【0027】
【数4】
【0028】
これらの結果を用いて、式(1)であらわした規準を評価できる。所与のkyおよびθ=asin(ckx/ω)について式(2)の根を見つけることができる。式(1)に従う全方向反射の周波数範囲(もしあれば)は、ky=π/aかつθ=π/2のp偏光波(図4の点400)についての式(2)の第1の根と、ky=π/aおよびθ=0(点402)についての第2の根との間である。
【0029】
この周波数範囲は(これが存在する場合は)、包括的なフィルムパラメータの組について計算されている。すべてのモード波長はd1+d2=aで線形に比例するので、多層フィルムについては3つのパラメータ、すなわちn1,n2およびd1/aだけを考慮すればよい。高度全方向反射の範囲[ω1,ω2]をスケールとは無関係な方法で計量するには、「範囲対中間範囲比」が(ω2−ω1)/[(1/2)(ω1+ω2)]として定義される。
【0030】
n1およびn2/n1の各選択値ごとに、範囲対中間範囲比を最大にするd1/aの値が存在する。この選択値は数値的に計算可能である。図6は高度全方向反射の周波数範囲の範囲対中間範囲比を示す等高線グラフであり、n1およびn2/1を変化させた場合の最大化値d1/a(実線)を示す。点線は、4分の1波長積層体における0%等高線を示す。屈折率n0≠1の一般的な周囲媒体の場合、横座標はn1/n0 となる。このグラフは、n1およびn2を固定させた場合に達成可能な最大の範囲対中間範囲比を示す。
【0031】
高度全方向反射の最適ゾーンの近似解析式は次のように導くことができる。
【0032】
【数5】
【0033】
数値的に、これは4分の1波長積層体の場合を含む図6に示す各種パラメータの全範囲について優秀な近似であることがわかっている。
【0034】
図6からわかるように、高度全方向反射のためには、屈折率比は適度に高くなければならず(n1/n2>1.5)、屈折率自体も周囲媒体のものよりやや高くなければならない(n1/n0≧1.5)。前者の条件は帯域***を増大させ、後者の条件はブルースター交差の周波数を抑える。どちらかの要因が増大すると他方の要因を部分的に補償できる。材料はまた、特に結晶表面に沿った反射光の光路長が長いかすめ角では、意図する周波数範囲の吸収長が長くなければならない。
【0035】
例えば波長1.5μmの光では、二酸化シリコンはn1=1.44、シリコンはn2=3.48=2.42n1である。図6では、これは範囲対中間範囲比約27%に相当する。同様に、GaAs/Al2O3の多層体(n1=1.75,n2=3.37=1.93n1)では、範囲対中間範囲比は約24%である。
【0036】
実際には、d1/aを最適化すると、同一比d1/a=n2/(n2+n1)で積層された4分の1波長積層体から得られうるギャップサイズに非常に近いギャップサイズが得られる。4分の1波長積層体の0%等高線を図6に点線で示し、これは最適化された0%等高線に非常に近い。
【0037】
このことを念頭において、ほぼ4分の1波長積層体であるフィルム群について式(2)の近似を導くことができる。β2−β1は極限0に限りなく近づくので、式(2)の2番目の余弦は約1である。この近似では、式(3)および(4)と同じ考え方を用いて、ky=π/aでの帯域エッジの周波数は、
【0038】
【数6】
【0039】
この周波数はθ=0かつθ=π/2の場合について計算できる。これら2つの周波数間の差が正ならば、その間のどの周波数についても全方向反射が存在する。
【0040】
本発明は、一次元光子結晶が完全なバンドギャップをもつのは不可能ではあるが、入射角または偏光に関係なく周囲光の反射をなお達成できることを実証する。これはある周波数範囲内で結晶および周囲媒体の投影帯域が重なり合うときはいつでも生じる。
【0041】
この制約は、もっとも一般的な種類の一次元光子結晶である多層フィルムにおいても非現実的ではない。図6からわかるように、必要なのは、屈折率比が適度に高く(n2/n1>1.5)、かつ屈折率自体が周囲媒体のものよりやや高い(n1/n0>1.5)ことである。どちらかの要因が増大すると他方の要因を部分的に補償できる。また、意図する周波数範囲について比較的長い吸収長をもつ必要がある。かかる材料、および該材料を多層体に堆積させるのに必要な技術は、従来のものである。従って高い全方向反射を達成するのに、多層介挿型積層体、特別な分散特性をもつ材料群、または完全な3次元光子結晶等のより精巧な系の使用は不要である。
【0042】
特定の誘電体多層フィルムの光学反応は、特性行列法を用いて予想できる。この方法では、各層ごとに2x2ユニタリー行列を構成する。この行列は層の一方側から他方側までのフィールド構成要素のマッピングを表す。多層フィルムの光学反応をうまく予想するには、各層ごとの特性行列の計算が必要である。j番目の層の特性行列の式は、njを屈折率、hjをj番目の層の厚さ、θ0を入射波と表面に対する垂線との角度、およびn0は初期媒体(大気等)の屈折率とすると、
【0043】
【数7】
【0044】
そして、これらの行列を乗じてフィルムの特性行列を形成し、次にこれを用いて所与の偏光および入射角についての反射率を計算する。
【0045】
【数8】
【0046】
ここでpg 0は多層フィルムの一方側の媒体屈折率と入射角についての情報を含み、pg 1は他方側の媒体屈折率と入射角についての情報を含む。
【0047】
全入射角および両偏光について反射率Rの最小規定値を示す反射体を構成するには、(1)全方向反射の規準を満たし、かつ(2)θ=89.9°,g=TM,かつRTM(89.9)=Rについて式(10)を解く必要がある。
【0048】
多層フィルムを用いて本発明を例示したが、本発明は、上記で説明したように、一般には任意の周期的誘電体関数n(y)または非周期的な誘電体関数n(y)にも適用できる。必要なのは、誘電体構造と周囲媒体との投影帯域が互いに重なり合わない周波数ゾーンが存在するように、n(y)が様々な方向に沿った光子バンドギャップを導くことである。このような必要条件はまた、不完全なバンドギャップをもつ二次元または三次元の周期的屈折率比をもつ光子結晶によっても満足することができる。
【0049】
しかし、完全なバンドギャップがないことには物理的な結果がある。高度全方向反射の周波数範囲ではマックスウェルの方程式に伝搬解が存在するが、それはω<ckxの状態であり、結晶境界から指数関数的に減衰する。かかる状態が結晶内部から始まったものならば、内部全反射とちょうど同じように境界まで伝搬して反射するはずである。
【0050】
同様に、周囲媒体の伝搬状態は結晶の伝搬状態には結合しないように配置されているはずだが、周囲媒体中の何らかのかすかな状態が結晶中の状態に結合する。このため、結晶表面に非常に近接して(d<λ)配置された源波点は、結晶の伝搬状態にもちろん結合しうる。だがこのような制約は源波点にのみあてはまり、低屈折率のクラッディング層を加えて源波点をフィルム表面から分離するだけで簡単に克服できる。
【0051】
このような高度全方向反射体または鏡には多くの応用が考えられる。例えば、赤外線、可視、または紫外線範囲内では、高度全方向反射体は、レーザビーム用の周波数選択型ミラーまたは焦点部品上の高反射コーティングとして機能しうる。これらは一定の設計上の角度前後の有限範囲だけでなく、どの角度から入射する光にも有効である。
【0052】
本発明はまた、壁、窓、衣服等のコーティングされた物品の内側または外側に熱を閉じこめるための赤外線ミラーのコーティングに利用することもできる。ミラーは細かい断片に切断し、ペンキや布と混ぜて所望の物品に適用できる。
【0053】
本発明の反射体は、無駄な熱を閉じこめてエネルギーに変換する熱−光起電性の電池の改良にも使用できる。また、高周波を反射するようにして、携帯電話等の無線装置の性能向上に利用することもできる。
【0054】
本発明をいくつかの好適な実施形態に基づいて例示かつ説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、その形態および詳細に対して様々な変更、削除、および追加を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に従う高度全方向反射体の一実施形態の概略ブロック図である。
【図2】 多層フィルム4分の1波長積層体の一例における最初の3つの帯域のグラフである。
【図3】 n1=1,n2=2の場合の4分の1波長積層体の投影帯域構造を示すグラフである。
【図4】 同一比n2/n1=2で、n1=1.7,n2=3.4(α=1.7)、かつaを周期としてd1=0.67a,d2=0.33aである4分の1波長積層体の投影帯域構造を示すグラフである。
【図5】 3つの入射角について10枚のフィルムからなる4分の1波長積層体(n1=1.7,n2=3.4)の計算上のスペクトルを示すグラフである。
【図6】 最大化値d1/aについて、n1およびn2/n1を変化させた場合の高度全方向反射の周波数範囲の範囲対中間範囲比を示す等高線グラフである。
Claims (28)
- 反射物品であって、
表面と、前記表面に垂直な方向に沿った誘電体屈折率変化と、を持つ反射体を含み、
前記屈折率変化は、前記表面に垂直な方向に沿って周囲から前記表面に入射する電磁エネルギーに、第1周波数範囲の第1光子バンドギャップを生成すると共に、前記垂直な方向から約90°の方向に沿って周囲から前記表面に入射するp偏光電磁エネルギーに、第2周波数範囲の第2光子バンドギャップを生成し、
前記屈折率変化は、前記第1周波数範囲と前記第2周波数範囲を重なり合わせ、前記反射体が全入射角と全偏光に対して高度全方向反射を行う第3周波数範囲を規定すること
を特徴とする反射物品。 - 請求項1に記載の反射物品であって、前記屈折率変化は、前記第3周波数範囲内の周波数に対応する全入射角と全入射偏光について、前記反射体が95%より高い反射を示す十分な空間的広がりを持つことを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記屈折率変化は、前記第3周波数範囲内の周波数に対応する全入射角と全入射偏光について、前記反射体が98%より高い反射を示す十分な空間的広がりを持つことを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記周囲が約1とほぼ等しい屈折率を持つことを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記反射体の前記表面は平面であることを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記反射体が、前記表面に垂直な方向に複数の誘電体層を備えることで、前記屈折率変化を規定することを特徴とする反射物品。
- 請求項6に記載の反射物品であって、前記複数の誘電体層は、高屈折率と低屈折率とを交互に規定することを特徴とする反射物品。
- 請求項7に記載の反射物品であって、前記複数の誘電体層について、高屈折率と低屈折率とが交互であることを特徴とする反射物品。
- 請求項8に記載の反射物品であって、少なくとも2つの誘電体層の屈折率の比は、1.5よりも大きいことを特徴とする反射物品。
- 請求項9に記載の反射物品であって、前記低屈折率は、1.5よりも大きいことを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記屈折率変化は、ほぼ周期的であることを特徴とする反射物品。
- 請求項11に記載の反射物品であって、前記反射体は、1次元の周期的誘電体構造を含むことを特徴とする反射物品。
- 請求項12に記載の反射物品であって、前記周期的誘電体構造は、それぞれ2層以上の層を有する周期ユニットを含むことを特徴とする反射物品。
- 請求項14に記載の反射物品であって、周期ユニットの数は、前記第3周波数範囲内の周波数に対応する全入射角と全入射偏光について、前記反射体が95%よりも高い反射を示す十分な多さであることを特徴とする反射物品。
- 請求項14に記載の反射物品であって、周期ユニットの数は、前記第3周波数範囲内の周波数に対応する全入射角と全入射偏光について、前記反射体が98%よりも高い反射を示す十分な多さの数であることを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記表面に垂直な方向における前記屈折率変化は、1.5よりも大きいことを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記第3周波数範囲は、ω1とω2を第3周波数範囲の端部周波数とする場合に、(ω2−ω1)/[(1/2)(ω2+ω1)]として定義される範囲対中間範囲比を規定し、前記屈折率変化は、10%よりも大きい範囲対中間範囲比を生成するように選択されることを特徴とする反射物品。
間範囲比を選択することができます。 - 請求項18に記載の反射物品であって、前記屈折率変化は、20%よりも大きい範囲対中間範囲比を生成するように選択されることを特徴とする反射物品。
- 請求項18に記載の反射物品であって、前記屈折率変化は、30%よりも大きい範囲対中間範囲比を生成するように選択される対照比率を持つことを特徴とする反射物品。
- 請求項18に記載の反射物品であって、前記屈折率変化は、40%よりも大きい範囲対中間範囲比を生成するように選択されることを特徴とする反射物品。
- 請求項19に記載の反射物品であって、前記屈折率変化は、前記第3周波数範囲内の周波数に対応する全入射角と全入射偏光について、前記反射体が95%より高い反射を示す十分な空間的広がりを持つことを特徴とする反射物品。
- 請求項19に記載の反射物品であって、前記反射体は、前記表面に垂直な方向に複数の誘電体層を備えることで、前記屈折率変化を規定することを特徴とする反射物品。
- 請求項23に記載の反射物品であって、前記複数の誘電体層は、高屈折率と低屈折率とを交互に規定することを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記第3周波数範囲は、赤外線領域であることを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記第3周波数範囲は、可視領域であることを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記第3周波数範囲は、紫外線領域であることを特徴とする反射物品。
- 請求項1に記載の反射物品であって、前記第3周波数範囲は、高周波領域であることを特徴とする反射物品。
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