JP3645226B2 - 研磨方法および研磨残りの検出方法 - Google Patents
研磨方法および研磨残りの検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3645226B2 JP3645226B2 JP2002064799A JP2002064799A JP3645226B2 JP 3645226 B2 JP3645226 B2 JP 3645226B2 JP 2002064799 A JP2002064799 A JP 2002064799A JP 2002064799 A JP2002064799 A JP 2002064799A JP 3645226 B2 JP3645226 B2 JP 3645226B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- reflectance
- film
- insulating film
- residue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にCuダマシン配線形成時の金属膜の研磨残りの検出および追加研磨に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程において、素子の高速化を図るために、Cuダマシン配線についての検討がされている。これは、従来の配線では、配線抵抗が大きい為、配線のRC遅延を招いていたこと、またこの配線抵抗がトランジスタの動作速度に大きな影響を与えることによる。
【0003】
以下、従来の半導体装置の製造方法、詳細には従来のCuダマシン配線の形成方法について説明する。
図6は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
先ず、図6(a)に示すように、基板31上に第1絶縁膜32を形成し、この第1絶縁膜32内に配線溝を形成する。次に、基板31全面にCuの拡散を防止するための例えばTaからなるバリアメタル膜(以下、「Taバリアメタル膜」という。)33を形成し、このTaバリアメタル膜33上にCu膜34を形成する。
【0004】
次に、図6(b)に示すように、研磨装置において化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、不要なCu膜34及び不要なTaバリアメタル膜33を除去する。ここで、Cu膜34は第1絶縁膜32よりもやわらかいため、配線幅が広いCuダマシン配線35の表面が過剰に研磨され、ディッシング35aと呼ばれる凹部が形成される場合がある(図6(b)参照)。
【0005】
そして、図6(c)に示すように、基板全面に、第2絶縁膜36を形成する。ここで、第2絶縁膜36の表面には、下層のCuダマシン配線35表面に形成されたディッシング35aに対応する凹部36aが形成される。
【0006】
次に、図6(d)に示すように、第2絶縁膜36内に配線溝37を形成する。そして、図6(e)に示すように、基板全面に、Taバリアメタル膜38を形成し、このTaバリアメタル膜38上にCu膜39を形成する。
次に、図6(f)に示すように、研磨装置においてCMP法を用いて、不要なCu膜39及びTaバリアメタル膜38を除去する。
【0007】
その後、上記図6(c)から図6(f)に示す工程を繰り返し行い、Viaホール(図示省略)とダマシン配線層を形成する。これにより、基板上に多層配線構造を有する半導体装置が製造される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の製造工程において、Cu膜39およびTaバリアメタル膜38を研磨する際に、Taバリアメタル膜38の研磨残りが生じやすいという問題があった。特に、Cuダマシン配線35の表面にディッシング35aが発生した場合(図6(b)参照)、その上層の絶縁膜36にも凹部36aが形成されてしまい(図6(c)参照)、絶縁膜36を研磨しなければ、凹部36aにTaバリアメタル膜38の研磨残り(以下、「研磨残り」という。)40が発生してしまう。かかる研磨残り40は、ディッシング35aがないところであっても、例えばスクラッチ(引っかき傷)があるところ等に発生する可能性がある。また、この研磨残り40を放置すると、配線間のショートの原因となってしまうので、追加研磨により除去する必要がある。
【0009】
この対策として、研磨装置における研磨処理を終了した後、研磨残り40の有無を検査している。そして、研磨残り40がある場合には、研磨装置において追加研磨を行う。
しかしながら、上記検査は、研磨装置とは別の検査装置で行われるため、基板をキャリアに収納して装置間を搬送しなければならず、この搬送中に基板表面にパーティクルが付着してしまう可能性があった。
【0010】
また、キャリア搬送中に、研磨残り40が酸化してしまい、追加研磨をしても除去し難くなるという問題があった。
【0011】
また、検査装置は光学顕微鏡を用いており、研磨残り40の有無を目視検査により判断しているだけであった。このため、研磨残り40の多少を判定することができず、過剰な追加研磨が行われやすかった。従って、追加研磨を精度良く行うことができないという問題があった。さらに、研磨残り40が少量の場合にも、一定時間の追加研磨を行うことにより、スループットが悪くなってしまうという問題があった。
【0012】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、本発明は、測定した研磨残り量に基づいて追加研磨を精度良く行い、研磨残りの酸化を防止して、追加研磨を容易に行うことを目的とする。
【0013】
【課題を解決する為の手段】
本発明に係る研磨方法は、研磨装置において、下層金属配線上に絶縁膜を介して形成された金属膜を研磨する方法であって、
前記金属膜を研磨する研磨工程と、
前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜にマルチ波長光を照射して、反射光の反射率の波長依存性を測定することにより前記金属膜の研磨残りを検出する検出工程と、
前記研磨残りが検出された場合に、前記研磨残りを追加研磨する追加研磨工程とを含み、
前記検出工程は、測定した反射率の波長依存性から前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜の膜厚近傍の波長における反射率ピークの広がりを求め、該求めた反射率ピークの広がりに基づいて前記金属膜の研磨残りの量を検出することを特徴とするものである。
【0018】
本発明に係る研磨方法において、
前記検出工程は、前記求めた反射率ピークの広がりをシミュレーション結果と比較することにより、前記研磨残りの量を検出することが好適である。
【0019】
本発明に係る研磨方法において、
前記検出工程は、前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜の膜厚とほぼ等しい波長±50nmにおける反射率ピークの広がりを求めることを特徴とするものである。
【0021】
本発明に係る研磨残りの検出方法は、下層金属配線上に絶縁膜を介して形成された金属膜を研磨する際の研磨残りの検出方法であって、
前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜にマルチ波長光を照射して、反射光の反射率の波長依存性を測定し、
該測定した反射率の波長依存性から前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜の膜厚近傍の波長における反射率ピークの広がりを求め、
該求めた反射率ピークの広がりに基づいて、前記研磨残りの量を検出することを特徴とするものである。
本発明に係る研磨残りの検出方法において、
前記求めた反射率ピークの広がりをシミュレーション結果と比較することにより、前記研磨残りの量を検出することが好適である。
【0022】
本発明に係る研磨残りの検出方法において、
前記下層金属配線直上の前記絶縁膜の膜厚とほぼ等しい波長±50nmにおける反射率ピークの広がりを求めることが好適である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
【0024】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1による研磨装置を説明するための図である。
図1において、参照符号1はウェハのロード/アンロードを行うローダー、2は研磨された金属膜の研磨残りの有無および研磨残り量を検出する検出機構である例えば分光干渉反射率測定ユニット(後述)、3は研磨装置におけるウェハの搬送を行う搬送アーム、4はウェハを保持する保持機構としてのヘッド、5は表面上に研磨パッドが形成された研磨機構としてのプラテン、6は研磨後のウェハを洗浄するための洗浄槽、7は洗浄後のウェハをリンス(水洗)・乾燥(例えば、2000rpm程度の回転数のスピン乾燥)するための乾燥部を示している。なお、保持機構4および研磨機構5の詳細については、説明を省略する。
ここで、上記金属膜は、Ta膜、Ti膜、TaN膜、TiN膜の少なくとも何れか1つを含んでいる。また、検出機構2は、絶縁膜の下層に形成された下層金属配線としてのCuダマシン配線を探すための光学顕微鏡を備えている。また、研磨機構5は、検出機構2により金属膜の研磨残りがあると検出された場合に、その研磨残りの追加研磨を行う。なお、研磨機構5は、検出機構2により検出された研磨残り量に応じた時間だけ、追加研磨を行う。
【0025】
図2は、上記検出機構としての分光干渉反射率測定ユニットを説明するための概念図である。
図2において、参照符号11は光源、12はビームスプリッター、13は集光光学系、14はサンプル(試料)としてのウェハ、15は所定の波長の光を分光するための分光器、16はディテクターを示している。
分光干渉反射率測定ユニットは、光源11から発せられたマルチ波長光をウェハ14に入射させ、その反射光を集光光学系13で集光し、分光器15及びディテクター16を用いて反射率のスペクトルを測定する装置である。すなわち、この分光干渉反射率測定ユニットは、反射率の波長依存性を求め、これにより膜厚を求めるものである。また、分光干渉反射率測定ユニットは、従来より絶縁膜の膜厚測定に用いられている。
【0026】
また、研磨残りの検出に、上記分光干渉反射率測定ユニットのほかに、下記エリプソメータを用いることも考えられる。
図3は、エリプソメータを説明するための概念図である。
図3において、21は光源、22は偏光子、23は補償板、24はサンプル(試料)としてのウェハ、25は検証光子、26はディテクターを示している。
エリプソメータは、光源21から発せられた光を偏光子22で偏光し、この偏光したP偏光とS偏光を補償版23を通してウェハ24に入射させ、検証光子25及びディテクター26を用いてその反射光の反射率(後述するRp,Rs)を測定して、ΨとΔ(デルタ)の波長依存性を求め、これにより絶縁膜の膜厚を求めるものである。
詳細には、P偏光とS偏光の反射率をそれぞれRp,Rsとすると、下記式(1)の関係が得られる。
Rp/Rs=tan(Ψ)exp(iΔ) …(1)
そして、この式(1)によりΨとΔの波長依存性を求め、さらに膜厚を求める。
【0027】
次に、上記研磨装置における研磨方法について説明する。
先ず、ウェハを収納したキャリアをローダー1に載置する。
次に、搬送アーム3によりウェハをヘッド4まで搬送する。そして、ヘッド4によりウェハを保持する。
【0028】
次に、プラテン5上でウェハを研磨する。例えば、図6(e)に示すように、ウェハ上に形成された金属膜38,39を研磨する。その後、図6(f)に示すように、絶縁膜37の表面に、下層の金属配線(Cuダマシン配線)35の表面に形成されたディッシング35aに起因する研磨残り40が発生する。
次に、研磨後のウェハを洗浄槽6において洗浄した後、乾燥部7においてウェハをリンス・乾燥する。
【0029】
次に、検出機構2によりウェハ上に金属膜の研磨残り40があるか否か、および研磨残り40の量がいくらかを、以下の方法によって検出する。
ここで、絶縁膜の下層に金属配線層があるTa膜/SiO2膜:700nm/Cu膜:1000nm/Si基板からなる構造と、金属配線層がないTa膜/SiO2膜:1700nm/Si基板からなる構造とを用意した。そして、かかる構造においてTa膜の膜厚を変化させて、比較的安価に入手できるXenonランプ等で得られる波長200nm〜800nmのマルチ波長光の反射率、ΨおよびΔの波長依存性をシミュレーションし、そのシミュレーション結果をそれぞれ図4および図5に示す。
【0030】
図4は、Ta膜/SiO2膜:700nm/Cu膜:1000nm/Si基板からなる構造におけるTa膜の研磨残り量の変化に対して、反射率、ΨおよびΔの波長依存性の変化を示す図である。詳細には、図4(a)は分光干渉反射率測定ユニット(図2参照)により測定された反射率の波長依存性の変化を示す図であり、図4(b),(c)はそれぞれエリプソメータ(図3参照)により測定されたΨ、Δの波長依存性の変化を示す図である。
【0031】
また、図5は、Ta膜/SiO2膜:1700nm/Si基板からなる構造におけるTa膜の研磨残り量の変化に対して、反射率、ΨおよびΔの波長依存性の変化を示す図である。詳細には、図5(a)は分光干渉反射率測定ユニットにより測定された反射率の波長依存性の変化を示す図であり、図5(b),(c)はそれぞれエリプソメータにより測定されたΨ、Δの波長依存性の変化を示す図である。
【0032】
研磨後に残ったバリアメタル膜が十分薄く、その膜厚が10nm以下であるとすると、金属膜でも光を透過する領域になるので、上記2つの装置によって絶縁膜上の薄い研磨残りを検出することが可能である。
図4と図5とを比べると、図4(a)に示す結果が、最もTa膜の膜厚変化に対してスペクトル変化が大きいことが分かる。従って、金属膜の研磨残りの量を精度良く検出するには、下層に金属配線層がある場所で、反射率の波長依存性を測定することが最もよいことが分かる。また、絶縁膜の膜厚700nmの近傍±50nmの周波数において、スペクトル変化が測定できることが分かる。
【0033】
詳細には、図4(a)に示すように、波長650nm〜800nmにおいて、Ta膜の膜厚が0nmの場合すなわち研磨残りがない場合には、反射率が非常にフラットになっている。しかし、Ta膜の膜厚が10nmの場合には、700nmあたりに反射率のピークがあり、Ta膜の膜厚が薄くなるすなわち研磨残り量が少なくなるにつれて、このピークが広がっていく。なお、700nmは、絶縁膜の膜厚値である。
従って、Taバリアメタル膜の研磨残りを感度良く検知するには、下層金属配線とバリアメタル残りとの間に形成された絶縁膜の膜厚とほぼ等しい波長±50nmでの反射率の波長依存性を測定し、そこでの反射率ピークの広がりを調べればよいことが分かる。
例えば、本実施の形態1では、波長650nm〜750nmの波長100nm分だけフラットなピークすなわち0.9以上の反射率になっていれば、研磨残りがないと判断する。今後の多層配線では、形成される絶縁膜の膜厚は200nm〜800nm程度であると考えられるので、絶縁膜の下方に下層金属配線がある場合に、150nm〜850nmの波長での反射率スペクトルをシミュレーションし、実際のスペクトルと比較することが、金属膜の研磨残りを検出するのに有効である。この方法により、研磨残りの膜厚が0nm、2nm、10nmの何れかであるかを精度良く判別することができる。
【0034】
上述したように、検出機構2は、下層金属配線上の絶縁膜に対して反射率測定を行うため、下層金属配線を探すための光学顕微鏡を備えている。よって、検出機構2としての分光干渉反射率測定ユニットは、光学顕微鏡を用いて絶縁膜の下方に下層金属配線を有する特定パターンを探し、その特定パターンの絶縁膜に対して、上記方法により反射率スペクトルを測定する。
【0035】
以上のようにして、検出機構2により金属膜の研磨残りが検出されなかった場合には、ローダー1によりウェハをキャリア内に格納する。
一方、研磨残りが検出された場合には、ウェハを研磨機構5により追加研磨する。ここで、検出機構2により研磨残り量が検出されているので、ウェハは、その検出された研磨残り量に応じた時間だけ、研磨機構5により追加研磨される。その後、ウェハは洗浄部6および乾燥部7による処理を経て、キャリア内に格納される。
【0036】
以上説明したように、本実施の形態1では、研磨装置に、金属膜の研磨残りを検出するための顕微鏡機能付き分光干渉反射率測定ユニット2を設けた。
これにより、金属膜の研磨残りを探すために、ウェハをアンロードして、研磨装置とは別の検査装置に搬送する必要がない。従って、ウェハキャリアへのウェハの出し入れ回数を減らすことができるため、パーティクルが付着する機会を低減することができる。また、研磨装置と検査装置との間の搬送の際に、金属膜の研磨残り40の酸化を防止することができる。このため、研磨残り40を追加研磨により簡単に除去することができる。
また、図4(a)に示すシミュレーション結果を用いて研磨残り40の量を予測し、追加研磨を行う時間を設定することができる。すなわち、研磨残り量を、研磨残りの追加研磨にフィードバックすることができる。従って、研磨残りの追加研磨を精度良く行うことができる。このため、過剰な追加研磨を避けることができ、スループットが向上する。
【0037】
【発明の効果】
本発明によれば、測定した研磨残り量に基づいて、追加研磨を精度良く行い、研磨残りの酸化を防止して、追加研磨を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1による研磨装置を説明するための概念図である。
【図2】 本発明の実施の形態1による研磨装置において、分光干渉反射率測定ユニットを説明するための概念図である。
【図3】 本発明の実施の形態1による研磨装置において、エリプソメータを説明するための概念図である。
【図4】 Ta膜/SiO2膜/Cu膜/Si基板からなる構造におけるTa膜の研磨残り量の変化に対して、反射率、ΨおよびΔの波長依存性の変化を示す図である。
【図5】 Ta膜/SiO2膜/Si基板からなる構造におけるTa膜の研磨残り量の変化に対して、反射率、ΨおよびΔの波長依存性の変化を示す図である。
【図6】 従来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
1 ウェハローダー
2 検出機構(分光干渉反射率測定ユニット)
3 搬送アーム
4 保持機構(ヘッド)
5 研磨機構(プラテン)
6 洗浄槽
7 乾燥部
11 光源
12 ビームスプリッター
13 集光光学系
14 サンプル
15 分光器
16 ディテクター
21 光源
22 偏光子
23 補償板
24 サンプル
25 検証光子
26 ディテクター
Claims (6)
- 研磨装置において、下層金属配線上に絶縁膜を介して形成された金属膜を研磨する方法であって、
前記金属膜を研磨する研磨工程と、
前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜にマルチ波長光を照射して、反射光の反射率の波長依存性を測定することにより前記金属膜の研磨残りを検出する検出工程と、
前記研磨残りが検出された場合に、前記研磨残りを追加研磨する追加研磨工程と、
を含み、
前記検出工程は、測定した反射率の波長依存性から前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜の膜厚近傍の波長における反射率ピークの広がりを求め、該求めた反射率ピークの広がりに基づいて前記金属膜の研磨残りの量を検出することを特徴とする研磨方法。 - 請求項1に記載の研磨方法において、
前記検出工程は、前記求めた反射率ピークの広がりをシミュレーション結果と比較することにより、前記研磨残りの量を検出することを特徴とする研磨方法。 - 請求項1又は2に記載の研磨方法において、
前記検出工程は、前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜の膜厚とほぼ等しい波長±50nmにおける反射率ピークの広がりを求めることを特徴とする研磨方法。 - 下層金属配線上に絶縁膜を介して形成された金属膜を研磨する際の研磨残りの検出方法であって、
前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜にマルチ波長光を照射して、反射光の反射率の波長依存性を測定し、
該測定した反射率の波長依存性から前記下層金属配線の直上の前記絶縁膜の膜厚近傍の波長における反射率ピークの広がりを求め、
該求めた反射率ピークの広がりに基づいて、前記研磨残りの量を検出することを特徴とする研磨残りの検出方法。 - 請求項4に記載の研磨残りの検出方法において、
前記求めた反射率ピークの広がりをシミュレーション結果と比較することにより、前記研磨残りの量を検出することを特徴とする研磨残りの検出方法。 - 請求項4又は5に記載の研磨残りの検出方法において、
前記下層金属配線直上の前記絶縁膜の膜厚とほぼ等しい波長±50nmにおける反射率ピークの広がりを求めることを特徴とする研磨残りの検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002064799A JP3645226B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 研磨方法および研磨残りの検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002064799A JP3645226B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 研磨方法および研磨残りの検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003264163A JP2003264163A (ja) | 2003-09-19 |
JP3645226B2 true JP3645226B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=29197404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002064799A Expired - Fee Related JP3645226B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 研磨方法および研磨残りの検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3645226B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203729A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-28 | Ebara Corp | 基板研磨装置 |
JP4714427B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2011-06-29 | 株式会社荏原製作所 | 基板上に形成された薄膜の研磨方法 |
US7768659B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Determining copper concentration in spectra |
JP5513795B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および装置 |
-
2002
- 2002-03-11 JP JP2002064799A patent/JP3645226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003264163A (ja) | 2003-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5980828B2 (ja) | 半導体製造プロセスのための方法とシステム | |
US6440760B1 (en) | Method of measuring etched state of semiconductor wafer using optical impedence measurement | |
JPH11307604A (ja) | プロセスモニタ方法及びプロセス装置 | |
FR2883071A1 (fr) | Dispositif d'examen pour capteur d'humidite et procede de reglage des caracteristiques de capteur du capteur d'humidite | |
US9653367B2 (en) | Methods including a processing of wafers and spin coating tool | |
US7368397B2 (en) | Method for monitoring edge bead removal process of copper metal interconnection | |
TW584891B (en) | Integrated equipment set for forming an interconnect on a substrate | |
US6885446B2 (en) | Method and system for monitoring a process of material removal from the surface of a patterned structure | |
JP3645226B2 (ja) | 研磨方法および研磨残りの検出方法 | |
US6984532B2 (en) | Method of judging residual film by optical measurement | |
US7379185B2 (en) | Evaluation of openings in a dielectric layer | |
US20060138368A1 (en) | Apparatus and method for inspecting semiconductor wafers for metal residue | |
US8168451B2 (en) | Optical inspection methods | |
US6117780A (en) | Chemical mechanical polishing method with in-line thickness detection | |
US7362448B1 (en) | Characterizing residue on a sample | |
US6476604B1 (en) | Method and apparatus for identifying high metal content on a semiconductor surface | |
US8519388B2 (en) | Embedded structure for passivation integrity testing | |
KR102620998B1 (ko) | 기판 검사 방법, 기판 처리 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 처리 시스템 | |
US20070025609A1 (en) | Method of detecting defect of a pattern in a semiconductor device | |
US20140030826A1 (en) | Polishing method | |
KR20090064121A (ko) | 광학계측기를 이용한 비아컨택 식각불량 검출방법 | |
JP3686866B2 (ja) | 半導体製造装置及び製造方法 | |
US7002689B2 (en) | Optically-based method and apparatus for detecting and characterizing surface pits in a metal film during chemical mechanical polish | |
KR100621622B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
JP2000031226A (ja) | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |