JP3652540B2 - 加熱調理器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、高周波により調理物の加熱を行う加熱調理器に関し、特に高周波の出力レベルの変更を伴った自動調理を行う機能を有する加熱調理器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子レンジや、電子レンジとガス加熱オーブンを組合せた複合加熱調理器のように、高周波による調理物の加熱を行う加熱調理器において、調理内容に応じた種々の調理シーケンスが予め設定され、該調理シーケンスに従って自動調理を行う機能を有するものが知られている。
【０００３】
例えば、解凍調理を行う調理シーケンスにおいては、解凍開始前に、重量設定スイッチや重量検出センサによって、加熱調理器の加熱室内に載置された冷凍物の重量が認識され、該冷凍物の重量に応じて解凍調理において必要となる総加熱量が決定される。
【０００４】
そして、解凍調理においては、高周波の出力レベルは一定ではなく、解凍が進むにつれて徐々に減少するように制御される。ここで、高周波の出力レベルの変更は、一般に、図８（ａ）に示したように、制御周期ＴINT における高周波の発生時間（ＯＮ時間）ＴONを変更して、制御周期ＴINT での高周波の総出力量を変更することで行われている。
【０００５】
また、高周波の出力レベルの変更時期は、解凍調理開始からの経過時間に応じて決定される。そして、従来、高周波の出力レベルの変更処理は、図８（ｂ）の▲１▼，▲２▼に示したように、出力レベルの変更指示があった時（▲１▼のｔ1 ，▲２▼のｔ2 ）の制御周期（▲１▼のＴ1 ，▲２▼のＴ3 ）が終了してから、変更後の出力レベルの指示に応じてＯＮ時間ＴONを変更することで行っていた。
【０００６】
しかし、本願発明者らは、図８（ｂ）に示した処理方法で高周波の出力レベルの変更を行ったときには、解凍調理等の自動調理において設定した総加熱量よりも実際の総加熱量が大きくなって調理物に対する加熱が過剰となる場合や、逆に自動調理において設定した総加熱量よりも実際の総加熱量が小さくなって調理物に対する加熱が不足する場合が生じ得ることを知見した。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記背景を鑑みてなされたものであり、調理物に対する総加熱量の過剰及び不足が生じることを防止した加熱調理器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、調理物を収容する加熱室と、該加熱室に導入される加熱用高周波を発生する高周波発生手段と、該高周波発生手段の作動を所定の制御周期単位で制御し、該制御周期の開始時点から所定のＯＮ時間の間は前記高周波発生手段を作動状態とし、該ＯＮ時間の経過終了時点から該制御周期の終了までの時間であるＯＦＦ時間の間は前記高周波発生手段を停止状態として、所定の目標出力レベルに応じて該ＯＮ時間を変更することで前記高周波発生手段の出力レベルを制御する高周波出力制御手段と、所定の調理シーケンスに従って、該高周波出力制御手段に対して前記目標出力レベルを指示する目標出力レベル指示手段とを備えた加熱調理器の改良に関する。
【０００９】
従来の前記加熱調理器においては、前記高周波出力制御手段は、前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが変化した場合、該変化時の制御周期が終了してから、前記ＯＮ時間を変化後の前記目標出力レベルに応じて変更していた。しかし、このような従来の変更方法による場合は、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベルが低下したときに、前記目標出力レベルが低下したにも拘わらず、低下する前の目標出力レベルに応じたＯＮ時間が経過するまで前記高周波発生手段の作動が継続される。そのため、前記高周波発生手段の出力が直ちに減少せず調理物に対する総加熱量が過剰となるという不都合が生じる。
【００１０】
また、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベルが上昇したときには、前記目標出力レベルが増加したにも拘わらず、増加する前の目標出力レベルに応じたＯＮ時間が経過した時に前記高周波発生手段の作動が停止され、その時の制御周期が経過するまでは前記高周波発生手段は停止状態となる。そのため、前記高周波発生手段の出力が直ちに増加せず調理物に対する総加熱量が不足するという不都合が生じる。
【００１１】
そこで、かかる不都合が生じることを防止するため、本発明の第１の実施の態様は、前記高周波出力制御手段が、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが変化し、且つ、該変化時の制御周期における該変化時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が変化後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間未満であるときに、該変化時の制御周期における前記高周波発生手段の作動継続時間が変化後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間に達するのを待って前記高周波発生手段の作動を停止し、該停止後前記制御周期単位の時間から変化後の目標レベルにおける前記ＯＮ時間を引いた時間が経過した時から、変更後の目標出力レベルに応じた前記高周波出力手段の出力レベルの制御を開始することを特徴とする。
【００１２】
かかる本発明によれば、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが低下した場合に、該低下時までの前記作動継続時間が該低下後の前記目標出力レベルに応じた前記ＯＮ時間未満であるときは、該ＯＮ時間が経過した時に前記高周波発生手段の作動が停止される。これにより、前記高周波出力レベルの低下に応じて、前記高周波出力手段の出力レベルが速やかに低下し、調理物に対する総加熱量が過剰となることを防止することができる。
【００１３】
また、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが増加した場合に、該変化時までの前記作動継続時間が該変化後の前記目標出力レベルに応じた前記ＯＮ時間未満であるときには、該ＯＮ時間が経過するまで前記高周波発生手段の作動時間が延長される。これにより、前記高周波出力レベルの上昇に応じて、前記高周波出力手段の出力レベルが速やかに上昇し、調理物に対する総加熱量が不足することを防止することができる。
【００１４】
また、上述した従来の高周波の出力レベルの変更方法による場合は、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベルが低下したときに、該目標出力レベルの低下時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が、既に低下後の目標出力レベルに応じたＯＮ時間を越えていた場合であっても、低下する前の目標出力レベルに応じたＯＮ時間が経過するまで前記高周波発生手段の作動が継続される。そのため、前記高周波発生手段の出力が直ちに減少せず調理物に対する加熱が過剰となるという不都合が生じる。
【００１５】
そこで、かかる不都合が生じることを防止するため、本発明の第２の実施の態様は、前記高周波出力制御手段が、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが低下し、且つ、該低下時の制御周期における該低下時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が低下後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間以上であるときに、直ちに前記高周波発生手段の作動を停止し、該停止後前記制御周期単位の時間から該作動継続時間を引いた時間が経過した時から、低下後の目標出力レベルに応じた前記高周波出力手段の出力レベルの制御を開始することを特徴とする。
【００１６】
かかる本発明によれば、前記ＯＮ時間中に、前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが低下したときに、該低下時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が該低下後の目標出力レベルに応じたＯＮ時間を超えていたときは、前記高周波発生手段の作動が直ちに停止される。これにより、前記目標出力レベルの低下に応じて、前記高周波出力手段の出力レベルが速やかに低下し、調理物に対する総加熱量が過剰となることを防止することができる。
【００１７】
また、前記加熱室内に載置された調理物の重量を検出する重量検出手段を備え、前記調理シーケンスは、該重量検出手段により検出された調理物の重量に応じて決定されることを特徴とする。
【００１８】
前記重量検出手段によれば、調理物の重量を精度良く検出することができるため、検出された重量に応じて決定される前記調理シーケンスにおける調理物に対する総加熱量や前記高周波発生手段の出力レベルの変更時期等の設定も、より詳細に行われる。そこで、上述した本発明の第１、及び第２の実施の態様の方法により、前記高周波発生手段の出力レベルの変更を行うことで、前記調理シーケンスに従い、前記重量検出手段の検出精度に応じて、調理物に対する総加熱量を精度良く制御することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例を、図１〜図８を参照して説明する。図１は本発明の加熱調理器である複合調理器の側面の断面図、図２は図１に示した複合調理器の制御ブロック図、図３〜図６は図１に示した複合調理器における加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート、図７は図１に示した複合調理器の加熱用高周波の出力レベルの推移状態を示した説明図、図８は図１に示した複合調理器及び従来の加熱調理器における加熱用高周波の出力レベルの変更方法を示した説明図である。
【００２０】
図１を参照して、本発明の複合調理器１は、加熱室２内のターンテーブル３上に載置された調理物４を加熱調理するものであり、加熱源として、加熱用高周波を発生するマグネトロン５（本発明の高周波発生手段に相当する）と、熱風を発生するためのガスバーナ６とを備える。そして、複合調理器１は、マグネトロン５を単独作動させる高周波加熱調理、ガスバーナ６を単独作動させる熱風加熱調理、及びマグネトロン５とガスバーナ６の双方を作動させる複合加熱調理を行う。
【００２１】
ガスバーナ６には、ガス供給管（図示しない）を介して燃料ガスが供給され、また、循環ファン８により引き込まれた燃焼用空気が供給される。そして、ガスバーナ６の燃焼によって加熱された空気が空気通路９を通って循環ファン８により吸引され、熱風が加熱室２に送られる。また、ガスバーナ６の燃焼排気は、排気筒１０を介して排出される。
【００２２】
また、ターンテーブル３は、ターンテーブル台１１を介して同期モータ１２により回転駆動され、循環ファン８は循環ファンモータ１４により回転駆動される。
【００２３】
さらに、複合調理器１は、扉１５の開閉状態を検出する開閉スイッチ１６と、加熱室２内の温度（熱風加熱調理及び複合加熱調理における加熱室２内の温度制御に用いられる）を検出する温度センサ１７と、調理物４から放出される水蒸気のレベル（調理物４の加熱度合いを判断するために用いられる）を検出する湿度センサ１８と、ターンテーブル３に置かれた調理物４の重量を検出する重量センサ１９と、使用者により調理条件の設定や調理の開始／停止等が指示される操作ユニット２０とを備える。そして、複合調理器１の作動は、制御ユニット２１により制御される。
【００２４】
次に、図２を参照して、制御ユニット２１はＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ等から成る電子ユニットであり、電源回路２２からの供給電力により作動する。そして、制御ユニット２１は、操作ユニット２０に備えられた調理タイマエンコーダ２４、調理モード選択スイッチ２５、温度設定スイッチ２６、調理メニュー選択スイッチ２７、調理スタートスイッチ２８、及び取消しスイッチ２９の操作に応じて、同期モータ１２によるターンテーブル３（図１参照）の作動制御、マグネトロン駆動回路２３によるマグネトロン５の作動制御、そして熱風加熱を行うための循環ファンモータ１４、バーナ作動制御部３１、及びイグナイタ３２の制御を行う。
【００２５】
また、制御ユニット２１は、操作ユニット２０からの指示に応じて、自動調理の調理シーケンスを決定する調理シーケンス設定手段４０と、該調理シーケンスに従ってマグネトロン５による高周波の出力レベル（目標出力レベル）の指示を行う目標出力レベル指示手段４１と、目標出力レベル指示手段４１からの目標出力レベルの指示に応じて、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５の作動を制御し、マグネトロン５から出力される高周波の出力レベルを制御する高周波出力制御手段４２とを備える。
【００２６】
バーナ作動制御部３１は、ガスガバナ３７と複数の電磁弁３３とこれらの電磁弁３３を駆動するソレノイド３４とからなり、ガスバーナ６に供給する燃料ガスの流量を調節する。また、イグナイタ３２はスパーク電極３５を介して火花放電を生じさせることで、ガスバーナ６の点火を行う。
【００２７】
操作ユニット２０に備えられた調理タイマエンコーダ２４、調理モード選択スイッチ２５、及び温度設定スイッチ２６は、手動調理を行うときに操作されるものである。手動調理を行うときには、使用者は、調理タイマエンコーダ２４により調理時間を設定し、調理モード選択スイッチ２５により上述した高周波加熱調理、熱風加熱調理、及び複合加熱調理のいずれかを選択し、熱風加熱調理を選択したとき（オーブン調理を行うとき）には温度設定スイッチにより加熱室内の調理温度を設定する。そして、これらの選択、設定を行った後に調理スタートスイッチ２８を操作することで、選択、設定内容に応じた調理が行われる。
【００２８】
なお、操作ユニット２０は表示部３６を有し、表示部３６には、調理タイマエンコーダ２４により設定された調理時間、温度設定スイッチ２６により設定された調理温度等が表示され、調理開始後は調理終了までの残時間等が表示される。
【００２９】
また、調理メニュー選択スイッチ２７は自動調理を行うためのものであり、使用者の操作により、「お菓子」、「ゆでもの」、「解凍」、「あたため」等の調理メニューが選択される。使用者によりいずれかの調理メニューが選択され、調理スタートスイッチ２８が操作されると、制御ユニット２１は、選択された調理メニューに従った自動調理を開始する。
【００３０】
次に、調理メニュー選択スイッチ２７により、「解凍」が選択された場合を例として、制御ユニット２１による自動調理の実行手順について説明する。
【００３１】
使用者が、調理物（冷凍物）４を加熱室２内のターンテーブル３上に置いて扉１５を閉め、調理メニュー選択スイッチ２７により「解凍」を選択して、調理スタートスイッチ２８を操作すると、制御ユニット２１は「解凍」自動調理の実行を開始する。
【００３２】
「解凍」自動調理においては、調理物４に対して、マグネトロン５による高周波加熱のみが行われ、ガスバーナ６による熱風加熱は行われない。そして、「解凍」自動調理は、マグネトロン５による高周波の出力レベルを、３００Ｗ、２００Ｗ、１００Ｗという３段階に変更して実行される。
【００３３】
「解凍」自動調理においては、先ず、制御ユニット２１に備えられた調理シーケンス設定手段４０が、重量センサ１９で検出される調理物４の重量に応じて「解凍」自動調理のトータル実行時間を決定する。そして、調理シーケンス設定手段４０は、該トータル実行時間を所定の比率で３分割して、出力レベル３００Ｗで高周波加熱を行う第１ステージの実行時間、出力レベル２００Ｗで高周波加熱を行う第２ステージの実行時間、及び出力レベル１００Ｗで高周波加熱を行う第３ステージの実行時間を決定する。このようにして、調理シーケンス設定手段４０は、第１ステージ→第２ステージ→第３ステージの順に実行するという調理シーケンスを設定し、目標出力レベル指示手段４１に指示する。
【００３４】
目標出力レベル指示手段４１は、調理シーケンス設定手段４０から指示された調理シーケンスに従って、マグネトロン５による高周波の目標出力レベルを、５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，１００Ｗ，及び０Ｗ（作動停止）の５段階で、高周波出力制御手段４２に指示する。
【００３５】
即ち、第１ステージにおいては目標出力レベルの指示を３００Ｗとし、第２ステージにおいては目標出力レベルの指示を２００Ｗとし、第３ステージにおいては目標出力レベルの指示を１００Ｗとする。そして、第３ステージが終了したときに、目標出力レベルの指示を０Ｗとし、これにより「解凍」自動調理が終了する。
【００３６】
次に、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン５による高周波の出力レベルを、図８（ａ）に示したように、一定の制御周期ＴINT （１５秒）単位で、マグネトロン５を作動させる時間（ＯＮ時間）ＴONを変更することで制御する。即ち、図８（ａ）の▲１▼〜▲４▼に示したように、ＯＮ時間ＴONを１５秒，８．５秒，６秒，３．５秒と減少させることで、制御周期ＴINT における高周波の出力レベルを５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，１００Ｗという４段階に切替える。（尚、マグネトロン５の出力計算においては、マグネトロン５の作動開始から１秒間はマグネトロン５の出力が不安定な状態にあるので含めずに計算する。）
ここで、上述したように、目標出力レベル指示手段４１から高周波出力制御手段４２への、目標出力レベルの指示の変更時期は、調理シーケンスに応じて、「解凍」自動調理の実行が開始された時からの経過時間により決定されるため、図８（ａ）で説明したＯＮ時間（ＴON）中に、目標出力レベルが変更される場合がある。
【００３７】
このように、ＯＮ時間中に目標出力レベルが変更された場合、従来は、図８（ｂ）の▲１▼，▲２▼に示したように、目標出力レベルが変更された制御周期（▲１▼ではＴ1 ，▲２▼ではＴ3 ）の次の制御周期（▲１▼ではＴ2 ，▲２▼ではＴ4 ）で、ＯＮ時間ＴONを、変更後の目標出力レベルに応じて変更していた。
【００３８】
そして、この場合、図８（ｂ）の▲１▼に示したように、目標出力レベルが低下したとき（３００Ｗ→２００Ｗ）は、制御周期Ｔ1 において、目標出力レベルが低下したにも拘わらず、低下前の目標出力レベル（３００Ｗ）に応じたＯＮ時間（８．５秒）が経過するまで、マグネトロン５の作動が継続される。そのため、「解凍」自動調理において必要となる総加熱量よりも、実際に出力される総加熱量が過剰となる場合があった。
【００３９】
また、図８（ｂ）の▲２▼に示したように、目標レベルが上昇したとき（２００Ｗ→３００Ｗ）には、制御周期Ｔ3 において、目標出力レベルが上昇したにも拘わらず、上昇前の目標出力レベル（２００Ｗ）に応じたＯＮ時間（６秒）が経過した時にマグネトロン５の作動が停止される。そのため、「解凍」自動調理において必要となる総加熱量よりも、実際に出力される総加熱量が不足する場合があった。
【００４０】
そこで、高周波出力制御手段４２は、このような総加熱量の過剰や不足が生じることを防止するため、図３〜図６のフローチャートに示した手順で、マグネトロン５による高周波の出力レベルの変更処理を行っている。以下、図３〜図６に示したフローチャートに従って、高周波出力制御手段４２の作動について説明する。
【００４１】
図３は、目標出力レベル指示手段４１から指示される、目標出力レベルを受け取るメインルーチンであり、高周波出力制御手段４２は、ＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４のループを実行し、目標出力レベル指示手段４１からの指示に応じて、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５の作動を制御する。
【００４２】
目標出力レベル指示手段４１から、５５０Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ１からＳＴＥＰ１０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５をＯＮ（作動開始）する。そして、ＳＴＥＰ１１で、目標出力レベルが５５０Ｗである間は、マグネトロン５を継続して作動させ、目標出力レベルが５５０Ｗ以外となったときに、ＳＴＥＰ１２に進んでマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。このＳＴＥＰ１０〜ＳＴＥＰ１２の処理により、図８（ａ）の▲１▼に示したようにマグネトロン５が連続的に作動される。
【００４３】
また、目標出力レベル指示手段４１から、３００Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ２からＳＴＥＰ２０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、ＯＮ時間ＴONを出力レベル３００Ｗに応じた８．５秒に設定し、続くＳＴＥＰ２１で１制御周期分のマグネトロン５の作動制御を行うサブルーチン（以下、１制御周期サブルーチンという）を実行する。該１制御周期サブルーチンの詳細については後述する。
【００４４】
また、目標出力レベル指示手段４１から、２００Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ３からＳＴＥＰ２２に分岐して、高周波出力制御手段４２は、ＯＮ時間ＴONを出力レベル２００Ｗに応じた６．０秒に設定し、続くＳＴＥＰ２３で前記１制御周期サブルーチンを実行する。
【００４５】
また、目標出力レベル指示手段４１から、１００Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ４からＳＴＥＰ２４に分岐して、高周波出力制御手段４２は、ＯＮ時間ＴONを出力レベル１００Ｗに応じた３．５秒に設定し、続くＳＴＥＰ２５で前記１制御周期サブルーチンを実行する。
【００４６】
なお、目標出力レベルの指示が５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，及び１００Ｗのいずれでもない場合、即ち、目標出力レベルの指示が０Ｗであるときは、ＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４が繰り返し実行されるだけで、分岐は行われないので、マグネトロン５は作動されず、停止状態に保たれる。
【００４７】
次に、図４〜図６に示したフローチャートに従って、図３のＳＴＥＰ２１，ＳＴＥＰ２３，及びＳＴＥＰ２５に示した、前記１制御周期サブルーチンの処理について説明する。
【００４８】
１制御周期サブルーチンがコールされると、高周波出力制御手段４２は、図４のＳＴＥＰ３０で、ＯＮ時間を管理するＯＮタイマの設定時間を、図３のＳＴＥＰ２０，ＳＴＥＰ２２，或いはＳＴＥＰ２４で目標出力レベルに応じて設定したＯＮ時間ＴONとし、続くＳＴＥＰ３１で、制御周期を管理するＩＮＴタイマ（設定時間１５秒）をスタートし、ＳＴＥＰ３２で前記ＯＮタイマをスタートする。
【００４９】
そして、次のＳＴＥＰ３３で、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５をＯＮ（作動開始）する。続くＳＴＥＰ３４はＯＮタイマのタイムアップの判断部であり、ＯＮタイマがタイムアップするまで、ＳＴＥＰ３４とＳＴＥＰ４０から成るループが繰り返し実行される。そして、該ループの実行中に、目標出力レベル指示手段４１から指示される目標出力レベルが変更されたときは、ＳＴＥＰ４０から図５のＳＴＥＰ５０に分岐する。一方、目標出力レベルが一定のままＯＮタイマがタイムアップしたときには、ＳＴＥＰ３５に進んで、高周波出力制御手段４２はマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。
【００５０】
そして、高周波出力制御手段４２は、続くＳＴＥＰ３６とＳＴＥＰ４１から成るループを繰り返し実行し、ＳＴＥＰ３６でＩＮＴタイマがタイムアップしたときは、ＳＴＥＰ３７に進んで１制御周期サブルーチンがコールされたＳＴＥＰ（ＳＴＥＰ２１、ＳＴＥＰ２３、ＳＴＥＰ２５のうちのいずれか）の次のＳＴＥＰであるＳＴＥＰ１にリターンする。また、ＳＴＥＰ４１で目標出力レベルが０Ｗとなったとき（自動調理の終了指示があったとき）は、直ちにＳＴＥＰ１にリターンする。
【００５１】
以上説明したＳＴＥＰ３０〜ＳＴＥＰ３６の処理によれば、ＯＮ時間中に目標出力レベルが変更されず、且つ、ＯＦＦ時間中に目標出力レベルが０Ｗに変更されなければ、図８（ａ）の▲２▼〜▲４▼に示したように、目標出力レベルに応じたＯＮ時間ＴONの間マグネトロン５が作動され、ＯＮ時間ＴONが経過した後、制御周期ＴINT が終了するまでのＯＦＦ時間ＴOFF の間マグネトロン５が停止される、１制御周期単位でのマグネトロン５による高周波の出力レベルの制御が実行される。
【００５２】
次に、図４のＳＴＥＰ４０で、目標出力レベル指示手段４１から指示される目標出力レベルが変更された場合の処理について説明する。ＳＴＥＰ４０で目標出力レベルが変更されると、ＳＴＥＰ４０から図５のＳＴＥＰ５０に分岐する。そして、変更後の目標出力レベルが５５０Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５０からＳＴＥＰ３７に分岐してＳＴＥＰ１にリターンする。ＳＴＥＰ１にリターンすると、ＳＴＥＰ１からＳＴＥＰ１０に分岐して、マグネトロン５が連続的に作動されれる。
【００５３】
また、変更後の目標出力レベルが３００Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５１からＳＴＥＰ６０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、比較変数ＴCMに出力レベル３００Ｗに応じたＯＮ時間である８．５秒をセットし、図６のＳＴＥＰ７０に分岐する。
【００５４】
また、変更後の目標出力レベルが２００Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５２からＳＴＥＰ６１に分岐して、高周波出力制御手段４２は、比較変数ＴCMに出力レベル２００Ｗに応じたＯＮ時間である６．０秒をセットし、図６のＳＴＥＰ７０に分岐する。
【００５５】
また、変更後の目標出力レベルが１００Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５３からＳＴＥＰ６２に分岐して、高周波出力制御手段４２は、比較変数ＴCMに出力レベル１００Ｗに応じたＯＮ時間である３．５秒をセットし、図６のＳＴＥＰ７０に分岐する。
【００５６】
また、変更後の目標出力レベルが５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，１００Ｗのいずれでもないとき、即ち０Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５４で、高周波出力制御手段４２はマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）してＳＴＥＰ３７に分岐し、図３のＳＴＥＰ１にリターンする。
【００５７】
図６のＳＴＥＰ７０では、ＯＮタイマの経過時間（本発明の作動継続時間に相当する）と、比較変数ＴCMにセットされた時間（本発明の変化後の目標出力レベルに応じたＯＮ時間に相当する）とが比較される。そして、ＯＮタイマの経過時間が比較変数ＴCMにセットされた時間以上であったときは、ＳＴＥＰ７０からＳＴＥＰ８０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン５を直ちにＯＦＦ（作動停止）し、続くＳＴＥＰ８１でＩＮＴタイマがタイムアップするのを待って、ＳＴＥＰ３７に分岐し、図３のＳＴＥＰ１にリターンする。
【００５８】
図７の▲２▼は、このＳＴＥＰ７０及びＳＴＥＰ８０，８１の処理による効果を示した図であり、制御周期Ｔ22のＯＮ時間中のｔ21で、目標出力レベルが３００Ｗから２００Ｗに低下した例を示している。この場合、ｔ21におけるＯＮタイマの経過時間が、ＴCMにセットされた、低下後の目標出力レベル（２００Ｗ）のＯＮ時間（６．０秒）を越えているので、マグネトロン５が直ちにＯＦＦされる。
【００５９】
そのため、上述した従来の方法により、目標出力レベルが低下した制御周期Ｔ22の次の制御周期Ｔ23でＯＮ時間を変更（８．５秒→６．０秒）した場合に比べて、図中の斜線部分（ｔ22−ｔ21）だけ、マグネトロン５の作動時間が短縮される。即ち、目標出力レベルの変更に応じて、マグネトロン５による高周波の出力レベルが速やかに低下する。
【００６０】
また、ＳＴＥＰ７０で、ＯＮタイマの経過時間（本発明の作動継続時間に相当する）が、比較変数ＴCMにセットされた時間（本発明の低下後の目標出力レベルに応じた時間に相当する）未満であったときには、ＳＴＥＰ７１に進み、高周波出力制御手段４２は、ＯＮタイマの経過時間が比較変数ＴCMにセットされた時間に達するのを待って、ＳＴＥＰ７２でマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。そして、続くＳＴＥＰ７３で、ＩＮＴタイマがタイムアップするのを待ってＳＴＥＰ３７に進み、図１のＳＴＥＰ１にリターンする。
【００６１】
図７の▲１▼，▲３▼は、このＳＴＥＰ７０〜ＳＴＥＰ７３の処理による効果を示した図であり、▲１▼はＯＮ時間中に目標出力レベルが低下（３００Ｗ→２００Ｗ）した場合を示し、▲３▼はＯＮ時間中に目標出力レベルが上昇（２００Ｗ→３００Ｗ）した場合を示している。
【００６２】
図７の▲１▼では、目標出力レベルが低下したｔ11におけるＯＮタイマの経過時間が、低下後の目標出力レベル（２００Ｗ）に応じたＯＮ時間（６．０秒）未満である。そのため、高周波出力制御手段４２は、その後、ＯＮタイマの経過時間が、比較変数ＴCMにセットされた、低下後の目標出力レベル（２００Ｗ）に応じたＯＮ時間（６．０秒）に達したｔ12で、マグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。この場合、上述した従来の方法により、目標出力レベルが低下した制御周期Ｔ12の次の制御周期Ｔ13でＯＮ時間を変更（８．５秒→６．０秒）したときに比べて、図中の斜線部分（ｔ13−ｔ12）だけ、マグネトロン５の作動時間が短縮される。即ち、目標出力レベルの変更に応じて、変更時の制御周期Ｔ12における高周波の出力レベルが速やかに低下する。
【００６３】
また、図７の▲３▼では、目標出力レベルが上昇したｔ31におけるＯＮタイマの経過時間が、比較変数ＴCMにセットされた、上昇後の目標出力レベル（３００Ｗ）に応じたＯＮ時間（８．５秒）未満である。そのため、高周波出力制御手段４２は、その後、ＯＮタイマの経過時間が、上昇後の目標出力レベル（３００Ｗ）に応じたＯＮ時間（８．５秒）に達したｔ32で、マグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。この場合、上述した従来の方法により、目標出力レベルが上昇した制御周期Ｔ32の次の制御周期Ｔ33でＯＮ時間を変更（６．０秒→８．５秒）したときに比べて、図中の斜線部分（ｔ32−ｔ31）だけ、マグネトロン５の作動時間が延長される。即ち、目標レベルの上昇に応じて、上昇時の制御周期Ｔ32における高周波の出力レベルが速やかに上昇する。
【００６４】
以上説明したように、高周波出力制御手段４２は、図６に示した処理を行い、目標出力レベルが変更された制御周期において、マグネトロン５の作動時間を制御することで、目標出力レベルの変更に応じて、高周波の出力レベルを速やかに変更することができる。これにより、「解凍」自動調理において、重量センサ１９により検出された調理物４の重量に応じて決定される必要総加熱量と、実際の総加熱量との差が減少するため、総加熱量の不足や過剰が生じることを防止した精度の良い「解凍」自動調理を行うことができる。
【００６５】
尚、本実施の形態では、自動調理の一例として「解凍」自動調理について説明したが、他の種類の自動調理であっても、高周波出力の変更を伴うものであれば、本発明の効果を得ることができる。
【００６６】
また、本実施の形態では、図６のＳＴＥＰ７０，ＳＴＥＰ８０，ＳＴＥＰ８１によるマグネトロン５の作動時間の短縮処理と、ＳＴＥＰ７０〜ＳＴＥＰ７３によるマグネトロン５の短縮及び延長処理の双方を実行することで、本発明の最良の効果を得ているが、いずれか一方を行うことによっても、本発明の効果を得ることができる。
【００６７】
また、本発明は、本実施の形態に示したように、重量センサ１９により高精度に検出された調理物の重量に応じて、より高精度な調理シーケンスの決定を行う場合に、特に有効であるが、使用者の設定により調理物の重量が設定される場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【００６８】
また、本実施の形態では、高周波加熱と熱風加熱の双方を行う複合調理器を例に説明したが、加熱調理器はこれに限られず、電子レンジやトースターレンジ、オーブンレンジ等の、高周波加熱機能を備えた加熱調理器であれば、本発明の適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】複合調理器の側面の断面図。
【図２】図１に示した複合調理器の制御ブロック図。
【図３】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図４】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図５】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図６】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図７】加熱用高周波の出力レベルの推移状態を示した説明図。
【図８】図１に示した複合調理器及び従来の加熱調理器における加熱用高周波の出力レベルの変更方法を示した説明図。
【符号の説明】
１…複合調理器、２…加熱室、３…ターンテーブル、４…調理物、５…マグネトロン、６…ガスバーナ、８…循環ファン、９…空気通路、１０…排気筒、１１…ターンテーブル台、１２…同期モータ、１４…循環ファンモータ、１５…扉、１６…開閉スイッチ、１７…温度センサ、１８…湿度センサ、１９…重量センサ、２０…操作ユニット、２１…制御ユニット、３２…バーナ作動制御部、４０…調理シーケンス設定手段、４１…目標出力レベル指示手段、４２…高周波出力制御手段
【発明の属する技術の分野】
本発明は、高周波により調理物の加熱を行う加熱調理器に関し、特に高周波の出力レベルの変更を伴った自動調理を行う機能を有する加熱調理器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子レンジや、電子レンジとガス加熱オーブンを組合せた複合加熱調理器のように、高周波による調理物の加熱を行う加熱調理器において、調理内容に応じた種々の調理シーケンスが予め設定され、該調理シーケンスに従って自動調理を行う機能を有するものが知られている。
【０００３】
例えば、解凍調理を行う調理シーケンスにおいては、解凍開始前に、重量設定スイッチや重量検出センサによって、加熱調理器の加熱室内に載置された冷凍物の重量が認識され、該冷凍物の重量に応じて解凍調理において必要となる総加熱量が決定される。
【０００４】
そして、解凍調理においては、高周波の出力レベルは一定ではなく、解凍が進むにつれて徐々に減少するように制御される。ここで、高周波の出力レベルの変更は、一般に、図８（ａ）に示したように、制御周期ＴINT における高周波の発生時間（ＯＮ時間）ＴONを変更して、制御周期ＴINT での高周波の総出力量を変更することで行われている。
【０００５】
また、高周波の出力レベルの変更時期は、解凍調理開始からの経過時間に応じて決定される。そして、従来、高周波の出力レベルの変更処理は、図８（ｂ）の▲１▼，▲２▼に示したように、出力レベルの変更指示があった時（▲１▼のｔ1 ，▲２▼のｔ2 ）の制御周期（▲１▼のＴ1 ，▲２▼のＴ3 ）が終了してから、変更後の出力レベルの指示に応じてＯＮ時間ＴONを変更することで行っていた。
【０００６】
しかし、本願発明者らは、図８（ｂ）に示した処理方法で高周波の出力レベルの変更を行ったときには、解凍調理等の自動調理において設定した総加熱量よりも実際の総加熱量が大きくなって調理物に対する加熱が過剰となる場合や、逆に自動調理において設定した総加熱量よりも実際の総加熱量が小さくなって調理物に対する加熱が不足する場合が生じ得ることを知見した。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記背景を鑑みてなされたものであり、調理物に対する総加熱量の過剰及び不足が生じることを防止した加熱調理器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、調理物を収容する加熱室と、該加熱室に導入される加熱用高周波を発生する高周波発生手段と、該高周波発生手段の作動を所定の制御周期単位で制御し、該制御周期の開始時点から所定のＯＮ時間の間は前記高周波発生手段を作動状態とし、該ＯＮ時間の経過終了時点から該制御周期の終了までの時間であるＯＦＦ時間の間は前記高周波発生手段を停止状態として、所定の目標出力レベルに応じて該ＯＮ時間を変更することで前記高周波発生手段の出力レベルを制御する高周波出力制御手段と、所定の調理シーケンスに従って、該高周波出力制御手段に対して前記目標出力レベルを指示する目標出力レベル指示手段とを備えた加熱調理器の改良に関する。
【０００９】
従来の前記加熱調理器においては、前記高周波出力制御手段は、前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが変化した場合、該変化時の制御周期が終了してから、前記ＯＮ時間を変化後の前記目標出力レベルに応じて変更していた。しかし、このような従来の変更方法による場合は、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベルが低下したときに、前記目標出力レベルが低下したにも拘わらず、低下する前の目標出力レベルに応じたＯＮ時間が経過するまで前記高周波発生手段の作動が継続される。そのため、前記高周波発生手段の出力が直ちに減少せず調理物に対する総加熱量が過剰となるという不都合が生じる。
【００１０】
また、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベルが上昇したときには、前記目標出力レベルが増加したにも拘わらず、増加する前の目標出力レベルに応じたＯＮ時間が経過した時に前記高周波発生手段の作動が停止され、その時の制御周期が経過するまでは前記高周波発生手段は停止状態となる。そのため、前記高周波発生手段の出力が直ちに増加せず調理物に対する総加熱量が不足するという不都合が生じる。
【００１１】
そこで、かかる不都合が生じることを防止するため、本発明の第１の実施の態様は、前記高周波出力制御手段が、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが変化し、且つ、該変化時の制御周期における該変化時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が変化後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間未満であるときに、該変化時の制御周期における前記高周波発生手段の作動継続時間が変化後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間に達するのを待って前記高周波発生手段の作動を停止し、該停止後前記制御周期単位の時間から変化後の目標レベルにおける前記ＯＮ時間を引いた時間が経過した時から、変更後の目標出力レベルに応じた前記高周波出力手段の出力レベルの制御を開始することを特徴とする。
【００１２】
かかる本発明によれば、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが低下した場合に、該低下時までの前記作動継続時間が該低下後の前記目標出力レベルに応じた前記ＯＮ時間未満であるときは、該ＯＮ時間が経過した時に前記高周波発生手段の作動が停止される。これにより、前記高周波出力レベルの低下に応じて、前記高周波出力手段の出力レベルが速やかに低下し、調理物に対する総加熱量が過剰となることを防止することができる。
【００１３】
また、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが増加した場合に、該変化時までの前記作動継続時間が該変化後の前記目標出力レベルに応じた前記ＯＮ時間未満であるときには、該ＯＮ時間が経過するまで前記高周波発生手段の作動時間が延長される。これにより、前記高周波出力レベルの上昇に応じて、前記高周波出力手段の出力レベルが速やかに上昇し、調理物に対する総加熱量が不足することを防止することができる。
【００１４】
また、上述した従来の高周波の出力レベルの変更方法による場合は、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベルが低下したときに、該目標出力レベルの低下時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が、既に低下後の目標出力レベルに応じたＯＮ時間を越えていた場合であっても、低下する前の目標出力レベルに応じたＯＮ時間が経過するまで前記高周波発生手段の作動が継続される。そのため、前記高周波発生手段の出力が直ちに減少せず調理物に対する加熱が過剰となるという不都合が生じる。
【００１５】
そこで、かかる不都合が生じることを防止するため、本発明の第２の実施の態様は、前記高周波出力制御手段が、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが低下し、且つ、該低下時の制御周期における該低下時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が低下後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間以上であるときに、直ちに前記高周波発生手段の作動を停止し、該停止後前記制御周期単位の時間から該作動継続時間を引いた時間が経過した時から、低下後の目標出力レベルに応じた前記高周波出力手段の出力レベルの制御を開始することを特徴とする。
【００１６】
かかる本発明によれば、前記ＯＮ時間中に、前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが低下したときに、該低下時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が該低下後の目標出力レベルに応じたＯＮ時間を超えていたときは、前記高周波発生手段の作動が直ちに停止される。これにより、前記目標出力レベルの低下に応じて、前記高周波出力手段の出力レベルが速やかに低下し、調理物に対する総加熱量が過剰となることを防止することができる。
【００１７】
また、前記加熱室内に載置された調理物の重量を検出する重量検出手段を備え、前記調理シーケンスは、該重量検出手段により検出された調理物の重量に応じて決定されることを特徴とする。
【００１８】
前記重量検出手段によれば、調理物の重量を精度良く検出することができるため、検出された重量に応じて決定される前記調理シーケンスにおける調理物に対する総加熱量や前記高周波発生手段の出力レベルの変更時期等の設定も、より詳細に行われる。そこで、上述した本発明の第１、及び第２の実施の態様の方法により、前記高周波発生手段の出力レベルの変更を行うことで、前記調理シーケンスに従い、前記重量検出手段の検出精度に応じて、調理物に対する総加熱量を精度良く制御することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例を、図１〜図８を参照して説明する。図１は本発明の加熱調理器である複合調理器の側面の断面図、図２は図１に示した複合調理器の制御ブロック図、図３〜図６は図１に示した複合調理器における加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート、図７は図１に示した複合調理器の加熱用高周波の出力レベルの推移状態を示した説明図、図８は図１に示した複合調理器及び従来の加熱調理器における加熱用高周波の出力レベルの変更方法を示した説明図である。
【００２０】
図１を参照して、本発明の複合調理器１は、加熱室２内のターンテーブル３上に載置された調理物４を加熱調理するものであり、加熱源として、加熱用高周波を発生するマグネトロン５（本発明の高周波発生手段に相当する）と、熱風を発生するためのガスバーナ６とを備える。そして、複合調理器１は、マグネトロン５を単独作動させる高周波加熱調理、ガスバーナ６を単独作動させる熱風加熱調理、及びマグネトロン５とガスバーナ６の双方を作動させる複合加熱調理を行う。
【００２１】
ガスバーナ６には、ガス供給管（図示しない）を介して燃料ガスが供給され、また、循環ファン８により引き込まれた燃焼用空気が供給される。そして、ガスバーナ６の燃焼によって加熱された空気が空気通路９を通って循環ファン８により吸引され、熱風が加熱室２に送られる。また、ガスバーナ６の燃焼排気は、排気筒１０を介して排出される。
【００２２】
また、ターンテーブル３は、ターンテーブル台１１を介して同期モータ１２により回転駆動され、循環ファン８は循環ファンモータ１４により回転駆動される。
【００２３】
さらに、複合調理器１は、扉１５の開閉状態を検出する開閉スイッチ１６と、加熱室２内の温度（熱風加熱調理及び複合加熱調理における加熱室２内の温度制御に用いられる）を検出する温度センサ１７と、調理物４から放出される水蒸気のレベル（調理物４の加熱度合いを判断するために用いられる）を検出する湿度センサ１８と、ターンテーブル３に置かれた調理物４の重量を検出する重量センサ１９と、使用者により調理条件の設定や調理の開始／停止等が指示される操作ユニット２０とを備える。そして、複合調理器１の作動は、制御ユニット２１により制御される。
【００２４】
次に、図２を参照して、制御ユニット２１はＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ等から成る電子ユニットであり、電源回路２２からの供給電力により作動する。そして、制御ユニット２１は、操作ユニット２０に備えられた調理タイマエンコーダ２４、調理モード選択スイッチ２５、温度設定スイッチ２６、調理メニュー選択スイッチ２７、調理スタートスイッチ２８、及び取消しスイッチ２９の操作に応じて、同期モータ１２によるターンテーブル３（図１参照）の作動制御、マグネトロン駆動回路２３によるマグネトロン５の作動制御、そして熱風加熱を行うための循環ファンモータ１４、バーナ作動制御部３１、及びイグナイタ３２の制御を行う。
【００２５】
また、制御ユニット２１は、操作ユニット２０からの指示に応じて、自動調理の調理シーケンスを決定する調理シーケンス設定手段４０と、該調理シーケンスに従ってマグネトロン５による高周波の出力レベル（目標出力レベル）の指示を行う目標出力レベル指示手段４１と、目標出力レベル指示手段４１からの目標出力レベルの指示に応じて、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５の作動を制御し、マグネトロン５から出力される高周波の出力レベルを制御する高周波出力制御手段４２とを備える。
【００２６】
バーナ作動制御部３１は、ガスガバナ３７と複数の電磁弁３３とこれらの電磁弁３３を駆動するソレノイド３４とからなり、ガスバーナ６に供給する燃料ガスの流量を調節する。また、イグナイタ３２はスパーク電極３５を介して火花放電を生じさせることで、ガスバーナ６の点火を行う。
【００２７】
操作ユニット２０に備えられた調理タイマエンコーダ２４、調理モード選択スイッチ２５、及び温度設定スイッチ２６は、手動調理を行うときに操作されるものである。手動調理を行うときには、使用者は、調理タイマエンコーダ２４により調理時間を設定し、調理モード選択スイッチ２５により上述した高周波加熱調理、熱風加熱調理、及び複合加熱調理のいずれかを選択し、熱風加熱調理を選択したとき（オーブン調理を行うとき）には温度設定スイッチにより加熱室内の調理温度を設定する。そして、これらの選択、設定を行った後に調理スタートスイッチ２８を操作することで、選択、設定内容に応じた調理が行われる。
【００２８】
なお、操作ユニット２０は表示部３６を有し、表示部３６には、調理タイマエンコーダ２４により設定された調理時間、温度設定スイッチ２６により設定された調理温度等が表示され、調理開始後は調理終了までの残時間等が表示される。
【００２９】
また、調理メニュー選択スイッチ２７は自動調理を行うためのものであり、使用者の操作により、「お菓子」、「ゆでもの」、「解凍」、「あたため」等の調理メニューが選択される。使用者によりいずれかの調理メニューが選択され、調理スタートスイッチ２８が操作されると、制御ユニット２１は、選択された調理メニューに従った自動調理を開始する。
【００３０】
次に、調理メニュー選択スイッチ２７により、「解凍」が選択された場合を例として、制御ユニット２１による自動調理の実行手順について説明する。
【００３１】
使用者が、調理物（冷凍物）４を加熱室２内のターンテーブル３上に置いて扉１５を閉め、調理メニュー選択スイッチ２７により「解凍」を選択して、調理スタートスイッチ２８を操作すると、制御ユニット２１は「解凍」自動調理の実行を開始する。
【００３２】
「解凍」自動調理においては、調理物４に対して、マグネトロン５による高周波加熱のみが行われ、ガスバーナ６による熱風加熱は行われない。そして、「解凍」自動調理は、マグネトロン５による高周波の出力レベルを、３００Ｗ、２００Ｗ、１００Ｗという３段階に変更して実行される。
【００３３】
「解凍」自動調理においては、先ず、制御ユニット２１に備えられた調理シーケンス設定手段４０が、重量センサ１９で検出される調理物４の重量に応じて「解凍」自動調理のトータル実行時間を決定する。そして、調理シーケンス設定手段４０は、該トータル実行時間を所定の比率で３分割して、出力レベル３００Ｗで高周波加熱を行う第１ステージの実行時間、出力レベル２００Ｗで高周波加熱を行う第２ステージの実行時間、及び出力レベル１００Ｗで高周波加熱を行う第３ステージの実行時間を決定する。このようにして、調理シーケンス設定手段４０は、第１ステージ→第２ステージ→第３ステージの順に実行するという調理シーケンスを設定し、目標出力レベル指示手段４１に指示する。
【００３４】
目標出力レベル指示手段４１は、調理シーケンス設定手段４０から指示された調理シーケンスに従って、マグネトロン５による高周波の目標出力レベルを、５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，１００Ｗ，及び０Ｗ（作動停止）の５段階で、高周波出力制御手段４２に指示する。
【００３５】
即ち、第１ステージにおいては目標出力レベルの指示を３００Ｗとし、第２ステージにおいては目標出力レベルの指示を２００Ｗとし、第３ステージにおいては目標出力レベルの指示を１００Ｗとする。そして、第３ステージが終了したときに、目標出力レベルの指示を０Ｗとし、これにより「解凍」自動調理が終了する。
【００３６】
次に、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン５による高周波の出力レベルを、図８（ａ）に示したように、一定の制御周期ＴINT （１５秒）単位で、マグネトロン５を作動させる時間（ＯＮ時間）ＴONを変更することで制御する。即ち、図８（ａ）の▲１▼〜▲４▼に示したように、ＯＮ時間ＴONを１５秒，８．５秒，６秒，３．５秒と減少させることで、制御周期ＴINT における高周波の出力レベルを５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，１００Ｗという４段階に切替える。（尚、マグネトロン５の出力計算においては、マグネトロン５の作動開始から１秒間はマグネトロン５の出力が不安定な状態にあるので含めずに計算する。）
ここで、上述したように、目標出力レベル指示手段４１から高周波出力制御手段４２への、目標出力レベルの指示の変更時期は、調理シーケンスに応じて、「解凍」自動調理の実行が開始された時からの経過時間により決定されるため、図８（ａ）で説明したＯＮ時間（ＴON）中に、目標出力レベルが変更される場合がある。
【００３７】
このように、ＯＮ時間中に目標出力レベルが変更された場合、従来は、図８（ｂ）の▲１▼，▲２▼に示したように、目標出力レベルが変更された制御周期（▲１▼ではＴ1 ，▲２▼ではＴ3 ）の次の制御周期（▲１▼ではＴ2 ，▲２▼ではＴ4 ）で、ＯＮ時間ＴONを、変更後の目標出力レベルに応じて変更していた。
【００３８】
そして、この場合、図８（ｂ）の▲１▼に示したように、目標出力レベルが低下したとき（３００Ｗ→２００Ｗ）は、制御周期Ｔ1 において、目標出力レベルが低下したにも拘わらず、低下前の目標出力レベル（３００Ｗ）に応じたＯＮ時間（８．５秒）が経過するまで、マグネトロン５の作動が継続される。そのため、「解凍」自動調理において必要となる総加熱量よりも、実際に出力される総加熱量が過剰となる場合があった。
【００３９】
また、図８（ｂ）の▲２▼に示したように、目標レベルが上昇したとき（２００Ｗ→３００Ｗ）には、制御周期Ｔ3 において、目標出力レベルが上昇したにも拘わらず、上昇前の目標出力レベル（２００Ｗ）に応じたＯＮ時間（６秒）が経過した時にマグネトロン５の作動が停止される。そのため、「解凍」自動調理において必要となる総加熱量よりも、実際に出力される総加熱量が不足する場合があった。
【００４０】
そこで、高周波出力制御手段４２は、このような総加熱量の過剰や不足が生じることを防止するため、図３〜図６のフローチャートに示した手順で、マグネトロン５による高周波の出力レベルの変更処理を行っている。以下、図３〜図６に示したフローチャートに従って、高周波出力制御手段４２の作動について説明する。
【００４１】
図３は、目標出力レベル指示手段４１から指示される、目標出力レベルを受け取るメインルーチンであり、高周波出力制御手段４２は、ＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４のループを実行し、目標出力レベル指示手段４１からの指示に応じて、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５の作動を制御する。
【００４２】
目標出力レベル指示手段４１から、５５０Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ１からＳＴＥＰ１０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５をＯＮ（作動開始）する。そして、ＳＴＥＰ１１で、目標出力レベルが５５０Ｗである間は、マグネトロン５を継続して作動させ、目標出力レベルが５５０Ｗ以外となったときに、ＳＴＥＰ１２に進んでマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。このＳＴＥＰ１０〜ＳＴＥＰ１２の処理により、図８（ａ）の▲１▼に示したようにマグネトロン５が連続的に作動される。
【００４３】
また、目標出力レベル指示手段４１から、３００Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ２からＳＴＥＰ２０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、ＯＮ時間ＴONを出力レベル３００Ｗに応じた８．５秒に設定し、続くＳＴＥＰ２１で１制御周期分のマグネトロン５の作動制御を行うサブルーチン（以下、１制御周期サブルーチンという）を実行する。該１制御周期サブルーチンの詳細については後述する。
【００４４】
また、目標出力レベル指示手段４１から、２００Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ３からＳＴＥＰ２２に分岐して、高周波出力制御手段４２は、ＯＮ時間ＴONを出力レベル２００Ｗに応じた６．０秒に設定し、続くＳＴＥＰ２３で前記１制御周期サブルーチンを実行する。
【００４５】
また、目標出力レベル指示手段４１から、１００Ｗの目標出力レベルの指示があったときは、ＳＴＥＰ４からＳＴＥＰ２４に分岐して、高周波出力制御手段４２は、ＯＮ時間ＴONを出力レベル１００Ｗに応じた３．５秒に設定し、続くＳＴＥＰ２５で前記１制御周期サブルーチンを実行する。
【００４６】
なお、目標出力レベルの指示が５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，及び１００Ｗのいずれでもない場合、即ち、目標出力レベルの指示が０Ｗであるときは、ＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４が繰り返し実行されるだけで、分岐は行われないので、マグネトロン５は作動されず、停止状態に保たれる。
【００４７】
次に、図４〜図６に示したフローチャートに従って、図３のＳＴＥＰ２１，ＳＴＥＰ２３，及びＳＴＥＰ２５に示した、前記１制御周期サブルーチンの処理について説明する。
【００４８】
１制御周期サブルーチンがコールされると、高周波出力制御手段４２は、図４のＳＴＥＰ３０で、ＯＮ時間を管理するＯＮタイマの設定時間を、図３のＳＴＥＰ２０，ＳＴＥＰ２２，或いはＳＴＥＰ２４で目標出力レベルに応じて設定したＯＮ時間ＴONとし、続くＳＴＥＰ３１で、制御周期を管理するＩＮＴタイマ（設定時間１５秒）をスタートし、ＳＴＥＰ３２で前記ＯＮタイマをスタートする。
【００４９】
そして、次のＳＴＥＰ３３で、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン駆動回路２３を介してマグネトロン５をＯＮ（作動開始）する。続くＳＴＥＰ３４はＯＮタイマのタイムアップの判断部であり、ＯＮタイマがタイムアップするまで、ＳＴＥＰ３４とＳＴＥＰ４０から成るループが繰り返し実行される。そして、該ループの実行中に、目標出力レベル指示手段４１から指示される目標出力レベルが変更されたときは、ＳＴＥＰ４０から図５のＳＴＥＰ５０に分岐する。一方、目標出力レベルが一定のままＯＮタイマがタイムアップしたときには、ＳＴＥＰ３５に進んで、高周波出力制御手段４２はマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。
【００５０】
そして、高周波出力制御手段４２は、続くＳＴＥＰ３６とＳＴＥＰ４１から成るループを繰り返し実行し、ＳＴＥＰ３６でＩＮＴタイマがタイムアップしたときは、ＳＴＥＰ３７に進んで１制御周期サブルーチンがコールされたＳＴＥＰ（ＳＴＥＰ２１、ＳＴＥＰ２３、ＳＴＥＰ２５のうちのいずれか）の次のＳＴＥＰであるＳＴＥＰ１にリターンする。また、ＳＴＥＰ４１で目標出力レベルが０Ｗとなったとき（自動調理の終了指示があったとき）は、直ちにＳＴＥＰ１にリターンする。
【００５１】
以上説明したＳＴＥＰ３０〜ＳＴＥＰ３６の処理によれば、ＯＮ時間中に目標出力レベルが変更されず、且つ、ＯＦＦ時間中に目標出力レベルが０Ｗに変更されなければ、図８（ａ）の▲２▼〜▲４▼に示したように、目標出力レベルに応じたＯＮ時間ＴONの間マグネトロン５が作動され、ＯＮ時間ＴONが経過した後、制御周期ＴINT が終了するまでのＯＦＦ時間ＴOFF の間マグネトロン５が停止される、１制御周期単位でのマグネトロン５による高周波の出力レベルの制御が実行される。
【００５２】
次に、図４のＳＴＥＰ４０で、目標出力レベル指示手段４１から指示される目標出力レベルが変更された場合の処理について説明する。ＳＴＥＰ４０で目標出力レベルが変更されると、ＳＴＥＰ４０から図５のＳＴＥＰ５０に分岐する。そして、変更後の目標出力レベルが５５０Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５０からＳＴＥＰ３７に分岐してＳＴＥＰ１にリターンする。ＳＴＥＰ１にリターンすると、ＳＴＥＰ１からＳＴＥＰ１０に分岐して、マグネトロン５が連続的に作動されれる。
【００５３】
また、変更後の目標出力レベルが３００Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５１からＳＴＥＰ６０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、比較変数ＴCMに出力レベル３００Ｗに応じたＯＮ時間である８．５秒をセットし、図６のＳＴＥＰ７０に分岐する。
【００５４】
また、変更後の目標出力レベルが２００Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５２からＳＴＥＰ６１に分岐して、高周波出力制御手段４２は、比較変数ＴCMに出力レベル２００Ｗに応じたＯＮ時間である６．０秒をセットし、図６のＳＴＥＰ７０に分岐する。
【００５５】
また、変更後の目標出力レベルが１００Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５３からＳＴＥＰ６２に分岐して、高周波出力制御手段４２は、比較変数ＴCMに出力レベル１００Ｗに応じたＯＮ時間である３．５秒をセットし、図６のＳＴＥＰ７０に分岐する。
【００５６】
また、変更後の目標出力レベルが５５０Ｗ，３００Ｗ，２００Ｗ，１００Ｗのいずれでもないとき、即ち０Ｗであったときは、ＳＴＥＰ５４で、高周波出力制御手段４２はマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）してＳＴＥＰ３７に分岐し、図３のＳＴＥＰ１にリターンする。
【００５７】
図６のＳＴＥＰ７０では、ＯＮタイマの経過時間（本発明の作動継続時間に相当する）と、比較変数ＴCMにセットされた時間（本発明の変化後の目標出力レベルに応じたＯＮ時間に相当する）とが比較される。そして、ＯＮタイマの経過時間が比較変数ＴCMにセットされた時間以上であったときは、ＳＴＥＰ７０からＳＴＥＰ８０に分岐して、高周波出力制御手段４２は、マグネトロン５を直ちにＯＦＦ（作動停止）し、続くＳＴＥＰ８１でＩＮＴタイマがタイムアップするのを待って、ＳＴＥＰ３７に分岐し、図３のＳＴＥＰ１にリターンする。
【００５８】
図７の▲２▼は、このＳＴＥＰ７０及びＳＴＥＰ８０，８１の処理による効果を示した図であり、制御周期Ｔ22のＯＮ時間中のｔ21で、目標出力レベルが３００Ｗから２００Ｗに低下した例を示している。この場合、ｔ21におけるＯＮタイマの経過時間が、ＴCMにセットされた、低下後の目標出力レベル（２００Ｗ）のＯＮ時間（６．０秒）を越えているので、マグネトロン５が直ちにＯＦＦされる。
【００５９】
そのため、上述した従来の方法により、目標出力レベルが低下した制御周期Ｔ22の次の制御周期Ｔ23でＯＮ時間を変更（８．５秒→６．０秒）した場合に比べて、図中の斜線部分（ｔ22−ｔ21）だけ、マグネトロン５の作動時間が短縮される。即ち、目標出力レベルの変更に応じて、マグネトロン５による高周波の出力レベルが速やかに低下する。
【００６０】
また、ＳＴＥＰ７０で、ＯＮタイマの経過時間（本発明の作動継続時間に相当する）が、比較変数ＴCMにセットされた時間（本発明の低下後の目標出力レベルに応じた時間に相当する）未満であったときには、ＳＴＥＰ７１に進み、高周波出力制御手段４２は、ＯＮタイマの経過時間が比較変数ＴCMにセットされた時間に達するのを待って、ＳＴＥＰ７２でマグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。そして、続くＳＴＥＰ７３で、ＩＮＴタイマがタイムアップするのを待ってＳＴＥＰ３７に進み、図１のＳＴＥＰ１にリターンする。
【００６１】
図７の▲１▼，▲３▼は、このＳＴＥＰ７０〜ＳＴＥＰ７３の処理による効果を示した図であり、▲１▼はＯＮ時間中に目標出力レベルが低下（３００Ｗ→２００Ｗ）した場合を示し、▲３▼はＯＮ時間中に目標出力レベルが上昇（２００Ｗ→３００Ｗ）した場合を示している。
【００６２】
図７の▲１▼では、目標出力レベルが低下したｔ11におけるＯＮタイマの経過時間が、低下後の目標出力レベル（２００Ｗ）に応じたＯＮ時間（６．０秒）未満である。そのため、高周波出力制御手段４２は、その後、ＯＮタイマの経過時間が、比較変数ＴCMにセットされた、低下後の目標出力レベル（２００Ｗ）に応じたＯＮ時間（６．０秒）に達したｔ12で、マグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。この場合、上述した従来の方法により、目標出力レベルが低下した制御周期Ｔ12の次の制御周期Ｔ13でＯＮ時間を変更（８．５秒→６．０秒）したときに比べて、図中の斜線部分（ｔ13−ｔ12）だけ、マグネトロン５の作動時間が短縮される。即ち、目標出力レベルの変更に応じて、変更時の制御周期Ｔ12における高周波の出力レベルが速やかに低下する。
【００６３】
また、図７の▲３▼では、目標出力レベルが上昇したｔ31におけるＯＮタイマの経過時間が、比較変数ＴCMにセットされた、上昇後の目標出力レベル（３００Ｗ）に応じたＯＮ時間（８．５秒）未満である。そのため、高周波出力制御手段４２は、その後、ＯＮタイマの経過時間が、上昇後の目標出力レベル（３００Ｗ）に応じたＯＮ時間（８．５秒）に達したｔ32で、マグネトロン５をＯＦＦ（作動停止）する。この場合、上述した従来の方法により、目標出力レベルが上昇した制御周期Ｔ32の次の制御周期Ｔ33でＯＮ時間を変更（６．０秒→８．５秒）したときに比べて、図中の斜線部分（ｔ32−ｔ31）だけ、マグネトロン５の作動時間が延長される。即ち、目標レベルの上昇に応じて、上昇時の制御周期Ｔ32における高周波の出力レベルが速やかに上昇する。
【００６４】
以上説明したように、高周波出力制御手段４２は、図６に示した処理を行い、目標出力レベルが変更された制御周期において、マグネトロン５の作動時間を制御することで、目標出力レベルの変更に応じて、高周波の出力レベルを速やかに変更することができる。これにより、「解凍」自動調理において、重量センサ１９により検出された調理物４の重量に応じて決定される必要総加熱量と、実際の総加熱量との差が減少するため、総加熱量の不足や過剰が生じることを防止した精度の良い「解凍」自動調理を行うことができる。
【００６５】
尚、本実施の形態では、自動調理の一例として「解凍」自動調理について説明したが、他の種類の自動調理であっても、高周波出力の変更を伴うものであれば、本発明の効果を得ることができる。
【００６６】
また、本実施の形態では、図６のＳＴＥＰ７０，ＳＴＥＰ８０，ＳＴＥＰ８１によるマグネトロン５の作動時間の短縮処理と、ＳＴＥＰ７０〜ＳＴＥＰ７３によるマグネトロン５の短縮及び延長処理の双方を実行することで、本発明の最良の効果を得ているが、いずれか一方を行うことによっても、本発明の効果を得ることができる。
【００６７】
また、本発明は、本実施の形態に示したように、重量センサ１９により高精度に検出された調理物の重量に応じて、より高精度な調理シーケンスの決定を行う場合に、特に有効であるが、使用者の設定により調理物の重量が設定される場合であっても、本発明の効果を得ることができる。
【００６８】
また、本実施の形態では、高周波加熱と熱風加熱の双方を行う複合調理器を例に説明したが、加熱調理器はこれに限られず、電子レンジやトースターレンジ、オーブンレンジ等の、高周波加熱機能を備えた加熱調理器であれば、本発明の適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】複合調理器の側面の断面図。
【図２】図１に示した複合調理器の制御ブロック図。
【図３】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図４】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図５】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図６】加熱用高周波の出力レベルの制御フローチャート。
【図７】加熱用高周波の出力レベルの推移状態を示した説明図。
【図８】図１に示した複合調理器及び従来の加熱調理器における加熱用高周波の出力レベルの変更方法を示した説明図。
【符号の説明】
１…複合調理器、２…加熱室、３…ターンテーブル、４…調理物、５…マグネトロン、６…ガスバーナ、８…循環ファン、９…空気通路、１０…排気筒、１１…ターンテーブル台、１２…同期モータ、１４…循環ファンモータ、１５…扉、１６…開閉スイッチ、１７…温度センサ、１８…湿度センサ、１９…重量センサ、２０…操作ユニット、２１…制御ユニット、３２…バーナ作動制御部、４０…調理シーケンス設定手段、４１…目標出力レベル指示手段、４２…高周波出力制御手段
Claims (3)
- 調理物を収容する加熱室と、該加熱室に導入される加熱用高周波を発生する高周波発生手段と、該高周波発生手段の作動を所定の制御周期単位で制御し、該制御周期の開始時点から所定のＯＮ時間の間は前記高周波発生手段を作動状態とし、該ＯＮ時間の経過終了時点から該制御周期の終了までの時間であるＯＦＦ時間の間は前記高周波発生手段を停止状態として、所定の目標出力レベルに応じて該ＯＮ時間を変更することで前記高周波発生手段の出力レベルを制御する高周波出力制御手段と、所定の調理シーケンスに従って、該高周波出力制御手段に対して前記目標出力レベルを指示する目標出力レベル指示手段とを備えた加熱調理器において、
前記高周波出力制御手段は、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが変化し、且つ、該変化時の制御周期における該変化時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が変化後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間未満であるときに、該変化時の制御周期における前記高周波発生手段の作動継続時間が変化後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間に達するのを待って前記高周波発生手段の作動を停止し、該停止後前記制御周期単位の時間から変化後の目標レベルにおける前記ＯＮ時間を引いた時間が経過した時から、変更後の目標出力レベルに応じた前記高周波出力手段の出力レベルの制御を開始することを特徴とする加熱調理器。 - 調理物を収容する加熱室と、該加熱室に導入される加熱用高周波を発生する高周波発生手段と、該高周波発生手段の作動を所定の制御周期単位で制御し、該制御周期の開始時点から所定のＯＮ時間の間は前記高周波発生手段を作動状態とし、該ＯＮ時間の経過終了時点から該制御周期の終了までの時間であるＯＦＦ時間の間は前記高周波発生手段を停止状態として、所定の目標出力レベルに応じて該ＯＮ時間を変更することで前記高周波発生手段の出力レベルを制御する高周波出力制御手段と、所定の調理シーケンスに従って、該高周波出力制御手段に対して前記目標出力レベルを指示する目標出力レベル指示手段とを備えた加熱調理器において、
前記高周波出力制御手段は、前記ＯＮ時間中に前記目標出力レベル指示手段から指示される前記目標出力レベルが低下し、且つ、該低下時の制御周期における該低下時までの前記高周波発生手段の作動継続時間が低下後の目標出力レベルにおける前記ＯＮ時間以上であるときに、直ちに前記高周波発生手段の作動を停止し、該停止後前記制御周期単位の時間から該作動継続時間を引いた時間が経過した時から、低下後の目標出力レベルに応じた前記高周波出力手段の出力レベルの制御を開始することを特徴とする加熱調理器。 - 前記加熱室内に載置された調理物の重量を検出する重量検出手段を備え、前記調理シーケンスは、該重量検出手段により検出された調理物の重量に応じて決定されることを特徴とする請求項１又は２記載の加熱調理器。
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